JP2019517020A - フォトリソグラフィ装置のナイフエッジ群、大視野フォトリソグラフィ装置、および露光方法 - Google Patents
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- 238000000206 photolithography Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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Abstract
Description
前記マスクステージ上のマスクのアライメントマークを遮るための前記走査方向において運動可能な走査方向ナイフエッジ群と、
非走査方向において運動可能な非走査方向ナイフエッジ群と、を有し、
フォトリソグラフィ装置の照明装置により提供される照明光の光スポットは、前記非走査方向ナイフエッジ群により形成されるウィンドウによりカットされた後に露光に用いられ、
露光時に、前記走査方向ナイフエッジ群は、前記マスクのアライメントマークに対して静止を保ち、前記非走査方向ナイフエッジ群は、前記照明装置に対して静止を保つ。
照明光を提供するための照明装置と、
マスクを載置するためのマスクステージと、
走査露光が必要な基板を載置するためのものであり、露光時に、マスクステージとともに同一方向、同一速度に基づいて運動し、該方向は、走査方向と定義され、水平面において走査方向と直交する方向は、非走査方向と定義されるワークステージと、
を有し、
さらに、
マスクのアライメントマークを遮るための前記走査方向において運動可能な走査方向ナイフエッジ群と、
非走査方向において運動可能な非走査方向ナイフエッジ群と、が設けられ、
前記照明装置により提供される照明光の光スポットは、前記非走査方向ナイフエッジ群により形成されるウィンドウによりカットされた後に露光に用いられ、
前記複数の露光領域のおける1つの露光時に、前記走査方向ナイフエッジ群は、前記マスクのアライメントマークに対して相対的に静止を保ち、前記非走査方向ナイフエッジ群は、前記照明装置に対して静止を保ち、前記マスクステージ、および前記ワークステージを移動させることで、前記複数の露光領域を逐次、前記照明装置の照明視野内まで移動させることで、前記複数の露光領域の露光が完了する。
ステップ1:露光前に、前記走査方向ナイフエッジ群は、露光領域内において走査方向に移動して前記露光領域内の光照射測定を行うステップと、
ステップ2:前記非走査方向ナイフエッジ群は、前記露光領域内まで移動して照明光の光スポットをカットするためのウィンドウを形成するステップと、
ステップ3:前記マスクステージ、および前記ワークステージは、同一方向に基づいて移動し、前記走査方向ナイフエッジ群は、前記マスクステージに追随して運動し、かつ前記マスクのアライメントマークに対して静止を保ち、前記非走査方向ナイフエッジ群は、前記照明装置に対して静止を保ち、前記露光領域に対する露光を完了させるステップと、
ステップ4:前記マスクステージ、および前記ワークステージを移動させることで、次の露光領域を照明装置の照明視野内まで移動させ、ステップ1から3を繰り返して前記次の露光領域に対する露光を行うステップと、を含む。
a−露光領域。
前記フォトリソグラフィ装置のナイフエッジ群は、
前記マスクステージ上のマスクのアライメントマークを遮るためであり、露光時に、アライメントマークが基板にプリントされることを防ぎ、図4を参照すると、従って、露光時に、マスクステージに追随して同一速度、同一方向で運動することで、アライメントマークに対して静止を保つ、走査方向において運動する走査方向ナイフエッジ群と、
主に局部露光時に、該局部露光視野の露光領域まで移動し、ウィンドウを形成するためのものであり、照明装置により提供される照明光が該ウィンドウによりカットされた後に、必要な光スポットを形成して該露光領域へ照射して該露光領域の露光を行う、非走査方向において運動する非走査方向ナイフエッジ群と、有し、
1つの露光領域の露光完了後、非走査方向ナイフエッジ群は、静止を保ち、マスクステージ、およびワークステージを移動させるだけで、同時に走査方向ナイフエッジ群がマスクステージに追随して移動し、マスクス4の他の露光領域を該局部露光視野まで移動させ、この露光領域の露光を行い、このように繰り返し、マスクステージ、およびワークステージを移動させるだけですべての露光領域の露光を完了させることができる。
照明光を提供するための照明装置(図示せず)と、
表面にマスク4が載置され、外周にはそれを移動させる粗動ステージ207が設けられ、該粗動ステージ207により大ストロークの移動が行われるマスクステージ(図示せず)と、
本実施例において、6つの対物レンズ306を有し、走査方向に沿って二列の平行を呈して配列され、各列には3つの対物レンズ306があり、3つの対物レンズ306は、非走査方向に沿って配列される対物レンズアレイ群と、
表面に走査露光が必要な基板(図示せず)が載置され、マスクステージとともに同一方向、同一速度に基づいて運動し、該方向は、走査方向と定義され、水平面において走査方向に直交する方向は、非走査方向と定義されるワークステージ(図示せず)と、を有し、
さらに、
マスクステージの粗動ステージ207に位置し、高さは、前記マスク4よりも高いことでマスク4のアライメントマークを遮り、アライメントマークが照明光により照射されて基板にプリントされることを回避する、走査方向において運動する走査方向ナイフエッジ群と、
対物レンズアレイ群と基板との間に位置し、非走査方向において移動する非走査方向ナイフエッジ群と、が設けられる。
ステップ1:
マスク4にはアライメント領域401、および周期的にアレイ配列された複数のパターン領域402が設けられ、図6に示すように、アライメント領域401は、マスク4両側に位置して対称を呈して分布し、アライメント領域401にはアライメントマークが設けられ、露光時にマスク4を基板とアライメントするためのものであり、
各パターン領域402は、基板上のプリント領域に対応し、マスク4上の1つのパターン領域402は、基板上の対応するプリント領域と1つの露光領域を形成し、いずれかの露光領域に対して、露光前に、基板上の異なる部位がフォトリソグラフィを行うことができる光照射強度を受けるよう保証するため、該露光領域を露光視野内まで移動させ、いずれもそれに光照射測定を行うことが必要であり、該光照射測定は、走査方向ナイフエッジ群が露光領域内において走査方向に移動することで行われ、具体的には、図4と図5を参照されたく、露光前に、前部ブレード203は、片側のアライメント領域401の上方で相対的に静止を保ち、照明装置を起動後、後部ブレード204は、走査方向において移動し、照明光は、後部ブレード204上のスリット2041を透過し、マスクステージの下方のセンサは、スリット2041、およびマスクステージを順次、透過する照明光を受光することにより、該照明光に光照射パラメータの測定を行うステップと、
ステップ2:
図8と図9に示すように、全視野露光時に、非走査方向ナイフエッジ群は、移動する必要がなく、局部露光時に、光照射測定完了後、後部ブレード204がマスク4の他側のアライメント領域401の上方まで移動し、かつそれを該アライメント領域401に対して静止を保つようにし、このとき、前記非走査方向ナイフエッジ群は、該露光領域内まで移動し、ブレードI301、ブレードII302、ブレードIII303、およびブレードIV304は、照明光の光スポットをカットするためのウィンドウを形成し、その後、ワークステージをマスクステージと同一方向、同一速度に基づいて移動させ、走査方向ナイフエッジ群は、マスクステージに追随して同一方向、同一速度に基づいて移動することで、該露光領域を露光するステップと、
ステップ3:
マスクステージ、およびワークステージは、同一方向に基づいて移動し、次の露光領域を該露光視野内まで移動させ、ステップ1からステップ2を繰り返して、この露光領域を露光し、すべての露光領域の露光を完了するまで行うステップと、を含む。
Claims (26)
- フォトリソグラフィ装置内に設けられ、前記フォトリソグラフィ装置が露光時に、マスクステージ、およびワークステージは、同一方向に基づいて運動し、該方向は、走査方向と定義され、水平面において走査方向に直交する方向は、非走査方向と定義されるフォトリソグラフィ装置のナイフエッジ群であって、
マスクステージ上のマスクのアライメントマークを遮るための前記走査方向において運動可能な走査方向ナイフエッジ群と、
前記非走査方向において運動可能な非走査方向ナイフエッジ群と、を有し、
前記フォトリソグラフィ装置の照明装置により提供される照明光の光スポットは、前記非走査方向ナイフエッジ群により形成されるウィンドウによりカットされた後に露光に用いられ、
露光時に、前記走査方向ナイフエッジ群は、前記マスクのアライメントマークに対して静止を保ち、前記非走査方向ナイフエッジ群は、前記照明装置に対して静止を保つ、ことを特徴とするフォトリソグラフィ装置のナイフエッジ群。 - 複数の露光領域を有し、上から下へ順次、
照明光を提供するための照明装置と、
マスクを載置するためのマスクステージと、
走査露光が必要な基板を載置するためのものであり、露光時に、前記マスクステージとともに同一方向、同一速度に基づいて運動し、該方向は、走査方向と定義され、水平面において走査方向に直交する方向は、非走査方向と定義されるワークステージと、を有する大視野フォトリソグラフィ装置であって、
さらに、
前記マスクのアライメントマークを遮るための前記走査方向において運動可能な走査方向ナイフエッジ群と、
前記非走査方向において運動可能な非走査方向ナイフエッジ群と、が設けられ、
前記照明装置により提供される照明光の光スポットは、前記非走査方向ナイフエッジ群により形成されるウィンドウによりカットされた後に露光に用いられ、
前記複数の露光領域における1つの露光時に、前記走査方向ナイフエッジ群は、前記マスクのアライメントマークに対して相対的に静止を保ち、前記非走査方向ナイフエッジ群は、前記照明装置に対して静止を保ち、前記マスクステージ、および前記ワークステージを移動させることで、前記複数の露光領域を逐次、前記照明装置の照明視野内まで移動させることで、前記複数の露光領域の露光が完了する、ことを特徴とする大視野フォトリソグラフィ装置。 - 前記走査方向ナイフエッジ群は、前記マスクステージの粗動ステージに位置し、かつ高さは、前記マスクよりも高く、
露光時に、前記走査方向ナイフエッジ群は、前記マスクステージの粗動ステージに追随して運動する、ことを特徴とする請求項2に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。 - 前記走査方向ナイフエッジ群は、長手方向が互いに平行な前部ブレード、および後部ブレードを有する、ことを特徴とする請求項3に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。
- 前記前部ブレード、および前記後部ブレードはいずれも、長手方向が非走査方向に平行な金属ブレードであり、
前記後部ブレードには長手方向が非走査方向に平行なスリットが開設される、ことを特徴とする請求項4に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。 - 前記マスクステージの下方にはセンサがさらに設けられ、前記スリットを貫通する照明光を感知するためのものである、ことを特徴とする請求項5に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。
- 前記走査方向ナイフエッジ群は、第1運動ガイドレール、および第1駆動装置をさらに有し、
前記第1運動ガイドレールの長手方向は、走査方向であり、
前記第1駆動装置は、前記前部ブレード、および前記後部ブレードが前記第1運動ガイドレールに沿って運動するよう駆動する、ことを特徴とする請求項5に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。 - 互いに平行な2つの前記第1運動ガイドレールが設けられ、
前記前部ブレード、および前記後部ブレードの2つの端部はいずれも2つの第1運動ガイドレールにおいて移動する、ことを特徴とする請求項7に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。 - 前記第1駆動装置は、前記前部ブレード、前記後部ブレーの2つの端部にそれぞれ設けられたリニアモータである、ことを特徴とする請求項8に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。
- 前記前部ブレード、および前記後部ブレードの両端と前記第1運動ガイドレールとの接続箇所において、いずれも非干渉化装置が設けられる、ことを特徴とする請求項8に記載大視野フォトリソグラフィ装置。
- 前記非干渉化装置は、クロスローラリングである、ことを特徴とする請求項10に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。
- 前記前部ブレード、および前記後部ブレードの両端と前記第1運動ガイドレールとの接続箇所において、いずれもブレード位置決め装置が設けられる、ことを特徴とする請求項8に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。
- 前記ブレード位置決め装置は、ガイドレール締付器であり、
前記前部ブレード、および前記後部ブレードを前記第1運動ガイドレールに静止させるためのものである、ことを特徴とする請求項12に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。 - 前記第1運動ガイドレールには方位測定装置がそれぞれ設けられる、ことを特徴とする請求項8に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。
- 前記方位測定装置は、回折格子スケールである、ことを特徴とする請求項14に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。
- 対物レンズアレイ群をさらに有し、前記マスクステージと前記基板との間に位置し、
前記対物レンズアレイ群は、アレイを呈して配列された複数の対物レンズを有する、ことを特徴とする請求項2に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。 - 前記非走査方向ナイフエッジ群は、前記対物レンズアレイ群と前記基板との間に位置する、ことを特徴とする請求項16に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。
- 前記非走査ナイフエッジ群は、4つのブレードを有し、かつ4つの前記ブレードは、二行二列に配列される、ことを特徴とする請求項1または17に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。
- 前記ブレードは、四角形である、ことを特徴とする請求項18に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。
- 前記非走査方向ナイフエッジ群は、長手方向が非走査方向である第2運動ガイドレール、および第2駆動装置をさらに有し、
前記第2駆動装置は、4つのブレードが第2運動ガイドレールに沿って運動して視野調節を行うよう駆動する、ことを特徴とする請求項18に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。 - 2つの対向する前記第2運動ガイドレールが設けられ、
各前記第2運動ガイドレールには2つの前記ブレードがそれぞれ設けられ、
2つの前記ブレードは、前記第2運動ガイドレールにおいてそれぞれ移動する、ことを特徴とする請求項20に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。 - 前記第2駆動装置は、前記第2運動ガイドレールに平行に設けられたスクリュロッド、および前記スクリュロッドに接続された回転モータを有し、
前記非走査方向ナイフエッジ群における各ブレードは、それぞれ前記回転モータ、およびスクリュロッドの組み合わせを使用して駆動される、ことを特徴とする請求項20に記載の大視野フォトリソグラフィ装置。 - ステップ1:露光前に、前記走査方向ナイフエッジ群は、露光領域内において走査方向に移動して前記露光領域内の光照射測定を行うステップと、
ステップ2:前記非走査方向ナイフエッジ群は、前記露光領域内まで移動して照明光の光スポットをカットするためのウィンドウを形成するステップと、
ステップ3:前記マスクステージ、および前記ワークステージは、同一方向に基づいて移動し、前記走査方向ナイフエッジ群は、前記マスクステージに追随して運動し、かつ前記マスクのアライメントマークに対して静止を保ち、前記非走査方向ナイフエッジ群は、前記照明装置に対して静止を保ち、前記露光領域に対する露光を完了させるステップと、
ステップ4:前記マスクステージ、および前記ワークステージを移動させることで、次の露光領域を照明装置の照明視野内まで移動させ、ステップ1から3を繰り返して前記次の露光領域に対する露光を行うステップと、を含む、ことを特徴とする請求項2に記載の大視野フォトリソグラフィ装置を使用した露光方法。 - 前記マスクは、対称を呈して分布する2つのアライメント領域、およびアレイを呈して配列された複数のパターン領域を有し、
2つの前記アライメント領域は、前記マスクの両側に位置し、
各前記パターン領域は、1つの露光領域に対応する、ことを特徴とする請求項23に記載の露光方法。 - 前記走査方向ナイフエッジ群は、前部ブレード、および後部ブレードを有し、
露光時に、前記前部ブレード、および後部ブレードは、前記アライメント領域の上方に載置され、前記アライメント領域へ照射される照明光を遮る、ことを特徴とする請求項24に記載の露光方法。 - ステップ2において、走査方向ナイフエッジ群が該露光領域内において走査方向に移動して該露光領域内の光照射測定を行うことは、具体的に、
前記後部ブレードにはスリットが設けられ、
前記マスクステージの下方にはセンサが設けられ、
測定時に、前記前部ブレードは、前記アライメント領域の上方に固定され、
前記後部ブレードは、前記走査方向に沿って移動し、
前記センサは、前記スリット、および前記マスクステージを順次、透過する照明光を受光することにより、該露光領域内の照明光の光照射パラメータを取得することである、ことを特徴とする請求項23に記載の露光方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610378442.9A CN107450271B (zh) | 2016-05-31 | 2016-05-31 | 光刻机刀口组、大视场光刻机和曝光方法 |
CN201610378442.9 | 2016-05-31 | ||
PCT/CN2017/086270 WO2017206828A1 (zh) | 2016-05-31 | 2017-05-27 | 光刻机刀口组、大视场光刻机和曝光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019517020A true JP2019517020A (ja) | 2019-06-20 |
JP6706343B2 JP6706343B2 (ja) | 2020-06-03 |
Family
ID=60478515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018555182A Active JP6706343B2 (ja) | 2016-05-31 | 2017-05-27 | フォトリソグラフィ装置のナイフエッジ群、大視野フォトリソグラフィ装置、および露光方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10732509B2 (ja) |
JP (1) | JP6706343B2 (ja) |
KR (1) | KR102176255B1 (ja) |
CN (1) | CN107450271B (ja) |
TW (1) | TWI681260B (ja) |
WO (1) | WO2017206828A1 (ja) |
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KR20190009808A (ko) | 2019-01-29 |
CN107450271B (zh) | 2019-10-25 |
KR102176255B1 (ko) | 2020-11-09 |
JP6706343B2 (ja) | 2020-06-03 |
WO2017206828A1 (zh) | 2017-12-07 |
TW201809896A (zh) | 2018-03-16 |
CN107450271A (zh) | 2017-12-08 |
US20200041910A1 (en) | 2020-02-06 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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