JPH02116115A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents

露光装置及び露光方法

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JPH02116115A
JPH02116115A JP63270314A JP27031488A JPH02116115A JP H02116115 A JPH02116115 A JP H02116115A JP 63270314 A JP63270314 A JP 63270314A JP 27031488 A JP27031488 A JP 27031488A JP H02116115 A JPH02116115 A JP H02116115A
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illumination
shielding
reticle
mask
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健爾 西
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 本発明は、マスクのパターンを感光基板へ露光するため
のプロキシミティ、コンタクトアライナ−1あるいはマ
スクのパターンを投影光学系により露光するミラープロ
ジェクション、又はステンパー等の露光装置に関するも
のである。
〔従来の技術〕
従来この種の露光装置では、例えば特開昭61−191
29号公報に開示されているように、露光用の照明光を
照明視野絞りによって制限してマスク(レチクル)に照
射している。第5図は従来の装置で使われている照明視
野絞り(レチクルブラインド)の構造を示す斜視図であ
り、4枚の可動ブレードBX1、BXi 、BYl、B
Ytで構成される。この4枚のうちブレードBY、 、
BY2は互いに独立にX方向に水平移動し、ブレードB
X、、BXIはブレードBY、、BY、の裏面側を互い
に独立してX方向に水平移動する。4枚のプレ FBX
+ 、BX! 、BYl 、BYz (04辺で規定さ
れた矩形開口が照明光の通過部分であって、照明光学系
等の光軸AXと垂直に配置されている。また各ブレード
BX、、BX、 、BY。
、BY、の開口を規定する各辺は、ナイフェツジになっ
ている。一方、レチクルRは、第6図に示すように、回
路パターン等の露光すべきパターンを形成したパターン
領域PAと、このパターン領域PAを囲んで一定の幅で
形成された遮光体SBとで構成され、通常は光軸AXが
レチクル中心RCを通るように位置決めされる。
露光の際は、4枚のブレードBX、 、BX2、BY、
 、[3Y、の各ナイフェツジ先端がレチクルRの遮光
体SBの各辺の上方に位置するように設定される。また
第5図、第6図には図示していないが、4枚のブレード
で規定された矩形開口の像は、レチクルRと照明視野絞
りとの間に設けられた結像光学系によってレチクルR上
に結像する。
従って、レチクルR上での照明領域は遮光帯SBの内側
だけに制限され、パターン領域PAの透明部を通った露
光光は半導体ウェハ等の感光基板へ達する。ミラープロ
ジェクションやステッパー等の場合は、レチクルRとウ
ェハの間に投影光学系が設けられ、パターン領域PAの
像がウェハ上に投影露光される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のように、照明視野絞り(レチクルブラインド)は
レチクルRの遮光帯SBの幅を狭くする目的で使われて
いる。すなわち、遮光帯SBは露光したくない部分をク
ロム等の金属層で覆うのであるが、その遮光帯の領域(
面積)が大きいと、ピンホール等の欠陥が発生しやすく
、レチクルとしての不良が増大する。このため、遮光帯
SBの幅はできるだけ少なくし、その代りに遮光帯SB
の外側の透明部はブラインド(ブレード)で覆うように
したのである。
そこで問題となるのが、ブラインドの4枚のブレードの
位置設定精度である。各ブレードのX、X方向の位置設
定精度が1悪いと、その分を見込んで遮光帯SBの幅を
広めにしておかねばならない。
このため、各ブレードの位置決め精度は、かなりきびし
いものになる。
ところでレチクルブラインドとレチクルRとの間には結
像光学系が設けられ、ブラインドの開口像には、ある倍
率がかけられているのが普通である0例えばレチクルブ
ラインドの開口寸法がレチクルRのパターン領域PAの
寸法の115のとき、すなわち倍率が5倍のときを考え
てみると、ブラインドの4枚のブレードの大きさ、及び
移動ストロークは実用上それほど大きなものとはならな
い。
しかしながら、各ブレードの機械的な位置決め精度には
限界があり、仮りに位置決め精度を80μmとすると、
レチクルR上の照明領域を規定するナイフェツジ像の設
定精度は400μmになる。
またそのナイフェツジ像もレチクルR上で精密に合焦し
ないこともあり、例えば1200μm程度のボケ幅がレ
チクル上で生じる。
このため、レチクル上の遮光帯SBの幅は2800μm
以上にする必要がある。
そこでレチクルブラインドの像の結像光学系の倍率を1
.25倍にして位置決め精度、ボケ幅を見積ってみると
、位置決め精度(80μm)によるレチクル上でのナイ
フェツジ像の設定精度は100μmになり、ボケ幅は倍
率比の2乗((1,2515)”)で変化するため、約
75μmになる。
これにより、レチクルR上の遮光帯SBの幅は、約25
0μm程度になり、先の場合にくらべて格段に狭くでき
る。
このように遮光帯SBの幅が250μm以下に狭くなる
と、115縮小投影のステッパー等では最早遮光帯SB
そのものも不用にすることができる。この場合、25O
tIm幅の遮光帯はウェハ上では丁度50μm幅のスト
リートラインに相当することになるからである。
一方、結像光学系の倍率を1.25倍に低下させたこと
によって、レチクルブラインド自体の寸法は4倍にする
必要がある。
このことはレチクルブラインドの全体構造を大型化する
こともさることながら、4枚のブレードの寸法や各ブレ
ードのにげ空間を増大させることになる。例えば第5図
において、1枚のブレードBX、によりレチクルR全体
を覆うことができるものとすると、ブレードBX、の大
きさは約3倍の大きさにする必要がある。他の3枚のブ
レードについても同じである。このため、レチクルRの
X方向の照明領域幅を100+usとすると、ブレード
BX、のX方向の寸法は100XI/1.25X3=2
40msとなり、露光装置に組み込んだときの装置大型
化はさけられないといった問題が生じる。
本発明は、この様な従来の問題点に鑑みてなされたもの
で、照明視野絞りの構造を大きくすることなく、設定精
度を高めた露光装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決する為の手段〕
そこで本発明では、照明光源とマスク(レチクル)との
間に、マスクと共役な像面を作る結像光学系を設け、こ
の共役像面に、マスク上の照明領域を規定するエツジを
持った幅の狭い複数のブレード(第1遮光部材)を設け
、この複数のブレードの外側で露光用照明光が通過する
部分は、別の遮光部材(第2遮光部材)で覆うように構
成し、複数のブレードの移動と別の遮光部材の移動とを
連動させるようにした。
〔作 用〕
本発明においては、マスク上の照明すべき部分と遮光す
べき部分との境界を規定する第1遮光部材は、マスクと
共役な像面に配置し、第1遮光部材よりも外側の光透過
領域は、他の第2遮光部材により遮光するようにしたの
で、結像光学系の倍率が低くても、第1遮光部材は従来
のように大きくする必要がない、このため、倍率が低い
ことによって、位置決め精度に応じた照明視野エツジの
マスク上での設定精度を向上させつつ、照明視野絞り機
構の構造をコンパクトにすることかで寺る。
〔実施例〕
第1図は本発明を縮小投影露光装置(ステッパー)に適
用したときに好適な実施例による露光装置全体の構成を
示し、第2図はレチクルブラインド(照明視野絞り)機
構の構造を示す、第1図において、水銀ランプ等の光源
2からの照明光は楕円鏡4で第2焦点に1次光源像とし
て焦光され、第2慎点に出し入り可能に設けられたシャ
ッター6を通り、レンズ系8でほぼ平行光束とされる。
レンズ系8から射出したほぼ平行な照明光はg線(波長
436n曽)又はi線(365na)のみを通す干渉フ
ィルターlOを透過し、円錐状の光学プリズム12に入
射する。光学プリズム12は楕円鏡4で生した照明光の
中ぬけ状態を注密状態に変換した後、その照明光をフラ
イアイレンズ14に入射する。フライアイレンズ14の
射出端は1次光源像とほぼ共役に配置され、複数の2次
光源像が形成される。各2次光源像からの照明光はミラ
ー16で反射された後、レンズ系18によって共役像面
に配置されたレチクルブラインド機構RB上に重畳され
、均一な照度分布になる。レチクルブラインド機構RB
の矩形開口を通過した照明光は、レンズ系38、ミラー
42、及びコンデンサーレンズ44を介してレチクルR
へ達する。ここでレンズ系38とコンデンサーレンズ4
4とによって、ブラインドの開口像はレチクルRのパタ
ーン面に結像される。またレチクルブラインド機構RB
の各ブレードは駆動装置40によってx、 X方向に移
動される。レチクルRはレチクルステージ46に周辺で
保持され、レチクルRのパターンは投影レンズPLを介
してウェハW表面のレジスト層に結像される。この投影
レンズPLは、本実施例では両側テレセントリックとし
たが、像側(ウェハW側)のみがテレセンドリンクであ
ってもよい。ウェハWはx、X方向に移動するウェハス
テージ48上にR置され、ステップアンドリピート方式
で露光される。
さて、フライアイレンズ14の射出端にできる2次光源
像はレンズ系18.38によりコンデンサーレンズ44
とレンズ系38との間にリレーされ、さらにコンデンサ
ーレンズ44と投影レンズPLの一部とによって、投影
レンズPLの瞳(入射瞳)EPに再結像され、所謂ケー
ラー照明系となっている。またレチクルブラインド機構
RBにおける結像光束ILの主光線2eは、光軸AXと
ほぼ平行になるように、すなわちテレセントリックな系
になるように定められている。第1図に示した結像光束
ILは、レチクルブラインド機構RBの開ロエンジを通
る光線の様子を表わしている。
次に第2図も参照してレチクルブラインド機構RBの構
造を説明する。照明光学系、投影レンズPLの光軸AX
を中心として、第2図に示すようにx、X方向に伸びた
4本の支持部材22A、22B、24A、24Bが井桁
状に組み合わされる。
X方向に伸びる支持部材22A、22Bは光軸AXをは
さんで互いに平行に配置され、X方向に伸びる支持部材
24A、24Bは光軸AXをはさんで互いに平行に配置
され、各支持部材の端部は直角に組み合わされる。この
4本の支持部材22A、22B、24A、24Bで規定
された内側の開口寸法はレチクルRの寸法と同等か、そ
れよりは少し大きく設定される。そして支持部材22A
、22Bの裏面には、X方向に伸びたガイドレール面が
形成され、これに沿ってX方向に移動する2枚の遮光板
20A、20Bが設けられる。遮光板20A、20Bは
左右の支持部材22A、22Bに渡ってX方向に互いに
平行に伸びた角柱状のものであり、内側には照明領域の
X方向の境界を規定するナイフェツジE、 、E、が形
成されている。
遮光板20A、20BのナイフェツジE3、E4は、レ
チクルRのパターン面(遮光帯SB等の形成面)と共役
になるように配置される。
一方、支持部材24A、24Bの裏面には、X方向に伸
びたガイドレール面200Xが形成され、これに沿って
X方向に移動する2枚の遮光板30A、30Bが設けら
れる。遮光板30A、30Bは上下の支持部材24A、
24Bに渡ってX方向に互いに平行に伸びた角柱状のも
のであり、内側には照明領域のX方向の境界を規定する
ナイフェツジE、 、E、が形成されている。このナイ
フェツジE+、ExはレチクルRのパターン面と共役に
なるように、すなわちナイフェツジEl、E4に極近接
するように配置される。第2図からも明らかなように、
本実施例のレチクルブラインド機構では、2組のブライ
ンド機構を光軸AXを中心に90’回転させて、背中合
わせにした構造となっている。また4つの遮光板20A
、20B、30A、30Bも、井桁状に組み合わされ、
駆動装置40により互いに独立に移動する。遮光板20
A、20B、30A、30Bの幅は、従来のものと比べ
て格段に狭くしである。このため、各遮光板20A、2
0B、30A、30Bの外側には照明光が通る開口が形
成されてしまう。
そこで本実施例では、第1図、第2図に示すように、各
遮光板2OA、20B、30A、30Bと支持部材22
A、22B、24A、24Bとの間に、遮光性の軟質の
シート材(例えばビニール)26A、26B、3.2A
、32B (32Bは第1図では32Aの裏側にある)
を設ける。各シート材26A、26B、32A、32B
は、各遮光板2OA、20B、30A、30Bのナイフ
ェツジE* 、E、 、E、 、E、とほぼ同等の幅を
もつとともに、各遮光板が最も繰り出されたときにわず
かにたるみが残る程度の長さをもつ。各シート材26A
、26B、32A、32Bは、そのままではたるんでし
まい、照明光束をけることになるので、折り曲げられた
内側にテンションアーム2OA、28B、34A、34
Bが設けられ、第1図に示すように、バネ36等で一方
向に弱い力で引っばるようにする。各テンションアーム
には、第2図に示すようにシート材と接触するローラー
280が設けられる。従って各遮光板2OA、2OB、
30A、30Bが移動したとき、各シート材26A、2
6B、32A、32Bはテンションアーム28A、28
B、34A、34Bの働きで、照明光束をけらないよう
に張設される。
本実施例では、4枚のシート材の一端は各遮光板2OA
、20B、30A、30Bに固設し、他端は支持部材2
2A、22B、24A、24Bに固設したが、他端は装
置本体側に固定されていればよく、支持部材に固設する
ことに限られない。
また本実施例では4つの遮光板2OA、20B、30A
、30Bが本発明の第1遮光部材に相当し、4枚のシー
ト材26A、26B、32A、32Bが本発明の第2遮
光部材に相当する。
第3図は、X方向のブラインド機構を横からみた図であ
り、遮光板30A、30Bには第1図、第2図では示し
ていなかったが、光束回避仮2IA、21Bが設けられ
る。この光束回避仮21A、21Bはシート材32A、
32Bがたるんだときに、ナイフェツジE、 、Etよ
りも内側に入り込まないようにするためのものである。
また、シート材26A、26B、32A、32Bは、照
明光を完全に遮光するとともに、強力な照明光の射照で
変質することがなく、反射率も極めて小さく、なおかつ
ゴミ(微小粒子)の発生のすくないものが望ましい。
次に、このレチクルブラインド機構RBの動作を、第3
図、第4図を参照して説明する。第4図は一枚のレチク
ルR上に3つの異なるパターン6I域が形成され、それ
ぞれ遮光帯SI3. 、SB、、SB、で区画されたマ
ルチパターンレチクルの例を示す。PC,、PC,、P
C,は3つのパターン6I域のそれぞれの中心を表わし
、RCはレチクルHの中心で光軸AXが通る点を表わす
。この3つのパターン領域を内包する矩形の領域ILM
ば、レチクルブラインド機構RBによる最大の照明領域
を表わす。仮りに、第4図のレチクルRを使って、第2
のパターン領域を露光する場合は、ブラインド機構RB
のX方向の遮光板30A、30BのエツジE、 、E、
が第3図に示すように遮光帯S B tのX方向の間隔
に対応した間隔Ltになるようにし、X方向についても
同様にエツジE3、E4の位置を調整する。その後、シ
ャッタ−6を開放して所定時間だけ照明光を送ると、ブ
ラインド機構RBのエツジE、 、E、 、E、 、E
、の4辺で規定された矩形状の開口像が遮光帯SB、の
内側のパターン領域に合わせて投影される。
このとき、レンズ系38、コンデンサーレンズ44で構
成されるブラインド像の結像光学系の倍率を、先にも説
明したように、例えば1〜1.5倍程度に低くしておく
と、遮光帯SBtを省略することもできる。省略できる
かどうかの判断は、ブラインド像の結像光学系(38,
44)の倍率をA、投影レンズPLの縮小率を1/M、
各遮光板2OA、20B、30A、30Bの位置決め精
度をΔに1従来のA=5のときのレチクル上でのエツジ
像のボケ幅をΔF、そしてウェハW上のストリートライ
ンの幅をDsとしたとき、次式を評価するだけで容易に
わかる。
Δに+2・ΔF・ (A15)”>M−Dsこの式が真
のときは遮光帯SBが必要であり、偽のときは、遮光帯
SBは不要である0例えば、ΔKL:80μm、ΔF#
1200μm、A=1、M2=5、Ds−50μmとす
ると、上記式は偽となり遮光帯SBは不要である。また
同じ条件のもとでは、最小のストリートライン幅Dsは
35.2μmになる。逆にストリートライン幅Dsが最
小75μmまでとすると、Aは約1,75になる。
尚、ステップアンドリピート方式の露光時に、レチクル
Rのパターン領域PAとウェハW上のショット領域とを
アライメントするために、レチクルR(レチクルステー
ジ46)をXSX方向に微動(最大数μm程度)させる
場合は、その微動量に応じて遮光帯SBを少し太めにし
ておくか、あるいは4つの遮光板20A、20B、30
A、30Bをx、、X方向に微動させるようにすればよ
い。
次に本発明の第2の実施例を第7図、第8図、第9図を
参照して説明する。第7図は第2遮光部材として、薄い
金属、ラバー、又は合成樹脂による伸縮自在なジャバラ
状の遮光部材50A、50Bを設けた場合を示す。第8
図は、第2遮光部材として、薄いたんざく状の金属板5
2A、52Bの複数枚をスライド可能に重ねあわせ、支
持部材22と遮光板30との間に設けた場合を示す。第
9図は、第2遮光部材として、2枚の遮光板54.55
 (54Aと55A、54Bと55B)をヒンジ56で
連結して、折り曲げられるようにし、さらに遮光板54
.55を支持部材22と遮光板30とにヒンジを介して
固定し、中央のヒンジ56A、56Bの裏側(光源2と
反対側)に迷光防止のための遮光性のシート57A、5
7Bを設けた場合を示す、これらのうち、構成上量もコ
ンパクトにできるのは第7図、又は第8図のものであり
、機構上は第7図のものが最も簡単である。また照明光
のパワー(照度)が強力である場合(例えばエキシマレ
ーザ光を露光光とする場合等)は、紫外域の光に対する
耐久性も重視されるので、第8図、又は第9図の方式が
よい。
次に本発明の第3の実施例を第10図を参照して説明す
る。第1θ図において第1図と同じものは同一の符号を
つけである。レチクルブラインド機構RBは第2図に示
したものと同しであるが、4枚のシート材26A、26
B、32A、32Bは取りのぞかれている。そしてその
代りに、ブラインド機構R,Bの開口面と共役な像面を
作るための結像光学系60を、ブラインド機構RRとフ
ライアイレンズ14との間に設け、結像光学系60とフ
ライアイレンズ14との間の共役像面に第2遮光部材と
してのJul助ブラインド機横RBS、を設ける。
この補助ブラインド機構RBS+ も開口エツジの4辺
を独立に移動させることができ、主ブラインド機構RB
の遮光板20A、20B、30A、30Bの外側の開口
領域に照明光が到達しないように制限する。従って、補
助ブラインド機構RBS1のエツジの位置決め精度は1
桁以上ラフにすることができ、結像光学系60の倍率も
大きくとることができる。このため補助ブラインド機構
RBS、の可動遮光体は小型にすることができる。
また、別の方法としては、類似した補助ブラインド機構
RBS、をコンデンサーレンズ44とレチクルRとの間
に設けてもよい。
ここで補助ブラインド機構RBS、、RBS。
はともに2次元に開口寸法を変えられるものとしたので
、いずれか一方があれば十分である。しかしながら4辺
可動の構造がスペース上の制約のため組み込み困難なと
きは2ケ所に補助ブラインド機構RBS、 、RBS!
を設け、それぞれにX方向とy方向を分担させるように
してもよい。いずれにしろ、補助ブラインド機構RBS
、 5RBS2のエツジの移動は、主ブラインド機構R
Bの各遮光板20A、20B、30A、30Bの移動と
連動させる必要がある。
またブラインド機構RBの4つの遮光板20A、20B
、30A、30Bは、第11図に示すように直角なL字
形のブレードBL、、BL、を互いに逆方向に組み合わ
せ、2つのブレードBL、、BLtの夫々を独立にx、
y方向に2次元移動可能にした構造としてもよい。
〔発明の効果〕
以上、本発明によれば、小型で軽い照明視野絞り(レチ
クルブラインドRB)機構にすることができるので、視
野絞りの開口像をマスク(レチクル)上に結像する光学
系の倍率を小さくして、マスク上での照明領域の設定精
度を向上させることができる。さらに、マスク上に設け
られる遮光帯の幅を従来のものよりも格段に狭くでき、
あるいは遮光帯そのものを省略することもでき、マスク
(レチクル)作成が容易となり製造コストも低くできる
。また第1遮光部材は小型、軽量にできるので設定速度
を早(できるとともに、別の駆動系をもった第2遮光部
材の場合は、設定精度が極めてラフでよいために、これ
についても設定速度を早くできるといった効果が得られ
る。また本発明は投影露光装置以外のプロキシミティ方
式、コンタクト方式の露光装置にも同様に適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例による露光装置の構成を
示す図、第2図はレチクルブラインド機構の構造を示す
斜視図、第3図はレチクルブラインド機構を横から見た
図、第4図はマルチバターンレチクルのパターン配置を
示す平面図、第5図は従来のレチクルブラインドの構造
を示す斜視図、第6図は通常使われているシングルパタ
ーンレチクルの構成を示す斜視図、第7図、第8図、第
9図は第2の実施例によるレチクルブラインド機構を示
す図、第10図は第3の実施例によるレチクルブライン
ド機構を示す図、第11図はブラインドの他の例を示す
平面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 R・・・・・・レチクル、 W・・・・・・ウェハ、R
B・・・・・・レチクルブラインド機構、2・・・・・
・光源、2OA、20B、30A、30B ・・・・・・第1遮光部材としての遮光板、26A、2
6B、32A、34A

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)所定のパターン領域を有するマスクに照明光を照
    射する照明光源と、該照明光源と前記マスクとの間に、
    前記マスクと共役な像面を形成するための結像光学系と
    、該共役像面とほぼ一致して配置され、前記マスク上で
    の照明領域を矩形に制限する照明視野絞り部材とを備え
    、前記マスク上のパターンを感光基板へ露光する装置に
    おいて、前記照明視野絞り部材は、前記マスク上での照
    明領域の矩形の各辺を規定する4つのエッジを有し、該
    4つのエッジを前記照明領域に合わせて可動にするとと
    もに、該エッジよりも外側の幅が、前記可動の最大距離
    よりも狭く定められた複数の第1遮光部材から成り;さ
    らに、該第1遮光部材と前記照明光源との間、もしくは
    該第1遮光部材と前記マスクとの間のうち、少なくとも
    一方の位置に設けられ、前記第1遮光部材と連動して移
    動し、前記第1遮光部材の外側を通る照明光を遮光する
    複数の第2遮光部材を設けたことを特徴とする露光装置
  2. (2)前記複数の第1遮光部材は、前記共役像面とほぼ
    一致した面内でx方向に可動な2つの遮光板とy方向に
    可動な2つの遮光板とを有し、該4つの遮光板を井桁状
    に組み合わせたときに規定される内側の矩形開口部が前
    記照明領域に合わされ、前記複数の第2遮光部材は、前
    記4つの遮光板の夫々に一端が固定され、他端が装置側
    に固定された可撓性の4つの薄板から成り、該4つの薄
    板により前記4つの遮光板の井桁状の組み合わせ部の外
    側に形成される開口部を遮光することを特徴とする請求
    項第1項記載の装置。
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