KR101898803B1 - 디플루오로인산리튬의 제조방법 - Google Patents

디플루오로인산리튬의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 디플루오로인산리튬의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 리튬헥사플루오로포스페이트와 용매를 혼합하여 제1혼합물을 준비하는 단계; 상기 제1혼합물에 물을 첨가하여 제2혼합물을 준비하는 단계; 상기 제2혼합물에 유기실릴할라이드(organic silyl halide) 혼합물을 첨가한 후 교반하여 반응시키는 단계; 및 반응 생성물을 승온시키고, 감압한 후 여과 분리하여 하기 화학식 1로 표시되는 디플루오로인산리튬을 제조하는 단계;를 포함하는, 디플루오로인산리튬의 제조방법을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112017016125502-pat00004

본 발명에 따른 디플루오로인산리튬의 제조방법은 기존 디플루오로인산리튬 제조에 사용되던 고가의 실록산을 대신하여 유기실릴할라이드 시약의 혼합물을 사용함으로써, 경제적이고 각종 불순물 함량이 적은 고순도의 디플루오로인산리튬을 얻을 수 있고, 공정 진행 상 부식성이 적어 안전성이 보장되는 장점이 있다.
또한, 기존 제조방법은 불가피한 부산물, 즉 클로라이드 나 불용분 등이 발생하여 추가 공정으로 불순물을 제거해야 했으나, 본 발명은 간단한 공정으로 특별한 정제없이 고수율 및 고순도의 디플루오로인산리튬을 제조할 수 있는 장점이 있다.

Description

디플루오로인산리튬의 제조방법{Preparing method of lithium difluorophosphate}
본 발명은 디플루오로인산리튬의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 리튬 2차 전지용 전해액에 사용되는 리튬염인 디플루오로인산리튬을 간단하면서도 경제적으로 위험한 공정 없이 고순도 및 고수율로 제조할 수 있는, 디플루오로인산리튬의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 각종 모바일 기기의 상품화에 따라 고성능 2차 전지의 필요성이 증대되고 있으며, 전기자동차, 하이브리드 전기자동차의 상용화, 및 전기저장 장치의 개발에 따라 고출력, 고에너지 밀도, 고방전 전압 등의 성능을 갖춘 2차 전지가 필요하게 되었다.
이에 적합한 전해액의 조성물 중 리튬염의 중요성이 대두되었으며, 특히 디플루오로인산리튬 화합물이 탁월한 요구성능을 가짐이 밝혀졌다. 이에 따라 경제적으로 고순도의 디플루오로인산리튬을 제조할 필요성이 절실하게 되었다.
항 목 규격
순도 99.0% 이상
HF 1000 ppm이하
Cl 100 ppm이하
수분 200 ppm이하
메탈류(Na, K, Ca, Fe) 10 ppm이하
상기 표 1은 리튬 2차 전지의 전해액 첨가제로 사용되는 물질로서 전지내에서 요구되는 성능을 충분히 발휘하기 위한 규격을 나타낸 것이다.
특히 상기 표 1에서, HF와 Cl은 리튬 2차 전지의 지속적인 사용과정에서 부식문제를 일으켜 전지수명을 단축시킬 수 있는 문제를 초래하므로, 규격 이하로 관리하는 것이 매우 중요하기 때문에 디플루오로인산리튬의 제조방법에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
종래 디플루오로인산리튬의 제조방법을 도식화하면 하기 반응식 1과 같다.
[반응식 1]
LiPF6 + 2H2O + MnXm ----> LiPO2F2 + 4HX + MnXm-4F4
상기 반응식 1에서 MnXm은 염화리튬, 브롬화리튬, 사염화규소, 삼염화인, 염화아세틸, 브롬화아세틸, 염화프로피오닐, 및 염화옥살릴 등이다.
상기 반응식 1에 나타낸 바와 같이, 종래 제조방법에 따르면 리튬헥사플루오로포스페이트(LiPF6)을 출발물질로 하여 물과 할로겐 화합물과 반응시켜 디플루오로인산리튬(LiPO2F2)을 제조한다.
그러나, 이때 발생하는 산 가스와 염 등을 증발 및 석출시켜 제거하여야 하며, 디플루오로인산리튬은 전해액에 사용되는 리튬염이기 때문에 무기염 등의 불순물이 없어야 한다.
그러나, 상기 반응식 1에 따른 디플루오로인산리튬 제조방법은 부산물로 불가피하게 리튬플루오라이드염이 발생하여(MnXm이 염화리튬, 브롬화리튬인 경우) 디플루오로인산리튬의 순도와 품질을 떨어뜨리며, 추가공정으로 디플루오로인산리튬으로부터 이를 선택적으로 제거해야 하는 문제가 있다.
또한, 부식성이 심하고 공기 중에서 쉽게 분해하여 취급하기 어려운 출발물질(MnXm이 사염화규소, 삼염화인인 경우), 또는 반응성이 떨어져 과량으로 사용(MnXm이 염화아세틸, 브롬화아세틸, 염화프로피오닐, 염화옥살릴인 경우)해야 하는 등 상업 생산에는 번거롭고 위험한 공정을 필연적으로 수반하는 문제가 있다.
또한, 실제 반응이 상당부분 진행되면 디플루오로인산리튬과 함께 모노플루오로인산리튬의 불순물이 생성될 수 있어 디플루오로인산리튬의 품질을 떨어뜨리고 분리·제거하기 용이하지 않은 문제가 있다.
따라서, 상기 반응식 1에 의한 디플루오로인산리튬의 제조방법의 문제점을 해결하기 위해 또다른 디플루오로인산리튬을 제조하는 방법이 제안되었고, 하기 반응식 2와 같다.
[반응식 2]
LiPF6 + 2R3Si-O-SiR3 ----> LiPO2F2 + 4R3SiF
상기 반응식 2에 의한 방법은 다양한 실록산과 리튬헥사플루오로포스페이트를 물이 없는 상태에서 가열반응하여 디플루오로인산리튬을 제조하는 방법이다.
상기 반응식 2에 의한 디플루오로인산리튬 제조방법은 산 가스가 발생하지 않고 무기염도 발생하지 않는 장점이 있으나, 실록산의 가격이 고가이고 반응성이 떨어져 상온에서는 반응이 진행되지 않으며, 또한 약 60℃로 가열반응할 경우 불용성 불순물이 대량 생겨 리튬 2차 전지의 전해액으로 사용하기에 적합하지 않은 문제가 있다.
상기 문제점을 해결하기 위해서 유기실릴할라이드 등을 물과 함께 사용하는 방법이 제안되었으나, 이 경우도 사용하는 유기실릴할라이드의 종류에 따라 불용성 불순물이 생기거나, 또는 만들어진 디플루오로인산리튬과 유기실릴할라이드가 반응하여 모노플루오로모노할라이드인산리튬 등의 부산물을 발생시켜 수율과 순도 등 품질을 떨어 뜨릴 수있는 문제가 있다.
따라서, 간단하면서도 경제적으로 고순도 및 고수율의 디플루오로인산리튬을 제조할 수 있는 방법에 대한 연구 개발이 시급한 실정이다.
한국 공개특허 제2009-0118117호
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고, 리튬 2차 전지용 전해액에 사용되는 리튬염인 디플루오로인산리튬을 간단하고 경제적으로 위험한 공정 없이 고순도 및 고수율로 제조할 수 있는, 디플루오로인산리튬의 제조방법을 제공하는 데에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 리튬헥사플루오로포스페이트와 용매를 혼합하여 제1혼합물을 준비하는 단계; 상기 제1혼합물에 물을 첨가하여 제2혼합물을 준비하는 단계; 상기 제2혼합물에 유기실릴할라이드(organic silyl halide) 혼합물을 첨가한 후 교반하여 반응시키는 단계; 및 반응 생성물을 승온시키고, 감압한 후 여과 분리하여 하기 화학식 1로 표시되는 디플루오로인산리튬을 제조하는 단계;를 포함하는, 디플루오로인산리튬의 제조방법을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112017016125502-pat00001
본 발명에 따른 디플루오로인산리튬의 제조방법은 기존 디플루오로인산리튬 제조에 사용되던 고가의 실록산을 대신하여 유기실릴할라이드의 혼합물을 사용함으로써, 경제적이고 각종 불순물 함량이 적은 고순도의 디플루오로인산리튬을 얻을 수 있고, 공정 진행 상 부식성이 적어 안전성이 보장되는 장점이 있다.
또한, 기존 제조방법은 불가피한 부산물, 즉 클로라이드 또는 불용분 등이 발생하여 추가 공정으로 불순물을 제거하여야 했으나, 본 발명은 간단한 공정으로 특별한 정제없이 고수율 및 고순도의 디플루오로인산리튬을 제조할 수 있는 장점이 있다.
이하, 본 발명인 디플루오로인산리튬의 제조방법을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명의 발명자들은 리튬헥사플루오로포스페이트 용액에 물과 유기실릴할라이드를 순차적으로 첨가함으로써 반응 부산물로 생기는 클롤라이드 불순물의 함량을 줄일 수 있어 고수율 및 고순도의 디플루오로인산리튬을 제조할 수 있음을 밝혀내어 본 발명을 완성하였다.
본 발명은 리튬헥사플루오로포스페이트와 용매를 혼합하여 제1혼합물을 준비하는 단계; 상기 제1혼합물에 물을 첨가하여 제2혼합물을 준비하는 단계; 상기 제2혼합물에 유기실릴할라이드(organic silyl halide) 혼합물을 첨가한 후 교반하여 반응시키는 단계; 및 반응 생성물을 승온시키고, 감압한 후 여과 분리하여 하기 화학식 1로 표시되는 디플루오로인산리튬을 제조하는 단계;를 포함하는, 디플루오로인산리튬의 제조방법을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112017016125502-pat00002
구체적으로, 본 발명인 디플루오로인산리튬의 제조방법은 하기 반응식 3과 같이 제조될 수 있다.
[반응식 3]
LiPF6 + 2H2O + nR2SiX2(화학식 3) + mR3SiX1(화학식 2) (n + m = 2.0 ~ 2.99)----> LiPO2F2 + nR2SiF2 + mR3SiF1
상기 반응식 3에 따르면, 본 발명인 디플루오로인산리튬의 제조방법은 리튬헥사플루오로포스페이트(LiPF6)를 출발물질로 하여 물과 유기실릴할라이드 시약들과 적절한 비율 및 순서로 첨가하여 반응시킴으로써 디플루오로인산리튬을 제조할 수 있다.
상기 용매는 리튬헥사플루오로포스페이트 대비 0.5 내지 100 당량비일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 용매는 디에틸에테르, 디이소프로필 에테르, 및 메틸-t-부틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 에테르류; 디메톡시에탄, 및 디에톡시에탄의 알콕시에탄류; 초산메틸, 초산에틸, 초산프로필, 및 초산부틸로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 에스테르류; 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 및 부티로니트릴로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 니트릴류; 펜탄, 헥산, 및 헵탄으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 탄화수소류; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 및 부탄올로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 및 메틸이소프로필 케톤으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 케톤류; 및 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 및 메틸에틸카보네이트로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 카보네이트류;로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 물은 리튬헥사플루오로포스페이트 대비 1.90 내지 2.05 당량비일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 물은 리튬헥사플루오로포스페이트와 물의 반응이 정량적으로 진행되기 때문에, 필요량의 디플루오로인산리튬의 양으로부터 역산(逆算)하여 물의 양을 결정해서 첨가하면 되나, 리튬헥사플루오로포스페이트 대비 1.90 내지 2.05 당량비으로 물을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 유기실릴할라이드(organic silyl halide) 혼합물은 하기 화학식 2와 화학식 3으로 표시되는 유기실릴할라이드(organic silyl halide)의 혼합물일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
[화학식 2]
R1R2R3-Si-X1
[화학식 3]
R4R5-Si-X2X3
상기 화학식 2 및 화학식 3에서,
R1 내지 R5는 서로 동일하거나 상이하고, C1 내지 C10의 직쇄 또는 측쇄의 알킬, C2 내지 C10의 직쇄 또는 측쇄의 알케닐 또는 아릴이고,
X1 내지 X3은 서로 동일하거나 상이하고, 염소(Cl), 브롬(Br), 또는 요오드(I)임.
상기 R1 내지 R5는 메틸, 에틸, 프로필, 및 비닐로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 화학식 2로 표시되는 유기실릴할라이드는 트리메틸실릴클로라이드(Trimethylsilyl chloride)인 것이 바람직하며, 또한 상기 화학식 3으로 표시되는 유기실릴할라이드는 디메틸실릴디클로라이드(Dimethylsilyl dichloride)인 것이 바람직하다. 디메틸실릴디클로라이드는 트리메틸실릴클로라이드에 비해 가격이 저렴하고 트리메틸실릴클로라이드의 당량에 비해 1/2 당량만을 사용할 수 있어, 트리메틸실릴클로라이드와 디메틸실릴디클로라이드를 혼합하여 사용할 경우 경제성이 뛰어나며, 또한 안정성, 부식성 및 분해성 측면에서 우수하다.
상기 유기실릴할라이드(organic silyl halide) 혼합물은 리튬헥사플루오로포스페이트 대비 화학식 2로 표시되는 유기실릴할라이드가 0.02 내지 2.0 당량비이고, 리튬헥사플루오로포스페이트 대비 화학식 3으로 표시되는 유기실릴할라이드가 0.99 내지 2.08 당량비일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 유기실릴할라이드는 리튬헥사플루오로포스페이트 대비 총 유기실릴할라이드의 할라이드 당량비로 3.98 내지 4.20 당량으로 첨가되는 것이 바람직하다.
구체적으로, 상기 화학식 2로 표시되는 유기실릴할라이드는 리튬헥사플루오로포스페이트 1몰당 1몰, 화학식 3으로 표시되는 유기실릴할라이드는 리튬헥사플루오로포스페이트 1몰당 2몰이 반응하므로 할리이드 기준으로 볼때 리튬헥사플루오로포스페이트 대비 총 3,98 내지 4,20 당량비 사이로 조절하는 것이 바람직하다.
구체적으로, 상기 제2혼합물에 화학식 2로 표시되는 유기실릴할라이드를 단독으로 첨가할 경우, Si-F 결합에너지가 Si-X(X= Cl, Br 및 I)에 비해 상대적으로 크고, 화학식 2로 표시되는 유기실릴할라이드와 리튬헥사플루오로포스페이트가 직접 반응하여 모노플루오로모노클로로인산리튬으로 오염된 불순물이 발생하는 문제가 있다. 또한 이를 포함한 Cl 불순물 양은 100 ppm 이하, 바람직하게는 20 ppm 이하이여야 하나, 조건에 따라 디플루오로인산리튬 내 수천 ppm ~ 수백 ppm 정도에 이르는 문제가 있다.
따라서, 상기 문제점을 해결하기 위해 화학식 3으로 표시되는 유기실릴할라이드를 사용함으로써 어느 정도 억제될 수 있다. 구체적으로, 상기 화학식 3으로 표시되는 유기실릴할라이드의 경우, 분자내 실리콘에 C1 내지 C10의 직쇄 또는 측쇄의 알킬, C2 내지 C10의 직쇄 또는 측쇄의 알케닐 또는 아릴기가 2개이므로, 화학식 3으로 표시되는 유기실릴할라이드에 비해 그 수가 적고, 반대로 할로겐 원자는 2개이므로 분자 내에서 할로겐 원소가 음이온으로 방출되기가 더 어렵기 때문이다.
따라서, 할로겐 음이온이 방출되어 리튬헥사플루오로포스페이트와 반응하여 할로겐이 결합된 불순물을 만들 확률을 현저히 떨어뜨릴 수 있다.
실제로 상기 화학식 3으로 표시되는 유기실릴할라이드를 사용하여 반응시켰을 때, 화학식 2로 표시되는 유기실릴할라이드로 반응시켰을 때 보다 디플루오로인산리튬 내 할로겐 불순물의 함량이 수백 ppm 수준에서 수 ppm 수준으로 떨어짐을 확인할 수 있었다.
반면 상기 화학식 3으로 표시되는 유기실릴할라이드를 단독으로 사용할 경우, 소량의 물 존재하에서 실록산 형태의 올리고머 내지 저급의 폴리머를 만들어 이 경우에도 불용분의 불순물이 생성되기 때문에 순도 저하의 요인이 될 수 있으며, 상기 화학식 3으로 표시되는 유기실릴할라이드 중에서 디메틸실릴디클로라이드를 단독으로 사용할 경우, 디플루오로인산리튬의 수율이 85.0% 이하로 떨어지고 순도가 99.0% 이하로 떨어져 추가의 정제 공정이 필요한 등 단점이 있다.
이와 같은 현상은 상기 화학식 3으로 표시되는 유기실릴할라이드 분자 내에 할로겐이 2개가 붙어 있어 올리고머내지 폴리머가 가능한 구조이기 때문이다. 반대로 화학식 2로 표시되는 유기실릴할라이드는 분자내에 할로겐이 1개 밖에 없어 올리고머 내지 폴리머로 반응이 진행될 수 없고 따라서 순도를 떨어뜨리는 불순물의 생성을 막을 수 있다.
따라서 화학식 2로 표시되는 유기실릴할라이드와 화학식 3으로 표시되는 유기실릴할라이드를 혼합하여 사용하는 것이 각각을 단독으로 사용하는 것에 비해 디플루오로인산리튬의 순도, Cl 함량, HF 함량, 수율, 경제성이 뛰어남을 알 수 있다.
특히, 경제성을 고려하였을 때, 화학식 3으로 표시되는 유기실릴할라이드와 화학식 2로 표시되는 유기실릴할라이드의 당량비는 1: 2 ~ 1: 0.01이며, 경제성과 순도를 모두 고려할 때 최적의 당량비는 1: 0.5 ~ 1: 0.02인 것이 바람직하다.
따라서, 우수한 품질의 디플루오로인산리튬을 제조하기 위해서는 상기 반응식 3에 따른 반응에서, 물(H2O) 및 유기실릴할라이드 시약들의 첨가순서와 화학식 2와 화학식 3으로 표시되는 유기실릴할라이드의 당량비가 HF와 Cl함량 변화에 매우 중요함을 알 수 있다.
상기 반응시키는 단계는 제2혼합물에 유기실릴할라이드(organic silyl halide) 혼합물을 첨가한 후 40 내지 80 rpm으로 교반하고 -10 내지 60℃로 반응시킬 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 반응온도 등의 반응조건은 특별히 한정되는 것은 아니고, 상황에 맞춘 임의의 조건에서 실시하면 되나, 반응온도의 상한은 바람직하게는 60℃, 보다 바람직하게는 40℃ 이하이며, 또한, 하한은 바람직하게는 -10℃, 보다 바람직하게는 0℃ 이상이다. 60℃를 초과하면 LiPF6의 분해가 일어나, PF5를 발생시켜 용매를 분해하기 때문에 바람직하지 않고, -10℃보다 낮은 온도에서는 반응의 진행이 느리기 때문에 경제적이지 못하다.
이하, 하기 실시예에 의해 본 발명인 디플루오로인산리튬의 제조방법을 보다 상세하게 설명한다. 다만, 이러한 실시예에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1> 트리메틸실릴클로라이드와 디메틸실릴디클로라이드 혼합물을 이용한 디플루오로인산리튬의 제조
교반 장치, 콘덴서 및 온도계가 부착된 1000 ㎖ 테플론 플라스크에 질소분위기하에 리튬헥사플루오로포스페이트 90.0 g 및 디메틸카보네이트 210.0 g을 상온에서 투입하여 제1혼합물을 준비하였다.
상기 제1혼합물을 얼음욕조를 이용하여 5℃로 냉각시키고, 물(H2O) 21.3 g을 첨가하여 제2혼합물을 준비하였다.
이어서 디메틸실릴디클로라이드 145.3 g과 트리메티틸실릴클로라이드 12.9 g의 혼합액을 제2혼합물에 첨가하고 60 rpm으로 교반하면서 40℃ 이하에서 반응을 진행하여 디플루오로인산리튬을 제조하였다.
반응 완료 후, 서서히 20℃로 승온시킨 후 발생된 염산가스, 디메틸실릴디플루오라이드, 및 트리메틸실릴플루오라이드를 30 mmHg로 감압하여 제거하였다. 제조된 염을 거름종이로 걸러낸 후, 21 g의 디메틸카보네이트로 세척하였다.
세척된 염을 회수하여 50℃ 이하로 건조함으로써, 백색분말인 디플루오로인산리튬 화합물을 수득하였다(수율: 91.0%, 순도: 99.7%, Cl함량: 8 ppm).
<비교예 1> 트리메틸실릴클로라이드를 이용한 디플루오로인산리튬의 제조
트리메틸실릴클로라이드 257.5 g을 제2혼합물에 첨가한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 조건으로 백색분말인 디플루오로인산리튬 화합물을 수득하였다(수율: 79.0%, 순도: 99.6%, Cl함량: 210 ppm).
<비교예 2> 디메틸실릴디클로라이드를 이용한 디플루오로인산리튬의 제조
디메틸실릴디클로라이드 152.9 g을 제2혼합물에 첨가한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 조건으로 백색분말인 디플루오로인산리튬 화합물을 수득하였다(수율: 84.0%, 순도: 97.4%, Cl함량: 7 ppm).
<비교예 3>
디메틸실릴디클로라이드 159.81 g과 트리메틸실릴클로라이드 0.64 g을 제2혼합물에 첨가한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 조건으로 백색분말인 디플루오로인산리튬 화합물을 수득하였다(수율: 83.0%, 순도: 98.3%, Cl함량: 8 ppm).
<비교예 4>
디메틸실릴디클로라이드 76.46 g과 트리메틸실릴클로라이드 129.37 g을 제2혼합물에 첨가한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 조건으로 백색분말인 디플루오로인산리튬 화합물을 수득하였다(수율: 82.0%, 순도: 99.7%, Cl함량: 181 ppm).
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.

Claims (8)

  1. 리튬헥사플루오로포스페이트와 용매를 혼합하여 제1혼합물을 준비하는 단계;
    상기 제1혼합물에 물을 첨가하여 제2혼합물을 준비하는 단계;
    상기 제2혼합물에 유기실릴할라이드(organic silyl halide) 혼합물을 첨가한 후 교반하여 반응시키는 단계; 및
    반응 생성물을 승온시키고, 감압한 후 여과 분리하여 하기 화학식 1로 표시되는 디플루오로인산리튬을 제조하는 단계;
    를 포함하며,
    상기 유기실릴할라이드(organic silyl halide) 혼합물은, 하기 화학식 2와 화학식 3으로 표시되는 유기실릴할라이드(organic silyl halide)의 혼합물이며, 리튬헥사플루오로포스페이트 대비 화학식 2로 표시되는 유기실릴할라이드가 0.02 내지 2.0 당량비이고, 리튬헥사플루오로포스페이트 대비 화학식 3으로 표시되는 유기실릴할라이드가 0.99 내지 2.08 당량비인 것을 특징으로 하는, 디플루오로인산리튬의 제조방법:
    [화학식 1]
    Figure 112018026127034-pat00003

    [화학식 2]
    R1R2R3 -Si-X1,
    [화학식 3]
    R4R5-Si-X2X3
    상기 화학식 2 및 화학식 3에서,
    R1 내지 R5는 서로 동일하거나 상이하고, C1 내지 C10의 직쇄 또는 측쇄의 알킬, C2 내지 C10 의 직쇄 또는 측쇄의 알케닐 또는 C6 내지 C10의 아릴이고,
    X1 내지 X3은 서로 동일하거나 상이하고, 염소(Cl), 브롬(Br), 또는 요오드(I)임.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 용매는,
    디에틸에테르, 디이소프로필 에테르, 및 메틸-t-부틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 에테르류; 디메톡시에탄, 및 디에톡시에탄의 알콕시에탄류; 초산메틸, 초산에틸, 초산프로필, 및 초산부틸로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 에스테르류; 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 및 부티로니트릴로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 니트릴류; 펜탄, 헥산, 및 헵탄으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 탄화수소류; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 및 부탄올로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 및 메틸이소프로필 케톤으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 케톤류; 및 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 및 메틸에틸카보네이트로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 카보네이트류;로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 디플루오로인산리튬의 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 물은,
    리튬헥사플루오로포스페이트 대비 1.90 내지 2.05 당량비인 것을 특징으로 하는, 디플루오로인산리튬의 제조방법.
  5. 삭제
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 R1 내지 R5는,
    메틸, 에틸, 프로필, 및 비닐로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 디플루오로인산리튬의 제조방법.
  7. 삭제
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 반응시키는 단계는,
    제2혼합물에 유기실릴할라이드(organic silyl halide) 혼합물을 첨가한 후 40 내지 80 rpm으로 교반하고 -10 내지 60℃로 반응시키는 것을 특징으로 하는, 디플루오로인산리튬의 제조방법.
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