TWI580776B - 具有改良的矽鈍化性之光阻劑或半導體製造殘留物的半水性剝除及清潔組合物 - Google Patents

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Description

具有改良的矽鈍化性之光阻劑或半導體製造殘留物的半水性剝除及清潔組合物 相關申請案之交互參照
本發明請求2014年，12月23日申請的US 62/109,381之優先權。在此以引用的方式將其完全併入。
本發明關於一種改良的半水性剝除組合物，其特別有用於剝除光阻劑、光阻劑殘留物及矽晶圓的其他殘留物。
在製造半導體及半導體微電路的期間，經常必須以聚合性有機膜，一般稱之為光阻劑，例如，靠著曝光形成蝕刻阻劑的物質，塗佈基材，由該基材來製造半導體及微電路。這些光阻劑係用以保護該基材表面的選定區域，而該蝕刻劑選擇性地侵蝕該基材未受保護的區域。該基材經常為塗佈二氧化矽的矽晶圓而且表面上也可能含有金屬微電路(例如鋁、銅、鎢、鈦、鉭和金屬合金)及氮化物。在該蝕刻作業及 殘留蝕刻劑清洗掉之後，必須接著從該保護性表面除去阻劑以允許基本修整作業。吾人所欲為開發一種改良的剝除及清潔組合物以從經塗佈的無機基材去除該有機聚合性基材而不腐蝕，溶解或弄鈍該金屬電路而且也不去除該矽晶圓材料。該矽晶圓可在初始層電路施加於有用夾具固持著晶圓的晶圓正面側及晶圓背側的期間暴露於該光阻劑剝除及清潔組合物(在此也被稱作“剝除劑”或“清潔組合物”或“剝除及清潔組合物”)。通通該矽晶圓的暴露部分對剝除清潔組合物呈鈍態。然而，在某些案例中，該暴露的矽可被光阻劑蝕刻劑蝕刻，特別是高pH的剝除劑。這些剝除劑可能含有胺類、四價鹼類及其混合物。因此吾人所欲為提供不會蝕刻該矽晶圓而且取代代之地，提供改良矽鈍化性的改良剝除劑。
本發明提供一種適合的剝除及清潔組合物，其中上文提及腐蝕的不利之處或缺點得以被消除或實質上減輕。本發明提供該矽晶圓暴露部位(例如背側)的減輕蝕刻。在一態樣中本發明提供一種光阻劑剝除及清潔組合物，其包含水和一或更多鹼性化合物、至少一腐蝕抑制劑及一或更多抗氧化劑的一或更多氧化部分(在此也被稱作氧化產物)。在本發明之另一態樣中本發明的一或更多鹼性化合物可包含一或更多胺類或一或更多氫氧化季銨類或其組合。在本發明的組合物中，單獨地或包括本發明的其他態樣，該一或更多腐蝕抑制劑可包含一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑。本發明的組合物， 單獨地或包括本發明的其他態樣，可包含藉由將一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑氧化所形成的一或更多抗氧化劑的一或更多氧化產物。在本發明之一態樣中，單獨地或聯合本發明的其他態樣，該一或更多抗氧化劑的一或更多氧化產物係藉由將含氧氣體、過氧化物或硝酸鹽類加於前述組合物或藉由將含氧氣體吹泡通過前述組合物而在現場形成。在本發明之另一態樣中，該組合物，單獨地或包括其他態樣，包含選自由以下所組成的群組中的一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑：苯磷二酚、第三丁基苯磷二酚、間苯二酚、焦性沒食子酸、沒食子酸、沒食子酸的酯類及抗壞血酸，或可選自沒食子酸及苯磷二酚。在本發明之另一態樣中，該組合物，單獨地或包括其他態樣，包含或另外包含一或更多鈍化腐蝕抑制劑。在本發明之另一態樣中，前述本發明的組合物中的一或更多鹼性化合物，單獨地或包括其他態樣，係選自包含一或更多胺類或一或更多氫氧化季銨，或一或更多胺類或一或更多氫氧化季銨的混合物。在本發明之另一態樣中，本發明的組合物，單獨地或包括本發明的其他態樣中的任何者，可具有一或更多鈍化腐蝕抑制劑，該一或更多鈍化腐蝕抑制劑可選自由三唑及pH介於約4至約7的弱酸所組成的群組，或可選自由鄰胺苯甲酸、苯甲酸、鄰苯二甲酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、D,L-蘋果酸、丙二酸、苯二甲酸、順丁烯二酸酐、苯二甲酸酐、苯并三唑(BZT)、羧基苯并三唑、二乙基羥胺、其乳酸和檸檬酸鹽類、焦性沒食子酸、果糖、硫代硫酸銨、甘胺酸、乳酸、四甲基胍、亞胺二乙酸及二甲基乙醯胺、三羥基苯、 二羥基苯及水楊基氧肟酸(salicylhydroxamic acid)所組成的群組。
在本發明之另一態樣中，本發明的組合物，單獨地或包括本發明的任何其他態樣，可具有選自由以下所組成的群組中的一或更多胺類：己胺、5-胺基-2-甲基戊烷、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、二丙胺、二異丙胺、二丁胺、二異丁胺、二正丁胺、二第三丁胺、二戊胺、二己胺、二庚胺、二辛胺、二壬胺、二癸胺、戊基甲基胺、甲基異戊基胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、二甲基乙基胺、甲基二乙基胺、甲基二丙基胺、N-亞乙基甲基胺、N-亞乙基乙基胺、N-亞乙基丙基胺、N-亞乙基丁基胺、烷醇胺類、乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、正丁基乙醇胺、二乙醇胺、1-胺基-2-丙醇、N-甲基胺異丙醇、N-乙基-異丙醇胺、N-丙基異丙醇胺、2-胺基丙-1-醇、N-甲基-2-胺基丙-1-醇、N-乙基-2-胺基丙-1-醇、1-胺基丙-3-醇、N-甲基-1-胺基丙-3-醇、N-乙基-1-胺基丙-3-醇、1-胺基丁-2-醇、N-甲基-1-胺基丁-2-醇、N-乙基-1-胺基丁-2-醇、2-胺基丁-1-醇、N-甲基-2-胺基丁-1-醇、N-乙基-2-胺基丁-1-醇、N-羥基-甲基乙醇胺、N-羥基甲基伸乙基二胺、N,N'-雙(羥基甲基)伸乙基二胺、N-羥基甲基丙醇胺、伸乙基二胺、伸丙基二胺、三亞甲基二胺、四亞甲基二胺、1,3-二胺基丁烷、2,3-二胺基丁烷、五亞甲基二胺、2,4-二胺基戊烷、六亞甲基二胺、七亞甲基二胺、八亞甲基二胺、九亞甲基二胺、N-甲基伸乙基二胺、N,N-二甲基伸乙基二胺、三甲基伸乙基二胺、N-乙基伸乙基二胺、N,N-二乙基伸乙基 二胺、三乙基伸乙基二胺、1,2,3-三胺基丙烷、肼、叁(2-胺基乙基)胺、肆(胺基甲基)甲烷、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、四乙基五胺、七伸乙基八胺、九伸乙基十胺、二氮雜雙環十一烯、羥胺、N-甲基羥胺、N-乙基羥胺及N,N-二乙基羥胺、嗎啉，或選自由具有1至5個碳原子的一級、二級及三級烷醇胺類所組成的群組。
在本發明之另一態樣中，本發明的組合物，單獨地或包括本發明的其他態樣中的任何者，可具有選自由以下所組成的群組中的一或更多烷醇胺類當鹼性化合物：N-甲基乙醇胺(NMEA)、單乙醇胺(MEA)、二乙醇胺、單-、二-和三異丙醇胺、2-(2-胺基乙基胺基)乙醇、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、三乙醇胺，或該一或更多鹼性化合物可選自由以下所組成的群組：嗎啉、環己胺、六氫吡啶烷基胺類(該烷基具有1至5個碳)及伸烷基二胺類(具有1至5個碳)或其混合物，或該一或更多鹼性化合物可為選自由烷醇胺類及羥胺所組成的群組中的一或更多胺類，或烷醇胺類和羥胺的混合物。
在本發明之另一態樣中，本發明的組合物，單獨地或包括本發明的其他態樣，可包含一或更多氫氧化季銨，該一或更多氫氧化季銨係選自由以下化合物所組成的群組：具有式[N-R1R2R3R4]+OH-的化合物，其中R1、R2、R3及R4係各自獨立地為烷基、羥基烷基及其組合，其中前述烷基係具有1至20個碳原子的直鏈或支鏈烴基而且其中前述羥基烷基係具有1至20個碳原子的含羥基的直鏈或支鏈烴基，或選自由以下所組成的群組：氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四乙 基銨、氫氧化四丁基銨(TBAH)、氫氧化四丙基銨、氫氧化三甲基乙基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三甲基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三乙基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三丙基銨、氫氧化(1-羥基丙基)三甲基銨、氫氧化乙基三甲基銨、氫氧化二乙基二甲基銨及氫氧化苯甲基三甲基銨。
在本發明之另一態樣中，本發明的組合物，單獨地或包括本發明的任何其他態樣，可具有5至50重量%、或5至30重量%、或10至40重量%、或10至30重量%、或15至25重量%的前述水。本發明的組合物，單獨地或包括本發明的任何其他態樣，可具有35至94.5重量%、或30至80重量%、或45至90重量%、或55至85重量%、或50至80重量%、或70至85重量%的前述一或更多鹼性化合物。本發明的組合物，單獨地或包括本發明的其他態樣，可具有0.1至15重量%或0.5至10重量%或0.5至7重量%或0.5至5重量%的前述一或更多腐蝕抑制劑。本發明的組合物，單獨地或包括本發明的任何其他態樣，可具有0.001至5重量%、或0.001至3重量%、或0.002至0.5重量%、或0.003至0.8重量%、或0.003至0.3重量%、或0.004至0.2重量%、或0.005至0.1重量%、或0.007至0.1重量%、或0.01至5重量%、或0.01至3重量%、或0.02至0.5重量%、或0.03至0.8重量%、或0.03至0.3重量%、或0.04至0.2重量%、或0.05至0.1重量%的前述一或更多抗氧化劑的一或更多氧化產物。
在本發明之另一態樣中，本發明的組合物，單獨地或包括本發明的其他態樣中的任何者，可具有約0.1至 10%、或約0.5至3重量%、或約0.5至5%、或約0.5至2.5重量%的一或更多鈍化腐蝕抑制劑及約0.1至10%、或約0.5至5%、或約0.5至2.5重量%的一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑。本發明的組合物，單獨地或包括本發明的其他態樣，可另外包含一或更多鈍化腐蝕抑制劑。
在本發明之另一態樣中，單獨地或包括其他態樣，提供一種光阻劑或半導體製造殘留物剝除及清潔組合物，其包含約70至85重量%的前述一或更多鹼性化合物，其中前述鹼性化合物包含一或更多烷醇胺類、任意地約0.5至2.5重量%的一或更多鈍化腐蝕抑制劑、約0.5至2.5重量%的一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑、0.001至1%或0.005至1%、或0.01 to 1%的一或更多抗氧化劑的一或更多氧化產物及9.9至28.99重量%水。
在本發明之另一態樣中，單獨地或包括其他態樣，提供一種光阻劑或半導體製造殘留物剝除及清潔組合物，該組合物具有一或更多包含苯并三唑的鈍化腐蝕抑制劑及該一或更多包含沒食子酸或苯磷二酚的抗氧化劑腐蝕抑制劑。在本發明之另一態樣中，單獨地或包括其他態樣，提供一種清潔組合物，其中前述一或更多烷醇胺類包含N-甲基乙醇胺。
在本發明之另一態樣中，單獨地或包括其他態樣，提供一種用於去除矽基材上的光阻劑或殘留物之方法，該方法包含以下步驟：使前述基材與剝除與清潔有效量的本發明任何組合物接觸；容許前述剝除組合物接觸到前述基材 經過剝除有效時期；及從前述基材去除該光阻劑或該光阻劑殘留物。該方法可於低於1Å/min的速率下蝕刻矽。
在本發明之另一態樣中，單獨地或包括其他態樣，提供一種一種製造本發明的任何清潔組合物之方法，其包含以下步驟：於一容器合併水、一或更多鹼性化合物、一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑，及將含氧氣體、過氧化物或硝酸鹽類加於前述組合物以形成前述組合物中的抗氧化劑的一或更多氧化產物。該抗氧化劑的氧化產物可為該等抗氧化劑腐蝕抑制劑的氧化產物。那些製程步驟可在該清潔組合物與要被清潔的矽基材接觸之前進行。該添加步驟可藉由將含氧氣體吹泡通過前述容器中的前述組合物而進行。該組合物、本發明組合物的使用方法及製造方法之其他態樣皆在本說明書及本說明書最後的申請專利範圍之內。
本發明的剝除及清潔組合物可提供有效性剝除及清潔作用以及增進的矽鈍化性。另外本發明的清潔組合物可為或可提供下列益處中的一或多者：於殘留物、聚合物及污染去移除方面有效及/或不腐蝕尤其是鋁、銅、鎢、鈦、鉭及金屬合金和氮化物，並且提供低或可忽略的矽蝕刻速率的非腐蝕性剝除及清潔組合物。儘管本發明的組合物主要被調配用於去除光阻劑及光阻劑殘留物，但是咸了解其其也能用以尤其在想要將矽鈍化的情形，例如，在積體電路封裝步驟的期間，從半導體組件去除其他殘留物。綜觀較佳具體實施例隨同的描述，本發明的其他目的及優點將會被了解的更完全。
本發明的剝除及清潔組合物較佳包含水、一或更多鹼性化合物、至少一腐蝕抑制劑及一或更多抗氧化劑的一或更多氧化部分的混合物。該等鹼性化合物可為一或更多胺類或一或更多氫氧化季銨、或一或更多胺類和一或更多氫氧化季銨的混合物。該一或更多胺類可為或可包含一或更多有機胺類或一或更多無機胺類。
本發明的組合物可包含5至50重量%、或10至40重量%、或5至30重量%、或10至30重量%、或15至25重量%水；及35至94.5重量%、或30至80重量%、或45至90重量%、或55至85重量%、或50至80重量%、或70至85重量%的一或更多鹼性化合物；及0.1至15重量%、或0.5至3重量%、或0.5至10重量%、或0.5至7重量%、或0.5至5重量%的一或更多腐蝕抑制劑；及0.001至5重量%、或0.001至3重量%、或0.002至0.5重量%、或0.003至0.3重量%、或0.004至0.2重量%、或0.005至0.1重量%、或0.007至0.1重量%、0.01至5重量%、或0.01至3重量%、或0.02至0.5重量%、或0.03至0.3重量%、或0.04至0.2重量%、或0.05至0.1重量%的抗氧化劑的一或更多氧化產物。注意，除非另行指明，否則本案所述的所有重要百分比皆係以該組合物的總重量為基準。(剛才界定的量的一或更多腐蝕抑制劑可包含，基本上由以下組成或由以下組成：一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑、一或更多鈍化腐蝕抑制劑、或一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑和一或更多鈍化腐蝕抑制劑的組合。)注意 在本案各處“一或更多”的運用意指而且可藉由以下來代替：“一或多於一”。當該一或更多腐蝕抑制劑包含一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑及一或更多鈍化腐蝕抑制劑時，任何本文所述的組合物皆可包含0.1至10重量%的一或更多鈍化腐蝕抑制劑及0.1至10重量%的一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑；或0.5至5重量%的一或更多鈍化腐蝕抑制劑及0.5至5重量%的一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑；或0.5至2.5重量%的一或更多鈍化腐蝕抑制劑及0.5至2.5重量%的一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑。
用於類似應用之此技藝中已知的任何腐蝕抑制劑，例如美國專利第5,417,877號所揭露者，在此以引用的方式將其併入本文，皆可用於本發明的清潔組合物。腐蝕抑制劑可為，舉例來說，有機酸、無機酸鹽、酚或三唑。特定腐蝕抑制劑的實例包括鄰胺苯甲酸、沒食子酸、苯甲酸、鄰苯二甲酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、D,L-蘋果酸、丙二酸、苯二甲酸、抗壞血酸、順丁烯二酸酐、苯二甲酸酐、苯并三唑(BZT)、間苯二酚及羧基苯并三唑等。可使用的腐蝕抑制劑的其他實例包括苯磷二酚、第三丁基苯磷二酚、焦性沒食子酸及沒食子酸的酯類。適合腐蝕抑制劑還有其他實例包括果糖、硫代硫酸銨、甘胺酸、乳酸、四甲基胍、亞胺二乙酸及二甲基乙醯胺。在某些具體實施例中，該腐蝕抑制劑可包括pH介於約4至約7的弱酸。弱酸類的實例包括三羥基苯、二羥基苯及/或水楊基氧肟酸。
以上列出的腐蝕抑制劑包括兩類型的腐蝕抑制 劑：鈍化腐蝕抑制劑及抗氧化劑腐蝕抑制劑。鈍化腐蝕抑制劑藉由與金屬錯合形成鈍態層於該金屬頂部來保護金屬特徵，該鈍態層不溶於水性及有機溶液。抗氧化劑腐蝕抑制劑藉由從該剝除及清潔溶液去除已溶解的氧以防止金屬氧化層形成及溶解來保護金屬特徵。
在該清潔組合物的某些具體實施例中，該一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑可與以下結合：一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑的氧化產物或被視為該一或更多抗氧化劑的氧化產物之一或更多不同抗氧化劑腐蝕抑制劑的一或更多氧化產物。另外言明的是，該清潔組合物中的一或更多抗氧化劑的氧化產物可包含存於該清潔組合物中的一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑的氧化產物。
抗氧化劑腐蝕抑制劑的實例包括苯磷二酚、第三丁基苯磷二酚、間苯二酚、焦性沒食子酸、沒食子酸、沒食子酸的酯類、抗壞血酸，較佳為沒食子酸及苯磷二酚。
鈍化腐蝕抑制劑的實例包括三唑、鄰胺苯甲酸、檸檬酸、苯甲酸、苯二甲酸、鄰苯二甲酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、D,L-蘋果酸、丙二酸、順丁烯二酸酐、苯二甲酸酐、苯并三唑(BZT)、羧基苯并三唑、果糖、硫代硫酸銨、甘胺酸、四甲基胍、亞胺二乙酸、水楊基氧肟酸及二甲基乙醯胺。
存於本發明清潔組合物中的腐蝕抑制劑或抑制劑總量可為0.1至15重量%、或0.5至10重量%、或0.5至7重量%、或0.5至5重量%。在某些具體實施例中，該一或更 多抗氧化劑腐蝕抑制劑可單獨或與一或更多鈍化腐蝕抑制劑結合地依那些量存有。
有水存於本發明的清潔組合物。該水係去離子水或超高純度水。水可存有以該組合物的總重量為基準計為5至50重量%、或10至40重量%、或5至30重量%、或10至30重量%或15至20重量%的量。
本發明的剝除及清潔組合物可包含一或更多可溶性胺類當彼內的鹼性化合物。指定實例包括己胺、5-胺基-2-甲基戊烷、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、二丙胺、二異丙胺、二丁胺、二異丁胺、二正丁胺、二第三丁胺、二戊胺、二己胺、二庚胺、二辛胺、二壬胺、二癸胺、戊基甲基胺、甲基異戊基胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、二甲基乙基胺、甲基二乙基胺、甲基二丙基胺、N-亞乙基甲基胺、N-亞乙基乙基胺、N-亞乙基丙基胺、N-亞乙基丁基胺、烷醇胺類、乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、正丁基乙醇胺、二乙醇胺、1-胺基-2-丙醇、N-甲基胺異丙醇、N-乙基-異丙醇胺、N-丙基異丙醇胺、2-胺基丙-1-醇、N-甲基-2-胺基丙-1-醇、N-乙基-2-胺基丙-1-醇、1-胺基丙-3-醇、N-甲基-1-胺基丙-3-醇、N-乙基-1-胺基丙-3-醇、1-胺基丁-2-醇、N-甲基-1-胺基丁-2-醇、N-乙基-1-胺基丁-2-醇、2-胺基丁-1-醇、N-甲基-2-胺基丁-1-醇、N-乙基-2-胺基丁-1-醇、N-羥基-甲基乙醇胺、N-羥基甲基伸乙基二胺、N,N'-雙(羥基甲基)伸乙基二胺、N-羥基甲基丙醇胺、伸乙基二胺、伸丙基二胺、三亞甲基二胺、四亞甲基二胺、1,3-二胺基丁烷、2,3-二胺基丁烷、五亞甲基 二胺、2,4-二胺基 戊烷、六亞甲基二胺、七亞甲基二胺、八亞甲基二胺、九亞甲基二胺、N-甲基伸乙基二胺、N,N-二甲基伸乙基二胺、三甲基伸乙基二胺、N-乙基伸乙基二胺、N,N-二乙基伸乙基二胺、三乙基伸乙基二胺、1,2,3-三胺基丙烷、肼、叁(2-胺基乙基)胺、肆(胺基甲基)甲烷、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、四乙基五胺、七伸乙基八胺、九伸乙基十胺、二氮雜雙環十一烯、羥胺、N-甲基羥胺、N-乙基羥胺、N,N-二乙基羥胺、嗎啉。
一或更多烷醇胺類可當本發明的鹼性化合物，特別是，如以上列示的具有1至5個碳原子的一級、二級及三級烷醇胺類，使用，該等烷醇胺類包括N-甲基乙醇胺(NMEA)、單乙醇胺(MEA)、二乙醇胺、單-、二-和三-異丙醇胺、2-(2-胺基乙基胺基)乙醇、2-(2-胺基乙氧基)乙醇及三乙醇胺等。
可當本發明組合物中的鹼性化合物使用的其他有機胺類包括環狀非芳香族胺類例如嗎啉、環己胺、六氫吡啶、具有1至5個碳原子的烷基胺類例如丁胺及具有1至5個碳原子的伸烷基二胺類例如伸乙基二胺等。
可當本發明組合物中的一或更多鹼性化合物使用的較佳胺類是烷醇胺類、羥胺類或烷醇胺類和羥胺的混合物。
可當本發明組合物中的一或更多鹼性化合物使用的一或更多胺類可存有以該組合物的總重量為基準計為35至94.5重量%、或30至80重量%、或45至90重量%、或55 至85重量%、或50至80重量%、或75至85重量%的總量。
本發明的剝除及清潔組合物可包含一或更多可溶性氫氧化季銨化合物當存於該組合物中的鹼性化合物或鹼性化合物的一部分。示範氫氧化季銨可為那些具有式[N-R1R2R3R4]+OH-的化合物，其中R1、R2、R3及R4係各自獨立地為烷基、羥基烷基及其組合。本文所用的措辭“烷基”表示具有1至20個碳原子、或1至8個碳原子、或1至4個碳原子的直鏈或支鏈烴基。適合烷基的實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基及第三丁基。本文所用的措辭“羥基烷基”表示具有1至20個碳原子、或1至8個碳原子、或1至4個碳原子的含羥基的直鏈或支鏈烴基。適合羥基烷基的實例包括羥基乙基及羥基丙基。適合氫氧化季銨化合物的實例包括氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丁基銨(TBAH)、氫氧化四丙基銨、氫氧化三甲基乙基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三甲基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三乙基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三丙基銨、氫氧化(1-羥基丙基)三甲基銨、氫氧化乙基三甲基銨、氫氧化二乙基二甲基銨及氫氧化苯甲基三甲基銨或其混合物。
當本發明組合物中的一或更多鹼性化合物使用的一或更多氫氧化季銨可存有以該組合物的總重量為基準計為35至94.5重量%、或50至80重量%、或45至90重量%、或55至85重量%、或50至80重量%、或70至85重量%的總量。
該組合物的pH可為高於7，通常高於8，或高於 9，或9至12，或10至12。
一較佳的光阻劑剝除及清潔組合物包含約70至85重量%的一或更多鹼性化合物、約0.5至2.5重量%的一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑、約0.001至0.1重量%或0.005至0.1重量%或0.01至0.1重量%的一或更多抗氧化劑的一或更多氧化部分及約12.4至29.49重量%水。
另一較佳的光阻劑剝除及清潔組合物包含約70至85重量%的一或更多鹼性化合物、約0.5至2.5重量%的一或更多鈍化腐蝕抑制劑、約0.5至2.5重量%的一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑、約0.01 to 0.1重量%的一或更多抗氧化劑的一或更多氧化部分及約9.9 to 28.99重量%水。在一具體實施例中，該一或更多鹼性化合物可包含一或更多烷醇胺類。在一具體實施例中，其可與包含該一或更多烷醇胺類的具體實施例結合，該鈍化腐蝕抑制劑可包含苯并三唑。在另一具體實施例中，該抗氧化劑腐蝕抑制劑可包含沒食子酸，其可與一或更多烷醇胺類及苯并三唑結合。另一較佳的清潔組合物包含烷醇胺，舉例來說，N-甲基乙醇胺、苯并三唑、沒食子酸、沒食子酸氧化物及水。
一較佳的光阻劑剝除及清潔組合物包含約70至85重量%的烷醇胺，舉例來說，N-甲基乙醇胺、約0.5至2.5重量%的苯并三唑、約0.5至2.5重量%的沒食子酸、約0.01至0.1重量%的沒食子酸氧化物及約9.9至28.99重量%水。
一較佳的光阻劑剝除及清潔組合物包含約70至85重量%的一或更多鹼性化合物、約0.5至10重量%的一或 更多抗氧化劑腐蝕抑制劑、約0.01至1重量%的一或更多抗氧化劑的一或更多氧化部分及約4至29.49重量%水。
另一較佳的光阻劑剝除及清潔組合物包含約70至85重量%的一或更多鹼性化合物、約0.5至2.5重量%的一或更多鈍化腐蝕抑制劑、約0.5至7重量%的一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑、約0.01至0.7重量%的一或更多抗氧化劑的一或更多氧化部分及約4.8至28.99重量%水。
在一具體實施例中，該一或更多鹼性化合物可包含一或更多烷醇胺類或一或更多烷醇胺類及羥胺。在一具體實施例中，其可與包含該一或更多烷醇胺類或一或更多烷醇胺類及羥胺的具體實施例結合，該鈍化腐蝕抑制劑可包含苯并三唑。在另一具體實施例中，該抗氧化劑腐蝕抑制劑可包含沒食子酸或苯磷二酚或沒食子酸和苯磷二酚的混合物，其可與一或更多烷醇胺類及/或羥胺類及/或苯并三唑結合。另一較佳的清潔組合物包含烷醇胺，舉例來說，N-甲基乙醇胺、或甲基乙醇胺、苯并三唑、沒食子酸、沒食子酸氧化物及水。另一較佳的清潔組合物包含烷醇胺及羥胺、水及苯磷二酚和苯磷二酚的氧化產物中任一者、或沒食子酸及沒食子酸氧化物。
一較佳的光阻劑剝除及清潔組合物包含約70至85重量%的烷醇胺及羥胺、約0.5至7重量%苯磷二酚及/或沒食子酸、約0.001至0.7重量%或0.005至0.7重量%或0.01至0.7重量%的苯磷二酚的氧化產物及/或沒食子酸及約7.3至29.49重量%水。
注意在此咸了解，所提及的單一組分包括有多數該組分的可能性，而且所提及的多數包括該等組合物、使用方法及本文所述的那些組合物的製造方法中用單一組分的可能性。
提供包含抗氧化劑的一或更多氧化部分的組合物之一方式係將含氧流體(其可能是氣體或液體)吹泡、注射或引進進入或通過包含一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑的本發明的清潔組合物。若該等抗氧化劑的氧化部分係藉由將含氧流體注入該清潔組合物，也被稱作在現場，製成，則較佳為存於該組合物中少於50個百分比或少於10個百分比的一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑被轉化成該等抗氧化劑的氧化部分。或者，該等抗氧化劑的氧化部分可於獨立容器或溶液中購得或製成並且加於該清潔組合物。能用以產生該等抗氧化劑的氧化部分的氧化劑包括，但不限於，含氧氣體或流體、空氣、過氧化物、硝酸根化合物，例如，一氧化二氮。抗氧化劑的部分氧化能以控制方式使用氧化劑來完成。能加以控制的製程參數包括反應溫度及壓力。必須費心限制氧化以達成預期水準的部分氧化。適度進行該清潔組合物的部分氧化以確保清潔組合物及/或抗氧化劑腐蝕抑制劑沒顯著變化以保持該清潔組合物的清潔效能。頃發現該清潔組合物(彼內沒有抗氧化劑的氧化部分，要不就依據本發明)存有<10%的抗氧化劑腐蝕抑制劑氧化通常產生充分的抗氧化劑的氧化部分以便為該清潔組合物添加矽鈍化性。較佳為使該一或更多抗氧化劑的氧化產物形成，要不就在使該清潔組合物接觸到要被清潔的 矽基材之前加於該清潔組合物。
本文所述的發明組合物可另外包含任意組分，該等組分包括有機溶劑及/或一或更多添加物，例如，表面活性劑及殺生物劑，及此產業已知的其他者，其中這些組分係各自或累積地存有少於10重量%或較佳地少於5重量%的量。
本發明的組合物所用的任意有機溶劑可包括一種水可溶性或水可混溶性有機溶劑或多於一種的混合物。如本文所用的，水可溶性或水可混溶性有機溶劑包括能與水互相混合並且於標準溫度和壓力下形成均質溶液的溶劑。可用的水可溶性或水可混溶性有機溶劑的實例包括，但不限於，乙二醇、丙二醇、二丙二醇、1,4-丁二醇、三伸丙二醇甲基醚、三伸丙二醇單丁基醚、丙二醇丙基醚、二乙二醇正丁基醚、己氧基丙胺、聚(環氧乙烷)二胺、二甲基亞碸、四氫呋喃甲醇、甘油、醇類(例如苯甲醇)、亞碸類或其混合物。較佳的任意溶劑係醇類、二醇類或其混合物。較佳的任意溶劑包括二醇醚類或具有2至8個碳原子的羥醇類及其混合物，舉例來說。
可當本發明的組合物中的任意溶劑之二醇醚類的實例包括，舉例來說，乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丁基醚、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單丙基醚、二乙二醇單異丙基醚、二乙二醇單丁基醚、二乙二醇單異丁基醚、二乙二醇單苯甲基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、三乙二醇單甲基醚、三乙二醇二甲基醚、聚乙二醇單甲基醚、二乙二醇甲基乙基醚、乙二醇單甲基醚醋酸酯、 乙二醇單乙基醚醋酸酯、丙二醇甲基醚醋酸酯、丙二醇單甲基醚、丙二醇二甲基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇單丙基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單丙基醚、二丙二醇單異丙基醚、二丙二醇單丁基醚、二丙二醇二異丙基醚、三伸丙二醇單甲基醚、三伸丙二醇單丁基醚、1-甲氧基-2-丁醇、2-甲氧基-1-丁醇、2-甲氧基-2-甲基丁醇、1,1-二甲氧基乙烷及2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇。在一示範具體實施例中，該二醇醚包括叁(丙二醇)甲基醚(t-PGME)。
包括具有一羥基、2至8個碳原子及任意雜環化合物並且可當本發明的組合物中的任意有機溶劑之一適合單羥醇包括四氫呋喃甲醇(THFA)。特佳為THFA，因為其具有可生物降解性而且由於高溶解力而為水可混溶性。附帶地，THFA沒被列為致癌物質而且沒被歸類為危害性廢棄物。
該溶劑，若存有的話，主要具有溶解阻劑層或有機殘留物中的有機聚合物的功能，藉以從該基材去除該阻劑層或有機殘留物。
該等任意表面活性劑包括任何已知的表面活性劑而且可為，舉例來說，陰離子型、陽離子型、非離子型及兩性。表面活性劑的實例包括硫酸十二酯鈉鹽、硫酸月桂酯鈉鹽、硫酸十二酯銨鹽、二級烷磺酸酯、炔屬表面活性劑、烷基酚乙氧基化物、脂肪族醇乙氧基化物、脂肪族胺乙氧基化物、環氧丙烷-環氧乙烷嵌段共聚物或伸乙基二胺 表面活性劑及其任何組合。適合的市售可得的表面活性劑實例包括由Dow Chemicals製造的TRITON TM、TergitolTM、 DOWFAXTM群組的表面活性劑及由Air Products and Chemicals製造，名為SUIRFYNOLTM、DYNOLTM、ZetasperseTM、NonidetTM及TomadolTM表面活性劑群組的不同表面活性劑。適合表面活性劑也可包括含環氧乙烷(EO)基及環氧丙烷(PO)基的聚合物。EO-PO聚合物的實例係來自BASF Chemicals的TetronicTM 90R4。一些有用的表面活性劑的其他實例被揭露於美國專利第7,591,270號，在此以引用的方式併入本文。
任意殺生物劑，可用以控制儲藏期間的細菌和黴菌生長，被揭露於美國專利第5,230,833號及美國專利案第US 20020025762號。所揭露的生物生長抑制劑包括氯化四甲基銨、氯化四乙基銨、氯化四丙基銨、氯化烷基苯甲基二甲基銨、及氫氧化烷基苯甲基二甲基銨(其中該烷基鏈介於1至約20個碳原子)、亞氯酸鈉及次氯酸鈉。某些市售可得的防腐劑包括來自Dow chemicals的KATHONTM及NEOLENETM產物群組及來自Lanxess的PreventolTM群組。
有些本文所述的發明組合物可實質上不含含氟化合物及/或羥胺及/或過氧化物及/或其他有機溶劑及/或緩衝物及/或一或更多下列添加物，例如，表面活性劑及/或殺生物劑，其中實質上不含意指少於1重量%、或少於0.01重量%、或較佳地少於0.005重量%。
就以上提及而且可另外包括下列理由的許多理由來說本發明的剝除及清潔組合物係有用且有益的。本發明的剝除及清潔組合物可為水溶性、非腐蝕性、非可燃性而且 對環境具有低毒性。該等剝除及清潔組合物可證明於低溫下對於廣泛不同種類的塗層和基材具有較高的剝除及清潔效率，同時提供改良的矽鈍化性。其可能特別適於從積體電路裝配時應用的電漿處理去除光阻劑及殘留物。
該等清潔組合物能藉由簡單混合該等組分，通常於室溫下，輕易地製備而成。或者，除該等抗氧化劑的氧化部分以外，該等組分能混在一起而且，如上所述，該等抗氧化劑的氧化部分能在現場生成，藉由將空氣或其他含氧流體(例如氣體)吹泡通過混合組分，或將氧化性流體加於該組合物，其接著在該組合物中形成該等抗氧化劑的氧化部分。有一具體實施例中200標準立方釐米/分的空氣可能吹泡進入350毫升(ml)之包含一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑的清潔組合物經過至少2小時，或至少3小時，或至少4小時，或經過4至10小時(而且就各自情形為其引進氧的同等物)以於該清潔組合物中形成該等抗氧化劑的氧化部分。該清潔組合物的量、時間及流速能輕易地加以調整以將相同或類似量的氧引進相同或類似體積的組合物以製造相同或類似量的抗氧化劑的氧化部分，假設將更高或更低百分比的含氧流體吹泡通過該清潔組合物及/或假設將更高或更低流速的該流體引進該清潔組合物及/或假設要被處理的清潔組合物量增加。提到以上使用的“或其引進氧的同等物”涵蓋被引進不同時間以將相同或類似量的氧吹泡或引進進入相同或類似體積的組合物(像是藉由將200sccm吹泡進入350ml的清潔組合物經過以上所指的時間來引進)的不同含氧流體。
本發明的清潔組合物的使用方法通常藉由使有機或金屬有機聚合物、無機鹽、氧化物、氫氧化物或其錯合物或組合以存於矽晶圓上的膜或殘留物(亦即側壁聚合物(SWP))的形式與所述的剝除及清潔組合物接觸來進行。實際的條件，亦即，溫度、時間等等，取決於要被去除的錯合物(光阻劑及/或側壁聚合物及/或其他殘留物)材料的性質及厚度，以及熟悉此技藝者熟悉的其他因素。一般而言，關於光阻劑剝除及/或清潔，該包含要被清潔的光阻劑的晶圓能被接觸，噴霧或浸於含有溫度介於25至85℃之間的清潔組合物的容器，通常經過約5至30分鐘，以水清洗並且接著以惰性氣體乾燥或"旋乾"。關於可供選擇的具體實施例，舉例來說，清潔封裝支架，帶貼附晶圓(晶圓切片)的支架可與該清潔組合物接觸通常視需要經過1秒至30分鐘。
有機聚合物材料的實例包括光阻劑、電子束阻劑、X-射線阻劑及離子束阻劑等。有機聚合物材料的特定實例包括含酚甲醛型樹脂或聚(對乙烯酚)的正向阻劑及含聚甲基丙烯酸甲酯的阻劑等。電漿處理的殘留物(側壁聚合物，也被稱作SWP)的實例包括金屬-有機錯合物及/或無機鹽類、氧化物、氫氧化物或單獨或與光阻劑的有機聚合物樹脂結合形成膜或殘留物的錯合物。該等有機材料及/或SWP能從熟悉此技藝者已知的習用基材，例如矽、二氧化矽、硼磷矽玻璃(PBSG)、鋁、鋁合金、銅、銅合金、鈦、鎢、金屬氮化物等等，去除。
儘管不欲被理論所束縛，但是咸相信該等抗氧化 劑的氧化部分保護該矽，其可能是矽背側，免被蝕刻，假設藉由製造防止矽蝕刻的不可溶性矽錯合物。
下列實施例所示的數據，但不限於此，例示了本發明的清潔組合物的功效及不可預期的性質。除非另行指明，否則所有份數及百分比率係以重量計。
實施例
為了證明本發明的清潔組合物的功效而進行下列試驗。清潔組合物A係藉由本發明的方法來處理以將抗氧化劑腐蝕抑制劑部分氧化。該將抗氧化劑腐蝕抑制劑部分氧化的方法如下：該清潔組合物係藉由在室溫下於燒杯中混合表1所列的所有組分，依照表1所指的重量百分比製備。所用的鹼性化合物係有機胺，明確地說N-甲基乙醇胺(NMEA)。該鈍化腐蝕抑制劑係苯并三唑。所用的抗氧化劑腐蝕抑制劑係沒食子酸。所用的抗氧化劑的氧化產物係藉由該組合物與氧反應而在現場製備的沒食子酸氧化物。(或者沒食子酸氧化物能從市面購得或其能單獨地製造並且添加。)在現場形成沒食子酸氧化物之後接著使用利用UV偵測器的高壓液相層析法(HPLC-UV)。最終清潔配方具有表1所列的組成。矽蝕刻速率靠著Si<100>空白晶圓獲得。矽蝕刻速率係於70℃下測定。四片個別的矽晶圓係利用經緩衝之氧化蝕刻(BOE)溶液來處理以去除頂部的二氧化矽層並且浸於指定溫度的配方並且維持接觸經過預定時間。經過曝光之後，該等晶圓係以甲基吡咯啶及去離子水溶液來沖洗以去除有機溶劑，乾燥並且測量 重量變化以計算矽蝕刻速率。表1中記載的值係四次個別測量的平均值。
比較性清潔組合物不含該抗氧化劑的氧化產物，也就是說，未被氧化的清潔組合物，具有顯著的矽蝕刻現象。就清潔組合物A來說發覺到的是極輕微的矽蝕刻現象。清潔組合物A含有約0.055重量%該清潔組合物中的沒食子酸氧化物現場氧化所形成的沒食子酸(該抗氧化劑腐蝕抑制劑)。預期具有大於或等於0.055重量%抗氧化劑氧化產物的清潔組合物將能提供低矽蝕刻速率。
另外測試數個其他組合物。各組合物皆含有抗氧化劑腐蝕抑制劑。所有組合物皆藉由於室溫下混合表2認明及下述的組分製成。將各自組合物中的抗氧化劑腐蝕抑制劑部分氧化(形成屬於抗氧化劑氧化產物的抗氧化劑腐蝕抑制劑氧化產物)的方法如下：於500ml燒杯中，倒入350ml的各 自組合物並且通入200標準立方釐米/分(sccm)的空氣經過表2列出的預定時間。經過預設時間之後，停止通入空氣並且將樣品儲存於氮中。之後測定各組合物於不同通氣時間的矽蝕刻速率。關於矽蝕刻速率，表2記載的各自蝕刻速率皆使用四個3.5cm x 3.5cm切片的Si<100>預稱重切片。把該等矽切片浸於350ml的各自清潔組合物同時於70℃下攪拌並且讓其反應6小時。經過6小時之後，移出該等矽切片，以異丙基醇及去離子水清洗並且讓其乾燥。之後，稱取該等矽切片的重量並且計算關於各矽切片的預稱重量與處理後重量之間的差值及每分鐘蝕刻速率。表2中計算而且記載以通氣不同時間的清潔組合物來處理的各組四個切片之結果的平均值。組合物B含有水、重量比為3.3的2-(甲基胺基)乙醇和羥胺的混合物當鹼性化合物及苯磷二酚當該抗氧化劑腐蝕抑制劑。組合物C含有水、重量比為3.3的單異丙醇胺和羥胺的混合物當鹼性化合物及苯磷二酚當該抗氧化劑腐蝕抑制劑。組合物D含有水、重量比為3.4的單乙醇胺和羥胺的混合物當鹼性化合物及苯磷二酚當該抗氧化劑腐蝕抑制劑。組合物E含有水、重量比為3.4的單乙醇胺和羥胺的混合物當鹼性化合物及沒食子酸當該抗氧化劑腐蝕抑制劑。組合物F含有水、2-(甲基胺基)乙醇當鹼性化合物、苯磷二酚當該抗氧化劑腐蝕抑制劑及苯并三唑當該鈍化腐蝕抑制劑。(注意：在含羥胺的清潔組合物中，使用了50%羥胺水溶液。該清潔組合物中的水量等同於存於該用以製造清潔組合物的羥胺水溶液中的水。)
*表2中的抗氧化劑腐蝕抑制劑的氧化重量%使用液相層析法藉由測量各清潔組合物中的初始和最終抗氧化劑腐蝕抑制劑量之間的差值並且除以該清潔組合物中的抗氧化劑腐蝕抑制劑初始量求出。
注意該等措辭“包含”、“含有”或“具有”在本案中任何使用那些措辭之處皆為非限定性開項而且包括部分閉項或閉項“基本上由...組成”及“由...組成”。

Claims (24)

  1. 一種光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其包含水、一或更多鹼性化合物、一或更多腐蝕抑制劑、及一或更多抗氧化劑的一或更多氧化產物。
  2. 如申請專利範圍第1項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述一或更多腐蝕抑制劑包含一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑。
  3. 如申請專利範圍第2項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述一或更多抗氧化劑的一或更多氧化產物係藉由將前述一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑氧化而成。
  4. 如申請專利範圍第2項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述一或更多抗氧化劑的一或更多氧化產物係藉由將含氧氣體、過氧化物或硝酸鹽加於前述組合物而在現場形成。
  5. 如申請專利範圍第2項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑係選自由苯磷二酚、第三丁基苯磷二酚、間苯二酚、焦性沒食子酸、沒食子酸、沒食子酸的酯類及抗壞血酸所組成的群組。
  6. 如申請專利範圍第2項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其另外包含一或更多鈍化腐蝕抑制劑。
  7. 如申請專利範圍第6項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述一或更多鈍化腐蝕抑制劑係選自由鄰胺苯甲酸、苯甲酸、鄰苯二甲酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、D,L-蘋果酸、丙二酸、苯二甲酸、順丁烯二酸酐、苯二甲酸酐、苯并三唑(BZT)、羧基苯并三唑、二乙基羥胺、其乳酸和檸檬酸鹽類、焦性沒食子酸、果糖、硫代硫酸銨、甘胺酸、乳酸、四甲基胍、亞胺二乙酸及二甲基乙醯胺、三羥基苯、二羥基苯及水楊基氧肟酸(salicylhydroxamic acid)所組成的群組。
  8. 如申請專利範圍第1項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述一或更多鹼性化合物包含選自由以下所組成的群組中的一或更多胺類：己胺、5-胺基-2-甲基戊烷、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、二丙胺、二異丙胺、二丁胺、二異丁胺、二正丁胺、二第三丁胺、二戊胺、二己胺、二庚胺、二辛胺、二壬胺、二癸胺、戊基甲基胺、甲基異戊基胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、二甲基乙基胺、甲基二乙基胺、甲基二丙基胺、N-亞乙基甲基胺、N-亞乙基乙基胺、N-亞乙基丙基胺、N-亞乙基丁基胺、烷醇胺類、乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、正丁基乙醇 胺、二乙醇胺、1-胺基-2-丙醇、N-甲基胺異丙醇、N-乙基-異丙醇胺、N-丙基異丙醇胺、2-胺基丙-1-醇、N-甲基-2-胺基丙-1-醇、N-乙基-2-胺基丙-1-醇、1-胺基丙-3-醇、N-甲基-1-胺基丙-3-醇、N-乙基-1-胺基丙-3-醇、1-胺基丁-2-醇、N-甲基-1-胺基丁-2-醇、N-乙基-1-胺基丁-2-醇、2-胺基丁-1-醇、N-甲基-2-胺基丁-1-醇、N-乙基-2-胺基丁-1-醇、N-羥基-甲基乙醇胺、N-羥基甲基伸乙基二胺、N,N'-雙(羥基甲基)伸乙基二胺、N-羥基甲基丙醇胺、伸乙基二胺、伸丙基二胺、三亞甲基二胺、四亞甲基二胺、1,3-二胺基丁烷、2,3-二胺基丁烷、五亞甲基二胺、2,4-二胺基 戊烷、六亞甲基二胺、七亞甲基二胺、八亞甲基二胺、九亞甲基二胺、N-甲基伸乙基二胺、N,N-二甲基伸乙基二胺、三甲基伸乙基二胺、N-乙基伸乙基二胺、N,N-二乙基伸乙基二胺、三乙基伸乙基二胺、1,2,3-三胺基丙烷、肼、叁(2-胺基乙基)胺、肆(胺基甲基)甲烷、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、四乙基五胺、七伸乙基八胺、九伸乙基十胺、二氮雜雙環十一烯、羥胺、N-甲基羥胺、N-乙基羥胺、N,N-二乙基羥胺、嗎啉及N-甲基乙醇胺(NMEA)、單乙醇胺(MEA)、二乙醇胺、單-、二-和三異丙醇胺、2-(2-胺基乙基胺基)乙醇、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、三乙醇胺。
  9. 如申請專利範圍第1項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述鹼性化合物係選自由具有1至5個碳原子的一級、二級及三級烷醇胺類所組成的群組。
  10. 如申請專利範圍第1項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述鹼性化合物包含選自由以下所組成的群組中的一或更多胺類：嗎啉、環己胺、六氫吡啶烷基胺類(其中該烷基具有1至5個碳)及伸烷基二胺類(具有1至5個碳)。
  11. 如申請專利範圍第1項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述鹼性化合物包含選自由以下所組成的群組中的一或更多胺類：烷醇胺類、羥胺類及烷醇胺類和羥胺的混合物。
  12. 如申請專利範圍第1項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述鹼性化合物包含選自由以下化合物所組成的群組中的一或更多氫氧化季銨：具有式[N-R1R2R3R4]+OH-的化合物，其中R1、R2、R3及R4係各自獨立地為烷基、羥基烷基及其組合，其中前述烷基係具有1至20個碳原子的直鏈或支鏈烴基而且其中前述羥基烷基係具有1至20個碳原子的含羥基的直鏈或支鏈烴基。
  13. 如申請專利範圍第1項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述組合物包含5至50重量%的前述水。
  14. 如申請專利範圍第1項之光阻劑或半導體製造殘留 物的剝除及清潔組合物，其中前述組合物包含10至30重量%的前述水。
  15. 如申請專利範圍第1項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述組合物包含35至94.5重量%的前述一或更多鹼性化合物。
  16. 如申請專利範圍第1項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述組合物包含45至90重量%的前述一或更多鹼性化合物。
  17. 如申請專利範圍第1項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述組合物包含0.1至15重量%的前述一或更多腐蝕抑制劑。
  18. 如申請專利範圍第1項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述組合物包含0.001至5重量%的前述一或更多抗氧化劑的一或更多氧化產物。
  19. 如申請專利範圍第6項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述一或更多腐蝕抑制劑包含約0.1至10重量%的一或更多鈍化腐蝕抑制劑及約0.1至10重量%的一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑。
  20. 如申請專利範圍第2項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其包含約70至85重量%的前述一或更多鹼性化合物(其中前述鹼性化合物包含一或更多烷醇胺類)、約0.5至2.5重量%的一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑、0.001至1%的一或更多抗氧化劑的一或更多氧化產物及9.9至28.99重量%水。
  21. 如申請專利範圍第20項之光阻劑或半導體製造殘留物的剝除及清潔組合物，其中前述一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑包含沒食子酸或苯磷二酚，或沒食子酸及苯磷二酚的混合物。
  22. 一種用於去除包含矽的矽基材上的光阻劑或殘留物之方法，該方法包含以下步驟：使前述基材與剝除與清潔有效量的申請專利範圍第1項的組合物接觸；使前述剝除組合物能接觸到前述基材經過剝除有效時期；及從前述基材去除該光阻劑或該光阻劑殘留物，其中前述矽基材的前述矽係於低於1Å/min的速率下被蝕刻。
  23. 一種製造申請專利範圍第2項之組合物之方法，其包含以下步驟：於一容器合併水、一或更多鹼性化合物、一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑，及將含氧氣體、過氧化物或硝酸鹽類加於前述組合物以於前述組合物中形成一或更多抗氧化劑腐蝕抑制劑的一或更多氧化產物。
  24. 如申請專利範圍第23項之方法，其中前述添加步驟係將含氧氣體吹泡通過前述容器中的前述組合物而進行。
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