CN105717756B - 具有改进的硅钝化的半水性光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其包含水、一种或多种碱性化合物、一种或多种腐蚀抑制剂和一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化产物，及制备所述组合物的方法和使用所述组合物的方法。

Description

具有改进的硅钝化的半水性光致抗蚀剂或半导体制造残余物 剥离和清洁组合物
本发明要求2014年12月23日提交的具有相同名称的US 62/095,857号申请的优先权，其通过引用全部并入本文。
技术领域
本发明涉及半水性剥离组合物的改进，所述组合物特别用于从硅晶片剥离光致抗蚀剂、光致抗蚀剂残余物和其他残余物。
背景技术
在制造半导体和半导体微电路期间，经常需要用聚合物有机薄膜涂覆由其制造半导体和微电路的衬底，所述聚合物有机薄膜通常称为光致抗蚀剂，例如，在曝光时形成蚀刻抗蚀剂的物质。这些光致抗蚀剂用于保护所选择的衬底表面区域，而蚀刻剂选择性地攻击衬底的不受保护的区域。衬底通常是二氧化硅涂覆的硅晶片且也可以在表面上包含金属微电路，例如铝、铜、钨、钛、钽及金属合金和氮化物。完成蚀刻操作和洗除剩余的蚀刻剂后，必需从保护表面去除抗蚀剂以允许必不可少的完工作业。期望的是开发改进的剥离和清洁组合物以从涂覆的无机衬底去除有机的聚合物基质而不腐蚀、溶解或钝化金属电路并且也不去除硅晶片材料。在将电路的第一层施加到晶片的正面上(其中夹子用于操作晶片)和施加到晶片的背面上期间，硅晶片可以暴露于光致抗蚀剂剥离和清洁组合物(本文也称为“剥离剂”或“清洁组合物”或“剥离和清洁组合物”)。通常，硅晶片的暴露部分对于剥离清洁组合物是钝性的。然而，在一些情况下，暴露的硅可能被光致抗蚀剂剥离剂、特别是高pH剥离剂腐蚀。这些剥离剂可以包含胺、季碱及其混合物。因此，期望提供改进的剥离剂，其不蚀刻硅晶片，且反而提供改进的硅钝化。
发明简述
本发明提供一种合适的剥离和清洁组合物，其中消除或大幅度减少了以上提及的腐蚀的不利之处或缺点。本发明减少硅晶片的暴露部分(例如背面)的蚀刻。一方面，本发明提供一种光致抗蚀剂剥离和清洁组合物，其包含水和一种或多种碱性化合物、至少一种腐蚀抑制剂、和一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化部分(fraction)(本文也称为氧化产物)。在本发明的另一方面，本发明的一种或多种碱性化合物可以包含一种或多种胺或一种或多种季铵氢氧化物或其组合。在单独或与本发明的其他方面一起的本发明的组合物中，一种或多种腐蚀抑制剂可以包含一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂。单独或与本发明的其他方面一起的本发明的组合物可以包含一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化产物，其通过氧化一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂而形成。在单独或与本发明的其他方面一起的本发明的方面中，所述一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化产物通过向所述组合物添加含氧气体、过氧化物或硝酸盐或通过将含氧气体鼓泡通过所述组合物而原位形成。在本发明的另一方面，单独或与其他方面一起的所述组合物包含选自儿茶酚、叔丁基邻苯二酚、间苯二酚、连苯三酚、没食子酸、没食子酸的酯和抗坏血酸的一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂，或可以选自没食子酸和儿茶酚。在本发明的另一方面，单独或与其他方面一起的所述组合物包含或进一步包含一种或多种钝化腐蚀抑制剂。在本发明的另一方面，单独或与其他方面一起的本发明所述组合物中的一种或多种碱性化合物选自包含以下的组：一种或多种胺或者一种或多种季铵氢氧化物或者一种或多种胺或一种或多种季铵氢氧化物的混合物。在本发明的另一方面，单独或与本发明其他方面中任一一起的本发明组合物可以具有一种或多种钝化腐蚀抑制剂，其可以选自三唑和pH为约4到约7的弱酸，或可以选自邻氨基苯甲酸、苯甲酸、间苯二酸、马来酸、富马酸、D,L-苹果酸、丙二酸、酞酸、马来酸酐、酞酸酐、苯并三唑(BZT)、羧基苯并三唑、二乙基羟胺、其乳酸和柠檬酸盐、连苯三酚、果糖、硫代硫酸铵、甘氨酸、乳酸、四甲基胍、亚氨基二乙酸、和二甲基乙酰乙酰胺、三羟基苯、二羟基苯和水杨基羟肟酸。
在本发明的另一方面，单独或与本发明任何其他方面一起的本发明组合物可以具有选自下组的一种或多种胺：己胺、5-氨基-2-甲基戊烷、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、二丙胺、二异丙胺、二丁胺、二异丁胺、二正丁胺、二叔丁胺、二戊胺、二己胺、二庚胺、二辛胺、二壬胺、二癸胺、戊基甲胺、甲基异戊胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、二甲基乙胺、甲基二乙胺、甲基二丙胺、N-亚乙基甲胺、N-亚乙基乙胺、N-亚乙基丙胺、N-亚乙基丁胺、烷醇胺、乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、N-甲基异丙醇胺、N-乙基异丙醇胺、N-丙基异丙醇胺、2-氨基丙-1-醇、N-甲基-2-氨基丙-1-醇、N-乙基-2-氨基丙-1-醇、1-氨基丙-3-醇、N-甲基-1-氨基丙-3-醇、N-乙基-1-氨基丙-3-醇、1-氨基丁-2-醇、N-甲基-1-氨基丁-2-醇、N-乙基-1-氨基丁-2-醇、2-氨基丁-1-醇、N-甲基-2-氨基丁-1-醇、N-乙基-2-氨基丁-1-醇、N-羟基-甲基乙醇胺、N-羟甲基乙二胺、N,N'-双(羟甲基)乙二胺、N-羟甲基丙醇胺、乙二胺、丙二胺、三亚甲基二胺、四亚甲基二胺、1,3-二氨基丁烷、2,3-二氨基丁烷、戊二胺、2,4-二氨基戊烷、己二胺、七亚甲基二胺、八亚甲基二胺、九亚甲基二胺、N-甲基乙二胺、N,N-二甲基乙二胺、三甲基乙二胺、N-乙基乙二胺、N,N-二乙基乙二胺、三乙基乙二胺、1,2,3-三氨基丙烷、肼、三(2-氨乙基)胺、四(氨甲基)甲烷、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四乙基戊胺、七亚乙基八胺、九亚乙基十胺、二氮杂双环十一碳烯、羟胺、N-甲基羟胺、N-乙基羟胺和N,N-二乙基羟胺吗啉，或选自具有1到5个碳原子的伯、仲和叔烷醇胺。
在本发明的另一方面，单独或与本发明任何其他方面一起的本发明组合物可以具有一种或多种选自以下的烷醇胺作为所述碱性化合物：N-甲基乙醇胺(NMEA)、单乙醇胺(MEA)、二乙醇胺、单-、二-和三异丙醇胺、2-(2-氨基乙氨基)乙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、三乙醇胺，或所述一种或多种碱性化合物可以选自吗啉、环己胺、哌啶烷基胺(烷基具有1到5个碳)、和亚烷基二胺(具有1到5个碳)或其混合物，或所述一种或多种碱可以是选自烷醇胺和羟胺、或烷醇胺和羟胺的混合物的一种或多种胺。
在本发明的另一方面，单独或与本发明其他方面一起的本发明组合物可以包含一种或多种选自具有式[N-R1R2R3R4]+OH-的化合物的季铵氢氧化物，其中R1、R2、R3和R4各自独立地是烷基、羟烷基及其组合，其中所述烷基是具有1到20个碳原子的直链或支链烃基和其中所述羟烷基是具有1到20个碳原子的直链或支链的含羟基的烃基，或选自四甲基氢氧化铵(TMAH)、四乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵(TBAH)、四丙基氢氧化铵、三甲基乙基氢氧化铵、(2-羟乙基)三甲基氢氧化铵、(2-羟乙基)三乙基氢氧化铵、(2-羟乙基)三丙基氢氧化铵、(1-羟丙基)三甲基氢氧化铵、乙基三甲基氢氧化铵、二乙基二甲基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵。
在本发明的另一方面，单独或与本发明任何其他方面一起的本发明组合物可以具有5-50wt％、或5-30wt％、或10-40wt％、或10-30wt％、或15-25wt％的所述水。单独或与本发明任何其他方面一起的本发明组合物可以具有按重量计35-94.5wt％、或30-80wt％、或45-90wt％、或55-85wt％、或50-80wt％、或70-85％的所述一种或多种碱性化合物。单独或与本发明其他方面一起的本发明组合物可以具有0.1-15wt％或0.5-10wt％或0.5-7wt％或0.5-5wt％的所述一种或多种腐蚀抑制剂。单独或与本发明任何其他方面一起的本发明组合物可以具有0.001-5wt％、或0.001-3wt％、或0.002-0.5wt％、或0.003-0.8wt％、或0.003-0.3wt％、或0.004-0.2wt％、或0.005-0.1wt％、或0.007-0.1wt％、或0.01-5wt％、或0.01-3wt％、或0.02-0.5wt％、或0.03-0.8wt％、或0.03-0.3wt％、或0.04-0.2wt％、或0.05-0.1wt％的所述一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化产物。
在本发明的另一方面中，单独或与任何其他方面一起的本发明组合物可以具有按重量计约0.1-10％、或约0.5-3％、或约0.5-5％、或约0.5-2.5％的一种或多种钝化腐蚀抑制剂和按重量计约0.1-10％、或约0.5-5％、或约0.5-2.5％的一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂。单独或与其他方面一起的本发明组合物还可以包含一种或多种钝化腐蚀抑制剂。
在单独或与其他方面一起的本发明其他方面中，提供了一种光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其包含约70-85重量％的所述一种或多种碱性化合物，其中所述碱性化合物包含一种或多种烷醇胺、任选约0.5-2.5重量％的一种或多种钝化腐蚀抑制剂、约0.5-2.5重量％的一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂、0.001-1％或0.005-1％、或0.01-1％的一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化产物、和9.9-28.99wt.％的水。
在单独或与其他方面一起的本发明其他方面中，提供了一种光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其具有包含苯并三唑的一种或多种钝化腐蚀抑制剂和包含没食子酸或儿茶酚的一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂。在单独或与其他方面一起的本发明其他方面中，提供了一种清洁组合物，其中所述一种或多种烷醇胺包含N-甲基乙醇胺。
在单独或与其他方面一起的本发明其他方面中，提供了一种用于去除硅衬底上的光致抗蚀剂或残余物的方法，所述方法包括以下步骤：将所述衬底与剥离和清洁有效量的本发明任何清洁组合物接触；使所述剥离组合物与所述衬底接触一段剥离有效的时间；和从所述衬底去除光致抗蚀剂或光致抗蚀剂残余物。所述方法可以以小于
Figure BDA0000888157190000051
Figure BDA0000888157190000052
/min的速率蚀刻硅。
在单独或与其他方面一起的本发明另一方面中，提供了一种制备本发明任何清洁组合物的方法，包括以下步骤：在容器中合并水、一种或多种碱性化合物、一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂，和向所述组合物添加含氧气体、过氧化物或硝酸盐以在所述组合物中形成抗氧化剂的一种或多种氧化产物。抗氧化剂的氧化产物可以是抗氧化剂腐蚀抑制剂的氧化产物。那些方法步骤可以在将清洁组合物与待清洁的硅衬底接触之前进行。添加步骤可以通过将含氧气体鼓泡通过所述容器中的所述组合物来进行。所述组合物、使用方法和制备本发明组合物的方法的其他方面在说明书范围内和在说明书结尾处的权利要求范围内。
本发明的剥离和清洁组合物可以提供有效的剥离和清洁作用以及增强的硅钝化。进一步地，本发明的清洁组合物可以是或可以提供一种或多种以下益处：非腐蚀的剥离和清洁组合物，其有效地去除残余物、聚合物和污染物和/或尤其对于铝、铜、钨、钛、钽和金属合金和氮化物是非腐蚀性的，且其提供低的或可忽略的硅蚀刻率。尽管本发明组合物主要配制用于去除光致抗蚀剂和光致抗蚀剂残余物，但是应理解它们也可以用于从半导体部件去除其他残余物，尤其当期望硅钝化时，例如，在集成电路的包封(packaging)步骤期间。根据优选实施方式的伴随描述，将更充分地了解本发明的其他目的和优点。
发明详述
本发明的剥离和清洁组合物优选包含水、一种或多种碱性化合物、至少一种腐蚀抑制剂和一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化部分的混合物。所述碱性化合物可以是一种或多种胺或一种或多种季铵氢氧化物，或一种或多种胺和一种或多种季铵氢氧化物的混合物。所述一种或多种胺可以是或可以包含一种或多种有机胺或一种或多种无机胺。
本发明的组合物可以包含5-50wt％、或10-40wt％、或5-30wt％、或10-30wt％、或15-25wt％的水；和35-94.5wt％、或30-80wt％、或45-90wt％、或55-85wt％、或50-80wt％、或70-85wt％的一种或多种碱性化合物；和0.1-15wt％、或0.5-3wt％、或0.5-10wt％、或0.5-7wt％、或0.5-5wt％的一种或多种腐蚀抑制剂；和0.001-5wt％、或0.001-3wt％、或0.002-0.5wt％、或0.003-0.3wt％、或0.004-0.2wt％、或0.005-0.1wt％、或0.007-0.1wt％,0.01-5wt％、或0.01-3wt％、或0.02-0.5wt％、或0.03-0.3wt％、或0.04-0.2wt％、或0.05-0.1wt％的抗氧化剂的一种或多种氧化产物。注意，除非另有说明，本申请描述的所有重量百分比是基于所述组合物的总重量。(所述一种或多种刚才定义量的腐蚀抑制剂可以包含、基本上由以下组成或由以下组成：一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂、一种或多种钝化腐蚀抑制剂或一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂和一种或多种钝化腐蚀抑制剂的组合。)注意，贯穿本申请，使用“一种或多种”表示“一种或多于一种”且可以被其替换。当一种或多种腐蚀抑制剂包含一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂和一种或多种钝化腐蚀抑制剂时，本文描述的任何组合物可以包含0.1-10wt％的一种或多种钝化腐蚀抑制剂和0.1-10wt％的一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂；或0.5-5wt％的一种或多种钝化腐蚀抑制剂和0.5-5wt％的一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂；或0.5-2.5wt％的一种或多种钝化腐蚀抑制剂和0.5-2.5wt％的一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂。
本领域已知的用于类似应用的任何腐蚀抑制剂，例如通过引用并入本文的美国专利号5,417,877中公开的那些可用于本发明的清洁组合物中。腐蚀抑制剂可以是，例如，有机酸、有机酸盐、酚或三唑。具体的腐蚀抑制剂的实例包括邻氨基苯甲酸、没食子酸、苯甲酸、间苯二酸、马来酸、富马酸、D,L-苹果酸、丙二酸、酞酸、抗坏血酸、马来酸酐、酞酸酐、苯并三唑(BZT)、间苯二酚、羧基苯并三唑等。可以使用的腐蚀抑制剂的其他实例包括儿茶酚、叔丁基邻苯二酚、连苯三酚和没食子酸酯。适合的腐蚀抑制剂的其他实例包括果糖、硫代硫酸铵、甘氨酸、乳酸、四甲基胍、亚氨基二乙酸和二甲基乙酰乙酰胺。在某些实施方式中，腐蚀抑制剂可以包括pH为约4到约7的弱酸。弱酸的实例包括三羟基苯、二羟基苯和/或水杨基羟肟酸。
以上所列腐蚀抑制剂包括两种类型的腐蚀抑制剂：钝化腐蚀抑制剂和抗氧化剂腐蚀抑制剂。钝化腐蚀抑制剂通过与金属络合以在金属顶部形成不溶于水性和有机溶液的钝化层而保护金属特征。抗氧化剂腐蚀抑制剂通过从剥离和清洁溶液去除溶解氧以防止金属氧化形成和溶解而保护金属特征。
在清洁组合物的某些实施方式中，所述一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂可以与以下组合使用：该一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂的氧化产物、或作为一种或多种抗氧化剂的氧化产物的一种或多种不同的抗氧化剂腐蚀抑制剂的一种或多种氧化产物。换句话说，清洁组合物中一种或多种抗氧化剂的氧化产物可以包含清洁组合物中存在的一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂的氧化产物。
抗氧化剂腐蚀抑制剂的实例包括儿茶酚、叔丁基邻苯二酚、间苯二酚、连苯三酚、没食子酸、没食子酸酯、抗坏血酸，优选没食子酸和儿茶酚。
钝化腐蚀抑制剂的实例包括三唑、邻氨基苯甲酸、柠檬酸、苯甲酸、酞酸、间苯二酸、马来酸、富马酸、D,L-苹果酸、丙二酸、马来酸酐、酞酸酐、苯并三唑(BZT)、羧基苯并三唑、果糖、硫代硫酸铵、甘氨酸、四甲基胍、亚氨基二乙酸、水杨基羟肟酸和二甲基乙酰乙酰胺。
本发明清洁组合物中存在的腐蚀抑制剂或抑制剂的总量可以为0.1-15wt％、或0.5-10wt％、或0.5-7wt％、或0.5-5wt％。在一些实施方式中，一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂可以单独以那些量存在或与一种或多种钝化腐蚀抑制剂组合。
水存在于本发明清洁组合物中。水是DI水或超高纯水。水可以以基于组合物总重量的5-50wt％、或10-40wt％、或5-30wt％、或10-30wt％或15-20wt％的量存在。
本发明的剥离和清洁组合物可以包含一种或多种可溶性胺作为其中的碱性化合物。具体的实例包括己胺、5-氨基-2-甲基戊烷、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、二丙胺、二异丙胺、二丁胺、二异丁胺、二正丁胺、二叔丁胺、二戊胺、二己胺、二庚胺、二辛胺、二壬胺、二癸胺、戊基甲胺、甲基异戊胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、二甲基乙胺、甲基二乙胺、甲基二丙胺、N-亚乙基甲胺、N-亚乙基乙胺、N-亚乙基丙胺、N-亚乙基丁胺、烷醇胺、乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、N-甲基异丙醇胺、N-乙基异丙醇胺、N-丙基异丙醇胺、2-氨基丙-1-醇、N-甲基-2-氨基丙-1-醇、N-乙基-2-氨基丙-1-醇、1-氨基丙-3-醇、N-甲基-1-氨基丙-3-醇、N-乙基-1-氨基丙-3-醇、1-氨基丁-2-醇、N-甲基-1-氨基丁-2-醇、N-乙基-1-氨基丁-2-醇、2-氨基丁-1-醇、N-甲基-2-氨基丁-1-醇、N-乙基-2-氨基丁-1-醇、N-羟基-甲基乙醇胺、N-羟甲基乙二胺、N,N'-双(羟甲基)乙二胺、N-羟甲基丙醇胺、乙二胺、丙二胺、三亚甲基二胺、四亚甲基二胺、1,3-二氨基丁烷、2,3-二氨基丁烷、戊二胺、2,4-二氨基戊烷、己二胺、七亚甲基二胺、八亚甲基二胺、九亚甲基二胺、N-甲基乙二胺、N,N-二甲基乙二胺、三甲基乙二胺、N-乙基乙二胺、N,N-二乙基乙二胺、三乙基乙二胺、1,2,3-三氨基丙烷、肼、三(2-氨乙基)胺、四(氨甲基)甲烷、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四乙基戊胺、七亚乙基八胺、九亚乙基十胺、二氮杂双环十一碳烯、羟胺、N-甲基羟胺、N-乙基羟胺和N,N-二乙基羟胺、吗啉。
一种或多种烷醇胺可在本发明中用作碱性化合物，尤其是如上所列的具有1到5个碳原子的伯、仲和叔烷醇胺，包括N-甲基乙醇胺(NMEA)、单乙醇胺(MEA)、二乙醇胺、单-、二-和三异丙醇胺、2-(2-氨基乙氨基)乙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、三乙醇胺等。
可用作本发明组合物中的碱性化合物的其他有机胺包括环状非芳族胺例如吗啉、环己胺和哌啶，具有1到5个碳原子的烷基胺例如丁胺，具有1到5个碳原子的亚烷基二胺例如乙二胺，等。
可用作本发明组合物中一种或多种碱性化合物的优选的胺是烷醇胺和羟胺或烷醇胺和羟胺的混合物。
用作本发明组合物中一种或多种碱性化合物的一种或多种胺可以以基于所述组合物总重量的35-94.5wt％、或30-80wt％、或45-90wt％、或55-85wt％、或50-80wt％、或75-85wt％的总量存在。
本发明的剥离和清洁组合物可以包含一种或多种可溶性季铵氢氧化物作为组合物中存在的碱性化合物或一部分碱性化合物。示例性的季铵氢氧化物可以是具有式[N-R1R2R3R4]+OH-的那些化合物，其中R1、R2、R3和R4各自独立地是烷基、羟烷基、及其组合。本文中使用的术语"烷基"是指直链或支链的1到20个碳原子、或1到8个碳原子、或1到4个碳原子的烃基。适合的烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基和叔丁基。本文中使用的术语"羟烷基"是指直链或支链的1到20个碳原子、或1到8个碳原子、或1到4个碳原子的含羟基烃基。适合的羟烷基的实例包括羟乙基和羟丙基。适合的季铵氢氧化物的实例包括四甲基氢氧化铵(TMAH)、四乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵(TBAH)、四丙基氢氧化铵、三甲基乙基氢氧化铵、(2-羟乙基)三甲基氢氧化铵、(2-羟乙基)三乙基氢氧化铵、(2-羟乙基)三丙基氢氧化铵、(1-羟丙基)三甲基氢氧化铵、乙基三甲基氢氧化铵、二乙基二甲基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵或其混合物。
用作本发明组合物中一种或多种碱性化合物的一种或多种季铵氢氧化物可以以基于所述组合物总重量的35-94.5wt％、或50-80wt％、或45-90wt％、或55-85wt％、或50-80wt％、或70-85wt％的总量存在。
所述组合物的pH可以大于7、通常大于8、或大于9、或9-12、或10-12。
一种优选的光致抗蚀剂剥离和清洁组合物包含约70-85wt％的一种或多种碱性化合物、约0.5-2.5wt％的一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂、约0.001-0.1wt％、或0.005-0.1wt％、或0.01-0.1wt％的一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化部分、和约12.4-29.49wt％的水。
另一种优选的光致抗蚀剂剥离和清洁组合物包含约70-85wt％的一种或多种碱性化合物、约0.5-2.5wt％的一种或多种钝化腐蚀抑制剂、约0.5-2.5wt％的一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂、约0.01-0.1wt％的一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化部分、和约9.9-28.99wt％的水。在一个实施方式中，所述一种或多种碱性化合物可以包含一种或多种烷醇胺。在可以与包含一种或多种烷醇胺的实施方式组合的一个实施方式中，所述钝化腐蚀抑制剂可以包含苯并三唑。在另一个实施方式中，抗氧化剂腐蚀抑制剂可以包含没食子酸，其可以与一种或多种烷醇胺和苯并三唑组合。另一种优选的清洁组合物包含烷醇胺，例如，N-甲基乙醇胺、苯并三唑、没食子酸、没食子酸氧化物和水。
一种优选的光致抗蚀剂剥离和清洁组合物包含约70-85wt％烷醇胺例如N-甲基乙醇胺、约0.5-2.5wt％苯并三唑、约0.5-2.5重量％没食子酸、约0.01-0.1wt％没食子酸氧化物和约9.9-28.99wt％水。
一种优选的光致抗蚀剂剥离和清洁组合物包含约70-85wt％的一种或多种碱性化合物、约0.5-10wt％的一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂、约0.01-1wt％的一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化部分、和约4-29.49wt％的水。
另一种优选的光致抗蚀剂剥离和清洁组合物包含约70-85wt％的一种或多种碱性化合物、约0.5-2.5wt％的一种或多种钝化腐蚀抑制剂、约0.5-7wt％的一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂、约0.01-0.7wt％的一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化部分、和约4.8-28.99wt％的水。
在一个实施方式中，所述一种或多种碱性化合物可以包含一种或多种烷醇胺或一种或多种烷醇胺和羟胺。在可以与包含一种或多种烷醇胺、或一种或多种烷醇胺和羟胺的实施方式组合的一个实施方式中，所述钝化腐蚀抑制剂可以包含苯并三唑。在另一个实施方式中，抗氧化剂腐蚀抑制剂可以包含没食子酸或儿茶酚或没食子酸和儿茶酚的混合物，其可以与一种或多种烷醇胺和/或羟胺和/或苯并三唑组合。另一种优选的清洁组合物包含烷醇胺例如N-甲基乙醇胺或甲基乙醇胺、苯并三唑、没食子酸、没食子酸氧化物和水。另一种优选的清洁组合物包含烷醇胺和羟胺、水、以及儿茶酚和儿茶酚的氧化产物或没食子酸和没食子酸氧化物。
一种优选的光致抗蚀剂剥离和清洁组合物包含约70-85wt％的烷醇胺和羟胺、约0.5-7wt％的儿茶酚和/或没食子酸、约0.001-0.7wt％或0.005-0.7wt％或0.01-0.7wt％的儿茶酚和/或没食子酸的氧化产物、和约7.3-29.49wt％的水。
注意，此处应理解在本文描述的组合物、使用方法和制备这些组合物的方法中，单一组分的任何引用包括多种该组分的可能性，和多种组分的任何引用包括单一组分的可能性。
提供其中包含所述一种或多种抗氧化剂的氧化部分的本发明组合物的一种方法是将含氧流体(其可以是气体或液体)鼓泡、注射或以其它方式引入到包含一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂的本发明的清洁组合物或通过该组合物。如果抗氧化剂的氧化部分通过将含氧流体注入清洁组合物(也称为原位)来制备，那么优选的是将组合物中存在的小于50％或小于10％的一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂转化为抗氧化剂的氧化部分。或者，抗氧化剂的氧化部分可以购买或在单独的容器或溶液中制备并添加至清洁组合物中。可用于制造抗氧化剂的氧化部分的氧化剂包括，但不限于，含氧气体或流体、空气、过氧化物、硝酸盐化合物例如一氧化二氮。抗氧化剂的部分氧化可以通过以受控方式使用氧化剂而实现。可以控制的工艺参数包括反应温度和压力。必须注意限制氧化，以获得期望的部分氧化水平。清洁组合物的部分氧化是适中的，以确保清洁组合物和/或抗氧化剂腐蚀抑制剂不明显改变以保持清洁组合物的清洁性能。已经发现，清洁组合物(其中不含抗氧化剂的氧化部分，然而其它方面根据本发明)中存在的抗氧化剂腐蚀抑制剂的<10％的氧化通常产生足够的抗氧化剂的氧化部分以赋予清洁组合物的硅钝化。优选的是在将清洁组合物与待清洁的硅衬底接触之前形成一种或多种抗氧化剂的氧化产物或以其他方式将一种或多种抗氧化剂的氧化产物添加到清洁组合物。
本文描述的本发明组合物可以进一步包含任选组分，所述任选组分包括有机溶剂和/或一种或多种添加剂，例如表面活性剂和杀生物剂，和本行业已知的其他组分，其中这些组分单独或累积地以小于10wt％或优选小于5wt％的量存在。
本发明组合物中所使用的任选有机溶剂可包括水溶性或水混溶性有机溶剂的一种或超过一种的混合物。如本文中所使用的，水溶性或水混溶性有机溶剂包括在标准温度和压力下能够与水混合并互相混合且形成均相溶液的溶剂。可使用的水溶性或水混溶性有机溶剂的实例包括，但是不限于，乙二醇、丙二醇、二丙二醇、1,4-丁二醇、三丙二醇甲醚、三丙二醇单丁醚、丙二醇丙醚、二甘醇正丁醚、己氧基丙基胺、聚(氧亚乙基)二胺、二甲亚砜、四氢糠醇、甘油、醇(例如苄醇)、亚砜或其混合物。优选的任选溶剂是醇、二醇或其混合物。优选的任选溶剂包括，例如，二醇醚或具有2到8个碳原子的含羟醇(hydric alcohol)，和其混合物。
可用作本发明组合物中的任选溶剂的二醇醚的实例包括，例如，乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丙醚、二乙二醇单异丙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇单异丁醚、二乙二醇单苄醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇二甲醚、聚乙二醇单甲基醚、二乙二醇甲基乙基醚、乙二醇单甲醚乙酸酯、乙二醇单乙醚乙酸酯、丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇单甲醚、丙二醇二甲醚，丙二醇单丁醚、丙二醇单丙醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单丙醚、二丙二醇单异丙醚、二丙二醇单丁醚、二丙二醇二异丙醚、三丙二醇单甲醚、三丙二醇单丁醚、1-甲氧基-2-丁醇、2-甲氧基-1-丁醇、2-甲氧基-2-甲基丁醇、1,1-二甲氧基乙烷和2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇。在示例性的实施方式中，二醇醚包括三(丙二醇)甲醚(t-PGME)。
可用作本发明组合物中的任选有机溶剂的一种适合的具有一个羟基、2到8个碳原子和任选杂环化合物的一元醇包括四氢糠醇(THFA)。特别优选THFA，这是因为它是可生物降解的和可以高溶解力与水混溶的。另外，THFA没有列入致癌物质和没有分类为有害废物。
如果存在，溶剂的主要功能是溶解抗蚀剂层或有机残余物中的有机聚合物，从而从衬底除去抗蚀剂层或有机残余物。
任选的表面活性剂包括任何已知的表面活性剂且可以是，例如，阴离子、阳离子、非离子和两性离子的。表面活性剂的实例包括十二烷基硫酸钠盐、十二烷基硫酸钠、十二烷基硫酸铵盐、仲烷基磺酸盐、炔属表面活性剂、烷基酚乙氧基化物、脂肪醇乙氧基化物、脂肪胺乙氧基化物、环氧丙烷-环氧乙烷嵌段共聚物或乙二胺表面活性剂，及其任何组合。适合的可商购的表面活性剂的实例包括陶氏化学制备的TRITONTM、TergitolTM、DOWFAXTM表面活性剂家族和气体产品和化学公司制备的SURFYNOLTM、DYNOLTM、ZetasperseTM、NonidetTM和TomadolTM表面活性剂家族的各种表面活性剂。适合的表面活性剂也可以包括包含环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)基团的聚合物。EO-PO聚合物的实例是巴斯夫化学的TetronicTM 90R4。一些有用的表面活性剂的其他实例公开于美国专利7,591,270中，其通过引用并入本文。
在储存期间用于控制细菌和霉菌生长的任选的杀生物剂公开于美国专利5,230,833和美国专利申请号US 20020025762中。所公开的生物生长抑制剂包括四甲基氯化铵、四乙基氯化铵、四丙基氯化铵、烷基苄基二甲基氯化铵和烷基苄基二甲基氢氧化铵(其中烷基链为约1到约20个碳原子)、亚氯酸钠和次氯酸钠。一些可商购的防腐剂包括来自陶氏化学的KATHONTM和NEOLENETM产品家族和来自Lanxess的PreventolTM家族。
本文描述的本发明的一些组合物可以基本上不含含氟化合物、和/或羟胺和/或过氧化物和/或其他有机溶剂、和/或缓冲剂、和/或一种或多种以下添加剂，例如，表面活性剂和/或杀生物剂，其中基本上不含是指小于1wt％，或小于0.01wt％，或优选小于0.005wt％。
本发明的剥离和清洁组合物对于上文提及的且还可以包括以下的众多理由而言是有用和有利的。本发明的剥离和清洁组合物可以是水溶性、非腐蚀性、不易燃和对环境低毒的。所述剥离和清洁组合物可以在低温下对多种涂层和衬底显示出较高的剥离和清洁效率，同时提供改进的硅钝化。它们可以尤其适于从用于集成电路制造的等离子体处理中去除光致抗蚀剂和残余物。
清洁组合物可通过通常在室温下简单混合组分而容易地制备。或者，可以混合除了抗氧化剂的氧化部分的组分，且如上所述，抗氧化剂的氧化部分可以通过将空气或其他含氧流体(例如气体)鼓泡通过混合的组分而原位形成，或将氧化流体添加到组合物，然后在其中形成抗氧化剂的氧化部分。在一个实施方式中，可以将200标准立方厘米每分钟的空气鼓泡进入350毫升(ml)包含一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂的清洁组合物中至少2小时、或至少3小时、或至少4小时、或4-10小时(和对于每种，其氧引入当量)以在清洁组合物中形成抗氧化剂的氧化部分。如果将较高或较低百分比的含氧流体鼓泡通过清洁组合物和/或如果将较高或较低流速的该流体引入清洁组合物和/或如果增加待处理的清洁组合物的量，那么可以容易地调节清洁组合物的量、时间和流速以将相同或类似量的氧引入相同或类似体积的组合物中，从而产生相同或类似量的抗氧化剂的氧化部分。上文使用的“或其氧引入当量”涵盖了引入不同时间的那些不同的含氧流体，所述含氧流体用于鼓泡或以其它方式将相同量的氧引入相同或类似体积的组合物中，如通过鼓泡200sccm引入350ml的清洁组合物达上述指定的时间。
使用本发明的清洁组合物的方法通常通过将作为硅晶片上存在的薄膜或残余物(即侧壁聚合物(SWP))的有机或金属-有机聚合物、无机盐、氧化物、氢氧化物或络合物或其组合与所描述的剥离和清洁组合物接触来进行。实际条件，即温度、时间等取决于待去除的复合(光致抗蚀剂和/或侧壁聚合物和/或其他残余物)材料的性质和厚度，以及本领域技术人员所熟知的其他因素。通常，对于光致抗蚀剂剥离和/或清洁，可以在25-85℃的温度下将包含待清洁的光致抗蚀剂的晶片接触、喷雾或浸入包含所述清洁组合物的容器中，通常约5到30分钟的时间，通常用水洗涤和然后用惰性气体干燥或“旋转干燥”。对于可替代的实施方式，例如，清洁包封框架，具有附加的晶片(晶片块)的框架可以根据需要与清洁组合物接触通常1秒到30分钟。
有机聚合物材料的实例包括光致抗蚀剂、电子束抗蚀剂、X射线抗蚀剂、离子束抗蚀剂等。有机聚合物材料的具体实例包括包含苯酚甲醛型树脂或聚(对乙烯基苯酚)的正性抗蚀剂、含聚甲基丙烯酸甲酯的抗蚀剂等。等离子体处理残余物(侧壁聚合物，也称为SWP)的实例尤其包括单独或与光致抗蚀剂的有机聚合物树脂组合形成薄膜或残余物的金属-有机络合物和/或无机盐、氧化物、氢氧化物或复合物。有机材料和/或SWP可以从本领域技术人员已知的常规衬底，例如硅、二氧化硅、硼磷硅玻璃(BPSG)、铝、铝合金、铜、铜合金、钛、钨、金属氮化物等中去除。
尽管不希望被理论束缚，据信抗氧化剂的氧化部分通过生成防止硅的蚀刻的不溶性硅复合物而保护硅(其可以为硅背面)不被蚀刻。
通过以下实施例中呈现的数据(然而并不限于此)阐明本发明清洁组合物的效力和意想不到的性质。除非另有说明，所有份数和百分比以重量计。
实施例
为了阐明本发明清洁组合物的功效，进行了以下测试。通过本发明的方法处理清洁组合物A以部分氧化所述抗氧化剂腐蚀抑制剂。部分氧化所述抗氧化剂腐蚀抑制剂的方法如下：通过在室温下在烧杯中混合表1中所列的所有组分(以其中所指定的重量百分比)制备清洁组合物。所使用的碱性化合物是有机胺，具体是N-甲基乙醇胺(NMEA)。钝化腐蚀抑制剂是苯并三唑。所使用的抗氧化剂腐蚀抑制剂是没食子酸。所使用的抗氧化剂的氧化产物是没食子酸氧化物，其通过将组合物与氧反应原位制备。(或者没食子酸氧化物可以商购或它可以单独制备并添加。)原位形成没食子酸氧化物利用具有UV检测器的高效液相色谱(HPLC-UV)追踪。最终的清洁制剂的组成如表1所列。在Si<100>空白晶片(blanket wafer)上获得硅蚀刻率。在70℃下测定硅蚀刻率。用缓冲氧化物刻蚀(BOE)溶液处理四片离散的硅晶片以去除顶面上的二氧化硅层和在给定的温度下浸入制剂并允许保持接触预先确定的时间量。暴露后，用甲基吡咯烷和DI水溶液冲洗晶片以去除有机溶剂、干燥并测量重量变化以计算硅蚀刻率。表1中报告的值是四次单独测量的平均值。
对比清洁组合物不包含抗氧化剂的氧化产物，即未氧化的清洁组合物，具有明显的硅蚀刻。对于清洁组合物A，注意到可忽略的硅蚀刻。清洁组合物A包含由清洁组合物中的没食子酸(抗氧化剂腐蚀抑制剂)的原位氧化形成的～0.055重量％的没食子酸氧化物。预期具有大于或等于0.055重量％的抗氧化剂氧化产物的清洁组合物将提供低的硅蚀刻率。
表1
蚀刻率比较
Figure BDA0000888157190000171
也测试了若干其他组合物。各组合物包含抗氧化剂腐蚀抑制剂。通过在室温下混合表2中指定和如下文所述的组分制备所有组合物。在每种组合物中部分氧化所述抗氧化剂腐蚀抑制剂(形成作为抗氧化剂氧化产物的抗氧化剂腐蚀抑制剂的氧化产物)的方法如下：在500ml烧杯中，倒入350ml各组合物，并将200标准立方厘米每分钟(sccm)的空气喷射如表2中所列的期望的时间量。在预定时间后，停止空气喷射并将样品储存在氮气中。随后测定各种喷射时间的各组合物的硅蚀刻率。对于硅蚀刻率，四片3.5cm x 3.5cm的Si<100>预先称重的片用于表2中报告的各蚀刻率。将硅片浸入350ml的各清洁组合物，在70℃下搅拌并允许反应6小时。6小时后，移除硅片，用异丙醇和去离子水洗涤并允许干燥。随后，称重硅片，并计算各硅片的预先称重的重量和处理后重量之差和每分钟蚀刻率。计算用喷雾不同时间的清洁组合物处理的各组四片的结果的平均值并报告于表2中。
组合物B包含水、重量比为3.3的2(甲基氨基)乙醇和羟胺的混合物作为碱、和儿茶酚作为抗氧化剂腐蚀抑制剂。组合物C包含水、重量比为3.3的单异丙醇胺和羟胺的混合物作为碱、和儿茶酚作为抗氧化剂腐蚀抑制剂。组合物D包含水、重量比为3.4的单乙醇胺和羟胺的混合物作为碱、和儿茶酚作为抗氧化剂腐蚀抑制剂。组合物E包含水、重量比为3.4的单乙醇胺和羟胺的混合物作为碱、和没食子酸作为抗氧化剂腐蚀抑制剂。组合物F包含水、2(甲基氨基)乙醇作为碱、儿茶酚作为抗氧化剂腐蚀抑制剂、和苯并三唑作为钝化腐蚀抑制剂。(注意：在包含羟胺的清洁组合物中，使用50％羟胺水性溶液。清洁组合物中水的含量等同于用于制备清洁组合物的水性羟胺溶液中存在的水。)
表2
蚀刻率比较
Figure BDA0000888157190000181
Figure BDA0000888157190000191
*表2中抗氧化剂腐蚀抑制剂的氧化wt％通过利用液相色谱法测量各清洁组合物中抗氧化剂腐蚀抑制剂的初始和最终量之差并除以清洁组合物中抗氧化剂腐蚀抑制剂的初始量来测定。
注意：在本申请任何地方所使用的那些术语，术语“包含”、“含有”或“具有”均是非限制性、开放式术语并包括部分封闭或封闭式术语“基本上由......组成”和“由......组成”。

Claims (20)

1.光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其包含水、一种或多种碱性化合物、一种或多种腐蚀抑制剂、和一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化产物。
2.权利要求1所述的光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其中所述一种或多种腐蚀抑制剂包含一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂。
3.权利要求2所述的光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其中所述一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化产物通过氧化所述一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂形成。
4.权利要求1-3任一项所述的光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其中所述一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化产物通过向所述组合物添加含氧气体、过氧化物或硝酸盐原位形成。
5.权利要求2所述的光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其中所述一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂选自儿茶酚、叔丁基邻苯二酚、间苯二酚、连苯三酚、没食子酸、没食子酸的酯和抗坏血酸。
6.权利要求1-3任一项所述的光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其还包含一种或多种钝化腐蚀抑制剂。
7.权利要求6所述的光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其中所述一种或多种钝化腐蚀抑制剂选自邻氨基苯甲酸、苯甲酸、间苯二酸、马来酸、富马酸、D,L-苹果酸、丙二酸、酞酸、马来酸酐、酞酸酐、苯并三唑(BZT)、羧基苯并三唑、二乙基羟胺、其乳酸和柠檬酸盐、连苯三酚、果糖、硫代硫酸铵、甘氨酸、乳酸、四甲基胍、亚氨基二乙酸、和二甲基乙酰乙酰胺、三羟基苯、二羟基苯和水杨基羟肟酸。
8.权利要求1-3任一项所述的光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其中所述一种或多种碱性化合物包含选自下组的一种或多种胺：己胺、5-氨基-2-甲基戊烷、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、二丙胺、二异丙胺、二丁胺、二异丁胺、二正丁胺、二叔丁胺、二戊胺、二己胺、二庚胺、二辛胺、二壬胺、二癸胺、戊基甲胺、甲基异戊胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、二甲基乙胺、甲基二乙胺、甲基二丙胺、N-亚乙基甲胺、N-亚乙基乙胺、N-亚乙基丙胺、N-亚乙基丁胺、烷醇胺、乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、N-甲基异丙醇胺、N-乙基异丙醇胺、N-丙基异丙醇胺、2-氨基丙-1-醇、N-甲基-2-氨基丙-1-醇、N-乙基-2-氨基丙-1-醇、1-氨基丙-3-醇、N-甲基-1-氨基丙-3-醇、N-乙基-1-氨基丙-3-醇、1-氨基丁-2-醇、N-甲基-1-氨基丁-2-醇、N-乙基-1-氨基丁-2-醇、2-氨基丁-1-醇、N-甲基-2-氨基丁-1-醇、N-乙基-2-氨基丁-1-醇、N-羟基-甲基乙醇胺、N-羟甲基乙二胺、N,N'-双(羟甲基)乙二胺、N-羟甲基丙醇胺、乙二胺、丙二胺、三亚甲基二胺、四亚甲基二胺、1,3-二氨基丁烷、2,3-二氨基丁烷、戊二胺、2,4-二氨基戊烷、己二胺、七亚甲基二胺、八亚甲基二胺、九亚甲基二胺、N-甲基乙二胺、N,N-二甲基乙二胺、三甲基乙二胺、N-乙基乙二胺、N,N-二乙基乙二胺、三乙基乙二胺、1,2,3-三氨基丙烷、肼、三(2-氨乙基)胺、四(氨甲基)甲烷、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四乙基戊胺、七亚乙基八胺、九亚乙基十胺、二氮杂双环十一碳烯、羟胺、N-甲基羟胺、N-乙基羟胺、N,N-二乙基羟胺吗啉、和N-甲基乙醇胺(NMEA)、单乙醇胺(MEA)、二乙醇胺、单-、二-和三异丙醇胺、2-(2-氨基乙氨基)乙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、三乙醇胺；或者
其中所述碱性化合物选自具有1到5个碳原子的伯、仲和叔烷醇胺；或者
其中所述碱性化合物包含选自下组的一种或多种胺：吗啉、环己胺、烷基具有1到5个碳的哌啶烷基胺和具有1到5个碳的亚烷基二胺；或者
其中所述碱性化合物包含选自下组的一种或多种胺：烷醇胺、羟胺及烷醇胺和羟胺的混合物；或者
其中所述碱性化合物包含一种或多种选自具有式[N-R1R2R3R4]+ OH-的化合物的季铵氢氧化物，其中R1、R2、R3和R4各自独立地是烷基、羟基烷基及其组合，其中所述烷基是具有1到20个碳原子的直链或支链烃基，和其中所述羟基烷基是具有1到20个碳原子的直链或支链的含羟基的烃基。
9.权利要求1-3任一项所述的光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其中所述组合物包含5-50 wt %的所述水。
10.权利要求9所述的光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其中所述组合物包含10-30 wt %的所述水。
11.权利要求1-3任一项所述的光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其中所述组合物包含35-94.5 wt %的所述一种或多种碱性化合物。
12.权利要求11所述的光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其中所述组合物包含45-90 wt %的所述一种或多种碱性化合物。
13.权利要求1-3任一项所述的光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其中所述组合物包含0.1-15 wt %的所述一种或多种腐蚀抑制剂。
14.权利要求1-3任一项所述的光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其中所述组合物包含0.001-5 wt %的所述一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化产物。
15.权利要求6所述的光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其中所述一种或多种腐蚀抑制剂包含0.1-10重量%的一种或多种钝化腐蚀抑制剂和0.1-10重量%的一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂。
16.权利要求2-3任一项所述的光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其包含70-85重量%的所述一种或多种碱性化合物，其中所述碱性化合物包含一种或多种烷醇胺、0.5-2.5重量%的一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂、0.001-1重量%的一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化产物、和9.9-28.99重量%的水。
17.权利要求16所述的光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其中所述一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂包含没食子酸或儿茶酚或没食子酸和儿茶酚的混合物。
18.一种用于去除包含硅的硅衬底上的光致抗蚀剂或残余物的方法，所述方法包括以下步骤：将所述衬底与剥离和清洁有效量的权利要求1-17任一项所述的组合物接触；使所述组合物与所述衬底接触一段剥离有效的时间；和从所述衬底去除光致抗蚀剂或光致抗蚀剂残余物，其中所述硅衬底的所述硅以小于1 Å/min的速率被蚀刻。
19.制备权利要求1-17任一项所述的组合物的方法，包括以下步骤：在容器中合并水、一种或多种碱性化合物、一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂，和向所述组合物添加含氧气体、过氧化物或硝酸盐以在所述组合物中形成一种或多种抗氧化剂腐蚀抑制剂的一种或多种氧化产物。
20.权利要求19所述的方法，其中向所述组合物添加含氧气体的步骤通过将含氧气体鼓泡通过所述容器中的所述组合物来进行。
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