KR101818563B1 - 개선된 실리콘 부동태화 성질을 지니는 반-수성 포토레지스트 또는 반도체 제조 잔류물 스트리핑 및 클리닝 조성물 - Google Patents

개선된 실리콘 부동태화 성질을 지니는 반-수성 포토레지스트 또는 반도체 제조 잔류물 스트리핑 및 클리닝 조성물 Download PDF

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Abstract

본원에서는 물, 하나 이상의 알칼리성 화합물, 하나 이상의 부식 억제제, 및 하나 이상의 산화 억제제 중의 하나 이상의 산화된 생성물을 포함하는 포토레지스트 또는 반도체 제조 잔류물 스트리핑 및 클리닝 조성물, 그러한 조성물을 제조하는 방법 및 그러한 조성물을 사용하는 방법이 개시된다.

Description

개선된 실리콘 부동태화 성질을 지니는 반-수성 포토레지스트 또는 반도체 제조 잔류물 스트리핑 및 클리닝 조성물{Semi-Aqueous photoresist or semiconductor manufacturing residue stripping and cleaning composition with Improved Silicon Passivation}
본 발명은 본원에서 전체 내용이 참조로 통합되는 본원과 동일한 발명의 명칭을 지닌 2014년 12월 23일자 출원된 미국특허출원 제62/095,857호의 우선권을 주장한다.
본 발명은 실리콘 웨이퍼로부터 포토레지스트(photoresist), 포토레지스트 잔류물 및 그 밖의 잔류물을 스트리핑(stripping)하기에 특히 유용한 반-수성 스트리핑 조성물에서의 개선에 관한 것이다.
반도체 및 반도체 마이크로회로의 제조 동안에, 그러한 반도체 및 마이크로회로가 제조되며 포토레지스트로 일반적으로 일컬어지는 폴리머 유기 필름, 예를 들어, 빛에 대한 노출시에 에치 레지스트를 형성하는 물질을 지니는 기판을 코팅하는 것이 흔히 필요하다. 이들 포토레지스트는 기판 표면 중의 선택된 영역을 보호하기 위해서 사용되는 반면에, 식각제가 선택적으로 기판의 보호되지 않은 영역을 공격한다. 기판은 전형적으로는 실리콘 디옥사이드 코팅된 실리콘 웨이퍼이고, 또한 표면상에 금속성 마이크로회로, 예컨대, 알루미늄, 구리, 텅스텐, 티타늄, 탄탈룸, 및 금속 합금 및 니트라이드를 함유할 수 있다. 에칭 작업 및 잔류 식각제의 세척의 완료 후에, 레지스트가 보호 표면으로부터 제거되어 필수 마감 작업을 가능하게 하는 것이 필요하다. 금속 회로를 부식시키거나, 용해시키거나, 약화시키지 않으면서, 또한 실리콘 웨이퍼 물질을 제거하지 않으면서, 코팅된 무기 기판으로부터 유기 폴리머 물질을 제거하기 위한 개선된 스트리핑 및 클리닝 조성물을 개발하는 것이 바람직하다. 실리콘 웨이퍼는 웨이퍼의 취급을 위해서 그리퍼(gripper)가 사용되는 웨이퍼 전면 상의 첫 번째 회로 층들의 적용 및 웨이퍼의 배면 상의 적용 동안에 포토레지스트 스트리핑 및 클리닝 조성물(또한, "스트리핑" 또는 "클리닝 조성물" 또는 "스트리핑 및 클리닝 조성물(stripping and cleaning composition)"로서 본원에서 일컬어짐)에 노출될 수 있다. 전형적으로는, 실리콘 웨이퍼의 노출된 부분은 스트리핑 클리닝 조성물에 부동태성이다. 그러나, 일부의 경우에, 노출된 실리콘은 포토레지스트 스트리퍼(photoresist stripper), 특히, 높은 pH 스트리퍼에 의해서 에칭될 수 있다. 이들 스트리퍼는 아민, 사차 염기, 및 이들의 혼합물을 함유할 수 있다. 따라서, 실리콘 웨이퍼를 에칭시키지 않으며, 그 대신에, 개선된 실리콘 부동태화를 제공하는 개선된 스트리퍼를 제공하는 것이 바람직하다.
발명의 간단한 요약
본 발명은 이하 언급되는 부식의 단점 또는 결점이 제거되거나 실질적으로 감소되는 적합한 스트리핑 및 클리닝 조성물을 제공한다. 본 발명은 실리콘 웨이퍼의 노출된 부분(예, 배면)의 감소된 에칭을 제공한다. 한 가지 양태에서, 본 발명은 물 및 하나 이상의 알칼리성 화합물, 하나 이상의 부식 억제제, 및 하나 이상의 항산화제의 하나 이상의 산화된 분획(또한, 본원에서 산화된 생성물로 일컬어짐)을 포함하는 포토레지스트 스트리핑 및 클리닝 조성물을 제공한다. 본 발명의 또 다른 양태에서, 본 발명이 하나 이상의 알칼리성 화합물은 하나 이상의 아민 또는 하나 이상의 사차 암모늄 하이드록사이드 또는 이들의 조합물을 포함할 수 있다. 본 발명의 조성물에서, 단독으로 또는 본 발명의 다른 양태와 함께, 하나 이상의 부식 억제제는 하나 이상의 항산화 부식 억제제를 포함할 수 있다. 본 발명의 조성물은, 단독으로 또는 본 발명의 추가의 양태와 함께, 하나 이상의 항산화 부식 억제제를 산화시킴으로써 형성되는 하나 이상의 항산화제의 하나 이상의 산화된 생성물을 포함할 수 있다. 본 발명의 한 가지 양태에서, 단독으로 또는 본 발명의 다른 양태와 함께, 하나 이상의 항산화제의 하나 이상의 산화된 생성물은 산소-함유 가스, 퍼옥사이드 또는 니트레이트를 상기 조성물에 첨가함으로써 또는 상기 조성물을 통해서 산소-함유 가스를 버블링(bubbling)시킴으로써 동일반응계 내에서 형성되었다. 본 발명의 추가의 양태에서, 조성물은, 단독으로 또는 다른 양태와 함께, 카테콜, t-부틸 카테콜, 레조르시놀, 피로갈롤, 갈산, 갈산의 에스테르 및 아스코르브산으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 항산화 부식 억제제를 포함하거나, 갈산 및 카테콜로부터 선택될 수 있다. 본 발명의 추가의 양태에서, 조성물은, 단독으로 또는 다른 양태와 함께, 하나 이상의 부동태화 부식 억제제를 포함하거나 추가로 포함한다. 본 발명의 추가의 양태에서, 본 발명의 상기 조성물 중의 하나 이상의 알칼리성 화합물은, 단독으로 또는 다른 양태와 함께, 하나 이상의 아민 또는 하나 이상의 사차 암모늄 하이드록사이드 또는 하나 이상의 아민 또는 하나 이상의 사차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택된다. 본 발명의 추가의 양태에서, 본 발명의 조성물은, 단독으로 또는 본 발명의 다른 양태 중 어떠한 양태와 함께, 트리아졸, 및 약 4 내지 약 7의 범위의 pH를 지니는 약산으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있거나, 안트라닐산, 벤조산, 이소프탈산, 말레산, 푸마르산, D,L-말산, 말론산, 프탈산, 말레산 무수물, 프탈산 무수물, 벤조트리아졸 (BZT), 카르복시벤조트리아졸, 디에틸 하이드록실아민, 이의 락트산 및 시트르산 염, 피로갈롤, 프룩토오스, 암모늄 티오설페이트, 글리신, 락트산, 테트라메틸구아니딘, 이미노디아세트산, 및 디메틸아세토아세타미드, 트리하이드록시벤젠, 디하이드록시벤젠, 및 살리실하이드록삼산으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있는 하나 이상의 부동태화 부식 억제제를 지닐 수 있다.
본 발명의 추가의 양태에서, 본 발명의 조성물은, 단독으로 또는 본 발명의 어떠한 추가의 양태와 함께, 헥실 아민, 5-아미노-2-메틸 펜탄, 헵틸 아민, 옥틸 아민, 노닐 아민, 데실 아민, 디프로필 아민, 디이소프로필 아민, 디부틸 아민, 디이소부틸 아민, 디-n-부틸 아민, 디-t-부틸 아민, 디펜틸 아민, 디헥실 아민, 디헵틸 아민, 디옥틸 아민, 디노닐 아민, 디데실 아민, 아밀 메틸 아민, 메틸 이소아밀 아민, 트리프로필 아민, 트리부틸 아민, 트리펜틸 아민, 디메틸 에틸 아민, 메틸 디에틸 아민, 메틸 디프로필 아민, N-에틸리덴 메틸 아민, N-에틸리덴 에틸 아민, N-에틸리덴 프로필 아민, N-부틸 아민 에틸리덴, 알칸올아민, 에탄올아민, N-메틸 에탄올아민, N-에틸 에탄올아민, N-프로필 에탄올아민, N-부틸 에탄올아민, 디에탄올아민, 1-아미노-2-프로판올, N-메틸 아민 이소프로판올, N-에틸-이소프로판올 아민, N-프로필 이소프로판올 아민, 2-아미노프로판-1-올, N-메틸-2-아미노프로판-1-올, N-에틸-2-아미노프로판-1-올, 1-아미노프로판-3-올, N-메틸-1-아미노프로판-3-올, N-에틸-1-아미노프로판-3-올, 1-아미노부탄-2-올, N-메틸-1-아미노부탄-2-올, N-에틸-1-아미노부탄-2-올, 2-아미노부탄-1-올, N-메틸-2-아미노부탄-1-올, N-에틸-2-아미노부탄-1-올, N-하이드록시-메틸 에탄올 아민, N-하이드록시메틸 에틸렌 디아민, N,N'-비스 (하이드록시메틸) 에틸렌 디아민, N-하이드록시메틸 프로판올 아민, 에틸렌 디아민, 프로필렌 디아민, 트리메틸렌 디아민, 테트라메틸렌 디아민, 1,3-디아미노부탄, 2,3-디아미노부탄, 펜타메틸렌 디아민, 2,4-디아미노 펜탄, 헥사메틸렌 디아민, 헵타메틸렌 디아민, 옥타메틸렌 디아민, 노나메틸렌 디아민, N-메틸 에틸렌 디아민, N,N-디메틸 에틸렌 디아민, 트리메틸 에틸렌 디아민, N-에틸 에틸렌 디아민, N,N-디에틸 에틸렌 디아민, 트리에틸 에틸렌 디아민, 1,2,3-트리아미노프로판, 하이드라진, 트리스 (2-아미노에틸) 아민, 테트라 (아미노메틸) 메탄, 디에틸렌 트리아민, 트리에틸렌 테트라민, 테트라에틸 펜타민, 헵타에틸렌 옥타민, 노나에틸렌 데카민, 디아자바이사이클로 운데센, 하이드록실아민, N-메틸 하이드록실아민, N-에틸 하이드록실아민, 및 N,N-디에틸 하이드록실아민 모르폴린로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 1 내지 5 개의 탄소 원자를 지니는 일차, 이차 및 삼차 알칸올아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 아민을 지닐 수 있다
본 발명의 추가의 양태에서, 본 발명의 조성물은, 단독으로 또는 본 발명의 추가의 양태와 함께, 알칼리성 화합물로서 N-메틸에탄올아민(NMEA), 모노에탄올아민(MEA), 디에탄올아민, 모노-, 디- 및 트리이소프로판올아민, 2-(2-아미노에틸아미노) 에탄올, 2-(2-아미노에톡시) 에탄올, 트리에탄올아민로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 알칸올아민을 지닐 수 있거나, 하나 이상의 알칼리성 화합물은 모르폴린, 사이클로헥실아민, 피페리딘 알킬아민(1 내지 5개의 탄소를 지니는 알킬), 및 알킬렌 디아민(1 내지 5개의 탄소를 지님) 또는 이들의 혼합물 군으로부터 선택될 수 있거나, 하나 이상의 알칼리성 화합물은 알칸올아민 및 하이드록실아민, 또는 알칸올아민과 하이드록실아민의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 추가의 양태에서, 본 발명의 조성물은, 단독으로 또는 본 발명의 추가의 양태와 함께, 화학식 [N-R1R2R3R4]+ OH-(여기서, R1, R2, R3, 및 R4는 각각 독립적으로 알킬기, 하이드록시알킬기 및 이들의 조합물이고, 상기 알킬기는 1 내지 20개의 탄소 원자를 지니는 직쇄 또는 분지쇄 탄화수소기이고, 상기 하이드록시알킬기는 1 내지 20개의 탄소 원자의 직쇄 또는 분지쇄 하이드록실기 함유 탄화수소기이다)를 지니는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(TBAH), 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 트리메틸에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리프로필암모늄 하이드록사이드, (1-하이드록시프로필)트리메틸암모늄 하이드록사이드, 에틸트리메틸암모늄 하이드록사이드, 디에틸디메틸암모늄 하이드록사이드 및 벤질트리메틸암모늄 하이드록사이드로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 사차 암모늄 하이드록사이드를 포함할 수 있다.
본 발명의 추가의 양태에서, 본 발명의 조성물은, 단독으로 또는 본 발명의 어떠한 추가의 양태와 함께, 5 내지 50 중량%, 또는 5 내지 30 중량%, 또는 10 내지 40 중량%, 또는 10 내지 30 중량%, 또는 15 내지 25 중량%의 상기 물을 지닐 수 있다. 본 발명의 조성물은, 단독으로 또는 본 발명의 어떠한 추가의 양태와 함께, 35 내지 94.5 중량%, 또는 30 내지 80 중량%, 또는 45 내지 90 중량%, 또는 55 내지 85 중량%, 또는 50 내지 80 중량%, 또는 70 내지 85 중량%의 상기 하나 이상의 알칼리성 화합물을 지닐 수 있다. 본 발명의 조성물은, 단독으로 또는 본 발명의 추가의 양태와 함께, 0.1 내지 15 중량%, 또는 0.5 내지 10 중량%, 또는 0.5 내지 7 중량%, 또는 0.5 내지 5 중량%의 상기 하나 이상의 부식 억제제를 지닐 수 있다. 본 발명의 조성물은, 단독으로 또는 본 발명의 어떠한 추가의 양태와 함께, 0.001 내지 5 중량%, 또는 0.001 내지 3 중량%, 또는 0.002 내지 0.5 중량%, 또는 0.003 내지 0.8 중량%, 또는 0.003 내지 0.3 중량%, 또는 0.004 내지 0.2 중량%, 또는 0.005 내지 0.1 중량%, 또는 0.007 내지 0.1 중량%, 또는 0.01 내지 5 중량%, 또는 0.01 내지 3 중량%, 또는 0.02 내지 0.5 중량%, 또는 0.03 내지 0.8 중량%, 또는 0.03 내지 0.3 중량%, 또는 0.04 내지 0.2 중량%, 또는 0.05 내지 0.1 중량%의 상기 하나 이상의 항산화제의 하나 이상의 산화 생성물을 지닐 수 있다.
본 발명의 추가의 양태에서, 본 발명의 조성물은, 단독으로 또는 본 발명의 추가의 양태와 함께, 약 0.1 내지 10 중량%, 또는 약 0.5 내지 3 중량%, 또는 약 0.5 내지 5 중량%, 또는 약 0.5 내지 2.5 중량%의 하나 이상의 부동태화 부식 억제제 및 약 0.1 내지 10 중량%, 또는 약 0.5 내지 5 중량%, 또는 약 0.5 내지 2.5 중량%의 하나 이상의 항산화 부식 억제제를 지닐 수 있다. 본 발명의 조성물은, 단독으로 또는 본 발명의 추가의 양태와 함께, 하나 이상의 부동태화 부식 억제제를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 추가의 양태에서, 단독으로 또는 추가의 양태와 함께, 약 70 내지 85 중량%의 하나 이상의 알칸올아민을 포함하는 상기 하나 이상의 알칼리성 화합물, 임의로, 약 0.5 내지 2.5 중량%의 하나 이상의 부동태화 부식 억제제, 약 0.5 내지 2.5 중량%의 하나 이상의 항산화 부식 억제제, 0.001 내지 1 중량% 또는 0.005 내지 1 중량%, 또는 0.01 내지 1 중량%의 하나 이상의 항산화제의 하나 이상의 산화 생성물, 및 하나 이상의 항산화제, 및 9.9 내지 28.99 중량%의 물을 포함하는 포토레지스트 또는 반도체 제조 잔류물 스트리핑 및 클리닝 조성물이 제공된다.
본 발명의 추가의 양태에서, 단독으로 또는 추가의 양태와 함께, 벤조트리아졸을 포함하는 하나 이상의 부동태화 부식 억제제 및 갈산 또는 카테콜을 포함하는 하나 이상의 항산화 부식 억제제를 지니는 포토레지스트 또는 반도체 제조 잔류물 스트리핑 및 클리닝 조성물이 제공된다. 본 발명의 추가의 양태에서, 단독으로 또는 추가의 양태와 함께, 상기 하나 이상의 알칸올아민이 N-메틸 에탄올아민을 포함하는 클리닝 조성물이 제공된다.
본 발명의 추가의 양태에서, 단독으로 또는 추가의 양태와 함께, 실리콘 기판상에서 포토레지스트 또는 잔류물을 제거하는 방법으로서, 상기 기판을 스트리핑 및 클리닝 유효량의 본 발명의 클리닝 조성물 중 어떠한 조성물과 접촉시키는 단계; 스트리핑 유효 기간 동안 상기 스트리핑 조성물을 상기 기판과 접촉되게 하는 단계; 및 상기 기판으로부터 포토레지스트 또는 포토레지스트 잔류물을 제거하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다. 그러한 방법은 1Å/min 미만인 속도로 실리콘을 에칭할 수 있다.
본 발명의 추가의 양태에서, 단독으로 또는 추가의 양태와 함께, 본 발명의 클리닝 조성물 중 어떠한 조성물을 제조하는 방법으로서, 용기 내에서 물, 하나 이상의 알칼리성 화합물, 하나 이상의 항산화 부식 억제제를 혼합하는 단계, 및 산소-함유 가스, 퍼옥사이드 또는 니트레이트를 상기 조성물에 첨가하여 상기 조성물 내에 항산화제의 하나 이상의 산화된 생성물을 형성시키는 단계를 포함하는 방법이 제공된다. 항산화제의 산화된 생성물은 항산화 부식 억제제의 산화된 생성물일 수 있다. 이들 방법 단계들은 클리닝 조성물을 클리닝하고자 하는 실리콘 기판과 접촉시키기 전에 수행될 수 있다. 산소-함유 가스, 퍼옥사이드 또는 니트레이트를 상기 조성물에 첨가하여 상기 조성물 내에 항산화제의 하나 이상의 산화된 생성물을 형성시키는 단계는 상기 용기 내에서 상기 조성물을 통해서 산소-함유 가스를 버블링시킴으로써 수행될 수 있다. 조성물, 본 발명의 조성물을 사용하는 방법 및 본 발명의 조성물을 제조하는 방법의 추가의 양태는 명세서 및 명세서의 마지막에 있는 청구범위 내에 있다.
본 발명의 스트리핑 및 클리닝 조성물은 효과적인 스트리핑 및 클리닝 작용뿐만 아니라 향상된 실리콘 부동태화를 제공할 수 있다. 추가로, 본 발명의 클리닝 조성물은 하기 이익 중 하나 이상을 제공할 수 있다: 잔류물, 폴리머 및 오염물 제거에 효과적이고/거나 특히 알루미늄, 구리, 텅스텐, 티타늄, 탄탈룸 및 금속 합금 및 니트라이드에 비-부식성이고, 낮거나 무시할 만한 실리콘 에칭 속도를 제공하는 비-부식성 스트리핑 및 클리닝 조성물들. 비록, 본 발명의 조성물은 일차적으로는 포토레지스트 및 포토레지스트 잔류물을 제거하도록 포뮬레이션(formulation)되었지만, 이들은 또한, 실리콘 부동태화가 요망되는 때에, 예컨대, 집적회로를 위한 패키징 단계 동안에, 반도체 부품으로부터 다른 잔류물을 제거하기 위해서 사용될 수 있는 것으로 이해된다. 본 발명의 다른 목적 및 이점이 바람직한 구체예의 수반되는 설명으로 더욱 완전히 이해될 것이다.
발명의 상세한 설명
본 발명의 스트리핑 및 클리닝 조성물은 바람직하게는 물, 하나 이상의 알칼리성 화합물, 하나 이상의 부식 억제제, 및 하나 이상의 항산화제의 하나 이상의 산화된 분획의 혼합물을 포함한다. 알칼리성 화합물은 하나 이상의 아민 또는 하나 이상의 사차 암모늄 하이드록사이드, 또는 하나 이상의 아민과 하나 이상의 사차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물일 수 있다. 하나 이상의 아민은 하나 이상의 유기 아민 또는 하나 이상의 무기 아민일 수 있거나 이를 포함할 수 있다.
본 발명의 조성물은 5 내지 50 중량%, 또는 10 내지 40 중량%, 또는 5 내지 30 중량%, 또는 10 내지 30 중량%, 또는 15 내지 25 중량%의 물; 및 35 내지 94.5 중량%, 또는 30 내지 80 중량%, 또는 45 내지 90 중량%, 또는 55 내지 85 중량%, 또는 50 내지 80 중량%, 또는 70 내지 85 중량%의 하나 이상의 알칼리성 화합물; 및 0.1 내지 15 중량%, 또는 0.5 내지 3 중량%, 또는 0.5 내지 10 중량%, 또는 0.5 내지 7 중량%, 또는 0.5 내지 5 중량%의 하나 이상의 부식 억제제; 및 0.001 내지 5 중량%, 또는 0.001 내지 3 중량%, 또는 0.002 내지 0.5 중량%, 또는 0.003 내지 0.3 중량%, 또는 0.004 내지 0.2 중량%, 또는 0.005 내지 0.1 중량%, 또는 0.007 내지 0.1 중량%, 0.01 내지 5 중량%, 또는 0.01 내지 3 중량%, 또는 0.02 내지 0.5 중량%, 또는 0.03 내지 0.3 중량%, 또는 0.04 내지 0.2 중량%, 또는 0.05 내지 0.1 중량%의 항산화제의 하나 이상의 산화 생성물을 포함할 수 있다. 본원에서 기재된 중량 백분율의 모두는, 달리 지시되지 않는 한, 조성물의 전체 중량을 기준으로 함을 주지해야 한다. (단순히 정의된 양의 하나 이상의 부식 억제제는 하나 이상의 항산화 부식 억제제, 하나 이상의 부동태화 부식 억제제 또는 하나 이상의 항산화 부식 억제제와 하나 이상의 부동태화 부식 억제제의 조합물을 포함하거나, 이들을 필수로 하여 이루어지거나, 이들로 이루어질 수 있다). "하나 이상"의 사용은 본원 전체에 걸쳐서 "하나 또는 하나 초과"를 의미하며 이로 대체될 수 있음을 주지해야 한다. 하나 이상의 부식 억제제가 하나 이상의 항산화 부식 억제제와 하나 이상의 부동태화 부식 억제제를 포함하는 때에, 본원에 기재된 조성물 중 어떠한 조성물은 0.1 내지 10 중량%의 하나 이상의 부동태화 부식 억제제 및 0.1 내지 10 중량%의 하나 이상의 항산화 부식 억제제; 또는 0.5 내지 5 중량%의 하나 이상의 부동태화 부식 억제제 및 0.5 내지 5 중량%의 하나 이상의 항산화 부식 억제제s; 또는 0.5 내지 2.5 중량%의 하나 이상의 부동태화 부식 억제제 및 0.5 내지 2.5 중량%의 하나 이상의 항산화 부식 억제제를 포함할 수 있다.
유사한 적용에 대해서 본 기술분야에서 공지된 어떠한 부식 억제제, 예컨대, 본원에서 참조로 통합되는 미국특허 제5,417,877호에 기재된 것들이 본원의 클리닝 조성물에 사용될 수 있다. 부식 억제제는, 예를 들어, 유기산, 무기산, 페놀 또는 트리아졸일 수 있다. 특별한 부식 억제제의 예는 안트라닐산, 갈산, 벤조산, 이소프탈산, 말레산, 푸마르산, D,L-말산, 말론산, 프탈산, 아스코르브산, 말레산 무수물, 프탈산 무수물, 벤조트리아졸 (BZT), 레조르시놀, 및 카르복시벤조트리아졸 등을 포함한다. 사용될 수 있는 부식 억제제의 추가의 예는 카테콜, t-부틸 카테콜, 피로갈롤, 및 갈산의 에스테르를 포함한다. 적합한 부식 억제제의 또 다른 예는 프룩토오스, 암모늄 티오설페이트, 글리신, 락트산, 테트라메틸구아니딘, 이미노디아세트산, 및 디메틸아세토아세타미드를 포함한다. 특정의 구체예로, 부식 억제제는 약 4 내지 약 7 범위의 pH를 지니는 약산을 포함할 수 있다. 약산의 예는 트리하이드록시벤젠, 디하이드록시벤젠, 및/또는 살리실하이드록삼산을 포함한다.
상기-열거된 부식 억제제는 두 가지 유형의 부식 억제제, 즉, 부동태화 부식 억제제와 항산화 부식 억제제를 포함한다. 부동태화 부식 억제제는 금속과 착화되어 금속 상부 상에 수성 및 유기 용액에 불용성인 부동태 층을 형성시킴으로써 금속 특성을 보호한다. 항산화 부식 억제제는 스트리핑 및 클리닝 용액으로부터 용존 산소를 제거하여 금속 산화 형성 및 용해를 방지시킴으로써 금속 특성을 보호한다.
클리닝 조성물의 특정의 구체예에서, 하나 이상의 항산화 부식 억제제는 하나 이상의 항산화제의 산화 생성물로서 하나 이상의 항산화 부식 억제제의 산화 생성물, 또는 하나 이상의 상이한 항산화 부식 억제제의 하나 이상의 산화 생성물과 함께 사용될 수 있다. 달리 설명하면, 클리닝 조성물 중의 하나 이상의 항산화제의 산화 생성물은 클리닝 조성물에 존재하는 하나 이상의 항산화 부식 억제제의 산화 생성물을 포함할 수 있다.
항산화 부식 억제제의 예는 카테콜, t-부틸 카테콜, 레조르시놀, 피로갈롤, 갈산, 갈산의 에스테르, 아스코르브산, 바람직하게는, 갈산 및 카테콜을 포함한다.
부동태화 부식 억제제의 예는 트리아졸, 안트라닐산, 시트르산, 벤조산, 프탈산, 이소프탈산, 말레산, 푸마르산, D,L-말산, 말론산, 말레산 무수물, 프탈산 무수물, 벤조트리아졸(BZT), 카르복시벤조트리아졸, 프룩토오스, 암모늄 티오설페이트, 글리신, 테트라메틸구아니딘, 이미노디아세트산, 살리실하이드록삼산, 및 디메틸아세토아세타미드를 포함한다.
본 발명의 클리닝 조성물에 존재하는 부식 억제제 또는 억제제들의 전체 양은 0.1 내지 15 중량%, 또는 0.5 내지 10 중량%, 또는 0.5 내지 7 중량%, 또는 0.5 내지 5 중량%일 수 있다. 일부 구체예에서, 하나 이상의 항산화 부식 억제제는 이러한 양으로 단독으로 또는 하나 이상의 부동태화 부식 억제제와 함께 존재할 수 있다.
물이 본 발명의 클리닝 조성물에 존재한다. 물은 DI 물 또는 초고순도 물이다. 물은 조성물의 전체 중량을 기준으로 하여 5 내지 50 중량%, 또는 10 내지 40 중량%, 또는 5 내지 30 중량%, 또는 10 내지 30 중량%, 또는 15 내지 20 중량%의 양으로 존재할 수 있다.
본 발명의 스트리핑 및 클리닝 조성물은 그 안에 알칼리성 화합물로서 하나 이상의 가용성 아민을 포함할 수 있다. 특정의 예는 헥실 아민, 5-아미노-2-메틸 펜탄, 헵틸 아민, 옥틸 아민, 노닐 아민, 데실 아민, 디프로필 아민, 디이소프로필 아민, 디부틸 아민, 디이소부틸 아민, 디-n-부틸 아민, 디-t-부틸 아민, 디펜틸 아민, 디헥실 아민, 디헵틸 아민, 디옥틸 아민, 디노닐 아민, 디데실 아민, 아밀 메틸 아민, 메틸 이소아밀 아민, 트리프로필 아민, 트리부틸 아민, 트리펜틸 아민, 디메틸 에틸 아민, 메틸 디에틸 아민, 메틸 디프로필 아민, N-에틸리덴 메틸 아민, N-에틸리덴 에틸 아민, N-에틸리덴 프로필 아민, N-부틸 아민 에틸리덴, 알칸올아민, 에탄올아민, N-메틸 에탄올아민, N-에틸 에탄올아민, N-프로필 에탄올아민, N-부틸 에탄올아민, 디에탄올아민, 1-아미노-2-프로판올, N-메틸 아민 이소프로판올, N-에틸-이소프로판올 아민, N-프로필 이소프로판올 아민, 2-아미노프로판-1-올, N-메틸-2-아미노프로판-1-올, N-에틸-2-아미노프로판-1-올, 1-아미노프로판-3-올, N-메틸-1-아미노프로판-3-올, N-에틸-1-아미노프로판-3-올, 1-아미노부탄-2-올, N-메틸-1-아미노부탄-2-올, N-에틸-1-아미노부탄-2-올, 2-아미노부탄-1-올, N-메틸-2-아미노부탄-1-올, N-에틸-2-아미노부탄-1-올, N-하이드록시-메틸 에탄올 아민, N-하이드록시메틸 에틸렌 디아민, N,N'-비스 (하이드록시메틸) 에틸렌 디아민, N-하이드록시메틸 프로판올 아민, 에틸렌 디아민, 프로필렌 디아민, 트리메틸렌 디아민, 테트라메틸렌 디아민, 1,3-디아미노부탄, 2,3-디아미노부탄, 펜타메틸렌 디아민, 2,4-디아미노 펜탄, 헥사메틸렌 디아민, 헵타메틸렌 디아민, 옥타메틸렌 디아민, 노나메틸렌 디아민, N-메틸 에틸렌 디아민, N,N-디메틸 에틸렌 디아민, 트리메틸 에틸렌 디아민, N-에틸 에틸렌 디아민, N,N-디에틸 에틸렌 디아민, 트리에틸 에틸렌 디아민, 1,2,3-트리아미노프로판, 하이드라진, 트리스 (2-아미노에틸) 아민, 테트라 (아미노메틸) 메탄, 디에틸렌 트리아민, 트리에틸렌 테트라민, 테트라에틸 펜타민, 헵타에틸렌 옥타민, 노나에틸렌 데카민, 디아자바이사이클로 운데센, 하이드록실아민, N-메틸 하이드록실아민, N-에틸 하이드록실아민, N,N-디에틸 하이드록실아민, 모르폴린을 포함한다.
하나 이상의 알칸올아민, 특히, N-메틸에탄올아민(NMEA), 모노에탄올아민(MEA), 디에탄올아민, 모노-, 디- 및 트리이소프로판올아민, 2-(2-아미노에틸아미노) 에탄올, 2-(2-아미노에톡시) 에탄올, 및 트리에탄올아민 등을 포함한, 상기 열거된 바와 같은, 1 내지 5개의 탄소 원자를 지니는 일차, 이차 및 삼차의 알칸올아민이 알칼리성 화합물로서 사용될 수 있다.
본 발명의 조성물에서 알칼리성 화합물로서 사용될 수 있는 다른 유기 아민은 사이클릭 비-방향족 아민, 예컨대, 모르폴린, 사이클로헥실아민, 및 피페리딘, 1 내지 5개의 탄소 원자를 지니는 알킬아민, 예컨대, 부틸아민, 및 1 내지 5개의 탄소 원자를 지니는 알킬렌디아민, 예컨대, 에틸렌 디아민 등을 포함한다.
본 발명의 조성물에서 하나 이상의 알칼리성 화합물로서 사용될 수 있는 바람직한 아민은 알칸올아민 및 하이드록실아민 또는 알칸올아민과 하이드록실아민의 혼합물이다.
본 발명의 조성물에서 하나 이상의 알칼리성 화합물로서 사용되는 하나 이상의 아민은 조성물의 전제 중량을 기준으로 하여 35 내지 94.5 중량%, 또는 30 내지 80 중량%, 또는 45 내지 90 중량%, 또는 55 내지 85 중량%, 또는 50 내지 80 중량%, 또는 75 내지 85 중량%의 총량으로 존재할 수 있다.
본 발명의 스트리핑 및 클리닝 조성물은 알칼리성 화합물 또는 조성물에 존재하는 알칼리성 화합물의 일부로서 하나 이상의 가용성 사차 암모늄 하이드록사이드를 포함할 수 있다. 예시적인 사차 암모늄 하이드록사이드는 화학식 [N-R1R2R3R4]+OH-을 지니는 화합물일 수 있으며, 여기서, R1, R2, R3, 및 R4는 각각 독립적으로 알킬기, 하이드록시알킬기 및 이들의 조합이다. 본원에서 사용된 용어 "알킬"은 1 내지 20개의 탄소 원자 또는 1 내지 8개의 탄소 원자, 또는 1 내지 4개의 탄소 원자의 직쇄 또는 분지쇄 탄화수소기를 나타낸다. 적합한 알킬기의 예는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 및 3차 부틸을 포함한다. 본원에서 사용된 용어 "하이드록시알킬"은 1 내지 20개의 탄소 원자 또는 1 내지 8개의 탄소 원자, 또는 1 내지 4개의 탄소 원자의 직쇄 또는 분지쇄 하이드록실기 함유 탄화수소기를 나타낸다. 적합한 하이드록실알킬기의 예는 하이드록실에틸 및 하이드록시프로필을 포함한다. 적합한 사차 암모늄 하이드록사이드 화합물의 예는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(TBAH), 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 트리메틸에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리에틸암모늄 하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리프로필암모늄 하이드록사이드, (1-하이드록시프로필)트리메틸암모늄 하이드록사이드, 에틸트리메틸암모늄 하이드록사이드, 디에틸디메틸암모늄 하이드록사이드 및 벤질트리메틸암모늄 하이드록사이드, 또는 이들의 혼합물을 포함한다.
본 발명의 조성물에서 하나 이상의 알칼리성 화합물로서 사용되는 하나 이상의 사차 암모늄 하이드록사이드는 조성물의 전체 중량을 기준으로 하여 35 내지 94.5 중량%, 또는 50 내지 80 중량%, 또는 45 내지 90 중량%, 또는 55 내지 85 중량%, 또는 50 내지 80 중량%, 또는 70 내지 85 중량%의 총량으로 존재할 수 있다.
조성물의 pH는 7 초과, 전형적으로는, 8 초과, 또는 9 초과, 또는 9 내지 12, 또는 10 내지 12일 수 있다.
한 가지 바람직한 포토레지스트 스트리핑 및 클리닝 조성물은 약 70 내지 85 중량%의 하나 이상의 알칼리성 화합물, 약 0.5 내지 2.5 중량%의 하나 이상의 항산화 부식 억제제, 약 0.001 내지 0.1 중량%, 또는 0.005 내지 0.1 중량%, 또는 0.01 내지 0.1 중량%의 하나 이상의 항산화제의 하나 이상의 산화된 분획, 및 약 12.4 내지 29.49 중량%의 물을 포함한다.
또 다른 바람직한 포토레지스트 스트리핑 및 클리닝 조성물은 약 70 내지 85 중량%의 하나 이상의 알칼리성 화합물, 약 0.5 내지 2.5 중량%의 하나 이상의 부동태화 부식 억제제, 약 0.5 내지 2.5 중량%의 하나 이상의 항산화 부식 억제제, 약 0.01 내지 0.1 중량%의 하나 이상의 항산화제의 하나 이상의 산화된 분획 및 약 9.9 내지 28.99 중량%의 물을 포함한다. 한 가지 구체예로, 하나 이상의 알칼리성 화합물은 하나 이상의 알칸올아민을 포함할 수 있다. 하나 이상의 알칸올아민을 포함하는 구체예와 조합될 수 있는 한 가지 구체예에서, 부동태화 부식 억제제는 벤조트리아졸을 포함할 수 있다. 또 다른 구체예로, 항산화 부식 억제제는 하나 이상의 알칸올아민 및 벤즈트리아졸과 조합될 수 있는 갈산을 포함한다. 또 다른 바람직한 클리닝 조성물은 알칸올아민, 예를 들어, N-메틸 에탄올아민, 벤조트리아졸, 갈산, 갈산 옥사이드 및 물을 포함한다.
한 가지 바람직한 포토레지스트 스트리핑 및 클리닝 조성물은 약 70 내지 85 중량%의 알칸올아민, 예를 들어, N-메틸 에탄올아민, 약 0.5 내지 2.5 중량%의 벤조트리아졸, 약 0.5 내지 2.5 중량%의 갈산, 약 0.01 내지 0.1 중량%의 갈산 옥사이드 및 약 9.9 내지 28.99 중량%의 물을 포함한다.
한 가지 바람직한 포토레지스트 스트리핑 및 클리닝 조성물은 약 70 내지 85 중량%의 하나 이상의 알칼리성 화합물, 약 0.5 내지 10 중량%의 하나 이상의 항산화 부식 억제제, 약 0.01 내지 1 중량%의 하나 이상의 항산화제의 하나 이상의 산화된 분획, 및 약 4 내지 29.49 중량%의 물을 포함한다.
또 다른 바람직한 포토레지스트 스트리핑 및 클리닝 조성물은 약 70 내지 85 중량%의 하나 이상의 알칼리성 화합물, 약 0.5 내지 2.5 중량%의 하나 이상의 부동태화 부식 억제제, 약 0.5 내지 7 중량%의 하나 이상의 항산화 부식 억제제, 약 0.01 내지 0.7 중량%의 하나 이상의 항산화제의 ㅎ하나 이상의 산화된 분획 및 약 4.8 내지 28.99 중량%의 물을 포함한다.
한 가지 구체예로, 하나 이상의 알칼리성 화합물은 하나 이상의 알칸올아민 또는 하나 이상의 알칸올아민 및 하이드록실아민을 포함할 수 있다. 하나 이상의 알칸올아민, 또는 하나 이상의 알칸올아민 및 하이드록실아민을 포함하는 구체예와 조합될 수 있는 한 가지 구체예에서, 부동태화 부식 억제제는 벤조트리아졸을 포함할 수 있다. 또 다른 구체예로, 항산화 부식 억제제는 하나 이상의 알칸올아민 및/또는 하이드록실아민 및/또는 벤조트리아졸과 조합될 수 있는 갈산 또는 카테콜 또는 갈산과 카테콜의 혼합물을 포함할 수 있다. 또 다른 바람직한 클리닝 조성물은 알칸올아민, 예를 들어, N-메틸 에탄올아민, 또는 메틸 에탄올아민, 벤조트리아졸, 갈산, 갈산 옥사이드 및 물을 포함한다. 또 다른 바람직한 클리닝 조성물은 알칸올아민 및 하이드록실아민, 물 및 카테콜과 카테콜의 산화 생성물 또는 갈산과 갈산 옥사이드를 포함한다.
한 가지 바람직한 포토레지스트 스트리핑 및 클리닝 조성물은 약 70 내지 85 중량%의 알칸올아민 및 하이드록실아민, 약 0.5 내지 7 중량%의 카테콜 및/또는 갈산, 약 0.001 내지 0.7 중량%, 또는 0.005 내지 0.7 중량%, 또는 0.01 내지 0.7 중량%의 카테콜 및/또는 갈산의 산화 생성물 및 약 7.3 내지 29.49 중량%의 물을 포함한다.
단일의 구성요소에 대한 어떠한 참조는 복수의 구성요소의 가능성을 포함하고, 복수의 구성요소에 대한 어떠한 참조는 조성물, 본원에 기재된 조성물을 사용하는 방법 및 이를 제조하는 방법에서 단일의 구성요소의 가능성을 포함하는 것으로 이해됨을 주지해야 한다.
항산화제의 하나 이상의 산화된 분획을 그 안에 포함하는 본 발명의 조성물을 제공하기 위한 한 가지 방법은 산소 함유 유체(그것은 기체 또는 액체일 수 있음)를 하나 이상의 항산화 부식 억제제를 포함하는 본 발명의 클리닝 조성물내로 또는 그를 통해서 버블링시키거나, 주입시키거나, 달리 도입시키는 것이다. 항산화제의 산화된 분획이, 동일반응계내로 일컬어지는, 클리닝 조성물 내로 산소 함유 유체를 주입시킴으로써 제조되는 경우에, 조성물에 존재하는 하나 이상의 항산화 부식 억제제의 50% 미만 또는 10% 미만이 항산화제의 산화된 분획으로 전환되는 것이 바람직하다. 대안적으로, 항산화제의 산화된 분획은 구매될 수 있거나 별도의 용기 또는 용액 내에 제조될 수 있고, 클리닝 조성물에 첨가될 수 있다. 항산화제의 산화된 분획을 생성시키기 위해서 사용될 수 있는 산화제는, 이로 한정되는 것은 아니지만, 산소-함유 기체 및 액체, 공기, 퍼옥사이드, 니트레이트 화합물, 예를 들어, 아산화질소를 포함한다. 항산화제의 부분적 산화는 산화제를 제어된 방식으로 사용함으로써 달성될 수 있다. 제어될 수 있는 공정 파라미터는 반응 온도 및 압력을 포함한다. 요망되는 수준의 부분적 산화가 달성되도록 산화를 제한하기 위한 주의를 해야 한다. 클리닝 조성물의 부분적 산화는 클리닝 조성물 및/또는 항산화 부식 억제제가 클리닝 조성물의 클리닝 성능을 유지하도록 의미가 있게 변화되지 않는 것을 보장하기에 그다지 대단하지 않다. 클리닝 조성물(달리 본 발명에 따르면, 안에 함유된 항산화제의 산화된 분획이 없음)에 존재하는 항산화 부식 억제제의 < 10%의 산화는 전형적으로는 클리닝 조성물에 실리콘 부동태화를 부여하기에 충분한 항산화제 산화된 분획을 생성시키는 것으로 밝혀졌다. 하나 이상의 항산화제의 산화된 생성물은 클리닝 조성물이 클리닝되어야 하는 실리콘 기판에 접촉되기 전에 형성되거나 달리 클리닝 조성물에 첨가되는 것이 바람직하다.
본원에서 기재된 본 발명의 조성물은 유기 용매, 및/또는 하나 이상의 첨가제, 예컨대, 계면활성제 및 살생물제, 및 산업분야에서 공지된 그 밖의 물질을 포함한 임의의 성분을 추가로 포함할 수 있으며, 여기서, 이들 성분은 각각 또는 합해서 10 중량% 미만, 바람직하게는 5 중량% 미만의 양으로 존재한다.
본 발명의 조성물에 사용되는 임의의 유기 용매는 하나 이상의 수용성 또는 물 혼화성 유기 용매 중 하나 또는 그것들의 혼합물을 포함할 수 있다. 본원에서 사용된 용어 수용성 또는 물 혼화성 유기 용매는 물과 혼합될 수 있고 서로 혼합될 수 있으며 표준 온도 및 압력에서 균일한 용액을 형성할 수 있는 용매를 포함한다. 사용될 수 있는 수용성 또는 물 혼화성 유기 용매의 예는, 이로 한정되는 것은 아니지만, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 1,4-부탄디올, 트리프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 프로필 에테르, 디에틸렌 글리콜 n-부틸 에테르, 헥실옥시프로필아민, 폴리(옥시에틸렌)디아민, 디메틸설폭사이드, 테트라하이드로푸르푸릴 알콜, 글리세롤, 알콜(예, 벤질 알콜), 설폭사이드, 또는 이들의 혼합물을 포함한다. 바람직한 임의의 용매는 알콜, 디올, 또는 이들의 혼합물이다. 바람직한 임의의 용매는, 예를 들어, 2 내지 8개의 탄소 원자를 지니는 글리콜 에테르 또는 하이드릭 알콜(hydric alcohol) 및 이들의 혼합물을 포함한다.
본 발명의 조성물에서 임의의 용매로서 사용될 수 있는 글리콜 에테르의 예는, 예를 들어, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노이소부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 폴리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노이소프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 디이소프로필 에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 1-메톡시-2-부탄올, 2-메톡시-1-부탄올, 2-메톡시-2-메틸부탄올, 1,1-디메톡시에탄 및 2-(2-부톡시에톡시) 에탄올을 포함한다. 예시적인 구체예에서, 글리콜 에테르는 트리(프로필렌 글리콜) 메틸 에테르(t-PGME)를 포함한다.
하나의 하이드록시기, 2 내지 8개의 탄소 원자 및 임의로 본 발명의 조성물에서 임의의 유기 용매로서 사용될 수 있는 헤테로사이클릭 화합물을 지니는 한 가지 적합한 일가 알콜은 테트라하이드로푸르푸릴 알콜(THFA)를 포함한다. THFA가 특히 바람직한데, 그 이유는 그것이 고도의 용해력을 지니는 생분해성 및 물-혼화성이기 때문이다. 추가로, THFA는 발암물질로서 열거되지 않으며 위험 폐기물로서 분류되지 않는다.
용매는, 존재하는 경우에, 일차적으로는 레지스트 층 내의 유기 폴리머 또는 유기 잔류물을 용해시켜 기판으로부터 레지스트 층 또는 유기 잔류물을 제거하는 기능을 한다.
임의의 계면활성제는 어떠한 공지된 계면활성제를 포함하고, 예를 들어, 음이온성, 양이온성, 비이온성 및 양쪽성 계면활성제일 수 있다. 계면활성제의 예는 도데실 설페이트 소듐 염, 소듐 라우릴 설페이트, 도데실 설페이트 암모늄 염, 이차 알칸 설포네이트, 아세틸렌계 계면활성제, 알킬 페놀 에톡실레이트, 지방 알콜 에톡실레이트, 지방 아민 에톡실레이트, 프로필렌 옥사이드-에틸렌 옥사이드 블록 코폴리머, 또는 에틸렌 디아민 계면활성제, 및 이들의 어떠한 조합물을 포함한다. 적합한 상업적으로 구입 가능한 계면활성제의 예는 TRITON ™, TergitolTM, Dow Chemicals에 의해서 제조된 DOWFAXTM 계열 및 Air Products and Chemicals에 의해서 제조된 SURFYNOL™, DYNOLTM, ZetasperseTM, NonidetTM, 및 TomadolTM의 다양한 계면활성제를 포함한다. 계면활성제 중 적합한 계면활성제는 또한 에틸렌 옥사이드(EO) 및 프로필렌 옥사이드(PO) 기를 포함하는 폴리머를 포함할 수 있다. EO-PO 폴리머의 예는 BASF Chemicals로부터의 TetronicTM 90R4이다. 일부 유용한 계면활성제의 추가의 예는 본원에서 참고로 통합되는 미국특허 제7,591,270호에 개시되어 있다.
저장 동안에 박테리아 및 진균의 성장을 제어하기에 유용한 임의의 살생물제는 미국특허 제5,230,833호 및 미국특허출원 US 20020025762호에 개시되어 있다. 개시된 생물학적 성장 억제제는 테트라메틸암모늄 클로라이드, 테트라에틸암모늄 클로라이드, 테트라프로필암모늄 클로라이드, 알킬벤질디메틸암모늄 클로라이드, 및 알킬벤질디메틸암모늄 하이드록사이드(여기서, 알킬 쇄는 1 내지 약 20개의 탄소원자 범위이다), 소듐 클로라이드, 및 소듐 하이포클로라이트를 포함한다. 상업적으로 구입 가능한 보존제 중 일부는 Dow chemicals로부터의 KATHONTM 및 NEOLENETM 제품 계열 및 Lanxess로부터의 PreventolTM 계열을 포함한다.
본원에서 기재된 본 발명의 일부 조성물은 불소 함유 화합물, 및/또는 하이드록실아민 및/또는 퍼옥사이드 및/또는 추가의 유기 용매, 및/또는 완충제, 및/또는 다음 첨가제, 예컨대, 계면활성제 및/또는 살생물제 중 하나 이상의 첨가제를 실질적으로 함유하지 않을 수 있고, 여기서, 실질적으로 함유하지 않는다는 것은 1 중량% 미만, 또는 0.01 중량% 미만, 또는 바람직하게는 0.005 중량% 미만을 의미한다.
본 발명의 스트리핑 및 클리닝 조성물은 상기 언급된 이유 및 또한 하기 사항을 포함할 수 있는 이유 중 다양한 이유로 유용하고 유리하다. 본 발명의 스트리핑 및 클리닝 조성물은 수용성, 비-부식성, 비-가연성, 및 환경에 대한 낮은 독성일 수 있다. 스트리핑 및 클리닝 조성물은 광범위하게 다양한 코팅 및 기판에 대해서 저온에서 더 높은 스트리핑 및 클리닝 효율을 입증할 수 있으면서, 동시에, 개선된 실리콘 부동태화를 제공할 수 있다. 이들은 집적 회로 제작에 이용되는 플라즈마 공정으로부터의 포토레지스트 및 잔류물의 제거에 특히 적합하다.
클리닝 조성물은, 전형적으로는 실온에서, 성분들을 단순히 혼합함으로써 용이하게 제조된다. 대안적으로는, 항산화제의 산화된 분획을 제외한 성분들이 혼합될 수 있고, 상기 기재된 바와 같이, 항산화제의 산화된 분획은 공기 또는 다른 산소-함유 유체(예, 가스)를 혼합된 성분들을 통해서 버블링시키거나, 항산화제의 산화된 분획을 안에 형성시키게 되는 조성물에 산화 유체를 첨가함으로써 동일반응계 내에서 형성될 수 있다. 한 가지 구체예로, 분당 200 표준 입방 센티미터의 공기가 2 시간 이상, 또는 3 시간 이상, 또는 4 시간 이상, 또는 4 내지 10 시간 동안 하나 이상의 항산화 부식 억제제 (및 각각에 대해서, 이의 산소-도입된 등가물)을 포함하는 350 밀리리터(ml)에 버블링하여 클리닝 조성물 중의 항산화제의 산화된 분획을 형성시킬 수 있다. 클리닝 조성물의 양, 시간 및 유속은 동일 또는 유사한 양의 산소를 동일 또는 유사한 용적의 조성물에 도입하여 동일 또는 유사한 양의 항산화제의 산화된 분획을 생성시키도록 용이하게 조절될 수 있는데, 그 경우는, 더 높거나 더 낮은 비율의 산소 함유 유체가 클리닝 조성물을 통해서 버블링되고/거나, 더 높거나 더 낮은 유량의 그 유체가 클리닝 조성물에 도입되고/거나, 처리되는 클리닝 조성물의 양이 증가되는 경우이다. 상기 사용된 "또는 이의 산소-도입된 증가물"의 언급은, 200 sccm을 350 ml의 클리닝 조성물에 상기 언급된 시간 동안에 버블링시킴으로써 도입되는 것과 동일한 양의 산소를 동일 또는 유사한 용적의 조성물에 버블링 또는 달리 도입시키기 위해서 상이한 시간 동안 도입되는 상이한 산소 함유 유체를 포괄한다.
본 발명의 클리닝 조성물을 사용하는 방법은 전형적으로는 실리콘 웨이퍼 상에 존재하는 필름 또는 잔류물(즉, 측벽 폴리머(SWP))로서 유기 또는 금속-유기 폴리머, 이의 무기 염, 옥사이드, 하이드록사이드 또는 착화합물 또는 조합물을 기재된 스트리핑 및 클리닝 조성물과 접촉시킴으로써 수행된다. 실질적인 조건, 즉, 온도, 시간, 등은 제거되는 착화합물(포토레지스트 및/또는 측벽 폴리머 및/또는 다른 잔류물) 물질의 본질 및 두께뿐만 아니라, 당업자에게는 친숙한 다른 인자에 좌우된다. 일반적으로, 포토레지스트 스트리핑 및/또는 클리닝의 경우에, 클리닝되는 포토레지스트를 포함하는 웨이퍼는, 전형적으로는 약 5 내지 30 분의 기간 동안 25 내지 85℃의 온도에서 클리닝 조성물과 접촉되거나, 그로 스프레잉되거나, 그를 함유하는 용기 내로 침지되고, 물로 세척되고, 이어서, 불활성 기체로 건조되거나 "스핀 건조(spin dried)"될 수 있다. 대안적인 구체예의 경우에, 예를 들어, 클리닝 패키지 프레임(cleaning package frame), 즉, 웨이퍼(웨이퍼의 조각)가 부착된 프레임이 필요한 만큼, 전형적으로는, 1초 내지 30분 동안 클리닝 조성물과 접촉될 수 있다.
유기 폴리머 물질의 예는 포토레지스트, 전자 빔 레지스트, X-선 레지스트, 및 이온 빔 레지스트 등을 포함한다. 유기 폴리머 물질의 특정의 예는 페놀 포름알데하이드 유형 수지 또는 폴리 (p-비닐페놀)을 함유하는 포지티브 레지스트(positive resist), 및 폴리메틸메타크릴레이트-함유 레지스트 등을 포함한다. 플라즈마 가공 잔류물(SWP라고도 일컬어지는 측벽 폴리머)의 예는, 다른 것들 중에서도, 단독으로 또는 포토레지스트의 유기 폴리머 수지와 함께, 필름 또는 잔류물을 형성하는 금속-유기 착화합물 및/또는 무기 염, 옥사이드, 하이드록사이드 또는 착화합물을 포함한다. 유기 물질 및/또는 SWP은 당업자에게는 공지된 통상의 기판, 예컨대, 실리콘, 실리콘 디옥사이드, 보론 포스포러스 실리콘 유리(boron phosphorous silicon glass: BPSG), 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리 합금, 티타늄, 텅스텐, 금속 니트라이드 등으로부터 제거될 수 있다.
비록, 이론으로 한정하고자 하는 것은 아니지만, 항산화제의 산화된 분획은 실리콘 배면일 수 있는 실리콘을 아마도 실리콘의 에칭을 방지하는 불용성 실리콘 착화합물을 생성시킴으로써 에칭으로부터 보호하는 것으로 사료된다.
본 발명의 클리닝 조성물의 효과 및 예상치 못한 본질, 이로 한정되는 것은 아니지만, 하기 실시예에서 나타낸 데이터가 예시되고 있다. 달리 명시되지 않는 한, 모든 부 및 백분율은 중량을 기준으로 한다.
실시예
본 발명의 클리닝 조성물의 효율을 입증하기 위해서, 하기 시험들을 수행하였다. 항산화 부식 억제제를 부분적으로 산화시키기 위해서 클리닝 조성물 A를 본 발명의 공정에 의해서 처리하였다. 항산화 부식 억제제를 부분적으로 산화시키기 위한 공정은 다음과 같다: 실온의 비이커에서 표 1에서 나타낸 중량 백분율로 그러한 표에서 열거된 성분들의 모두를 혼합함으로써 클리닝 조성물을 제조하였다. 사용된 알칼리성 화합물은 유기 아민, 특히, N-메틸에탄올아민(NMEA)이었다. 부동태화 부식 억제제는 벤조트리아졸이었다. 사용된 항산화 부식 억제제는 갈산이었다. 사용된 항산화제의 산화 생성물은 조성물을 산소와 반응시킴으로써 동일반응계 내에서 제조된 갈산 옥사이드였다. (대안적으로는, 갈산 옥사이드는 상업적으로 구입 가능할 수 있거나, 이는 별도로 제조되어 첨가될 수 있다). 동일반응계 내의 갈산 옥사이드의 형성은 UV 검출기가 구비된 고압 액체 크로마토그래피(HPLC-UV)를 사용하여 추적되었다. 최종 클리닝 포뮬레이션(formulation)은 표 1에 열거된 조성을 지녔다. Si<100> 블랭킷 웨이퍼에 대한 실리콘 에칭 속도를 얻었다. 실리콘 에칭 속도를 70℃에서 측정하였다. 실리콘 웨이퍼의 4개의 이산 조각을 완충된 옥사이드 에칭(Buffered Oxide Etch: BOE) 영액으로 처리하여 상부에서 실리콘 디옥사이드 층을 제거하고 주어진 온도의 포뮬레이션에 침지시키고, 소정의 시간 동안 접촉 유지되게 하였다. 노출 후에, 웨이퍼를 메틸 피롤리딘 및 DI 물 용액으로 세정하여 유기 용매를 제거하고, 건조시키고, 중량 변화를 칭량하여 실리콘 에칭 속도를 계산하였다. 표 1에 보고된 값은 4개의 이산 측정의 평균이다.
비교 클리닝 조성물은 항산화제의 산화 생성물을 함유하지 않았다. 즉, 비산화된 클리닝 조성물은 상당한 실리콘 에칭을 나타냈다. 클리닝 조성물 A의 경우에, 무시할 만한 실리콘 에칭을 나타냈다. 클리닝 조성물 A는 클리닝 조성물 중의 갈산(항산화 부식 억제제)의 동일반응계내 산화에 의해서 형성된 약 0.055 중량%의 갈산 옥사이드를 함유하였다. 0.055 중량% 또는 그 초과의 항산화제의 산화된 생성물을 지니는 클리닝 조성물은 낮은 실리콘 에칭 속도를 제공하는 것으로 예상될 것이다.
표 1
에칭 속도 비교
Figure 112016001737403-pat00001
몇 가지 다른 조성물을 또한 시험하였다. 각각의 조성물은 항산화 부식 억제제를 함유하였다. 모든 조성물을 표 2에서 확인된 및 이하 기재된 성분들을 실온에서 혼합함으로써 생산하였다. 조성물의 각각에서의 항산화 부식 억제제를 부분적으로 산화시키기 위한 공정(황산화제의 산화된 생성물인 항산화 부식 억제제의 산화된 생성물을 형성시킴)은 다음과 같다: 500 ml의 비이커에, 350 ml의 각각의 조성물을 붓고, 분당 200 표준 입방 센티미터(sccm)의 공기를 표 2에 열거된 바와 같이 요망되는 시간 동안 분사하였다. 미리 정해진 시간 후에, 공기 분사를 중단하고, 샘플을 질소 중에 저장하였다. 그 후에, 다양한 분사 시간에서의 각각의 조성물에 대한 실리콘 에칭 속도를 측정하였다. 실리콘 에칭 속도에 대해서, Si <100> 사전-칭량된 조각 중 4개의 3.5 cm x 3.5 cm 조각을 표 2에 보고된 각각의 에칭 속도를 위해서 사용하였다. 실리콘 조각을 70℃에서 교반되는 350ml의 각각의 클리닝 조성물에 침지시키고 6시간 동안 반응되게 하였다. 6시간 후에, 실리콘 조각을 제거하고, 이소프로필 알콜 및 탈이온수로 세척하고, 건조시켰다. 그 후에, 실리콘 조각을 칭량하고, 사전-칭량된 중량과 처리후 중량 사이의 차이 및 분당 에칭 속도를 각각의 실리콘 조각에 대해서 계산하였다. 다양한 시간 동안 스파징된 클리닝 조성물로 처리된 4개의 조각의 각각의 세트에 대한 결과의 평균을 계산하고 표 2에 보고하였다.
조성물 B는 물, 알칼리로서의 3.3 중량 비율로의 2(메틸 아미노) 에탄올과 하이드록실아민의 혼합물, 및 항산화 부식 억제제로서의 카테콜을 함유하였다. 조성물 C는 물, 알칼리로서의 3.3 중량 비율로의 모노이소프로판올아민과 하이드록실아민의 혼합물, 및 항산화 부식 억제제로서의 카테콜을 함유하였다. 조성물 D는 물, 알칼리로서의 3.4 중량 비율로의 모노에탄올아민과 하이드록실아민의 혼합물, 및 항산화 부식 억제제로서의 카테콜을 함유하였다. 조성물 E는 물, 알칼리로서의 3.4 중량 비율로의 모노에탄올아민과 하이드록실아민의 혼합물, 및 항산화 부식 억제제로서의 갈산을 함유하였다. 조성물 F는 물, 알칼리로서의 2 (메틸아미노) 에탄올, 항산화 부식 억제제로서의 카테콜 및 부동태화 부식 억제제로서의 벤조트리아졸을 함유하였다. (주: 하이드록실아민을 함유하는 클리닝 조성물에서, 50% 수성 하이드록실아민 용액이 사용되었다. 클리닝 조성물 중의 물의 양은 클리닝 조성물을 제조하기 위해서 사용된 수성 하이드록실아민 용액에 존재하는 물과 동등하다)
표 2
에칭 속도 비교
Figure 112016001737403-pat00002
* 표 2에서의 항산화 부식 억제제의 중량% 산화는 액체 크로마토그래피를 이용하여 각각의 클리닝 조성물 중의 항산화 부식 억제제의 초기 양과 최종 양 사이의 차이를 측정하고, 클리닝 조성물 중의 항산화 부식 억제제의 초기 양으로 나눔으로써 측정되었다.
용어 "포함하는", "함유하는" 또는 "지니는"은 모두 비-제한적인 개방적 용어이고, 본원 어디에선가 사용된 부분적으로 폐쇄된 또는 폐쇄된 용어 "을 기본으로 하여 이루어진" 및 "으로 이루어진"을 포함한다.

Claims (24)

  1. 물, 하나 이상의 알칼리성 화합물, 하나 이상의 부식 억제제, 및 하나 이상의 항산화제의 하나 이상의 산화된 생성물을 포함하는 포토레지스트 또는 잔류물 스트리핑 및 클리닝 조성물(photoresist or residue stripping and cleaning composition)로서, 상기 하나 이상의 부식 억제제가 하나 이상의 항산화 부식 억제제를 포함하고, 하나 이상의 항산화제의 상기 하나 이상의 산화된 생성물이 상기 하나 이상의 항산화 부식 억제제를 산화시킴으로써 형성되는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  2. 물, 하나 이상의 알칼리성 화합물, 하나 이상의 부식 억제제, 및 하나 이상의 항산화제의 하나 이상의 산화된 생성물을 포함하는 포토레지스트 또는 잔류물 스트리핑 및 클리닝 조성물로서, 상기 하나 이상의 부식 억제제가 하나 이상의 항산화 부식 억제제를 포함하고, 하나 이상의 항산화제의 상기 하나 이상의 산화된 생성물이 산소-함유 가스, 퍼옥사이드 또는 니트레이트를 상기 조성물에 첨가함으로써 동일반응계 내에서(in situ) 형성되는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 하나 이상의 항산화 부식 억제제가 카테콜, t-부틸 카테콜, 레조르시놀, 피로갈롤, 갈산, 갈산의 에스테르 및 아스코르브산로 이루어진 군으로부터 선택되는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 하나 이상의 부동태화 부식 억제제를 추가로 포함하는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 하나 이상의 부동태화 부식 억제제가 안트라닐산, 벤조산, 이소프탈산, 말레산, 푸마르산, D,L-말산, 말론산, 프탈산, 말레산 무수물, 프탈산 무수물, 벤조트리아졸(BZT), 카르복시벤조트리아졸, 디에틸 하이드록실아민, 이들의 락트산 및 시트르산 염, 피로갈롤, 프룩토오스, 암모늄 티오설페이트, 글리신, 락트산, 테트라메틸구아니딘, 이미노디아세트산, 및 디메틸아세토아세타미드, 트리하이드록시벤젠, 디하이드록시벤젠, 및 살리실하이드록삼산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 하나 이상의 알칼리성 화합물이 헥실 아민, 5-아미노-2-메틸 펜탄, 헵틸 아민, 옥틸 아민, 노닐 아민, 데실 아민, 디프로필 아민, 디이소프로필 아민, 디부틸 아민, 디이소부틸 아민, 디-n-부틸 아민, 디-t-부틸 아민, 디펜틸 아민, 디헥실 아민, 디헵틸 아민, 디옥틸 아민, 디노닐 아민, 디데실 아민, 아밀 메틸 아민, 메틸 이소아밀 아민, 트리프로필 아민, 트리부틸 아민, 트리펜틸 아민, 디메틸 에틸 아민, 메틸 디에틸 아민, 메틸 디프로필 아민, N-에틸리덴 메틸 아민, N-에틸리덴 에틸 아민, N-에틸리덴 프로필 아민, N-부틸 아민 에틸리덴, 알칸올아민, 에탄올아민, N-메틸 에탄올아민, N-에틸 에탄올아민, N-프로필 에탄올아민, N-부틸 에탄올아민, 디에탄올아민, 1-아미노-2-프로판올, N-메틸 아민 이소프로판올, N-에틸-이소프로판올 아민, N-프로필 이소프로판올 아민, 2-아미노프로판-1-올, N-메틸-2-아미노프로판-1-올, N-에틸-2-아미노프로판-1-올, 1-아미노프로판-3-올, N-메틸-1-아미노프로판-3-올, N-에틸-1-아미노프로판-3-올, 1-아미노부탄-2-올, N-메틸-1-아미노부탄-2-올, N-에틸-1-아미노부탄-2-올, 2-아미노부탄-1-올, N-메틸-2-아미노부탄-1-올, N-에틸-2-아미노부탄-1-올, N-하이드록시-메틸 에탄올 아민, N-하이드록시메틸 에틸렌 디아민, N,N'-비스 (하이드록시메틸) 에틸렌 디아민, N-하이드록시메틸 프로판올 아민, 에틸렌 디아민, 프로필렌 디아민, 트리메틸렌 디아민, 테트라메틸렌 디아민, 1,3-디아미노부탄, 2,3-디아미노부탄, 펜타메틸렌 디아민, 2,4-디아미노 펜탄, 헥사메틸렌 디아민, 헵타메틸렌 디아민, 옥타메틸렌 디아민, 노나메틸렌 디아민, N-메틸 에틸렌 디아민, N,N-디메틸 에틸렌 디아민, 트리메틸 에틸렌 디아민, N-에틸 에틸렌 디아민, N,N-디에틸 에틸렌 디아민, 트리에틸 에틸렌 디아민, 1,2,3-트리아미노프로판, 하이드라진, 트리스 (2-아미노에틸) 아민, 테트라 (아미노메틸) 메탄, 디에틸렌 트리아민, 트리에틸렌 테트라민, 테트라에틸 펜타민, 헵타에틸렌 옥타민, 노나에틸렌 데카민, 디아자바이사이클로 운데센, 하이드록실아민, N-메틸 하이드록실아민, N-에틸 하이드록실아민, N,N-디에틸 하이드록실아민 모르폴린, 및 N-메틸에탄올아민 (NMEA), 모노에탄올아민 (MEA), 디에탄올아민, 모노-, 디- 및 트리이소프로판올아민, 2-(2-아미노에틸아미노) 에탄올, 2-(2-아미노에톡시) 에탄올, 트리에탄올아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 아민을 포함하는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  7. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 알칼리성 화합물이 1 내지 5개의 탄소 원자를 지니는 일차, 이차 및 삼차 알칸올아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  8. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 알칼리성 화합물이 모르폴린, 사이클로헥실아민, 피페리딘 알킬아민(여기서, 알킬기는 1 내지 5개의 탄소 원자를 지닌다) 및 알킬렌 디아민(1 내지 5개의 탄소 원자를 지님)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 아민을 포함하는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  9. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 알칼리성 화합물이 알칸올아민, 하이드록실아민 및 알칸올아민과 하이드록실아민의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 아민을 포함하는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  10. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 알칼리성 화합물이 화학식 [N-R1R2R3R4]+OH-을 지니는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 사차 암모늄 하이드록사이드를 포함하고, 여기서, R1, R2, R3, 및 R4는 각각 독립적으로 알킬기, 하이드록시알킬기 및 이들의 조합이고, 상기 알킬기는 1 내지 20개의 탄소 원자를 지니는 직쇄 또는 분지쇄 탄화수소기이고, 상기 하이드록시알킬기는 1 내지 20개의 탄소 원자의 직쇄 또는 분지쇄 하이드록실기 함유 탄화수소기인 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  11. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 조성물이 5 내지 50 중량%의 상기 물을 포함하는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  12. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 조성물이 10 내지 30 중량%의 상기 물을 포함하는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  13. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 조성물이 35 내지 94.5 중량%의 상기 하나 이상의 알칼리성 화합물을 포함하는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  14. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 조성물이 45 내지 90 중량%의 상기 하나 이상의 알칼리성 화합물을 포함하는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  15. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 조성물이 0.1 내지 15 중량%의 상기 하나 이상의 부식 억제제를 포함하는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  16. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 조성물이 0.001 내지 5 중량%의 하나 이상의 항산화제의 상기 하나 이상의 산화 생성물을 포함하는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  17. 제 4항에 있어서, 상기 하나 이상의 부식 억제제가 0.1 내지 10 중량%의 하나 이상의 부동태화 부식 억제제 및 0.1 내지 10 중량%의 하나 이상의 항산화 부식 억제제를 포함하는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  18. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 70 내지 85 중량%의 하나 이상의 알칸올아민을 포함하는 상기 하나 이상의 알칼리성 화합물, 0.5 내지 2.5 중량%의 하나 이상의 항산화 부식 억제제, 0.001 내지 1 중량%의 하나 이상의 항산화제의 하나 이상의 산화 생성물, 및 9.9 내지 28.99 중량%의 물을 포함하는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  19. 제 18항에 있어서, 상기 하나 이상의 항산화 부식 억제제가 갈산 또는 카테콜 또는 갈산과 카테콜의 혼합물을 포함하는 포토레지스트 또는 잔류물을 스트리핑 및 클리닝하는, 조성물.
  20. 실리콘을 포함하는 실리콘 기판을 스트리핑 및 클리닝 유효량의 제 1항 또는 제 2항의 조성물과 접촉시키는 단계; 스트리핑 유효 기간 동안 상기 스트리핑 조성물을 상기 기판과 접촉되게 하는 단계; 및 상기 기판으로부터 포토레지스트 또는 포토레지스트 잔류물을 제거하는 단계를 포함하여 실리콘을 포함하는 실리콘 기판상에서 포토레지스트 또는 잔류물을 제거하는 방법으로서, 상기 실리콘 기판의 상기 실리콘이 1Å/min 미만인 속도로 에칭되는 방법.
  21. 제 1항 또는 제 2항의 조성물을 제조하는 방법으로서, 용기 내에서 물, 하나 이상의 알칼리성 화합물, 하나 이상의 항산화 부식 억제제를 혼합하는 단계, 및 산소-함유 가스, 퍼옥사이드 또는 니트레이트를 상기 조성물에 첨가하여 상기 조성물 중에 하나 이상의 항산화 부식 억제제의 하나 이상의 산화된 생성물을 형성시키는 단계를 포함하는 방법.
  22. 제 21항에 있어서, 산소-함유 가스, 퍼옥사이드 또는 니트레이트를 상기 조성물에 첨가하여 상기 조성물 중에 하나 이상의 항산화 부식 억제제의 하나 이상의 산화된 생성물을 형성시키는 단계가 산소-함유 가스를 상기 용기 내의 상기 조성물을 통해서 버블링(bubbling)시킴으로써 수행되는 방법.
  23. 제 20항에 있어서, 제거 단계 후에, 기판을 물로 세척하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  24. 제 23항에 있어서, 세척 단계에서 기판을 세척하는 데 오직 물이 사용되는 방법.
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