KR101974294B1 - 인광성 물질 - Google Patents
인광성 물질 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101974294B1 KR101974294B1 KR1020177019540A KR20177019540A KR101974294B1 KR 101974294 B1 KR101974294 B1 KR 101974294B1 KR 1020177019540 A KR1020177019540 A KR 1020177019540A KR 20177019540 A KR20177019540 A KR 20177019540A KR 101974294 B1 KR101974294 B1 KR 101974294B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- delete delete
- compound
- mmol
- product
- reaction mixture
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 65
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 30
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 abstract description 28
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 abstract description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 24
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract description 22
- 125000004404 heteroalkyl group Chemical group 0.000 abstract description 12
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 abstract description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 abstract description 6
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 abstract description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 abstract description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 108
- 239000000047 product Substances 0.000 description 66
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 63
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 55
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 52
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical class CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 19
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 16
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 15
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 11
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 10
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 10
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 6
- -1 compounds 3 and 5-7 Chemical class 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 6
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- GJMUCDMIIVSROW-UHFFFAOYSA-N 2,8-dimethylnonane-4,6-dione Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(=O)CC(C)C GJMUCDMIIVSROW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical group [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 5
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 5
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 5
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 5
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 5
- OFUFXTHGZWIDDB-UHFFFAOYSA-N 2-chloroquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(Cl)=CC=C21 OFUFXTHGZWIDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FSEXLNMNADBYJU-UHFFFAOYSA-N 2-phenylquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=N1 FSEXLNMNADBYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 4
- 125000003963 dichloro group Chemical group Cl* 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 4
- DJGHSJBYKIQHIK-UHFFFAOYSA-N (3,5-dimethylphenyl)boronic acid Chemical compound CC1=CC(C)=CC(B(O)O)=C1 DJGHSJBYKIQHIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAZPDOYUCVFPOI-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropylboronic acid Chemical compound CC(C)CB(O)O ZAZPDOYUCVFPOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100030361 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) pph-3 gene Proteins 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000012230 colorless oil Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N (2S,3R)-N-[(2S)-3-(cyclopenten-1-yl)-1-[(2R)-2-methyloxiran-2-yl]-1-oxopropan-2-yl]-3-hydroxy-3-(4-methoxyphenyl)-2-[[(2S)-2-[(2-morpholin-4-ylacetyl)amino]propanoyl]amino]propanamide Chemical compound C1(=CCCC1)C[C@@H](C(=O)[C@@]1(OC1)C)NC([C@H]([C@@H](C1=CC=C(C=C1)OC)O)NC([C@H](C)NC(CN1CCOCC1)=O)=O)=O GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N 0.000 description 2
- QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N (3S)-3-[[(2S)-2-[[(2S)-2-[5-[(3aS,6aR)-2-oxo-1,3,3a,4,6,6a-hexahydrothieno[3,4-d]imidazol-4-yl]pentanoylamino]-3-methylbutanoyl]amino]-3-(4-hydroxyphenyl)propanoyl]amino]-4-[1-bis(4-chlorophenoxy)phosphorylbutylamino]-4-oxobutanoic acid Chemical compound CCCC(NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)[C@H](Cc1ccc(O)cc1)NC(=O)[C@@H](NC(=O)CCCCC1SC[C@@H]2NC(=O)N[C@H]12)C(C)C)P(=O)(Oc1ccc(Cl)cc1)Oc1ccc(Cl)cc1 QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N 0.000 description 2
- AVOCSIPOACMVOT-UHFFFAOYSA-N 2,5,8-trimethylnonane-4,6-dione Chemical compound CC(C)CC(=O)C(C)C(=O)CC(C)C AVOCSIPOACMVOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZJIOBDJEKDUUCI-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylbenzoyl chloride Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C(Cl)=O)=C1 ZJIOBDJEKDUUCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GSOHKPVFCOWKPU-UHFFFAOYSA-N 3-methylpentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)C(C)C(C)=O GSOHKPVFCOWKPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N Benzamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CC=C1 KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 0 Cc1cc(C)cc(*)c1 Chemical compound Cc1cc(C)cc(*)c1 0.000 description 2
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N Methyl 3-methylbutanoate Chemical compound COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229940125797 compound 12 Drugs 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012458 free base Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002504 iridium compounds Chemical class 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical group [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- DANYXEHCMQHDNX-UHFFFAOYSA-K trichloroiridium Chemical compound Cl[Ir](Cl)Cl DANYXEHCMQHDNX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMNIZOOYFMNEJJ-UHFFFAOYSA-K tripotassium;phosphate;hydrate Chemical compound O.[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O RMNIZOOYFMNEJJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ZYYANAWVBDFAHY-UHFFFAOYSA-N (2,3-dimethylphenyl)boronic acid Chemical compound CC1=CC=CC(B(O)O)=C1C ZYYANAWVBDFAHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVNPEUJXKZFWSJ-LMTQTHQJSA-N (R)-N-[(4S)-8-[6-amino-5-[(3,3-difluoro-2-oxo-1H-pyrrolo[2,3-b]pyridin-4-yl)sulfanyl]pyrazin-2-yl]-2-oxa-8-azaspiro[4.5]decan-4-yl]-2-methylpropane-2-sulfinamide Chemical compound CC(C)(C)[S@@](=O)N[C@@H]1COCC11CCN(CC1)c1cnc(Sc2ccnc3NC(=O)C(F)(F)c23)c(N)n1 UVNPEUJXKZFWSJ-LMTQTHQJSA-N 0.000 description 1
- VGJKBWPZBVBXGI-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichloro-3-iodobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(I)=C1Cl VGJKBWPZBVBXGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGMBBKVZFUHCJC-UHFFFAOYSA-N 1-(3,5-dichlorophenyl)ethanone Chemical compound CC(=O)C1=CC(Cl)=CC(Cl)=C1 JGMBBKVZFUHCJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTJWFMYNCKQJCL-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-7-propan-2-yl-3,4-dihydroisoquinoline Chemical compound C12=CC(C(C)C)=CC=C2CCN=C1C1=CC=CC=C1 KTJWFMYNCKQJCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylisoquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBTYRHFUNZHEEC-UHFFFAOYSA-N 2-(3,5-dichlorophenyl)quinazoline Chemical compound ClC=1C=C(C=C(C1)Cl)C1=NC2=CC=CC=C2C=N1 GBTYRHFUNZHEEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAQLDEHFRPTIHW-UHFFFAOYSA-N 2-(4-chlorophenyl)ethanamine;hydrochloride Chemical compound Cl.NCCC1=CC=C(Cl)C=C1 RAQLDEHFRPTIHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWRYIWFBCRAGSR-UHFFFAOYSA-N 2-(4-propan-2-ylphenyl)ethanamine;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)C1=CC=C(CCN)C=C1 NWRYIWFBCRAGSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYYLQSCZISREGY-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-chlorobenzoic acid Chemical compound NC1=CC(Cl)=CC=C1C(O)=O JYYLQSCZISREGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDBQJSCPCGTAFG-QHCPKHFHSA-N 4,4-difluoro-N-[(1S)-3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-pyridin-3-ylpropyl]cyclohexane-1-carboxamide Chemical compound FC1(CCC(CC1)C(=O)N[C@@H](CCN1CCC(CC1)N1C(=NN=C1C)C(C)C)C=1C=NC=CC=1)F WDBQJSCPCGTAFG-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- BWGRDBSNKQABCB-UHFFFAOYSA-N 4,4-difluoro-N-[3-[3-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)-8-azabicyclo[3.2.1]octan-8-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]cyclohexane-1-carboxamide Chemical compound CC(C)C1=NN=C(C)N1C1CC2CCC(C1)N2CCC(NC(=O)C1CCC(F)(F)CC1)C1=CC=CS1 BWGRDBSNKQABCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLVRGHLEWXQWSK-UHFFFAOYSA-N CC(C)c1cc2c(-c3cc(C)cc(C)c3)nccc2cc1 Chemical compound CC(C)c1cc2c(-c3cc(C)cc(C)c3)nccc2cc1 VLVRGHLEWXQWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIFBNDXLIJTALT-UHFFFAOYSA-N CC(C)c1cc2c(C(C)=C)nccc2cc1 Chemical compound CC(C)c1cc2c(C(C)=C)nccc2cc1 LIFBNDXLIJTALT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGUREAVCNDCWSJ-UHFFFAOYSA-N Cc1cc(C)cc(C(NCCc(cc2)ccc2Cl)=O)c1 Chemical compound Cc1cc(C)cc(C(NCCc(cc2)ccc2Cl)=O)c1 BGUREAVCNDCWSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N N,N-Diisopropylethylamine (DIPEA) Chemical compound CCN(C(C)C)C(C)C JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUGPIZCTELGDOS-QHCPKHFHSA-N N-[(1S)-3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-pyridin-3-ylpropyl]cyclopentanecarboxamide Chemical compound C(C)(C)C1=NN=C(N1C1CCN(CC1)CC[C@@H](C=1C=NC=CC=1)NC(=O)C1CCCC1)C NUGPIZCTELGDOS-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N N-[3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]acetamide Chemical compound C(C)(C)C1=NN=C(N1C1CCN(CC1)CCC(C=1SC=CC=1)NC(C)=O)C LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKJPEAGHQZHRQV-UHFFFAOYSA-N Triiodomethane Natural products IC(I)I OKJPEAGHQZHRQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 1
- 229940125773 compound 10 Drugs 0.000 description 1
- 239000013058 crude material Substances 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- MGUXAOVICDJEPC-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl-[2-(2,6-dimethoxyphenyl)phenyl]phosphane Chemical group COC1=CC=CC(OC)=C1C1=CC=CC=C1PC1CCCCC1 MGUXAOVICDJEPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- QYHNIMDZIYANJH-UHFFFAOYSA-N diindium Chemical compound [In]#[In] QYHNIMDZIYANJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 description 1
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N iodomethane Chemical compound IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000155 isotopic effect Effects 0.000 description 1
- ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N jdtic Chemical compound C1([C@]2(C)CCN(C[C@@H]2C)C[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@@H]2NCC3=CC(O)=CC=C3C2)=CC=CC(O)=C1 ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N 0.000 description 1
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007523 nucleic acids Chemical class 0.000 description 1
- 102000039446 nucleic acids Human genes 0.000 description 1
- 108020004707 nucleic acids Proteins 0.000 description 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 1
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- VNFWTIYUKDMAOP-UHFFFAOYSA-N sphos Chemical group COC1=CC=CC(OC)=C1C1=CC=CC=C1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 VNFWTIYUKDMAOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 150000003738 xylenes Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
- C07F15/0033—Iridium compounds
-
- H01L51/0085—
-
- H01L51/5016—
-
- H01L51/5056—
-
- H01L51/5072—
-
- H01L51/5088—
-
- H01L51/5206—
-
- H01L51/5221—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/18—Metal complexes
- C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/10—Triplet emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Other In-Based Heterocyclic Compounds (AREA)
Abstract
본 발명은 고 효율 및 안정성, 좁은 스펙트럼, 및 개선된 처리성을 갖는 인광성 물질 및 디바이스를 제공한다. 그 인광성 물질은 하기 화학식(I)의 화합물을 갖는다:
상기 식 중,
M은 40보다 큰 원자량의 금속이고;
A 및 B는 각각 독립적으로 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이며, A-B는 고리 A 상의 질소 원자 및 고리 B 상의 sp2 혼성화 탄소 원자를 통해 금속에 배위결합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리의 결합 쌍을 나타내고;
Ra, Rb, Rx, Ry, Rz는 각각 비치환, 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고, 여기서 Ra 및 Rb는 각각 하나 이상의 치환기를 나타내며, 결합하여 융합된 고리를 형성할 수 있고, Rx 및 Ry 중 하나 이상은 카르보닐 기에 대하여 α 위치보다 더 먼 위치에서 분지화하는 분지형 알킬 부분을 함유하고;
m은 금속의 산화 상태이며;
n은 m보다 작은 정수이고 1 이상이다.
상기 식 중,
M은 40보다 큰 원자량의 금속이고;
A 및 B는 각각 독립적으로 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이며, A-B는 고리 A 상의 질소 원자 및 고리 B 상의 sp2 혼성화 탄소 원자를 통해 금속에 배위결합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리의 결합 쌍을 나타내고;
Ra, Rb, Rx, Ry, Rz는 각각 비치환, 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고, 여기서 Ra 및 Rb는 각각 하나 이상의 치환기를 나타내며, 결합하여 융합된 고리를 형성할 수 있고, Rx 및 Ry 중 하나 이상은 카르보닐 기에 대하여 α 위치보다 더 먼 위치에서 분지화하는 분지형 알킬 부분을 함유하고;
m은 금속의 산화 상태이며;
n은 m보다 작은 정수이고 1 이상이다.
Description
본 출원은 전체 내용이 본원에 명백하게 참고 인용되어 있는 2008년 9월 16일자로 출원된 미국 가출원 번호 61/097,488을 우선권 주장하여 특허 청구한 것이다.
그 특허 청구된 발명은 산학 공동 연구 계약에 대한 다음의 당사자: 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간, 프린스턴 유니버시티, 더 유니버시티 오브 써던 캘리포니아 및 더 유니버셜 디스플레이 코포레이션 중 하나 이상에 의해, 그 하나 이상을 위해 그리고/또는 그 하나 이상과 협력으로 이루어진 것이다. 그 계약은 특허 청구된 발명이 이루어진 당일 및 그 이전부터 유효하고, 그 특허 청구된 발명은 상기 계약의 영역 내에서 수행된 활동의 결과로서 이루어진 것이다.
본 발명은 유기 발광 디바이스(OLED)에 관한 것이고, 구체적으로 그러한 디바이스에 사용된 인광성 유기 물질에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 OLED 내로 혼입된 좁은 스펙트럼을 갖는 이리듐 화합물에 관한 것이다.
유기 물질을 이용하는 광전자 디바이스는 다수의 이유로 점점 바람직하게 되고 있다. 그러한 디바이스를 제조하는데 사용된 물질 중 다수가 비교적 저렴하므로, 유기 광전자 디바이스는 무기 디바이스에 비하여 비용상 이점에 대한 가능성을 갖게 된다. 또한, 유기 물질의 고유 특성, 예컨대 가요성은 유기 물질이 가요성 기판 상에서의 제조와 같은 특정 용도에 매우 양호하게 적합하도록 만든다. 유기 광전자 디바이스의 예로는 유기 발광 디바이스(OLED), 유기 광트랜지스터, 유기 광기전력 전지, 및 유기 광검출기가 포함된다. OLED의 경우, 그 유기 물질은 통상적인 물질에 비하여 성능상 이점을 가질 수 있다. 예를 들면, 유기 방출 층이 광을 방출하는 파장은 일반적으로 적당한 도펀트에 의해 용이하게 동조될 수 있다.
OLED는 전압이 디바이스에 걸쳐서 인가될 때 광을 방출하는 유기 박막을 이용한다. OLED는 플랫 패널 디스플레이, 조명, 및 백라이팅과 같은 용도에서 사용하기 위한 점차적으로 흥미로운 기술이 되어가고 있다. 몇몇 OLED 물질 및 구성이 미국 특허 번호 5,844,363, 6,303,238 및 5,707,745에 설명되어 있으며, 이들 특허는 그 전체 내용이 본원에 참고 인용되어 있다.
인광성 발광 분자에 대한 하나의 용도는 풀 칼라 디스플레이(full color display)이다. 그러한 디스플레이에 대한 공업 규격은 "포화" 칼라라고 칭하는 특정 칼라를 방출하도록 적합하게 된 화소(pixel)를 필요로 한다. 특히, 그러한 규격은 포화 적색, 녹색 및 청색 화소를 필요로 한다. 칼라는 CIE 좌표를 사용하여 측정할 수 있으며, 이는 해당 기술 분야에 잘 알려져 있다.
녹색 방출 분자의 한 예는 IR(ppy)3으로 표시된 트리스(2-페닐피리딘) 이리듐이고, 이것은 하기 화학식 I의 구조를 갖는다.
본원에서 이 도면 및 이후 도면에서는, 질소에서 금속(여기서는 Ir임)로의 배위 결합(daptive bond)이 직선으로서 설명되어 있다.
본원에 사용된 바와 같이, 용어 "유기"는 유기 광전자 디바이스를 제조하는데 사용될 수 있는 중합체 물질 뿐만 아니라 소분자 유기 물질을 포함한다. "소분자"는 중합체가 아닌 임의의 유기 물질을 칭하고, "소분자"는 실제적으로 매우 클 수 있다. 소분자는 일부 환경에서 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들면, 치환기로서 장쇄 알킬기를 사용하더라도, "소분자" 부류로부터 분자가 벗어나는 것이 아니다. 소분자는 또한 중합체 내로, 예를 들면 중합체 골격 상의 펜던트 기로서 또는 그 골격의 부분으로서 혼입될 수도 있다. 소분자는 또한 덴드리머의 코어 부분으로서 작용할 수도 있으며, 그 덴드리머는 코어 부분 상에 형성된 일련의 화학 껍질로 구성되어 있다. 덴드리머의 코어 부분은 형광성 또는 인광성 소분자 에미터일 수 있다. 덴드리머는 "소분자"일 수 있고, OLED의 분야에 현재 사용되는 모든 덴드리머는 소분자인 것으로 알려져 있다.
본원에 사용된 바와 같이, "톱"은 기판으로부터 가장 멀리 있다는 것을 의미하고, 반면에 "바텀"은 기판에 가장 가까이 있다는 것을 의미한다. 제1 층이 제2 층 "위에 배치된" 것으로 설명되어 있는 경우, 제1 층은 기판으로부터 더욱 더 멀리 배치된다. 제1 층이 제2 층"과 접촉한 상태로" 있다는 것을 특정하지 않는 한, 제1 층과 제2 층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 캐소드는 애노드 "위에 배치된" 것으로서 설명될 수 있지만, 이들 사이에는 다양한 유기 층이 존재한다.
본원에 사용된 바와 같이, "용액 처리가능한"은, 용액 또는 현탁액 형태로, 액체 매질 중에 용해, 분산 또는 수송될 수 있거나, 또는 그 액체 매질로부터 침착될 수 있다는 것을 의미한다.
리간드는, 그 리간드가 방출성 물질의 광활성 특성에 직접 기여하는 것으로 간주될 때, "광활성"이라고 칭할 수 있다. 리간드는, 그 리간드가 방출성 물질의 광활성 특성에 기여하지 않는 것으로 간주될 때, "보조성"이라고 칭할 수 있으며, 하지만 보조성 리간드는 광활성 리간드의 특성을 변경할 수 있다.
본원에 사용된 바와 같이, 그리고 해당 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되고 있는 바와 같이, 제1 "최고 점유 분자 오비탈(Highest Occupied Molecular Orbital: HOMO)" 또는 "최저 비점유 분자 오비탈(Lowest Unoccupied Molecular Orbital: LUMO)" 에너지 준위는, 제1 에너지 준위가 진공 에너지 준위에 보다 가까이 있다면, 제2 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 이온화 전위(IP)가 진공 준위에 비하여 음성 에너지로서 측정되기 때문에, 보다 높은 HOMO 에너지 준위는 보다 작은 절대 값을 갖는 IP(보다 덜 음성인 IP)에 해당한다. 유사하게, 보다 높은 LUMO 에너지 준위는 보다 작은 절대 값을 갖는 전자 친화도(EA)(보다 덜 음성인 EA)에 해당한다. 톱에는 진공 준위가 있는 통상적인 에너지 준위 디아그램 상에서, 물질의 LUMO 에너지 준위는 동일 물질의 HOMO 에너지 준위보다 더 높다. "보다 높은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위는 "보다 낮은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 그러한 디아그램의 톱에 더 가까이 있는 것으로 나타난다.
본원에 사용된 바와 같이, 그리고 해당 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되고 있는 바와 같이, 제1 일 함수는, 이 제1 일 함수가 보다 높은 절대 값을 갖는다면, 제2 일 함수보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 일 함수가 일반적으로 진공 준위에 대하여 음수로서 측정되기 때문에, 이는 "보다 높은" 일 함수가 보다 더 음성이라는 것을 의미한다. 톱에는 진공 준위가 있는 통상적인 에너지 준위 디아그램 상에서, "보다 높은" 일 함수는 진공 준위로부터 아래 방향으로 보다 더 멀리 있는 것으로 예시된다. 따라서, HOMO 및 LUMO 에너지 준위의 정의는 일 함수와는 다른 관례를 따른다.
OLED 및 상기 설명된 정의에 대한 보다 많은 상세 내용은 미국 특허 번호 7,279,704에서 발견될 수 있으며, 이 특허는 그 전체 내용이 본원에 참고 인용되어 있다.
발명의 개요
본 발명은 하기 화학식을 갖는 화합물을 제공한다:
상기 식 중,
M은 40보다 큰 원자량의 금속이고;
A 및 B는 각각 독립적으로 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이며, A-B는 고리 A 상의 질소 원자 및 고리 B 상의 sp2 혼성화 탄소 원자를 통해 금속에 배위결합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리의 결합 쌍을 나타내고;
Ra, Rb, Rx, Ry, Rz는 각각 비치환(no substitution), 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고, 여기서 Ra 및 Rb는 각각 하나 이상의 치환기를 나타내며, Rx 및 Ry 중 하나 이상은 카르보닐 기에 대하여 α 위치보다 더 먼 위치에서 분지화하는 분지형 알킬 부분을 함유하고;
m은 금속의 산화 상태이며;
n은 1 이상이다.
또한, 구체적인 화합물, 예를 들면 화합물 1, 2, 4 및 8-12가 제공된다.
본 발명은 유기 발광 디바이스를 제공한다. 이 디바이스는 애노드, 캐소드 및 이 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기 층을 포함한다. 그 유기 층은 하나 이상의 본 발명의 화합물을 포함한다. 그 유기 층은 방출성 도펀트 및 호스트를 함유하는 방출 층일 수 있으며, 여기서 방출성 도펀트는 본 발명의 화합물이고, 호스트는 BAlq이다.
또한, 본 발명은 소비재(consumer product)를 제공한다. 이 소비재는 애노드, 캐소드 및 이 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기 층을 자체 포함하는 디바이스를 포함한다. 그 유기 층은 하나 이상의 본 발명의 화합물을 포함한다.
본 발명은 를 Rz-X와 반응시켜서 유리 염기 를 형성시키는 단계; 미반응된 및 생성물 를, 알루미나로 이루어진 고정 상을 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 분리하는 단계를 포함하는 방법을 제공하며, 상기 식 중, Rx 및 Ry는 각각 수소, 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되며, Rz는 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, X = Cl, Br, I, OTf, OTs 또는 OH이다.
또한, 본 발명은 유기금속 화합물을 제공하며, 그 유기금속 화합물은 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된 구조식을 함유한다:
도 1은 유기 발광 디바이스를 도시한 것이다.
도 2는 별도의 전자 수송 층을 갖지 않는 역위(inverted) 유기 발광 디바이스를 도시한 것이다.
도 3은 이리듐 화합물의 예를 도시한 것이다.
상세한 설명
일반적으로, OLED는 애노드와 캐소드 사이에 배치되어 그 애노드와 캐소드에 전기 접속되는 하나 이상의 유기 층을 포함한다. 전류가 인가될 때, 애노드는 정공을 그리고 캐소드는 전자를 유기 층(들) 내로 주입한다. 그 주입된 정공 및 전자 각각은 반대 하전된 전극을 향해 이동한다. 전자와 정공이 동일 분자 상에 편재화될 때, 여기된 에너지 상태를 갖는 편재화된 전자-정공 쌍인 "엑시톤"이 형성된다. 엑시톤이 광방출 메카니즘을 통해 이완될 때 광이 방출된다. 일부 경우, 엑시톤은 엑시머 또는 엑시플렉스 상에 편재화될 수 있다. 비-방사선 메카니즘, 예컨대 열적 이완이 또한 발생할 수 있지만, 일반적으로 상당히 바람직하지 못한 것으로 간주된다.
초기 OLED에서는 예를 들면 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 4,769,292에 개시되어 있는 바와 같이 단일 상태("형광성")로부터 광을 방출하는 방출성 분자가 사용된다. 형광성 방출은 일반적으로 10 나노초 미만의 시간 프레임에서 발생한다.
보다 최근에는 삼중항 상태("인광성")로부터 광을 방출하는 방출성 물질을 갖는 OLED가 입증되고 있다. 문헌[Baldo et al., "Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices," Nature, vol. 395, 151-154, 1998; ("Baldo-I")] 및 문헌[Baldo et al., "Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence," Appl. Phys. Lett., vol. 75, No. 3, 4-6 (1999) ("Baldo-II")]을 참조할 수 있으며, 이들 문헌은 그 전체 내용이 참고 인용되어 있다. 인광성은 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 7,279,704, cols. 5-6에 보다 상세히 설명되어 있다.
도 1은 유기 발광 다바이스(100)를 도시한 것이다. 도면은 반드시 실제 척도로 도시되어 있는 것이 아니다. 디바이스(100)는 기판(110), 애노드(115), 정공 주입 층(120), 정공 수송 층(125), 전자 차단 층(130), 방출 층(135), 정공 차단 층(140), 전자 수송 층(145), 전자 주입 층(150), 보호 층(155), 및 캐소드(160)를 포함할 수 있다. 캐소드(160)는 제1 전도성 층(162) 및 제2 전도성 층(164)을 갖는 복합 캐소드이다. 디바이스(100)는 설명된 층들을 순서대로 침착시킴으로써 제조할 수 있다. 이러한 다양한 층들의 특성 및 기능 뿐만 아니라 예시 물질들은 참고 인용되어 있는 미국 특허 7,279,704, cols. 6-10에 보다 더 상세히 설명되어 있다.
이러한 층들 각각에 대한 많은 수 많은 예가 이용가능하다. 예를 들면, 가요성 투명 기판-애노드 조합이 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 5,884,363에 개시되어 있다. p-도핑된 호스트 수송 층의 예는, 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 출원 공개 번호 2003/0230980에 개시된 바와 같이, 몰비 50:1로 F4-TCNQ에 의해 도핑된 m-MTDATA이다. 방출성 및 호스트 물질의 예는 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 6,303,238(Thompson et al.에게 허여됨)에 개시되어 있다. n-도핑된 전자 수송 층의 예는, 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 출원 공개 번호 2003/0230980에 개시되어 있는 바와 같이, 몰비 1:1로 Li에 의해 도핑된 BPhen이다. 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 5,703,436 및 5,707,745에는, Mg:Ag와 같은 금속의 박층과 오버라잉(overlying) 투명한 전기 전도성 스퍼터 침착된 ITO 층을 갖는 복합 캐소드를 비롯한 캐소드의 예가 개시되어 있다. 차단 층의 이론 및 용도는 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 6,097,147 및 미국 특허 출원 공개 번호 2003/0230980에 보다 상세히 설명되어 있다. 주입 층의 예는 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 출원 공개 번호 2004/0174116에 제공되어 있다. 보호 층의 설명은 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 출원 공개 번호 2004/0174116에서 찾아 볼 수 있다.
도 2는 역위 OLED(200)를 나타낸다. 이 디바이스(200)는 기판(210), 캐소드(215), 방출 층(220), 정공 수송 층(225) 및 애노드(230)를 포함한다. 디바이스(200)는 설명된 층들을 순서 대로 침착시킴으로써 제조할 수 있다. 가장 일반적인 OLED 구성이 애노드 위에 배치된 캐소드를 갖기 때문에, 디바이스(200)는 애노드(230) 하에 배치된 캐소드(215)를 가지며, 디바이스(200)는 "역위(inverted)" OLED라고 칭할 수 있다. 디바이스(100)에 관련하여 설명된 것과 유사한 물질은 디바이스(200)의 상응하는 층에 사용될 수 있다. 도 2는 일부 층을 디바이스(100)의 구조로부터 생략할 수 있는 방법의 한 예를 제공한다.
도 1 및 도 2에 예시된 단순 층상 구조가 비제한적인 예의 방식으로 제공되며, 본 발명의 실시양태는 다양한 다른 구조와 연관되어 사용될 수 있는 것으로 이해된다. 설명된 특정 물질 및 구조가 사실상 예시적이며, 다른 물질 및 구조가 사용될 수 있다. 기능성 OLED가 상이한 방식으로 설명된 다양한 층들을 조합함으로써 달성될 수 있거나, 또는 층들이 디자인, 성능 및 비용 인자에 기초하여 전체적으로 생략될 수 있다. 구체적으로 설명되지 않은 다른 층이 사용될 수 있다. 구체적으로 설명된 것을 제외한 물질이 사용될 수 있다. 본원에 제공된 수 많은 예가 단일 물질을 포함하는 것으로서 다양한 층을 설명하고 있긴 하지만, 물질들의 조합, 예컨대 호스트와 도펀트의 혼합물, 또는 보다 일반적으로 임의 혼합물이 사용될 수 있다. 또한, 층들은 다양한 서브층을 가질 수 있다. 본원에서 다양한 층에 부여된 명칭은 엄격하게 제한하고자 하는 것이 아니다. 예를 들면, 디바이스(200)에서, 정공 수송 층(225)은 방출 층(220) 내로 정공을 수송하고 정공을 주입하고, 정공 수송 층 또는 정공 주입 층으로서 설명될 수 있다. 하나의 실시양태에서, OLED는 캐소드와 애노드 사이에 배치된 "유기 층"을 갖는 것으로서 설명될 수 있다. 이러한 유기 층은 단일 층을 포함할 수 있거나, 또는 예를 들어 도 1 및 2와 관련하여 설명된 바와 같은 상이한 유기 물질의 복수 층을 더 포함할 수 있다.
구체적으로 설명되지 않은 구조 및 물질, 예컨대 전체 내용이 본원에 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 5,247,190(Friend et al.에게 허여됨)에 개시된 바와 같은 중합체 물질(PLED)로 구성된 OLED가 또한 사용될 수 있다. 추가 예를 들면, 단일 유기 층을 갖는 OLED가 사용될 수 있다. OLED는, 예를 들면 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 5,707,745(Forrest et al.에게 허여됨)에 설명된 바와 같이 적층될 수 있다. OLED 구조는 도 1 및 도 2에 예시된 단순한 층상 구조로부터 유도될 수 있다. 예를 들면, 기판은 전체 내용이 본원에 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 6,091,195(Forrest et al.에게 허여됨)에 설명된 바와 같이 메사 구조 및/또는 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 5,834,893호에 설명된 바와 같이 피트 구조와 같은, 아웃커플링(outcoupling)을 개선시키는 각 형성된 반사성 표면을 포함할 수 있다.
달리 특정되어 있지 않다면, 다양한 실시양태의 층들 중 어느 것이든 임의의 적합한 방법에 의해 침착될 수 있다. 유기 층의 경우, 바람직한 방법으로는 열적 증발, 잉크 젯, 예컨대 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 6,013,982 및 6,087,196에 설명된 것, 유기 기상 침착(OVPD), 예컨대 전체 내용이 본원에 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 6,337,102(Forrest et al.에게 허여됨)에 설명된 것, 및 유기 증기 젯 프린팅(organic vapor jet printing: OVJP)에 의한 침착, 예컨대 전체 내용이 본원에 참고 인용되어 있는 미국 특허 출원 연속 번호 10/233,470에 설명된 것이 포함될 수 있다. 다른 적합한 침착 방법으로는 스핀 코팅 및 다른 용액계 공정이 포함된다. 용액계 공정은 질소 또는 불활성 대기 중에서 수행하는 것이 바람직하다. 다른 층의 경우, 바람직한 방법으로는 열적 증발이 포함된다. 바람직한 패턴화 방법으로는 마스크를 통한 침착, 상온 용접, 예컨대 전체 내용이 본원에 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 6,294,398 및 6,468,819에 설명된 것, 및 침착 방법 중 일부, 예컨대 잉크젯 및 OVJD와 관련된 패턴화가 포함된다. 다른 방법이 또한 사용될 수 있다. 침착하고자 하는 물질은 이것이 구체적인 침착 방법과 상용성을 갖도록 만들기 위해서 개질화될 수 있다. 예를 들면, 알킬 및 아릴 기와 같은 치환기, 분지형 또는 비분지형이고, 바람직하게는 3개 이상의 탄소를 함유하는 것은 용액 처리를 수행할 수 있는 성능을 강화시키기 위해서 소분자로 사용될 수 있다. 20개 이상의 탄소를 갖는 치환기가 사용될 수 있으며, 3-20개의 탄소가 바람직한 범위이다. 비대칭성 구조를 지닌 물질은 대칭성 구조를 갖는 것보다 더 우수한 용액 처리성(solution processibility)을 가질 수 있는데, 왜냐하면 비대칭성 물질은 재결정화하는 경향을 더 낮게 가질 수 있기 때문이다. 덴드리머 치환기는 용액 처리를 수행하는 소분자의 성능을 강화시키기 위해서 사용될 수 있다.
본 발명의 실시양태에 따라 제조된 디바이스는 플랫 패널 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 텔레비젼, 빌보드, 내부 또는 외부 조명 및/또는 시그날링을 위한 라이트, 헤즈업 디스플레이(heads up display), 완전 투명 디스플레이, 플렉셔블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, PDA(personal digital assistant), 랩톱 컴퓨터, 디지탈 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로-디스플레이, 차량, 대면적 웰, 극장 또는 운동장 스크린, 또는 표지판(sign)을 비롯한 광범위한 소비재(consumer product) 내로 혼입될 수 있다. 본 발명에 따라 제조된 디바이스를 제어하기 위해서, 능동 매트릭스 및 활성 매트릭스를 비롯한 다양한 제어 메카니즘이 사용될 수 있다. 디바이스 중 다수가 인간에게 편안한 온도 범위, 예컨대 18 내지 30℃, 보다 바람직하게는 실온(20-25℃)에서 사용되도록 의도되고 있다.
본원에 설명된 물질 및 구조는 OLED를 제외한 디바이스에서 용도를 가질 수 있다. 예를 들면, 유기 태양 전지 및 유기 광검출기와 같은 다른 광전자 디바이스는 상기 물질 및 구조를 이용할 수 있다. 보다 일반적으로, 유기 트랜지스터와 같은 유기 디바이스는 상기 물질 및 구조를 이용할 수 있다.
용어 할로, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴킬, 헤테로사이클릭 기, 아릴, 방향족 기, 및 헤테로아릴은 해당 기술 분야에 공지되어 있고, 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 7,279,704, cols. 31-32에 정의되어 있다.
다수의 Ir(2-페닐퀴놀린) 및 Ir(l-페닐이소퀴놀린) 유형 인광성 물질이 합성되고 있고, 이것을 도펀트 에미터로서 혼입하고 있는 OLED가 제조되고 있다. 그 디바이스는 고 전류 효율, 고 안정성, 좁은 방출성, 개선된 처리성(processibility)(예를 들면, 고 용해도 및 저 승화 온도) 및/또는 고 발광 효율: 외부 양자 효율 비율(LE:EQE)을 유리하게 나타낼 수 있다.
기본 구조로서 Ir(3-Meppy)3을 사용하여, 방출 리간드 및 보조 리간드 상에 모두 존재하는 상이한 알킬 치환 패턴을 연구하여 물질 처리성(증발 온도, 증발 안정성, 용해도 등)에 관한 구조-특성 관계 및 Ir(2-페닐퀴놀린) 및 Ir(1-페닐이소퀴놀린) 유형 인광성 물질 및 이의 PHOLED의 디바이스 특성을 달성하게 되었다. 알킬 치환은 증발 온도, 용해도, 에너지 준위, 디바이스 효율 및 방출 스펙트럼의 좁음성(narrowness)의 관점에서 광범위한 가변성(tunability)을 제공한다. 더구나, 그 치환은 적당히 적용될 때 디바이스 작동시 화학적으로 안정한 작용기이기도 하다.
본 발명은 하기 화학식(또한 도 3에도 예시된 것임)을 갖는 화합물을 제공한다:
상기 식 중,
M은 40보다 큰 원자량의 금속이고;
A 및 B는 각각 독립적으로 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이며, A-B는 고리 A 상의 질소 원자 및 고리 B 상의 sp2 혼성화 탄소 원자를 통해 금속에 배위결합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리의 결합 쌍을 나타내고;
Ra, Rb, Rx, Ry, Rz는 각각 비치환, 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고, 여기서 Ra 및 Rb는 각각 하나 이상의 치환기를 나타내며, 결합하여 융합된 고리를 형성할 수 있고, Rx 및 Ry 중 하나 이상은 카르보닐 기에 대하여 α 위치보다 더 먼 위치에서 분지화하는 분지형 알킬 부분을 함유하고;
m은 금속의 산화 상태이며;
n은 m보다 작은 정수이고 1 이상이다.
그 화합물은 하기 화학식을 가질 수 있다:
A-B에 의해 표시된, 그 화합물 내에 존재하는 방향족 또는 헤테로방향족 고리의 결합 쌍은 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된다:
상기 식 중, X는 N-R, O 또는 S이고, 여기서 R은 수소, 알킬, 헤테로알킬, 아릴 및 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
추가로, 그 화합물은 하기 화학식을 가질 수 있다:
하나의 예에서, Rx 및 Ry는 이소부틸 기이다. 다른 예에서, Rz는 수소이다. 예시적 화합물은 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물을 포함한다:
추가로, Rz가 메틸인 화합물이 제공된다. 이러한 화합물의 구체적인 예는 을 포함한다.
본원에 설명된 화합물은 고 디바이스 효율 및 안정성, 및 다른 소정의 특성 중에서도 특히 매우 좁은 스펙트럼을 제공한다. 그 화합물의 페닐 고리(고리 B) 상의 메틸 치환기와 조합하여, 분지형 치환기 Rx 및 Ry 중 하나 이상은 그 화합물의 매우 좁은 방출 스펙트럼 및 다른 주목할 만한 우수한 특성을 제공할 수 있다.
추가로, 본 발명은 특정 화합물을 제공하며, 그 화합물은 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된다:
또한, 본 발명은 유기 발광 디바이스를 제공한다. 이 디바이스는 애노드, 캐소드 및 이 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기 층을 포함한다. 이 유기 층은 하기 화학식을 갖는 화합물을 더 포함한다:
상기 식 중,
M은 40보다 큰 원자량의 금속이고;
A 및 B는 각각 독립적으로 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이며, A-B는 고리 A 상의 질소 원자 및 고리 B 상의 sp2 혼성화 탄소 원자를 통해 금속에 배위결합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리의 결합 쌍을 나타내고;
Ra, Rb, Rx, Ry, Rz는 각각 비치환, 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고, 여기서 Ra 및 Rb는 각각 하나 이상의 치환기를 나타내며, Rx 및 Ry 중 하나 이상은 카르보닐 기에 대하여 α 위치보다 더 먼 위치에서 분지화하는 분지형 알킬 부분을 함유하고;
m은 금속의 산화 상태이며;
n은 m보다 작은 정수이고 1 이상이다.
그 디바이스는 화합물 을 함유할 수 있다.
그 디바이스는 화합물의 A-B가 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물을 함유할 수 있다:
상기 식 중, X는 N-R, O 또는 S이고, 여기서 R은 비치환, 알킬, 헤테로알킬, 아릴 및 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
*추가로, 그 디바이스는 하기 화학식을 갖는 화합물을 함유할 수 있다:
하나의 예에서, 그 디바이스는 Rx 및 Ry가 이소부틸 기인 화합물을 함유할 수 있다. 또다른 예에서, 그 디바이스는 Rz가 수소인 화합물을 함유할 수 있다. 또다른 예에서, 그 디바이스는 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물을 함유할 수 있다:
추가로, 그 디바이스는 Rz가 메틸인 화합물을 함유할 수 있다. 게다가, 하나의 예에서, 그 디바이스는 화합물을 함유할 수 있다.
디바이스의 유기 층은 본 화합물 및 호스트를 포함하는 방출 층이다. 하나의 예에서, 그 화합물은 방출성 물질이다. 다른 예에서, 그 호스트는 금속 배위결합 착물이다. 그 호스트 물질은 BAlq일 수 있다. 또다른 예에서, 디바이스의 화합물은 방출성 물질이고, 그 호스트는 금속 배위결합 착물이다. 그 호스트 물질은 BAlq일 수 있다.
추가로, 본 발명은 유기 발광 디바이스를 제공한다. 그 디바이스는 애노드, 캐소드 및 이 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기 층을 포함하고, 그 유기 층은 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물을 포함한다:
추가로, 그 디바이스의 유기 층은 본 화합물 및 호스트를 포함하는 방출 층일 수 있다. 본 발명의 화합물이 방출성 물질일 수 있고, 호스트가 금속 배위결합 착물일 수 있다. 예를 들면, 그 호스트는 BAlq일 수 있다.
또한, 본 발명은 소비재를 제공한다. 그 소비재는 디바이스를 포함하고, 그 디바이스는 애노드, 캐소드, 및 이 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기 층을 더 포함한다. 그 유기 층은 하기 화학식을 갖는 화합물을 더 포함한다:
상기 식 중,
M은 40보다 큰 원자량의 금속이고;
A 및 B는 각각 독립적으로 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이며, A-B는 고리 A 상의 질소 원자 및 고리 B 상의 sp2 혼성화 탄소 원자를 통해 금속에 배위결합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리의 결합 쌍을 나타내고;
Ra, Rb, Rx, Ry, Rz는 각각 비치환, 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고, 여기서 Ra 및 Rb는 각각 하나 이상의 치환기를 나타내며, Rx 및 Ry 중 하나 이상은 카르보닐 기에 대하여 α 위치보다 더 먼 위치에서 분지화하는 분지형 알킬 부분을 함유하고;
m은 금속의 산화 상태이며;
n은 1 이상이다.
추가로, 본 발명은 소비재를 제공하며, 그 소비재는 디바이스를 포함하고, 그 디바이스는 애노드, 캐소드 및 이 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기 층을 더 포함한다. 그 유기 층은 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물을 더 포함한다:
추가로, 본 발명은 를 Rz-X와 반응시켜서 유리 염기 를 형성시키는 단계; 미반응된 및 생성물 를, 알루미나로 이루어진 고정 상을 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 분리하는 단계를 포함하는 방법을 제공하며, 상기 식 중, Rx 및 Ry는 각각 수소, 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되며, Rz는 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, X = Cl, Br, I, OTf, OTs 또는 OH이다.
추가로, 그 방법은 을 M 및 하나 이상의 리간드와 반응시켜서 하기 화학식을 갖는 화합물을 형성시키는 단계를 더 포함할 수 있다:
상기 식 중,
M은 40보다 큰 원자량의 금속이고;
A 및 B는 각각 독립적으로 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이며, A-B는 고리 A 상의 질소 원자 및 고리 B 상의 sp2 혼성화 탄소 원자를 통해 금속에 배위결합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리의 결합 쌍을 나타내고;
RA 및 B는 각각 비치환 또는 하나 이상의 치환기를 나타내며, 여기서 치환기 RA 및 RB는 각각 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고;
m은 금속의 산화 상태이며;
n은 m보다 작은 정수이고 1 이상이다.
추가로, 그 방법은 Rz가 메틸 기이고 가 또는 인 화합물을 더 포함할 수 있다.
본원에는 수소가 중수소에 의해 치환되어 있는 본 발명의 화합물의 동위원소 유사체가 또한 포함된다.
추가로, 본 발명은 유기금속 화합물을 제공한다. 이 유기금속 화합물은 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된 구조식을 함유한다:
상기 식 중, M은 40보다 더 큰 원자량을 지닌 금속이다.
그 제공된 유기금속 화합물은 Ir로서 M을 보유할 수 있다.
그 제공된 유기금속 화합물은 인광성 물질일 수 있다.
유기 발광 디바이스에서 특정 층에 유용한 것으로서 본원에 설명된 물질은 디바이스 내에 존재하는 광범위하게 다양한 다른 물질과 조합하여 사용될 수 있다. 예를 들면, 본원에 개시된 방출성 도펀트는 존재할 수 있는 광범위하게 다양한 호스트, 수송 층, 차단 층, 주입 층, 전극 및 다른 층과 함께 사용될 수 있다. 이하에 설명되거나 언급된 물질은 본원에 개시된 화합물과 조합하여 유용할 수 있는 물질의 비제한적 예이고, 해당 기술 분야의 당업자라면, 조합하여 유용할 수 있는 다른 물질을 확인할 수 있는 문헌을 용이하게 참고할 수 있다.
본원에 개시된 물질 이외에도 그리고/또는 그 개시된 물질과 조합하여, 수 많은 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 호스트 물질, 도펀트 물질, 엑시톤/정공 차단 층 물질, 전자 수송 및 전자 주입 물질이 OLED에 사용될 수 있다. 본원에 개시된 물질과 조합하여 OLED에 사용될 수 있는 물질의 비제한적인 예들이 하기 표 1에 열거 기재되어 있다. 표 1에는 물질의 비제한적인 부류, 각 부류의 화합물의 비제한적인 예, 및 그 물질들을 개시하고 있는 참고 문헌이 열거 기재되어 있다.
[표 1]
도 2는 별도의 전자 수송 층을 갖지 않는 역위(inverted) 유기 발광 디바이스를 도시한 것이다.
도 3은 이리듐 화합물의 예를 도시한 것이다.
상세한 설명
일반적으로, OLED는 애노드와 캐소드 사이에 배치되어 그 애노드와 캐소드에 전기 접속되는 하나 이상의 유기 층을 포함한다. 전류가 인가될 때, 애노드는 정공을 그리고 캐소드는 전자를 유기 층(들) 내로 주입한다. 그 주입된 정공 및 전자 각각은 반대 하전된 전극을 향해 이동한다. 전자와 정공이 동일 분자 상에 편재화될 때, 여기된 에너지 상태를 갖는 편재화된 전자-정공 쌍인 "엑시톤"이 형성된다. 엑시톤이 광방출 메카니즘을 통해 이완될 때 광이 방출된다. 일부 경우, 엑시톤은 엑시머 또는 엑시플렉스 상에 편재화될 수 있다. 비-방사선 메카니즘, 예컨대 열적 이완이 또한 발생할 수 있지만, 일반적으로 상당히 바람직하지 못한 것으로 간주된다.
초기 OLED에서는 예를 들면 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 4,769,292에 개시되어 있는 바와 같이 단일 상태("형광성")로부터 광을 방출하는 방출성 분자가 사용된다. 형광성 방출은 일반적으로 10 나노초 미만의 시간 프레임에서 발생한다.
보다 최근에는 삼중항 상태("인광성")로부터 광을 방출하는 방출성 물질을 갖는 OLED가 입증되고 있다. 문헌[Baldo et al., "Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices," Nature, vol. 395, 151-154, 1998; ("Baldo-I")] 및 문헌[Baldo et al., "Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence," Appl. Phys. Lett., vol. 75, No. 3, 4-6 (1999) ("Baldo-II")]을 참조할 수 있으며, 이들 문헌은 그 전체 내용이 참고 인용되어 있다. 인광성은 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 7,279,704, cols. 5-6에 보다 상세히 설명되어 있다.
도 1은 유기 발광 다바이스(100)를 도시한 것이다. 도면은 반드시 실제 척도로 도시되어 있는 것이 아니다. 디바이스(100)는 기판(110), 애노드(115), 정공 주입 층(120), 정공 수송 층(125), 전자 차단 층(130), 방출 층(135), 정공 차단 층(140), 전자 수송 층(145), 전자 주입 층(150), 보호 층(155), 및 캐소드(160)를 포함할 수 있다. 캐소드(160)는 제1 전도성 층(162) 및 제2 전도성 층(164)을 갖는 복합 캐소드이다. 디바이스(100)는 설명된 층들을 순서대로 침착시킴으로써 제조할 수 있다. 이러한 다양한 층들의 특성 및 기능 뿐만 아니라 예시 물질들은 참고 인용되어 있는 미국 특허 7,279,704, cols. 6-10에 보다 더 상세히 설명되어 있다.
이러한 층들 각각에 대한 많은 수 많은 예가 이용가능하다. 예를 들면, 가요성 투명 기판-애노드 조합이 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 5,884,363에 개시되어 있다. p-도핑된 호스트 수송 층의 예는, 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 출원 공개 번호 2003/0230980에 개시된 바와 같이, 몰비 50:1로 F4-TCNQ에 의해 도핑된 m-MTDATA이다. 방출성 및 호스트 물질의 예는 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 6,303,238(Thompson et al.에게 허여됨)에 개시되어 있다. n-도핑된 전자 수송 층의 예는, 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 출원 공개 번호 2003/0230980에 개시되어 있는 바와 같이, 몰비 1:1로 Li에 의해 도핑된 BPhen이다. 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 5,703,436 및 5,707,745에는, Mg:Ag와 같은 금속의 박층과 오버라잉(overlying) 투명한 전기 전도성 스퍼터 침착된 ITO 층을 갖는 복합 캐소드를 비롯한 캐소드의 예가 개시되어 있다. 차단 층의 이론 및 용도는 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 6,097,147 및 미국 특허 출원 공개 번호 2003/0230980에 보다 상세히 설명되어 있다. 주입 층의 예는 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 출원 공개 번호 2004/0174116에 제공되어 있다. 보호 층의 설명은 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 출원 공개 번호 2004/0174116에서 찾아 볼 수 있다.
도 2는 역위 OLED(200)를 나타낸다. 이 디바이스(200)는 기판(210), 캐소드(215), 방출 층(220), 정공 수송 층(225) 및 애노드(230)를 포함한다. 디바이스(200)는 설명된 층들을 순서 대로 침착시킴으로써 제조할 수 있다. 가장 일반적인 OLED 구성이 애노드 위에 배치된 캐소드를 갖기 때문에, 디바이스(200)는 애노드(230) 하에 배치된 캐소드(215)를 가지며, 디바이스(200)는 "역위(inverted)" OLED라고 칭할 수 있다. 디바이스(100)에 관련하여 설명된 것과 유사한 물질은 디바이스(200)의 상응하는 층에 사용될 수 있다. 도 2는 일부 층을 디바이스(100)의 구조로부터 생략할 수 있는 방법의 한 예를 제공한다.
도 1 및 도 2에 예시된 단순 층상 구조가 비제한적인 예의 방식으로 제공되며, 본 발명의 실시양태는 다양한 다른 구조와 연관되어 사용될 수 있는 것으로 이해된다. 설명된 특정 물질 및 구조가 사실상 예시적이며, 다른 물질 및 구조가 사용될 수 있다. 기능성 OLED가 상이한 방식으로 설명된 다양한 층들을 조합함으로써 달성될 수 있거나, 또는 층들이 디자인, 성능 및 비용 인자에 기초하여 전체적으로 생략될 수 있다. 구체적으로 설명되지 않은 다른 층이 사용될 수 있다. 구체적으로 설명된 것을 제외한 물질이 사용될 수 있다. 본원에 제공된 수 많은 예가 단일 물질을 포함하는 것으로서 다양한 층을 설명하고 있긴 하지만, 물질들의 조합, 예컨대 호스트와 도펀트의 혼합물, 또는 보다 일반적으로 임의 혼합물이 사용될 수 있다. 또한, 층들은 다양한 서브층을 가질 수 있다. 본원에서 다양한 층에 부여된 명칭은 엄격하게 제한하고자 하는 것이 아니다. 예를 들면, 디바이스(200)에서, 정공 수송 층(225)은 방출 층(220) 내로 정공을 수송하고 정공을 주입하고, 정공 수송 층 또는 정공 주입 층으로서 설명될 수 있다. 하나의 실시양태에서, OLED는 캐소드와 애노드 사이에 배치된 "유기 층"을 갖는 것으로서 설명될 수 있다. 이러한 유기 층은 단일 층을 포함할 수 있거나, 또는 예를 들어 도 1 및 2와 관련하여 설명된 바와 같은 상이한 유기 물질의 복수 층을 더 포함할 수 있다.
구체적으로 설명되지 않은 구조 및 물질, 예컨대 전체 내용이 본원에 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 5,247,190(Friend et al.에게 허여됨)에 개시된 바와 같은 중합체 물질(PLED)로 구성된 OLED가 또한 사용될 수 있다. 추가 예를 들면, 단일 유기 층을 갖는 OLED가 사용될 수 있다. OLED는, 예를 들면 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 5,707,745(Forrest et al.에게 허여됨)에 설명된 바와 같이 적층될 수 있다. OLED 구조는 도 1 및 도 2에 예시된 단순한 층상 구조로부터 유도될 수 있다. 예를 들면, 기판은 전체 내용이 본원에 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 6,091,195(Forrest et al.에게 허여됨)에 설명된 바와 같이 메사 구조 및/또는 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 5,834,893호에 설명된 바와 같이 피트 구조와 같은, 아웃커플링(outcoupling)을 개선시키는 각 형성된 반사성 표면을 포함할 수 있다.
달리 특정되어 있지 않다면, 다양한 실시양태의 층들 중 어느 것이든 임의의 적합한 방법에 의해 침착될 수 있다. 유기 층의 경우, 바람직한 방법으로는 열적 증발, 잉크 젯, 예컨대 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 6,013,982 및 6,087,196에 설명된 것, 유기 기상 침착(OVPD), 예컨대 전체 내용이 본원에 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 6,337,102(Forrest et al.에게 허여됨)에 설명된 것, 및 유기 증기 젯 프린팅(organic vapor jet printing: OVJP)에 의한 침착, 예컨대 전체 내용이 본원에 참고 인용되어 있는 미국 특허 출원 연속 번호 10/233,470에 설명된 것이 포함될 수 있다. 다른 적합한 침착 방법으로는 스핀 코팅 및 다른 용액계 공정이 포함된다. 용액계 공정은 질소 또는 불활성 대기 중에서 수행하는 것이 바람직하다. 다른 층의 경우, 바람직한 방법으로는 열적 증발이 포함된다. 바람직한 패턴화 방법으로는 마스크를 통한 침착, 상온 용접, 예컨대 전체 내용이 본원에 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 6,294,398 및 6,468,819에 설명된 것, 및 침착 방법 중 일부, 예컨대 잉크젯 및 OVJD와 관련된 패턴화가 포함된다. 다른 방법이 또한 사용될 수 있다. 침착하고자 하는 물질은 이것이 구체적인 침착 방법과 상용성을 갖도록 만들기 위해서 개질화될 수 있다. 예를 들면, 알킬 및 아릴 기와 같은 치환기, 분지형 또는 비분지형이고, 바람직하게는 3개 이상의 탄소를 함유하는 것은 용액 처리를 수행할 수 있는 성능을 강화시키기 위해서 소분자로 사용될 수 있다. 20개 이상의 탄소를 갖는 치환기가 사용될 수 있으며, 3-20개의 탄소가 바람직한 범위이다. 비대칭성 구조를 지닌 물질은 대칭성 구조를 갖는 것보다 더 우수한 용액 처리성(solution processibility)을 가질 수 있는데, 왜냐하면 비대칭성 물질은 재결정화하는 경향을 더 낮게 가질 수 있기 때문이다. 덴드리머 치환기는 용액 처리를 수행하는 소분자의 성능을 강화시키기 위해서 사용될 수 있다.
본 발명의 실시양태에 따라 제조된 디바이스는 플랫 패널 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 텔레비젼, 빌보드, 내부 또는 외부 조명 및/또는 시그날링을 위한 라이트, 헤즈업 디스플레이(heads up display), 완전 투명 디스플레이, 플렉셔블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, PDA(personal digital assistant), 랩톱 컴퓨터, 디지탈 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로-디스플레이, 차량, 대면적 웰, 극장 또는 운동장 스크린, 또는 표지판(sign)을 비롯한 광범위한 소비재(consumer product) 내로 혼입될 수 있다. 본 발명에 따라 제조된 디바이스를 제어하기 위해서, 능동 매트릭스 및 활성 매트릭스를 비롯한 다양한 제어 메카니즘이 사용될 수 있다. 디바이스 중 다수가 인간에게 편안한 온도 범위, 예컨대 18 내지 30℃, 보다 바람직하게는 실온(20-25℃)에서 사용되도록 의도되고 있다.
본원에 설명된 물질 및 구조는 OLED를 제외한 디바이스에서 용도를 가질 수 있다. 예를 들면, 유기 태양 전지 및 유기 광검출기와 같은 다른 광전자 디바이스는 상기 물질 및 구조를 이용할 수 있다. 보다 일반적으로, 유기 트랜지스터와 같은 유기 디바이스는 상기 물질 및 구조를 이용할 수 있다.
용어 할로, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴킬, 헤테로사이클릭 기, 아릴, 방향족 기, 및 헤테로아릴은 해당 기술 분야에 공지되어 있고, 전체 내용이 참고 인용되어 있는 미국 특허 번호 7,279,704, cols. 31-32에 정의되어 있다.
다수의 Ir(2-페닐퀴놀린) 및 Ir(l-페닐이소퀴놀린) 유형 인광성 물질이 합성되고 있고, 이것을 도펀트 에미터로서 혼입하고 있는 OLED가 제조되고 있다. 그 디바이스는 고 전류 효율, 고 안정성, 좁은 방출성, 개선된 처리성(processibility)(예를 들면, 고 용해도 및 저 승화 온도) 및/또는 고 발광 효율: 외부 양자 효율 비율(LE:EQE)을 유리하게 나타낼 수 있다.
기본 구조로서 Ir(3-Meppy)3을 사용하여, 방출 리간드 및 보조 리간드 상에 모두 존재하는 상이한 알킬 치환 패턴을 연구하여 물질 처리성(증발 온도, 증발 안정성, 용해도 등)에 관한 구조-특성 관계 및 Ir(2-페닐퀴놀린) 및 Ir(1-페닐이소퀴놀린) 유형 인광성 물질 및 이의 PHOLED의 디바이스 특성을 달성하게 되었다. 알킬 치환은 증발 온도, 용해도, 에너지 준위, 디바이스 효율 및 방출 스펙트럼의 좁음성(narrowness)의 관점에서 광범위한 가변성(tunability)을 제공한다. 더구나, 그 치환은 적당히 적용될 때 디바이스 작동시 화학적으로 안정한 작용기이기도 하다.
본 발명은 하기 화학식(또한 도 3에도 예시된 것임)을 갖는 화합물을 제공한다:
상기 식 중,
M은 40보다 큰 원자량의 금속이고;
A 및 B는 각각 독립적으로 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이며, A-B는 고리 A 상의 질소 원자 및 고리 B 상의 sp2 혼성화 탄소 원자를 통해 금속에 배위결합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리의 결합 쌍을 나타내고;
Ra, Rb, Rx, Ry, Rz는 각각 비치환, 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고, 여기서 Ra 및 Rb는 각각 하나 이상의 치환기를 나타내며, 결합하여 융합된 고리를 형성할 수 있고, Rx 및 Ry 중 하나 이상은 카르보닐 기에 대하여 α 위치보다 더 먼 위치에서 분지화하는 분지형 알킬 부분을 함유하고;
m은 금속의 산화 상태이며;
n은 m보다 작은 정수이고 1 이상이다.
그 화합물은 하기 화학식을 가질 수 있다:
A-B에 의해 표시된, 그 화합물 내에 존재하는 방향족 또는 헤테로방향족 고리의 결합 쌍은 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된다:
상기 식 중, X는 N-R, O 또는 S이고, 여기서 R은 수소, 알킬, 헤테로알킬, 아릴 및 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
추가로, 그 화합물은 하기 화학식을 가질 수 있다:
하나의 예에서, Rx 및 Ry는 이소부틸 기이다. 다른 예에서, Rz는 수소이다. 예시적 화합물은 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물을 포함한다:
추가로, Rz가 메틸인 화합물이 제공된다. 이러한 화합물의 구체적인 예는 을 포함한다.
본원에 설명된 화합물은 고 디바이스 효율 및 안정성, 및 다른 소정의 특성 중에서도 특히 매우 좁은 스펙트럼을 제공한다. 그 화합물의 페닐 고리(고리 B) 상의 메틸 치환기와 조합하여, 분지형 치환기 Rx 및 Ry 중 하나 이상은 그 화합물의 매우 좁은 방출 스펙트럼 및 다른 주목할 만한 우수한 특성을 제공할 수 있다.
추가로, 본 발명은 특정 화합물을 제공하며, 그 화합물은 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된다:
또한, 본 발명은 유기 발광 디바이스를 제공한다. 이 디바이스는 애노드, 캐소드 및 이 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기 층을 포함한다. 이 유기 층은 하기 화학식을 갖는 화합물을 더 포함한다:
상기 식 중,
M은 40보다 큰 원자량의 금속이고;
A 및 B는 각각 독립적으로 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이며, A-B는 고리 A 상의 질소 원자 및 고리 B 상의 sp2 혼성화 탄소 원자를 통해 금속에 배위결합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리의 결합 쌍을 나타내고;
Ra, Rb, Rx, Ry, Rz는 각각 비치환, 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고, 여기서 Ra 및 Rb는 각각 하나 이상의 치환기를 나타내며, Rx 및 Ry 중 하나 이상은 카르보닐 기에 대하여 α 위치보다 더 먼 위치에서 분지화하는 분지형 알킬 부분을 함유하고;
m은 금속의 산화 상태이며;
n은 m보다 작은 정수이고 1 이상이다.
그 디바이스는 화합물 을 함유할 수 있다.
그 디바이스는 화합물의 A-B가 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물을 함유할 수 있다:
상기 식 중, X는 N-R, O 또는 S이고, 여기서 R은 비치환, 알킬, 헤테로알킬, 아릴 및 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
*추가로, 그 디바이스는 하기 화학식을 갖는 화합물을 함유할 수 있다:
하나의 예에서, 그 디바이스는 Rx 및 Ry가 이소부틸 기인 화합물을 함유할 수 있다. 또다른 예에서, 그 디바이스는 Rz가 수소인 화합물을 함유할 수 있다. 또다른 예에서, 그 디바이스는 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물을 함유할 수 있다:
추가로, 그 디바이스는 Rz가 메틸인 화합물을 함유할 수 있다. 게다가, 하나의 예에서, 그 디바이스는 화합물을 함유할 수 있다.
디바이스의 유기 층은 본 화합물 및 호스트를 포함하는 방출 층이다. 하나의 예에서, 그 화합물은 방출성 물질이다. 다른 예에서, 그 호스트는 금속 배위결합 착물이다. 그 호스트 물질은 BAlq일 수 있다. 또다른 예에서, 디바이스의 화합물은 방출성 물질이고, 그 호스트는 금속 배위결합 착물이다. 그 호스트 물질은 BAlq일 수 있다.
추가로, 본 발명은 유기 발광 디바이스를 제공한다. 그 디바이스는 애노드, 캐소드 및 이 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기 층을 포함하고, 그 유기 층은 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물을 포함한다:
추가로, 그 디바이스의 유기 층은 본 화합물 및 호스트를 포함하는 방출 층일 수 있다. 본 발명의 화합물이 방출성 물질일 수 있고, 호스트가 금속 배위결합 착물일 수 있다. 예를 들면, 그 호스트는 BAlq일 수 있다.
또한, 본 발명은 소비재를 제공한다. 그 소비재는 디바이스를 포함하고, 그 디바이스는 애노드, 캐소드, 및 이 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기 층을 더 포함한다. 그 유기 층은 하기 화학식을 갖는 화합물을 더 포함한다:
상기 식 중,
M은 40보다 큰 원자량의 금속이고;
A 및 B는 각각 독립적으로 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이며, A-B는 고리 A 상의 질소 원자 및 고리 B 상의 sp2 혼성화 탄소 원자를 통해 금속에 배위결합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리의 결합 쌍을 나타내고;
Ra, Rb, Rx, Ry, Rz는 각각 비치환, 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고, 여기서 Ra 및 Rb는 각각 하나 이상의 치환기를 나타내며, Rx 및 Ry 중 하나 이상은 카르보닐 기에 대하여 α 위치보다 더 먼 위치에서 분지화하는 분지형 알킬 부분을 함유하고;
m은 금속의 산화 상태이며;
n은 1 이상이다.
추가로, 본 발명은 소비재를 제공하며, 그 소비재는 디바이스를 포함하고, 그 디바이스는 애노드, 캐소드 및 이 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기 층을 더 포함한다. 그 유기 층은 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물을 더 포함한다:
추가로, 본 발명은 를 Rz-X와 반응시켜서 유리 염기 를 형성시키는 단계; 미반응된 및 생성물 를, 알루미나로 이루어진 고정 상을 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 분리하는 단계를 포함하는 방법을 제공하며, 상기 식 중, Rx 및 Ry는 각각 수소, 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되며, Rz는 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, X = Cl, Br, I, OTf, OTs 또는 OH이다.
추가로, 그 방법은 을 M 및 하나 이상의 리간드와 반응시켜서 하기 화학식을 갖는 화합물을 형성시키는 단계를 더 포함할 수 있다:
상기 식 중,
M은 40보다 큰 원자량의 금속이고;
A 및 B는 각각 독립적으로 5원 또는 6원 방향족 또는 헤테로방향족 고리이며, A-B는 고리 A 상의 질소 원자 및 고리 B 상의 sp2 혼성화 탄소 원자를 통해 금속에 배위결합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리의 결합 쌍을 나타내고;
RA 및 B는 각각 비치환 또는 하나 이상의 치환기를 나타내며, 여기서 치환기 RA 및 RB는 각각 알킬, 헤테로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고;
m은 금속의 산화 상태이며;
n은 m보다 작은 정수이고 1 이상이다.
추가로, 그 방법은 Rz가 메틸 기이고 가 또는 인 화합물을 더 포함할 수 있다.
본원에는 수소가 중수소에 의해 치환되어 있는 본 발명의 화합물의 동위원소 유사체가 또한 포함된다.
추가로, 본 발명은 유기금속 화합물을 제공한다. 이 유기금속 화합물은 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된 구조식을 함유한다:
상기 식 중, M은 40보다 더 큰 원자량을 지닌 금속이다.
그 제공된 유기금속 화합물은 Ir로서 M을 보유할 수 있다.
그 제공된 유기금속 화합물은 인광성 물질일 수 있다.
유기 발광 디바이스에서 특정 층에 유용한 것으로서 본원에 설명된 물질은 디바이스 내에 존재하는 광범위하게 다양한 다른 물질과 조합하여 사용될 수 있다. 예를 들면, 본원에 개시된 방출성 도펀트는 존재할 수 있는 광범위하게 다양한 호스트, 수송 층, 차단 층, 주입 층, 전극 및 다른 층과 함께 사용될 수 있다. 이하에 설명되거나 언급된 물질은 본원에 개시된 화합물과 조합하여 유용할 수 있는 물질의 비제한적 예이고, 해당 기술 분야의 당업자라면, 조합하여 유용할 수 있는 다른 물질을 확인할 수 있는 문헌을 용이하게 참고할 수 있다.
본원에 개시된 물질 이외에도 그리고/또는 그 개시된 물질과 조합하여, 수 많은 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 호스트 물질, 도펀트 물질, 엑시톤/정공 차단 층 물질, 전자 수송 및 전자 주입 물질이 OLED에 사용될 수 있다. 본원에 개시된 물질과 조합하여 OLED에 사용될 수 있는 물질의 비제한적인 예들이 하기 표 1에 열거 기재되어 있다. 표 1에는 물질의 비제한적인 부류, 각 부류의 화합물의 비제한적인 예, 및 그 물질들을 개시하고 있는 참고 문헌이 열거 기재되어 있다.
[표 1]
실험
화합물
실시예
화합물 1의 합성
단계 1
2-클로로퀴놀린(9.O g, 54.4 mmol), 3,5-디메틸페닐보론산(9.2 g, 59.8 mmol), Pd(PPh3)4(1.8 g, 1.5 mmol), K2CO3(22.4 g, 163 mmol), l,2-디메톡시에탄(150 mL) 및 물(150 mL)을 50O mL 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 이 반응 혼합물을 질소 하에 18 h 동안 환류로 가열하였다. 이어서, 그 반응 혼합물을 주위로 냉각하고, 유기상을 수상으로부터 분리하였다. 수상을 에틸 아세테이트로 세척하고, 모든 유기 성분을 합하여 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이어서, 용매를 진공 하에 제거하고, 생성물은 실리카 겔 크로마토그래피(용출액으로서 헥산 중의 10% 에틸 아세테이트)를 사용하여 정제하였다. 얻어진 물질을 진공 증류로 추가 정제하여 무색 오일로서 생성물 12.2 g(95% 수율)을 산출하였다.
단계 2
단계 1로부터 얻은 리간드(46 g, 197.4 mmol), 2-에톡시에탄올(536 mL) 및 물 (178 mL)을 1 L 3목 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 질소 가스로 반응 혼합물을 통해 45 분 동안 발포시켰다. 이어서, IrCl3ㆍH2O(32.0 g, 86.2 mmol)을 첨가하고, 이 반응 혼합물을 질소 하에 17 시간 동안 환류로 가열하였다. 이 반응 혼합물을 주위로 냉각하고, 여과시켰다. 암회색 잔류물을 메탄올(4 x 150 mL), 이어서 헥산(3 x 300 mL)으로 세척하였다. 디클로로브리지 형성된(dichlorobridged) 이리듐 다이머 36.5 g을 진공 오븐에서 건조시킨 후 얻었다.
단계 3
단계 2로부터 얻은 디클로로브리지 형성된 이리듐(3.0 g, 2.2 mmol), 3-메틸-2,4-펜탄디온(2.5 g, 10 mol eq), Na2CO3(6.3 g, 20 mol eq) 및 2-에톡시에탄올(25 mL)을 250 mL 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 이 반응 혼합물을 주위에서 24 h 동안 교반하였다. 그 반응 혼합물에 셀라이트 2 g 및 디클로로메탄 200 mL를 첨가하여 생성물을 용해시켰다. 이어서, 그 혼합물을 셀라이트 층을 통해 여과시켰다. 이어서, 그 여과물을 실리카/알루미나 플러그를 통해 통과시키고, 디클로메탄으로 세척하였다. 그 맑아진 용액을 GF/F 필터지를 통해 여과시키고, 여과물을 가열하여 대부분의 디클로로메탄을 제거하였다. 이어서, 이소프로판올 20 mL를 첨가하고, 그 슬러리를 주위로 냉각하고, 생성물을 여과시키고 이소프로판올로 세척한 후, 건조시켜서 미정제 생성물 3.2 g(97% 수율)을 생성하였다. 이어서, 그 생성물은 디클로로메탄 및 이소프로판올을 사용하여 2회 재결정화한 후, 승화시켰다.
화합물 2의 합성
단계 1
2-클로로-3-메틸-퀴놀린(4.5 g, 25.0 mmol), 디메틸페닐보론산(4.6 g, 30 mmol), 트리페닐포스핀(1.6O g, 6.11 mmol), 및 탄산칼륨(12.67 g, 91.69 mmol)을 250 mL 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 그 플라스크에 물 25 mL 및 디메톡시에탄 25 mL를 첨가하였다. 질소로 반응 혼합물을 통해 30 분 동안 발포시켰다. 이어서, 반응 혼합물에 팔라듐 아세테이트(0.34 g, 1.53 mmol)를 첨가한 후, 질소 대기 하에 밤새 환류시켰다. 생성물을 에틸 아세테이트로 추출하고, 물로 세척한 후, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 생성물은 실리카 겔 크로마토그래피(용출액으로서 헥산 중의 5-15% 에틸 아세테이트)를 이용하여 정제함으로써 담황색 오일(85% 수율)을 생성하였다. 추가 정제는 진공 증류를 통해 수행하였다.
단계 2
단계 1로부터 얻은 리간드(16 g, 65 mmol), 염화이리듐(5.0 g, 14 mmol), 2- 에톡시에탄올(75 mL) 및 물(12.5 mL)을 250 mL 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 반응기 내용물을 질소 대기 하에 16-19h 동안 102℃로 가열하였다. 디클로로브리지 형성된 인듐 다이머는 단리하지 않았다.
단계 3
단계 2로부터 얻은 반응기 내용물을 주위 냉각하였다. 반응기에 2,4-펜탄디온(14.0 g, 140 mmol) 및 탄산나트륨(30.0 g, 280 mmol)을 첨가하였다. 이 반응 혼합물을 주위에서 24 h 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 셀라이트 5 g 및 디클로로메탄 500 mL를 첨가하여 생성물을 용해시켰다. 이어서, 그 혼합물을 셀라이트 층을 통해 여과시켰다. 이어서, 여과물을 실리카/알루미나 플러그를 통해 통과시키고, 디클로로메탄으로 세척하였다. 이어서, 맑아진 용액을 GF/F 필터지를 통해 여과시키고, 여과물을 가열하여 대부분의 디클로로메탄을 제거하였다. 이어서, 이소프로판올 20 mL를 첨가하고, 그 슬러리를 주위로 냉각하고, 생성물을 여과시키고, 이소프로판올로 세척한 후, 건조시켜서 미정제 생성물 6.3 g(57% 수율)을 생성하였다. 이어서, 이 생성물은 디클로로메탄 및 이소프로판올을 사용하여 2회 재결정화한 후, 승화시켰다.
화합물 3의 합성
단계 1
2-클로로퀴놀린(9.O g, 54.4 mmol), 3,5-디메틸페닐보론산(9.2 g, 59.8 mmol), Pd(PPh3)4(1.8 g, 1.5 mmol), K2CO3(22.4 g, 163 mmol), 1,2-디메톡시에탄(150 mL) 및 물(150 mL)을 50O mL 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 이 반응 혼합물을 질소 하에 18 h 동안 환류로 가열하였다. 이어서, 반응 혼합물을 주위로 냉각하고, 유기상을 수상으로부터 분리하였다. 수상을 에틸 아세테이트로 세척하고, 모든 유기 성분을 합하여 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이어서, 용매를 진공 하에 제거하고, 생성물은 실리카 겔 크로마토그래피(용출액으로서 헥산 중의 10% 에틸 아세테이트)를 사용하여 정제하였다. 얻어진 물질을 진공 증류로 추가 정제하여 무색 오일로서 생성물 12.2 g(95% 수율)을 산출하였다.
단계 2
단계 1로부터 얻은 리간드(46 g, 197.4 mmol) , 2-에톡시에탄올(536 mL) 및 물(178 mL)을 1 L 3목 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 질소 가스로 반응 혼합물을 통해 45 분 동안 발포시켰다. 이어서, 반응 혼합물에 IrCl3ㆍH2O(32.0 g, 86.2 mmol)을 첨가하고, 질소 하에 17 시간 동안 환류로 가열하였다. 이 반응 혼합물을 주위로 냉각하고, 여과시켰다. 암회색 잔류물을 메탄올(4 x 150 mL), 이어서 헥산(3 x 300 mL)으로 세척하였다. 디클로로브리지 형성된 이리듐 다이머 36.5 g을 진공 오븐에서 건조시킨 후 얻었다.
단계 3
N,N-디메틸포름아미드(DMF)(1 L) 및 칼륨 tert-부톡사이드(135.0 g, 1.2 mol)을 질소 하에 50℃로 가열하였다. 메틸 3-메틸부타노에이트(86.O g, 0.75 mol)를 적하 깔대기로부터 적가하고, 이어서 DMF 10O mL 중의 4-메틸펜탄-2-온(50 g, 1 mol)의 용액을 첨가하였다. 반응의 과정을 GC로 모니터링하였다. 반응이 종료되었을 때, 그 혼합물을 주위로 냉각하고, 서서히 20% H2SO4 용액으로 중화시켰다. 물(30O mL)을 첨가하자 2개의 층이 형성되었다. 2,8-디메틸노난-4,6-디온을 함유하는 층을 진공 증류를 이용하여 정제함으로써 분홍색 오일 40 g(43% 수율)을 생성하였다.
단계 4
단계 2로부터 얻은 디클로로브리지 형성된 이리듐 다이머(3.0 g, 2.2 mmol), 2,8-디메틸노난-4,6-디온(4.1 g, 10 mol eq), Na2CO3(6.3 g, 20 mol eq) 및 2-에톡시에탄올(25 mL)을 250 mL 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 이 반응 혼합물을 주위에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 셀라이트 2 g 및 디클로로메탄 20O mL를 첨가하여 생성물을 용해시켰다. 이어서, 그 혼합물을 셀라이트 층을 통해 여과시켰다. 이어서, 여과물을 실리카/알루미나 플러그를 통해 통과시키고, 디클로로메탄으로 세척하였다. 이어서, 맑아진 용액을 GF/F 필터지를 통해 여과시키고, 그 여과물을 가열하여 대부분의 디클로로메탄을 제거하였다. 이어서, 이소프로판올 20 mL를 첨가하고, 그 슬러리를 주위로 냉각하고, 생성물을 여과시키고, 이소프로판올로 세척한 후, 건조시켜서 미정제 생성물 2.9 g(79% 수율)을 생성하였다. 이어서, 그 생성물은 디클로로메탄 및 이소프로판올을 사용하여 2회 재결정화한 후, 승화시켰다.
화합물 4의 합성
단계 1
디클로로요오도벤젠(37.O g, 136 mmol), Pd2(dba)3(1.5 g, l .6 mmol), 염화리튬(29.O g, 682 mmol)을 500 mL 둥근 바닥 플라스크에서 DMF 100 mL 중에 용해시켰다. 이어서, 반응 혼합물에 아세트산 무수물 64.O mL 및 N-에틸디이소프로필아민 47.O mL를 첨가하였다. 그 반응은 8 시간 동안 100℃로 가열하였다. 반응 혼합물에 물을 첨가하고, 그 생성물을 에틸 아세테이트로 추출하고, 용출액으로서 에틸 아세테이트와 헥산을 사용하는 실리카 겔 컬럼을 이용하여 크로마토그래피 처리하였다. 생성물 8 g을 얻었다.
단계 2
2-아미노벤질 알콜(6.0 g, 48 mmol), 3,5-디클로로아세토페논(12.O g, 63.5 mmol), RuCl2(PPh3)3(0.5 g, 10 mol%), 및 KOH(2.4 g, 42.0 mmol)을 톨루엔 100 mL 중에서 10 시간 동안 환류시켰다. 딘-스타크 트랩을 사용하여 반응으로부터 물을 수집하였다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각하고, 실리카 겔 플러그를 통해 여과시켰다. 생성물은 용출액으로서 핵산 중의 2% 에틸 아세테이트를 사용하는 실리카 겔 컬럼으로 추가 정제하였다. 생성물 4.0 g(30% 수율)을 컬럼 후에 얻었다. 생성물은 이소프로판올로부터 추가 재결정화하였다. 소정의 생성물 3.5 g을 얻었다.
단계 3
2-(3,5-디클로로페닐)퀴나졸린(4.O g, 14.6 mmol), 이소부틸보론산(6.O g, 58.4 mol), Pd2(dba)3(0.13 g, l mol%), 디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시바이페닐(0.24 g, 4 mol%), 인산칼륨 1수화물(1O g, 13.8 mmol)을 250 mL 둥근 바닥 플라스크에서 톨루엔 100 mL 중에 혼합하였다. 질소로 혼합물을 통해 20 분 동안 발포시키고, 그 혼합물을 질소 대기 하에 밤새 환류시켰다. 반응 혼합물을 냉각하고, 용매를 진공 하에 제거하였다. 미정제 생성물은 용출액으로서 헥산 중의 2% 에틸 아세테이트에 의한 실리카 겔 컬럼을 사용하여 크로마토그래피 처리하였다. 이어서, 용매를 진공 하에 제거하여 생성물 3.5 g을 생성하였다.
단계 4
단계 3으로부터 얻은 리간드(20 g, 65 mmol), 염화이리듐(5.0 g, 14 mmol), 2-에톡시에탄올(75 mL) 및 물(12.5 mL)을 250 mL 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 반응기 내용물을 질소 대기 하에 16-19h 동안 102℃로 가열하였다. 디클로로 브리지 형성된 이리듐 다이머는 단리하지 않았다.
단계 5
단계 4로부터 얻은 반응기 내용물을 주위로 냉각하였다. 2,4-펜탄디온(14.O g, 140 mmol) 및 탄산나트륨(30.0 g, 280 mmol)을 반응기에 첨가하였다. 이 반응 혼합물을 주위에서 24 h 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 셀라이트 5 g 및 디클로로메탄 50O mL를 첨가하여 생성물을 용해시켰다. 이어서, 그 혼합물을 셀라이트 층을 통해 여과시켰다. 이어서, 여과물을 실리카/알루미나 플러그를 통해 여과시키고, 디클로로메탄으로 세척하였다. 이어서, 맑아진 용액을 GF/F 필터지를 통해 여과시키고, 여과물을 가열하여 대부분의 디클로로메탄을 제거하였다. 이어서, 이소프로판올 20 mL를 첨가하고, 이 슬러리를 주위로 냉각한 후, 생성물을 여과시키고, 이소프로판올로 세척한 후, 건조시켜서 미정제 생성물 7.1 g( 55% 수율)을 생성하였다. 이어서, 그 생성물은 디클로로메탄 및 이소프로판올을 사용하여 2회 재결정화한 후, 승화시켰다.
화합물 5의 합성
단계 1
2-클로로퀴놀린(9.O g, 54.4 mmol), 3,5-디메틸페닐보론산(9.2 g, 59.8 mmol), Pd(PPh3)4(1.8 g, 1.5 mmol), K2CO3(22.4 g, 163 mmol), 1,2-디메톡시에탄(150 mL) 및 물(150 mL)을 50O mL 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 그 반응 혼합물을 질소 하에 18 h 동안 환류로 가열하였다. 이어서, 반응 혼합물을 주위로 냉각하고, 유기상을 수상으로부터 분리하였다. 수상을 에틸 아세테이트로 세척하고, 모든 유기 성분을 합하여 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이어서, 용매를 진공 하에 제거하고, 생성물은 실리카 겔 크로마토그래피(용출액으로서 헥산 중의 10% 에틸 아세테이트)를 사용하여 정제하였다. 얻어진 물질을 진공 증류로 추가 정제하여 무색 오일로서 생성물 12.2 g(95% 수율)을 생성하였다.
단계 2
단계 1로부터 얻어지는 리간드(46 g, 197.4 mmol), 2-에톡시에탄올(536 mL) 및 물(178 mL)을 1 L 3목 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 질소 가스로 반응 혼합물을 통해 45 분 동안 발포시켰다. 이어서, IrCl3ㆍH2O(32.0 g, 86.2 mmol)을 첨가하고, 반응 혼합물을 질소 하에 17 시간 동안 환류로 가열하였다. 반응 혼합물을 주위로 냉각하고, 여과시켰다. 암회색 잔류물을 메탄올(4 x 150 mL), 이어서 헥산(3 x 300 mL)으로 세척하였다. 디클로로 브리지 형성된 이리듐 다이머 36.5 g을 진공 오븐에서 건조시킨 후 얻었다.
단계 3
2,8-디메틸노난-4,6-디온(10.O g, 5.4 mmol), 칼륨 tert-부톡사이드(7.O g, 6.5 mmol) 및 무수 THF(15O mL)를 250 mL 3목 건조 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 이 반응 혼합물을 주위에서 질소의 대기 하에 1h 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 요오도메탄(15 g, 105 mmol)을 바늘 및 주사기를 통해 첨가하였다. 이 반응 혼합물을 주위에서 추가 4 h 동안 계속 교반하였다. 반응은 GC로 모니터링하였다. 반응을 물 100 mL로 켄칭하고, 1M 염산으로 산성화하였다. 생성물을 에틸 아세테이트로 추출하고, 실리카 겔 크로마토그래피(헥산 중의 l-5% 에틸 아세테이트)를 이용하는 크로마토그래피 처리하였다. HPLC에 의하면, 생성물(2,5,8-트리메틸노난-4,6-디온)은 2,8-디메틸노난-4,6-디온(출발 물질)의 혼합물을 함유한 것으로 나타났다. 이로부터 이동상으로서 헥산 중의 1-5% 에틸 아세테이트와 함께 탈활성화된 염기성 알루미나를 사용하는 크로마토그래피를 통해 생성물을 분리하여 생성물 3.6 g(33% 수율)을 생성하였다.
단계 4
단계 2로부터 얻어지는 디클로로브리지 형성된 이리듐 다이머(1.O g, 0.7 mmol), 2,5,8-트리메틸노난-4,6-디온(1.4g, 10 mol eq ), Na2CO3(2.O g, 20 mol eq ) 및 2-에톡시에탄올(25 mL)을 250 mL 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 반응 혼합물을 주위에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 셀라이트 1g 및 디클로메탄 10O mL를 첨가하여 생성물을 용해시켰다. 이어서, 혼합물을 셀라이트 층을 통해 여과시켰다. 이어서, 여과물을 실리카/알루미나 플러그를 통해 통과시키고, 디클로메탄으로 세척하였다. 이어서, 맑아진 용액을 GF/F 필터지를 통해 여과시키고, 여과물을 가열하여 대부분의 디클로로메탄을 제거하였다. 이어서, 이소프로판올 10 mL를 첨가하고, 그 슬러리를 주위로 냉각하고, 생성물을 여과시키고, 이소프로판올로 세척한 후, 건조시켜서 미정제 생성물 0.7 g(57% 수율)을 생성하였다. 이어서, 이 생성물은 디클로로메탄 및 이소프로판올을 사용하여 2회 재결정화한 후, 승화시켰다.
화합물 6의 합성
단계 1
4-클로로페닐에틸아민 히드로클로라이드(10.O g, 64 mmol), 피리딘(15.3 g, 193 mmol) 및 디클로로메탄(5O mL)을 3목 둥근 바닥 플라스크에 첨가하였다. 이 용액을 빙조에서 냉각하고, 3,5-디메틸벤조일 클로라이드(10.8 g, 64 mmol)를 서서히 첨가하였다. 이 용액을 실온으로 가온하고, 12 시간 동안 교반하였다. 디클로로메탄을 첨가하고, 유기상을 물로 세척하고, 이어서 5% HCl 용액, 이어서 5% NaOH 용액으로 세척한 후, 무수 MgSO4로 건조시켰다. 용매를 진공 하에 증발시켜서 결과적으로 미정제 생성물 15 g(82% 수율)을 형성시켰고, 이것을 추가 정제 없이 사용하였다.
단계 2
N-(4-클로로페닐에틸)벤즈아미드(15 g, 52 mmol), 이소부틸보론산(10.6 g, 104 mmol), Pd2(dba)3(l mol%), 2-시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시바이페닐(4 mol%), 인산칼륨 1수화물(22.0 g, 212 mmol) 및 톨루엔(200 mL)을 25O mL 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 질소로 반응 혼합물을 통해 20 분 동안 발포시키고, 18 h 동안 밤새 환류로 가열하였다. 반응 혼합물을 주위 온도로 냉각하고, 미정제 생성물은 용매로서 헥산 중의 2% 에틸 아세테이트를 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 소정의 생성물 15 g(93% 수율)을 얻었다.
단계 3
N-(4-p-이소부틸페닐에틸)벤즈아미드(15.O g), 오산화인(5O g), 옥시염화인( 5O mL) 및 크실렌(16O mL)을 1 L 둥근 바닥 플라스크에서 3 시간 동안 환류시켰다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각한 후, 용매를 경사 분리하고, 얼음을 플라스크의 바닥의 고체에 서서히 첨가하였다. 물-잔류물 혼합물을 50% NaOH로 약 알칼리성으로 만들고, 생성물을 톨루엔으로 추출하였다. 유기층을 물로 세척하고, 무수 MgSO4로 건조시켰다. 용매를 증발시켜서 미정제 생성물 12.4 g(88% 수율)을 생성하였고, 이것을 추가 정제 없이 사용하였다.
단계 4
l-(3,5-디메틸페닐)-7-이소부틸-3,4-디히드로이소퀴놀린(12.4 g, 42.5 mmol) 및 5% Pd/C(~10 중량%) 2 g을, 크실렌 100 mL를 구비한 50O mL 둥근 바닥 플라스크에 첨가하였다. 이 용액을 24 h 동안 환류시켰고, 생성물의 형성을 TLC로 모니터링하였다. 용매를 진공 하에 제거하고, 생성물은 용출액으로서 헥산 중의 5% 에틸 아세테이트를 사용하는 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 이어서, 생성물을 진공 증류시켜서 순수 생성물(6.O g, 21 mmol)을 생성하였다.
단계 5
단계 4로부터 얻은 리간드(4.7g, 14 mmol) , 2-에톡시에탄올(25 mL) 및 물(5 mL)을 1 L 3목 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 질소 가스로 반응 혼합물을 통해 45 분 동안 발포시켰다. 이어서, IrCl3ㆍH2O(1.2 g, 3.6 mmol)를 첨가하고, 반응 혼합물을 질소 하에 17 시간 동안 환류로 교반하였다. 반응 혼합물을 주위로 냉각하고, 여과시켰다. 암적색 잔류물을 메탄올(2 x 25 mL), 이어서 헥산(2 x 25 mL)으로 세척하였다. 디클로로브리지 형성된 이리듐 다이머 2.5 g을 진공 오븐에서 건조시킨 후 얻었다.
단계 6
단계 5로부터 얻어지는 디클로로브리지 형성된 이리듐 다이머(2.5 g, 1.5 mmol), 2,8-디메틸노난-4,6-디온(2.8 g, 10 mol eq), Na2CO3(4.3 g, 20 mol eq) 및 2-에톡시에탄올(25 mL)을 250 mL 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 이 반응 혼합물을 주위에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 셀라이트 2 g 및 디클로로메탄 20O mL를 첨가하여 생성물을 용해시켰다. 이어서, 반응 혼합물을 셀라이트 층을 통해 여과시켰다. 이어서, 여과물을 실리카/알루미나 플러그를 통해 통과시키고, 디클로로메탄으로 세척하였다. 이어서, 맑아진 용액을 GF/F 필터지를 통해 여과시키고, 여과물을 가열하여 대부분의 디클로로메탄을 제거하였다. 이어서, 이소프로판올 20 mL을 첨가하고, 그 슬러리를 주위로 냉각하고, 생성물을 여과시키고 이소프로판올로 세척한 후, 건조시켜서 미정제 생성물 2.5 g(86% 수율)을 생성하였다. 이어서, 그 생성물은 디클로로메탄 및 이소프로판올로 2회 재결정화한 후, 승화시켰다.
화합물 7의 합성
단계 1
4-이소프로필페닐에틸아민 히드로클로라이드(5.0 g, 25 mmol), 피리딘(5.9 g, 75 mmol) 및 디클로로메탄(25 mL)을 3목 둥근 바닥 플라스크 내에 첨가하였다. 이 용액을 빙조에서 냉각하고, 3,5-디메틸벤조일 클로라이드(4.2 g, 25 mmol)를 서서히 첨가하였다. 이어서, 그 용액을 실온으로 가온하고, 12 시간 동안 교반하였다. 디클로로메탄을 첨가하고, 유기상을 물, 5% HCl 용액, 이어서 5% NaOH 용액으로 세척한 후, 무수 MgSO4로 건조시켰다. 용매를 진공 하에 증발시켜서 미정제 생성물 7.5 g(82% 수율)을 생성하였고, 이것을 추가 정제 없이 사용하였다.
단계 2
크실렌 80 mL 중의 N-(4-p-이소프로필페닐에틸)벤즈아미드(7.5 g)를 오산화인(25 g) 및 옥시염화인(25 mL)과 함께 3 시간 동안 환류시켰다. 냉각 후, 용매를 경사 분리하고, 얼음을 플라스크의 바닥에 있는 고체에 서서히 첨가하였다. 물-잔류물 혼합물을 50% NaOH로 약 알칼리성으로 만들고, 생성물을 톨루엔으로 추출하였다. 유기층을 물로 세척하고, 무수 MgSO4로 건조시켰다. 용매를 진공 하에 제거하여 미정제 생성물 6.2 g을 생성하였고, 이것을 추가 정제 없이 사용하였다.
단계 3
7-이소프로필-l-페닐-3,4-디히드로이소퀴놀린(6.2 g) 및 5% Pd/C(~10 중량%)(1 g)을, 크실렌 100 mL를 구비한 둥근 바닥 플라스크 내에 첨가하였다. 이 용액을 24 시간 동안 환류시켰고, 생성물의 형성은 TLC로 모니터링하였다. 크실렌 용매를 제거하고, 생성물은 에틸 아세테이트/헥산을 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 순수 분획을 수집하고, 용매를 제거하였다. 이어서, 생성물은 쿠겔로 장치(kugelrohr apparatus)에서 185℃로 증류시켜서 순수 생성물 1.8 g(0.0073 mol)을 생성하였다. 리간드 형성의 전체 수율은 ~15%이었다.
단계 4
단계 3으로부터 얻은 리간드(1.8 g, 7.3 mmol), 2-에톡시에탄올(25 mL) 및 물(5 mL)을 1 L 3목 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 질소 가스로 반응 혼합물을 통해 45 분 동안 발포시켰다. 이어서, IrCl3ㆍH2O(1.2 g, 3.6 mmol)을 첨가하고, 반응 혼합물을 질소 하에 17 시간 동안 환류로 가열하였다. 반응 혼합물을 주위로 냉각하고, 여과시켰다. 암적색 잔류물을 메탄올(2 x 25 mL), 이어서 헥산(2 x 25 mL)으로 세척하였다. 디클로로브리지 형성된 이리듐 다이머 1.3 g을 진공 오븐에서 건조시킨 후 얻었다.
단계 5
단계 2로부터 얻어지는 디클로로브리지 형성된 이리듐 다이머(1.3 g, 0.9 mmol), 2,8-디메틸노난-4,6-디온(1.6 g, 10 mol eq), Na2CO3(2.5 g, 20 mol eq) 및 2-에톡시에탄올(25 mL)을 250 mL 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 반응 혼합물을 주위에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 셀라이트 2 g 및 디클로로메탄 20O mL를 첨가하여 생성물을 용해시켰다. 이어서, 혼합물을 셀라이트 층을 통해 여과시켰다. 이어서, 여과물을 실리카/알루미나 플러그를 통해 통과시키고, 디클로로메탄으로 세척하였다. 이어서, 맑아진 용액을 GF/F 필터지를 통해 여과시키고, 여과물을 가열하여 대부분의 디클로로메탄을 제거하였다. 이어서, 이소프로판올 20 mL를 첨가하고, 그 슬러리를 주위로 냉각하고, 생성물을 여과시키고 이소프로판올로 세척한 후, 건조시켜서 미정제 생성물 1.4 g(92% 수율)을 생성하였다. 이어서, 그 생성물은 디클로로메탄 및 이소프로판올을 사용하여 2회 재결정화한 후, 승화시켰다.
화합물 8의 합성
단계 1
2-아미노-4-클로로벤조산(42.8 g, 0.25 mol)을 무수 THF 200 mL 중에 용해시키고, 빙수조에서 냉각하였다. 이 용액에 수소화알루미늄리튬 칩(11.76 g, 0.31 mol)을 첨가하였다. 그 결과로 형성된 혼합물을 실온에서 8 h 시간 동안 교반하였다. 물 12 g을 첨가한 후, 15% NaOH 12 g을 첨가하였다. 이어서, 물 36 g을 첨가하였다. 그 슬러리를 실온에서 30 분 동안 교반하였다. 슬러리를 여과시켰다. 고체를 에틸 아세테이트로 세척하였다. 액체를 합하여 용매를 증발시켰다. 이 미정제 물질을 정제 없이 다음 단계에 사용하였다.
단계 2
2-아미노-4-클로로페닐)메탄올(6.6 g, 0.04 mol), 1-(3,5-디메틸페닐)에탄온(10.0 g, 0.068 mol), RuCl2(Ph3)3(0.1 g) 및 KOH(2.4 g)을 톨루엔 100 mL 중에 10 시간 동안 환류시켰다. 딘-스타크 트랩을 사용하여 물을 반응으로부터 수집하였다. 반응을 실온으로 냉각한 후, 그 혼합물을 실리카 겔 플러그를 통해 여과시켰다. 생성물은 용출액으로서 헥산 중의 2% 에틸 아세테이트를 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 추가 정제하였다. 생성물 9 g을 컬럼 후에 얻었다. 생성물은 이소프로판올로부터 추가 재결정화하였다. 소정의 생성물 5 g을 얻었다.
단계 3
7-클로로-2-(3,5-디메틸페닐)퀴놀린(3.75 g, 0.014 mol), 이소부틸보론산(2.8 g, 0.028 mol), Pd2(dba)3(1 mol%), 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시바이페닐(4 mol%) 및 톨루엔(100 mL)을 250 mL 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 질소로 반응 혼합물을 통해 20 분 동안 발포시키고, 18 시간 동안 밤새 환류로 가열하였다. 반응 혼합물을 주위 온도로 냉각하고, 미정제 생성물은 용출액으로서 헥산 중의 2% 에틸 아세테이트를 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 소정의 생성물 3.6 g을 얻었다.
단계 4
단계 3으로부터 얻어지는 리간드(4.6 g, 16 mmol), 2-에톡시에탄올(25 mL) a 및 물(5 mL)을 1 L 3목 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 질소 가스로 반응 혼합물을 통해 45 분 동안 발포시켰다. 이어서, IrCl3ㆍH2O(1.2 g, 3.6 mmol)을 첨가하고, 반응 혼합물을 질소 하에 17 시간 동안 환류로 가열하였다. 반응 혼합물을 주위로 냉각하고, 여과시켰다. 암적색 잔류물을 메탄올(2 x 25 mL), 이어서 헥산(2 x 25 mL)으로 세척하였다. 디클로로브리지 형성된 이리듐 다이머 1.3 g을 진공 오븐에서 건조시킨 후, 얻었다.
단계 5
단계 2로부터 얻어지는 디클로로브리지 형성된 이리듐 다이머(1.O g, 0.6 mmol), 3-메틸-2,4-펜탄디온(0.8 g, 10 mol eq ), Na2CO3(3 g, 20 mol eq) 및 2-에톡시에탄올(25 mL)을 250 mL 둥근 바닥 플라스크 내에 넣었다. 반응 혼합물을 주위에서 24 시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 셀라이트 2 g 및 디클로로메탄 200 mL를 첨가하여 생성물을 용해시켰다. 이어서, 그 혼합물을 셀라이트 층을 통해 여과시켰다. 이어서, 그 여과물을 실리카/알루미나 플러그를 통해 통과시키고, 디클로로메탄으로 세척하였다. 이어서, 맑아진 용액을 GF/F 필터지를 통해 여과시키고, 그 여과물을 가열하여 대부분의 디클로로메탄을 제거하였다. 이어서, 이소프로판올 20 mL를 첨가하고, 그 슬러리를 주위로 냉각하고, 생성물을 여과시키고 이소프로판올로 세척한 후, 건조시켜서 미정제 생성물 1.1 g(97% 수율)을 생성하였다. 이어서, 이 생성물은 디클로로메탄 및 이소프로판올을 사용하여 2회 재결정화한 후, 승화시켰다.
화합물 9의 합성
화합물 9는 본 발명 화합물 7에 대하여 요약 기재된 바와 같은 동일한 절차를 이용하여 합성할 수 있었다. 이 경우에는 형성되는 디클로로브리지 형성된 이리듐 다이머를 2,4-펜탄 디온으로 절단하여 그 생성물을 제공해야 했다.
화합물 10의 합성
화합물 10은 본 발명 화합물 6에 대하여 요약 기재된 바와 같은 동일한 절차를 이용하여 합성할 수 있었다. 이 경우에는 형성되는 디클로로브리지 형성된 이리듐 다이머를 2,4-펜탄디온으로 절단하여 그 생성물을 제공해야 했다.
화합물 11의 합성
화합물 11의 합성은 이미 개시된 일반적인 합성 접근법을 이용하여 용이하게 합성할 수 있었다.
화합물 12의 합성
화합물 12의 합성은 이미 개시된 일반적인 합성 접근법을 이용하여 용이하게 합성할 수 있었다.
디바이스
실시예
모든 디바이스 실시예는 고 진공(< 10-7 Torr) 열적 증발로 제조하였다. 애노드 전극은 인듐 주석 산화물(ITO) 1200Å이었다. 캐소드는 LiF 10Å, 이어서 Al 1000 Å로 구성되었다. 모든 디바이스는 제조 직후 질소 글로브 박스(H2O 및 O2 < 1 ppm)에서 에폭시 수지에 의해 밀봉된 유리 리드로 캡슐화하였고, 그 패키지 내부에 수분 게더(getter)를 혼입하였다.
표 2에서 디바이스 실시예 1-8의 유기 스택은 ITO 표면, 정공 주입 층(HIL)으로서 Ir(3-Meppy)3 100 Å, 정공 수송 층(HTL)으로서 4,4'-비스[N-(l-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(α-NPD) 400Å, 방출 층(EML)으로서 본 발명 화합물 8-12% 도핑된 BAlq 300Å 및 ETL로서 Alq3(트리스-8-히드록시퀴놀린 알루미늄) 550Å로 순차적으로 구성되었다.
비교예 1 및 2는 Ir(3-Mepq)2(acac) 또는 Ir(piq)2(acac)를 방출성 도펀트로서 사용했다는 점을 제외하고는 디바이스 실시예와 유사하게 제조하였다.
디바이스 구조 및 데이터를 표 2에 요약 기재하였다. 본원에 사용된 바와 같이, 하기 화합물은 하기 구조식을 보유하였다.
[표 2]
표 2로부터 이해할 수 있는 바와 같이, 본 발명의 화합물을 함유하는 디바이스 실시예는 Ir(3-Mepq)2(acac) 또는 Ir(piq)2(acac)를 함유하는 비교예에 대하여 유사하거나 더 높은 디바이스 효율 및 수명을 나타내고 또한 극히 좁은 방출 스펙트럼을 나타낸다. 디바이스 실시예 중 몇몇은 매우 우수한 특성을 나타낸다. 예를 들면, 실시예 3의 LE 및 EQE는 각각 (0.662, 0.335)의 CIE에서 21.1 cd/A 및 18.2%이다. 또한, 실시예 4의 LE 및 EQE는 각각 (0.666, 0.331)의 CIE에서 18.7 cd/A 및 11.4%이다. 이러한 효율은 비교예 1의 것보다 유의적으로 더 크고, 비교예 1은 LE 및 EQE 14.3 cd/A 및 14%를 가지며, 약간 보다 더 청색 CIE(0.65, 0.35)을 갖는다. 추가로, 실시예 6의 LE 및 EQE는 각각 (0.691, 0.307)의 CIE에서 14.0 cd/A 및 20.4%이고, 실시예 8의 LE 및 EQE는 각각 (0.690, 0.307)의 CIE에서 13.3 cd/A 및 19.4%이며, 이는 (0.68, 0.32)의 CIE에서 11.1 cd/A 및 15.4%를 갖는 LE 및 EQE를 보유하는 비교예 2와 비교된다. 유의할 것은 이러한 실시예가 비교예 2보다 훨씬 더 적색이라고 할지라도, 이들 실시예에 대한 효율은 여전히 유의적으로 더 높다. 실시예 3, 4, 6 및 7에 대한 EL의 FWHM(Full Width Half Max)은 각각 59, 61, 55 및 55 nm이다. 이들은 FWHM 94 및 84 nm를 지닌 비교예 1 및 2에 대하여 각각 측정된 EL보다 훨씬 더 좁다. 디바이스 실시예 6 및 7은 현재까지 보고된 임의의 적색 인듐 착물 중 가장 좁은 FWHM을 갖는다. 그러므로, 본 발명의 화합물은 디바이스에서 효율, 안정성 및 발광성을 개선시키는데 유리하게 사용될 수 있다. 분지형 디케톤 리간드, 에를 들면 화합물 3, 6 및 7을 사용하는 승화 온도는 또한 제조에서 요구되는 장기간 열적 증발에 매우 적합하도록 매우 낮다.
추가로, 70℃ 수명 비교는 디바이스 실시예 8이 비교예 1 및 2 양자 보다 더 안정하다는 점을 보여준다. 그러므로, 본 발명의 화합물은 디바이스 수명을 개선시키기 위해서 디바이스에 유리하게 사용될 수 있다.
본원에 설명된 다양한 실시양태가 단지 예를 들어 존재하며, 그리고 본 발명의 영역을 한정하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들면, 본원에 설명된 물질 및 구조의 다수는 본 발명의 사상으로부터 벗어나는 일 없이 다른 물질 및 구조에 의해 대체될 수 있다. 그러므로, 특허 청구된 바와 같은 본 발명은, 해당 기술 분야의 당업자에게는 명백한 바와 같이, 본원에 설명된 구체적 실시예 및 바람직한 실시양태로부터 유래된 변형을 포함할 수 있다. 본 발명이 작동하는지에 관한 다양한 이론은 제한되지 않는 것으로 이해되어야 한다.
Claims (46)
- 제2항에 있어서, 상기 유기 층이 상기 화합물 및 호스트를 포함하는 방출 층인 것인 디바이스.
- 제3항에 있어서, 상기 화합물이 방출성 물질인 것인 디바이스.
- 제3항에 있어서, 상기 호스트가 금속 배위결합 착물인 것인 디바이스.
- 디바이스를 포함하는 소비재(consumer product)로서, 상기 디바이스는
애노드,
캐소드, 및
이 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기 층으로서, 제1항에 정의된 화합물을 더 포함하는 유기 층을 더 포함하는 것인 소비재. - 제7항에 있어서, M은 Ir인 화합물.
- 제8항에 있어서, 상기 화합물은 인광성 물질인 것인 화합물.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US9748808P | 2008-09-16 | 2008-09-16 | |
US61/097,488 | 2008-09-16 | ||
PCT/US2009/057098 WO2010033550A1 (en) | 2008-09-16 | 2009-09-16 | Phosphorescent materials |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020167031116A Division KR20160131127A (ko) | 2008-09-16 | 2009-09-16 | 인광성 물질 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170086673A KR20170086673A (ko) | 2017-07-26 |
KR101974294B1 true KR101974294B1 (ko) | 2019-04-30 |
Family
ID=41180009
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157036659A KR20160005137A (ko) | 2008-09-16 | 2009-09-16 | 인광성 물질 |
KR1020117008681A KR101649768B1 (ko) | 2008-09-16 | 2009-09-16 | 인광성 물질 |
KR1020167031116A KR20160131127A (ko) | 2008-09-16 | 2009-09-16 | 인광성 물질 |
KR1020177019540A KR101974294B1 (ko) | 2008-09-16 | 2009-09-16 | 인광성 물질 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157036659A KR20160005137A (ko) | 2008-09-16 | 2009-09-16 | 인광성 물질 |
KR1020117008681A KR101649768B1 (ko) | 2008-09-16 | 2009-09-16 | 인광성 물질 |
KR1020167031116A KR20160131127A (ko) | 2008-09-16 | 2009-09-16 | 인광성 물질 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9034483B2 (ko) |
EP (3) | EP2999021B1 (ko) |
JP (4) | JP5878371B2 (ko) |
KR (4) | KR20160005137A (ko) |
CN (2) | CN103539821B (ko) |
TW (2) | TWI482756B (ko) |
WO (1) | WO2010033550A1 (ko) |
Families Citing this family (120)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210130847A (ko) | 2006-02-10 | 2021-11-01 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 시클로금속화 이미다조[1,2-f]페난트리딘 및 디이미다조[1,2-a:1',2'-c]퀴나졸린 리간드, 및 이의 등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체 |
KR102312855B1 (ko) * | 2007-03-08 | 2021-10-14 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 인광성 물질 |
US9130177B2 (en) * | 2011-01-13 | 2015-09-08 | Universal Display Corporation | 5-substituted 2 phenylquinoline complexes materials for light emitting diode |
TWI482756B (zh) * | 2008-09-16 | 2015-05-01 | Universal Display Corp | 磷光物質 |
US8288187B2 (en) | 2010-01-20 | 2012-10-16 | Universal Display Corporation | Electroluminescent devices for lighting applications |
US8269317B2 (en) * | 2010-11-11 | 2012-09-18 | Universal Display Corporation | Phosphorescent materials |
US10008677B2 (en) * | 2011-01-13 | 2018-06-26 | Universal Display Corporation | Materials for organic light emitting diode |
WO2012108878A1 (en) * | 2011-02-11 | 2012-08-16 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device and materials for use in same |
WO2012108877A1 (en) * | 2011-02-11 | 2012-08-16 | University Display Corporation | Organic light emitting device and materials for use in same |
US8748012B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-06-10 | Universal Display Corporation | Host materials for OLED |
TWI429652B (zh) * | 2011-08-05 | 2014-03-11 | Ind Tech Res Inst | 有機金屬化合物及包含其之有機電激發光裝置 |
US9512355B2 (en) | 2011-12-09 | 2016-12-06 | Universal Display Corporation | Organic light emitting materials |
US9163174B2 (en) * | 2012-01-04 | 2015-10-20 | Universal Display Corporation | Highly efficient phosphorescent materials |
KR102012047B1 (ko) * | 2012-01-06 | 2019-08-19 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 효율이 큰 인광 물질 |
US9386657B2 (en) | 2012-03-15 | 2016-07-05 | Universal Display Corporation | Organic Electroluminescent materials and devices |
JP2015526886A (ja) * | 2012-06-14 | 2015-09-10 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | Oled発光領域のためのビスカルバゾール誘導体ホスト物質及び赤色発光体 |
US9540329B2 (en) | 2012-07-19 | 2017-01-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9252363B2 (en) | 2012-10-04 | 2016-02-02 | Universal Display Corporation | Aryloxyalkylcarboxylate solvent compositions for inkjet printing of organic layers |
US9196860B2 (en) | 2012-12-04 | 2015-11-24 | Universal Display Corporation | Compounds for triplet-triplet annihilation upconversion |
US8716484B1 (en) | 2012-12-05 | 2014-05-06 | Universal Display Corporation | Hole transporting materials with twisted aryl groups |
US9653691B2 (en) | 2012-12-12 | 2017-05-16 | Universal Display Corporation | Phosphorescence-sensitizing fluorescence material system |
WO2014199842A1 (en) | 2013-06-14 | 2014-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometallic iridium complex, light-emitting element, light-emitting device, and lighting device |
US10199581B2 (en) | 2013-07-01 | 2019-02-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9876173B2 (en) | 2013-12-09 | 2018-01-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
KR20150094127A (ko) * | 2014-02-10 | 2015-08-19 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기 전계 발광 소자 |
US10003033B2 (en) * | 2014-02-18 | 2018-06-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9450198B2 (en) | 2014-04-15 | 2016-09-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
KR102308903B1 (ko) * | 2014-06-17 | 2021-10-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR102241847B1 (ko) * | 2014-07-29 | 2021-04-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
CN104193783B (zh) * | 2014-07-31 | 2017-05-17 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 苯并异喹啉金属配合物及其制备方法与应用 |
KR20160052443A (ko) | 2014-11-04 | 2016-05-12 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 도판트 화합물 및 호스트 화합물의 신규한 조합 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
KR101636310B1 (ko) | 2014-11-06 | 2016-07-05 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
KR102603350B1 (ko) | 2014-11-18 | 2023-11-21 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 복수종의 도판트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
US9929361B2 (en) | 2015-02-16 | 2018-03-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11056657B2 (en) | 2015-02-27 | 2021-07-06 | University Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US9859510B2 (en) | 2015-05-15 | 2018-01-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10418568B2 (en) | 2015-06-01 | 2019-09-17 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11127905B2 (en) | 2015-07-29 | 2021-09-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10361381B2 (en) | 2015-09-03 | 2019-07-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20170229663A1 (en) | 2016-02-09 | 2017-08-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10236456B2 (en) | 2016-04-11 | 2019-03-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11482683B2 (en) | 2016-06-20 | 2022-10-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10672997B2 (en) | 2016-06-20 | 2020-06-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10862054B2 (en) | 2016-06-20 | 2020-12-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10608186B2 (en) | 2016-09-14 | 2020-03-31 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10680187B2 (en) | 2016-09-23 | 2020-06-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11196010B2 (en) | 2016-10-03 | 2021-12-07 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11011709B2 (en) | 2016-10-07 | 2021-05-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20180130956A1 (en) | 2016-11-09 | 2018-05-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10680188B2 (en) | 2016-11-11 | 2020-06-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
KR20180065353A (ko) | 2016-12-07 | 2018-06-18 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기 전계 발광 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
KR102359412B1 (ko) * | 2016-12-27 | 2022-02-09 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
US11780865B2 (en) | 2017-01-09 | 2023-10-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10686146B2 (en) * | 2017-02-13 | 2020-06-16 | Feng-wen Yen | Paracyclophane-based iridium complexes for organic electroluminescence device |
US10844085B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-11-24 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US10944060B2 (en) | 2017-05-11 | 2021-03-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20180370999A1 (en) | 2017-06-23 | 2018-12-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11228010B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-01-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11744142B2 (en) | 2017-08-10 | 2023-08-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20190161504A1 (en) | 2017-11-28 | 2019-05-30 | University Of Southern California | Carbene compounds and organic electroluminescent devices |
EP3492480B1 (en) | 2017-11-29 | 2021-10-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11937503B2 (en) | 2017-11-30 | 2024-03-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20190194234A1 (en) * | 2017-12-25 | 2019-06-27 | Chuanjun Xia | Metal complexes containing heterocycle substituted ligands, and electroluminescent devices and formulations containing the complexes |
US11542289B2 (en) | 2018-01-26 | 2023-01-03 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP3549944B1 (en) * | 2018-04-02 | 2021-12-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organometallic compound, organic light-emitting device including the same, and diagnostic composition including the organometallic compound |
US11459348B2 (en) | 2018-04-02 | 2022-10-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organometallic compound, organic light-emitting device including the same, and diagnostic composition including the organometallic compound |
KR102206820B1 (ko) * | 2018-05-14 | 2021-01-22 | 주식회사 엘지화학 | 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
CN109053810A (zh) * | 2018-07-12 | 2018-12-21 | 浙江福斯特新材料研究院有限公司 | 有机金属铱化合物及有机电致发光器件 |
EP3604321B1 (en) | 2018-07-31 | 2022-02-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organometallic compound, organic light-emitting device including the same, and diagnostic composition including the organometallic compound |
CN109053813A (zh) * | 2018-08-03 | 2018-12-21 | 瑞声科技(南京)有限公司 | 一种红光金属配合物、其制备方法及应用 |
US20200075870A1 (en) | 2018-08-22 | 2020-03-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN117362353A (zh) * | 2018-09-20 | 2024-01-09 | 北京夏禾科技有限公司 | 含有新型辅助配体的有机发光材料 |
US11737349B2 (en) | 2018-12-12 | 2023-08-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US11780829B2 (en) | 2019-01-30 | 2023-10-10 | The University Of Southern California | Organic electroluminescent materials and devices |
KR20200095395A (ko) | 2019-01-31 | 2020-08-10 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
US20200251664A1 (en) | 2019-02-01 | 2020-08-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
JP2020158491A (ja) | 2019-03-26 | 2020-10-01 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス |
CN111909212B (zh) | 2019-05-09 | 2023-12-26 | 北京夏禾科技有限公司 | 一种含有6-硅基取代异喹啉配体的有机发光材料 |
CN111909213B (zh) | 2019-05-09 | 2024-02-27 | 北京夏禾科技有限公司 | 一种含有三个不同配体的金属配合物 |
CN111909214B (zh) | 2019-05-09 | 2024-03-29 | 北京夏禾科技有限公司 | 一种含有3-氘取代异喹啉配体的有机发光材料 |
CN111943986B (zh) * | 2019-05-17 | 2023-08-15 | 夏禾科技(江苏)有限公司 | 一种含有多个稠合杂环结构配体的金属配合物 |
US20210032278A1 (en) | 2019-07-30 | 2021-02-04 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
KR20210017822A (ko) | 2019-08-09 | 2021-02-17 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물 |
US20210047354A1 (en) | 2019-08-16 | 2021-02-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN112679548B (zh) | 2019-10-18 | 2023-07-28 | 北京夏禾科技有限公司 | 具有部分氟取代的取代基的辅助配体的有机发光材料 |
US20210135130A1 (en) | 2019-11-04 | 2021-05-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20210217969A1 (en) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220336759A1 (en) | 2020-01-28 | 2022-10-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP3937268A1 (en) | 2020-07-10 | 2022-01-12 | Universal Display Corporation | Plasmonic oleds and vertical dipole emitters |
JP2023542915A (ja) | 2020-09-18 | 2023-10-12 | 三星ディスプレイ株式會社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US20220158096A1 (en) | 2020-11-16 | 2022-05-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220162243A1 (en) | 2020-11-24 | 2022-05-26 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220165967A1 (en) | 2020-11-24 | 2022-05-26 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220271241A1 (en) | 2021-02-03 | 2022-08-25 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4060758A3 (en) | 2021-02-26 | 2023-03-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4059915A3 (en) | 2021-02-26 | 2022-12-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220298192A1 (en) | 2021-03-05 | 2022-09-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220298190A1 (en) | 2021-03-12 | 2022-09-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220298193A1 (en) | 2021-03-15 | 2022-09-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220340607A1 (en) | 2021-04-05 | 2022-10-27 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4075531A1 (en) | 2021-04-13 | 2022-10-19 | Universal Display Corporation | Plasmonic oleds and vertical dipole emitters |
US20220352478A1 (en) | 2021-04-14 | 2022-11-03 | Universal Display Corporation | Organic eletroluminescent materials and devices |
US20230006149A1 (en) | 2021-04-23 | 2023-01-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20220407020A1 (en) | 2021-04-23 | 2022-12-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20230133787A1 (en) | 2021-06-08 | 2023-05-04 | University Of Southern California | Molecular Alignment of Homoleptic Iridium Phosphors |
KR20230038890A (ko) | 2021-09-13 | 2023-03-21 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기 전계 발광 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
EP4151699A1 (en) | 2021-09-17 | 2023-03-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4212539A1 (en) | 2021-12-16 | 2023-07-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4231804A3 (en) | 2022-02-16 | 2023-09-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20230292592A1 (en) | 2022-03-09 | 2023-09-14 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20230337516A1 (en) | 2022-04-18 | 2023-10-19 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20230389421A1 (en) | 2022-05-24 | 2023-11-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4293001A1 (en) | 2022-06-08 | 2023-12-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240016051A1 (en) | 2022-06-28 | 2024-01-11 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240107880A1 (en) | 2022-08-17 | 2024-03-28 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4376583A2 (en) | 2022-10-27 | 2024-05-29 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4362645A3 (en) | 2022-10-27 | 2024-05-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4369898A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-05-15 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
EP4362631A3 (en) | 2022-10-27 | 2024-05-08 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20240180025A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-05-30 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100662430B1 (ko) * | 2005-11-07 | 2007-01-02 | 엘지전자 주식회사 | 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자 |
Family Cites Families (135)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4769292A (en) | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
GB8909011D0 (en) | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
US5061569A (en) | 1990-07-26 | 1991-10-29 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic electroluminescent medium |
EP0650955B1 (en) | 1993-11-01 | 1998-08-19 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | Amine compound and electro-luminescence device comprising same |
US5703436A (en) | 1994-12-13 | 1997-12-30 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
US5707745A (en) | 1994-12-13 | 1998-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic light emitting devices |
US6939625B2 (en) | 1996-06-25 | 2005-09-06 | Nôrthwestern University | Organic light-emitting diodes and methods for assembly and enhanced charge injection |
US5844363A (en) | 1997-01-23 | 1998-12-01 | The Trustees Of Princeton Univ. | Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices |
US6091195A (en) | 1997-02-03 | 2000-07-18 | The Trustees Of Princeton University | Displays having mesa pixel configuration |
US6013982A (en) | 1996-12-23 | 2000-01-11 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor display devices |
US5834893A (en) | 1996-12-23 | 1998-11-10 | The Trustees Of Princeton University | High efficiency organic light emitting devices with light directing structures |
US6303238B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-10-16 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs doped with phosphorescent compounds |
US6337102B1 (en) | 1997-11-17 | 2002-01-08 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
US6087196A (en) | 1998-01-30 | 2000-07-11 | The Trustees Of Princeton University | Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing |
US6528187B1 (en) | 1998-09-08 | 2003-03-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Material for luminescence element and luminescence element using the same |
US6097147A (en) | 1998-09-14 | 2000-08-01 | The Trustees Of Princeton University | Structure for high efficiency electroluminescent device |
US6830828B2 (en) | 1998-09-14 | 2004-12-14 | The Trustees Of Princeton University | Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs |
US6294398B1 (en) | 1999-11-23 | 2001-09-25 | The Trustees Of Princeton University | Method for patterning devices |
US6458475B1 (en) | 1999-11-24 | 2002-10-01 | The Trustee Of Princeton University | Organic light emitting diode having a blue phosphorescent molecule as an emitter |
KR100377321B1 (ko) | 1999-12-31 | 2003-03-26 | 주식회사 엘지화학 | 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자 |
US20020121638A1 (en) | 2000-06-30 | 2002-09-05 | Vladimir Grushin | Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds |
EP1325671B1 (en) | 2000-08-11 | 2012-10-24 | The Trustees Of Princeton University | Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence |
KR100750756B1 (ko) * | 2000-11-30 | 2007-08-20 | 캐논 가부시끼가이샤 | 발광 소자 및 표시 장치 |
US6579630B2 (en) | 2000-12-07 | 2003-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Deuterated semiconducting organic compounds used for opto-electronic devices |
JP3812730B2 (ja) | 2001-02-01 | 2006-08-23 | 富士写真フイルム株式会社 | 遷移金属錯体及び発光素子 |
JP4307000B2 (ja) | 2001-03-08 | 2009-08-05 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置 |
JP4310077B2 (ja) | 2001-06-19 | 2009-08-05 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物及び有機発光素子 |
DE60232415D1 (de) | 2001-06-20 | 2009-07-02 | Showa Denko Kk | Licht emittierendes material und organische leuchtdiode |
US7071615B2 (en) | 2001-08-20 | 2006-07-04 | Universal Display Corporation | Transparent electrodes |
US7250226B2 (en) | 2001-08-31 | 2007-07-31 | Nippon Hoso Kyokai | Phosphorescent compound, a phosphorescent composition and an organic light-emitting device |
US7431968B1 (en) | 2001-09-04 | 2008-10-07 | The Trustees Of Princeton University | Process and apparatus for organic vapor jet deposition |
US6835469B2 (en) | 2001-10-17 | 2004-12-28 | The University Of Southern California | Phosphorescent compounds and devices comprising the same |
US7166368B2 (en) | 2001-11-07 | 2007-01-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroluminescent platinum compounds and devices made with such compounds |
US6863997B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-03-08 | The Trustees Of Princeton University | White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission |
KR100691543B1 (ko) | 2002-01-18 | 2007-03-09 | 주식회사 엘지화학 | 새로운 전자 수송용 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자 |
US20030230980A1 (en) | 2002-06-18 | 2003-12-18 | Forrest Stephen R | Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure |
CN100340630C (zh) * | 2002-08-16 | 2007-10-03 | 南加利福尼亚大学 | 有机发光材料和器件 |
US7189989B2 (en) | 2002-08-22 | 2007-03-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light emitting element |
WO2004020549A1 (ja) | 2002-08-27 | 2004-03-11 | Fujitsu Limited | 有機金属錯体、有機el素子及び有機elディスプレイ |
US6687266B1 (en) | 2002-11-08 | 2004-02-03 | Universal Display Corporation | Organic light emitting materials and devices |
JP4365196B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-11-18 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP4365199B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-11-18 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
KR100509603B1 (ko) | 2002-12-28 | 2005-08-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 적색 발광 화합물 및 이를 채용한 유기 전계 발광 소자 |
WO2004085450A2 (en) | 2003-03-24 | 2004-10-07 | The University Of Southern California | Phenyl-pyrazole complexes of ir |
US7090928B2 (en) | 2003-04-01 | 2006-08-15 | The University Of Southern California | Binuclear compounds |
JP5318347B2 (ja) | 2003-04-15 | 2013-10-16 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 発光可能な、マトリックス材料と有機半導体との混合物、その使用、ならびに前記混合物を含む電子部品 |
US7029765B2 (en) | 2003-04-22 | 2006-04-18 | Universal Display Corporation | Organic light emitting devices having reduced pixel shrinkage |
WO2004107822A1 (ja) | 2003-05-29 | 2004-12-09 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | 有機電界発光素子 |
JP2005011610A (ja) | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 有機電界発光素子 |
US20050025993A1 (en) | 2003-07-25 | 2005-02-03 | Thompson Mark E. | Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices |
TWI390006B (zh) | 2003-08-07 | 2013-03-21 | Nippon Steel Chemical Co | Organic EL materials with aluminum clamps |
DE10338550A1 (de) | 2003-08-19 | 2005-03-31 | Basf Ag | Übergangsmetallkomplexe mit Carbenliganden als Emitter für organische Licht-emittierende Dioden (OLEDs) |
US20050260119A1 (en) * | 2003-09-09 | 2005-11-24 | Sunkara Mahendra K | Carbon nanopipettes methods of making and applications |
US20060269780A1 (en) | 2003-09-25 | 2006-11-30 | Takayuki Fukumatsu | Organic electroluminescent device |
JP4822687B2 (ja) | 2003-11-21 | 2011-11-24 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
US7332232B2 (en) | 2004-02-03 | 2008-02-19 | Universal Display Corporation | OLEDs utilizing multidentate ligand systems |
KR100834327B1 (ko) | 2004-03-11 | 2008-06-02 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 전하 수송막용 조성물 및 이온 화합물, 이를 이용한 전하수송막 및 유기 전계 발광 장치, 및 유기 전계 발광 장치의제조 방법 및 전하 수송막의 제조 방법 |
TW200531592A (en) | 2004-03-15 | 2005-09-16 | Nippon Steel Chemical Co | Organic electroluminescent device |
JP4869565B2 (ja) | 2004-04-23 | 2012-02-08 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
US7279704B2 (en) | 2004-05-18 | 2007-10-09 | The University Of Southern California | Complexes with tridentate ligands |
US7154114B2 (en) | 2004-05-18 | 2006-12-26 | Universal Display Corporation | Cyclometallated iridium carbene complexes for use as hosts |
WO2005112520A1 (ja) | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Nippon Hoso Kyokai | 発光素子 |
US7534505B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-05-19 | The University Of Southern California | Organometallic compounds for use in electroluminescent devices |
US7445855B2 (en) | 2004-05-18 | 2008-11-04 | The University Of Southern California | Cationic metal-carbene complexes |
US7491823B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-02-17 | The University Of Southern California | Luminescent compounds with carbene ligands |
US7393599B2 (en) | 2004-05-18 | 2008-07-01 | The University Of Southern California | Luminescent compounds with carbene ligands |
JP4934035B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2012-05-16 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 有機金属化合物およびかかる化合物で形成された素子 |
WO2005123873A1 (ja) | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP5000496B2 (ja) | 2004-06-28 | 2012-08-15 | チバ ホールディング インコーポレーテッド | トリアゾールとベンゾトリアゾールのエレクトロルミネセンス金属錯体 |
US20060008670A1 (en) | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Chun Lin | Organic light emitting materials and devices |
JP4858169B2 (ja) | 2004-07-23 | 2012-01-18 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
DE102004057072A1 (de) | 2004-11-25 | 2006-06-01 | Basf Ag | Verwendung von Übergangsmetall-Carbenkomplexen in organischen Licht-emittierenden Dioden (OLEDs) |
US8362463B2 (en) | 2004-12-30 | 2013-01-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Organometallic complexes |
WO2006082742A1 (ja) | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
KR100797469B1 (ko) * | 2005-03-08 | 2008-01-24 | 엘지전자 주식회사 | 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자 |
KR100803125B1 (ko) | 2005-03-08 | 2008-02-14 | 엘지전자 주식회사 | 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자 |
JP5125502B2 (ja) | 2005-03-16 | 2013-01-23 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
DE102005014284A1 (de) | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Basf Ag | Verwendung von Verbindungen, welche aromatische oder heteroaromatische über Carbonyl-Gruppen enthaltende Gruppen verbundene Ringe enthalten, als Matrixmaterialien in organischen Leuchtdioden |
WO2006103874A1 (ja) | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
GB2439030B (en) | 2005-04-18 | 2011-03-02 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic electroluminescent device, display and illuminating device |
US7807275B2 (en) | 2005-04-21 | 2010-10-05 | Universal Display Corporation | Non-blocked phosphorescent OLEDs |
US9051344B2 (en) | 2005-05-06 | 2015-06-09 | Universal Display Corporation | Stability OLED materials and devices |
JP4533796B2 (ja) | 2005-05-06 | 2010-09-01 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
US8007927B2 (en) | 2007-12-28 | 2011-08-30 | Universal Display Corporation | Dibenzothiophene-containing materials in phosphorescent light emitting diodes |
CN101203583A (zh) | 2005-05-31 | 2008-06-18 | 通用显示公司 | 发射磷光的二极管中的苯并[9,10]菲基质 |
JP4976288B2 (ja) | 2005-06-07 | 2012-07-18 | 新日鐵化学株式会社 | 有機金属錯体及びこれを用いた有機電界発光素子 |
JP5324217B2 (ja) | 2005-06-27 | 2013-10-23 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 導電性ポリマー組成物 |
WO2007004380A1 (ja) | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
WO2007028417A1 (en) | 2005-09-07 | 2007-03-15 | Technische Universität Braunschweig | Triplett emitter having condensed five-membered rings |
JP4887731B2 (ja) | 2005-10-26 | 2012-02-29 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
US9023489B2 (en) * | 2005-11-07 | 2015-05-05 | Lg Display Co., Ltd. | Red phosphorescent compounds and organic electroluminescent devices using the same |
CN101321755B (zh) | 2005-12-01 | 2012-04-18 | 新日铁化学株式会社 | 有机电致发光元件用化合物及有机电致发光元件 |
US20090295276A1 (en) | 2005-12-01 | 2009-12-03 | Tohru Asari | Organic Electroluminescent Device |
JP2007207916A (ja) | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elディスプレイ及び有機el素子 |
KR20210130847A (ko) | 2006-02-10 | 2021-11-01 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 시클로금속화 이미다조[1,2-f]페난트리딘 및 디이미다조[1,2-a:1',2'-c]퀴나졸린 리간드, 및 이의 등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체 |
US8142909B2 (en) | 2006-02-10 | 2012-03-27 | Universal Display Corporation | Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials |
JP4823730B2 (ja) | 2006-03-20 | 2011-11-24 | 新日鐵化学株式会社 | 発光層化合物及び有機電界発光素子 |
KR101551591B1 (ko) | 2006-04-26 | 2015-09-08 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 그들을 이용한 유기 전기 발광 소자 |
JP5432523B2 (ja) | 2006-05-11 | 2014-03-05 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR20090016684A (ko) | 2006-06-02 | 2009-02-17 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자용 재료 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자 |
US20070278936A1 (en) | 2006-06-02 | 2007-12-06 | Norman Herron | Red emitter complexes of IR(III) and devices made with such compounds |
JP2008013700A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Canon Inc | 発光材料及び発光素子 |
WO2008023550A1 (fr) | 2006-08-23 | 2008-02-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dérivé d'amine aromatique et dispositif électroluminescent organique utilisant celui-ci |
JP5589251B2 (ja) | 2006-09-21 | 2014-09-17 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料 |
CN101511834B (zh) | 2006-11-09 | 2013-03-27 | 新日铁化学株式会社 | 有机场致发光元件用化合物及有机场致发光元件 |
KR20120135325A (ko) | 2006-11-24 | 2012-12-12 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자 |
US8119255B2 (en) | 2006-12-08 | 2012-02-21 | Universal Display Corporation | Cross-linkable iridium complexes and organic light-emitting devices using the same |
EP2112994B1 (en) | 2007-02-23 | 2011-01-26 | Basf Se | Electroluminescent metal complexes with benzotriazoles |
KR102312855B1 (ko) * | 2007-03-08 | 2021-10-14 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 인광성 물질 |
CN101687893B (zh) | 2007-04-26 | 2014-01-22 | 巴斯夫欧洲公司 | 含有吩噻嗪s-氧化物或吩噻嗪s,s-二氧化物基团的硅烷及其在oled中的用途 |
US8440826B2 (en) | 2007-06-22 | 2013-05-14 | Basf Se | Light emitting Cu (I) complexes |
CN101878552B (zh) | 2007-07-05 | 2015-07-15 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含卡宾-过渡金属配合物发射体和至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩s-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩s,s-二氧化物的化合物的有机发光二极管 |
TW200909560A (en) | 2007-07-07 | 2009-03-01 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence devcie |
KR20100031723A (ko) | 2007-07-07 | 2010-03-24 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 크리센 유도체 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
US8779655B2 (en) | 2007-07-07 | 2014-07-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device |
US20090045731A1 (en) | 2007-07-07 | 2009-02-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device |
US8034256B2 (en) | 2007-07-07 | 2011-10-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Naphthalene derivative, material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device using the same |
US8080658B2 (en) | 2007-07-10 | 2011-12-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element employing the same |
EP2166584B1 (en) | 2007-07-10 | 2016-06-08 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Material for organic electroluminescence element, and organic electroluminescence element prepared by using the material |
EP2173811A1 (en) | 2007-07-27 | 2010-04-14 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Aqueous dispersions of electrically conducting polymers containing inorganic nanoparticles |
KR20160086983A (ko) | 2007-08-08 | 2016-07-20 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 트리페닐렌기를 포함하는 벤조 융합 티오펜 또는 벤조 융합 푸란 화합물 |
JP2009040728A (ja) | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Canon Inc | 有機金属錯体及びこれを用いた有機発光素子 |
KR100850886B1 (ko) * | 2007-09-07 | 2008-08-07 | (주)그라쎌 | 전기발광용 유기금속 화합물 및 이를 발광재료로 채용하고있는 표시소자 |
ATE519770T1 (de) | 2007-10-17 | 2011-08-15 | Basf Se | Übergangsmetallkomplexe mit verbrückten carbenliganden und deren verwendung in oleds |
US20090101870A1 (en) | 2007-10-22 | 2009-04-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electron transport bi-layers and devices made with such bi-layers |
US7914908B2 (en) | 2007-11-02 | 2011-03-29 | Global Oled Technology Llc | Organic electroluminescent device having an azatriphenylene derivative |
DE102007053771A1 (de) | 2007-11-12 | 2009-05-14 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
EP2216313B1 (en) | 2007-11-15 | 2013-02-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Benzochrysene derivative and organic electroluminescent device using the same |
JP5270571B2 (ja) | 2007-11-22 | 2013-08-21 | 出光興産株式会社 | 有機el素子 |
JP5390396B2 (ja) | 2007-11-22 | 2014-01-15 | 出光興産株式会社 | 有機el素子および有機el材料含有溶液 |
WO2009073245A1 (en) | 2007-12-06 | 2009-06-11 | Universal Display Corporation | Light-emitting organometallic complexes |
US8221905B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-07-17 | Universal Display Corporation | Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes |
KR101812441B1 (ko) | 2008-02-12 | 2017-12-26 | 유디씨 아일랜드 리미티드 | 디벤조[f,h]퀴녹살린과의 전계발광 금속 착물 |
TWI482756B (zh) | 2008-09-16 | 2015-05-01 | Universal Display Corp | 磷光物質 |
US8269317B2 (en) * | 2010-11-11 | 2012-09-18 | Universal Display Corporation | Phosphorescent materials |
-
2009
- 2009-09-15 TW TW098131062A patent/TWI482756B/zh active
- 2009-09-15 US US12/559,764 patent/US9034483B2/en active Active
- 2009-09-15 TW TW104102589A patent/TWI555734B/zh active
- 2009-09-16 KR KR1020157036659A patent/KR20160005137A/ko active Search and Examination
- 2009-09-16 CN CN201310400522.6A patent/CN103539821B/zh active Active
- 2009-09-16 CN CN2009801404917A patent/CN102187491B/zh active Active
- 2009-09-16 EP EP15191449.6A patent/EP2999021B1/en active Active
- 2009-09-16 KR KR1020117008681A patent/KR101649768B1/ko active IP Right Grant
- 2009-09-16 WO PCT/US2009/057098 patent/WO2010033550A1/en active Application Filing
- 2009-09-16 EP EP09792593.7A patent/EP2329541B1/en active Active
- 2009-09-16 KR KR1020167031116A patent/KR20160131127A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-09-16 EP EP18180398.2A patent/EP3404736B1/en active Active
- 2009-09-16 KR KR1020177019540A patent/KR101974294B1/ko active IP Right Grant
- 2009-09-16 JP JP2011527059A patent/JP5878371B2/ja active Active
-
2015
- 2015-04-21 US US14/691,835 patent/US10084143B2/en active Active
- 2015-07-09 JP JP2015137987A patent/JP2015212297A/ja active Pending
- 2015-12-07 JP JP2015238235A patent/JP6262190B2/ja active Active
-
2017
- 2017-12-12 JP JP2017237629A patent/JP6581169B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100662430B1 (ko) * | 2005-11-07 | 2007-01-02 | 엘지전자 주식회사 | 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201022209A (en) | 2010-06-16 |
TW201516035A (zh) | 2015-05-01 |
JP6581169B2 (ja) | 2019-09-25 |
CN103539821B (zh) | 2017-04-19 |
JP2018044001A (ja) | 2018-03-22 |
US20150255734A1 (en) | 2015-09-10 |
EP2329541B1 (en) | 2015-10-28 |
EP2999021B1 (en) | 2018-08-08 |
CN103539821A (zh) | 2014-01-29 |
EP2999021A1 (en) | 2016-03-23 |
TWI555734B (zh) | 2016-11-01 |
KR20160131127A (ko) | 2016-11-15 |
KR20110074538A (ko) | 2011-06-30 |
WO2010033550A1 (en) | 2010-03-25 |
EP2329541A1 (en) | 2011-06-08 |
JP2016102124A (ja) | 2016-06-02 |
JP5878371B2 (ja) | 2016-03-08 |
JP6262190B2 (ja) | 2018-01-17 |
US10084143B2 (en) | 2018-09-25 |
JP2015212297A (ja) | 2015-11-26 |
US20100090591A1 (en) | 2010-04-15 |
KR101649768B1 (ko) | 2016-08-19 |
TWI482756B (zh) | 2015-05-01 |
EP3404736A1 (en) | 2018-11-21 |
CN102187491B (zh) | 2013-09-18 |
EP3404736B1 (en) | 2019-12-04 |
US9034483B2 (en) | 2015-05-19 |
KR20170086673A (ko) | 2017-07-26 |
CN102187491A (zh) | 2011-09-14 |
KR20160005137A (ko) | 2016-01-13 |
JP2012503043A (ja) | 2012-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101974294B1 (ko) | 인광성 물질 | |
JP6316351B2 (ja) | ピリジルカルベンリン光発光体 | |
JP6219466B2 (ja) | リン光物質 | |
KR101884581B1 (ko) | 유기 발광 다이오드를 위한 2-아자트리페닐렌 물질 | |
KR101919207B1 (ko) | 인광성 에미터 | |
KR101907711B1 (ko) | 유기 발광 다이오드용 게르마늄-함유 적색 발광체 물질 | |
KR20150003670A (ko) | 유기금속 착물을 위한 보조 리간드 | |
KR20140028043A (ko) | 인광 헤테로렙틱 페닐벤즈이미다졸 도펀트 및 신규한 합성 방법 | |
KR20210010949A (ko) | 인광성 물질 | |
EP2313362A1 (en) | Hole transport materials containing triphenylene | |
KR102012047B1 (ko) | 효율이 큰 인광 물질 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |