KR101794874B1

KR101794874B1 - 금속장 적층판, 프린트 배선판, 다층 프린트 배선판

Info

Publication number: KR101794874B1
Application number: KR1020130133519A
Authority: KR
Inventors: 마사야 고야마; 미노루 우노; 고지 기시노; 다케시 기타무라; 히로하루 이노우에
Original assignee: 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤
Priority date: 2012-11-12
Filing date: 2013-11-05
Publication date: 2017-11-07
Also published as: TWI544842B; JP2014111361A; CN103813612B; JP6624573B2; JP2018001764A; JP6226232B2; CN103813612A; KR20140061246A; TW201440585A

Abstract

본 발명은, 휨을 작게 하여 실장 공정에서의 문제점이 쉽게 발생하지 않도록 할 수 있는 금속장 적층판을 제공한다. 기재(1)에 수지 조성물(2)이 함침되고 반경화되어 프리프레그(3)가 형성되고, 상기 프리프레그(3)에 금속박(4)을 중첩하여 가열 가압하여 형성된 금속장 적층판(5)에 관한 것이다. 상기 금속장 적층판(5)의 상기 금속박(4)을 제거하는 에칭 처리를 행한 후의 적층판(6)의 치수를 기준으로 한 경우, 상기 에칭 처리를 행한 후에 다시 에이징 처리를 행한 후의 적층판(6)의 치수 변화율이 ±0.03%의 범위 내이다.

Description

금속장 적층판, 프린트 배선판, 다층 프린트 배선판{METAL―CLAD LAMINATE, PRINTED WIRING BOARD, AND MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD}

본 발명은, 프린트 배선판 등의 제조에 사용되는 금속장(金屬張) 적층판, 및 이것을 사용하여 제조되는 프린트 배선판 및 다층 프린트 배선판에 관한 것이다.

종래, 금속장 적층판으로서, 접착 필름에 금속박을 접합시킴으로써 얻어지는 플렉시블 금속장 적층판이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 특히, 특허 문헌 1에 기재된 접착 필름은, 폴리이미드 필름에 열가소성 폴리이미드를 함유하는 접착층을 형성한 것으로서, 상기한 폴리이미드 필름이, 전구체(前驅體)인 폴리아미드산을 부분적으로 이미드화한 필름을 가열 연신(延伸) 처리하여 얻어진 것이다. 그리고, 이와 같이 하여 치수 변화의 발생을 억제할 수 있는 것이다.

일본공개특허 제2004―338160호 공보

상기한 플렉시블 금속장 적층판은, 내부에 기재(基材)를 포함하지 않는 것으로 하고 있지만, 최근에는, 내부에 기재를 포함하는 리지드(rigid) 금속장 적층판에 대해서도, 소형화나 박형화에 대응하기 위하여, 플렉시블 금속장 적층판과 마찬가지로 치수 변화의 발생을 억제하는 것이 요구되고 있다. 그리고, 이하에서는 내부에 기재를 포함하는 리지드 금속장 적층판을 단지 금속장 적층판이라고 한다.

도 6의 (b)는, 일반적인 금속장 적층판의 에칭 처리 후 및 에이징(aging) 처리 후의 치수 변화율(＋는 신장, ―는 축소)을 나타낸 것이다. 에칭 처리는, 도체 패턴의 형성 공정에 상당하고, 에이징 처리는, 도체 패턴 보호를 위한 레지스트 형성 시의 가열 공정에 상당한다. 도 6의 (b)에 나타낸 바와 같이, 성형 후의 치수를 기준으로 한 경우, 에칭 처리 후의 치수는 약간 줄어들고, 다시 에이징 처리 후의 치수는 대폭 줄어든다. 이와 같이, 일반적으로 도체 패턴을 형성하고나서 대폭 줄어들면 휨이 커지는 경향이 있고, 휨이 커지면 부품 실장(實裝) 공정에서 문제점이 발생할 가능성이 높아진다. 최근, 기판의 소형화나 박형화가 진행되어, 실장이 어려워지고 있어, 기판에 대한 치수 변화의 억제가 요구되고 있다.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 휨을 작게 하여 실장 공정에서의 문제점이 쉽게 발생하지 않는 금속장 적층판, 및 프린트 배선판 및 다층 프린트 배선판을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.

본 발명에 관한 금속장 적층판은, 기재에 수지 조성물이 함침(含浸)되고 반경화되어 프리프레그(prepreg)가 형성되고, 상기 프리프레그에 금속박을 중첩하여 가열 가압하여 형성된 금속장 적층판으로서, 상기 금속장 적층판의 상기 금속박을 제거하는 에칭 처리를 행한 후의 적층판의 치수를 기준으로 한 경우, 상기 에칭 처리를 행한 후에 다시 에이징 처리를 행한 후의 적층판의 치수 변화율이 ±0.03%의 범위 내인 것을 특징으로 한다.

상기 금속장 적층판에 있어서, 상기 에칭 처리를 행하기 전의 금속장 적층판의 치수를 기준으로 한 경우, 상기 에칭 처리를 행한 후의 적층판의 치수가 증가하고 있는 것이 바람직하다.

상기 금속장 적층판에 있어서, 상기 에칭 처리를 행하기 전의 금속장 적층판의 치수를 기준으로 한 경우, 상기 에칭 처리를 행한 후의 적층판의 치수 변화율이 0.1% 이하인 것이 바람직하다.

상기 금속장 적층판에 있어서, 상기 수지 조성물에 필러(filler)가 50∼80 질량% 함유되어 있는 것이 바람직하다.

상기 금속장 적층판에 있어서, 두께가 0.2㎜ 이하인 것이 바람직하다.

상기 금속장 적층판에 있어서, 상기 가열 가압 시의 승온(昇溫) 속도가 200℃/분 이상인 것이 바람직하다.

본 발명에 관한 프린트 배선판은, 상기 금속장 적층판의 양면 또는 한쪽 면에 도체 패턴을 형성하여 이루어져 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 관한 다층 프린트 배선판은, 상기 프린트 배선판을 사용하여, 상기 도체 패턴의 층을 적어도 3층 이상 형성하여 이루어져 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 휨을 작게 하여 실장 공정에서의 문제점이 쉽게 발생하지 않도록 할 수 있는 것이다.

도 1은 본 발명에 관한 금속장 적층판의 일례를 나타낸 것이며, (a)는 양면 금속장 적층판의 단면도(斷面圖), (b)는 한쪽 면 금속장 적층판의 단면도, (c)는 금속박을 전체면 제거한 적층판의 단면도, (d)는 내층 회로가 수납된 금속장 적층판의 단면도, (e)는 금속박을 전체면 제거한 내층 회로가 수납된 적층판이다.
도 2는 양면 금속장 적층판의 제조 공정의 일례를 나타낸 것이며, (a), (b)는 단면도이다.
도 3은 한쪽 면 금속장 적층판의 제조 공정의 일례를 나타낸 것이며, (a), (b)는 단면도이다.
도 4는 내층 회로가 수납된 금속장 적층판의 제조 공정의 일례를 나타낸 것이며, (a)∼(c)는 단면도이다.
도 5는 치수 변화율 측정용 시료의 일례를 나타낸 평면도이다.
도 6의 (a)는 본 발명에 관한 금속장 적층판의 에칭 처리 후 및 에이징 처리 후의 치수 변화율의 일례를 나타낸 그래프이며, (b)는 일반적인 금속장 적층판의 에칭 처리 후 및 에이징 처리 후의 치수 변화율의 일례를 나타낸 그래프이다.

이하, 본 발명의 실시형태를 설명한다.

본 발명에 관한 금속장 적층판(5)은, 도 2∼도 4에 나타낸 바와 같이, 금속박(4)을 프리프레그(3)의 양면 또는 한쪽 면에 중첩시켜 가열 가압하여 형성되고, 프린트 배선판용 재료로서 사용된다. 금속장 적층판(5)에 있어서, 프리프레그(3)는 경화되어, 전기적인 절연성을 가지는 절연층(30)을 형성하고 있다. 도 1의 (a)는 양면 금속장 적층판을 나타낸다. 도 1의 (b)는 한쪽 면 금속장 적층판을 나타낸다. 도 1의 (c)는 금속장 적층판(5)의 금속박(4)을 전체면 제거한 후의 적층판(6)을 나타낸다. 도 1의 (d)는 절연층(30)의 내부에 내층 회로(7)를 가지는 내층 회로(7)가 수납된 금속장 적층판(5)을 나타낸다. 도 1의 (e)는 내층 회로(7)가 수납된 금속장 적층판(5)의 금속박(4)을 전체면 제거한 후의 내층 회로(7)가 수납된 적층판(6)을 나타낸다.

여기서, 금속박(4)으로서는, 예를 들면, 동박(銅箔), 알루미늄박, 스테인레스박 등을 사용할 수 있다. 금속박(4)의 두께는, 예를 들면 2∼70㎛이지만, 이에 한정되는 것은 아니다.

또한 프리프레그(3)는, 수지 조성물(2)을 기재(1)에 함침시키는 동시에, 이것을 반경화 상태(B 스테이지 상태)로 되기까지 가열 건조시킴으로써 형성되어 있다.

상기한 수지 조성물(2)은, 열경화성 수지 및 필러를 함유하는 것이 바람직하다.

여기서, 열경화성 수지로서는, 예를 들면, 에폭시 수지, 페놀 수지, 시아네이트 수지, 멜라민 수지, 이미드 수지 등을 사용할 수 있다. 특히, 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 다관능성 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다.

또한 필러로서는, 예를 들면, 실리카, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산칼슘, 탈크(talc), 알루미나 등을 사용할 수 있다.

또한 필러는, 수지 조성물(2) 전량에 대하여 50∼80 질량% 함유되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이, 필러의 함유량이 50 질량% 이상인 것에 의해, 금속장 적층판(5)의 성형 후부터 에칭 처리 후까지의 치수 변화와, 에칭 처리 후에 에이징 처리 후까지의 치수 변화를 더욱 작게 할 수 있는 것이다. 또한, 필러의 함유량이 80 질량% 이하이면, 점도의 상승을 억제하면서 필러를 수지 조성물(2)에 함유시킬 수 있는 것이다.

또한 수지 조성물(2)은, 경화제 및 경화촉진제를 함유해도 된다.

여기서, 경화제로서는, 예를 들면, 페놀계 경화제, 디시안디아미드 경화제 등을 사용할 수 있다.

또한 경화촉진제로서는, 예를 들면, 이미다졸류, 페놀 화합물, 아민류, 유기포스핀류 등을 사용할 수 있다.

그리고, 상기한 열경화성 수지 외에, 필요에 따라 필러, 경화제, 경화촉진제를 배합함으로써 수지 조성물(2)을 조제할 수 있고, 또한 이것을 용제로 희석함으로써 수지 조성물(2)의 바니스를 조제할 수 있다. 용제로서는, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 톨루엔, 스티렌, 메톡시 프로판올 등을 사용할 수 있다.

기재(1)로서는, 예를 들면, 유리 크로스, 유리 페이퍼, 유리 매트 등과 같이 무기 섬유로 이루어지는 것이나, 아라미드(aramid) 크로스 등과 같이 유기 섬유로 이루어지는 것을 사용할 수 있다. 기재(1)의 두께는, 예를 들면 20∼200㎛이지만, 이에 한정되는 것은 아니다.

프리프레그(3)를 제조하는데 있어서서는, 먼저 기재(1)에 수지 조성물(2)을 함침시킨다. 다음에, 이것을 반경화 상태로 되기까지 가열 건조시킴으로써 프리프레그(3)를 얻을 수 있다. 이 때의 가열 온도는, 예를 들면 100∼200℃, 가열 시간은, 예를 들면 1∼10분간이지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 프리프레그(3) 전량에 대하여 수지 조성물(2)의 함유량[레진 컨텐트(resin content)]은 40∼75 질량%인 것이 바람직하다.

그리고, 본 발명에 관한 금속장 적층판(5)은, 다음과 같이 하여 형성되어 있다.

즉, 양면 금속장 적층판인 금속장 적층판(5)은, 도 2의 (a), (b)에 나타낸 바와 같이, 상기한 프리프레그(3)의 양면에 금속박(4)을 적층하여 형성되어 있다. 이 경우, 1개의 프리프레그(3)의 양면에 금속박(4)을 적층하여 성형해도 되고, 복수 개의 프리프레그(3)를 중첩시키고, 이 양면에 금속박(4)을 적층하여 성형해도 되지만, 금속장 적층판(5)의 두께는 0.2㎜ 이하(하한은 0.015㎜)인 것이 바람직하다. 이로써, 프린트 배선판의 소형화 및 박형화를 도모할 수 있는 것이다.

또한, 한쪽 면 금속장 적층판인 금속장 적층판(5)은, 도 3의 (a), (b)에 나타낸 바와 같이, 상기한 프리프레그(3)의 한쪽 면에 금속박(4)을 적층하여 형성되어 있다. 이 경우, 1개의 프리프레그(3)의 한쪽 면에 금속박(4)을 적층하여 성형해도 되고, 복수 개의 프리프레그(3)를 중첩시키고, 이 한쪽 면에 금속박(4)을 적층하여 성형해도 되지만, 금속장 적층판(5)의 두께는 0.2㎜ 이하(하한은 0.015㎜)인 것이 바람직하다. 이로써, 프린트 배선판의 소형화 및 박형화를 도모할 수 있는 것이다. 그리고, 양면 금속장 적층판의 한쪽 면의 금속박(4)이 전체면 제거되어 한쪽 면 금속장 적층판이 형성되어 있어도 된다.

또한, 내층 회로(7)가 수납된 금속장 적층판(5)은, 먼저 도 4의 (a)에 나타낸 코어재(8)를 제조하고, 다음에, 도 4의 (b), (c)에 나타낸 바와 같이, 상기한 프리프레그(3)의 한쪽 면에 코어재(8), 다른쪽 면에 금속박(4)을 적층하여 형성되어 있다. 코어재(8)는, 예를 들면, 양면 금속장 적층판의 한쪽 면에 서브트랙티브법(Subtractive Process)에 의해 도체 패턴을 형성하여 제조하거나, 또는 한쪽 면 금속장 적층판의 금속박(4)이 없는 면에 애드티브법(additive process)에 의해 도체 패턴을 형성하여 제조하거나 할 수 있다. 이와 같이 하여 형성된 도체 패턴이 절연층(30) 내에 매립되어 내층 회로(7)로 된다. 또한, 상기한 경우, 코어재(8)와 금속박(4) 사이에 협지되는 프리프레그(3)는 1개라도 되고, 복수 개라도 되지만, 내층 회로(7)가 수납된 금속장 적층판(5)의 두께는 0.2㎜ 이하(하한은 0.015㎜)인 것이 바람직하다. 이로써, 프린트 배선판의 소형화 및 박형화를 도모할 수 있는 것이다.

또한 상기한 각각의 적층 성형은, 예를 들면, 다단 진공 프레스, 더블 벨트 프레스, 선압(線壓) 롤, 진공 라미네이터 등을 사용하여 가열 가압하여 행할 수 있다. 이 경우의 가열 가압 시의 승온 속도는 200℃/분 이상인 것이 바람직하다. 이로써, 후술하는 도 6의 (a)와 같은 특유의 치수 변화의 거동(擧動)을 나타내는 금속장 적층판(5)을 용이하게 얻을 수 있는 것이다. 승온 속도의 상한은 350℃/분이지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 적층 성형 시의 피크 온도는 140∼350℃, 성형 압력은 0.5∼6.0 MPa, 성형 시간은 1∼240 분간인 것이 바람직하다.

상기와 같이 하여 제조된 금속장 적층판(5)에 대하여는, 치수 변화의 거동이 다음과 같이 된다. 도 6의 (a)는, 본 발명에 관한 금속장 적층판(5)의 에칭 처리 후 및 에이징 처리 후의 치수 변화율(＋는 신장, ―는 축소)을 나타낸 것이다.

도 6의 (a)에 나타낸 바와 같이, 성형 후의 금속장 적층판(5)의 치수, 즉 에칭 처리를 행하기 전의 금속장 적층판(5)의 치수를 기준으로 한 경우, 에칭 처리를 행한 후의 적층판(6)의 치수는 증가하기 쉽다. 이로써, 적층판(6)의 내부의 변형을 제거할 수 있는 것이다. 상기한 에칭 처리는, 도체 패턴의 형성 공정에 상당하므로, 도체 패턴을 형성할 때 적층판(6)의 내부의 변형도 제거 가능한 것을 의미한다. 이 때의 치수 변화율은, 예를 들면, JIS(C6481)에 준해 산출할 수 있다. 먼저 에칭 처리 전의 금속장 적층판(5)의 표면의 임의의 2점 사이의 간격을 측정하여 이것을 L₀라고 한다. 다음에, 염화 제2 구리 등을 주성분으로 하는 에칭액을 사용하여 금속장 적층판(5)의 금속박(4)을 전체면 제거함으로써 에칭 처리를 행한 후, 상기한 2점 사이의 간격을 재차 측정하여 이것을 L1이라고 한다. 그리고, 다음 식(1)에 의해 에칭 처리 후의 치수 변화율 S₁을 산출할 수 있다. ―

S₁= (L₁―L₀)×100/L₀(%)…(1)

상기한 식(1)에 의해, 에칭 처리 후의 적층판(6)의 치수 변화율을 구체적으로 산출하면, 본 발명에 관한 금속장 적층판(5)에 대하여는, 상기한 치수 변화율은 0%를 넘어 0.1% 이하로 되기 쉽다. 이와 같이, 최소한의 치수 변화로 적층판(6) 내부의 변형을 제거할 수 있는 것이다.

또한 도 6의 (a)에 나타낸 바와 같이, 에칭 처리 후의 적층판(6)의 치수를 기준으로 한 경우, 에칭 처리 후에 다시 에이징 처리를 행한 후의 적층판(6)의 치수는 거의 변화하지 않는다. 이 때의 치수 변화율도, 예를 들면, JIS(C6481)에 준해 산출할 수 있다. 에칭 처리 후의 적층판(6)을 150℃에서 30분간 가열함으로써 에이징 처리를 행한 후, 상기한 2점 사이의 간격을 재차 측정하고, 이것을 L₂라고 한다. 그리고, 다음 식(2)에 의해 에이징 처리 후의 치수 변화율 S₂를 산출할 수 있다.

S₂= (L₂―L₁)×100/L₁(%)…(2)

상기한 식(2)에 의해, 에이징 처리 후의 적층판(6)의 치수 변화율을 구체적으로 산출하면, 본 발명에 관한 금속장 적층판(5)에 대하여는, 상기한 치수 변화율은 ±0.03%의 범위 내로 된다. 이와 같이, 본 발명에 관한 금속장 적층판(5)은, 에칭 처리 후에 에이징 처리를 행해도 치수가 거의 변화하지 않는다. 이 에이징 처리는, 도체 패턴 보호를 위한 레지스트 형성 시의 가열 공정에 상당하지만, 이와 같은 가열 공정 종료 후에 있어서 휨을 작게 할 수 있어, 그 후의 부품의 실장 공정에서의 문제점이 쉽게 발생하지 않도록 할 수 있는 것이다.

그리고, 본 발명에 관한 프린트 배선판은, 상기한 금속장 적층판(5)의 양면 또는 한쪽 면에 도체 패턴을 형성하여 이루어져 있다. 도체 패턴의 형성은, 예를 들면, 서브트랙티브법, 애드티브법 등에 의해 행할 수 있다.

또한 본 발명에 관한 다층 프린트 배선판은, 상기한 프린트 배선판을 사용하여, 도체 패턴의 층을 적어도 3층 이상 형성하여 이루어져 있다. 프린트 배선판은, 통상, 도체 패턴의 층이 2층 이하이지만, 다음과 같이 하여 도체 패턴의 층이 3층 이상 있는 다층 프린트 배선판을 제조할 수 있다.

즉, 도시를 생략하고 있지만, 본 발명에 관한 다층 프린트 배선판은, 상기한 프린트 배선판의 양면 또는 한쪽 면에 상기한 프리프레그(3)를 통하여 금속박(4)을 적층하고, 이 금속박(4)의 불필요한 부분을 제거하여 도체 패턴의 층을 형성하여 제작할 수 있다. 이 경우, 상기한 프리프레그(3)를 사용하는 것이 바람직하지만, 그 외의 프리프레그(3)를 사용해도 된다. 또한, 금속박(4)으로서는, 상기와 동일한 것을 사용할 수 있다. 적층 성형 및 성형 조건은, 상기한 금속장 적층판(5)을 제조하는 경우와 마찬가지이다. 도체 패턴의 형성은, 프린트 배선판을 제조하는 경우와 마찬가지로 행할 수 있다. 즉, 금속박(4)이 있는 경우에는 서브트랙티브법에 의해 도체 패턴의 층을 형성할 수 있고, 금속박(4)이 없는 경우에는 애드티브법에 의해 도체 패턴의 층을 형성할 수 있다. 또한, 도 1의 (d)에 나타낸 내층 회로(7)가 수납된 금속장 적층판(5)의 양면에 서브트랙티브법에 의해 도체 패턴의 층을 형성하여, 다층 프린트 배선판을 제조해도 된다. 그리고, 다층 프린트 배선판에 있어서, 도체 패턴의 층수는 특별히 한정되지 않는다.

[실시예]

이하, 본 발명을 실시예에 따라서 구체적으로 설명한다.

(실시예 1)

열경화성 수지로서, DIC 가부시키가이샤 제조 「HP9500」및 「N540」를 사용하였다.

또한 필러로서, 실리카인 가부시키가이샤 아드마텍스 제조 「YC100C―MLE」및 「S0―25R」을 사용하였다.

또한 경화제로서, 페놀성 경화제인 DIC 가부시키가이샤 제조 「TD2090」를 사용하였다.

또한 경화촉진제로서, 이미다졸인 시코쿠화성공업 가부시키가이샤 제조 「2 E4MZ」를 사용하였다.

또한 기재(1)로서, 유리 크로스인 닛토 방적 가부시키가이샤 제조 「1037 크로스」(두께 29㎛)를 사용하였다.

그리고, 상기한 열경화성 수지(「HP9500」: 46.51 질량부, 「N540」: 19.94 질량부), 필러(「YC100C―MLE」: 50 질량부, 「S0―25R」: 250 질량부), 경화제(「TD2090」: 33.55 질량부), 경화촉진제(「2E4MZ」: 0.05 질량부)를 배합하고, 또한 용제(메틸에틸케톤)와 희석함으로써 수지 조성물(2)의 바니스를 조제하였다.

다음에, 상기한 바니스를 기재(1)에 함침시키는 동시에, 이것을 반경화 상태로 되기까지 150℃에서 3분간, 건조로 내에서 가열 건조시킴으로써 프리프레그(3)를 제조하였다. 이 프리프레그(3) 전량에 대하여 수지 조성물(2)의 함유량(레진 컨텐트)은 59 질량%이다.

다음에, 상기한 프리프레그(3)를 2매 중첩시키고, 이 양면에 금속박(4)으로서 동박(미츠이 금속광업 가부시키가이샤 제조 「3 EC―VLP」, 500㎜×500㎜×두께 18㎛)을 적층하여 성형함으로써, 금속장 적층판(5)으로서 도 1의 (a)에 나타낸 바와 같은 양면 금속장 적층판(두께 0.096㎜)을 제조하였다. 상기한 적층 성형은, 다단 진공 프레스를 사용하여 가열 가압하여 행하였다. 가열 가압 시의 승온 속도는 250℃/분, 피크 온도는 250℃, 성형 압력은 3.9 MPa(40kgf/㎠), 성형 시간은 5분간이다.

다음에, 상기한 금속장 적층판(5)을 50㎜ 사방으로 잘라내고, 이것을 치수 변화율 측정용 시료로서 사용하고, 이 시료의 표면 상의 직교하는 2방향(X방향 및 Y방향)에서의 임의의 2점 사이의 간격을 측정하고, 이들을 각각 L₀(X) 및 L₀(Y)로 하였다(도 5 참조).

다음에, 염화 제2 구리 등을 주성분으로 하는 에칭액을 사용하여 금속장 적층판(5)의 금속박(4)을 전체면 제거함으로써 에칭 처리를 행한 후, 상기한 2방향에서의 2점 사이의 간격을 재차 측정하고, 이들을 각각 L₁(X) 및 L₁(Y)으로 하였다. 그리고, 상기한 식(1)에 의해 에칭 처리 후의 치수 변화율 S₁(X) 및 S₁(Y)를 산출하였다. 그 결과를 이하에 나타낸다.

S₁(X)= ＋0.03%

S₁(Y)= ＋0.03%

다음에, 에칭 처리 후의 적층판(6)을 150℃에서 30분간 가열함으로써 에이징 처리를 행한 후, 상기한 2방향에서의 2점 사이의 간격을 재차 측정하여 이들을 각각 L₂(X) 및 L₂(Y)로 하였다. 그리고, 상기한 식(2)에 의해 에이징 처리 후의 치수 변화율 S₂(X) 및 S₂(Y)를 산출하였다. 그 결과를 이하에 나타낸다.

S₂(X)= ＋0.01%

S₂(Y)= ＋0.01%

그리고, 상기한 적층판(6)을 정반(定盤) 상에 철면(凸面)을 상방향으로 하여 무하중의 상태에 있어서, JIS(C6481)에 준해 정치법(靜置法)에 의해 적층판(6)의 최대 휨량을 측정하였다. 그 결과, 최대 휨량은 1.1㎜였다.

(실시예 2)

열경화성 수지로서, 일본 화약 가부시키가이샤 제조 「EPPN502H」를 사용하였다.

또한 필러로서, 실리카인 가부시키가이샤 아드마텍스제 「YC100C―MLE」, 「S0―25 R」및 「S0―C6」를 사용하였다.

또한 경화제로서, 페놀성 경화제인 메이와 화성(化成) 가부시키가이샤 제조 「MEH7600」를 사용하였다.

또한 기재(1)로서, 유리 크로스인 닛토 방적 가부시키가이샤 제조 「1037 크로스」(두께 29㎛)을 사용하였다.

그리고, 상기한 열경화성 수지(「EPPN502H」: 62.83 질량부), 필러(「YC100C―MLE」: 50 질량부, 「S0―25R」: 100 질량부, 「S0―C6」: 50 질량부), 경화제(「MEH7600」: 37.17 질량부), 경화촉진제(「2E4MZ」: 0.05 질량부)를 배합하고, 또한 용제(메틸에틸케톤)로 희석함으로써 수지 조성물(2)의 바니스를 조제하였다.

다음에, 상기한 바니스를 사용하도록 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 프리프레그(3)(레진 컨텐트: 59 질량%)를 제조하고, 이 프리프레그(3)를 사용하여 금속장 적층판(5)을 제조하였다.

다음에, 실시예 1과 마찬가지로 하여 에칭 처리 후의 치수 변화율 S₁(X) 및 S₁(Y)을 산출하였다. 그 결과를 이하에 나타낸다.

S₁(X)= ＋0.02%

S₁(Y)= ＋0.02%

다음에, 실시예 1과 마찬가지로 하여 에이징 처리 후의 치수 변화율 S₂(X) 및 S₂(Y)을 산출하였다. 그 결과를 이하에 나타낸다.

S₂(X)= ＋0.03%

S₂(Y)= ＋0.03%

그리고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층판(6)의 최대 휨량을 측정하였다. 그 결과, 최대 휨량은 1.3㎜였다.

(실시예 3)

기재(1)로서, 유리 크로스인 닛토 방적 가부시키가이샤 제조 「1036 크로스」(두께 28㎛)를 사용하였다.

실시예 1과 마찬가지로 하여 수지 조성물(2)의 바니스를 조제하였다.

다음에, 상기한 바니스 및 기재(1)를 사용하도록 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 프리프레그(3)(레진 컨텐트: 51 질량%)를 제조하고, 이 프리프레그(3)를 사용하여 금속장 적층판(5)을 제조하였다.

S₁(X)= ＋0.03%

S₁(Y)= ＋0.03%

다음에, 실시예 1과 마찬가지로 하여 에이징 처리 후의 치수 변화율 S₂(X) 및 S₂(Y)를 산출하였다. 그 결과를 이하에 나타낸다.

S₂(X)= ＋0.02%

S₂(Y)= ＋0.01%

그리고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층판(6)의 최대 휨량을 측정하였다. 그 결과, 최대 휨량은 0.9㎜였다.

(실시예 4)

실시예 1과 마찬가지의 프리프레그(3)의 1개의 양면에 금속박(4)으로서 동박(미츠이 금속광업 가부시키가이샤 제조 「3EC―VLP」, 500㎜×500㎜×두께 18㎛)을 적층하여 성형함으로써, 금속장 적층판(5)으로서 양면 금속장 적층판(두께 0.066㎜)을 제조하였다. 상기한 적층 성형은, 다단 진공 프레스를 사용하여 가열 가압하여 행하였다. 가열 가압 시의 승온 속도는 250℃/분, 피크 온도는 250℃, 성형 압력은 3.9 MPa(40kgf/㎠), 성형 시간은 5분간이다.

다음에, 상기한 양면 금속장 적층판의 한쪽 면에 서브트랙티브법에 의해 도체 패턴을 형성하여 코어재(8)를 제조하였다.

다음에, 상기와 동일한 프리프레그(3)의 1개의 한쪽 면에 코어재(8), 다른 쪽 면에 금속박(4)을 적층하여 성형함으로써, 내층 회로(7)가 수납된 금속장 적층판(5)(두께 0.120㎜)을 제조하였다. 상기한 적층 성형은, 양면 금속장 적층판의 제조와 마찬가지로 행하였다.

S₁(X)= ＋0.02%

S₁(Y)= ＋0.02%

S₂(X)= ＋0.03%

S₂(Y)= ＋0.03%

그리고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층판(6)의 최대 휨량을 측정하였다. 그 결과, 최대 휨량은 3.1㎜였다.

(비교예 1)

실시예 1과 마찬가지의 프리프레그(3)를 2매 중첩시키고, 이 양면에 금속박(4)으로서 동박(미츠이 금속광업 가부시키가이샤 제조 「3 EC―VLP」, 500㎜×500㎜×두께 18㎛)을 적층하여 성형함으로써, 금속장 적층판(5)으로서 양면 금속장 적층판(두께 0.096㎜)을 제조하였다. 상기한 적층 성형은, 다단 진공 프레스를 사용하여 가열 가압하여 행하였다. 가열 가압 시의 승온 속도는 3℃/분, 피크 온도는 220℃, 성형 압력은 3.9 MPa(40kgf/㎠), 성형 시간은 80분간이다.

S₁(X)= ＋0.01%

S₁(Y)= ＋0.01%

S₂(X)= ―0.05%

S₂(Y)= ―0.05%

그리고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층판(6)의 최대 휨량을 측정하였다. 그 결과, 최대 휨량은 2.5㎜였다.

(비교예 2)

또한 필러로서, 실리카인 가부시키가이샤 아드마텍스제 「S0―25R」을 사용하였다.

또한 기재(1)로서, 유리 크로스인 닛토 방적 가부시키가이샤 제조 「1036 크로스」(두께 28㎛)을 사용하였다.

그리고, 상기한 열경화성 수지(「HP9500」: 46.51 질량부, 「N540」: 19.94 질량부), 필러(「S0―25 R」: 300 질량부), 경화제(「TD2090」: 33.55 질량부), 경화촉진제(「2E4MZ」: 0.05 질량부)를 배합하고, 또한 용제(메틸에틸케톤)로 희석함으로써 수지 조성물(2)의 바니스를 조제하였다.

다음에, 상기한 바니스 및 기재(1)를 사용하도록 한 것 이외에는, 비교예 1과 마찬가지로 하여 프리프레그(3)(레진 컨텐트: 72 질량%)를 제조하고, 이 프리프레그(3)를 사용하여 금속장 적층판(5)을 제조하였다.

S₁(X)= ―0.02%

S₁(Y)= ―0.02%

S₂(X)= ―0.06%

S₂(Y)= ―0.06%

그리고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층판(6)의 최대 휨량을 측정하였다. 그 결과, 최대 휨량은 3.7㎜였다.

1: 기재
2: 수지 조성물
3: 프리프레그
4: 금속박
5: 금속장 적층판
6: 적층판

Claims

기재(基材)에 수지 조성물이 함침(含浸)되고 반경화(半硬化)되어 프리프레그(prepreg)가 형성되고, 상기 프리프레그에 금속박을 중첩하여 가열 가압하여 형성된 금속장(金屬張) 적층판으로서,
상기 기재는 개섬(開纖) 유리 크로스이며,
상기 수지 조성물은, 열경화성 수지 및 필러(filler)를 함유하고,
상기 수지 조성물에 필러가 50∼80 질량% 함유되어 있으며,
상기 금속장 적층판의 상기 금속박을 제거하는 에칭 처리를 행한 후의 적층판의 치수를 기준으로 한 경우, 상기 에칭 처리를 행한 후에 다시 150℃에서 30분간 가열하는 것에 의해 에이징(aging) 처리를 행한 후의 적층판의 치수 변화율이 ±0.03%의 범위 내이고, 상기 에칭 처리를 행하기 전의 금속장 적층판의 치수를 기준으로 한 경우, 상기 에칭 처리를 행한 후의 적층판의 치수가 증가하고 있는,
금속장 적층판.
제1항에 있어서,
상기 에칭 처리를 행하기 전의 금속장 적층판의 치수를 기준으로 한 경우, 상기 에칭 처리를 행한 후의 적층판의 치수 변화율이 0.1% 이하인, 금속장 적층판.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 금속장 적층판의 두께가 0.2㎜ 이하인, 금속장 적층판.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 가열 가압 시의 승온 속도가 200℃/분 이상인, 금속장 적층판.
제1항 또는 제2항에 기재된 금속장 적층판의 양면 또는 한쪽 면에 도체(導體) 패턴을 형성하여 이루어진, 프린트 배선판.
제5항에 기재된 프린트 배선판을 사용하여, 상기 도체 패턴의 층을 적어도 3층 이상 형성하여 이루어진, 다층 프린트 배선판.
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