TW201346457A - 曝光裝置、曝光方法、元件之製造方法及開口板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供曝光裝置，具備把掩模的圖案投影到基板的投影光學系統，使經由上述投影光學系統在上述基板上形成的投影區域的一部分在第1方向疊合的同時，使上述掩模和上述基板在與上述第1方向正交的第2方向同步移動，把上述圖案轉印到上述基板，特徵是具備：開口板，具有用於規定上述投影區域的開口；調整部，遮光上述開口的一部分，調整上述投影區域的上述第1方向中的端部形狀；取得部，取得上述投影區域所疊合的重疊區域的上述第1方向的寬度；控制部，根據上述取得部取得的寬度，決定上述投影區域的上述第1方向中的端部形狀，使得減少形成在上述基板上的照度分佈的不均勻，控制上述調整部使上述投影區域的上述第1方向中的端面為該所決定的形狀。

Description

曝光裝置、曝光方法、元件之製造方法及開口板
本發明涉及曝光裝置、曝光方法、元件的製造方法以及開口板。
在使用光蝕刻技術製造液晶顯示元件等時，使用把形成於掩模(原版)的圖案經由投影光學系統，投影到基板並轉印圖案的曝光裝置。近年來，在曝光裝置中，為了對應液晶顯示元件的大型化、低價化，要求能夠透過掃描曝光進行擴大曝光的面積(曝光區域)。
作為用於擴大曝光區域的技術，例如，在日本特開2009-237916號公報中提出了使用多個投影光學系統的所謂的連結曝光。連結曝光是通過把多個投影光學系統的各自形成的投影區域(即，多個投影區域)配置成使鄰接的投影區域的一部分在與掃描方向正交的方向重疊，從而謀求擴大作為整體的曝光區域(的寬度)。
參照圖9~圖11，具體說明在日本特開2009-237916號公報中公開的技術。圖9是表示曝光裝置EA的整體結構的概略圖。曝光裝置EA具有保持掩模M的掩模載置台 MST、保持基板P的基板載置台PST、用曝光用光EL照明掩模M的照明光學系統IL、把掩模M的圖案的像投影到基板P的投影光學系統PL。投影光學系統PL如圖9所示，包括7個光學系統模組PLa~PLg。曝光裝置EA在把各光學系統模組PLa~PLg形成的投影區域連結至Y軸方向的同時，即、使其一部分疊合的同時，在X軸方向掃描，從而把掩模M的圖案轉印到基板P。
圖10是表示配置在與掩模M或者基板P共軛的位置的圍幕單元(blind unit)BU的結構的圖。圍幕單元BU具備對於光學系統模組PLa~PLg的各個設置的視場光闌FS、圍幕BB。各光學系統模組PLa~PLg的基板P中的投影區域PRa~PRg由形成在對應的視場光闌FS中的開口K規定。圍幕BB具有與開口K的任一條斜邊平行的斜邊，能夠在X軸方向以及Y軸方向移動而遮蔽開口K的一部分。
在曝光裝置EA中，例如，如圖11所示，考慮把掩模M的圖案PPA分割成部分圖案PA和部分圖案PB並轉印到基板P的情況。這種情況下，能夠由圍幕單元BU使部分圖案PA(轉印到基板P的轉印圖案MA)和部分圖案PB(轉印到基板P的轉印圖案PB)的疊合區域、即邊界BLA與邊界BLB之間發生變化。這樣使疊合區域發生變化的理由是因為在連結曝光中，如果沒有根據掩模的圖案控制疊合區域，則在轉印到基板的圖案中產生線寬差(不均勻)。
然而，本發明者專心研究的結果，發現了如下內容：在連結曝光中，如果不控制投影區域的疊合區域的寬度、即各投影區域的端部的形狀，則由於掩模的圖案將發生不均勻。參照圖10，在日本特開2009-237916號公報中公開的技術，將根據開口K所規定的投影區域PRa~PRg連結起來的區域整體進行分割，並把掩模的圖案轉印到基板時不發生不均勻這一點是有效的。但是，如上所述，例如，如果亦不控制投影區域PRa與投影區域PRb的疊合區域的寬度、即各投影區域的Y軸方向的端部的形狀，則由於掩模的圖案而發生不均勻。
本發明提供有利於控制經由投影光學系統形成在基板上的投影區域的端部形狀的曝光裝置。
作為本發明的一個方面的曝光裝置，具備把掩模的圖案投影到基板的投影光學系統，經由上述投影光學系統形成在上述基板上的投影區域的一部分在第1方向疊合的同時，使上述掩模和上述基板在與上述第1方向正交的第2方向同步移動，把上述圖案轉印到上述基板，該曝光裝置的特徵在於，具有：開口板，具有用於規定上述投影區域的開口；調整部，對上述開口的一部分進行遮光，調整上述投影區域的上述第1方向的端部的形狀；取得部，取得上述投影區域所疊合的重疊區域的上述第1方向的寬度；控制部，根據由上述取得部取得的寬度，決定上述投影區 域的上述第1方向中的端部的形狀，以使得減少形成在上述基板上的照度分佈的不均勻，並對上述調整部進行控制，以使得上述投影區域的上述第1方向中的端面成為該所決定的形狀。
本發明的進一步的目的或者其他的方面將根據以下參照附圖說明的理想的實施方式而變得明確。
1‧‧‧曝光裝置
10‧‧‧照明光學系統
20‧‧‧開口板
30‧‧‧成像光學系統
40‧‧‧掩模
50‧‧‧投影光學系統
60‧‧‧基板
70‧‧‧調整部
80‧‧‧取得部
90‧‧‧控制部
202‧‧‧開口
502‧‧‧鏡筒
508‧‧‧凹面反射鏡
504a‧‧‧光學薄膜
20A‧‧‧開口板
506‧‧‧曲折鏡
510‧‧‧凸面反射鏡
60a‧‧‧轉印區域
K‧‧‧開口
BLA‧‧‧邊界
IDa‧‧‧照度分佈
PA‧‧‧部分圖案
EPa‧‧‧端部
P‧‧‧基板
702‧‧‧遮光板
202A‧‧‧開口
704‧‧‧致動器
706‧‧‧桿
702a‧‧‧端面
PRb‧‧‧投影區域
EA‧‧‧曝光裝置
M‧‧‧掩模
IDb‧‧‧照度分佈
EL‧‧‧曝光用光
PL‧‧‧投影光學系統
PST‧‧‧基板載置台
MST‧‧‧掩模載置台
PLa~PLg‧‧‧光學系統模組
PRa~PRg‧‧‧投影區域
BB‧‧‧圍幕
FS‧‧‧視場光闌
BU‧‧‧圍幕單元
MA‧‧‧轉印圖案
PPA‧‧‧掩模M的圖案
BLB‧‧‧邊界
ID‧‧‧照度分佈
EPb‧‧‧端部
PB‧‧‧部分圖案
504b‧‧‧光學薄膜
702b‧‧‧端面
OR‧‧‧重疊區域
圖1是表示作為本發明的一個方面的曝光裝置的結構的概略圖。
圖2A以及圖2B是用於說明由圖1表示的曝光裝置進行的曝光處理(連結曝光)的圖。
圖3是用於說明使投影區域疊合的重疊區域的連結寬度階梯性變化的必要性的圖。
圖4是用於說明定義投影區域的端部的曲線形狀的式子的圖。
圖5A以及圖5B是表示圖1所示的曝光裝置的調整部的具體結構的一個例子的概略圖。
圖6A以及圖6B是用於說明由圖1所示的曝光裝置進行的曝光處理(連結曝光)的圖。
圖7是表示具有用於截取出梯形形狀的光的開口的開口板的圖。
圖8A以及圖8B是表示圖1所示的曝光裝置的調整部的具體結構的一個例子的概略圖。
圖9是表示曝光裝置的整體結構的概略圖。
圖10是表示圖9所示的曝光裝置的圍幕單元的結構的圖。
圖11是用於說明圖9所示的曝光裝置中的連結曝光的圖。
以下，參照附圖，說明本發明的理想的實施方式。另外，在各圖中，對於相同的部件標註相同的參考編號，省略重複的說明。
圖1是表示作為本發明的一個方面的曝光裝置1的結構的概略圖。曝光裝置1經由投影光學系統形成在基板上的投影區域的一部分在第1方向(X軸方向)疊合的同時，使掩模和基板在與第1方向正交的第2方向(Y軸方向)同步移動，把掩模的圖案轉印到基板。換言之，曝光裝置1是進行連結曝光的掃描型的曝光裝置。
為了實現連結曝光，可以考慮以下的兩個方法。第1方法是如以往技術那樣，使用多個投影光學系統，對於這樣的投影光學系統各自在基板上規定的多個投影區域使得鄰接的投影區域的一部分重疊的方法。第2方法是使用1個投影光學系統，對於這樣的投影光學系統在基板上規定的投影區域使其一部分針對每一次曝光處理都發生重疊(即，把投影區域的一部分重疊的同時以等間距錯開)的方法。第1方法和第2方法由於在實現連結曝光的方面功 能上相同，因此在本實施方式中以第2方法為例進行說明。
曝光裝置1具有照明光學系統10、開口板20、成像光學系統30、保持並移動掩模40的掩模載置台(未圖示)、投影光學系統50、保持並移動基板60的基板載置台(未圖示)。另外，曝光裝置1具有調整部70、取得部80、控制部90。
照明光學系統10是用於使用來自光源的光，對掩模40進行照明的光學系統。開口板20是用於從通過了照明光學系統10的光截取出具有預定形狀的光的開口，在本實施方式中，具有用於規定經由投影光學系統50形成在基板60上的投影區域的開口202。成像光學系統30是用於使由開口板20截取出的光(即，通過了開口板20的開口202的光)在掩模40上成像的光學系統。掩模40具有應轉印到基板60的圖案(電路圖案)，被掩模載置台所保持，並配置在投影光學系統50的物體面。
投影光學系統50是把由照明光學系統10照明了的掩模40的圖案(的像)投影到基板60的光學系統。投影光學系統50在本實施方式中包括：鏡筒502、分別配置在鏡筒502的入射側以及出射側的光學薄膜504a以及504b、曲折鏡506、凹面反射鏡508、凸面反射鏡510。由掩模40的圖案繞射的光按照光學薄膜504a、曲折鏡506、凹面反射鏡508、凸面反射鏡510、凹面反射鏡508、曲折鏡506、光學薄膜504b的順序通過，在基板60 上成像。曝光裝置1由於是掃描型的曝光裝置，因此透過在掃描方向(Y軸方向)掃描掩模40和基板60，從而把掩模40的圖案轉印到基板60。
基板60是被投影(轉印)掩模40的圖案的基板，被基板載置台所保持，配置在投影光學系統50的像面。在基板60中塗敷抗蝕劑(感光劑)。基板60包括玻璃板(液晶面板)、晶圓、其他的基板。
調整部70對開口板20的開口202的一部分進行遮光，調整與經由投影光學系統50形成在基板60上的投影區域的掃描方向正交的方向(X軸方向)的端部的形狀。關於調整部70的具體結構在後面詳細說明。
取得部80在連結曝光中，取得與經由投影光學系統50形成在基板60上的投影區域被疊合的重疊區域的掃描方向正交的方向(X軸方向)的寬度(以下設為「連結寬度」)。連結寬度一般依據掩模40的圖案(的形狀)而被決定。因而，取得部80例如具有：記憶在曝光裝置1中使用的掩模40與連結寬度的對應關係的記憶部、識別掩模40的識別部、根據識別部的識別結果而參照記憶在記憶部的對應關係來決定連結寬度的決定部。但也可以代替識別部，而使用者使用輸入在曝光裝置1中使用的掩模40的輸入部來構成取得部80。另外，也可以使用者使用直接輸入連結寬度的輸入部來構成取得部80。
控制部90包括CPU、記憶體，對曝光裝置1的整體(曝光裝置1的各部分)進行控制。換言之，控制部90 控制把掩模40的圖案轉印到基板60、即對基板60進行曝光的曝光處理(在本實施方式中是連結曝光)。例如，控制部90根據由取得部80取得的連結寬度，決定與投影區域的掃描方向正交的方向(X軸方向)的端部的形狀，以使得減少形成在基板60上的照度分佈的不均勻。而且，控制部90控制調整部70，以使得與經由投影光學系統50形成在基板60上的投影區域的掃描方向正交的方向的端面成為所決定的形狀。
參照圖2A以及圖2B，說明由本實施方式的曝光裝置1進行的曝光處理、即連結曝光。圖2A表示通過2次的掃描(連結2個投影區域)把掩模40的圖案轉印到基板60的情況，圖2B表示通過3次的掃描(連結3個投影區域)把掩模40的圖案轉印到基板60的情況。另外，以下雖然說明掃描或者移動經由投影光學系統50形成在基板60上的投影區域，而實際上使基板載置台104移動。
參照圖2A，在基板60上的轉印區域60a中，經由投影光學系統50，被投影投影區域PRA，在作為掃描方向的Y軸方向掃描這樣的投影區域PRA。但是，由於投影區域PRA的X軸方向的寬度比基板60的X軸方向的寬度小，因此僅在Y軸方向掃描投影區域PRA，無法對基板60(轉印區域60a)的整體進行曝光。因而，除了投影區域PRA的掃描以外，還透過在Y軸方向掃描使投影區域PRA在X軸方向移動了距離α而得的投影區域PRB，從而對基板60的整體進行曝光。
同樣，參照圖2B，在基板60上的轉印區域60a中，經由投影光學系統50被投影投影區域PRC，在作為掃描方向的Y軸方向掃描這樣的投影區域PRC。接著，在Y軸方向掃描使投影區域PRC在X軸方向移動了距離β而得的投影區域PRD。進而，透過在Y軸方向掃描使投影區域PRD在X軸方向移動了距離β而得的投影區域PRE，從而對基板60的整體進行曝光。
這樣透過對於投影區域PRA以及PRB、或者投影區域PRC至PRE，使其一部分疊合的同時在Y軸方向掃描，能夠在基板60上的轉印區域60a轉印掩模40的圖案。
另外，投影區域PRA以及PRB的各自的X軸方向的寬度(曝光寬度)相同，投影區域PRC至PRE的各自的曝光寬度相同。這是由於在Y軸方向掃描了投影區域PRA以及PRB、或者投影區域PRC至PRE時，使基板60的整體中的照度(照射能量)成為恒定的緣故。但是，在投影區域PRA與投影區域PRB的重疊區域OR、投影區域PRC與投影區域PRD的重疊區域、以及投影區域PRD與投影區域PRE的重疊區域中，需要使連結寬度在Y軸方向階梯性地變化。
參照圖3，說明使投影區域疊合的重疊區域的連結寬度在Y軸方向階梯性變化的必要性。在圖3中，IDA表示投影區域PRA中的照度分佈，IDB表示投影區域PRB中的照度分佈。如果把照度分佈IDA和照度分佈IDB連結起來，則成為照度分佈ID，在基板60的整體中成為均勻 (即，沒有照度不均勻)的照度分佈。這裏，在圖2A中，由於開口板20的開口202是圓弧形狀，因此投影區域PRA的X軸方向中的端部EPA的形狀以及投影區域PRB的X軸方向中的端部EPB的形狀成為曲線形狀。換言之，控制部90把投影區域PRA以及PRB的各自的端部EPA以及EPB的形狀決定為曲線形狀，控制調整部70，以使得投影區域PRA以及PRB的各自的端部EPA以及EPB的形狀成為曲線形狀。
另外，在開口板20的開口202是圓弧形狀的情況下，定義投影區域的X軸方向中的端部的曲線形狀的式子Y用以下的式(1)來表示。但是，如圖4所示，把與圓弧形狀的開口202相對應地投影到基板60上的圓弧形狀的投影區域的半徑設為R，把這樣的投影區域的曝光寬度設為2V，把投影光區域的Y軸方向的寬度設為T，把重疊區域的連結寬度設為T。
Y=R-(R2-X2)1/2+S/T(V-X)......(1)
在這裏說明掩模40的圖案與連結曝光的關係。掩模40的圖案如果是即使連結寬度狹窄也不會發生照度不均勻那樣的圖案，則應重視與投影區域的掃描時間有關的節奏，如圖2A所示，透過2次的掃描把掩模40的圖案轉印到基板60。但是，也考慮掩模40的圖案是如果不擴大連結寬度則將發生照度不均勻那樣的圖案(例如，窄線寬的線和間隔的圖案)的情況。在這樣的情況下，如圖2B所示，應該擴大連結寬度，透過3次的掃描把掩模40的圖 案轉印到基板60。由此，即使掩模40的圖案是易於發生照度不均勻的圖案，也能夠在抑制照度不均勻發生的同時，高精度地把掩模40的圖案轉印到基板60。
參照圖5A以及圖5B，說明調整部70的具體結構的一個例子。調整部70例如包括配置在開口板20的遮光板702、致動器704、桿706。遮光板702是在Z軸方向具有厚度的薄板，具有使形狀可變的端面702a。致動器704具有經由可伸縮的桿706而向遮光板702的端面702a施加力的功能。致動器704在本實施方式中，在固定了與開口202的Y軸方向的端部中的一端相對應的端面702a的位置的狀態下，變更端面702a的形狀(曲線形狀)。具體地講，各致動器704使遮光板702的端面702a的位置(即、連接了桿706的位置)獨立地變化。由此，能夠把投影區域的X軸方向中的端部的形狀變更(控制)成圖2A表示的曲線形狀(圖5A)、圖2B表示的曲線形狀(圖5B)。這時，由遮光板702的端面702a形成的曲線形狀設為如上述的式(1)所示。
參照圖6A以及圖6B，說明開口板20的開口202是梯形形狀時的連結曝光。圖6A表示透過2次的掃描(連結2個投影區域)把掩模40的圖案轉印到基板60的情況，圖6B表示透過3次的掃描(連結3個投影區域)把掩模40的圖案轉印到基板60的情況。掩模40的圖案如果是即使使連結寬度狹窄也不會發生照度不均勻那樣的圖案，則重視與投影區域的掃描時間有關的節奏，如圖6A 所示，透過2次的掃描把掩模40的圖案轉印到基板60。但是，在掩模40的圖案是如果不擴大連結寬度就將發生照度不均勻那樣的圖案的情況下，如圖6B所示，擴大連結寬度，透過3次的掃描把掩模40的圖案轉印到基板60。在此，把開口板20的開口202設為梯形形狀，從通過了照明光學系統10的光截取出具有梯形形狀的光。但是，如圖7所示，即使開口板20的開口202是圓弧形狀，透過在開口板20的後段進一步配置具有梯形形狀的開口202A的開口板20A，也能夠截取出具有梯形形狀的光。
參照圖6A，在基板60上的轉印區域60a中，經由投影光學系統50被投影投影區域PRG，在作為掃描方向的Y軸方向掃描這樣的投影區域PRG。但是，由於投影區域PRG的X軸方向的寬度比基板60的X軸方向的寬度小，因此僅在Y軸方向掃描投影區域PRG無法對基板60(轉印區域60a)的整體進行曝光。因而，除了投影區域PRG的掃描以外，透過在Y軸方向掃描使投影區域PRG在X軸方向移動了距離α’而得的投影區域PRH，對基板60的整體進行曝光。
同樣，參照圖6B，在基板60上的轉印區域60a中，經由投影光學系統50，被投影投影區域PRI，在作為掃描方向的Y軸方向掃描這樣的投影區域PRI。接著，在Y軸方向掃描使投影區域PRI在X軸方向移動了距離β’而得的投影區域PRJ。進而，透過在Y軸方向掃描使投影區域 PRJ在X軸方向移動了距離β’而得的投影區域PRK，對基板60的整體進行曝光。
如此，透過使投影區域PRG以及PRH、或者投影區域PRI至PRK的一部分疊合的同時在Y軸方向掃描，能夠對基板60上的轉印區域60a轉印掩模40的圖案。
另外，投影區域PRG以及PRH的各自的X軸方向的寬度(曝光寬度)相同，投影區域PRI至PRK的各自的曝光寬度相同。在此，在圖6A以及圖6B中，由於開口板20的開口202是梯形形狀，因此投影區域PRG至PRK的各自的X軸方向中的端部的形狀成為直線形狀。換言之，控制部90控制調整部70，以使得把投影區域PRG至PRK的各自的端部的形狀決定為直線形狀，使投影區域PRG至PRK的各自的端部的形狀成為直線形狀。這是因為在開口板20的開口202是梯形形狀的情況下，如果把投影區域PRG中的照度分佈和投影區域PRH中的照度分佈連結起來，則在基板60的整體中成為均勻(即，沒有照度不均勻)的照度分佈的緣故。同樣，如果把投影區域PRI中的照度分佈、投影區域PRJ中的照度分佈以及投影區域PRK中的照度分佈連結起來，則在基板60的整體中成為均勻的照度分佈。
參照圖8A以及圖8B，說明開口板20的開口202是梯形形狀時的調整部70的具體結構的一個例子。調整部70例如包括：配置在開口板20的遮光板702、致動器704、桿706。遮光板702是在Z軸方向具有厚度的薄 板，具有直線形狀的端面702b。致動器704具有經由可伸縮的桿706向遮光板702的端面702b施加力的功能。致動器704在本實施方式中，在固定了與開口202的Y軸方向中的端部中的一端相對應的端面702b的位置的狀態下，使直線形狀的端面702b移動。具體地講，致動器704以與開口202的Y軸方向中的端部中的一端相對應的端面702b的位置為旋轉軸，使直線形狀的端面702b旋轉。由此，能夠把投影區域的X軸方向中的端部的形狀變更(控制)成圖6A表示的直線形狀(圖8A)、圖6B表示的直線形狀(圖8B)。
如此，曝光裝置1能夠根據掩模40的圖案(即，依據圖案所決定的連結寬度)，控制(調整)各投影區域的Y軸方向的端部的形狀。因此，曝光裝置1能夠抑制照度不均勻發生的同時，高精度地把掩模40的圖案轉印到基板60，能夠提供高生產能力且經濟性良好、高品質的裝置(半導體積體電路元件、液晶顯示元件等)。另外，裝置透過經由使用曝光裝置1對塗敷了光敏抗蝕劑(感光劑)的基板(晶圓、玻璃板等)進行曝光的工程、顯影被曝光了的基板的工程和其他衆所周知的工程來進行製造。
以上說明了本發明的優選實施方式，而本發明當然不限定於這些實施方式，在其要旨的範圍內能夠進行各種變形以及變更。在本實施方式中，雖然透過調整部調整投影區域的端部的形狀，但具有與透過調整部所調整後的投影區域的形狀相對應的形狀的開口的開口板也構成本發明的 一個方面。例如，用於把投影區域規定為圓弧形狀的開口、且其端部的形狀是具有曲線形狀的開口的開口板構成本發明的一個方面。
以上參照例示性的實施方式描述了本發明，但是本發明並不限於所公開的例示性的實施方式。以下的權利要求書被給予最寬的解釋，使其包括所有類似的修改、等同的構造和功能。
60‧‧‧基板
60a‧‧‧轉印區域
PRA‧‧‧投影區域
PRB‧‧‧投影區域
OR‧‧‧重疊區域

Claims (9)

  1. 一種曝光裝置，具備把掩模的圖案投影到基板的投影光學系統，該曝光裝置使經由上述投影光學系統形成在上述基板上的投影區域的一部分在第1方向疊合的同時，使上述掩模和上述基板在與上述第1方向正交的第2方向同步移動，把上述圖案轉印到上述基板，該曝光裝置的特徵在於，具有：開口板，具有用於規定上述投影區域的開口；調整部，對上述開口的一部分進行遮光，調整上述投影區域的上述第1方向中的端部的形狀；取得部，取得上述投影區域所疊合的重疊區域的上述第1方向的寬度；控制部，根據由上述取得部取得的寬度，決定上述投影區域的上述第1方向中的端部的形狀，以使得減少形成在上述基板上的照度分佈的不均勻，並對上述調整部進行控制，以使得上述投影區域的上述第1方向中的端面成為該所決定的形狀。
  2. 如請求項1所述的曝光裝置，其中，上述開口是圓弧形狀，上述控制部把上述投影區域的上述第1方向中的端部的形狀決定為曲線形狀。
  3. 如請求項2所述的曝光裝置，其中，對應上述圓弧形狀的上述開口，在上述基板上規定的圓弧形狀的上述投影區域的半徑設為R，把上述投影區域 的上述第1方向中的寬度設為2V，把上述投影區域的上述第2方向中的寬度設為S，把由上述取得部取得的寬度設為T，則定義上述曲線形狀的式子Y用Y=R-(R2-X2)1/2+S/T(V-X)來表示。
  4. 如請求項2所述的曝光裝置，其中，上述調整部包括：遮光板，具有使形狀可變的端面；致動器，用於在固定了與上述圓弧形狀的上述開口的上述第1方向中的端部中的一端相對應的上述端面的位置的狀態下，變更上述端面的形狀。
  5. 如請求項1所述的曝光裝置，其中，上述開口是梯形形狀，上述控制部把上述投影區域的上述第1方向中的端部的形狀決定為直線形狀。
  6. 如請求項5所述的曝光裝置，其中，上述調整部包括：遮光板，具有直線形狀的端面；致動器，用於在固定了與上述梯形形狀的上述開口的上述第1方向中的端部中的一端相對應的上述端面的位置的狀態下，使上述端面移動。
  7. 一種曝光方法，透過把掩模的圖案投影到基板的投影光學系統使在上述基板上規定的投影區域的一部分在第1方向疊合的同時，使上述掩模和上述基板在與上述第1方向正交的第2方向同步移動，把上述圖案轉印到上述基 板，該曝光方法的特徵在於，具有：第1步驟，取得上述投影區域所疊合的重疊區域的上述第1方向的寬度；第2步驟，根據在上述第1步驟中取得的寬度，決定上述投影區域的上述第1方向中的端部的形狀，以使得減少形成在上述基板上的照度分佈的不均勻，並進行控制，以使得上述投影區域的上述第1方向中的端面成為該所決定的形狀。
  8. 一種元件的製造方法，其特徵在於，具有：使用請求項1至6中的任意一項記載的曝光裝置對基板進行曝光的步驟；以及顯影曝光了的上述基板的步驟。
  9. 一種開口板，其特徵在於，該開口板在曝光裝置中使用，具有用於把投影區域規定為圓弧形狀的開口，其中，透過把掩模的圖案投影到基板的投影光學系統使在上述基板上規定的投影區域的一部分在第1方向疊合的同時，使上述掩模和上述基板在與上述第1方向正交的第2方向同步移動，把上述圖案轉印到上述基板，上述開口的上述第1方向中的端部的形狀是曲線形狀。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6243616B2 (ja) * 2013-03-26 2017-12-06 キヤノン株式会社 露光装置および物品の製造方法
CN105511236B (zh) * 2016-02-29 2018-01-09 深圳市华星光电技术有限公司 光传导装置和曝光机
WO2017150388A1 (ja) * 2016-02-29 2017-09-08 株式会社ニコン 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、遮光装置、及び露光方法
JP2018010105A (ja) * 2016-07-13 2018-01-18 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、および物品製造方法
JP6771997B2 (ja) * 2016-08-24 2020-10-21 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、および物品製造方法
JP6734573B2 (ja) * 2019-03-22 2020-08-05 株式会社ニコン 露光装置、並びにディスプレイ及びデバイスの製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001201867A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
JP2001209187A (ja) * 2000-01-25 2001-08-03 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP4482998B2 (ja) * 2000-02-03 2010-06-16 株式会社ニコン 走査露光方法および走査露光装置並びにデバイス製造方法
JP4362999B2 (ja) * 2001-11-12 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2003282412A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Ushio Inc 光照射装置
JP3762323B2 (ja) * 2002-04-02 2006-04-05 キヤノン株式会社 露光装置
JP2004335864A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
KR101006435B1 (ko) * 2003-09-01 2011-01-06 삼성전자주식회사 노광 마스크, 이를 포함하는 노광 장치 및 이를 이용한표시 장치용 표시판의 제조 방법
TWI387855B (zh) * 2003-11-13 2013-03-01 尼康股份有限公司 A variable slit device, a lighting device, an exposure device, an exposure method, and an element manufacturing method
JP4822022B2 (ja) * 2005-02-25 2011-11-24 株式会社ニコン 露光方法および装置、ならびに電子デバイス製造方法
JP2007335849A (ja) * 2006-05-17 2007-12-27 Canon Inc 遮光装置および露光装置
JP5071385B2 (ja) * 2006-06-16 2012-11-14 株式会社ニコン 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2008263092A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Orc Mfg Co Ltd 投影露光装置
JP5063229B2 (ja) * 2007-07-12 2012-10-31 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2009163133A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
DE102008008232B4 (de) * 2008-02-08 2011-04-14 Realeyes Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Belichten eines Fotomaterials
JP2009277903A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 Panasonic Corp 電子部品形成装置および電子部品
JP5294488B2 (ja) * 2009-12-03 2013-09-18 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置

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