TW202309675A - 曝光裝置、曝光方法及平面顯示器之製造方法、以及曝光資料作成方法 - Google Patents

Abstract

曝光裝置具備照明光學系、由來自照明光學系之光所照明之複數個空間光調變器、將自空間光調變器射出之光照射於曝光對象之複數個投影光學系、及載置曝光對象之載台。載台一邊藉由複數個投影光學系使掃描曝光視野重疊，一邊使曝光對象於既定之掃描方向移動，藉此將照射於曝光對象之光於曝光對象上進行掃描。空間光調變器係以下述方式設定：於曝光中，於曝光對象上重疊地受到曝光之重疊部（Oa）之照度與於曝光對象上不重疊地受到曝光之非重疊部（Sa、Sb）之照度相比更高。

Description

曝光裝置、曝光方法及平面顯示器之製造方法、以及曝光資料作成方法

本發明係關於曝光裝置、曝光方法及平面顯示器之製造方法、以及曝光資料作成方法。 本申請案係根據2021年7月5日提出申請之日本特願2021-111848號而主張優先權，將其內容援用於此。

以往，作為經由光學系向基板照射照明光之曝光裝置，已知有下述曝光裝置，即：使利用空間光調變器進行了調變之光通過投影光學系，使由該光所得之像在塗布於基板之光阻上成像而進行曝光（例如參照專利文獻1）。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2005-266779號公報

根據本發明之第1態樣，提供一種曝光裝置，具備：複數個空間光調變器，其等具有複數個元件；照明光學系，其藉由脈衝光將上述複數個空間光調變器照明；複數個投影光學系，其等將自上述空間光調變器射出之光照射於曝光對象；載台，其載置上述曝光對象；及控制部，其將上述複數個元件切換為將上述脈衝光導引至上述投影光學系之第1狀態、與不導引至上述投影光學系之第2狀態；且上述載台一邊藉由複數個上述投影光學系使掃描曝光視野重疊（overlap），一邊使上述曝光對象於既定之掃描方向移動，藉此將照射於上述曝光對象之光於上述曝光對象上進行掃描，上述控制部於曝光中切換上述複數個元件之上述第1狀態與上述第2狀態，以經由上述投影光學系照射於上述曝光對象上重疊地受到曝光之重疊部的上述脈衝光之數，較經由上述投影光學系照射於上述曝光對象上不重疊地受到曝光之非重疊部的上述脈衝光之數更多之方式，控制上述複數個元件。

根據本發明之第2態樣，提供一種曝光方法，其使用上述曝光裝置將曝光對象進行曝光，上述載台一邊藉由複數個上述投影光學系使掃描曝光視野重疊，一邊使上述曝光對象於既定之掃描方向移動，藉此將照射於上述曝光對象之光於上述曝光對象上進行掃描，此時，於曝光中切換上述複數個元件之上述第1狀態與上述第2狀態，以經由上述投影光學系照射於上述曝光對象上重疊地受到曝光之重疊部的上述脈衝光之數，較經由上述投影光學系照射於上述曝光對象上不重疊地受到曝光之非重疊部的上述脈衝光之數更多之方式，控制上述複數個元件。

根據本發明之第3態樣，提供一種平面顯示器之製造方法，包含：藉由上述曝光方法將曝光對象進行曝光；以及將經曝光之上述曝光對象進行顯影。

根據本發明之第4態樣，提供一種曝光資料作成方法，其係用於曝光裝置，上述曝光裝置具備：複數個空間光調變器，其等具有複數個元件；照明光學系，其藉由脈衝光將上述複數個空間光調變器照明；複數個投影光學系，其等將自上述空間光調變器射出之光照射於曝光對象；載台，其載置上述曝光對象；及控制部，其將上述複數個元件切換為將上述脈衝光導引至上述投影光學系之第1狀態、與不導引至上述投影光學系之第2狀態，上述載台一邊藉由複數個上述投影光學系使掃描曝光視野重疊，一邊使上述曝光對象於既定之掃描方向移動，藉此將照射於上述曝光對象之光於上述曝光對象上進行掃描；並且上述曝光資料作成方法作成下述曝光資料：於曝光中，切換上述複數個元件之上述第1狀態與上述第2狀態，以經由上述投影光學系照射於上述曝光對象上重疊地受到曝光之重疊部的上述脈衝光之數，較經由上述投影光學系照射於上述曝光對象上不重疊地受到曝光之非重疊部的上述脈衝光之數更多之方式，控制上述複數個元件。

以下，參照圖式對本發明之實施形態加以說明。本發明之以下之詳細說明僅為例示，並無限定。於圖式及以下之詳細說明總體中，使用相同或同樣之參照符號。

[第1實施形態] [曝光裝置] 圖1係表示第1實施形態之曝光裝置1之外觀構成之概要的圖。曝光裝置1為向曝光對象物照射調變光之裝置。於特定之實施形態中，曝光裝置1為將用於液晶顯示裝置（平面顯示器）等電子器件的矩形（方型）之玻璃基板作為曝光對象物的步進掃描（step and scan）方式之投影曝光裝置，所謂掃描儀。作為曝光對象物之玻璃基板可為至少一邊之長度或對角長為500 mm以上。作為曝光對象物之玻璃基板亦可為平面顯示器用之基板。經曝光裝置1曝光之曝光對象物（例如平面顯示器用之基板）藉由顯影而用於製品。於曝光對象物之表面形成有光阻（例如負型光阻）。 曝光裝置1之裝置本體例如係與美國專利申請案公開第2008/0030702號說明書所揭示之裝置本體同樣地構成。

曝光裝置1具備底座11、防振台12、主柱（main column）13、載台14、光學定盤15、照明模組16、投影模組17（投影光學系）、光源單元18、光纖19、光調變部20（圖1中未圖示）及控制部21。 以下，視需要使用三維正交座標系進行說明，上述三維正交座標系將與投影模組17之光軸方向平行之方向設為Z軸方向，將與Z軸正交之既定平面之方向設為X軸方向、Y軸方向，上述投影模組17將經光調變部20調變之光照射於曝光對象物。X軸方向與Y軸方向為相互正交（交叉）之方向。本實施形態中，X軸方向為曝光對象物（基板）23之掃描移動方向，Y軸方向為曝光對象物（基板）23之步進方向。

底座11為曝光裝置1之基台，設置於防振台12之上。底座11以可於X軸方向及Y軸方向移動之方式支承載置有曝光對象物之載台14。

載台14支承曝光對象物。載台14用於在掃描曝光中，相對於經由投影模組17投影之電路圖案之複數個部分像而將曝光對象物高精度地定位。載台14將曝光對象物於六自由度方向（上述X軸、Y軸及Z軸方向及相對於各軸之旋轉方向）驅動。

載台14於掃描曝光時於X軸方向以既定之等速度移動，於變更曝光對象物上之曝光對象區域時於Y軸方向步進移動。再者，曝光對象物形成有複數個曝光對象區域。載台14使曝光對象物與投影模組17於掃描方向相對移動。

曝光裝置1可於一片曝光對象物上將複數個曝光對象區域分別曝光。作為載台14之構成，並無特別限定，可使用美國專利申請案公開第2012/0057140號說明書等所揭示般之載台裝置。載台裝置例如為所謂粗微動構成之載台裝置，包含支架型（gantry type）之二維粗動載台、及相對於該二維粗動載台而受到微小驅動之微動載台。粗微動構成之載台裝置可藉由粗動載台使曝光對象物於水平面內之三自由度方向移動，且可藉由微動載台使曝光對象物於六自由度方向微動。

主柱13於載台14之上方（Z軸之正方向）支承光學定盤15。光學定盤15支承照明模組16、投影模組17及光調變部20。

圖2為表示照明模組16、投影模組17及光調變部20之構成之概要的圖。 照明模組16配置於光學定盤15之上方，經由光纖19連接於光源單元18。本實施形態之一例中，照明模組16中包含第1照明模組16A、第2照明模組16B、第3照明模組16C及第4照明模組16D。以下之說明中，於不區分第1照明模組16A～第4照明模組16D之情形時，將其等總稱而記載為照明模組16。

第1照明模組16A～第4照明模組16D分別將經由光纖19之自光源單元18射出之光導向第1光調變部20A、第2光調變部20B、第3光調變部20C及第4光調變部20D各自。照明模組16將光調變部20照明。

光調變部20將於下文中進一步詳述，根據待轉印至作為曝光對象物之基板23的電路圖案之描繪資料（二維之點陣圖（bit map）形式等之數位資料）而受到控制，根據應曝光之圖案將來自照明模組16之照明光之空間強度分布進行動態調變。經光調變部20調變之調變光被引導至投影模組17。第1光調變部20A～第4光調變部20D配置於XY平面上互不相同之位置。以下之說明中，於不區分第1光調變部20A～第4光調變部20D之情形時，將其等總稱而記載為光調變部20。

投影模組17配置於光學定盤15之下方，將經光調變部20調變之調變光照射於載台14上所載置之基板23（於表面具有感光層）。投影模組17使經光調變部20調變之光（與圖案相應之光強度分布之像）於基板23上成像，將基板23之感光層（光阻）曝光。換言之，投影模組17將由光調變部20生成之動態之可變圖案之像投影於基板23。本實施形態之一例中，投影模組17中包含與上述第1照明模組16A～第4照明模組16D及第1光調變部20A～第4光調變部20D對應之第1投影模組17A～第4投影模組17D。以下之說明中，於不區分第1投影模組17A～第4投影模組17D之情形時，將其等總稱而記載為投影模組17。

將由第1照明模組16A、第1光調變部20A及第1投影模組17A構成之單元稱為第1曝光模組。同樣地，將由第2照明模組16B、第2光調變部20B及第2投影模組17B構成之單元稱為第2曝光模組。各曝光模組設於XY平面上互不相同之位置，可於載台14所載置之曝光對象物之不同位置進行圖案曝光。載台14可藉由相對於曝光模組沿作為掃描方向之X軸方向相對移動，而將曝光對象物之全面或曝光對象區域之全面進行掃描曝光。又，亦由圖1得知，圖2中之第1照明模組16A、第1投影模組17A及第1光調變部20A之第1曝光模組於Y軸方向亦排列配置有複數個。同樣地，圖2中之第2照明模組16B、第2投影模組17B及第2光調變部20B之第2曝光模組於Y軸方向亦排列配置有複數個。同樣地，圖2中之由第3照明模組16C、第3投影模組17C及第3光調變部20C所得之第3曝光模組於Y軸方向亦排列配置有複數個。同樣地，圖2中之由第4照明模組16D、第4投影模組17D及第4光調變部20D所得之第4曝光模組亦於Y軸方向排列配置有複數個。

再者，將照明模組16亦稱為照明系。照明模組16（照明系）將光調變部20之後述之空間光調變器201（空間光調變元件）照明。 又，投影模組17亦稱為投影部。投影模組17（投影部）可為將光調變部20上之圖案之像等倍地投影之等倍系，亦可為放大系或縮小系。又，投影模組17較佳為由單一或兩種玻璃材料（尤其為石英或螢石）構成。

如圖1所示，光源單元18設有一對（光源單元R18R、光源單元L18L）。作為光源單元18，可採用：以干涉性高之雷射作為光源的光源單元、使用半導體雷射型之UV-LD（Ultraviolet-Laser Diode，紫外光-雷射二極體）般之光源的光源單元、及利用透鏡中繼（lens relay）式之延遲器（retarder）的光源單元。作為光源單元18具備之光源18a，可列舉：射出405 nm或365 nm等波長之燈或雷射二極體等。光源單元18亦可包含光分配系，該光分配系向各光纖19供給大致相同照度之照明光（脈衝光）。又，作為光源單元18，亦可利用光纖放大器（fiber amplifier）雷射光源，該光纖放大器雷射光源能以100 KHz以上之頻率輸出於紫外波長域（300 nm～436 nm）內之既定波長具有波峰強度且發光時間極短而為例如幾十皮秒(picosecond)以內之紫外脈衝。

曝光裝置1除了上述各部以外，還具備由干涉計或編碼器等構成之位置測量部（未圖示），測量載台14相對於光學定盤15之相對位置。 曝光裝置1除了上述各部以外，還具備測量載台14或載台14上之基板23之Z軸方向之位置的AF（Auto Focus，自動對焦）部42。進而，曝光裝置1具備對準部41，該對準部41於對已在基板23上經曝光之圖案（基底層）重合其他圖案進行曝光時，為了使各圖案之相對位置對準，而測量形成於基底層之對準標記之位置。AF部42及/或對準部41亦可為經由投影模組17進行測量之TTL（Through the lens，經由透鏡）之構成。

圖3為表示曝光模組之構成之概要的圖。以第1曝光模組為一例，對照明模組16、光調變部20及投影模組17之具體構成之一例加以說明。

照明模組16具備模組快門161及照明光學系162。 模組快門161切換是否將自光纖19以既定之強度、既定之週期供給之脈衝光導向照明光學系162。

照明光學系162使自光纖19供給之脈衝光經由準直透鏡162A、複眼透鏡162C、聚光透鏡162E等向光調變部20射出，藉此將光調變部20大致均勻地照明。複眼透鏡162C將入射至複眼透鏡162C之脈衝光進行波面分割，聚光透鏡162E使經波面分割之光於光調變部20上重疊。再者，照明光學系162亦可具備積分棒（rod integrator）代替複眼透鏡162C。本實施形態之照明光學系162進而具備可變減光濾光片162B、可變孔徑光闌162D及平面鏡162F。可變減光濾光片162B使入射至複眼透鏡162C之照明光（脈衝光）之照度衰減而調整曝光量。可變孔徑光闌162D調整形成於複眼透鏡162C之射出面側的大致圓形之光源像之大小（直徑）而使照明σ變化。平面鏡162F以來自聚光透鏡162E之照明光（脈衝光）將光調變部20傾斜照明之方式使該照明光（脈衝光）反射。

光調變部20具備：空間光調變器（SLM：Spatial Light Modulator）201，作為可變光罩發揮功能，根據描繪資料使照明光之反射光之空間強度分布高速進行圖案變更；及偏離光吸收板202。

空間光調變器201為數位鏡器件（數位微鏡器件，DMD）。空間光調變器201可將照明光空間性且時間性地調變。

圖4係表示本實施形態之空間光調變器201之構成之概要的圖。該圖中，使用Xm軸、Ym軸、Zm軸之三維正交座標系進行說明。空間光調變器201具備排列於XmYm平面之複數個微鏡203（鏡）。微鏡203構成空間光調變器201之元件（像素）。微鏡203可繞Xm軸及繞Ym軸分別變更傾斜角。如例如圖5所示，微鏡203藉由繞Ym軸傾斜而成為開狀態（第1狀態）。如圖6所示，微鏡203藉由繞Xm軸傾斜而成為關狀態（第2狀態）。開狀態之微鏡203將脈衝光導向投影模組17。關狀態之微鏡203不將脈衝光導向投影模組17。

空間光調變器201對每個微鏡203切換微鏡203之傾斜方向，藉此對每個微鏡（元件）控制將入射光反射之方向。作為一例，空間光調變器201之數位微鏡器件具有4M pixel左右之像素數，能以10 kHz左右之週期切換微鏡203之開狀態與關狀態。 空間光調變器201將複數個元件以既定時間間隔分別進行控制。於空間光調變器201為DMD之情形時，所謂元件，為微鏡203，所謂既定時間間隔，為切換微鏡203之開狀態與關狀態之週期（例如週期10 kHz）。

回到圖3，偏離光吸收板202將自空間光調變器201之被設為關狀態之元件射出（反射）的光（偏離光）吸收。自空間光調變器201之被設為開狀態之元件射出的光被導引至投影模組17。

投影模組17將自空間光調變器201之被設為開狀態之元件射出的光投影於曝光對象物上。投影模組17具備倍率調整部171及焦點調整部172。經空間光調變器201調變之光（調變光）入射至倍率調整部171。

倍率調整部171藉由將一部分透鏡於光軸方向驅動，而調整自空間光調變器201射出之調變光之成像面163之倍率。成像面163為由投影模組17所製作之、與空間光調變器201之總體之反射面共軛的成像面（最佳聚焦面）。換言之，倍率調整部171調整作為曝光對象物之基板23之表面的像之倍率。

焦點調整部172藉由將透鏡群總體於光軸方向驅動，而以自空間光調變器201射出之調變光於藉由上述AF部42所測量之基板23之表面成像之方式，調整成像位置、即焦點。

投影模組17僅將自空間光調變器201之被設為開狀態之元件射出的光之像投影於曝光對象物之表面。因此，投影模組17可將由空間光調變器201之開元件所形成之圖案之像投影曝光於基板23之表面。即，投影模組17可於基板23之表面形成經空間調變之可變光罩之像。又，空間光調變器201如上文所述，能以既定之週期（頻率）切換微鏡203之開狀態與關狀態，故而投影模組17可於基板23之表面形成經時間調變之調變光（即，由空間光調變器201反射併入射至投影模組17之成像光束的XY面內之明暗之形狀（光分布）隨著時間高速變化之調變光）。 於投影模組17之光瞳位置，設有可變孔徑光闌173，該可變孔徑光闌173係於調整（限制）經空間光調變器201之開狀態之微鏡反射的成像光束之基板23側之數值孔徑（NA），使解析度或焦點深度DOF變化時使用。可變孔徑光闌162D與可變孔徑光闌173成為光學上大致共軛之關係。

如上文所述，空間光調變器201由以既定之週期供給之脈衝光照明。因此，空間光調變器201以脈衝光之週期之整數倍之週期受到驅動。例如，於將空間光調變器201之微鏡之驅動頻率（10 KHz）之週期設為Tm，將脈衝光之週期設為Tp時，以Tm/Tp成為整數之方式設定。投影模組17將經空間光調變器201調變之脈衝光照射於基板23。於基板23，藉由脈衝光之集合體而形成有圖案。由投影模組17導引至曝光對象物之複數個脈衝光（其中心位置）被導引至基板23上之不同位置。

圖4至圖6所示之空間光調變器201中，Xm軸與X軸平行，Ym軸與Y軸平行。藉此，開狀態之微鏡203（繞Ym軸傾斜之微鏡203）相對於作為掃描方向之X軸方向而傾斜。

將Ym軸亦稱為第1移軸T1。空間光調變器201中，複數個微鏡203分別繞第1移軸T1（Ym軸）旋轉，調整複數個微鏡203相對於各自之掃描方向之傾斜而成為開狀態，藉此使光向投影模組17射出。 再者，空間光調變器201中，複數個微鏡203於掃描方向直線狀地排列，且複數個微鏡203亦於第1移軸T1方向排列。

如圖2所示，控制部21例如由具有CPU（Central Processing Unit，中央處理單元）等運算部及記憶部之電腦構成。電腦按照執行曝光處理中動作之各部之控制的程式，來控制曝光裝置1之各部。控制部21例如控制照明模組16、光調變部20、投影模組17及載台14之動作。控制部21將複數個微鏡203切換為開狀態（第1狀態）與關狀態（第2狀態）。

記憶部係使用記憶體等電腦可讀出之記憶媒體裝置構成。記憶部記憶與曝光處理有關之各種資訊。記憶部例如記憶與曝光處理時之曝光圖案有關之資訊（除了描繪資料以外，還包含目標曝光量、掃描速度等配方（recipe）資訊）。記憶部例如記憶經由通訊部或輸入部輸入之資訊。通訊部係包含用以將曝光裝置連接於外部裝置之通訊介面而構成。輸入部係包含滑鼠或鍵盤、觸控面板等輸入裝置而構成。輸入部受理對曝光裝置之各種資訊之輸入。

[曝光方法] 載台14使基板23相對於曝光模組於既定之掃描方向相對移動。藉此，由曝光模組照射之光根據記憶於記憶部之與曝光圖案有關之資訊來掃描基板23，形成既定之曝光圖案。

圖7之（A）為表示基板23上之相鄰兩個投影模組17之曝光視野PIa、PIb之圖。如圖7之（A）所示，曝光視野PIa、PIb為矩形狀。曝光視野PIa、PIb之長邊方向相對於X方向及Y方向傾斜。曝光視野PIa、PIb分別為與空間光調變器201之多數個微鏡排列之區域總體之形狀相似的形狀。

將曝光視野PIa中兩條長邊於X方向重合之區域稱為中央區域PIac。將曝光視野PIa中不包含於中央區域PIac之-Y側之端部區域稱為第1端區域PIa1。將曝光視野PIa中不包含於中央區域PIac之+Y側之端部區域稱為第2端區域PIa2。

將曝光視野PIb中兩條長邊於X方向重合之區域稱為中央區域PIbc。將曝光視野PIb中不包含於中央區域PIbc之-Y側之端部區域稱為第1端區域PIb1。將曝光視野PIb中不包含於中央區域PIbc之+Y側之端部區域稱為第2端區域PIb2。

曝光視野PIa、PIb之中央區域PIac、PIbc之Y方向之長度均為寬幅Ws。第1端區域PIa1、PIb1及第2端區域PIa2、PIb2之長度均為寬幅Wo。於Y方向相鄰之曝光視野PIa、PIb中，第1端區域PIa1與第2端區域PIb2之X方向之位置大致一致。 曝光視野PIa、PIb之形狀及位置之設定係藉由曝光模組之配置、光闌等之設定而進行。

圖7之（B）表示藉由載台14將曝光對象物於X方向掃描並藉由曝光視野PIa、PIb進行曝光時，形成於基板23上之曝光區域之圖。如圖7之（B）所示，於基板23上，形成有藉由曝光視野PIa進行曝光之掃描曝光區域SIa、及藉由曝光視野PIb進行曝光之掃描曝光區域SIb。

掃描曝光區域SIa、SIb可謂藉由沿X方向之掃描曝光將曝光視野PIa、PIb於X方向延長而成。掃描曝光區域SIa、SIb之非掃描方向之端部與相鄰之其他掃描曝光區域SIa、SIb之非掃描方向之端部重疊。例如，由第1端區域PIa1所得之曝光區域、與由第2端區域PIb2所得之曝光區域一致。「非掃描方向」為與掃描方向交叉之方向。

圖7之（C）表示藉由沿X方向之掃描曝光而感光的基板23上之感光量的圖表。圖表之縱軸為感光量。感光量為表示相對於後述之「非重疊區域」之曝光對象物上之感光量的「重疊區域」之感光量的值。橫軸為Y方向之座標。 如圖7之（C）所示，曝光對象物上之感光量E成為一定之值E1。即，Y方向中，關於藉由掃描曝光視野SIa、SIb之一個進行了曝光之部分（以下亦稱為「非重疊部」）Sa、Sb之感光量E與由掃描曝光視野SIa、SIb兩個重疊地曝光之部分（以下亦稱為「重疊部」）Oa之感光量E，感光量E之值均成為E1。因此，非重疊部Sa、Sb之感光量E與重疊部Oa之感光量E相等。 非重疊部Sa、Sb為不重疊地受到曝光之區域。

圖7之（D）為表示藉由沿X方向之掃描曝光而照射於曝光對象物之光之累計照度（累計曝光量）的圖表。圖表之縱軸為累計照度。所謂累計照度，為「非重疊區域」與「重疊區域」各自中照射於曝光對象物之（脈衝）光之總和。即，脈衝數越多則累計照度越變大，脈衝數越少則累計照度越變小。橫軸為Y方向之座標。 如圖7之（D）所示，重疊部Oa之累計照度較非重疊部Sa、Sb之累計照度更高。藉此，非重疊部Sa、Sb之感光量E與重疊部Oa之感光量E相等。

為了使重疊部Oa之累計照度較非重疊部Sa、Sb之累計照度更高，採用下述方法。 控制部21於相當於曝光視野PIa、PIb之區域（第1端區域PIa1及第2端區域PIb2）的區域中，控制空間光調變器201之微鏡203之開狀態及關狀態。詳細而言，控制部21以照射於重疊部Oa之脈衝光之數較照射於非重疊部Sa、Sb之脈衝光之數更多之方式，控制複數個微鏡203。例如，可使重疊部Oa之每單位面積之開狀態之微鏡203之個數，較非重疊部Sa、Sb之每單位面積之開狀態之微鏡203之個數更多。 藉此，可使重疊部Oa之累計照度較非重疊部Sa、Sb之累計照度更高。

曝光裝置1中，控制部21以照射於重疊部Oa之脈衝光之數較照射於非重疊部Sa、Sb之脈衝光之數更多之方式，控制複數個微鏡203。藉此，非重疊部Sa、Sb之感光量E與重疊部Oa之感光量E相等。因此，可抑制非重疊部Sa、Sb與重疊部Oa之感光量之偏差。

於使用曝光裝置1之曝光方法中，以照射於重疊部Oa之脈衝光之數較照射於非重疊部Sa、Sb之脈衝光之數更多之方式，控制複數個微鏡203。藉此，非重疊部Sa、Sb之感光量E與重疊部Oa之感光量E相等。因此，可抑制非重疊部Sa、Sb與重疊部Oa之感光量之偏差。

曝光裝置1亦可具備成為同步用之基準的主時脈（master clock）（發出主時脈之振盪器）（未圖示）。曝光裝置1中，例如載台14、照明模組16、投影模組17、光調變部20等器件亦可以主時脈為基準而受到驅動。控制部21能以主時脈為基準來控制光源18之脈衝發光之時序或各器件之動作。藉由參照主時脈，而將各器件之動作時序分別適當調整，並且適當設定複數個器件之間的動作時序之關係。

為了明確實施形態之曝光裝置1之效果，提示比較形態。 圖8之（A）～（D）表示比較形態。圖8之（A）係表示相鄰兩個投影模組17之曝光視野PIa、PIb之圖。圖8之（B）係表示藉由曝光視野PIa、PIb進行曝光時形成於基板23上之曝光區域的圖。圖8之（C）係表示由沿X方向之掃描曝光所得之感光量的圖表。圖8之（D）係表示藉由沿X方向之掃描曝光而照射於基板23之光之累計照度的圖表。

如圖8之（D）所示，重疊部Oa之累計照度與非重疊部Sa、Sb之累計照度相等。如圖8之（C）所示，重疊部Oa之感光量E較非重疊部Sa、Sb之感光量E2更低。該比較形態中，重疊部Oa中產生感光量之降低。因此，非重疊部Sa、Sb與重疊部Oa之感光量之偏差變大。該比較形態中，例如照射於重疊部Oa之脈衝光之數與照射於非重疊部Sa、Sb之脈衝光之數相等。

如圖7之（A）所示，曝光裝置1中，第1端區域PIa1與第2端區域PIb2之X方向之位置大致一致，但第1端區域PIa1與第2端區域PIb2之位置關係不限定於圖示例。若與圖7之（A）相比而將曝光視野PIa與曝光視野PIb向相互接近之方向或遠離之方向進行位置調整，則可調整重疊部之累計照度。例如，若曝光視野PIa與曝光視野PIb相互靠近，則重疊部之累計照度變大。

[曝光資料作成方法] 對作成圖7之（C）及（D）所示之曝光資料的方法之一例加以說明。 於圖2所示之控制部21中，輸入用以調整重疊部Oa及非重疊部Sa、Sb之開狀態之微鏡203之個數的資訊。藉此，獲得照射於重疊部Oa之脈衝光之數較照射於非重疊部Sa、Sb之脈衝光之數更多般之曝光資料。

曝光裝置1中，如下文所示，亦可不僅調整開狀態之微鏡之個數，而且還併用使用遮光構件之方法。作為遮光構件之構成，並無特別限定，可使用國際公開2020/145044號、國際公開2020/203002號、國際公開2020/203003號、國際公開2020/203111號及國際公開2020/138497號所揭示般之遮光構件或減光濾光片。

遮光構件可將照射於曝光視野PIa、PIb（參照圖7之（A））中之中央區域PIac、PIbc的光遮蔽。藉此，可使中央區域PIac、PIbc之累計照度與第1端區域PIa1及第2端區域PIb2相比降低。

實施形態之曝光裝置中，有時若於掃描曝光視野之邊緣部進行開狀態之微鏡之個數之調整，則掃描曝光視野之邊緣部之位置向擴寬方向偏移。若於靠近掃描曝光視野之中央的位置進行開狀態之微鏡之個數之調整，則不易產生此種位置偏移。較佳為考慮該情況而選擇設為開狀態之微鏡。 有時若於掃描曝光視野之兩個邊緣部均等地進行開狀態之微鏡之個數之調整，則容易抑制位置偏移。亦可藉由在掃描曝光視野之兩個邊緣部不均等地進行開狀態之微鏡之個數之調整，而特意產生位置偏移。

[平面顯示器之製造方法] 曝光裝置1可使用上述曝光方法來製造液晶顯示裝置（平面顯示器）等電子器件。

[第2實施形態] 圖9係示意性地表示藉由圖2所示之投影模組17A、17B分別投影於基板23上之空間光調變器201之矩形狀之投影區域PIa、PIb之配置例的圖。一邊參照該圖，一邊對第2實施形態之曝光裝置1及曝光方法之一例加以說明。以下之說明中，關於與第1實施形態同樣之構成，有時藉由標註同樣之符號而省略說明。再者，圖9中關於投影模組17A、17B以外之投影模組17C、17D省略圖示，但投影模組17C、17D亦可謂與投影模組17A、17B同樣。

17a、17b表示圓形之投影視野。此處，將投影視野17a、17b各自之中心Axa、Axb分別設為投影模組17A、17B之光軸位置，設與曝光視野（以下亦稱為投影區域）PIa、PIb各自之中心一致。於Y方向空開一定間隔排列之複數個投影區域PIa、與於Y方向空開一定間隔排列之投影區域PIb於X方向亦以一定之間隔配置。進而，投影區域Pia及投影區域PIb於與基板23之表面平行之XY面內傾斜角度θp而配置，並且相互於Y方向空開既定之間隔配置。藉由基板23之X方向之掃描曝光，投影區域PIa、PIb各自之Y方向之端部重疊，以進行拼接曝光。

此處，將投影區域PIa、PIb重疊之部分設為拼接區域（拼接部）PIw，將不重疊之部分設為非拼接區域PIac、PIbc。將拼接區域PIw之寬幅設為Wo，將非拼接區域PIac、PIbc之寬幅設為Ws。再者，角度θp係由空間光調變器201上之微鏡之尺寸或排列間距、經由投影模組17投影於基板23上之圖案線寬之描繪精度（描繪解析度）等決定，大致為10度以內。

又，若將投影區域PIa、PIb之短邊（於X方向延伸之邊）之尺寸設為Dx，則拼接區域PIw之Y方向之寬幅Wo係考慮使各空間光調變器201於XY方向微小偏移或於XY面內微小旋轉之情形之調整範圍，設定為Wo＞Dx·sinθp。

繼而，藉由圖10示意性地說明利用投影區域PIa、PIb的通常之拼接曝光之狀態（通常）。圖10係表示僅利用圖9中之兩個投影區域PIa、PIb的拼接曝光（通常曝光模式）之狀況的圖。圖10之投影區域PIa、PIb各自之內部之黑點（小圓點）表示成為開狀態之微鏡之配置例。

如圖10所示，於基板23上設想通過投影區域PIb內之非拼接區域Ws內的基板23上之線L1、L2，於在線L1、L2上進行圖案部分之曝光之情形時，選擇分別位於線L1上及線L2上之複數個微鏡，與基板23之掃描移動位置及脈衝光之週期同步地依次成為開狀態（小圓點）。因此，一條線L1上或L2上之複數個小圓點於基板23上於X方向之同一點上進行脈衝曝光。 於非拼接區域Ws內位於線L1、L2上之開狀態之微鏡之個數（小圓點數）成為根據目標曝光量決定之數。因此，如圖10之下段所示，非拼接區域Ws中，與目標曝光量對應地決定開狀態之微鏡之累計個數（脈衝數）Nt。 以上情況於鄰接之投影區域PIa內之非拼接區域Ws內之線L6、L7之各位置亦同樣，以開狀態之微鏡之累計個數（脈衝數）成為Nt之方式設定。再者，於圖10之下段中，累計個數成為零之Y方向之部分為將微鏡設定為關狀態而未進行曝光之區域（描繪資料上非曝光之部分）。

另一方面，分別位於通過圖10中之拼接區域Wo內的線L3、L4、L5上的開狀態之微鏡（小圓點）之累計個數亦係以成為與目標曝光量對應之Nt之方式設定。此處，如圖9中所說明，設定為Wo＞Dx·sinθp，故而位於拼接區域Wo之Y方向之寬幅中心的線L4上，僅投影區域PIa側及僅PIb側分別可獲得小圓點之累計個數Nt，但此時拼接區域Wo成為過曝光狀態。因此，通常曝光之模式中，以投影區域PIa側之拼接區域Wo內分別位於線L3、L4、L5上之小圓點數與投影區域PIb側之拼接區域Wo內分別位於線LL3、L4、L5上之小圓點數之和成為累計個數（脈衝數）Nt之方式設定。

再者，於空間光調變器201之微鏡對應於4K畫面之像素數（3840×1920）之情形時，雖亦取決於照明光之照度及角度θp，但較理想為非拼接區域Ws內之線L1、L2、L6、L7上之開狀態之微鏡（小圓點）之累計個數Nt為30個以上，較佳為50個以上。又，基板23上之一個小圓點之大小成為1 μm左右。 然而，對於一部分光阻、例如負型光阻而言，即便對拼接區域Wo給予與非拼接區域Ws相同之曝光量（累計個數Nt），於光阻顯影後亦有上述曝光量不足之現象（由感光特性之非線性所致的線寬之變化等）。

圖11係示意性地表示負型光阻之情形之特殊曝光模式之一例的圖。圖11中之投影區域PIa、PIb、線L1～L7分別與圖10中相同，由投影區域PIa、PIb曝光之圖案亦設為與圖10相同。 如圖10所說明，設定為Wo＞Dx·sinθp。藉此，作成下述描繪圖案資料：於拼接區域PIw內，以使投影區域PIa內之線L3、L4、L5上之小圓點數（開狀態之微鏡之個數）與投影區域PIb內之線L3、L4、L5上之小圓點數（開狀態之微鏡之個數）之累計個數，較與目標曝光量對應之數Nt更多之方式，驅動DMD之鏡。

圖11中所示之小圓點中，箭頭所示之小圓點係對圖10中之小圓點進行追加。於拼接區域PIw內使小圓點數（開狀態之微鏡之個數）以何種程度增加，即，使對拼接區域PIw給予之曝光量以何種程度增加，係由考慮到負型光阻之種類或光阻層之厚度等的事先之測試曝光等所求出。圖11中，拼接區域PIw之寬幅方向之中心之位置（線L4上）的累計個數Np大於Nt，成為最大值。

此種曝光裝置1中，要求將相對於目標曝光量之誤差設為幾%以下，較理想為2%以下。假設於將用以獲得目標曝光量之累計個數Nt（參照圖10、11）設定為50個之情形時，其中的一個小圓點之增減成為±2%之誤差。因此，與目標曝光量對應之累計個數Nt較理想為儘可能多，但亦有時描繪圖案資料與其相應地增大。 又，所述情況意味著關於Y方向之位置可相對較自由地調整累計個數Nt，故而亦可根據投影區域PIa、PIb內出現之應曝光之圖案，使累計個數Nt相差±1小圓點以上，對曝光量進行微調整。因此，於投影區域PIa、PIb內混合存在微細之線與間隙（L&S）圖案與接觸孔（通孔）等之情形，即，於週期性圖案與孤立圖案混合存在之情形時，亦可對其等給予稍許不同之曝光量。因此，可於由各曝光模組（投影模組17）進行曝光之圖案中的局部之部分對曝光量進行微調整，可進行更精密之線寬（顯影後之光阻像之尺寸）控制。

[變形例] 圖12係表示於拼接區域PIw內進行曝光的開狀態之鏡（小圓點）之累計個數之Y方向之分布之變形例的圖。圖12之（A）及（B）示意性地表示投射於生成左側之投影區域PIb之空間光調變器201、與生成右側之投影區域PIa之空間光調變器201的照明光之照度產生差之情形的對應。而且，圖12之（A）對應於圖10之通常曝光模式之情形，（B）對應於圖11之特殊曝光模式之情形。

圖12之（A）中，左側之投影區域PIb相較於右側之投影區域PIa而照度更高。因此，於投影區域PIb側獲得目標曝光量所需要之開狀態之鏡之累計個數Nt1係設定為較於投影區域PIa側獲得目標曝光量所需要之開狀態之鏡之累計個數Nt2更少。而且，如圖12之（A）般，拼接區域PIw內之累計個數係以於Nt1與Nt2之間根據Y方向之位置線性變化之方式設定。

圖12之（B）亦與（A）同樣地，為左側與右側產生照度差之情形，於拼接區域PIw內，以累計個數較（A）之線性變化更多之方式設定。本變形例可適用於無法於多數個曝光模組間使向空間光調變器201之照明光之照度精密地一致之情形、或無法於模組間使來自空間光調變器201之反射光強度精密地一致之情形等，可延長曝光裝置之穩定運作之運用時間。

以上之第2實施形態或變形例中，有時若於存在於圖11所示之拼接區域PIw內的圖案之沿X方向延伸之邊緣部中進行開狀態之微鏡之個數之調整，則圖案之邊緣部之位置於Y方向偏移（線寬擴大）。於該情形時，以追加之開狀態之微鏡位於較以開狀態投影之圖案之邊緣部更靠內側之方式選定。藉此，可抑制存在於拼接區域PIw內之圖案之位置偏移或線寬之變動。又，於負型光阻之曝光時拼接區域PIw內之圖案之線寬因非線性之影響而變細的傾向之情形時，亦能以存在於拼接區域PIw內之圖案的Y方向之兩個邊緣部稍許擴寬之方式，特意追加與兩個邊緣部對應之微鏡並設為開狀態。

[第3實施形態] 圖13之（A）係表示第3實施形態之曝光對象物（基板23）受到曝光時形成於曝光對象物上之曝光區域的圖。（B）係表示形成於曝光對象物上之曝光區域的圖。（C）係表示由掃描曝光所得之累計脈衝數的圖表。一邊參照該圖，一邊對第3實施形態之曝光裝置1及曝光方法之一例加以說明。以下之說明中，關於與第1實施形態同樣之構成，有時藉由標註同樣之符號而省略說明。 圖7中表示了下述例，即：使用在與掃描方向交叉之方向（例如Y方向）相鄰之兩個投影模組17，將重疊部Oa進行曝光，而圖13之（A）中表示下述例，即：使用在掃描方向相鄰之兩個投影模組17（例如17b與17d），使重疊部Oa之累計脈衝數較非重疊部Sa、Sb之累計脈衝數更高。

圖13之（A）表示藉由載台14將曝光對象物於X方向掃描並藉由曝光視野PIa、PIb進行曝光時，形成於曝光對象物上之曝光區域。如圖13之（A）所示，於曝光對象物上，形成有藉由曝光視野PIa進行曝光之掃描曝光區域SIa、及藉由曝光視野PIb進行曝光之掃描曝光區域SIb。

掃描曝光區域SIa、SIb可謂藉由沿X方向之掃描曝光將曝光視野PIa、PIb於X方向延長而成。掃描曝光區域SIa之掃描方向之端部與相鄰之掃描曝光區域SIb之掃描方向之端部重疊。 非重疊部Sa、Sb係掃描曝光區域SIa與掃描曝光區域SIb不重疊，僅由掃描曝光區域SIa或僅由掃描曝光區域SIb進行曝光之區域。可使重疊部Oa之累計脈衝數較非重疊部Sa、Sb之累計脈衝數更高。再者，掃描曝光區域SIa及掃描曝光區域SIb可如圖7所示，於非掃描方向具有重疊部Oa。 藉此，可將負型光阻之線寬設為既定量，並且減小載台14之掃描方向之移動距離。

再者，即便於使用一個投影模組17之情形時，亦可形成重疊部Oa。於該情形時，可藉由載台14將曝光對象物向+X方向掃描，形成掃描曝光區域SIa後，以與重疊部Oa對應之程度使載台14向-X方向移動，然後藉由載台14將曝光對象物向+X方向掃描，形成掃描曝光區域SIb。

本例（使用一個投影模組17之情形）中，掃描曝光區域SIa、掃描曝光區域SIb係藉由將曝光對象物向相同方向掃描而形成，但形成掃描曝光區域SIa時將曝光對象物進行掃描之方向、與形成掃描曝光區域SIb時將曝光對象物進行掃描之方向亦可設為反向。

圖13中，重疊部Oa之掃描方向之寬幅可變更。例如，若增大寬幅，則可使掃描曝光時可能產生之載台之移動誤差之影響平均化而降低。若縮短寬幅，則可縮短重疊部Oa之曝光時間，可縮短載台移動之總體距離。

圖13之（C）中，橫軸表示曝光對象物之掃描方向之位置。縱軸為累計脈衝數。於藉由曝光視野PIa將重疊部Oa進行曝光時，可使累計脈衝數單調變化（單調增加或單調減少）。於藉由曝光視野PIb將重疊部Oa進行曝光時，可使累計脈衝數單調變化（單調增加或單調減少）。單調變化中，不僅包含如圖13之（C）般以線性單調變化之情形，而且亦包含非線性地單調變化之情形。於光阻之感光特性為非線性之情形時，於將重疊部Oa進行曝光時使累計脈衝數非線性地變化特別有效。

[第4實施形態] 圖14係示意性地表示第4實施形態之曝光裝置之曝光模式之一例的圖。 一邊參照該圖，一邊對第4實施形態之曝光裝置1及曝光方法之一例加以說明。以下之說明中，關於與第1實施形態同樣之構成，有時藉由標註同樣之符號而省略說明。

如圖14所示，亦可於將非重疊部Sa、Sb進行曝光時，使用空間光調變器201之多數個微鏡之二維排列中形成長邊及短邊的周邊區域（網點部）之微鏡以外之微鏡進行曝光，於將重疊部Oa進行曝光時，亦使用周邊區域（網點部）之微鏡進行曝光。藉此，於負型光阻之曝光時，可使照射於重疊部Oa之累計脈衝光之數，較照射於非重疊部Sa、Sb之累計脈衝光之數更多。即，可使將重疊部Oa進行曝光可使用之微鏡之數，較將非重疊部Sa、Sb進行曝光可使用之微鏡之數更多。

再者，援用與上述實施形態所引用之曝光裝置等有關的所有美國專利申請案公開說明書及美國專利說明書之揭示，作為本說明書之記載之一部分。

以上，參照圖式對本發明之一實施形態進行了詳細說明，但具體構成不限於上述內容，可於不偏離本發明主旨之範圍內進行各種設計變更等。 上述實施形態中，藉由增加曝光之長度（即，脈衝數）或減少脈衝數而於重疊部相對提高實質之累計照度，但調整重疊部之累計照度之方法不限於此。例如，亦可想到根據實際之曝光結果以成為設計值之方式修正線寬的方法。於該情形時，可藉由在實際曝光之線之邊緣附近追加、刪除脈衝，而將負型光阻之線寬設為既定量。因此，可形成實質上均勻之圖案。再者，亦可針對線寬修正（藉由增減向曝光之圖案之圖案附近照射的脈衝數而進行）及形狀修正（藉由增減向圖案邊緣部以外之場所照射的脈衝數而進行），根據曝光結果進行修正，以使重疊部與非重疊部之由負型光阻形成之圖案之形狀及線寬實質上彼此相同。

實施形態之曝光方法包含以下態樣。 一種曝光方法，以非重疊部之曝光圖案之線寬及形狀分別與重疊部大致相同之方式，使非重疊或重疊部、或該兩者之曝光圖案附近之脈衝數增減或者使圖案附近以外之內部之脈衝數增減。 形成於曝光對象之光阻例如為經光照射之部分藉由光反應於顯影後形成之負型之光阻。

實施形態之曝光資料作成方法包含以下態樣。 一種曝光資料作成方法，以非重疊部之曝光圖案之線寬及形狀分別與重疊部大致相同之方式，使非重疊或重疊部、或該兩者之曝光圖案附近之脈衝數增減或者使圖案附近以外之內部之脈衝數增減。 形成於曝光對象之光阻例如為經光照射之部分藉由光反應於顯影後形成之負型之光阻。

1:曝光裝置 11:底座 12:防振台 13:主柱 14:載台 15:光學定盤 16:照明模組 16A:第1照明模組 16B:第2照明模組 16C:第3照明模組 16D:第4照明模組 17:投影模組（投影光學系） 17A:第1投影模組 17B:第2投影模組 17C:第3投影模組 17D:第4投影模組 17a、17b:投影視野 18:光源單元 18L:光源單元L 18R:光源單元R 18a:光源 19:光纖 20:光調變部 20A:第1光調變部 20B:第2光調變部 20C:第3光調變部 20D:第4光調變部 21:控制部 23:基板 41:對準部 42:AF部 161:模組快門 162:照明光學系 162A:準直透鏡 162B:可變減光濾光片 162C:複眼透鏡 162D:可變孔徑光闌 162E:聚光透鏡 162F:平面鏡 163、173:成像面 171:倍率調整部 172:焦點調整部 201:空間光調變器 202:偏離光吸收板 203:微鏡（元件） Axa、Axb:中心 Dx:短邊尺寸 E、E1、E2:感光量 L1～L7:線 Np、Nt、Nt1、Nt2:開狀態之鏡之累計個數（脈衝數） Oa:重疊部 PIa、PIb:曝光視野、投影區域 PIa1、PIb1:第1端區域 PIa2、PIb2:第2端區域 PIac、PIbc:中央區域、非拼接區域 PIw:拼接區域（拼接部） SIa、SIb:掃描曝光區域 Sa、Sb:非重疊部 T1:第1移軸 Wo、Ws:寬幅 θp:角度

[圖1]係表示第1實施形態之曝光裝置之外觀構成之概要的圖。 [圖2]係表示照明模組及投影模組之構成之概要的圖。 [圖3]係表示照明模組之構成之概要的圖。 [圖4]係表示光調變部之構成之概要的圖。 [圖5]係表示光調變部之構成之概要的圖，且係表示紙面中央之鏡之開狀態的圖。 [圖6]係表示光調變部之構成之概要的圖，且係表示紙面中央之鏡之關狀態的圖。 [圖7]之（A）係表示兩個投影模組之曝光視野的圖。圖7之（B）係表示形成於曝光對象物上之曝光區域的圖。圖7之（C）係表示由掃描曝光所得之感光量的圖表。圖7之（D）係表示照射於曝光對象物之光之累計照度（累計曝光量）的圖表。 [圖8]之（A）係表示兩個投影模組之曝光視野的圖。圖8之（B）係表示形成於曝光對象物上之曝光區域的圖。圖8之（C）係表示由掃描曝光所得之感光量的圖表。圖8之（D）係表示照射於曝光對象物之光之累計照度（累計曝光量）的圖表。 [圖9]係示意性地表示第2實施形態之曝光裝置的投影於基板上之空間光調變器之矩形狀之投影區域之配置例的圖。 [圖10]係表示僅利用圖9中之兩個投影區域的拼接曝光（通常曝光模式）之狀況的圖。 [圖11]係示意性地表示負型光阻之情形之特殊曝光模式之一例的圖。 [圖12]係表示變形例中於拼接區域內進行曝光的開狀態之鏡之累計個數之Y方向分布之一例的圖。圖12之（A）係表示通常曝光模式之分布之一例的圖，圖12之（B）係表示特殊曝光模式之分布之一例的圖。 [圖13]之（A）係表示第3實施形態之曝光對象物受到曝光時形成於曝光對象物上之曝光區域的圖。圖13之（B）係表示形成於曝光對象物上之曝光區域的圖。圖13（C）係表示根據掃描曝光之累計脈衝數的圖表。 [圖14]係示意性地表示第4實施形態之曝光裝置之曝光模式之一例的圖。

E、E1:感光量

Oa:重疊部

PIa、PIb:曝光視野

PIa1、PIb1:第1端區域

PIa2、PIb2:第2端區域

PIac、PIbc:中央區域

SIa、SIb:掃描曝光區域

Sa、Sb:非重疊部

Wo、Ws:寬幅

Claims (4)

1. 一種曝光裝置，具備： 複數個空間光調變器，其等具有複數個元件； 照明光學系，其藉由脈衝光將上述複數個空間光調變器照明； 複數個投影光學系，其等將自上述空間光調變器射出之光照射於曝光對象； 載台，其載置上述曝光對象；及 控制部，其將上述複數個元件切換為將上述脈衝光導引至上述投影光學系之第1狀態、與不導引至上述投影光學系之第2狀態； 上述載台一邊藉由複數個上述投影光學系使掃描曝光視野重疊，一邊使上述曝光對象於既定之掃描方向移動，藉此將照射於上述曝光對象之光於上述曝光對象上進行掃描， 上述控制部於曝光中切換上述複數個元件之上述第1狀態與上述第2狀態，以經由上述投影光學系照射於上述曝光對象上重疊地受到曝光之重疊部的上述脈衝光之數，較經由上述投影光學系照射於上述曝光對象上不重疊地受到曝光之非重疊部的上述脈衝光之數更多之方式，控制上述複數個元件。
2. 一種曝光方法，其使用請求項1所記載之曝光裝置將曝光對象進行曝光， 上述載台一邊藉由複數個上述投影光學系使掃描曝光視野重疊，一邊使上述曝光對象於既定之掃描方向移動，藉此將照射於上述曝光對象之光於上述曝光對象上進行掃描， 此時，於曝光中切換上述複數個元件之上述第1狀態與上述第2狀態，以經由上述投影光學系照射於上述曝光對象上重疊地受到曝光之重疊部的上述脈衝光之數，較經由上述投影光學系照射於上述曝光對象上不重疊地受到曝光之非重疊部的上述脈衝光之數更多之方式，控制上述複數個元件。
3. 一種平面顯示器之製造方法，包含： 藉由請求項2所記載之曝光方法將曝光對象進行曝光之步驟；及 將經曝光之上述曝光對象進行顯影之步驟。
4. 一種曝光資料作成方法，其用於曝光裝置，上述曝光裝置具備：複數個空間光調變器，其等具有複數個元件；照明光學系，其藉由脈衝光將上述複數個空間光調變器照明；複數個投影光學系，其等將自上述空間光調變器射出之光照射於曝光對象；載台，其載置上述曝光對象；及控制部，其將上述複數個元件切換為將上述脈衝光導引至上述投影光學系之第1狀態、與不導引至上述投影光學系之第2狀態；上述載台一邊藉由複數個上述投影光學系使掃描曝光視野重疊，一邊使上述曝光對象於既定之掃描方向移動，藉此將照射於上述曝光對象之光於上述曝光對象上進行掃描， 上述曝光資料作成方法作成下述曝光資料：於曝光中，切換上述複數個元件之上述第1狀態與上述第2狀態，以經由上述投影光學系照射於上述曝光對象上重疊地受到曝光之重疊部的上述脈衝光之數，較經由上述投影光學系照射於上述曝光對象上不重疊地受到曝光之非重疊部的上述脈衝光之數更多之方式，控制上述複數個元件。

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