KR102008854B1 - 칩 - Google Patents

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샤오동 장
지롱 린
즈치앙 마
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Abstract

본 발명은 캐리어, 재분배 구조체 및 다수의 패키징 기능 모듈을 포함하고, 여기서 다수의 패키징 기능 모듈 각각은 적어도 콜로이드로 싸여 있는 부분을 가지며, 또 상기 다수의 패키징 기능 모듈은 재분배 구조체에 나란히 고정되며, 재분배 구조체는 캐리어에 고정되고, 재분배 구조체는 하나 이상의 재분배 금속층을 포함하며, 재분배 금속층은 다수의 패키징 기능 모듈 및 캐리어를 통신 가능하게 연결하고, 재분배 구조체는 하나 이상의 상호연결 금속층을 더 포함하고, 상호연결 금속층은 적어도 2개의 패키징 기능 모듈에 통신 가능하게 연결되어 적어도 2개의 패키징 기능 모듈 사이에 신호 경로를 제공할 수 있다. 칩 내에서, 2개의 패키징 기능 모듈은 캐리어에 나란히 배치되고, 신호 경로는 재분배 구조체를 사용하여 2개의 패키징 기능 모듈 사이에 설정된다.

Description

칩
본 발명의 실시예는 칩 기술에 관한 것으로, 특히 다수의 패키징 기능 모듈이 나란히 패키징된 칩에 관한 것이다.
반도체 공정의 진보 및 칩 기능의 향상으로, 증가하는 집적 회로가 칩 내에 수용될 수 있다. 산업의 제조 요구사항에 기초하여, 칩에 적용된 집적 회로는 다양한 다이에 수용된다. 공정의 발달과 더 높은 기능적 요구사항을 위해, 2개 이상의 다이가 함께 패키징되는 패키징 방식이 산업에서 주목을 끌고 있다.
하나의 칩에 패키징 된 다수의 다이는 독립적으로 작동하지 않는다. 상이한 다이 사이에 데이터 상호작용이 요구되며, 데이터 경로의 길이는 칩의 성능에 상대적으로 큰 영향을 미친다. 따라서, 다이 사이의 데이터 통신 경로의 길이를 단축하는 것은 산업에서 중요한 화제이다. 현재, 산업에는 3D 통합 패키징 기술이 존재한다. 도 1에서 나타난 바와 같이, 칩(100)의 캐리어(11)는 웨이퍼 수준 패키징(WLP: Water-Level Packaging)(18)을 포함한다. WLP(18)은 다이(12), 상기 다이(12) 주위를 감싼 콜로이드(14) 및 다이(12)와 콜로이드(14)의 표면 상에 형성된 재분배층(15)을 포함한다. 범프(17)는 재분배층(15)의 바닥부에 배치된다. 재분배층(15) 및 범프(17)는 다이(12) 및 캐리어(11) 사이에 신호 경로를 형성한다.
칩(100)은 또한 WLP(18)의 상부에 수반된 WLP(28)를 포함한다. WLP(18)과 유사하게, WLP(28)는 다이(22), 콜로이드(24), 재분배층(25) 및 범프(27)를 포함한다. 재분배층(19)은 WLP(18)의 상부에 배치되고, 수직 상호연결 경로(Vertical Interconnect System)(13)는 WLP(18)의 콜로이드(14)에 배치된다. 재분배층(25) 및 범프(27)는 WLP(28)의 것이다. 신호 경로는 재분배층(25)의 금속층, 범프(27), WLP(18)의 재분배층(19)의 금속층, 관통 실리콘 비아(13) 및 WLP(18)의 재분배층(15)을 이용하여, WLP(28) 및 WLP(18) 사이에 형성된다.
3D 패키징 기술에서, 2개의 다이 사이의 신호 경로의 길이는 2개의 WLP의 중첩을 통해 효과적으로 단축될 수 있지만, 이는 또한 새로운 문제를 발생시킨다. 첫째, 2개의 WLP의 중첩은 상대적으로 심각한 손실 문제를 발생시킨다. 둘째로, 관통 실리콘 비아의 공정은 상대적으로 어렵고, 이는 상대적으로 높은 공정 비용을 발생시킨다.
이러한 관점에서, 본 발명의 실시예는 다이 사이의 단거리 배선을 구현할 수 있지만 손실 문제를 발생시키지 않는 칩을 제공한다.
본 발명의 실시예의 제1 측면은 캐리어, 재분배 구조체 및 다수의 패키징 기능 모듈을 포함하는 칩을 제공하며, 여기서 다수의 패키징 기능 모듈 각각은 적어도 콜로이드로 감싼 부분을 가지며, 재분배 구조체에 나란히 고정되며; 재분배 구조체는 캐리어에 고정되고, 재분배 구조체는 하나 이상의 재분배 금속층을 포함하며; 재분배 금속층은 다수의 패키징 기능 모듈 및 캐리어를 통신 가능하게 연결하며; 재분배 구조체는 또한 하나 이상의 상호연결 금속층을 포함하고, 상호연결 금속층은 적어도 2개의 패키징 기능 모듈을 통신 가능하게 연결하고 이로써 적어도 2개의 패키징 기능 모듈 사이에 신호 경로를 제공한다.
제1 가능한 구현 방식에서, 재분배 구조체의 본체는 절연 재료로 만들어지고, 상호연결 금속층 및 재분배 금속층은 본체에서 상호 독립적이다.
제1 측면 및 제1 측면의 제1 가능한 구현 방식을 참조하여, 제2 가능한 구현 방식에서, 핀은 다수의 패키징 기능 모듈 상에 배치되고, 핀은 패키징 기능 모듈 및 재분배 구조체 사이에 배열되며, 재분배 금속층 또는 상호연결 금속층에 전기적으로 연결된다.
제1 측면, 제1 측면의 제1 가능한 구현 방식 또는 제1 측면의 제2 가능한 구현 방식을 참조하여, 제3 가능한 구현 방식에서, 범프 어레이는 재분배 구조체의 본체 상에 배치되며, 범프 어레이는 캐리어 및 재분배 금속층에 전기적으로 연결된다.
제1 측면 및 제1 측면의 제3 가능한 구현 방식을 참조하여, 제4 가능한 구현 방식에서, 언더필은 재분배 구조체 및 캐리어 사이에서 범프 어레이의 갭 및 범프 어레이 주위로 채워진다.
제1 측면 및 제1 측면의 제1 가능한 구현 방식 내지 제1 측면의 제4 가능한 구현 방식의 임의의 구현 방식을 참조하여, 제5 가능한 구현 방식에서, 패드 또는 커넥터는 캐리어의 바닥부에 배치된다.
제1 측면 및 제1 측면의 제1 가능한 구현 방식 내지 제1 측면의 제5 가능한 구현 방식의 임의의 구현 방식을 참조하여, 제6 가능한 구현 방식에서, 다수의 패키징 기능 모듈의 측면이자 캐리어로부터 벗어난 측면은 콜로이드에 의해 감싸지지 않는다.
제1 측면 및 제1 측면의 제6 가능한 구현 방식을 참조하여, 제7 가능한 구현 방식에서, 다수의 패키징 기능 모듈의 측면이자 캐리어로부터 벗어난 측면의 표면은 열 접착제로 코팅되며; 칩은 또한 히트 싱크를 포함하고, 여기서 히트 싱크는 다수의 패키징 기능 모듈의 측면이자 캐리어로부터 벗어난 측면의 표면에 부착된다.
제1 측면 및 제1 측면의 제7 가능한 구현 방식을 참조하여, 제8 가능한 구현 방식에서, 히트 싱크는 다수의 패키징 기능 모듈의 상부에 부착되는 제1 부분 및 다수의 패키징 기능 모듈을 둘러싼 제2 부분을 포함하며 접착제에 의해 캐리어의 표면에 고정된다.
제1 측면 및 제1 측면의 제1 가능한 구현 방식 내지 제1 측면의 제5 가능한 구현 방식 중 임의의 구현 방식을 참조하여, 제9 가능한 구현 방식에서, 칩은 또한 링 히트 싱크를 포함하며, 링 히트 싱크는 패키징 기능 모듈 주위에 배치되며, 접착제에 의해 캐리어에 고정된다.
제1 측면 및 제1 측면의 제1 가능한 구현 방식 내지 제1 측면의 제9 가능한 구현 방식 중 임의의 구현 방식을 참조하여, 제10 가능한 구현 방식에서, 상호연결 금속층은 제1 상호연결 금속층 및 제2 상호연결 금속층을 포함하고, 여기서 제1 상호연결 금속층의 부분 및 제2 상호연결 금속층의 부분은 상호 평행하며; 기준 금속층은 제1 상호연결 금속층 및 제2 상호연결 금속층의 평행 부분 사이에 배치되며; 기준 금속층은 재분배 구조체에서 다른 금속층으로부터 절연된다.
제1 측면 및 제1 측면의 제1 가능한 구현 방식 내지 제1 측면의 제10 가능한 구현 방식 중 임의의 구현 방식을 참조하여, 제11 가능한 구현 방식에서, 패키징 기능 모듈은 다이, 스택 다이 및 패키징된 칩 중 하나일 수 있다.
본 발명의 실시예에서 제공된 칩에서, 2개의 패키징 기능 모듈은 캐리어 상에 나란히 배치되고, 2개의 패키징 기능 모듈 사이의 신호 경로는 재분배 구조체를 사용하여 설정된다. 따라서, 중첩에 의한 손실 문제는 없으며; 또한, 패키징 기능 모듈 사이의 신호 경로의 길이가 과도하게 길어지지 않도록 효과적으로 보장될 수 있다.
본 발명의 실시예에서 기술적 해결책을 보다 명확하게 설명하기 위해, 이하에서는 실시예의 설명을 위해 요구되는 첨부 도면을 간단하게 설명한다. 명확한 것은, 다음의 설명에서의 첨부 도면은 본 발명의 일부 실시예를 나타내며, 통상의 기술자는 창의적인 노력 없이 이들 첨부 도면으로부터 여전히 다른 도면을 도출할 수 있다는 것이다.
도 1은 종래 기술의 칩의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 칩의 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 상호연결 금속층을 사용하여 칩 내의 다이의 핀들의 상호연결 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 칩의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 칩의 단면도이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 실시예에 따른 다양한 유형의 히트 싱크가 구비된 칩의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 링 히트 싱크가 구비된 칩의 단면도이다.
본 발명의 실시예의 목적, 기술적 해결책 및 이점을 보다 명확하게 하기 위해, 이하에서는 본 발명의 실시예에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에서의 기술적 해결책을 명확하게 설명한다. 명확한 것은, 설명된 실시예는 본 발명의 일부 실시예에 불과하며 전부는 아니라는 것이다. 창의적인 노력 없이 본 발명의 실시예에 기초하여 통상의 기술자에 의해 획득된 모든 다른 실시예는 본 발명의 보호 범위 내에 있다.
본 발명은 새로운 형태의 칩을 제공한다. 본 발명에서, 다수의 다이는 칩의 캐리어의 표면 상에 나란히 패키징되고, 다이 사이의 데이터 경로는 재분배 구조체에 직접 설정된다. 이러한 방식으로, 한편으로는, 다이 사이의 데이터 경로의 길이가 효과적으로 단축될 수 있고, 다른 한편으로는, 적층된 칩 사이에 상호 영향이 없기 때문에, 보다 양호한 손실 효과가 획득될 수 있다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 칩(200)의 개략도이다. 칩(200)은 캐리어(220), 재분배 구조체(240) 및 다수의 다이(260)를 포함한다. 본 발명의 실시예에서, 다수의 다이는 2개 이상의 다이를 의미한다. 예를 들어, 도 1에 나타난 칩은 2개의 다이를 포함한다. 다수의 다이(260)는 재분배 구조체(240)의 상부에 나란히 고정되고, 재분배 구조체(240)는 캐리어(220)의 상부에 고정된다.
본 발명의 실시예에서, 하나의 칩에 패키징된 다수의 다이는 동종(homogeneous) 칩일 수 있거나 또는 이종(heterogeneous) 칩일 수 있다. 예를 들어, 아날로그 다이 및 디지털 다이가 함께 패키징되거나, 또는 상이한 웨이퍼 프로세스 노드를 사용하여 생산된 다이가 함께 패키징되거나, 또는 상이한 기능을 갖는 다이가 함께 패키징될 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 적어도 2개의 다이(260)는 콜로이드(262)에 의해 감싸지며, 재분배 구조체(240)의 상부에 나란히 고정된다. 도 2에서 나타난 재분배 구조체(240)는 사각형 구조이며, 재분배 구조체(240)의 상부는 평평하다. 그러나, 실제 응용에서, 재분배 구조체(240)는 불규칙한 형상을 가질 수 있으며, 이로써 다이(260)를 고정하는 데 사용되는 상부에 높이 차이가 존재할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에서, 적어도 2개의 다이(260)가 재분배 구조체(240)의 상부에 나란히 고정된다는 것이 다이(260)가 평행 방식으로 배치될 필요가 있다는 것을 의미하는 것이 아니라, 칩 내의 적어도 2개의 다이는 서로 중첩 관계를 가지지 않지만 재분배 구조체(240)의 표면에 “똑같이” 고정된다는 것을 의미한다.
재분배 구조체(240)의 본체는 절연 재료로 만들어지며, 하나 이상의 재분배 금속층(242)이 재분배 구조체(240) 또는 재분배 구조체(240)의 표면 상에 삽입된다. 재분배 금속층(242)은 하나 이상의 트리 구조로서 층별로 배열되고, 인접한 층은 구리 도금된 비아(250)를 사용하여 전기적으로 연결된다. 재분배 구조체(240)의 상부에 위치한 재분배 금속층은 다이(260)의 신호 핀에 부착된다. 범프 어레이(245)가 재분배 구조체(240)의 바닥부에 배치됨으로써, 재분배 구조체(240)를 주석 납땜 방식으로 캐리어(220)에 고정시키고, 다이(260) 및 캐리어(220) 사이에 신호 경로를 형성한다. 재분배 구조체(240)에서, 다수의 재분배 금속층(242)은 다수의 트리 구조를 형성하고, 각각의 트리 구조는 다수의 재분배 금속층(242) 및 다수의 재분배 금속층 사이의 구리 도금된 비아에 의해 형성된다. 이러한 트리 구조는 재분배 구조체(240) 내부에서 서로 연결되지 않으며, 재분배 구조체(240)의 바닥부에 있는 다이 및 범프에 대응하는 신호 핀에 각각 연결되어, 재분배 구조체 내부에 상이한 신호 경로를 형성한다.
또한, 언더필(262)이 재분배 구조체(240) 및 캐리어 사이에 채워질 수 있고, 이는 솔더 볼의 응력을 완화시키며, 패키징 신뢰성을 향상시킨다.
본 발명의 실시예에서, 재분배 구조체(240)는 또한 하나 이상의 상호연결 금속층(244)을 포함한다. 상호연결 금속층(244) 및 재분배 금속층(242)은 재분배 구조체(240)과는 상호 독립적이다. 즉, 상호연결 금속층 및 재분배 금속층은 재분배 구조체(240)에서 서로 연결되지 않는다. 상호연결 금속층도 재분배 구조체(240)의 바닥부에서 범프에 연결되지 않는다. 상호연결 금속층(244) 중 임의의 하나는 2개의 상이한 다이(260)의 핀들에 직접적으로 또는 간접적으로 전기적으로 연결되며 이로써, 2개의 다이 사이에 신호 경로를 형성한다.
본 발명에서 제공된 칩에 따르면, 다이(260)는 재분배 구조체(240) 상에 나란히 배치되어, 다이의 중첩에 의해 발생되는 손실 문제를 피할 수 있다. 또한, 상호연결 금속층(244)의 설계에 따라, 데이터 통신은 재분배 구조체(240)를 사용하여 다이 사이에서 직접 수행될 수 있다. 이 공정은 간단하고, 설계 복잡성이 낮아서, 공정 비용을 효과적으로 감소시킨다.
또한, 임의의 실시예에서, 도 2 및 도 4에서 나타난 바와 같이, 상호연결 금속층(244)은 2개의 다이의 상이한 핀들을 연결하는 데 사용되는 제1 상호연결 금속층(2442) 및 제2 상호연결 금속층(2444)을 포함한다. 제1 상호연결 금속층(2442)의 일부분 및 제2 상호연결 금속층(2444)의 일부분은 서로 접근하고 재분배 구조체(240)에서 상호 평행하다. 이러한 방식으로, 신호 누화(signal crosstalk)가 제1 상호연결 금속층(2442) 및 제2 상호연결 금속층(2442) 사이에 발생할 수 있고, 이는 신호 전송 품질에 영향을 미친다. 이 문제를 해결하기 위해, 2개의 상호연결 금속층에 평행한 기준 금속층(2446)이 재분배 구조체(240) 내부 및 제1 상호연결 금속층(2442)과 제2 상호연결 금속층(2444) 사이에 배치될 수 있으며, 여기서 기준 금속층(2446)은 재분배 구조체의 매체층에 둘러싸이며, 기준 금속층은 재분배 구조체에서 다른 금속층으로부터 절연된다.
본 발명의 이 실시예에서 제공된 칩 내의 다이 및 재배선 층은 이하의 프로세스를 사용하여 제조될 수 있다:
단계 1. 웨이퍼 절단 방식으로 기존의 웨이퍼에서 적어도 2개의 다이를 절단한다.
단계 2. 절단된 다이를 미리 설정된 크기의 캐리어로 재구성한다.
다이 사이의 간격은 다이 사이의 고밀도 배선 성능에 영향을 미친다는 것을 알아야 한다. 단축이 허용되는 경우, 다이 사이의 간격은 가능한 한 짧게, 예를 들어, 50um 미만으로 단축될 수 있다.
단계 3. 다이를 감싸기 위해 몰딩 방식으로 콜로이드를 형성한다.
다이가 콜로이드에 의해 감싸진 이후에, 다이의 측면 중 재분배 구조체에 대응하는 측면은 특정 프로세스 처리 방법을 사용하여 드러날 필요가 있다; 예를 들어, 연삭법(grinding method)을 사용하거나, 몰딩 프로세스에서 다이의 대응 위치가 임시 캐리어에 의해 커버되며, 포장이 완료된 이후에 캐리어가 직접 제거된다.
단계 4. 재분배 프로세스를 사용하여, 다이의 측면이자 재분배 구조체에 대응하는 측면 상에 재분배 구조체를 만든다.
재분배 구조체의 본체의 매체는 절연되고, 폴리이미드(PI: Polyimide), 폴리-피-페닐렌벤조비스티아졸(PBO: Poly-p-phenylenebenzobisthiazole), 또는 에폭시 기반 폴리머(Epoxy Based Polymer)와 같은 노광에 의해 포토이미징(photo imageable)이 가능한 유기 매체에 의해 형성될 수 있다. 그러나, 재분배 금속층 및 상호연결 금속층은 사용된 재료가 구리일 수 있는 스플러터링(spluttering) 및 도금과 같은 공정을 사용하여 본체의 매체를 기초로 하여 제조될 수 있다. 금속층의 최소 라인 폭 및 라인 거리는 각각, 라인 폭이 2um 내지 1um 이하, 라인 거리는 2um 내지 1um 이하일 수 있다. 구리 도금된 비아는 본체의 매체에서 제조될 수 있고, 이로써 상이한 재분배 금속층 사이에 배선이 구현되며, 여기서 구리 도금 비아 및 비아 랜드의 지름은 각각 5um 및 10um 이하가 될 수 있다.
다이, 콜로이드 및 재분배 구조체가 생성된 이후에, 재분배 구조체는 고온 공기 리플로우(Mass Reflow), 열 압착(Thermo Compression Bonding) 등의 방식으로 베이스 보드에 부착될 수 있다. 필요에 따라 재분배 구조체 및 베이스 보드 사이에 바닥부 언더필이 적용되어, 재분배 구조체의 범프 상의 응력을 완화시킬 수 있고 이로써, 패키징 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 베이스 보드는 다층 베이스 보드일 수 있고, 층간 신호 상호 통신은 예를 들어, 레이저 드릴링 레이저 드릴 또는 기계 드릴링 기계 드릴 및 구리 도금의 방식으로 구현된다. 패드는 베이스 보드 바닥부에 배치되어, 이로써 솔더 볼을 사용하여 PCB를 접합할 수 있다. 다른 실시예에서, 베이스 보드의 바닥부는 플러그 형 커넥터(소켓)를 사용하여 PCB에 접합될 수 있다.
다층 기판을 사용하면 패키징에 사용되는 배선 자원이 크게 증가할 수 있다. 또한, 패키징의 전력 무결성을 향상시킬 수 있는 상대적으로 큰 크기 사양의 베이스 보드를 사용하면 더 많은 수량의 핀을 구현할 수 있으며, 보드 수준의 패키징 신뢰성을 더 크게 향상시킬 수 있다. 이에 기초하여, 재분배 구조체 내의 다수의 재분배 금속층은 본 발명에서 사용되어, 베이스 보드의 층의 수량을 감소시키는 요건이 충족될 수 있고, 그에 따라 패키징 비용이 감소된다.
실제 응용에서, 재분배 구조체에 가까운 측면을 제외하고 다이는 콜로이드에 의해 감싸질 수 있다. 그러나, 손실 효율을 더 향상시키기 위해, 연삭과 같은 노출 처리가 다이의 측면 중 재분배 구조체로부터 먼 측면 상에 수행될 수 있고, 이로써 다이의 측면 중 재분배 구조체로부터 떨어진 측면을 노출시켜, 특히 도 4에서 나타난 바와 같이, 손실 효율을 증가시킬 수 있다. 다르게는, 캐리어는 다이가 감싸질 때, 다이의 이 측면을 콜로이드에 의해 커버되는 것을 막는 데 확실하게 사용될 수 있다.
손실 효율을 더 향상시키기 위해, 도 5에서 나타난 바와 같이, 다이의 측면 중 재분배 구조체로부터 먼 측면의 표면은 열 접착제로 코팅될 수 있으며, 히트 싱크(30)가 부착된다. 도 5에서 도시된 히트 싱크는 캡 구조에 있고, 히트 싱크는 전체적으로 굽혀지고 단부 세그먼트는 캐리어(220)에 부착된다. 이러한 형태의 히트 싱크에 따르면, 한편으로는, 다이의 히트 손실이 촉진될 수 있으며, 다른 한편으로는, 모든 다이가 함께 감싸져서, 추가의 위치 한계로서 사용되어, 패키징 구조의 안정성을 효과적으로 향상시킨다. 확실한 것은, 히트 싱크의 형상은 다른 다양한 형태일 수 있다는 것이다. 예를 들어, 도 6a에서 도시된 히트 싱크는 단조 유니 바디(unibody) 히트 싱크이고, 도 6b에서 도시된 히트 싱크는 후 처리 수단을 사용하여 적어도 2개 부분의 발산 금속 시트에 의해 결합되는 2-조각 히트 싱크이다. 도 6c에서, 다이에 부착된 부분은 보스를 사용하여 도 6a 또는 도 6b의 히트 싱크에 기초하여 막혀있다.
다르게는, 도 6d에서 나타난 바와 같이, 링 히트 싱크(Ring Lid)가 추가로 사용될 수 있다. 이 경우에, 다이의 층 중 재분배 구조체로부터 먼 층은 여전히 콜로이드에 의해 감싸질 필요가 없고, 링 히트 싱크는 다이 주위에 배열되며 접착제에 의해 캐리어에 고정된다. 메인보드에서 사용될 때, 외부 히트 발산기가 다이의 노출면 및 링 히트 싱크의 상단면에 부착될 수 있고, 이로써 더 나은 발산 효과를 획득할 수 있다.
전술한 실시예에서, 2개 이상의 다이의 패키징이 설명의 일례로 항상 사용된다. 그러나, 실제로는 본 발명의 칩은 다이의 패키징에만 한정되는 것은 아니며, 칩 기술은 다양한 패키징될 패키징 기능 모듈에서 사용될 수 있고, 여기서 패키지될 패키징 기능 모듈은 상기 실시예에서 다이가 되거나 또는 스택 다이(Stack Dies)를 포함하는 기능 모듈 그룹이거나, 또는 한 번 패키징된 “칩”일 수 있다. 도 7은 본 발명의 실시예에서 패키징 구조에 기초한 다른 유형의 칩의 개략도이다. 칩(500)은 재분배 구조체(400) 상에 수용된 다이(560) 및 스택 다이(580)를 포함한다. 선택적 구현 방식에서, 본 발명의 실시예에서 칩 내에 패키징된 기능 모듈은 다이 및 스택 다이, 한 번 패키징된 다이 및 칩, 또는 한 번 패키징된 스택 다이 및 칩과 같은 다양한 유형의 기능 모듈의 임의의 조합일 수 있다. 또한, 칩에 패키징된 기능 모듈의 수량도 필요에 따라 조정될 수 있으며, 단지 2개의 기능 모듈(다이)만이 전술한 실시예에서 나란히 패키지된다는 것에 한정되지 않는다.
전술한 실시예는 단지 본 발명의 기술적 해결책을 설명하기 위한 것이지, 본 발명을 한정하려는 것은 아니다. 본 출원이 전술한 실시예를 참조하여 상세하게 설명되었지만, 통상의 기술자는 전술한 실시예에서 도시된 기술적 해결책을 여전히 수정하거나 본 출원의 실시예의 기술적 해결책의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서, 그 일부 기술적 특징에 대한 대등한 대체를 할 수 있음을 이해해야 한다.

Claims (12)

  1. 캐리어(carrier), 재분배 구조체(redistribution structure) 및 다수의 패키징 기능 모듈을 포함하고,
    상기 다수의 패키징 기능 모듈은 각각 적어도 콜로이드(colloid)에 의해 싸여진 부분을 가지고, 또 상기 다수의 패키징 기능 모듈은 상기 재분배 구조체에 나란히 고정되며,
    상기 재분배 구조체는 상기 캐리어에 고정되고, 상기 재분배 구조체는 하나 이상의 재분배 금속층을 포함하며,
    상기 재분배 금속층은 상기 다수의 패키징 기능 모듈 및 상기 캐리어를 통신 가능하게 연결하며,
    상기 재분배 구조체는 또한 하나 이상의 상호연결 금속층을 포함하고, 상기 상호연결 금속층은 적어도 2개의 패키징 기능 모듈 사이에 신호 경로를 제공하기 위해 적어도 2개의 패키징 기능 모듈을 통신 가능하게 연결하며,
    상기 상호연결 금속층은 제1 상호연결 금속층 및 제2 상호연결 금속층을 포함하고,
    상기 제1 상호연결 금속층의 일부분 및 상기 제2 상호연결 금속층의 일부분은 상호 평행하며,
    상기 제1 상호연결 금속층 및 상기 제2 상호연결 금속층의 평행한 부분 사이에 기준 금속층이 배치되며,
    상기 기준 금속층은 상기 재분배 구조체 내의 다른 금속층으로부터 절연되어 있는,
    새로운 구조를 가지는 칩.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 재분배 구조체의 본체는 절연 재료로 만들고, 상호연결 금속층 및 상기 재분배 금속층은 본체에서 상호 독립적인,
    새로운 구조를 가지는 칩.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 패키징 기능 모듈 상에 핀들이 배치되고,
    상기 핀들은, 상기 패키징 기능 모듈 및 상기 재분배 구조체 사이에 배치되며, 또한 상기 재분배 금속층 또는 상기 상호연결 금속층에 전기적으로 연결되는,
    새로운 구조를 가지는 칩.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 재분배 구조체의 본체 상에 범프 어레이가 배치되며,
    상기 범프 어레이는, 상기 캐리어 및 상기 재분배 금속층에 전기적으로 연결되는,
    새로운 구조를 가지는 칩.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 재분배 구조체 및 상기 캐리어 사이에, 상기 범프 어레이의 갭 내로 그리고 상기 범프 어레이 주위에 언더필(underfill)이 채워져 있는,
    새로운 구조를 가지는 칩.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 캐리어의 바닥부에 패드 또는 커넥터가 배치되는,
    새로운 구조를 가지는 칩.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 패키징 기능 모듈의 측면 중 상기 캐리어로부터 떨어져 있는 측면은 상기 콜로이드에 의해 싸여 있지 않은,
    새로운 구조를 가지는 칩.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 다수의 패키징 기능 모듈의 측면 중 상기 캐리어로부터 떨어져 있는 측면의 표면은 열 접착제로 코팅되며,
    상기 새로운 구조를 가지는 칩은 히트 싱크(heat sink)를 더 포함하며,
    상기 히트 싱크는 상기 다수의 패키징 기능 모듈의 측면 중 상기 캐리어로부터 떨어져 있는 측면의 표면에 부착되어 있는,
    새로운 구조를 가지는 칩.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 히트 싱크는, 상기 다수의 패키징 기능 모듈의 상부에 부착된 제1 부분, 및 상기 다수의 패키징 기능을 둘러싸고, 접착제에 의해 상기 캐리어의 표면에 고정되는 제2 부분을 포함하여 구성되는,
    새로운 구조를 가지는 칩.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 새로운 구조를 가지는 칩은 링 히트 싱크(ring heat sink)를 더 포함하고,
    상기 링 히트 싱크는 상기 패키징 기능 모듈 주위에 배치되며, 접착제에 의해 상기 캐리어에 고정되는,
    새로운 구조를 가지는 칩.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 패키징 기능 모듈은 다이(die), 스택 다이(stack dies) 및 패키징된 칩 중 임의의 하나인,
    새로운 구조를 가지는 칩.
  12. 삭제
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