CN110262199A - 一种负胶剥离液、其制备方法及应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种负胶剥离液、其制备方法及应用。所述的负胶剥离液，其原料包括下列组分：季铵碱、烷醇胺、缓蚀剂、直链酰胺类有机溶剂、砜类和/或亚砜类有机溶剂、醇醚类有机溶剂、烷酮类有机溶剂、PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物和余量的水，各组分质量分数之和为100％，所述的PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物为Tetronic 1107、Tetronic 1301和Tetronic 1307中的一种或多种。本发明的负胶剥离液在具有好的剥离性能的情况下，对其他多种材料不构成破坏性腐蚀，具有高的应用价值。

Description

一种负胶剥离液、其制备方法及应用
技术领域
本发明涉及一种负胶剥离液、其制备方法及应用。
背景技术
光刻胶一般分为正胶、负胶、干膜等多种类型。光刻胶的剥离或去除，是芯片制造工艺中的重要环节。随着半导体芯片结构越来越复杂，其制造工艺中所用光刻胶剥离液所面临的环境也越来越复杂，需在剥离液清除光刻胶的同时，不产生残渣，且对环境中的金属和非金属介质有一定的腐蚀限制。若超出腐蚀限制，将对芯片产生不可逆转的破坏。
目前市场上的各类光刻胶负胶和干膜剥离液，均无法同时满足上述要求。例如CN1291281C中所公开的剥离液仅集中在解决金属腐蚀问题上，并未提及非金属介质的缓蚀问题。而专利CN104024394A中所公开的剥离液仅集中在解决光刻胶剥离问题上，并未提及金属及非金属介质的缓蚀问题。
市场亟需开发一款能同时满足剥离、缓蚀等多方面要求的负胶剥离液。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是为了针对现有技术中的负胶剥离液存在不能同时满足剥离、缓蚀等多方面要求的缺陷，而提供了一种负胶剥离液、其制备方法和应用。本发明的负胶剥离液在具有好的剥离性能的情况下，对其他多种材料不构成破坏性腐蚀。
本发明主要是通过以下技术手段解决上述技术问题的。
本发明提供了一种负胶剥离液，其原料包括下列质量分数的组分：1.00％-5.00％的季铵碱、5.00％-40.00％的烷醇胺、0.10％-8.00％的缓蚀剂、10.00-30.00％的直链酰胺类有机溶剂、5.00-25.00％的砜类和/或亚砜类有机溶剂、15.00％-30.00％的醇醚类有机溶剂、5.00％-15.00％的烷酮类有机溶剂、0.01％-2.00％的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物和余量的水，各组分质量分数之和为100％，所述的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物为Tetronic1107、Tetronic 1301和Tetronic 1307中的一种或多种。
其中，所述的季铵碱的质量分数优选为2.00％-4.00％，更优选为2.50％-3.50％。所述的烷醇胺的质量分数优选为20.00％-35.00％，更优选为25.00％-30.00％。所述的缓蚀剂的质量分数优选为0.50％-5.00％，更优选为2.00％-4.00％。所述的直链酰胺类有机溶剂的质量分数优选为15.00-25.00％，更优选为18.00-20.00％。所述的砜类和/或亚砜类有机溶剂的质量分数优选为8.00-23.00％，更优选为10.00-13.00％。所述的醇醚类有机溶剂的质量分数优选为18.00％-28.00％，更优选为20.00％-25.00％。所述的烷酮类有机溶剂的质量分数优选为6.00％-10.00％，更优选为7.00％-9.00％。所述的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物的质量分数优选为0.05％-1.50％，更优选为0.10％-1.30％。
在一些实施例中，所述的季铵碱的质量分数可为3.50％、2.50％、4.00％、5.00％、1.00％、2.00％或3.00％。所述的烷醇胺的质量分数可为25.00％、30.00％、20.00％、35.00％、40.00％或27.50％。所述的缓蚀剂的质量分数可为4.00％、2.00％、5.00％、0.50％、8.00％、0.10％或3.00％。所述的直链酰胺类有机溶剂的质量分数可为20.00％、18.00％、15.00％、25.00％、19.00％、10.00％或30.00％。所述的砜类和/或亚砜类有机溶剂的质量分数可为13.00％、10.00％、25.00％、5.00％、8.00％、23.00％或5.00％。所述的醇醚类有机溶剂的质量分数可为25.00％、28.00％、20.00％、18.00％、30.00％、15.00％、24.00％或30.00％。所述的烷酮类有机溶剂的质量分数可为9.00％、7.00％、10.00％、6.00％、5.00％、15.00％或8.50％。所述的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物的质量分数可为1.30％、0.10％、1.50％、0.05％、0.01％、2.00％或1.10％。
其中，所述的季铵碱可为本领域的常规季铵碱，优选为四甲基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵五水合物、四丁基氢氧化铵、苯甲基三甲基氢氧化铵、四丙基铵、二甲基二丙基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵和二甲基二乙基氢氧化铵中的一种或多种，更优选为四甲基氢氧化铵。
当所述的季铵碱为多种时，所述的多种优选为两种，例如，四乙基氢氧化铵和二甲基二乙基氢氧化铵。当所述的季铵碱为两种时，二者的质量比值可为0.5-2.0，例如，1.0。例如，四乙基氢氧化铵与二甲基二乙基氢氧化铵的质量比值可为0.5-2.0，例如，1.0。
所述的烷醇胺可为本领域的常规烷醇胺，优选为氨基乙基乙醇胺、二甲基氨基乙醇、单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、N-甲基异丙醇胺、N-乙基异丙醇胺、N-丙基异丙醇胺、2-氨基丙烷-1-醇、N-甲基-2-氨基丙烷-1-醇、N-乙基-2-氨基丙烷-1-醇、1-氨基丙烷-3-醇、N-甲基-1-氨基丙烷-3-醇、N-乙基-1-氨基丙烷-3-醇、1-氨基丁烷-2-醇、N-甲基-1-氨基丁烷-2-醇、N-乙基-1-氨基丁烷-2-醇、2-氨基丁烷-1-醇、N-甲基-2-氨基丁烷-1-醇、N-乙基-2-氨基丁烷-1-醇、3-氨基丁烷-1-醇、N-甲基-3-氨基丁烷-1-醇、N-乙基-3-氨基丁烷-1-醇、1-氨基丁烷-4-醇、N-甲基-1-氨基丁烷-4-醇、N-乙基-1-氨基丁烷-4-醇、1-氨基-2-甲基丙烷-2-醇、2-氨基-2-甲基丙烷-1-醇、1-氨基戊烷-4-醇、2-氨基-4-甲基戊烷-1-醇、2-氨基己烷-1-醇、3-氨基庚烷-4-醇、1-氨基辛烷-2-醇、5-氨基辛烷-4-醇、1-氨基丙烷-2,3-二醇、2-氨基丙烷-1,3-二醇、三(羟甲基)氨基甲烷、1,2-二氨基丙烷-3-醇、1,3-二氨基丙烷-2-醇和2-(2-氨基乙氧基)乙醇中的一种或多种，更优选为单乙醇胺。
当所述的烷醇胺为多种时，所述的多种优选为两种，例如，N-乙基异丙醇胺和三(羟甲基)氨基甲烷。当所述的烷醇胺为两种时，二者的质量比值可为0.5-2.0，例如，1.0。例如，N-乙基异丙醇胺与三(羟甲基)氨基甲烷的质量比值可为0.5-2.0，例如，1.0。
所述的缓蚀剂可为本领域的常规缓蚀剂，优选为1-硫代丙三醇、2-巯基丙酸、苯并三氮唑、邻苯二酚、没食子酸和连苯三酚中的一种或多种，更优选为1-硫代丙三醇。
当所述的缓蚀剂为多种时，所述的多种优选为两种，例如，没食子酸和连苯三酚。当所述的缓蚀剂为两种时，二者的质量比值可为0.5-2.0，例如，1.0。例如，没食子酸与连苯三酚的质量比值可为0.5-2.0，例如，1.0。
所述的直链酰胺类有机溶剂可为本领域的常规直链酰胺类有机溶剂，优选为N-甲基甲酰胺、N-乙基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-(2-羟基乙基)乙酰胺、N,N-二甲基丙酰胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-(2-乙基己基氧基)-N,N-二甲基丙酰胺和3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺中的一种或多种，更优选为N-甲基甲酰胺。
当所述的直链酰胺类有机溶剂为多种时，所述的多种优选为三种，例如N-甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺和3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺的混合溶剂。当所述的直链酰胺类有机溶剂为三种时，二者的质量比可为(0.5-2.0):(0.5-2.0)：(0.5-2.0)，例如，1.0:1.0:1.0。
所述的砜类有机溶剂可为本领域的常规砜类有机溶剂，优选为甲基砜、环丁砜和二丙砜中的一种或多种，更优选为环丁砜。所述的亚砜类有机溶剂可为本领域的常规亚砜类有机溶剂，优选为二甲基亚砜和甲乙基亚砜、二苯基亚砜、氯化亚砜和苄苯亚砜中的一种或多种。
当所述的砜类有机溶剂和所述的亚砜类有机溶剂混用时，所述的砜类有机溶剂与所述的亚砜类有机溶剂的质量比值可为0.5-2.0，例如，1.0。
所述的醇醚类有机溶剂可为本领域的常规醇醚类有机溶剂，优选为乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单异丙基醚、乙二醇单丁基醚、二乙二醇单甲基醚、二乙二醇单乙基醚、二乙二醇单异丙基醚、二乙二醇单丁基醚、三乙二醇单甲基醚、三乙二醇单乙基醚、三乙二醇单异丙基醚、三乙二醇单丁基醚、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇单甲基醚、聚乙二醇单丁基醚、丙二醇单甲基醚、二丙二醇单甲基醚、三丙二醇单甲基醚、二丙二醇单甲基醚、二丙二醇单乙基醚、二丙二醇单丙基醚和二丙二醇单丁基醚中的一种或多种，更优选为乙二醇单甲基醚。
当所述的醇醚类有机溶剂为多种时，所述的多种优选为两种，例如，乙二醇单甲基醚和二丙二醇单丁基醚。当所述的醇醚类有机溶剂为两种时，二者的质量比值可为0.5-2.0，例如，1.0。例如，乙二醇单甲基醚与二丙二醇单丁基醚的质量比值可为0.5-2.0，例如，1.0。
所述的烷酮类有机溶剂可为本领域的常规烷酮类有机溶剂，优选为咪唑烷酮类和/或吡咯烷酮类有机溶剂，更优选为咪唑烷酮类有机溶剂。所述的咪唑烷酮类有机溶剂优选为2-咪唑烷酮和/或1,3-二甲基-2-咪唑烷酮，更优选为2-咪唑烷酮。所述的吡咯烷酮类有机溶剂优选为N-乙基吡咯烷酮、N-甲基吡咯烷酮和N-环己基吡咯烷酮中的一种或多种。
当所述的烷酮类有机溶剂为咪唑烷酮类和吡咯烷酮类有机溶剂混用时，所述的咪唑烷酮类有机溶剂与所述的吡咯烷酮类有机溶剂的质量比值可为0.5-2.0，例如，1.0。例如，2-咪唑烷酮与N-乙基吡咯烷酮的质量比值可为0.5-2.0，例如，1.0。
所述的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物优选为Tetronic 1107。
当所述的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物为多种时，优选为两种，例如，Tetronic1107和Tetronic 1301。当所述的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物为两种时，二者的质量比值可为0.5-2.0，例如，1.0。例如，Tetronic 1107与Tetronic 1301的质量比值可为0.5-2.0，例如，1.0。
在本发明一优选实施方案中，所述的负胶剥离液的原料由所述的季铵碱、所述的烷醇胺、所述的缓蚀剂、所述的直链酰胺类有机溶剂、所述的砜类和/或亚砜类有机溶剂、所述的醇醚类有机溶剂、所述的烷酮类有机溶剂、所述的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物和余量的水组成，各组分质量分数之和为100％
本发明还提供了一种所述的负胶剥离液的制备方法，其包括下列步骤：将所述的原料混合，即可。所述的混合优选为将所述的原料中的固体组分加入到液体组分中，搅拌均匀，即可。所述的混合的温度为室温。所述的混合后，较佳地还进一步包含振荡，过滤的操作。振荡的目的是为了使各原料充分混合，振荡速度和时间不限。过滤是为了除去不溶物。
本发明还提供了一种所述的负胶剥离液在半导体器件中的负胶、干膜及其残留物的剥离和清洗中的应用。其中所述的半导体器件优选为逻辑芯片、存储芯片、微机电芯片(即MEMS芯片)、光电芯片和功率芯片(如IGBT等)中的一种或多种。所述的应用优选包括下列步骤：将带有负胶、干膜及其残留的半导体器件与剥离液接触，即可。所述的接触可为通过浸渍法和/或喷淋法。
所述接触的温度优选55-85℃，更优选60-75℃。
所述接触的时间优选10-65min，更优选30-60min。
本发明中，所述的“负胶、干膜及其残留物”指负胶、干膜、负胶残留物和干膜残留物。
本发明中室温是指10-30℃。
在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明所用试剂和原料均市售可得，其中PO-EO-乙烯基二元胺共聚物来源于上海泰今国际贸易有限公司。
本发明的积极进步效果在于：本发明的负胶剥离液在具有好的剥离性能的情况下，对其他多种材料不构成破坏性腐蚀，具有高的应用价值。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
下述实施例和对比例中，负胶剥离液的制备方法包括下列步骤：将对应的原料混合，即可。
下述实施例中，未限定具体操作温度的，均是指在室温条件下进行。
一、负胶剥离液的制备方法实施例
将表1的原料组分按表2中的质量分数混合均匀。其中，所述的混合一般为将所述的原料组分中的固体组分加入到液体组分中，搅拌均匀，即可。所述的混合一般为将所述的原料组分中的固体组分加入到液体组分中，搅拌均匀，即可。所述的混合的温度为室温。所述的混合后，一般还进一步包含振荡，过滤的操作。振荡的目的是为了使各原料组分充分混合，振荡速度和时间不限。过滤是为了除去不溶物。
表1各实施例中的组分种类
以上实施例中，除表中的组分外，还有水。
表2各原料组分的质量分数(％)
表2中，各实施例中，各组分的质量百分含量为100％，除以上组分的含量外，余量为水。
二、效果实施例
I.负胶光刻胶剥离
1、在硅晶片旋转涂布负性光刻胶PMER N-HC600(东京应化工业(株)制)，曝光显影，形成膜厚20μm的光刻胶层。
2、将经过上述处理的基板浸渍到实施例1-15和对比例1-16所示的负胶剥离液中(60℃，30分钟)，进行剥离处理后，用纯水进行漂洗处理。
3、用SEM(扫描型电子显微镜)观察，评价此时的剥离性。
剥离性评价
A:光刻胶被完全剥离，且液槽中看不到残渣物
B:光刻胶被完全剥离，且液槽中能看到残渣物
C:光刻胶的剥离不完全，且液槽中看不到残渣物
D:光刻胶的剥离不完全，且液槽中能看到残渣物
II.干膜光刻胶剥离
1、在硅晶片旋转涂布负性光刻胶感光性干膜ORDYL BF-603(东京应化工业(株)制)，曝光显影，形成膜厚120μm的光刻胶层。
2、将经过上述处理的基板浸渍到实施例1-15和对比例1-16所示的负胶剥离液中(60℃，30分钟)，进行剥离处理后，用纯水进行漂洗处理。
3、用SEM(扫描型电子显微镜)观察，评价此时的剥离性。
剥离性评价
A:光刻胶被完全剥离，且液槽中看不到残渣物
B:光刻胶被完全剥离，且液槽中能看到残渣物
C:光刻胶的剥离不完全，且液槽中看不到残渣物
D:光刻胶的剥离不完全，且液槽中能看到残渣物
III.图形片观察铜残
研究从有凸点铜柱和锡银焊料盖的晶圆上去除干膜的效果。将晶圆上涂布负性光刻胶感光性干膜ORDYL BF-603(东京应化工业(株)制)，曝光显影，形成膜厚120μm的光刻胶层。将经过上述处理的基板浸渍到实施例1-15和对比例1-16所示的负胶剥离液中(60℃，30分钟)，进行剥离处理后，用纯水进行漂洗处理。然后用铜刻蚀液(上海新阳产品编号SYS9135)进行铜刻蚀处理(室温浸泡1min)，去离子水清洗后用AOI(GY6000,东莞市吉洋自动化科技有限公司)测试仪观察铜残情况。
铜残等级评价
A:无铜残缺陷
B:极少量铜残缺陷
C:有明显的少量铜残缺陷
D:有明显的大量铜残缺陷
表3效果实施例
从表3可以看出，本发明的负胶剥离液通过添加特定的表面活性剂，对负胶、干膜及其残留物具有较强的去除效果，且无铜残缺陷，剥离和清洗性能优异。
IV.金属片腐蚀测试
将沉积有一定厚度的金(Au)片、铝片(Al片)、铜片、镍片、锡片、银片，浸泡在实施例1-15和对比例1-16所示的负胶剥离液中(60℃，30分钟)，进行腐蚀处理，然后用纯水进行漂洗处理。用四点探针仪器测腐蚀前后的电阻率的变化计算腐蚀速率。
V.介质层腐蚀测试
将沉积有一定厚度的氧化硅片(TEOS片)、氮化硅片、氮化钛片、热氧化膜(THOX)片和硼磷玻璃膜(BPSG)片，浸泡在实施例1-15和对比例1-16所示的负胶剥离液中(60℃，30分钟)，进行腐蚀处理，然后用纯水进行漂洗处理。用膜厚仪测腐蚀前后的介质层厚度的变化。
表4腐蚀速率的效果实施例
从表4可以看出，本发明的负胶剥离液通过添加特定的表面活性剂，对多种材料的腐蚀性低。
从实施例1-15和对比例1-16比较来看，含特定的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物表面活性剂对负胶、干膜及其残留物的剥离、多种材料的腐蚀的抑制起到了一定的作用，提高了负胶剥离液的剥离和抗腐蚀性能，尤其是实施例1中的负胶剥离液剥离和缓蚀效果最好。

Claims (10)

1.一种负胶剥离液，其特征在于，其原料包括下列质量分数的组分：1.00％-5.00％的季铵碱、5.00％-40.00％的烷醇胺、0.10％-8.00％的缓蚀剂、10.00-30.00％的直链酰胺类有机溶剂、5.00-25.00％的砜类和/或亚砜类有机溶剂、15.00％-30.00％的醇醚类有机溶剂、5.00％-15.00％的烷酮类有机溶剂、0.01％-2.00％的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物和余量的水，各组分质量分数之和为100％，所述的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物为Tetronic1107、Tetronic 1301和Tetronic 1307中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的负胶剥离液，其特征在于，
所述的季铵碱的质量分数为2.00％-4.00％；
和/或，所述的烷醇胺的质量分数为20.00％-35.00％；
和/或，所述的缓蚀剂的质量分数为0.50％-5.00％；
和/或，所述的直链酰胺类有机溶剂的质量分数为15.00-25.00％；
和/或，所述的砜类和/或亚砜类有机溶剂的质量分数为8.00-23.00％；
和/或，所述的醇醚类有机溶剂的质量分数为18.00％-28.00％；
和/或，所述的烷酮类有机溶剂的质量分数为6.00％-10.00％；
和/或，所述的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物的质量分数为0.05％-1.50％。
3.如权利要求2所述的负胶剥离液，其特征在于，
所述的季铵碱的质量分数为2.50％-3.50％；
和/或，所述的烷醇胺的质量分数为25.00％-30.00％；
和/或，所述的缓蚀剂的质量分数为2.00％-4.00％；
和/或，所述的直链酰胺类有机溶剂的质量分数为18.00-20.00％；
和/或，所述的砜类和/或亚砜类有机溶剂的质量分数为10.00-13.00％；
和/或，所述的醇醚类有机溶剂的质量分数为20.00％-25.00％；
和/或，所述的烷酮类有机溶剂的质量分数为7.00％-9.00％；
和/或，所述的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物的质量分数为0.10％-1.30％。
4.如权利要求1所述的负胶剥离液，其特征在于，
所述的季铵碱为四甲基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵五水合物、四丁基氢氧化铵、苯甲基三甲基氢氧化铵、四丙基铵、二甲基二丙基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵和二甲基二乙基氢氧化铵中的一种或多种；
和/或，所述的烷醇胺为氨基乙基乙醇胺、二甲基氨基乙醇、单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、N-甲基异丙醇胺、N-乙基异丙醇胺、N-丙基异丙醇胺、2-氨基丙烷-1-醇、N-甲基-2-氨基丙烷-1-醇、N-乙基-2-氨基丙烷-1-醇、1-氨基丙烷-3-醇、N-甲基-1-氨基丙烷-3-醇、N-乙基-1-氨基丙烷-3-醇、1-氨基丁烷-2-醇、N-甲基-1-氨基丁烷-2-醇、N-乙基-1-氨基丁烷-2-醇、2-氨基丁烷-1-醇、N-甲基-2-氨基丁烷-1-醇、N-乙基-2-氨基丁烷-1-醇、3-氨基丁烷-1-醇、N-甲基-3-氨基丁烷-1-醇、N-乙基-3-氨基丁烷-1-醇、1-氨基丁烷-4-醇、N-甲基-1-氨基丁烷-4-醇、N-乙基-1-氨基丁烷-4-醇、1-氨基-2-甲基丙烷-2-醇、2-氨基-2-甲基丙烷-1-醇、1-氨基戊烷-4-醇、2-氨基-4-甲基戊烷-1-醇、2-氨基己烷-1-醇、3-氨基庚烷-4-醇、1-氨基辛烷-2-醇、5-氨基辛烷-4-醇、1-氨基丙烷-2,3-二醇、2-氨基丙烷-1,3-二醇、三(羟甲基)氨基甲烷、1,2-二氨基丙烷-3-醇、1,3-二氨基丙烷-2-醇和2-(2-氨基乙氧基)乙醇中的一种或多种；
和/或，所述的缓蚀剂为1-硫代丙三醇、2-巯基丙酸、苯并三氮唑、邻苯二酚、没食子酸和连苯三酚中的一种或多种；
和/或，所述的直链酰胺类有机溶剂为N-甲基甲酰胺、N-乙基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-(2-羟基乙基)乙酰胺、N,N-二甲基丙酰胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-(2-乙基己基氧基)-N,N-二甲基丙酰胺和3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺中的一种或多种；
和/或，所述的砜类有机溶剂为甲基砜、环丁砜和二丙砜中的一种或多种；
和/或，所述的亚砜类有机溶剂为二甲基亚砜和甲乙基亚砜、二苯基亚砜、氯化亚砜和苄苯亚砜中的一种或多种；
和/或，所述的醇醚类有机溶剂为乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单异丙基醚、乙二醇单丁基醚、二乙二醇单甲基醚、二乙二醇单乙基醚、二乙二醇单异丙基醚、二乙二醇单丁基醚、三乙二醇单甲基醚、三乙二醇单乙基醚、三乙二醇单异丙基醚、三乙二醇单丁基醚、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇单甲基醚、聚乙二醇单丁基醚、丙二醇单甲基醚、二丙二醇单甲基醚、三丙二醇单甲基醚、二丙二醇单甲基醚、二丙二醇单乙基醚、二丙二醇单丙基醚和二丙二醇单丁基醚中的一种或多种；
和/或，所述的烷酮类有机溶剂为咪唑烷酮类和/或吡咯烷酮类有机溶剂；
和/或，所述的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物为Tetronic 1107。
5.如权利要求4所述的负胶剥离液，其特征在于，
所述的季铵碱为四甲基氢氧化铵；
和/或，所述的烷醇胺为单乙醇胺；
和/或，所述的缓蚀剂为1-硫代丙三醇；
和/或，所述的直链酰胺类有机溶剂为N-甲基甲酰胺；
和/或，所述的砜类有机溶剂为环丁砜；
和/或，所述的醇醚类有机溶剂为乙二醇单甲基醚；
和/或，所述的咪唑烷酮类有机溶剂为2-咪唑烷酮和/或1,3-二甲基-2-咪唑烷酮；
和/或，所述的吡咯烷酮类有机溶剂为N-乙基吡咯烷酮、N-甲基吡咯烷酮和N-环己基吡咯烷酮中的一种或多种。
6.如权利要求1-5任一项所述的负胶剥离液，其特征在于，所述的负胶剥离液的原料由所述的季铵碱、所述的烷醇胺、所述的缓蚀剂、所述的直链酰胺类有机溶剂、所述的砜类和/或亚砜类有机溶剂、所述的醇醚类有机溶剂、所述的烷酮类有机溶剂、所述的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物和余量的水组成，各组分质量分数之和为100％。
7.一种如权利要求1-6任一项所述的负胶剥离液的制备方法，其特征在于，其包括下列步骤：将所述的原料混合，即可。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
所述的混合为将所述的原料中的固体组分加入到液体组分中，搅拌均匀，即可；
和/或，所述的混合的温度为室温；
和/或，所述的混合后，还进一步包含振荡，过滤的操作。
9.一种如权利要求1-6任一项所述的负胶剥离液在半导体器件中的负胶、干膜及其残留物的剥离和清洗中的应用。
10.如权利要求9所述的应用，其特征在于，
所述的半导体器件为逻辑芯片、存储芯片、微机电芯片、光电芯片和功率芯片中的一种或多种；
和/或，所述的应用包括下列步骤：将带有负胶和干膜残留的半导体器件与剥离液接触，即可；所述的接触可为通过浸渍法和/或喷淋法；所述接触的温度优选55-85℃，更优选60-75℃；所述接触的时间优选10-65min，更优选30-60min。
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