KR102124417B1 - 기판 지지 장치 - Google Patents

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KR102124417B1
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푸핑 첸
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에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드
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Abstract

본 발명은, 회전가능한 척, 제1 매스플로우 제어기, 제2 매스플로우 제어기, 복수의 위치설정 핀, 복수의 안내 필러(guiding pillars) 및 모터를 갖는 기판 지지 장치를 제공한다. 기판을 지지하기 위한 회전가능한 척은 복수의 제1 분사 포트와 제2 분사 포트를 형성한다. 상기 제1 분사 포트는 상기 기판에 가스를 공급하기 위한 제1 가스 통로와 연결하며 베르누이 효과에 의해 상기 기판을 흡인한다. 상기 제2 분사 포트는 상기 기판에 가스를 공급하기 위한 제2 가스 통로와 연결하며 상기 기판을 리프팅한다. 상기 제1 매스플로우 제어기와 상기 제2 매스플로우 제어기는 상기 제1 가스 통로와 상기 제2 가스 통로 상에 각각 설치된다. 상기 복수의 위치설정 핀과 안내 필러는 상기 회전가능한 척의 상부면에 배치되고, 모든 안내 필러는 보유부를 형성하도록 돌출한다. 상기 모터는 상기 회전가능한 척을 회전시키데 이용된다.

Description

기판 지지 장치{SUBSTRATE SUPPORTING APPARATUS}
본 발명은 일반적으로 기판 지지 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 세정, 에칭, 현상, 포토레지스트 코팅 또는 제거 공정 동안에 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 지지하기 위해 베르누이 원리를 이용하는 기판 지지 장치에 관한 것이다.
반도체 장치 제조 공정 동안에, 세정, 에칭, 현상, 포토레지스트 코팅 또는 제거와 같은 반도체 장치를 제조하는데 이용되는 대부분의 처리 공정은 기판의 전면측으로 불리는 기판 장치측 상에 초점을 맞춘다. 그러나, 세정 및 에칭과 같은 기판 후면(논-장치측) 처리가 매우 중요하다. 기판의 후면 상에 부착되는 오염물은, 예컨대 포토리소그래피 단계에서 기판의 전면측 상에 형성된 패턴 상에 초점을 흐리게 야기하고, 또한 기판 처리 장치를 오염시키므로, 동일한 장치에 의해 처리되는 다른 기판을 오염시킬 수 있다. 그 점에서, 후면측 금속 오염은 기판을 통해 확산하여, 기판의 전면측을 오염시키므로, 반도체 장치의 전기적 고장을 유도할 수 있다.
반도체 장치의 품질을 보장하기 위해, 기판의 후면을 세정하는 것은 필수적이다. 기판의 후면을 세정하기 위해, 기판을 지지하는 장치가 필요하다. 이러한 장치는 미국특허 5,492,566호에 공지되어 있다. 상기 장치는 장치의 원형면 내에 환형 노들을 포함한다. 노즐은 장치와 기판 사이에 가스 쿠션을 형성하기 위해 압축 가스로 공급된다. 기판은 베르누이 원리에 의해 장치 위로 흡인되어 플로팅 상태로 유지한다. 상기 장치의 상부면에 있는 적어도 하나의 돌출부는 처리 동안에 기판을 위한 휴지부(rest)로서 기능한다. 상기 장치에서, 장치에 면하는 기판의 하부면은 돌출부와 접촉 유지하는 것이 필요하다. 기판 후면 처리를 위해, 기판 장치측(전면측)은 장치의 상측면에 면하는 것이 필요하다. 상기 돌출부는 상기 장치의 측면 패턴을 파단하게 할 수 있고, 기판과 장치의 상부면 사이의 갭 높이는 쉽게 조절할 수 없다.
기판을 지지하기 위한 또 다른 장치는 미국특허 6,669,808호에 개시되어 있다. 상기 장치는 기판을 지지하는 지지 부재를 갖는 로터리 베이스 부재 위에 근접 흡인 부재(proximity suction member)를 제공한다. 상기 근접 흡인 부재는 그 지지면으로부터 지지 부재에 의해 지지되는 기판의 상부면의 전체 주변 에지까지 하측방향 및 외측방향으로 가스를 분사한다. 상기 근접 흡입 부재의 하부면에 있는 지지면은 로터리 베이스 부재 상의 기판에 실질적으로 평행한 평면 상에 위치된다. 처리 용액 공급부는 로터리 베이스 부재 상에 지지되어 회전되는 기판의 하부면에 처리 용액을 공급한다. 또한, 기판의 하부면과 로터리 베이스 부재의 상부면 사이의 갭 높이는 쉽게 조절할 수 없다. 게다가, 처리 용액 공급 모델로 인해 세정 효율이 양호하지 않을 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 회전가능한 척, 제1 매스플로우 제어기, 제2 매스플로우 제어기, 복수의 위치설정 핀, 복수의 안내 필러(guiding pillars) 및 모터를 갖는 기판 지지 장치를 제공하는 것이다. 기판을 지지하기 위한 회전가능한 척은 복수의 제1 분사 포트와 제2 분사 포트를 형성한다. 상기 제1 분사 포트는 상기 기판에 가스를 공급하기 위한 제1 가스 통로와 연결하며 베르누이 효과에 의해 상기 기판을 흡인한다. 상기 제2 분사 포트는 상기 기판에 가스를 공급하기 위한 제2 가스 통로와 연결하며 상기 기판을 리프팅한다. 상기 제1 매스플로우 제어기는 상기 제1 분사 포트에 공급되는 가스의 흐름을 제어하도록 상기 제1 가스 통로 상에 설치된다. 상기 제2 매스플로우 제어기는 상기 제2 분사 포트에 공급되는 가스의 흐름을 제어하도록 상기 제2 가스 통로 상에 설치된다. 상기 복수의 위치설정 핀은 상기 기판이 사전 정의된 프로세스를 가질 때, 상기 기판의 수평방향 운동을 방지하도록 상기 회전가능한 척의 상부면에 배치된다. 상기 복수의 안내 필러는 상기 회전가능한 척의 상부면에 배치되며, 상기 기판을 보유하기 위해 보유부를 형성하도록 돌출한다. 상기 모터는 상기 회전가능한 척을 회전시키데 이용된다.
상기 기판의 하부면과 상기 회전가능한 척의 상부면 사이에 갭이 형성됨으로써, 상기 기판의 하부면이 상기 회전가능한 척의 상부면과 접촉하여, 기판의 하부면을 오염시키는 것을 회피하고, 상기 갭의 높이는 상기 제1 분사 포트와 상기 제2 분사 포트에 공급되는 가스의 흐름을 제어함으로써 조절될 수 있고, 상기 기판은 베르누이 원리에 의해 안정된 플로팅 상태로 유지할 수 있다.
본 발명은 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시예에 대한 하기의 설명을 읽음으로써 당업자에게 명백할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 예시적인 기판 지지 장치에 대한 단면도,
도 2는 기판 지지 장치에 대한 평면도,
도 3a 및 3b는 도 2에 도시한 기판 지지 장치에 대한 단면도,
도 4는 기판 지지 장치의 위치설정 핀에 대한 사시도,
도 5는 기판 지지 장치 상에서 작동하는 엔드 이펙터를 도시한 평면도,
도 6a 내지 6e는 기판 지지 장치 상에 기판을 처리하도록 하는 엔드 이펙터의 시퀀스를 도시한 도면,
도 7a 내지 7f는 기판 지지 장치로부터 기판을 얻는 엔드 이펙터의 시퀀스를 도시한 도면.
도 1 내지 4는 본 발명의 기판 지지 장치가 도시한다. 기판 지지 장치는, 반도체 웨이퍼를 처리하기 위해 디스크 형상의 물품, 예컨대 반도체 웨이퍼를 지지하는 선택적으로 원형인 회전가능한 척(101)을 구비한다. 회전가능한 척(101) 아래에는 중공형 하우징(102)이 배치되어 회전가능한 척(101)의 하부면에 연결된다. 중공형 하우징(102)을 연결하도록 로터리 스핀들(103)이 제공된다. 로터리 스핀들(103)은 중공형이다. 로터리 스핀들(103)의 상단부는 중공형 하우징(102)의 하부와 고정되고, 로터리 스핀들(103)의 하단부는 로터리 스핀들(103)을 회전시키도록 모터(104)와 고정됨으로써, 회전가능한 척(101)을 수직 축 둘레에서 회전시킨다.
기판(107)이 세정 공정과 같은 사전 정의된 공정을 가질 때, 기판(107)의 수평방향 운동을 방지하도록 회전가능한 척(101)의 상부면의 외측 에지에 균일하게 복수의, 예컨대 6개의 위치설정 핀(105)이 배치된다. 모든 위치설정 핀(105)은 그 상단부 상에 위치설정 그루브(1051)를 형성한다. 기판(107)의 주변 에지는 기판(107)의 수평방향 운동을 구속하도록 위치설정 그루브(1051)와 결합된다. 모든 위치설정 핀(105)은 기판(107)을 위치설정하도록 내측방향으로 이동하거나 또는 기판(107)을 해제하도록 외측방향으로 이동하도록 독립적인 실린더(401)에 의해 구동된다. 위치설정 핀(105) 모두는 교대로 배치된 2개의 그룹(105a, 105b)으로 나뉜다. 기판(107)의 세정 공정 동안에, 위치설정 핀(105)의 2개의 그룹(105a, 105b)은 기판(107)을 교대로 위치시킴으로써 기판(107)의 주변 에지가 완전히 세정될 수 있다. 즉, 기판(107)의 세정 공정 동안에, 위치설정 핀의 제1 그룹(105a)이 우선 그 동안에 기판(107)을 위치시키고, 위치설정 핀의 제2 그룹(105b)이 기판(107)과 무접촉 상태를 유지하고, 기판(107)이 일정 시간 동안에 세정된 후에, 위치설정 핀의 제1 그룹(105a)이 기판(107)을 해제시키고, 위치설정 핀의 제2 그룹(105b)은 기판(107)을 위치시킨다. 기판(107)은 우선 위치설정 핀의 제2 그룹(105b)에 의해 위치될 수 있다.
회전가능한 척(101)의 상부면의 외측 에지에는 복수의, 예컨대 6개의 안내 필러(106)가 배치된다. 모든 안내 필러(106)는 대응하는 위치설정 핀(105)에 인접한다. 안내 필러(106)는 원추 형상이므로, 안내 필러(106)의 측면은 회전가능한 척(101) 상에 정확하게 두도록 기판(107)을 안내하는 안내면으로서 기능한다. 안내 필러(106)의 하부는 기판(107)이 회전가능한 척(101) 상에 놓여져서 기판(107)의 하부면과 회전가능한 척(101)의 상부면 사이에 갭(111)이 형성될 때 기판(107)을 보유하는 보유부(1061)를 형성하도록 외측방향으로 돌출하므로, 기판(107)의 하부면이 회전가능한 척(101)의 상부면과 접촉함으로써 기판(107)의 하부면의 오염을 회피한다.
회전가능한 척(101)은 그를 통과하는 복수의 제1 분사 포트(109)와 제2 분사 포트(110)를 형성한다. 제1 분사 포트(109)는 회전가능한 척(101) 상의 원에 형성되며 회전가능한 척(101)의 중심으로부터 떨어지게 이격된다. 모든 제1 분사 포트(109)는 경사져서 회전가능한 척(101)의 하부면에 대해 각을 이루어 형성된다. 제2 분사 포트(110)는 회전가능한 척(101) 상의 원에 형성되며 회전가능한 척(101)의 중심에 근접한다. 모든 제2 분사 포트(110)는 수직하여 회전가능한 척(101)에 직각이다. 모든 제1 분사 포트(109)는 제1 가스 파이프(112)에 연결되고, 모든 제2 분사 포트(110)는 제2 가스 파이프(113)에 연결된다. 제1 가스 파이프(112)와 제2 가스 파이프(113) 양자는 중공형 하우징(102)에 각각 수용된다. 제1 가스 파이프(112)와 제2 가스 파이프(113) 각각은 중공형 하우징(102)을 통과하여 로터리 스핀들(103) 내에 수용된다. 제1 분사 포트(109)를 통해 기판(107)에 공급되는 가스를 정화하도록 제1 가스 파이프(112) 내에는 제1 필터(114)가 배치된다. 제2 분사 포트(110)를 통해 기판(107)에 공급되는 가스를 정화하도록 제2 가스 파이프(113) 내에는 제2 필터(115)가 배치된다. 제1 가스 튜브(112)는 기판 지지 장치 외부에 배치된 제1 가스 튜브에 연결되어 가스 공급원에 연결된다. 제1 가스 파이프(112)와 제1 가스 튜브는 제1 분사 포트(109)에 가스를 공급하도록 제1 분사 포트(109)와 연결하는 제1 가스 통로로 형성된다. 제1 분사 포트(109)에 공급되는 가스의 흐름을 제어하도록 제1 가스 통로 상에는 제1 매스플로우 제어기(MFC)(116)가 설치된다. 구체적으로, 제1 매스플로우 제어기(116)는 제1 가스 파이프(112)에 공급되는 가스의 흐름을 제어하도록 제1 가스 튜브 상에 설치된다. 제1 가스 파이프(112)와 제1 가스 튜브의 연접 위치(juncture place)는 가스 누수를 방지하기 위한 자성 유체에 의해 밀봉된다. 제2 가스 튜브(113)는 기판 지지 장치 외부에 배치된 제2 가스 튜브에 연결되어 가스 공급원에 연결된다. 제2 가스 파이프(113)와 제2 가스 튜브는 제2 분사 포트(110)에 가스를 공급하도록 제2 분사 포트(110)와 연결하는 제2 가스 통로로 형성된다. 제2 분사 포트(110)에 공급되는 가스의 흐름을 제어하도록 제2 가스 통로 상에는 제2 매스플로우 제어기(117)가 설치된다. 구체적으로, 제2 매스플로우 제어기(117)는 제2 가스 파이프(113)에 공급되는 가스의 흐름을 제어하도록 제2 가스 튜브 상에 설치된다. 제2 가스 파이프(113)와 제2 가스 튜브의 연접 위치는 가스 누수를 방지하기 위한 자성 유체에 의해 밀봉된다.
도 5 및 6a 내지 6e는 기판 지지 장치의 이용에 의해 기판(107)의 후면측 세정에 대한 시퀀스를 도시한다. 회전가능한 척(101) 상에서 기판(107)을 이송하는데 엔드 이펙터(501)가 이용된다. 엔드 이펙터(501)는 베이스부(601)를 갖는다. 베이스부(601)의 하부면의 외측 에지는 엔드 이펙터(501)가 기판(107)을 이송할 때 기판(107)이 베이스부(601)의 하부면과 접촉하여 기판(107)을 오염시키는 것을 방지하기 위해 원형의 리닝부(602)를 형성하도록 하측방향으로 돌출한다. 리닝부(602)의 일부는 엔드 이펙터(501) 내에서의 기판(107)의 운동을 구속하기 위해 정지부(605)를 형성하도록 하측방향으로 돌출한다. 리닝부(602)의 하부면은 기판(107)이 리닝부(602)에 대해 놓이는지의 여부를 검출하도록 접촉 센서(604)를 배치한다. 기판(107)이 리닝부(602)에 대해 놓이면, 정지부(605)에 인접하기 위해 기판(107)을 푸시하도록 푸싱부(603)가 구동된 다음, 기판(107)은 엔드 이펙터(501) 내에 고정 위치된다. 푸싱부(603)는 실린더에 의해 구동될 수 있다.
도 6a에 도시한 바와 같이, 엔드 이펙터(501)는 회전가능한 척(101) 상에서 기판(107)을 이송하고, 이때, 제1 가스 튜브와 제2 가스 튜브가 폐쇄되고, 제1 분사 포트(109)와 제2 분사 포트(110)에 가스를 공급하는 것이 필요하지 않다. 그 다음, 엔드 이펙터(501)는 기판(107)이 안내 필러(106)에 근접하게 하도록 하측방향으로 이동한다. 이때, 제2 가스 튜브가 개방되어 가스는 제2 가스 파이프(113)와 제2 분사 포트(110)를 통해 기판(107)의 전면측에 공급된다. 기판(107)의 후면을 세정하기 위해, 기판(107)의 전면측은 회전가능한 척(101)의 상부면에 면하도록 배치된다. 기판(107)의 전면의 오염을 회피하기 위해, 기판(107)의 전면에 공급되는 가스는 제2 필터(115)에 의해 정화된다. 제2 분사 포트(110)로부터 배출된 가스는 사전 정의된 높이로 기판(107)을 리프팅한 다음, 도 6b에 도시한 바와 같이, 푸싱부(603)는 기판(107)을 해제하도록 외측방향으로 끌어 당겨진다. 그 다음, 제2 가스 튜브가 폐쇄되어 가스는 기판(107)에 공급되는 것이 중지된다. 기판(107)은 그 자체의 중력의 작용 하에서 안내 필러(106)의 측면을 따라 보유부(1061) 아래로 낙하하여, 도 6c에 도시한 바와 같이 보유부(1061)에 의해 보유된다. 제2 가스 튜브는 다시 개방되어 제2 분사 포트(110)로부터 배출되는 가스가 기판(107)을 리프팅하여, 도 6d에 도시한 바와 같이, 제2 매스플로우 제어기(117)를 통해 제2 분사 포트(110)에 공급되는 가스의 흐름을 조절함으로써 기판(107)의 전면측과 회전가능한 척(101)의 상부면 사이에 갭(111)이 형성된다. 엔드 이펙터(501)가 멀어지게 이동되고, 기판(107)의 후면측을 세정하도록 세정액을 분사하기 위해 기판(107)의 후면측 위에 적어도 하나의 노즐(108)이 이동된다. 기판(107)의 후면을 세정할 때, 제1 가스 튜브가 개방되어, 베르누이 효과에 의해 기판(107)을 흡인하도록 제1 분사 포트(109)를 통해 가스가 배출된다. 따라서, 기판(107)은 후면 세정을 위해 안정된 플로팅 상태를 유지할 수 있다. 위치설정 핀의 제1 그룹(105a)이 기판(107)을 위치시키는 한편, 모터(104)는 회전가능한 척(101)을 회전시키고, 노즐(108)은 기판(107)의 후면을 세정하도록 세정액을 분사한다. 회전가능한 척(101)의 회전과, 제1 분사 포트(109)로부터의 외측방향으로 배출되는 가스로 인해, 기판(107)의 후면에 분사되는 세정액은 기판(107)의 전면에 가스의 흐름이 도달하는 것이 방지된다. 일정 시간의 세정 후에, 위치설정 핀의 제2 그룹(105b)이 기판(107)을 위치시키도록 위치설정 핀의 제1 그룹(105a)을 대체하고, 이로써 기판(107)의 주변 에지가 완전히 세정될 수 있다.
도 7a 내지 7f를 참조하면, 기판(107)의 후면의 세정 후에, 노즐(108)은 멀어지게 이동된다. 엔드 이펙터(501)는 기판(107)의 후면 위로 이동되고, 제1 가스 튜브가 폐쇄되어 제1 분사 포트(109)를 통해 기판(107)으로 가스가 공급되는 것이 중지된다. 제2 가스 튜브는,도 7b에 도시한 바와 같이, 기판(107)을 리프팅하기 위해 가스를 공급하도록 여전히 개방 유지한다. 엔드 이펙터(501)는 기판(107)을 폐쇄하도록 하측방향으로 이동한다. 그 다음, 제2 분사 포트(110)를 통해 기판(107)에 공급되는 가스의 흐름은 제2 매스플로우 제어기(117)에 의해 증가되고, 도 7c에 도시한 바와 같이, 기판(107)은 리닝부(602)의 하부면에 도달하도록 상승한다. 엔드 이펙터(501)가 상측방향으로 이동하고, 도 7d에 도시한 바와 같이, 기판(107)은 리닝부(602)의 하부면에 대해 상승한다. 접촉 센서(604)가 기판(107)을 검출하여 푸싱부(603)가 정지부(605)에 인접하도록 기판(107)을 푸시한 다음, 도 7e에 도시한 바와 같이, 기판(107)은 엔드 이펙터(501) 내에 고정 위치된다. 마지막으로, 제2 가스 튜브가 폐쇄되어, 도 7f에 도시한 바와 같이, 기판(107)은 엔드 이펙터(501)에 의해 멀어지게 이동된다.
상기한 설명에서, 가스는 질소 가스와 같은 불활성 가스일 수 있다. 가스의 선택은 공정의 요건에 따라 다르다. 게다가, 기판(107)의 하부면과 회전가능한 척(101)의 상부면 사이의 갭(111)의 높이는 제1 분사 포트(109)와 제2 분사 포트(110)에 공급되는 가스의 흐름을 제어함으로써 조절될 수 있고, 기판(107)은 베루누이 원리에 의해 안정된 플로팅 상태로 유지할 수 있다. 또한, 제1 가스 튜브는 기판(107)의 후면을 세정하도록 세정액이 공급되는 시점에만 개방되므로, 기판(107)의 후면 세정의 비용을 줄일 수 있다. 기판 지지 장치는 후면 세정에 적합할 뿐만 아니라, 에칭 공정 등에도 적합하다.
본 발명의 전술한 설명은 도시 및 기술을 목적으로 제공되었다. 본 발명이 개시된 정확한 형태에 제한될 의도는 없고, 상기한 교시의 견지에서 다수의 변경 및 수정이 가능하다. 당업자에게 명백할 수 있는 이러한 수정 및 변경은 첨부한 특허청구범위에 의해 정의된 바와 같이 본 발명의 범위 내에 있는 것으로 의도된다.

Claims (16)

  1. 기판을 지지하며, 복수의 제1 분사 포트와 제2 분사 포트를 형성하는 회전가능한 척으로서, 상기 제1 분사 포트는 경사져서 상기 회전가능한 척의 하부면에 대해 각을 이루어 형성되고, 상기 제1 분사 포트는 상기 기판에 가스를 공급하기 위한 제1 가스 통로와 연결하며 베르누이 효과에 의해 상기 기판을 흡인하고, 상기 제2 분사 포트는 상기 기판에 가스를 공급하기 위한 제2 가스 통로와 연결하며 상기 기판을 리프팅하고, 상기 제2 분사 포트는 상기 회전가능한 척의 중심에 대해 상기 제1 분사 포트의 내측부 내에 배치되는, 상기 회전가능한 척;
    상기 제1 분사 포트에 공급되는 가스의 흐름을 제어하도록 상기 제1 가스 통로 상에 설치된 제1 매스플로우 제어기로서, 상기 제1 분사 포트로부터 외측방향으로 배출되는 가스의 흐름은 상기 기판의 상측방향 후면측으로 분사된 세정액이 상기 기판의 하측방향 전면측에 도달하는 것을 방지하는, 상기 제1 매스플로우 제어기;
    상기 제2 분사 포트에 공급되는 가스의 흐름을 제어하도록 상기 제2 가스 통로 상에 설치된 제2 매스플로우 제어기로서, 상기 제2 매스플로우 제어기를 통해 상기 제2 분사 포트로 공급되는 가스의 흐름을 조절함으로써 상기 기판과 상기 회전가능한 척 사이에 형성된 갭이 조절될 수 있는, 상기 제2 매스플로우 제어기;
    상기 기판이 사전 정의된 프로세스를 가질 때, 상기 기판의 수평방향 운동을 방지하도록 상기 회전가능한 척의 상부면에 배치된 복수의 위치설정 핀으로서, 상기 위치설정 핀은 상기 기판의 주변 에지와 결합되고, 상기 위치설정 핀 모두는 교대로 배치된 2개의 그룹으로 나뉘며, 상기 위치설정 핀의 2개의 그룹은 상기 기판을 교대로 위치시키는, 상기 복수의 위치설정 핀;
    상기 회전가능한 척의 상부면에 배치되며, 상기 기판을 보유하기 위해 보유부를 형성하도록 돌출하는 복수의 안내 필러(guiding pillars);
    상기 회전가능한 척을 회전시키는 모터;
    상기 기판을 이송하기 위한 엔드 이펙터로서, 상기 엔드 이펙터는 베이스부를 갖고, 상기 베이스부의 하부면은 리닝부(leaning portion)를 형성하도록 하측방향으로 돌출하고, 상기 리닝부의 일부는 정지부를 형성하도록 하측방향으로 더욱 돌출하고, 상기 엔드 이펙터 내에 상기 기판을 고정 위치시키기 위해 상기 정지부에 인접하도록 상기 기판을 푸시하는 푸싱부(pushing portion)가 제공되거나 또는 상기 기판을 해제하도록 상기 푸싱부가 끌어 당겨지는, 상기 엔드 이펙터;
    상기 기판이 상기 리닝부에 대해 놓이는지의 여부를 검출하도록 상기 리닝부의 하부면 상에 배치된 접촉 센서
    를 포함하고,
    상기 엔드 이펙터는 상기 기판의 후면이 세정된 후에 상기 기판의 후면 위로 이동되도록 구성되고, 상기 제1 분사 포트를 통한 가스의 흐름은 상기 기판으로 공급 중지되고, 상기 제2 분사 포트를 통한 가스의 흐름은 상기 기판을 리프팅하기 위해 상기 기판으로 공급 유지되고,
    상기 엔드 이펙터는 상기 기판을 폐쇄하도록 하측방향으로 이동하도록 구성되고, 상기 제2 분사 포트를 통해 상기 기판에 공급되는 가스의 흐름은 상기 기판이 상기 리닝부의 하부면에 도달하기 위해 상승하도록 증가되고,
    상기 접촉 센서는 상기 기판을 검출하도록 구성되어 상기 푸싱부가 상기 정지부에 인접하도록 상기 기판을 푸시하여, 상기 기판은 상기 엔드 이펙터 내에 고정 위치되고, 상기 제2 분사 포트를 통한 가스의 흐름은 상기 기판으로 공급 중지되는,
    기판 지지 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 분사 포트는 상기 회전가능한 척 상의 원에 형성되며 상기 회전가능한 척의 중심으로부터 떨어지게 이격되고, 상기 제2 분사 포트는 상기 회전가능한 척 상의 원에 형성되며 상기 회전가능한 척의 중심에 근접하는,
    기판 지지 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    모든 제1 분사 포트는 경사져서 상기 회전가능한 척의 하부면에 대해 각을 이루어 형성되는,
    기판 지지 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    모든 제2 분사 포트는 수직하여 상기 회전가능한 척에 직각인,
    기판 지지 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 가스 통로는 제1 가스 파이프와 제1 가스 튜브로 이루어지며, 상기 제1 가스 파이프는 상기 제1 분사 포트에 연결되고, 상기 제1 가스 튜브는 상기 제1 가스 파이프와 가스 공급원에 연결되고,
    상기 제2 가스 통로는 제2 가스 파이프와 제2 가스 튜브로 이루어지며, 상기 제2 가스 파이프는 상기 제2 분사 포트에 연결되고, 상기 제2 가스 튜브는 상기 제2 가스 파이프와 가스 공급원에 연결되는,
    기판 지지 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 회전가능한 척의 하부면은 중공형 하우징에 연결되고, 상기 중공형 하우징을 연결하도록 로터리 스핀들이 제공되고, 상기 로터리 스핀들의 상단부는 상기 중공형 하우징의 하부와 고정되고, 상기 로터리 스핀들의 하단부는 상기 모터와 고정되고, 상기 제1 가스 파이프와 상기 제2 가스 파이프 양자는 상기 중공형 하우징 내에 수용되고, 상기 제1 가스 파이프와 상기 제2 가스 파이프 각각은 상기 중공형 하우징을 통과하여 상기 로터리 스핀들 내에 수용되는,
    기판 지지 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 분사 포트를 통해 상기 기판에 공급되는 가스를 정화하도록 상기 제1 가스 파이프 내에 배치된 제1 필터와, 상기 제2 분사 포트를 통해 상기 기판에 공급되는 가스를 정화하도록 상기 제2 가스 파이프 내에 배치된 제2 필터를 더 포함하는,
    기판 지지 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제1 가스 파이프와 상기 제1 가스 튜브의 연접 위치는 가스 누수를 방지하기 위한 자성 유체에 의해 밀봉되고,
    상기 제2 가스 파이프와 상기 제2 가스 튜브의 연접 위치는 가스 누수를 방지하기 위한 또 다른 자성 유체에 의해 밀봉되는,
    기판 지지 장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제1 매스플로우 제어기는 상기 제1 가스 튜브 상에 설치되고, 상기 제2 매스플로우 제어기는 상기 제2 가스 튜브 상에 설치되는,
    기판 지지 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    모든 위치설정 핀은 위치설정 그루브를 형성하고, 상기 기판의 주변 에지는 상기 기판의 수평방향 운동을 구속하도록 상기 위치설정 그루브와 결합되는,
    기판 지지 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    모든 위치설정 핀은 상기 기판을 위치시키기 위해 내측방향으로 이동하거나 또는 상기 기판을 해제하기 위해 외측방향으로 이동하도록 독립적인 실린더에 의해 구동되는,
    기판 지지 장치.
  12. 삭제
  13. 제1항에 있어서,
    모든 안내 필러의 측면은 상기 보유부 상에 정확하게 놓이도록 상기 기판을 안내하기 위한 안내면으로서 기능하는,
    기판 지지 장치.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
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