KR101676934B1 - 낮은 프로파일의 공간 효율적인 회로 쉴드 - Google Patents
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Abstract
낮은 프로파일의 공간 효율적인 회로 쉴드가 개시된다. 쉴드는 집적 회로의 상부 및 하부에 배치되는 상부 금속층 및 저부 금속층을 포함한다. 일 실시예에서 쉴드는 집적 회로의 에지를 둘러싸고 상부 금속층과 저부 금속층을 함께 연결하도록 배열되는 에지 플레이팅을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 쉴드는 집적 회로의 에지를 둘러싸고 상부 금속층과 저부 금속층을 함께 연결하도록 배열되는 관통 비아를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 수동 컴포넌트들이 쉴드 내에서 집적 회로에 인접하게 배치될 수 있다.
Description
기재된 실시예들은 일반적으로 전기 컴포넌트들을 보호하는 것에 관한 것으로, 더 구체적으로는 낮은 프로파일의 공간 효율적인 전기 쉴드에 관한 것이다.
전자기 간섭(EMI) 신호는 전기 디바이스의 성능 및 기능에 악영향을 줄 수 있다. 일부 전기 디바이스들은 다른 디바이스로부터 방사되는 EMI 신호에 민감할 수 있다. 예를 들어, 저 잡음 증폭기는 입력 신호에 대해 상당한 이득을 제공할 수 있지만, 증폭기의 성능은 증폭기 입력에 간섭하는 EMI 신호의 존재에 의해 부정적인 영향을 받을 수 있다. EMI 신호는 민감한 입력 부분에서 왜곡시키거나 오류를 발생시키고, 결과적으로 증폭기의 출력이 왜곡될 수 있다. 전기 디바이스가 의도하지 않은 EMI 방사를 수신하는 것을 방지하기 위하여, 방출되는 전자기 간섭의 세기는 통상적으로 정부 기관에 의해 규제된다.
EMI 신호의 방출과 수신 둘 모두를 제어하는 데 사용되는 통상적인 디바이스는 전기 컴포넌트를 커버하기 위해 채용되는 금속성 쉴드이다. 쉴드는 민감한 전기 부분품들이 누설된 EMI 신호를 수신하는 것을 방지하고 또한 EMI 신호의 방사를 제한할 수 있다. 쉴드는 EMI 신호를 위한 낮은 임피던스 경로를 제공함으로써 기능한다. 쉴드는 통상적으로 강철과 같은 금속으로 구성되거나, 일부 경우에는, 플라스틱과 같은 절연체 상의 전도성 페인트로 구성될 수 있다.
기재된 바와 같이, 종래의 쉴드 기구들은 하나 이상의 전기 컴포넌트를 커버한다. 불행하게도 종래의 쉴드 기구들은 인쇄 회로 기판(PCB)과 같은 기판을 지지하는 데 사용되는 면적을 증가시킬 수 있다. 증가된 면적은, 적어도 부분적으로, 보호되는 컴포넌트들과 쉴드 사이에 통상적으로 사용되는 에어 갭 때문일 수 있다. 에어 갭은 지지 기판 상에서 쉴드의 조립과 설치를 용이하게 할 수 있다. 제품 설계가 더 작게 만들어짐에 따라, 인쇄 회로 기판과 같은 관련 모듈의 면적도 더 작게 만들어진다. 따라서, 특히 PCB와 같은 지지 기판들 상에서 쉴드 기구들을 지지하는 데 필요한 면적을 줄이는 것이 요구된다.
그러므로, 요구되는 것은 지지 기판 상에 사용하기 위한, 전기 신호를 간섭하는 것을 약화시키는 공간 효율적인 쉴드 조립체이다.
기술되는 실시예들 및 이들의 이점은 첨부 도면들과 관련하여 취해진 하기 설명을 참조하여 최상으로 이해될 수 있다. 이 도면들은 결코 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 기재된 실시예들의 기술적 사상 및 범주를 벗어나지 않고 기재된 실시예들에 행해질 수 있는 어떠한 형태적 및 세부적 변경에 제한을 두지 않는다.
<도 1>
도 1은 소형 폼 팩터 쉴드 시스템의 일 실시예의 단순화한 다이어그램.
<도 2>
도 2는 소형 폼 팩터 쉴드 시스템의 다른 실시예의 단순화한 다이어그램.
<도 3>
도 3은 소형 폼 팩터 쉴드 시스템의 또 다른 실시예의 단순화한 다이어그램.
<도 4>
도 4는 소형 폼 팩터 쉴드 시스템의 또 다른 실시예의 단순화한 다이어그램.
<도 5>
도 5는 소형 폼 팩터 쉴드 시스템의 다른 실시예의 단순화한 다이어그램.
<도 6>
도 6은 소형 폼 팩터 쉴드 시스템의 또 다른 실시예의 단순화한 다이어그램.
<도 7>
도 7은 낮은 프로파일의 공간 효율적인 EMI 쉴드를 형성하기 위한 방법 단계들의 플로 차트.
<도 8>
도 8은 플렉스 회로(flex circuit)를 지지하는 낮은 프로파일의 쉴드 시스템의 다이어그램.
<도 9a, 도 9b 및 도 9c>
도 9a, 도 9b 및 도 9c는 두 관점의 낮은 프로파일의 쉴드 조립체를 도시하는 도면.
<도 10>
도 10은 낮은 프로파일의 쉴드 조립체의 다른 실시예를 도시하는 도면.
<도 11>
도 11은 쉴드 시스템을 형성하기 위한 방법 단계들의 플로 차트.
<도 1>
도 1은 소형 폼 팩터 쉴드 시스템의 일 실시예의 단순화한 다이어그램.
<도 2>
도 2는 소형 폼 팩터 쉴드 시스템의 다른 실시예의 단순화한 다이어그램.
<도 3>
도 3은 소형 폼 팩터 쉴드 시스템의 또 다른 실시예의 단순화한 다이어그램.
<도 4>
도 4는 소형 폼 팩터 쉴드 시스템의 또 다른 실시예의 단순화한 다이어그램.
<도 5>
도 5는 소형 폼 팩터 쉴드 시스템의 다른 실시예의 단순화한 다이어그램.
<도 6>
도 6은 소형 폼 팩터 쉴드 시스템의 또 다른 실시예의 단순화한 다이어그램.
<도 7>
도 7은 낮은 프로파일의 공간 효율적인 EMI 쉴드를 형성하기 위한 방법 단계들의 플로 차트.
<도 8>
도 8은 플렉스 회로(flex circuit)를 지지하는 낮은 프로파일의 쉴드 시스템의 다이어그램.
<도 9a, 도 9b 및 도 9c>
도 9a, 도 9b 및 도 9c는 두 관점의 낮은 프로파일의 쉴드 조립체를 도시하는 도면.
<도 10>
도 10은 낮은 프로파일의 쉴드 조립체의 다른 실시예를 도시하는 도면.
<도 11>
도 11은 쉴드 시스템을 형성하기 위한 방법 단계들의 플로 차트.
본 출원에 따른 방법 및 장치의 대표적인 응용들이 본 단락에서 기재된다. 이 예들은 단지 기재된 실시예들의 이해를 돕고 맥락을 더하기 위하여 제공되고 있다. 따라서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 기재된 실시예들이 이러한 특정 상세들 중 일부 또는 전부 없이도 실시될 수 있다는 것이 명백할 것이다. 다른 예들에서는, 기재된 실시예들을 불필요하게 불명확하게 하지 않기 위해 잘 알려진 공정 단계들은 상세히 기재되지 않았다. 이후의 예들은 제한적으로 취해지지 않도록, 기타 응용들이 가능하다.
하기의 상세한 설명에서, 첨부 도면에 대한 참조가 이루어지고, 이는 명세서의 일부를 형성하고, 예시를 통해, 기재된 실시예들에 따른 특정 실시예들이 도시된다. 이 실시예들이 통상의 기술자가 기재된 실시예들을 실행할만큼 충분히 자세하게 기재되더라도, 이 예들은, 다른 실시예들이 사용될 수 있고, 기재된 실시예들의 기술적 사상 및 범주로부터 벗어나지 않고 변경이 행해질 수 있도록 제한적이지 않다는 점이 이해된다.
쉴딩 기술은 원치 않는 전자기 간섭(EMI)의 영향을 제어하기 위하여 널리 실행된다. 쉴딩은 민감한 컴포넌트들이 원치 않는 EMI를 흡수하는 것을 방지하는 데 사용될 뿐만 아니라, 의도하지 않은 EMI 신호의 방출을 막는 데 사용될 수도 있다. 그러나, 종래의 쉴딩 기술은 부피가 클 수 있고 인쇄 회로 기판과 같은 장착 기판 상에 과도한 면적을 요구함으로써 설계상 제약을 부과할 수 있다.
낮은 프로파일의 공간 효율적인 일체형 쉴드 솔루션이 개시된다. 일 실시예에서, 집적 회로 둘레에 쉴드를 형성하는 상부 및 저부 금속층 및 에지 플레이팅(edge plating)에 의해 집적 회로가 둘러싸인다. 일 실시예에서, 쉴드는 집적 회로와 공유되는 신호에 연결될 수 있다. 다른 실시예에서, 쉴드는 집적 회로로부터 격리될 수 있다. 예를 들어 쉴드는 집적 회로에 연결되는 신호와는 별개의 신호에 연결될 수 있다. 소정 실시예에서 별개의 신호는 접지 신호이다. 또 다른 실시예에서, 에지 플레이팅은 상부 금속층과 저부 금속층 둘을 연결하는 관통 비아(through via)들로 대체될 수 있고, 또한 에지 쉴드처럼 작용할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 수동 컴포넌트들이 집적 회로와 함께 쉴드 내에 포함될 수 있다.
도 1은 본 명세서에 따른 소형 폼 팩터 쉴드 시스템(100)의 일 실시예의 단순화한 다이어그램이다. 쉴드 시스템(100)은 집적 회로(102) 및 기판(110)을 포함할 수 있다. 기판(110)은 인쇄 회로 기판, 플렉스 회로 또는 기타 기술적으로 실현가능한 재료일 수 있다. 일 실시예에서, 집적 회로(102)는 레진, 유리 섬유, 에폭시 또는 기타 절연성 재료와 같은 적합한 매트릭스(104) 내에 매립될(embeded) 수 있다. 일 실시예에서, 집적 회로(102)는 볼 그리드 어레이, CSP, PLCC 또는 기타 실현가능한 집적 회로 패키지일 수 있다.
집적 회로(102) 또는 집적 회로(102)와 매트릭스(104)의 조합물은 쉴드를 이용하여 효과적으로 둘러싸일 수 있다. 일 실시예에서, 쉴드(101)는 쉴드 상부(120), 쉴드 저부(122) 및 쉴드 에지 플레이팅(124)을 포함할 수 있다. 쉴드(101)는 구리, 알루미늄, 강철 또는 기타 적합한 재료와 같은 얇은 금속 포일(foil)로부터 형성될 수 있다. 집적 회로(102)(또는 집적 회로(102)와 매트릭스(104) 조합물)에 쉴드(101)를 직접 부착함으로써, 실질적인 면적이 기판(110) 상에서 절약될 수 있는데, 그 이유는 쉴드(101)와 집적 회로(102)의 조합물이 집적 회로(102) 단독보다 훨씬 더 많은 표면적을 요구할 필요가 없기 때문이다. 일부 실시예에서, 쉴드(101)는 두께가 단지 수 마이크로미터인 금속 포일로 형성될 수 있다. 예를 들어, 포일 두께의 범위는 10 마이크로미터 내지 100 마이크로미터일 수 있다. 상이한 포일 두께는 상이한 EMI 주파수를 감쇄할 수 있다. 일 실시예에서, 포일 두께는 특정 목표 주파수를 줄이기 위하여 선택될 수 있다. 다른 실시예에서, 포일 두께는 EMI 감쇄의 양을 증가시키거나 감소시키기 위하여 선택될 수 있다.
집적 회로(102) 신호는 터미널(130), 레이저 비아(132) 및 범프(134)를 통해 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 레이저 비아(132)는 쉴드(101)가 형성되기 전에 형성된다. 즉, 쉴드(101)는 내부에 레이저 비아(132)의 위치에 대응하는 개구를 갖도록 형성된다. 일 실시예에서 범프(134)는 볼, 솔더 볼, 또는 신호를 패드(106)에 연결하도록 하는 기타 적합한 특징부일 수 있다. 일 실시예에서, 쉴드(101)는 집적 회로(102)와 공동으로 공유되는 하나 이상의 범프(134)에 연결될 수 있다. 이런 방법으로, 범프(134)가 접지에 연결되면, 쉴드(101)도 접지에 연결된다. 이 배열은 쉴드 신호 연결을 지원하는 데 필요한 전용 패드에 대한 필요성을 줄이거나 제거할 수 있다. 일 실시예에서, 쉴드(101)는 플렉스 회로와 같은 기타 컴포넌트들을 위한 컨택트 포인트 또는 지지 포인트로서 사용될 수 있다. 예를 들어, 쉴드(101)가 접지에 연결되면, 별개의 플렉스 회로는 쉴드(101)에 플렉스 회로 접지 신호를 연결할 수 있다.
도 2는 본 명세서에 따른 소형 폼 팩터 쉴드 시스템(200)의 다른 실시예의 단순화한 다이어그램이다. 도 1에 유사하게, 이 실시예는 기판(110) 상에 장착된 매트릭스(104) 내의 집적 회로(102)를 포함한다. 쉴드 상부(120) 및 쉴드 저부(122)는 매트릭스(104)와 접촉하여 매트릭스(104)의 위 및 아래에 배치될 수 있다. 관통 비아(202)는 쉴드 저부(122)에 쉴드 상부(120)를 연결할 수 있다. 관통 비아(202)는 집적 회로(102)의 주변부 둘레에 배치되어 에지 플레이팅(124)에 대한 요구를 대체할 수 있다. 따라서, 쉴드(201)는 쉴드 상부(120), 쉴드 저부(122) 및 관통 비아(202)를 포함할 수 있다. 쉴드(201)는 도 1에 기재된 바와 같이 범프(134)에 연결되어 집적 회로(102)에 의해 이미 사용된 접지 신호에 쉴드(201)를 접속할 수 있다. 일 실시예에서, 매트릭스(104)는 인쇄 회로 기판 설계와 유사한, 둘 이상의 보조층(sub-layers)을 지원할 수 있다. 관통 비아(202)는 매트릭스(104) 내의 보조층을 통해 쉴드 저부(122)에 쉴드 상부(120)를 연결하기 위하여 수직으로 적층될 수 있다.
도 3은 본 명세서에 따른 소형 폼 팩터 쉴드 시스템(300)의 또 다른 실시예의 단순화한 다이어그램이다. 쉴드 시스템(300)은 위에서 도 2에 기재된 바와 같이 집적 회로(102) 및 기판(110)을 포함한다. 쉴드(301)는 쉴드 상부(120), 쉴드 저부(122) 및 에지 플레이팅(124)을 포함할 수 있다. 이 실시예에서, 쉴드(301)는 집적 회로(102)에 연결될 수 있는 다른 신호에 대하여 격리될 수 있다. 도시된 바와 같이, 쉴드(301)는 전용 범프(302)에 연결될 수 있다. 결과적으로, 범프(302)는 기판(110) 상의 패드(304)를 통해 신호에 연결될 수 있다. 이 신호 전달 배열은 쉴드(301)가 집적 회로(102)에 대하여 격리된 신호에 연결되도록 할 수 있다. 예를 들어, 집적 회로는 아날로그 접지와 같은 국부적인 전압 기준을 사용할 수 있는 반면, 쉴드(301)는 디지털 접지와 같은 상이한 신호에 연결될 수 있다.
도 4는 본 명세서에 따른 소형 폼 팩터 쉴드 시스템(400)의 또 다른 실시예의 단순화한 다이어그램이다. 쉴드 시스템(400)은 위에서 기재된 바와 같이 집적 회로(102) 및 기판(110)을 포함할 수 있다. 쉴드 상부(120) 및 쉴드 저부(122)는 다시 집적 회로(102)의 위 및 아래에 배치된다. 이 실시예에서, 에지 플레이팅(124) 대신에, 관통 비아(202)가 쉴드 저부(122)에 쉴드 상부(120)를 연결하는 데 사용된다. 따라서, 쉴드(401)는 쉴드 상부(120), 쉴드 저부(122) 및 관통 비아(202)를 포함할 수 있다. 도 3에 기재된 바와 같이, 쉴드(401)는 집적 회로(102)에 연결될 수 있는 다른 신호에 대하여 격리될 수 있다. 따라서, 쉴드(401)는 집적 회로(102)에 대하여 격리된 신호에 연결될 수 있다.
도 5는 본 명세서에 따른 소형 폼 팩터 쉴드 시스템(500)의 다른 실시예의 단순화한 다이어그램이다. 쉴드 시스템(500)은 집적 회로(102) 및 기판(110)을 포함한다. 쉴드(501)는 쉴드 상부(120), 쉴드 저부(122) 및 에지 플레이팅(124)을 포함할 수 있다. 이 실시예에서, 쉴드(501)에 의해 둘러싸이는 부피는 집적 회로(102)의 크기에 비하여 증가될 수 있다. 부피의 증가는 매트릭스(104) 내에 또한 매립될 수 있는 하나 이상의 수동 컴포넌트(502)를 지원할 수 있다. 수동 컴포넌트는 저항기, 커패시터, 인덕터 등일 수 있다. 일 실시예에서, 신호는 집적 회로(102)와 수동 컴포넌트(502) 사이에서 연결될 수 있다. 예를 들어, 수동 컴포넌트(502)는 집적 회로(102)에 연결될 수 있는 버스 종단 저항기(bus termination resistor)일 수 있다. 일 실시예에서, 쉴드(501)는 도 3에 기재된 바와 같이, 집적 회로(102)를 왕래하는 다른 신호와 격리될 수 있다. 다른 실시예에서, 쉴드(501)는 집적 회로(102)와 공유될 수 있는 범프(134)에 연결될 수 있다.
도 6은 본 명세서에 따른 소형 폼 팩터 쉴드 시스템(600)의 또 다른 실시예의 단순화한 다이어그램이다. 쉴드(601)는 쉴드 상부(120), 쉴드 저부(122) 및 관통 비아(202)를 포함할 수 있다. 쉴드(601)에 의해 둘러싸이는 부피 및 매트릭스(104)의 부피는 하나 이상의 수동 컴포넌트(502)가 집적 회로(102)와 함께 매립되도록 증가될 수 있다. 일 실시예에서, 쉴드(601)는 집적 회로(202)를 왕래하는 다른 신호로부터 격리될 수 있다. 다른 실시예에서, 쉴드(601)는 집적 회로(102)를 왕래하는 적어도 하나의 신호에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 신호는 수동 컴포넌트(502)와 집적 회로(102) 사이에서 연결될 수 있다.
도 7은 낮은 프로파일의 공간 효율적인 EMI 쉴드를 형성하기 위한 방법 단계들(700)의 플로 차트이다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들은 임의의 순서대로 다음의 단계들을 실행하는 임의의 시스템이 개시된 방법 단계들의 범주 내에 있다는 점을 인식할 것이다. 방법은 집적 회로(102)가 획득되는 단계(702)에서 시작한다. 일 실시예에서, 집적 회로(102)는 솔더 범프를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 집적 회로(102)는 솔더 볼 또는 기타 유사한 특징부를 포함할 수 있다. 단계(704)에서, EMI 쉴드를 위한 금속 컴포넌트가 획득된다. 일 실시예에서, 에지 플레이팅(124)이 획득될 수 있을 뿐만 아니라, 금속 컴포넌트는 쉴드 상부(120) 및 쉴드 저부(122)를 포함할 수 있다. 단계(706)에서, 금속 컴포넌트는 집적 회로(102)에 부착된다. 일 실시예에서, 집적 회로(102)는 매트릭스(104) 내에 매립될 수 있고, 그렇다면, 금속 컴포넌트는 매트릭스(104)에 부착될 수 있다. 단계(708)에서, 금속 컴포넌트는 EMI 쉴드를 형성하기 위하여 서로 연결될 수 있고 방법은 종료된다.
도 8은 플렉스 회로를 지지하는 낮은 프로파일의 쉴드 시스템(800)의 다이어그램이다. 쉴드(801)는 쉴드 상부(120), 쉴드 저부(122) 및 에지 플레이팅(124)을 포함할 수 있다. 쉴드(801)는 범프(134)에 연결될 수 있다. 범프(134)는 패드(106)를 통해 신호에 연결됨으로써, 패드(106) 상의 신호에 쉴드(801)을 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 패드(106) 상의 신호는 접지 신호일 수 있고, 따라서 쉴드(801)는 접지 신호에 연결될 수 있다. 플렉스 회로(803)는 쉴드(801)에 적어도 하나의 신호를 연결하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 플렉스 회로(803)는, 쉴드(801)와 직접 접촉하여 쉴드 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 플렉스 회로(803)는, 플렉스 회로(803) 내의 노출된 트레이스 또는 와이어를 쉴드(801)에 연결하는 전도성 접착제를 이용하여 쉴드(801)에 부착될 수 있다. 일 실시예에서, 쉴드(801)가 접지에 연결되면, 플렉스 회로(803)의 하나 이상의 신호 또한 접지에 연결될 수 있다. 예를 들어, 플렉스 회로는 쉴드(801)를 통해 접지에 연결될 수 있는 접지면(ground plane)을 포함할 수 있다.
도 9a 및 도 9b는 낮은 프로파일의 쉴드 조립체(900)를 두 관점에서 도시한다. 도 9a는 조립체(900)의 평면도를 도시한다. 이 실시예에서, 집적 회로(102)는 낮은 프로파일의 쉴드 시스템(914)을 형성하기 위하여 매트릭스(104) 내에 매립된다. 그러나, 매트릭스(104)의 초기 크기는 쉴드 시스템(914)의 마감 처리된 크기보다 클 수 있다. 쉴드 시스템(914)은 에지 플레이팅(912) 및 쉴드 상부(120) 및 쉴드 저부(미도시)를 포함할 수 있는 쉴드(901)에 의해 둘러싸인 매립된 집적 회로(102)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 매트릭스(104)는 집적 회로(102) 및 쉴드(901)를 위한 캐리어처럼 작용할 수 있다. 그렇게 구성되는 매트릭스(104)는 쉴드 시스템(914)의 조립, 조작 및 제조를 더 용이하게 할 수 있다.
일 실시예에서 쉴드 상부(120)는 솔더 마스크를 수용할 수 있다. 솔더 마스크는 특히 쉴드 시스템(914)이 플로우 또는 리플로우 솔더링 기법을 통해 회로 기판에 부착될 수 있을 때 솔더를 받아들이지 않을 수 있다. 다른 실시예에서, 쉴드 상부(120)의 적어도 일부분은 히트 싱크, 히트 파이프, 또는 기타 열 전도성 솔루션의 부착을 허용하기 위하여 솔더 마스크가 없을 수 있다. 일 실시예에서, 매트릭스(104)는 집적 회로(102)로부터의 열 전달을 증가시키는 데 도움을 주기 위하여 영역(950)의 집적 회로(102)에 걸쳐 최소화 될 수 있다.
도 9a는 또한 집적 회로(102) 및 쉴드(901)에 신호를 연결하기 위한 패드(934)를 도시한다. 패드(934)는 레이저 비아(936)를 통해 집적 회로(102)에 신호를 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 쉴드 시스템(914)은 30 개의 패드를 포함할 수 있다. 다른 실시예에는 집적 회로(102)를 지지하는 데 요구될 수 있는 만큼의 대략적인 범프를 포함할 수 있다. 쉴드 저부(122)는 쉴드(901) 성능을 강화하기 위하여 패드들(934) 사이에 존재할 수 있다는 점을 주목한다. 매트릭스(104)는 라우팅 영역(routed areas)(910)을 포함할 수 있다. 라우팅 영역(910)은, 쉴드 시스템(914)이 여전히 매트릭스(104) 내에 장착되는 동안(캐리어로서 작용함), 에지 플레이팅(912)이 적용되도록 할 수 있다. 라우팅 영역(910)은 라우터, 레이저 드릴 또는 임의의 기타 기술적으로 실현가능한 방식으로 형성될 수 있다. 에지 플레이팅(912)은 라우팅 영역(910)을 통해 적용될 수 있고 쉴드(901)를 형성하기 위하여 쉴드 상부(120)와 쉴드 저부(122)를 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 매트릭스(104)의 잉여 부분으로부터 쉴드 시스템(914)을 분리하기 위하여, 라인이 쉴드 시스템(914)의 주변부 둘레에 스코어링될 수 있다. 다른 실시예에서, 쉴드 시스템(914)은 레이저 또는 임의의 기타 유사 방법을 이용하여 매트릭스(914)의 잉여 부분으로부터 분리될 수 있다.
도 9b는 조립체(900)의 측면도를 도시한다. 집적 회로(102)는 매트릭스(104) 내에 매립되고 쉴드(901)에 의해 효과적으로 둘러싸인다. 도시된 바와 같이, 쉴드(901)는 쉴드 상부(120), 쉴드 저부(122) 및 라우팅 영역(910)을 통해 적용된 바와 같은 에지 플레이팅(912)을 포함할 수 있다. 패드(934)는 집적 회로(102)에 신호를 연결할 수 있다. 도 9b 또한 쉴드(901)를 넘어서는 매트릭스(104)의 잉여 부분을 도시한다. 매트릭스(104)의 이 부분들은 예를 들어, 회로 기판 상에 쉴드 시스템(914)을 장착하기 전에 제거될 수 있다. 다른 실시예들은 다양한 높이의 집적 회로(102) 및 다양한 높이의 쉴드 시스템(914)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 쉴드(914)는 접지 신호와 같은 신호를 집적 회로(102)와 공유할 수 있다. 이 배열은 앞서 도 1과 함께 기재되었다. 다른 실시예에서, 쉴드(914)는 집적 회로(102)에 의해 사용되는 신호로부터 격리될 수 있고 샤시 접지(chassis ground)와 같은 독립적인 신호에 연결될 수 있다. 이 배열은 앞서 도 3과 함께 기재되었다.
도 9c는 매트릭스(104)의 잉여 부분이 제거된 후의 도 9a 및 도 9b의 조립체(900)의 측면도를 도시한다. 매트릭스(104)의 잉여 부분을 제거하는 데 임의의 적절한 방법이 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 쉴드 시스템(914)으로부터 매트릭스(104)의 잉여 부분을 라우팅하는 데 라우터(router)가 사용된다. 다른 실시예에서, 매트릭스(104)의 잉여 부분은 쉴드 시스템(914) 근처에 새긴 자국이 생기고 후속적으로 분리된다. 다른 실시예에서, 매트릭스(104)의 잉여 부분을 잘라 내는 데 레이저 커팅 디바이스가 사용된다. 매트릭스(104)의 잉여 부분이 제거된 후, 쉴드 시스템(914)은, 예를 들어, 회로 기판(940) 상으로 장착될 수 있다. 회로 기판(940)은 인쇄 회로 기판, 플렉스 회로 또는 기타 적합한 구조물일 수 있다. 솔더 볼(942)은 신호가 회로 기판(940)으로부터 집적 회로(102)로 연결될 수 있도록 패드(934)와 정렬될 수 있다.
도 10은 낮은 프로파일의 쉴드 조립체(1000)의 다른 실시예를 도시한다. 이 실시예에서, 쉴드 시스템(1014)은 매트릭스(104) 내에 매립되는 집적 회로(102)를 포함할 수 있다. 도 9의 쉴드 시스템(914)과 대조적으로, 쉴드 시스템(1014)의 코너들은 45 도로 챔퍼링(chamfered) 될 수 있다. 챔퍼(chamfer)(1006)는 쉴드 시스템(1014)과 함께 회로 기판 상에 장착될 수 있는 다른 컴포넌트의 양을 증가시키는 데 도움을 줄 수 있다. 챔퍼(1006)는 집적 회로(102)가 매트릭스(104) 내에 매립된 후, 그리고 쉴드(901)가 형성되고 부착된 후의 나중 단계로서 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 챔퍼(1006)는 라우터에 의해 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 챔퍼(1006)는 용이한 분리를 가능하게 하기 위하여 매트릭스(104)에 새긴 자국을 냄으로써 형성될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 챔퍼(1006)는 레이저 커팅 디바이스에 의해 형성될 수 있다.
패드(934)는 쉴드 시스템(1014)의 멀리 있는 측면 상에 있고(도 9a와 같음) 점선으로 도시된다. 핀 A1 표시자(1008)는 쉴드 시스템(1014)의 가까운 측면(패드 A1 위에)에 적용될 수 있고, 예를 들어, 회로 기판 상에 적절한 조립을 위하여 쉴드 시스템(1014)을 배향하는 것을 도울 수 있다.
도 11은 쉴드 시스템(914)을 형성하기 위한 방법 단계들(1110)의 플로 차트이다. 방법은 집적 회로(102)가 획득되는 단계(1102)에서 시작한다. 단계(1104)에서, 집적 회로(102)가 매트릭스(104) 내에 매립된다. 일 실시예에서, 매트릭스(104)는 쉴드 시스템(914)의 마감 처리된 크기보다 클 수 있다. 단계(1104)는 매트릭스(104) 내에 라우팅 영역(910)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 단계(1105)에서 쉴드(901)는 집적 회로(102)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 쉴드(901)는 쉴드 상부(120), 쉴드 저부(122) 및 라우팅 영역(910)을 통해 적용된 에지 플레이팅(912)을 포함할 수 있다. 단계(1106)에서 패드(934)는 집적 회로(102)에 신호를 연결하기 위하여 매트릭스(104)에 부착될 수 있다. 일 실시예에서, 집적 회로(102)로부터 패드(934)로 신호를 연결하는 것을 돕기 위하여 레이저 비아가 형성될 수 있다. 단계(1108)에서, 솔더 마스크가 쉴드 상부(120)에 우선적으로 적용될 수 있다. 일 실시예에서, 쉴드 상부(120)의 부분들이 히트 싱크, 히트 파이프 또는 기타 유사 열 전도성 디바이스의 부착이 가능하도록 솔더 마스크 없이 남겨질 수 있다. 단계(1110)에서 잉여 매트릭스(104)가 제거될 수 있다. 일 실시예에서, 잉여 매트릭스(104)는 쉴드 시스템(914)의 마감 처리된 크기를 넘어 연장되는 매트릭스(104)의 부분일 수 있다.
전술한 설명은, 설명의 목적을 위해, 기술된 실시예들의 충분한 이해를 제공하기 위해 특정 명명법을 사용하였다. 그러나, 특정 상세들은 기술된 실시예들을 실시하는 데 필요하지 않다는 것이 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이다. 따라서, 특정 실시예들의 전술한 설명은 예시 및 설명의 목적을 위해 제공된다. 이는 기재된 실시예들을 정확한 개시 형태들로 완전하게 하거나 제한하도록 의도되지 않는다. 상기 교시 내용에 비추어 많은 수정 및 변경이 가능하다는 것이 통상의 기술자에게 명백할 것이다.
Claims (24)
- 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스(small form factor shield device)로서,
집적 회로 조립체 - 상기 집적 회로 조립체는,
적어도 두 개의 전도성 컨택트 패드를 포함하는 집적 회로, 및
상기 집적 회로를 완전히 캡슐화하는 절연성 재료로 형성되는 매트릭스를 포함함 - ;
가요성 전도체로 형성되는 정합성 전자기 간섭(electromagnetic interference, EMI) 쉴드 - 상기 가요성 전도체가 상기 매트릭스의 적어도 상부 부분 및 저부 부분을 직접 둘러싸는 것에 의해, 상기 정합성 EMI 쉴드 및 상기 집적 회로를 포함하는 둘러싸인 집적 회로 조립체(a wrapped integrated circuit assembly)가 형성되고, 상기 정합성 EMI 쉴드는 상기 매트릭스의 상기 상부 부분 및 상기 저부 부분의 형상에 정합하도록 구성됨 - ;
상기 정합성 EMI 쉴드와 연결되고, 서로 분리되고 별개인 전기적으로 전도성인 경로들을 포함하는 가요성 회로 - 상기 전기적으로 전도성인 경로들 중 적어도 하나는 상기 정합성 EMI 쉴드와 전기적으로 연결되고 상기 정합성 EMI 쉴드를 통해 접지됨 - ;
상기 집적 회로의 주변부 둘레에 배치되는 비아들(vias) - 상기 비아들 각각은 상기 매트릭스의 상기 상부 부분으로부터 상기 매트릭스의 상기 저부 부분으로 연장됨으로써, 상기 정합성 EMI 쉴드의 상부 부분을 상기 매트릭스의 상기 저부 부분을 따라 배치된 상기 정합성 EMI 쉴드의 저부 부분에 전기적으로 연결함 -
를 포함하는, 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스. - 제1항에 있어서, 상기 비아들은, EMI가 상기 집적 회로 조립체의 쉴딩되지 않은 측방향 부분으로 빠져나가는 것을 방지하도록 협력하는, 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스.
- 제2항에 있어서, 상기 비아들 중 적어도 하나는 레이저에 의해 형성되는, 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 정합성 EMI 쉴드의 상기 상부 부분 및 상기 저부 부분을 서로 연결하는 전도성 에지 플레이팅(edge plating)을 추가로 포함하는 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 정합성 EMI 쉴드는 상기 집적 회로와 전기적으로 연결되는, 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 정합성 EMI 쉴드는 상기 집적 회로로부터 전기적으로 격리되는, 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 정합성 EMI 쉴드와 함께 상기 매트릭스 내에 매립되는(embedded) 적어도 하나의 수동 컴포넌트를 추가로 포함하는 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스.
- 제8항에 있어서, 상기 적어도 하나의 수동 컴포넌트는 저항기, 커패시터 또는 인덕터 중 하나인, 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스.
- 제8항에 있어서, 상기 적어도 하나의 수동 컴포넌트는 상기 집적 회로와 전기적으로 통신하는, 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스.
- 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스를 형성하는 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스 형성 방법으로서,
매트릭스 내에 집적 회로를 매립하는 단계 - 상기 집적 회로는 그 위에 복수의 전도성 터미널을 갖고 상기 매트릭스는 절연성 재료로 구성됨 - ;
복수의 비아가 상기 집적 회로로의 그리고 그로부터의 전기적 통신을 허용하도록 상기 복수의 전도성 터미널에 대응하는 상기 복수의 비아를 상기 매트릭스 내에 형성하는 단계;
상기 매립된 집적 회로의 적어도 상부 부분 및 저부 부분 둘레에 가요성 전도체를 둘러쌈으로써 정합성 EMI 쉴드를 형성하는 단계 - 상기 정합성 EMI 쉴드는 상기 복수의 전도성 터미널 중 적어도 하나의 접지된 전도성 터미널에 전기적으로 연결됨 - ; 및
가요성 회로를 상기 정합성 EMI 쉴드와 연결시키는 단계 - 상기 가요성 회로는 서로 분리되고 별개인 전기적으로 전도성인 경로들을 포함하고, 상기 전기적으로 전도성인 경로들 중 적어도 하나는 상기 정합성 EMI 쉴드와 전기적으로 연결되고 상기 정합성 EMI 쉴드를 통해 접지됨 -
를 포함하는, 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스 형성 방법. - 제11항에 있어서, 상기 정합성 EMI 쉴드의 상기 상부 부분 및 상기 저부 부분을 서로 연결하는 전도성 에지 플레이팅을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스 형성 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 정합성 EMI 쉴드의 상기 상부 부분 및 상기 저부 부분을 서로 연결하는, 상기 집적 회로의 주변부 둘레의 상기 매트릭스 내에 금속 충전된 관통 비아들을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스 형성 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 정합성 EMI 쉴드와 함께 상기 매트릭스 내에 적어도 하나의 수동 컴포넌트를 매립하는 단계를 추가로 포함하는 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스 형성 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 적어도 하나의 수동 컴포넌트는 저항기, 커패시터 또는 인덕터 중 하나인, 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스 형성 방법.
- 제11항에 있어서, 인쇄 회로 기판 상의 복수의 컨택트 중 적어도 하나에 상기 복수의 비아 중 적어도 하나를 전기적으로 연결하는 단계를 추가로 포함하는 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스 형성 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 정합성 EMI 쉴드는 내부에 개구들이 형성되고, 상기 개구들은 상기 복수의 비아의 위치들에 대응하는, 소형 폼 팩터 쉴드 디바이스 형성 방법.
- 소형 폼 팩터 쉴드 시스템으로서,
복수의 전도성 터미널을 갖는 집적 회로, 및 절연성 재료로 형성되고 상기 집적 회로를 완전히 캡슐화하도록 구성되는 매트릭스를 포함하는 집적 회로 조립체;
상기 집적 회로 조립체의 적어도 상부 부분 및 저부 부분 둘레를 직접 둘러싸는 가요성 전도체로 형성되고 상기 집적 회로 조립체의 상기 상부 부분 및 상기 저부 부분의 형상에 정합하도록 구성되는 정합성 EMI 쉴드 - 상기 정합성 EMI 쉴드는 상기 복수의 전도성 터미널 중 적어도 하나의 접지된 전도성 터미널에 전기적으로 연결됨 - ;
상기 정합성 EMI 쉴드와 연결되고, 서로 분리되고 별개인 전기적으로 전도성인 경로들을 포함하는 가요성 회로 - 상기 전기적으로 전도성인 경로들 중 적어도 하나는 상기 정합성 EMI 쉴드와 전기적으로 연결되고 상기 정합성 EMI 쉴드를 통해 접지됨 - ;
복수의 전도성 비아가 상기 집적 회로로의 그리고 그로부터의 통신을 허용하도록 상기 복수의 전도성 터미널에 대응하고 상기 복수의 전도성 터미널과 연결된, 상기 매트릭스 내의 상기 복수의 비아;
기판 및 복수의 컨택트를 포함하는 전자 조립체 - 상기 복수의 비아 중 적어도 하나는 상기 복수의 컨택트 중 적어도 하나에 연결됨 - ; 및
상기 정합성 EMI 쉴드의 상기 상부 부분 및 상기 저부 부분을 서로 연결하는 전도성 에지 플레이팅
을 포함하는, 소형 폼 팩터 쉴드 시스템. - 제18항에 있어서, 상기 정합성 EMI 쉴드의 상기 상부 부분 및 상기 저부 부분을 서로 연결하는, 상기 집적 회로의 주변부 둘레의 상기 매트릭스 내의 금속 충전된 관통 비아들을 추가로 포함하는 소형 폼 팩터 쉴드 시스템.
- 제18항에 있어서, 상기 전자 조립체는 인쇄 회로 기판 또는 플렉스 회로 중 하나인, 소형 폼 팩터 쉴드 시스템.
- 삭제
- 삭제
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