KR101758088B1 - 희토류 영구자석 분말, 본드자석 및 그를 포함하는 장치 - Google Patents

희토류 영구자석 분말, 본드자석 및 그를 포함하는 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 희토류 영구자석 분말, 본드자석과 그 본드자석을 포함하는 장치를 제공한다. 상기 희토류 영구자석 분말은 주로 7-12at%의 Sm, 0.1-1.5at%의 M, 10-15at%의 N, 0.1-1.5at%의 Si 및 나머지의 Fe로 구성되며, 그중 M는 Be, Cr, Al, Ti, Ga, Nb, Zr, Ta, Mo, V 중의 적어도 한가지의 원소이고, 상기 희토류 영구자석 분말의 주상은 TbCu7구조이다. 상기 희토류 영구자석 분말에 Si원소를 첨가함으로서 SmFe합금의 비정질 구조를 형성하는 능력을 향상시키며, 또한 일정한 양의 M원소의 첨가와 함께 합금액체의 젖음성을 향상시킴으로서 합금액체로 하여금 용융장치에서 분출되기 쉽도록 한다. 상기 희토류 영구자석 분말의 평균입경은 10-100μm이며 또한 그 희토류 영구자석 분말은 평균결정입치수가 10-120nm인 나노결정 혹은 비정질조직으로 구성된다.

Description

희토류 영구자석 분말, 본드자석 및 그를 포함하는 장치{RARE-EARTH PERMANENT MAGNETIC POWDER,BONDED MAGNET,AND DEVICE COMPRISING THE BONDED MAGNET}
본 발명은 희토류 영구자석 분말, 본드자석 및 그 본드자석을 이용하는 장치에 관한것으로, 희토류 영구자석 재료분야에 속한다.
희토류 본드자석은 성형성이 양호하고 치수 정밀도가 높으며 자기성능이 높은 등 장점을 가지고 있기에 현재 각종 전자설비、사무자동화、자동차등 분야 특히 특종모터에 광범히 사용되고 있다. 과학기술의 발전에 따라 설비의 소형화 미형화의 요구를 만족하기 위하여 재료중에서 사용하는 본드자석의 성능에 대하여 진일보로 향상시킬 필요가 있다.
현재 광범히 사용되고 있는 자석분말은 급냉방법을 통하여 만들어진 NdFeB자석분말이며, NdFeB자석분말은 자기자신의 원인으로 내식성, 내온성이 비교적 낮기에 가혹한 환경하에서의 재료성능에 대한 요구를 만족시킬수 없다. Sm-Fe-N계희토류 본드자석은 상기 문제를 효과적으로 극복하였으며 제조한 자석분말의 최대 에너지 적(磁能積)은 17MGOe이상으로서, 급냉NdFeB자석분말보다 크며, 동시에 내식성, 내온성이 모두 NdFeB보다 좋기에 전망성이 있는 희토류 영구자석 재료로서 주목을 받고 있다.
US5482573에서는 R1xR2yAzM100 -x-y-z성분의 희토류 영구자석 재료를 공개하였으며 R2 즉 Zr、Hf、Sc원소를 첨가하여 희토류 원소의 위치를 차지함으로서, 희토류 원자 위치의 평균 원자반경을 하강시키고 따라서 M가 주상(主相)중에서의 농도를 증가하며, 동시에 TbCu7주상의 형성을 가속화하였다.
US5716462에서는 성분이 R1xR2yBzAuM100 -x-y-z-u인 희토류 영구자석 재료를 공개하였으며, B원소의 첨가를 통하여 잔류자기를 향상시키였으며, 동시에 Zr, Hf, Sc원소의 첨가를 통하여 TbCu7주상의 형성을 가속화하였고, M는 Fe 혹은 FeCo이다.
US6758918에서는 SmxFe100 -x-y- vM1yNv성분을 갖는 Sm-Fe-N계 영구자석 재료를 공개하였으며, M1(Zr, Hf)의 첨가를 통하여 각형비(squareness ratio)와 보자력을 개선하며 동시에 제조 프로세스와 급냉 동롤러 재료를 변경함으로서 급냉 롤러속도를 하강시킨다.
하지만, 실험자는 연구중에서 급냉방법으로 그 계의 SmFe합금을 제조할 때, SmFe합금의 점도가 하나의 주요 문제임을 발견하였다. SmFe합금의 점도가 너무 크기에 제조 과정중 SmFe합금은 안정하게, 또한 연속적으로 분출되지 못하여 급냉과정중에서의 비정질 TbCu7상의 형성에 영향을 미치였으며 또한 우수한 성능을 가지는 Sm-Fe-N계 영구자석 재료를 안정하게 제조해낼 수 없다.
본 발명은 희토류 영구자석 분말, 본드자석 및 그 본드자석을 이용하는 장치를 제공하므로서, 제조과정중 점도가 너무 크거나 비정질 형성능력이 높지 않은 문제를 해결하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명중의 희토류 영구자석 분말은 급냉방법으로 얻은 편상 SmFe합금에 질화 처리를 하여 얻는다. 주요 제조 프로세스는 아래와 같다.
(1)먼저 일정한 성분의 SmFe합금 원재료를 중파、아크등 방식을 통하여 용융시켜 합금잉곳을 얻는다. 잉곳은 초보적 분쇄를 통하여 몇mm의 합금블럭을 얻는다;
(2)합금블럭은 감응을 통하여 용융되고 그후 합금액체는 노즐을 통하여 회전하는 수냉식 동롤러에 분사하며, 급냉을 통하여 편상(flake)의 SmFe합금분말을 얻는다;
(3)제조하여 얻은 편상의 SmFe합금분말을 분쇄후 채질하여 미세분말을 제거함으로서 입도가 10~100μm인 분말을 얻는다;
(4)얻은 SmFe합금분말을 750℃에서 5~30min 어닐링하여 결정입조직을 균일화 하고, 그후 약 450℃에서 30min 질화처리하며 질소원은 산업용 순질소, 수소와 암모니아의 혼합기체등 이다;
(5)질화처리하여 성능이 양호한 SmFeN계 희토류 영구자석 분말을 얻는다.
이와 같은 제조 프로세스중에서 관건적인 절차는 제(2)절차인 편상 SmFe합금분말의 형성이다. 유동하는 액체중에서 각 액체층의 지향성 운동속도가 다르기에, 서로 인접하는 액체층 사이에 상대운동이 발생한다. 때문에 서로 인접하는 액체층 사이에는 내부 마찰이 발생하여 이런 운동이 연속되는 것을 저감하려고 하기에 액체의 유동속도를 저감시키는 것이 바로 점체현상이다. 하지만 SmFe합금액은 자체의 성질의 원인으로 점도가 매우 크기 때문에 연속적으로 분출하지 못하거나 심지어 분출하지 못하는 상황이 발생되어 박판형성의 균일성 및 생산효율에 영향을 미치였다.
발명자는 본 실험조건하에서 Si원소의 첨가는 재료의 비정질 형성능력을 유효적으로 향상시킬수 있고, TbCu7상의 형성에 유리함을 발견하였으며, 또한 일정한 원소M의 첨가를 통하여 재료의 점도를 낮출 수 있고 급냉방법의 제조에 유리함을 발견하였다. 구체적인 발명내용은 아래와 같다.
본 발명의 희토류 영구자석 분말은 희토류 원소 Sm, Fe, M, Si 및 N원소로 구성된다고 하였으며, M는 Be, Cr, Al, Ti, Ga, Nb, Zr, Ta, Mo, V중 적어도 한가지이고, 상기 희토류 영구자석 분말은 적어도 80vol%가 TbCu7상이다.
또한 상기 M는 Cr, Zr, Mo, V중 적어도 한가지인 것이 바람직하다.
상기 희토류 영구자석 분말중에서 Sm원소의 함량은 7~12at%이고, Si는 0.1~1.0at%이며, M는 0.5~1.5at%이고, N는 10~15at%이며, 나머지는 Fe인 것이 바람직하다.
또한 상기 희토류 영구자석 분말중에서 Sm원소의 함량은 7~10at%이고, Si는 0.2~0.8at%이며, M는 0.5~1.5at%이고, N는 10~15at%이며 나머지는 Fe인 것이 바람직하다.
또한 상기 M는 Zr와 R로 구성되며 그중 R는 Be, Cr, Al, Ti, Ga, Nb, Ta, Mo, V중의 적어도 한가지인 것이 바람직하다.
또한 상기 희토류 영구자석 분말중에서 Sm의 함량은 7~12at%이고, Si는 0.1~1.5at%이며, Zr는 0.1~3at%이고, N는 5~20at%이며, R는 0.1~1.5at%이고 나머지는 Fe인 것이 바람직하다.
또한 상기 R와 Zr의 원자비율이 0.05~0.5인 것이 바람직하다.
또한 상기 R와 Zr의 원자비율이 0.05~0.2인 것이 바람직하다.
또한 상기 희토류 영구자석 분말중에서 일부 Fe원소는 Co원소에 의해 대체되며, Co원소가 상기 희토류 영구자석 분말의 0~30at%를 차지하는 것이 바람직하다.
또한 상기 희토류 영구자석 분말중에서 일부 Sm원소가 기타 희토류원소에 의해 대체되며, 상기 기타 희토류 원소가 희토류 영구자석 분말의 0~10at%를 차지하는 것이 바람직하다.
또한 상기 희토류 영구자석 분말중에서 TbCu7상의 함량은 90vol%이상인 것이 바람직하다.
또한 상기 희토류 영구자석 분말중에서 TbCu7상의 함량은 95vol%이상인 것이 바람직하다.
또한 상기 희토류 영구자석 분말중에서 α-Fe상의 함량은 1vol%이하인 것이 바람직하다.
또한 상기 희토류 영구자석 분말의 평균두께는 10~100μm이며, 평균치수가 10~120nm인 나노결정 및 비정질 조직으로 구성되는 것이 바람직하다.
또한 상기 희토류 영구자석 분말의 평균두께는 20~60μm이며, 평균치수가 20~80nm인 나노결정 및 비정질 조직으로 구성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 한 방면에 의하면, 상기 희토류 영구자석 분말과 결합제가 결합하여 형성되는 것을 특징으로 하는 본드자석을 제공한다.
본 발명의 다른 한 방면에 의하면, 상기 본드자석을 이용한 장치를 제공한다.
본 발명을 충분히 공개하기 위하여 발명의 내용에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에 있어서 희토류 영구자석 분말은 희토류 원소 Sm, Fe, M, Si 및 N원소로 구성되고, Si원소의 첨가는 주로 재료의 비정질 형성능력을 향상시키기 위한 것이고, Si원소의 첨가량은 0.1~1.5at%이며, 첨가량이 0.1at%보다 적으면 본 발명의 효과를 달성하지 못하고, Si원소가 1.5at%보다 높으면 재료의 잔류자기 및 최대에너지적(磁能積)을 악화시킨다. Si의 함량은 0.2~0.8at%인 것이 보다 바람직하다.
M원소의 첨가는 주로 SmFe합금의 점도를 하강시키기 위한 것이고, M는 주로 Be, Cr, Al, Ti, Ga, Nb, Zr, Ta, Mo, V중 적어도 한가지이다. 하지만 동시에 이런 원소의 첨가는 Sm-Fe-N자석분말의 자기성능을 대량으로 하강시키지 않을 것을 보장할 것이 필요된다. M의 범위는 0.1~1.5at%내이며, M의 함량이 0.1at%보다 작으면 합금액체의 점도를 개선하는 작용을 발휘할수 없고, M의 함량이 1.5at%보다 크면 자석분말의 보자력, 잔류자기등 성능을 악화시킨다. 동시에 M의 범위는 0.5~1.5at%인 것이 바람직하다.
기존의 연구중에서, Si가 합금중에서의 작용은 주로 합금의 비정질 형성능력을 향상시키는 것이다. 하지만 비정질 형성능력이 좋다는 것은 합금의 젖음성이 좋다는 것을 대표할수 없다. 하지만 일정한 양의 Si과 일정한 전이금속을 함께 첨가하면 일정한 비정질 형성능력을 나타낼 수 있는 기초상에 합금의 젖음성을 개선할 수 있다. 특히 M가 Cr, Zr, Mo, V중 적어도 한가지일 경우 제조된 희토류 영구자석 분말의 젖음효과는 기타 전이금속을 첨가하여 제조된 희토류 영구자석 분말보다 더 좋다. 이와 같은 비교적 좋은 젖음성은 급냉과정에서의 합금액체의 스플래쉬 및 분사과정중에서의 노즐이 막히는 문제를 절감시킬 수 있으므로 따라서 생산효율 및 합금의 수율을 향상시킬 수 있다. 동시에 M가 Cr, Zr, Mo, V중 적어도 한가지이면 또한 비교적 높은 상구조비례를 갖는 희토류 영구자석 분말을 얻을 수 있다.
희토류원소중에서 Sm원소는 상기 계의 화합물을 형성하는 제일 좋은 원소이고 TbCu7구조를 형성한 희토류 영구자석 분말은 고유자기성능(intrinsic magnetic properties)이 제일 높으며 기타 희토류원소의 첨가는 모두 일정한 정도로 그의 자기성능, 특히는 보자력을 하강시킨다. 그중 Sm원소의 함량은 7~12at%이며, Sm함량이 7at%보다 적으면 비교적 많은 연자성상 α-Fe상이 형성되기 쉬우며, Sm함량이 12at%보다 높으면 또한 비교적 많은 Sm이 풍부한 상이 형성되기에 모두 자기성능의 향상에 불리하다. 본 발명에서는 Sm의 범위가 7~12at%일 것을 규정하며 7~10at%인 것이 바람직하다.
본 발명에서는 또한 희토류 영구자석 분말을 제공하였으며, 희토류원소 Sm, Fe, M, Si 및 N원소로 구성되고 그중 M는 Zr와 R로 구성되며 R는 Be, Cr, Al, Ti, Ga, Nb, Ta, Mo, V중의 적어도 한가지이다. Zr원소의 첨가는 희토류 영구자석 분말의 상구조를 안정시키고 그의 젖음성을 개선시키는 방면에서 모두 비교적 좋은 효과를 가지며 특히 Si가 Zr 및 R(R는 Be, Cr, Al, Ti, Ga, Nb, Ta, Mo, V중의 적어도 한가지이다)와 같이 첨가할 때, 희토류 영구자석 분말중의 상구조비례를 향상시키는데 대해 더욱 좋은 효과를 가진다.
본 발명중에서 상기 희토류 영구자석 분말중의 Sm함량은 7~12at%이고 Si는 0.1~1.5at%이며 Zr는 0.1~3at%이고 N는 5~20at%이며 R는 0.1~1.5at%이고 나머지는 Fe이다. 그 희토류 영구자석 분말에서 Sm원소, Si원소등 원소의 사용량 및 일으키는 작용은 이미 위에서 설명하였기에 여기에서는 중점적으로 Zr의 사용량에 대해 간단히 설명한다. 희토류 영구자석 분말중에서 Zr의 함량은 0.1~3at%이며 Zr함량이 0.1at%보다 적으면 함량이 너무 적기에 개선작용이 현저하지 못하게 된다. 그외 Zr는 비자성 원소이기 때문에 Zr함량이 너무 많으면 그가 화합물중에서 Sm의 희토류결정위치를 차지하거나 혹은 Fe의 전이원소결정위치를 차지하거나를 막론하고 모두 자기성능을 하강시킨다. Zr의 함량이 0.1~3at%일 때 희토류 영구자석 분말에 대하여 상구조를 안정시키고, 젖음성을 개선하며, 자기성능을 유지하는 효과를 더욱 잘 일으킬수 있다.
그 희토류 영구자석 분말중에서 R와 Zr의 원자비율은 0.05~0.5범위내인 것이 바람직하다. R와 Zr의 원자비율을 이 범위내에 설정시키면, 희토류 영구자석 분말의 상구조는 보다 안정되고, 젖음효과는 보다 좋기에 따라서 희토류 영구자석 분말의 생산효율 및 합금의 수율을 향상시킬 수 있다. R와 Zr의 원자비율이 0.05~0.2범위내인 것이 더욱 바람직하며 이때 그 희토류 영구자석 분말의 상구조비례는 더욱 높고 젖음성은 더욱 좋다.
본 발명이 제공하는 희토류 영구자석 분말중에서 부분적인 Sm원소는 기타 희토류원소에 의하여 대체될수 있으며 그중 기타 희토류원소는 희토류 영구자석 분말의 0~10at%를 차지한다. 예를 들면 Gd의 첨가는 한방면으로 원가를 절감할 수 있고 다른 한 방면으로는 온도계수를 하강시키고 안정성을 향상시킬 수 있다. 기타 중희토류 원소 예를 들면 Ho, Dy의 첨가는 합금으로 하여금 보자력과 온도 안정성을 향상시킨다. 또한 일정한 양의 경희토류 원소 예를 들면 Ce, La의 첨가는 또한 원가를 절감하고 합금액체의 유동성을 향상시키며 점도를 하강시키는데 대해 유리하다. Nd, Pr의 대체는 이 계의 Sm-Fe-N의 포화자화강도를 조금 향상시킬 수 있다. 대체량이 10at%보다 크면 잔류자기、최대 에너지적에 영향을 미치기 때문에 본 발명에서는 10at%를 기타 희토류원소를 첨가하는 상한으로 한다.
본 발명이 제공하는 희토류 영구자석 분말중에서 부분적인 Fe원소는 Co원소에 의해 대체될 수 있으며 그중 Co원소는 희토류 영구자석 분말의 0~30at%를 차지한다. Co원소의 첨가는 한방면으로 합금액체의 점도를 하강시키고 또한 희토류 영구자석 분말의 기타 방면의 성능을 최적화시킨다. 예로 하면 형성된 TbCu7상의 안정성을 향상시키고, 영구자석 분말의 열안정성을 향상시키는 등을 들수 있다. 하지만 Co의 첨가량은 30at%보다 같거나 작아야 하며 너무 많은 Co의 첨가는 재료의 원가를 향상시키고 동시에 재료의 잔류자기에 대해서도 불리하다.
본 발명중, 재료의 주상（主相）은 TbCu7구조이며 이 구조를 가지는 SmFe계합금의 고유성능은 NdFeB자석분말과 Th2Zn17구조의 SmFe계 자석분말보다 높으며 내온성, 내식성능은 모두 기타 계열의 자석분말보다 좋다. 하지만 TbCu7구조의 SmFe는 준안정상이기에 그의 형성은 엄격한 성분제어와 프로세스조건의 제어가 필요되며 또한 급냉의 방식을 통하여 형성되여야 한다. 하지만 제조중에서 기타 구조의 화합물도 나타나는데 ThMn12 혹은 Th2Ni17 혹은 Th2Zn17구조를 예로 들 수 있다. 급냉상태에서 TbCu7구조의 SmFe합금은 경자성이고 반대로 ThMn12 혹은 Th2Ni17 혹은 Th2Zn17구조를 갖는 SmFe합금은 연자성이기 때문에 기타 상구조의 SmFe의 나타남은 자석분말의 자기성능을 악화시킨다. 하지만 SmFe합금상태로부터도 보아낼 수 있는 바와 같이 여러 상구조의 SmFe합금의 성분범위는 매우 비슷하며 동시에 Th2Ni17 혹은 Th2Zn17구조의 SmFe합금은 안정상태이고 TbCu7과 ThMn12구조는 준안정상태이기 때문에 Th2Ni17 혹은 Th2Zn17구조의 SmFe합금은 급냉할 때 불가피하게 나타난다. 본 발명에서는 주상은 TbCu7상이고 함량은 80vol%이상임을 규정하였으며 그 함량이 80vol%보다 낮을 때, 자석분말중에는 비교적 많은 연자성상이 함유되기에 자석분말의 보자력은 너무 낮게 되고 또한 고성능의 Sm-Fe-N자석분말을 제조해내지 못하게 된다. 본 발명의 최종으로 제조해낸 자석분말중에서 TbCu7상은 90vol%이상인 것이 바람직하며 95vol%이상인 것이 보다 바람직하다.
동시에 급냉합금 제조과정중에서 TbCu7상의 형성을 촉진하기 위하여 SmFe합금중 Sm의 함량을 하강시킬것이 필요된다. 하지만 이렇게 하면 동시에 α-Fe연자성상의 형성에도 유리하게 되여 성능을 악화시킨다. 동시에 급냉SmFe합금 열처리 및 그후의 질화처리과정중에서도 준안정상태의 TbCu7상은 안정상태의 Th2Zn17등 구조로 전환될수 있으며 α-Fe연자성상을 형성한다. 본 발명중에서는 프로세스와 성분의 최적화를 진행함으로서 자석분말중의 α-Fe연자성상을 하강시키였으며 그 상의 함량은 1vol%이하일 것을 규정하였다.
본 발명에서는 또한 평균두께 및 결정입치수를 규정하였다. 편상자석분말의 보자력은 급냉합금의 결정입치수와 매우 큰 관계가 있으며 이 계의 SmFe합금에 대해 말할 때 결정입치수가 10nm~1μm사이여야만 자석분말이 비교적 좋은 보자력을 얻는 것을 보장할 수 있다. 본 발명에서는 Si원소와 기타 전이원소의 첨가를 통하여 합금의 유동성과 비정질 형성능력을 향상시키였으며, 따라서 결정입이 더욱 작은 급냉합금분말을 얻을 수 있다. 실험의 최적화를 통하여, 결정입치수를 10nm~120nm사이에 안정화시키는 것이 바람직하며 20nm~80nm인 것이 보다 바람직하다. 만일 결정입치수가 이 범위를 초과하면, 보자력, 잔류자기등 자기성능의 급속한 하강을 초래하며 본 발명의 우세를 나타낼 수 없게 된다.
본 발명에 따라 제조해낸 급냉합금분말의 두께는 10~100㎛이며 20~60㎛인 것이 바람직하다. 제조해낸 박판의 두께는 제조방법과 관계되며 동시에 성분의 영향도 받는다. TbCu7구조의 SmFe는 형성되기 어렵기 때문에 매우 빠른 냉각속도를 통하여 제조할 것이 필요하지만 너무 빠른 냉각속도는 박판의 형성에 불리하다. 본 발명중에서는 Si원소의 첨가를 통하여 비정질 형성능력을 증가하였고 박판으로 하며금 비교적 낮은 속도하에서 형성될 수 있게끔 하며 박판형성속도를 향상시키였고 박판형성두께를 안정시키였으며 미세조직과 결정입치수로 하여금 균일하게끔 하였고 자석분말의 자기성능을 향상시키는데 유리하다.
본 발명에서는 주상이 TbCu7구조인 Sm-Fe-N분말을 얻으며, 이 Sm-Fe-N분말과 수지를 혼합하여 등방성의 본드자석을 제조한다. 제조방법은 성형, 주입, 압연, 사출등 방법을 통하여 제조해낼 수 있으며 제조된 본드자석은 블럭형, 링형등 기타 형식일 수 있다.
본 발명에서 얻은 본드자석은 상응한 장치의 제조에 응용될 수 있다. 이 방법을 통하여 고성능의 Sm-Fe-N자석분말 및 자석을 제조해낼 수 있으며 따라서 장치의 진일보 소형화에 유리하다. 이 계열 자석분말의 높은 내온성과 내식성은 장치의 특수한 환경하에서의 사용에 유리하며 또한 Sm의 응용은 희토류자원의 균형적인 이용에 유리하다.
주요 제조프로세스는 아래와 같다.
(1)먼저 일정한 성분의 SmFe합금원재료를 중파, 아크등 방식을 통하여 용융시켜 합금잉곳을 얻는다. 잉곳은 초보적인 분쇄를 통하여 몇mm의 합금블럭을 얻는다.
(2)합금블럭은 전자감응을 통하여 용융되며 그후 합금액체는 노즐을 통하여 회전하는 수냉식 동롤러에 분사하며, 급냉을 통하여 편상의 SmFe합금분말을 얻는다.
(3)제조하여 얻은 편상의 SmFe합금분말을 분쇄후 채질하여 미세분말을 제거함으로서 입도가 10~100μm인 분말을 얻는다.
(4)얻은 SmFe합금분말을 750℃에서 5~30min 어닐링하여 결정입조직을 균일화하고 그후 약 450℃에서 30min 질화처리하며 질소원은 산업용 순질소, 수소와 암모니아의 혼합기체등이다.
(5)상기 제조과정을 통하여, 표1~13에 나타낸 자성분말을 얻고, 자성분말의 두께, 결정입크기, 자기성능 등 성능 측정을 한다.
아래에 희토류 영구자석 분말의 성분, 합금분말 편상 두께、결정입크기、자석분말의 성능, 자석의 성능을 설명함으로서 이 발명을 설명한다.
(1) 희토류 영구자석 분말의 성분
희토류 합금분말의 성분은 용융한 SmFeB계열 합금분말이 질화처리를 통하여 형성된 것이며 성분은 질화처리후 자석분말의 성분이다.
(2)합금분말 편상 두께
합금분말은 용융한 합금액체가 수냉식롤러를 통과하여 형성되고 편상 두께는 캘리퍼스를 통하여 특정하며 측정의 정확성을 위하여 50개의 동일로트의 합금분말을 측정하여 평균치를 취한다. 본 실시방식에서는 λ로 편상 두께를 표시하며 단위는 μm이다.
(3)결정입 크기
얻은 합금분말은 XRD를 통하여 측정하며 Cu 타겟을 사용하여 타겟재료로 하여 얻은 자석분말의 상구조를 고찰한다. 결정입 크기는 Scherrer's 공식을 통하여 산출한다. 즉:
D=Kλ/βcosθ
그중 K는 Scherrer상수이며, 그의 값은 0.89이고, 일반적으로 1로 한다.
D는 결정입 치수（nm）이다.
β는 적분 반치폭이며，산출과정에서는 라디안（rad）으로 전환하여야 한다.
θ는 회절각이다.
λ는 X선 파장이며, Cu 타겟은 0.154056nm이다.
재료중의 결정입 크기는 완전히 동일한 것이 아니기에 산출하여 얻은 것은 실제상 상이한 크기의 결정입의 평균치이다. 본 실시방식에서는 σ로 결정입 크기를 표시하며 단위는 nm이다.
(4)자석분말 성능
자석분말 성능은 진동시료자력계로 측정한다(VSM 측정).
(5)상비례
상비례를 평가로 한다.
TbCu7의 특성피크는 42.6°, 36.54°, 48.03°이다.
Th2Zn17의 특성피크는 43.7°, 37.5°이다.
α-Fe의 특성피크는 44.6°이다.
3개의 특성피크의 비례를 사용하여 각 상의 함량을 확정한다. 즉 상비례 φ는:
Figure 112012034576170-pct00001
(6)수율
수율은 산업화를 진행함에 있어서 반드시 고려하여야 하는 요소의 하나이며 본 실시예에서는 최종제품의 질량M1과 투입한 원재료의 질량M2의 비율을 수율로 하고 η를 사용하여 표시한다.
Figure 112012034576170-pct00002
실시예 SmFeBeSiN 자석분말
No. 성분 λ σ φ η 자석분말
Br Hcj (BH)m
S1 Sm6.8FebalBe0.7Si0.1N10.5 40 20 87 91 8.8 8.6 19.6
S2 Sm8.8FebalBe0.5Si0.3N12.2 40 12 83 92 9.4 9.0 20.6
S3 Sm7.5FebalBe0.8Si0.8N11.6 35 32 89 90 10.5 7.8 20.4
S4 Sm8.0FebalBe1.2Si0.5N12.2 25 12 93 91 10.3 6.9 20.7
S5 Sm8.3FebalBe1.5Si0.5N12.5 40 43 94 89 10.6 6.7 21.3
S6 Sm9.5FebalBe0.7Si0.5N12.2 35 25 91 87 9.2 8.8 20.5
S7 Sm8.3FebalBe0.7Si0.5N12.7 25 36 92 91 10.6 7.8 22.0
S8 Sm8.7FebalBe0.7Si1.0N12.2 40 56 89 92 10.2 7.6 21.3
S9 Sm10.5FebalBe1.3Si0.3N12.7 35 63 88 90 8.6 10.4 19.9
S10 Sm12.0FebalBe0.8Si0.5N12.2 25 51 88 91 7.4 10.5 18.5
실시예 SmFeCrSiN 자석분말
No. 성분 λ σ φ η 자석분말
Br Hcj (BH)m
S1 Sm8.2FebalCr0.8Si 0.8N11.6 45 15 97 96 10.2 8.4 22.0
S2 Sm7.5FebalCr0.8Si0.8N11.6 50 21 97 98 10.3 7.4 20.7
S3 Sm8.0FebalCr1.2Si0.5N12.2 35 35 96 96 10.5 6.9 20.6
S4 Sm8.3FebalCr1.5Si0.5N12.5 40 12 95 96 10.6 6.9 20.9
S5 Sm9.5FebalCr0.7Si0.5N12.2 25 65 95 97 8.9 9.0 19.9
S6 Sm8.3FebalCr0.5Si0.5N10.9 20 67 97 96 9.9 8.2 22.1
S7 Sm8.5FebalCr0.5Si0.3N12.2 25 80 97 97 10.6 6.7 20.0
S8 Sm8.5FebalCr1.3Si0.3N12.2 25 75 97 97 10.8 6.7 20.0
S9 Sm8.3FebalCr0.7Si0.2N12.2 55 42 96 96 10.4 7.1 20.7
S10 Sm8.2FebalCr0.9Si1.0N15.0 60 51 97 98 10.3 7.4 20.9
실시예 SmFeAlSiN 자석분말
No. 성분 λ σ φ η 자석분말
Br Hcj (BH)m
S1 Sm8.2FebalAl0.8Si 0.8N11.6 20 52 94 91 10.1 7.4 19.0
S2 Sm7.5FebalAl0.8Si0.8N11.6 60 25 92 92 8.0 9.0 18.7
S3 Sm8.0FebalAl1.2Si0.5N12.2 35 30 83 91 9.5 7.8 18.2
S4 Sm8.3FebalAl1.5Si0.5N12.5 25 50 80 89 10.6 6.7 19.2
S5 Sm9.5FebalAl0.6Si0.5N12.2 95 10 92 90 8.2 8.9 18.3
S6 Sm8.5FebalAl0.5Si0.5N10.9 55 70 91 91 9.0 8.6 19.1
S7 Sm8.3FebalAl0.6Si0.3N12.5 45 80 93 92 9.8 7.2 18.3
S8 Sm8.3FebalAl1.3Si0.3N14.3 30 35 94 91 10.2 7.6 19.1
S9 Sm8.5FebalAl0.7Si0.2N12.2 20 40 89 90 10.5 6.9 18.7
S10 Sm8.2FebalAl0.6Si1.0N12.7 35 10 86 87 10.4 6.4 18.5
실시예 SmFeTiSiN 자석분말
No. 성분 λ σ φ η 자석분말
Br Hcj (BH)m
S1 Sm8.2FebalTi0.1Si 0.3N11.6 25 44 94 91 10.2 7.6 19.0
S2 Sm7.5FebalTi0.8Si0.3N11.6 80 10 93 91 8.6 8.9 18.3
S3 Sm8.0FebalTi1.2Si0.5N12.2 20 20 90 92 9.8 7.6 18.7
S4 Sm8.3FebalTi0.9Si0.8N12.5 45 13 88 91 9.7 7.8 18.6
S5 Sm9.5FebalTi0.9Si0.8N11.2 60 35 93 90 8.2 8.7 18.3
S6 Sm8.5FebalTi0.9Si0.6N10.9 35 23 91 89 9.5 8.0 18.9
S7 Sm8.3FebalTi0.6Si0.3N12.5 55 63 86 90 10.4 7.2 19.0
S8 Sm11.5FebalTi1.3Si0.6N14.3 20 16 94 87 7.4 9.6 17.5
S9 Sm8.5FebalTi0.7Si0.2N12.2 40 45 83 91 10.7 7.5 19.2
S10 Sm8.2FebalTi0.6Si1.0N12.7 30 34 87 92 10.0 7.6 19.0
실시예 SmFeGaSiN 자석분말
No. 성분 λ σ φ η 자석분말
Br Hcj (BH)m
S1 Sm9.5FebalGa0.9Si0.8N11.2 90 40 91 92 8.8 8.6 17.8
S2 Sm8.5FebalGa0.5Si0.6N10.9 15 12 94 91 10.4 7.5 18.7
S3 Sm8.3FebalGa0.6Si0.3N12.5 35 32 88 90 10.5 7.8 18.5
S4 Sm11.3FebalGa1.3Si0.6N14.3 25 12 92 89 8.0 8.9 17.7
S5 Sm8.5FebalGa0.7Si0.2N12.2 40 43 94 90 10.6 6.7 19.3
S6 Sm8.1FebalGa0.5Si 0.3N11.6 35 115 93 92 9.2 8.8 18.6
S7 Sm7.5FebalGa0.5Si0.3N11.6 25 36 80 85 8.6 8.8 17.7
S8 Sm6.8FebalGa1.2Si0.5N11.2 40 56 93 87 7.2 9.6 18.2
S9 Sm8.3FebalGa0.9Si0.8N12.5 35 63 91 91 8.6 8.4 18.1
S10 Sm9.5FebalGa0.9Si0.8N11.8 25 21 89 92 7.4 8.5 17.9
실시예 SmFeNbSiN 자석분말
No. 성분 λ σ φ η 자석분말
Br Hcj (BH)m
S1 Sm9.5FebalNb0.9Si0.8N12.2 45 16 93 92 9.2 8.4 18.9
S2 Sm8.3FebalNb0.8Si0.5N10.9 100 21 91 91 10.3 7.4 19.0
S3 Sm8.3FebalNb0.9Si0.3N12.5 35 35 92 92 10.5 6.9 18.7
S4 Sm10.5FebalNb1.3Si0.5N12.3 55 12 89 89 7.6 8.9 17.8
S5 Sm8.5FebalNb0.8Si0.2N12.2 25 65 94 91 9.9 8.0 19.2
S6 Sm8.3FebalNb0.6Si 0.5N11.6 20 77 94 90 10.7 7.6 20.1
S7 Sm8.0FebalNb0.8Si0.3N12.6 35 80 93 92 10.6 6.7 18.2
S8 Sm7.3FebalNb1.2Si0.5N11.2 40 75 93 89 9.8 6.7 18.2
S9 Sm8.3FebalNb1.1Si0.8N14.5 55 42 94 92 10.4 7.1 18.9
S10 Sm9.1FebalNb0.8Si0.5N11.8 60 51 88 91 8.3 8.4 17.8
실시예 SmFeZrSiN 자석분말
No. 성분 λ σ φ η 자석분말
Br Hcj (BH)m
S1 Sm8.2FebalZr0.8Si 0.8N11.6 40 17 97 97 7.8 8.6 18.9
S2 Sm8.5FebalZr0.8Si0.8N11.6 60 21 97 98 9.3 8.4 19.2
S3 Sm8.0FebalZr1.5Si0.8N12.2 30 35 96 98 9.5 6.9 17.6
S4 Sm8.3FebalZr1.5Si1.3N12.5 15 12 97 98 9.6 7.6 18.4
S5 Sm9.0FebalZr0.5Si0.8N12.2 25 65 96 96 8.9 8.0 17.9
S6 Sm8.3FebalZr0.5Si0.5N11.9 20 45 97 97 9.7 8.4 20.1
S7 Sm8.5FebalZr0.5Si0.3N12.2 35 30 96 97 8.6 8.7 18.9
S8 Sm8.5FebalZr1.5Si0.3N12.2 30 72 97 98 10.8 6.9 19.3
S9 Sm8.3FebalZr0.3Si0.2N12.2 55 42 95 98 10.4 7.3 18.9
S10 Sm8.2FebalZr0.3Si1.0N13.0 80 11 97 96 9.3 8.4 19.0
SmFeTaSiN 자석분말
No. 성분 λ σ φ η 자석분말
Br Hcj (BH)m
S1 Sm8.0FebalTa0.7Si0.1N10.5 46 17 90 90 9.1 8.5 18.7
S2 Sm8.0FebalTa0.5Si0.3N13.0 11 19 93 92 10.4 7.3 19.0
S3 Sm8.3FebalTa0.8Si0.8N13.0 34 37 94 91 10.4 7.0 18.9
S4 Sm8.3FebalTa1.2Si0.8N12.2 56 10 85 92 7.7 8.8 17.8
S5 Sm12.3FebalTa0.5Si0.3N12.5 24 67 94 90 9.8 8.1 18.9
S6 Sm8.7FebalTa0.5Si0.3N12.2 21 75 93 86 10.8 7.5 20.1
S7 Sm8.7FebalTa0.5Si0.3N12.7 34 82 86 87 10.5 6.8 17.8
S8 Sm8.7FebalTa0.5Si1.0N12.5 41 73 94 91 9.9 6.6 18.2
S9 Sm9.0FebalTa0.2Si0.2N12.5 54 44 92 89 10.3 7.2 19.2
S10 Sm9.1FebalTa0.8Si0.2N12.5 76 49 94 92 8.4 8.3 18.2
실시예 SmFeMoSiN 자석분말
No. 성분 λ σ φ η 자석분말
Br Hcj (BH)m
S1 Sm8.0FebalMo0.5Si1.6N12.5 27 42 96 96 10.4 7.7 18.9
S2 Sm8.0FebalMo0.8Si0.8N12.5 78 12 97 96 8.5 8.8 18.3
S3 Sm8.0FebalMo0.8Si0.5N12.5 22 18 97 97 9.9 7.7 19.0
S4 Sm8.3FebalMo0.8Si0.5N12.7 43 15 95 97 9.6 7.7 18.6
S5 Sm8.3FebalMo0.6Si0.2N12.7 62 33 97 97 8.3 8.8 17.5
S6 Sm8.3FebalMo0.6Si0.2N12.7 33 25 97 98 9.4 7.9 19.0
S7 Sm8.3FebalMo0.6Si0.2N12.3 57 61 97 96 10.5 7.3 18.7
S8 Sm8.7FebalMo1.3Si0.2N12.3 18 18 96 96 7.3 8.5 18.3
S9 Sm8.7FebalMo0.5Si0.2N12.3 42 43 95 97 10.8 7.6 19.0
S10 Sm8.7FebalMo0.5Si1.0N12.3 28 36 97 98 9.9 7.5 19.2
실시예 SmFeVSiN 자석분말
No. 성분 λ σ φ η 자석분말
Br Hcj (BH)m
S1 Sm8.2FebalV0.7Si0.3N12.6 43 23 96 97 8.9 8.4 18.5
S2 Sm8.2FebalV0.7Si0.3N12.6 37 12 97 96 9.3 8.2 19.3
S3 Sm8.5FebalV0.9Si0.5N12.2 38 31 96 98 10.6 7.6 18.1
S4 Sm8.5FebalV0.9Si0.5N12.5 22 15 97 96 10.2 7.1 20.0
S5 Sm8.5FebalV0.5Si0.8N12.2 43 43 96 98 10.7 6.5 18.7
S6 Sm8.5FebalV0.5Si0.8N11.9 32 26 97 98 9.1 8.0 18.6
S7 Sm8.3FebalV0.6Si0.3N12.5 28 33 95 98 10.7 7.6 18.9
S8 Sm9.1FebalV0.6Si0.2N14.3 37 59 96 96 10.1 7.8 19.3
S9 Sm8.3FebalV0.6Si0.2N12.2 38 62 97 98 8.7 8.2 17.8
S10 Sm8.3FebalV0.6Si0.2N10.7 22 57 96 98 7.3 7.7 17.1
실시예 SmFeCoMSiN 자석분말
No. 성분 λ σ φ η 자석분말
Br Hcj (BH)m
S1 Sm8.5FebalCo4.9Be0.5Si0.2N12.6 86 38 94 92 8.6 8.7 17.9
S2 Sm8.3FebalCo7.5Cr0.9Si0.2N12.3 29 14 93 91 10.6 7.4 18.5
S3 Sm8.5FebalCo13.4Al0.6Si0.2N12.6 31 30 93 89 10.3 7.9 18.7
S4 Sm7.9FebalCo9.5Ti0.6Si0.5N11.8 29 14 94 90 8.2 8.8 18.1
S5 Sm8.5FebalCo16.3Ga0.8Si0.5N12.9 36 41 94 91 10.4 6.8 18.6
S6 Sm8.6FebalCo7.5Nb1.1Si0.5N12.6 39 13 94 92 9.4 8.7 19.3
S7 Sm8.8FebalCo30.0Zr0.7Si0.8N12.5 21 34 85 87 8.4 8.9 17.7
S8 Sm8.1FebalCo20.1Ta0.7Si0.8N12.6 44 58 92 91 7.4 8.5 17.8
S9 Sm9.2FebalCo12.5Mo0.9Si0.8N13.0 31 61 93 90 8.4 8.8 17.7
S10 Sm8.9FebalCo11.9V0.5Si0.4N12.5 29 23 94 92 7.6 8.9 17.8
실시예 SmRFeMSiN 자석분말
No. 성분 λ σ φ η 자석분말
Br Hcj (BH)m
S1 Sm8.5La0.3FebalZr0.5Si0.2N12.3 40 16 94 92 10.3 8.2 20.1
S2 Sm8.5Ce0.3FebalV0.5Si0.2N12.7 55 27 87 91 9.9 7.4 18.2
S3 Sm8.5Ce5.1FebalMo0.5Si0.2N12.7 30 46 91 89 10.6 6.9 18.6
S4 Sm8.5Ce11.0FebalZr0.5Si0.2N12.7 45 19 91 90 10.5 6.9 18.9
S5 Sm8.5Pr0.2FebalZr0.5Si0.2N12.6 25 63 90 87 8.8 7.2 19.0
S6 Sm8.5Nd0.2FebalBe0.5Si0.2N12.0 25 38 94 91 9.3 8.6 20.0
S7 Sm8.5Gd0.3FebalGa0.5Si0.2N12.6 28 78 90 92 10.5 6.8 18.9
S8 Sm8.5Ho0.3FebalGa0.5Si0.2N12.5 29 72 94 91 10.4 7.4 18.7
S9 Sm8.5Dy0.2FebalTi0.5Si0.2N12.5 53 45 90 92 10.3 9.1 19.0
S10 Sm7.5La3.1FebalBe0.5Si0.2N13.2 64 48 85 90 9.1 7.7 18.1
S11 Sm7.0Gd2.5FebalGa0.5Si0.2N11.8 43 17 88 91 11.3 8.2 17.8
S12 Sm7.5Dy0.8FebalTi0.5Si0.2N12.5 77 35 89 92 9.8 9.4 18.2
S13 Sm7.5Y0.9FebalTa0.5Si0.2N12.5 45 53 93 92 10.7 6.9 18.6
표1~12중의 실시예로부터 알수 있는 바와 같이 본 발명이 제공한 희토류 영구자석 분말은 모두 비교적 좋은 자기성능을 얻었으며, 동시에 Si원소의 첨가를 통하여 재료의 비정질 형성능력을 향상시키였고, 합금의 TbCu7구조의 비례는 모두 80%이상이다. Si원소와 M원소의 공동작용을 통하여 희토류 영구자석 분말의 점도를 하강시키였으며 또한 젖음성을 향상시키였다. 그리고 M가 Cr, Zr, Mo, V중 적어도 한가지 일 때 Si과 M의 혼합첨가는 자기성능을 하강시키지 않는 기초상에 진일보로 합금중의 상구조의 비례를 증가할수 있으며, 동시에 진일보로 희토류 영구자석 분말의 젖음성을 개선하며 따라서 합금의 수율을 향상시킬수 있다.
실시예 SmFeRZrSiN 자석분말
No. 성분 λ σ φ η 자석분말
Br Hcj (BH)m
S1 Sm8.5FebalV0.3Zr0.8Si0.4N12.3 20 16 97 95 10.4 10.1 19.0
S2 Sm8.5FebalMo0.2Zr0.9Si1.2N20.0 35 29 97 93 9.9 9.1 18.1
S3 Sm8.5FebalTa0.4Zr1.1Si0.2N12.7 30 26 96 94 9.6 8.5 18.9
S4 Sm8.5FebalNb0.1Zr2.0Si0.3N12.7 43 23 99 95 10.5 8.5 20.4
S5 Sm8.5FebalGa0.4Zr1.1Si0.9N12.6 20 23 97 93 8.8 8.8 18.3
S6 Sm8.5FebalTi0.2Zr0.5Si0.2N12.0 25 38 95 94 9.4 10.6 19.0
S7 Sm8.5FebalAl0.2Zr0.7Si0.2N12.6 22 38 97 95 8.9 10.8 18.6
S8 Sm8.5FebalCr0.1Zr0.3Si0.2N17.0 29 52 97 93 9.9 9.2 18.3
S9 Sm8.5FebalBe0.4Zr0.9Si0.2N12.5 33 35 96 95 9.9 8.3 18.9
S10 Sm7.5FebalGa0.3Zr2.5Si1.4N13.2 34 28 99 94 9.1 9.8 19.6
S11 Sm7.0FebalTi0.3Zr0.7Si0.2N11.8 13 17 96 95 10.5 8.4 18.4
S12 Sm7.5FebalV0.8Zr1.9Si0.1N12.5 30 15 97 93 9.8 9.4 18.8
S13 Sm7.5FebalTa0.9Zr0.22Si0.1N12.5 25 21 96 94 10.7 8.9 18.3
S14 Sm7.5FebalTa1.2Zr3.0Si0.2N12.5 36 41 97 94 9.1 6.8 18.9
S15 Sm7.5FebalTa0.8Zr2.0Si0.2N12.5 43 27 97 95 9.3 7.4 19.0
S16 Sm7.5FebalTa0.5Zr3.0Si0.7N12.5 39 13 100 94 10.5 9.1 20.0
S17 Sm7.5FebalTa0.2Zr0.8Si0.2N12.5 21 34 97 95 10.4 7.9 19.1
S18 Sm8.0FebalV0.4Zr2.6Si0.4N10.3 44 58 100 93 10.3 8.2 19.4
S19 Sm8.5FebalGa0.5Zr2.5Si1.2N12.7 37 43 98 93 9.7 9.3 19.6
S20 Sm10.5FebalTa0.25Zr1.3Si0.2N12.7 15 20 100 95 9.9 7.9 19.5
S21 Sm8.5FebalNb0.3Zr0.9Si0.3N11.9 31 61 96 94 9.6 7.2 18.8
S22 Sm8.0FebalTi0.4Zr1.1Si0.9N12.6 29 23 97 93 10.5 8.6 18.3
S23 Sm8.3FebalV0.2Zr0.5Si0.2N12.5 17 44 97 95 9.5 9.1 18.9
S24 Sm8.5FebalAl0.2Zr2.1Si0.1N12.6 57 38 99 94 9.5 8.5 19.5
S25 Sm8.5FebalTi0.45Zr2.7Si1.4N5.0 63 17 99 94 10.1 9.2 19.8
S26 Sm12.0FebalCr0.35Zr2.5Si0.2N12.5 52 27 100 93 9.7 9.2 19.7
S27 Sm7.5FebalTa1.5Zr3.0Si0.3N12.7 46 37 96 95 9.6 7.2 18.5
S28 Sm7.5FebalGa0.5Zr0.05Si0.2N13.2 70 56 86 89 8.3 7.1 17.5
S29 Sm7 .3 FebalV0 .7 Zr3 .5 Si0 .2 N11 .8 65 49 94 87 7.5 6.7 15.3
S30 Sm7 .5 FebalGa0 .8 Zr0 .5 Si1 .5 N12 .5 45 59 92 92 8.7 6.4 17.5
S31 Sm7 .5 FebalTi0 .4 Zr0 .5 Si0 .2 N12 .5 55 68 94 91 9.1 7.3 17.1
S32 Sm7 .5 FebalTa0 .9 Zr0 .5 Si0 .2 N12 .5 42 71 93 91 8.9 6.4 17.2
S33 Sm7 .3 FebalAl0 .1 Zr2 .7 Si0 .5 N11 .8 31 29 94 94 8.5 6.4 17.3
표13중의 실시예로부터 알수 있는 바와 같이 본 발명이 제공한 희토류 영구자석 분말중 M가 Zr 와 R(R는 Be , Cr , Al , Ti , Ga , Nb , Ta , Mo , V중의 적어도 한가지이다)일 때, Si , Zr 와 R를 복합하여 첨가하면 희토류 영구자석 분말중 TbCu7 구조의 비례를 더욱 잘 향상시킬 수 있으며 최고로 100%( XRD스펙트럼중에서 기타 잡질 상을 발견할 수 없음)에 도달할 수 있다. 그중 R와 Zr 의 원자비율비례가 0.05~0. 2범위내에 있을 때 희토류 영구자석 분말의 자기성능, 점도, 수율 및 상구조의 효과가 제일 좋다.
상기한 내용은 본 발명의 바람직한 실시예로 , 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 당업자라면 본 발명에 여러가지 변화를 가져올 수 있다. 본 발명의 정신과 원칙을 벗어나지 않는 범위내에서 수행하는 모든 수정, 동등교체, 개량 등은 본 발명의 보호 범위에 속한다.

Claims (17)

  1. 희토류원소 Sm, Fe, M, Si 및 N원소로 구성되고 M는 Be, Cr, Al, Ti, Ga, Nb, Zr, Ta, Mo, V중 적어도 한가지이며, 또한 적어도 80vol%가 TbCu7상이고,
    상기 희토류 영구자석 분말중에서 Sm함량은 7~12at%이며, Si는 0.1~1.5at%이고, M는 0.1~1.5at%이며, N는 10~15at%이고, 나머지는 Fe인 것을 특징으로 하는 희토류 영구자석 분말.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 M는 Cr, Zr, Mo, V중 적어도 한가지인 것을 특징으로 하는 희토류 영구자석 분말.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 희토류 영구자석 분말중에서 Sm원소의 함량은 7~10at%이며, Si는 0.2~0.8at%이고, M는 0.5~1.5at%이며, N는 10~15at%이고, 나머지는 Fe인 것을 특징으로 하는 희토류 영구자석 분말.
  4. 제1항에 있어서,
    M는 Zr와 R로 구성되며 그중 R는 Be, Cr, Al, Ti, Ga, Nb, Ta, Mo, V중의 적어도 한가지인 것을 특징으로 하는 희토류 영구자석 분말.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 희토류 영구자석 분말중에서 Sm함량은 7~12at%이며, Si는 0.1~1.5at% 이고, Zr는 0.1~3at%이며, N는 5~20at%이고, R는 0.1~1.5at%이며, 나머지는 Fe인 것을 특징으로 하는 희토류 영구자석 분말.
  6. 제5항에 있어서,
    R와 Zr의 원자비율이 0.05~0.5인 것을 특징으로 하는 희토류 영구자석 분말.
  7. 제6항에 있어서,
    R와 Zr의 원자비율이 0.05~0.2인 것을 특징으로 하는 희토류 영구자석 분말.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 희토류 영구자석 분말중에서 일부 Fe원소는 Co원소에 의하여 대체되며, 상기 Co원소는 상기 희토류 영구자석 분말의 0~30at%를 차지하는 것을 특징으로 하는 희토류 영구자석 분말.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 희토류 영구자석 분말중에서 일부 Sm원소는 기타 희토류원소에 의하여 대체되며, 상기 기타 희토류원소는 상기 희토류 영구자석 분말의 0~10at%를 차지하는 것을 특징으로 하는 희토류 영구자석 분말.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 희토류 영구자석 분말중에서 TbCu7상의 함량이 90vol%이상인 것을 특징으로 하는 희토류 영구자석 분말.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 희토류 영구자석 분말중에서 TbCu7상의 함량이 95vol%이상인 것을 특징으로 하는 희토류 영구자석 분말.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 희토류 영구자석 분말중에서 α-Fe상의 함량이 1vol%이하인 것을 특징으로 하는 희토류 영구자석 분말.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 희토류 영구자석 분말의 평균두께는 10~100μm이며, 또한 평균치수가 10~120nm인 나노결정 및 비정질 조직으로 구성되는 것을 특징으로 하는 희토류 영구자석 분말.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 희토류 영구자석 분말의 평균두께는 20~60μm이며, 또한 평균치수가 20~80nm인 나노결정 및 비정질 조직으로 구성되는 것을 특징으로 하는 희토류 영구자석 분말.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서의 희토류 영구자석 분말과 결합제가 결합하여 형성되는 것을 특징으로 하는 본드자석
  16. 제15항에 있어서의 본드자석을 이용하는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 삭제
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