WO2023135911A1 - 高周波モジュール - Google Patents

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WO2023135911A1
WO2023135911A1 PCT/JP2022/041395 JP2022041395W WO2023135911A1 WO 2023135911 A1 WO2023135911 A1 WO 2023135911A1 JP 2022041395 W JP2022041395 W JP 2022041395W WO 2023135911 A1 WO2023135911 A1 WO 2023135911A1
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support member
frequency module
sub
exposed
high frequency
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PCT/JP2022/041395
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通春 横山
崇弥 根本
英樹 上田
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株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof

Definitions

  • the present invention relates to a high frequency module including multiple electronic components.
  • Patent Document 1 A technique of mounting a plurality of integrated circuit devices on an interposer and sealing them with resin is known (Patent Document 1). Along with the need to reduce the size and height of portable mobile communication terminals, it is desired to reduce the size and height of components incorporated in communication terminals.
  • An object of the present invention is to provide a high-frequency module capable of reducing the height and reducing electromagnetic interference.
  • Each of the plurality of submodules includes: a plurality of electronic components each including a plurality of internal terminals; a first support member that covers and supports the plurality of electronic components so as to expose the plurality of internal terminals; moreover, a second support member that covers and supports the plurality of submodules; a plurality of external terminals connected to each of the plurality of internal terminals and exposed from the second support member; At least one sub-module among the plurality of sub-modules is provided with a high-frequency module having a first conductive film provided on at least a partial region of the first support member.
  • the high-frequency module can be mounted on another board via the exposed external terminals. Since no interposer is interposed between the electronic component and another substrate, the height can be reduced.
  • a first conductive film provided in one submodule functions as an electromagnetic shielding film, and electromagnetic interference between submodules is reduced.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of the high-frequency module according to the first embodiment
  • FIG. 1B is a cross-sectional view of the high-frequency module and module substrate shown in FIG. 1A
  • 2A to 2D are cross-sectional views of the sub-module included in the high-frequency module according to the first embodiment during the manufacturing process
  • FIG. 2E is a cross-sectional view of the sub-module
  • 3A, 3B, and 3C are cross-sectional views of the high-frequency module according to the first embodiment at an intermediate stage of manufacture.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a high frequency module according to a second embodiment.
  • FIG. 5A and 5B are cross-sectional views of high-frequency modules according to a third embodiment and a modification of the third embodiment, respectively.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a high frequency module according to a fourth embodiment.
  • 7A and 7B are cross-sectional views of a high frequency module according to a modification of the fourth embodiment.
  • FIG. 8 is a sectional view of a high frequency module and a module substrate according to the fifth embodiment.
  • FIG. 9 is a sectional view of a high frequency module and a module substrate according to the sixth embodiment.
  • FIG. 10 is a sectional view of a high frequency module and a module substrate according to a modification of the sixth embodiment.
  • FIG. 11 is a sectional view of a high frequency module and a module substrate according to the seventh embodiment.
  • FIG. 12A is a cross-sectional view of the high frequency module according to the eighth embodiment
  • FIG. 12B is a schematic equivalent circuit diagram of the high frequency module according to the eighth embodiment
  • 13A is a bottom view of a high frequency module according to the ninth embodiment
  • FIG. 13B is a bottom view of a high frequency module according to a modification of the ninth embodiment
  • 14A is a cross-sectional view of a radio frequency module according to a tenth embodiment
  • FIG. 14B is a cross-sectional view of a radio frequency module according to a modification of the tenth embodiment
  • 15A and 15B are sectional views of a high frequency module according to another modification of the tenth embodiment.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of a high frequency module according to the first embodiment.
  • a high-frequency module 50 includes a plurality of sub-modules 20 .
  • Each of the plurality of sub-modules 20 includes a plurality of electronic components 30 and a first support member 22 made of resin that covers and supports the plurality of electronic components 30 .
  • Each of the electronic components 30 has a plurality of internal terminals 31 , and the plurality of internal terminals 31 are exposed on one surface of the submodule 20 .
  • a surface where the plurality of internal terminals 31 are exposed is referred to as a first surface 21A.
  • One surface of the first support member 22 and exposed surfaces of the plurality of first electrodes 31A form a substantially flat first surface 21A.
  • the first support member 22 includes a top surface 21T facing in the opposite direction to the first surface 21A, and a side surface 21S connecting the first surface 21A and the top surface 21T.
  • the electronic components 30 are, for example, individual components such as semiconductor integrated circuits, surface-mounted inductors, and capacitors.
  • Each of the sub-modules 20 has at least one function, for example RF front end, power management.
  • the internal terminal 31 includes, for example, two layers of a first electrode 31A made of Cu and solder 31B.
  • a first electrode 31A is exposed on the first surface 21A of the submodule 20 .
  • the top surface 21T and the side surface 21S of the first support member 22 of at least one submodule 20 are covered with the first conductive film 23 .
  • the first conductive film 23 functions as an electromagnetic shield film.
  • the first conductive film 23 may be a full-surface film (solid film) provided over a specific range, or a patterned film having an electromagnetic shielding function, such as a mesh film or a stripe film.
  • At least one of the plurality of first electrodes 31A exposed on the first surface 21A is exposed on the side surface 21S of the first support member 22 and electrically connected to the first conductive film 23. As shown in FIG.
  • a second support member 40 made of resin contacts at least the first surfaces 21A of the plurality of submodules 20 to support the plurality of submodules 20 .
  • the first surfaces 21A of the plurality of submodules 20 are arranged and supported in the same direction.
  • the high-frequency module 50 has a mounting surface 41A facing in the same direction as the first surfaces 21A of the plurality of sub-modules 20 .
  • the second support member 40 has a top surface 41T facing in a direction opposite to the mounting surface 41A and a side surface 41S connecting the mounting surface 41A and the top surface 41T.
  • the first surface 21A of the first support member 22 and the surface of the first conductive film 23 are in close contact with the second support member 40.
  • the top surface 21T, the side surface 21S, and the first surface 21A of the first support member 22 are in close contact with the second support member 40.
  • a plurality of external terminals 42 are connected to a plurality of internal terminals 31, respectively, and are exposed on the mounting surface 41A.
  • the external terminal 42 includes two layers of a second electrode 42A made of Cu exposed on the mounting surface 41A and a solder 42B connected to the internal terminal 31 .
  • At least one external terminal 42 is connected to the first conductive film 23 via the first electrode 31A.
  • a first wiring 43 is arranged in addition to the second electrode 42A on the mounting surface 41A.
  • the first wiring 43 is connected to one internal terminal 31 of one submodule 20 via solder 42B, and is connected to one internal terminal 31 of another submodule 20 via solder 42B. That is, the first wiring 43 connects one submodule 20 and another submodule 20 .
  • the surface of the plurality of external terminals 42, the surface of the first wiring 43, and the surface of the second support member 40 constitute a substantially flat mounting surface 41A.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view of the high frequency module 50 and the module substrate 80 shown in FIG. 1A.
  • a plurality of lands 81 are arranged on the surface of the module substrate 80 .
  • the high frequency module 50 is mounted on the module substrate 80 by connecting the plurality of external terminals 42 of the high frequency module 50 to the plurality of lands 81 via solders 85 .
  • the first conductive film 23 is connected to the ground potential of the module substrate 80 via the first electrodes 31A exposed on the side surface 21S of the submodule 20, the external terminals 42, the solder 85, and the lands 81.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view of the high frequency module 50 and the module substrate 80 shown in FIG. 1A.
  • a plurality of lands 81 are arranged on the surface of the module substrate 80 .
  • the high frequency module 50 is mounted on the module substrate 80 by connecting the plurality of external terminals 42 of the high frequency module 50 to the plurality of lands 81 via solders 85
  • FIGS. 2A to 2E are cross-sectional views of the sub-module 20 during the manufacturing process
  • FIG. 2E is a cross-sectional view of the sub-module 20.
  • a plurality of electronic components 30 and temporary substrates 90 are prepared.
  • a printed board can be used as the temporary board 90 .
  • a plurality of first electrodes 31A are arranged on the surface of a temporary substrate 90, and solder S is placed thereon.
  • the submodules 20 are not divided into individual pieces, but FIG. 2A shows only a region corresponding to one submodule 20.
  • An electronic component 30 such as a semiconductor integrated circuit has a plurality of solder balls 31BA for mounting.
  • An electronic component 30 such as a surface-mounted individual component has mounting electrodes 31C.
  • the solder balls 31BA or electrodes 31C of the electronic component 30 are placed on the solder S of the temporary substrate 90 to perform reflow processing. Thereby, the electronic component 30 is fixed to the temporary substrate 90 .
  • the reflow process integrates the solder ball 31BA and the solder S to form the internal terminal 31 composed of the solder 31B and the first electrode 31A.
  • the internal terminals 31 are formed by the solder 31B formed by melting and solidifying the solder S and the first electrodes 31A.
  • the first support member 22 is formed by covering the plurality of electronic components 30 with a sealing resin.
  • a transfer molding method, a compression molding method, or the like can be used to form the first support member 22 .
  • Epoxy resin for example, is used as the first support member 22 .
  • the temporary substrate 90 (FIG. 2C) is ground to expose the plurality of first electrodes 31A.
  • the first support member 22 is exposed in the region where the first electrode 31A is not arranged.
  • the flat first surface 21A including the surface of the first support member 22 and the surfaces of the plurality of first electrodes 31A is exposed.
  • it is divided into individual sub-modules 20 .
  • the submodule 20 (left submodule 20 in FIG. 1A) without the first conductive film 23 is completed.
  • the first conductive film 23 is formed on the top surface 21T and the side surface 21S of the first support member 22.
  • As shown in FIG. Cu Ag, Ni, or the like, for example, is used for the first conductive film 23 .
  • the first conductive film 23 may have a laminated structure of a plurality of metals. Sputtering, for example, can be used to form the first conductive film 23 .
  • FIGS. 3A to 3C are cross-sectional views of the high-frequency module 50 (FIG. 1A) during the manufacturing process.
  • a temporary substrate 91, a submodule 20 provided with the first conductive film 23, and a submodule 20 not provided with the first conductive film 23 are prepared.
  • a plurality of second electrodes 42A and first wirings 43 are arranged on the surface of the temporary substrate 91 .
  • Solder S is placed on the second electrode 42A and part of the first wiring 43 .
  • a printed board can be used as the temporary board 91 .
  • a solder ball 42BA is placed on the exposed surface of the internal terminal 31 of the submodule 20. - ⁇
  • the submodule 20 is fixed to the temporary substrate 91 by placing the submodule 20 on the temporary substrate 91 and performing reflow processing.
  • the external terminal 42 is formed by the solder 42B obtained by integrating the solder ball 42BA and the solder S, and the second electrode 42A.
  • One internal terminal 31 of one sub-module 20 and one internal terminal 31 of another sub-module 20 are connected via solder 42B, first wiring 43, and another solder 42B.
  • the second support member 40 is formed by sealing the plurality of submodules 20 with resin.
  • resin for example, a transfer molding method, a compression molding method, or the like can be used to form the second support member 40 .
  • an epoxy resin is used as the second support member 40 .
  • the temporary substrate 91 is ground to expose the external terminals 42 , the first wirings 43 and the second support member 40 .
  • the surface of the external terminal 42, the surface of the first wiring 43, and the surface of the second support member 40 constitute a substantially flat mounting surface 41A.
  • the high frequency module 50 according to the first embodiment does not include an interposer. That is, since the sub-module 20 included in the high-frequency module 50 according to the first embodiment is directly mounted on the module substrate 80 without interposing an interposer, it is possible to reduce the height.
  • a top surface 21T and a side surface 21S of at least one submodule 20 among the plurality of submodules 20 are covered with a first conductive film 23 .
  • This first conductive film 23 functions as an electromagnetic shield film. Therefore, electromagnetic interference between the submodule 20 provided with the first conductive film 23 and other submodules 20 can be reduced.
  • a plurality of sub-modules 20 in the high-frequency module 50 are connected to each other by first wirings 43 . Therefore, it is not necessary to arrange wiring for interconnecting the plurality of sub-modules 20 in the module substrate 80 . As a result, the thickness of the module substrate 80 can be reduced.
  • one sub-module 20 out of the plurality of sub-modules 20 is provided with the first conductive film 23 , but all the sub-modules 20 may be provided with the first conductive film 23 .
  • the first conductive film 23 covers the entire surface of the top surface 21T and the side surface 21S of the first support member 22. It may cover the area.
  • the first conductive film 23 may be provided only on the side surface 21S of at least one of the mutually facing side surfaces 21S of two submodules 20 adjacent to each other.
  • the first surface 21A, the side surface 21S, and the top surface 21T of the submodule 20 are covered with the second support member 40.
  • the second support member 40 can stably support the submodule 20 only on the first surface 21A and the side surface 21S of the submodule 20, the second support member 40 is necessarily placed on the top surface 21T of the submodule 20.
  • the support member 40 may not be arranged. By adopting this configuration, it is possible to further reduce the height of the high-frequency module 50 .
  • the first conductive film 23 functioning as an electromagnetic shielding film is connected to the ground potential of the module substrate 80 via the first electrode 31A exposed on the side surface 21S of the submodule 20 and the like.
  • the first conductive film 23 may be electrically floating without being connected to the first electrode 31A.
  • the first conductive film 23 can function as an electromagnetic shield film even in an electrically floating state.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the high frequency module 50 according to the second embodiment.
  • a conductor pattern 44 is further arranged on the mounting surface 41A.
  • Conductive pattern 44 is connected to the ground potential of electronic component 30 via solder 42B and internal terminal 31 .
  • the conductor pattern 44 is arranged in a region other than necessary wiring such as signal wiring, control wiring, and power wiring in plan view, and overlaps with a part of the submodule 20 .
  • the conductor pattern 44 functions as an electromagnetic shield film for the submodule 20 .
  • the first conductive film 23 arranged on the top surface 21T and the side surface 21S of the submodule 20 secures electromagnetic shielding properties in the upward and lateral directions.
  • the conductor pattern 44 can ensure the electromagnetic shielding property even in the downward direction of the submodule 20 .
  • FIG. 5A is a cross-sectional view of the high frequency module 50 according to the third embodiment.
  • a plurality of submodules 20 are supported by a second support member 40.
  • an antenna component 60 is supported by the second support member 40 in addition to the plurality of submodules 20 .
  • the antenna component 60 includes an antenna element 61 and an antenna terminal 62.
  • the antenna element 61 for example, a patch antenna, a dipole antenna, or the like is used.
  • the antenna element 61 is represented by a circuit symbol.
  • the antenna terminal 62 is exposed on the mounting surface 41A of the high frequency module 50 .
  • a plurality of sub-modules 20 includes, as one of the electronic components 30, a high frequency integrated circuit component 30RF (RFIC). Each of the sub-modules 20 down-converts, up-converts, and amplifies high-frequency signals.
  • a second wiring 47 is arranged on the mounting surface 41A of the high-frequency module 50 . The second wiring 47 connects one internal terminal 31 of one submodule 20 and the antenna terminal 62 .
  • a submodule 20 connected to an antenna component 60 is provided with a first conductive film 23 functioning as an electromagnetic shield film.
  • a sub-module 20 that is not connected to the antenna component 60 is connected to an antenna provided outside the high-frequency module 50 .
  • one high-frequency module 50 is equipped with an antenna component 60 and a plurality of sub-modules 20 having RF front-end functions. Since one sub-module 20 and the antenna component 60 are connected by the second wiring 47 in the high-frequency module 50, there is no need to arrange an external feeder line. Therefore, the loss of the high frequency signal supplied to the antenna component 60 can be reduced.
  • the sub-module 20 connected to the antenna component 60 is provided with the first conductive film 23 functioning as an electromagnetic shielding film, electromagnetic interference between the antenna component 60 and the sub-module 20 and multiple sub-modules 20 can be reduced.
  • FIG. 5B is a cross-sectional view of a high frequency module 50 according to a modification of the third embodiment.
  • the radio frequency module 50 includes multiple antenna components 60.
  • the multiple antenna components 60 are connected to one of the multiple sub-modules 20 in the high-frequency module 50 via the second wiring 47 .
  • An antenna component 60 connected to each of the plurality of sub-modules 20 may be arranged in the high-frequency module 50 as in this modification.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a high frequency module 50 according to the fourth embodiment.
  • the second conductive film 45 is arranged over substantially the entire top surface 41T of the second support member 40.
  • the antenna component 60 is included in the second conductive film 45 in plan view.
  • no conductive film is arranged on the side surface 41S of the second support member 40 .
  • the second conductive film 45 can be formed on the top surface 41T of the second support member 40 by sputtering or the like before the high-frequency module 50 is divided into individual pieces.
  • the second conductive film 45 arranged on the top surface 41T of the second support member 40 functions as an electromagnetic shield film.
  • the second conductive film 45 shields radio waves propagating upward from the antenna component 60 (the direction in which the top surface 41T of the second support member 40 faces). Radio waves propagating laterally from the antenna component 60 (in the direction in which the side surface 41S of the second support member 40 faces) are radiated to the outside without being shielded.
  • the high-frequency module 50 according to the fourth embodiment can control the directivity of radio waves.
  • the configuration of the fourth embodiment is effective when the main beam of the antenna component 60 is directed laterally.
  • FIG. 7A is a cross-sectional view of a high frequency module 50 according to a modification of the fourth embodiment.
  • the second conductive film 45 is electrically floating.
  • the second conductive film 45 is connected to the second electrode 42A on the mounting surface 41A by means of conductor columns 49 that pass through the second support member 40 in the height direction.
  • a second electrode 42A connected to the conductor column 49 is connected to the ground potential inside the high frequency module 50 . Thereby, the potential of the second conductive film 45 can be fixed to the ground.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view of a high frequency module 50 according to another modification of the fourth embodiment.
  • the second conductive film 45 is arranged over the entire top surface 41T of the second support member 40.
  • the second conductive film 45 is formed in a part of the top surface 41T of the second support member 40 (hereinafter referred to as the opening 46 of the second conductive film 45). Not placed. That is, the opening 46 is provided in the second conductive film 45, and a part of the top surface 41T of the second supporting member 40 is exposed.
  • At least one of the antenna components 60 is arranged at a position overlapping the opening 46 when the top surface 41T of the second support member 40 is viewed from above.
  • a second conductive film 45 is arranged on the side surface 41S of the second support member 40 near the antenna component 60 .
  • Radio waves radiated upward from the antenna component 60 arranged in a region overlapping the opening 46 of the second conductive film 45 in plan view are radiated to the outside through the opening 46 .
  • the configuration of the modified example shown in FIG. 7B is effective when it is desired to direct the main beam of the antenna component 60 arranged in the region overlapping the aperture 46 upward.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the high frequency module 50 and the module substrate 80 according to the fifth embodiment.
  • a high-frequency module 50 according to the eighth embodiment includes a plurality of antenna components 60, similarly to the high-frequency module 50 according to the modification of the fourth embodiment shown in FIG.
  • a second conductive film 45 is arranged in a part of the region of .
  • a high frequency connector 83 is mounted on the module substrate 80 .
  • the second conductive film 45 is arranged in a region of the side surface 41S of the second support member 40 facing the connector 83 .
  • the connector 83 is connected to a baseband integrated circuit component 96 (BBIC) via a coaxial cable 95, for example. Further, the connector 83 is connected to the external terminals 42 of the submodule 20 via wiring (not shown) inside the module substrate 80 , lands 81 and solder 85 .
  • This sub-module 20 includes a high frequency integrated circuit component 30RF as an electronic component 30. FIG. Intermediate frequency signals, various control signals, etc. are transmitted between the submodule 20 and the baseband integrated circuit component 96 via the connector 83 and the coaxial cable 95 .
  • the second conductive film 45 arranged on the side surface 41S of the second support member 40 facing the connector 83 functions as an electromagnetic shield film. Thereby, the isolation between the high-frequency circuit in the high-frequency module 50 and the connector 83 can be enhanced.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the high frequency module 50 and the module substrate 80 according to the sixth embodiment.
  • a plurality of submodules 20 are supported by a second support member 40.
  • a surface-mounted chip component 70 is supported by the second support member 40.
  • External terminals 71 of chip component 70 are exposed on mounting surface 41A of high-frequency module 50 .
  • Examples of the chip component 70 include surface-mounted ferrite beads, surface-mounted inductors, and surface-mounted bypass capacitors.
  • FIG. 9 shows a ferrite bead as an example of the chip component 70, but the chip component 70 is not limited to ferrite beads.
  • a connector 83 is mounted on the module substrate 80 as in the fifth embodiment (FIG. 8).
  • the connector 83 is connected to the external terminals 71 of the chip component 70 via wiring (not shown) in the module substrate 80 , lands 81 and solder 85 .
  • Another external terminal 71 of the chip component 70 is connected to one internal terminal 31 of one submodule 20 via wiring 72 arranged on the mounting surface 41A and solder 42B.
  • a high frequency signal is transmitted through the chip component 70 between the submodule 20 and the connector 83 .
  • the chip component 70 is arranged between the submodule 20 to which the chip component 70 is connected and the connector 83 in plan view.
  • chip component 70 is a ferrite bead
  • chip component 70 is placed near connector 83 .
  • “arranged in the vicinity” means that no other component is arranged between the chip component 70 and the connector 83 in a plan view, and the chip component 70 and the connector 83 are adjacent to each other. .
  • chip components are mounted on the module substrate 80 instead of the chip components 70 built into the high frequency module 50, mounting is performed both between the connector 83 and the chip components and between the chip components and the high frequency module 50. A certain distance must be ensured so as to satisfy the minimum part-to-part distance requirement imposed in the process.
  • the chip component 70 is built in the high frequency module 50 as in the sixth embodiment, only the distance between the high frequency module 50 and the connector 83 is required to satisfy the minimum distance between components in the mounting process. should be considered. Therefore, space can be saved.
  • FIG. 10 is a sectional view of a high frequency module 50 and a module substrate 80 according to a modification of the sixth embodiment.
  • no conductive film is arranged on the top surface 41T and the side surface 41S of the second support member 40.
  • the third conductive film 51 is arranged on the top surface 41T and the side surface 41S of the second support member 40. As shown in FIG. The third conductive film 51 is connected to the ground potential of the module substrate 80 via the second electrode 42A exposed on the side surface 41S of the second support member 40, the solder 85, and the land 81.
  • the third conductive film 51 functions as an electromagnetic shielding film, and the isolation between the connector 83 and the high frequency circuit inside the high frequency module 50 can be enhanced. This makes the high frequency circuit in the high frequency module 50 less susceptible to noise generated from the connector 83 . Furthermore, noise generated in the high-frequency module 50 is less likely to leak to the outside.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the high frequency module 50 and the module substrate 80 according to the seventh embodiment.
  • a plurality of antenna components 60 connected to two sub-modules 20 containing high frequency integrated circuit components 30RF are supported by the second support member 40.
  • a radiation element 65 is arranged on the module substrate 80 in addition to the antenna component 60 supported by the second support member 40 .
  • a plurality of radiating elements 65 are arranged on the surface of the module substrate 80 opposite to the surface on which the high-frequency module 50 is mounted. Radiating element 65 forms a patch antenna with ground plane 66 located within module substrate 80 . A plurality of radiating elements 65 are connected to a plurality of external terminals 42 of one sub-module 20 via wires 67 and vias 68 in the module substrate 80, respectively.
  • the high-frequency integrated circuit component 30RF included in the sub-module 20 connected to the antenna component 60 performs signal processing conforming to WiGig
  • the high-frequency integrated circuit component 30RF included in the sub-module 20 connected to the radiating element 65 performs signal processing conforming to the communication standards of the fifth generation mobile communication system (5G).
  • a first conductive film 23 is provided in the submodule 20 that performs signal processing conforming to WiGig.
  • the high frequency module 50 according to the seventh embodiment is capable of performing communication conforming to a plurality of different communication standards such as WiGig and 5G. At least one of the two submodules 20 has the first conductive film 23 functioning as an electromagnetic shielding film, thereby ensuring isolation between the two submodules 20 conforming to different communication standards.
  • one of the two communication standard antennas is composed of the antenna component 60 built in the high frequency module 50 and the other is composed of the radiation element 65 arranged on the module substrate 80 . In this way, an antenna with an optimum configuration can be used according to each frequency band of a plurality of different communication standards.
  • FIGS. 12A and 12B a high frequency module according to an eighth embodiment will be described with reference to FIGS. 12A and 12B.
  • the description of the configuration common to the high-frequency module 50 according to the first embodiment described with reference to FIGS. 1A to 3C will be omitted.
  • FIG. 12A is a cross-sectional view of the high frequency module 50 according to the eighth embodiment
  • FIG. 12B is a schematic equivalent circuit diagram of the high frequency module 50 according to the eighth embodiment.
  • a high frequency module 50 includes two submodules 20 .
  • One sub-module 20 includes, as electronic components 30, a DCDC converter 30DC and an output inductor 30L.
  • the output inductor 30L is connected to the DCDC converter 30DC through a wiring 32 inside the submodule 20.
  • a sub-module 20 including a DCDC converter 30DC is provided with a first conductive film 23 functioning as an electromagnetic shield film.
  • the other sub-module 20 includes a high-frequency integrated circuit component 30RF as the electronic component 30.
  • the output inductor 30L is connected to the internal terminal 31 of the high frequency integrated circuit component 30RF via the third wiring 48 arranged on the mounting surface 41A of the high frequency module 50.
  • the output inductor 30L and the capacitor C constitute a low-pass filter.
  • Capacitor C is incorporated in sub-module 20 including output inductor 30L, for example. Power is supplied from the DCDC converter 30DC to the high frequency integrated circuit component 30RF through a low-pass filter.
  • the output inductor 30L is arranged at a position closer to the submodule 20 connected via the third wiring 48 than any other electronic component of the submodule 20 including the output inductor 30L.
  • the eighth embodiment Since the sub-module 20 including the DCDC converter 30DC is provided with the first conductive film 23, the high frequency integrated circuit component 30RF is less susceptible to switching noise generated from the DCDC converter 30DC. Furthermore, since the output inductor 30L is arranged near the sub-module 20 including the high frequency integrated circuit component 30RF, it is possible to improve the quality of the power supplied to the high frequency integrated circuit component 30RF and reduce the voltage drop.
  • the low-pass filter is composed of the output inductor 30L and the capacitor C, but other elements or circuit configurations capable of reducing noise may be used.
  • a capacitor or ferrite beads may be used instead of the output inductor 30L.
  • an inductor is connected between the wiring connecting the high frequency integrated circuit component 30RF and the DCDC converter 30DC and the ground.
  • FIG. 13A is a bottom view of the high frequency module 50 according to the ninth embodiment.
  • a plurality of external terminals 42 are exposed on the mounting surface 41A of the second support member 40 .
  • One external terminal 42 connected to the electronic component 30 of one submodule 20 is connected to the external terminal 42 connected to the electronic component 30 of another submodule 20 by a first wiring 43 .
  • a stub 43S branches off from the first wiring 43 .
  • the stub 43S is arranged on the mounting surface 41A of the second support member 40 .
  • the stub 43S is an open stub.
  • FIG. 13B is a bottom view of the high frequency module 50 according to the modification of the ninth embodiment.
  • the stub 43S branched from the first wiring 43 is an open stub, but in the modification of the ninth embodiment shown in FIG. 13B, the stub 43S is a short stub.
  • a ground plane 43G is formed on the mounting surface 41A of the second support member 40, and the tip of the stub 43S is connected to the ground plane 43G.
  • Ground plane 43G is connected to external terminal 42G which is connected to the ground terminal of at least one electronic component 30 .
  • the ninth embodiment as in the first embodiment, it is possible to reduce the height of the high-frequency module and reduce the electromagnetic interference between the sub-modules 20 .
  • the impedance can be matched between the two sub-modules 20 by the stub 43S.
  • the stub 43S can be formed on the mounting surface 41A of the second support member 40 at the same time as the first wiring 43 is formed. Therefore, an impedance matching circuit can be configured without mounting a circuit component for impedance matching.
  • FIG. 14A is a cross-sectional view of the high frequency module 50 according to the tenth embodiment.
  • a radio frequency module 50 according to the tenth embodiment includes a plurality of second sub-modules 120 in addition to the plurality of sub-modules 20 .
  • the sub-module 20 will be referred to as the first sub-module 20 in order to distinguish it from the second sub-module 120 .
  • Each of the second sub-modules 120 includes a plurality of second electronic components 130 and a third support member 122 that covers and supports the plurality of second electronic components 130 .
  • a plurality of second internal terminals 131 connected to the second electronic component 130 are exposed on one surface of the third support member 122 .
  • the surface of the third support member 122 where the second internal terminals 131 are exposed faces the opposite direction to the surface of the first support member 22 where the internal terminals 31 are exposed.
  • the plurality of first sub-modules 20 are covered and supported by the first portion 40A of the second support member 40, and the plurality of second sub-modules 120 are covered and supported by the second portion 40B of the second support member 40. supported by A plurality of second external terminals 142 are exposed on a surface 41B of the second support member 40 opposite to the mounting surface 41A where the plurality of external terminals 42 are exposed. The plurality of second external terminals 142 are connected to the plurality of second internal terminals 131 respectively.
  • the structure consisting of the first portion 40A of the second support member 40, the plurality of first sub-modules 20, and the plurality of external terminals 42 is the same as the structure of the high frequency module 50 (FIG. 1A) according to the first embodiment.
  • the structure of the second portion 40B of the second support member 40, the plurality of second sub-modules 120, and the plurality of second external terminals 142 is also the same as the structure of the high-frequency module 50 (FIG. 1A) according to the first embodiment. is.
  • the first portion 40A of the second support member 40, the plurality of first sub-modules 20 supported by the first portion 40A, and the plurality of external terminals 42 are manufactured by the same method as the manufacturing method of the high-frequency module 50 according to the first embodiment.
  • Create a structure containing A structure including the second portion 40B of the second support member 40, the plurality of second sub-modules 120 supported by the second portion 40B, and the plurality of second external terminals 142 is fabricated in a similar manner.
  • the excellent effects of the tenth embodiment will be described.
  • the tenth embodiment as in the first embodiment, it is possible to reduce the height of the high-frequency module and reduce the electromagnetic interference between the first sub-module 20 and the second sub-module 120. be able to. Furthermore, in the tenth embodiment, since the first sub-module 20 and the second sub-module 120 are stacked in the direction perpendicular to the mounting surface 41A, the mounting density of the electronic components 30 and the second electronic components 130 is reduced. can be enhanced.
  • a plurality of second sub-modules 120 are supported by the second portion 40B of the second support member 40, but one second sub-module 120 is supported by the second portion 40B of the second support member 40. may be supported.
  • At least one of the plurality of first sub-modules 20 includes a first conductive film 23 (FIG. 1A) that functions as a shield film, but any of the plurality of second sub-modules 120 functions as a shield film.
  • a configuration that does not include a conductive film may be employed.
  • FIG. 14B is a cross-sectional view of a high frequency module according to a modification of the tenth embodiment.
  • a second support member 40 is interposed between the first submodule 20 and the second submodule 120. As shown in FIG. 14A, a second support member 40 is interposed between the first submodule 20 and the second submodule 120. As shown in FIG. 14A, a second support member 40 is interposed between the first submodule 20 and the second submodule 120.
  • the surface of the first submodule 20 opposite to the surface on which the plurality of internal terminals 31 are arranged (hereinafter referred to as the top surface) and the second submodule
  • the surface of 120 opposite to the surface on which the plurality of second internal terminals 131 are arranged (hereinafter referred to as the top surface) faces each other without the second support member 40 interposed therebetween.
  • a layer of adhesive is arranged between the two.
  • Transfer molding should be performed so that the top surface is exposed.
  • the second supporting member 40 may be ground or polished until the top surface of the first sub-module 20 is exposed. good.
  • a structure covered by the second portion 40B of the second support member 40 can also be fabricated in a similar manner.
  • the height of the high-frequency module can be further reduced compared to the tenth embodiment.
  • FIGS. 15A and 15B are cross-sectional views of a high frequency module 50 according to another modification of the tenth embodiment.
  • the second support member 40 is a boundary between a first portion 40A supporting the plurality of first sub-modules 20 and a second portion 40B supporting the plurality of second sub-modules 120. is clearly visible.
  • the second support member 40 is made of a single resin member.
  • 3B of the high-frequency module 50 according to the first embodiment a temporary substrate 91 on which a plurality of first sub-modules 20 are mounted and another temporary substrate on which a plurality of second sub-modules 120 are mounted.
  • the second support member 40 is filled between the two temporary substrates 91 by using the transfer molding method with the mounting surfaces of the substrates 91 facing each other. After that, the two temporary substrates 91 are ground and removed to complete the high-frequency module according to the modification shown in FIG. 15A.
  • a second support member is provided between the top surface of the first sub-module 20 and the top surface of the second sub-module 120, similarly to the modification shown in FIG. 14B. 40 is not intervening.
  • the top surface of the first submodule 20 is in contact with the top surface of the second submodule 120 .
  • the second support member 40 is filled between the two temporary substrates 91 using the transfer molding method, the top surface of the first sub-module 20 and the first sub-module 20 are formed. The top surfaces of the two submodules 120 may be brought into contact with each other.

Abstract

複数のサブモジュールの各々に含まれる複数の電子部品の各々が複数の内部端子を含む。第１支持部材が、複数の内部端子を露出させるように複数の電子部品を覆い、支持する。第２支持部材が、複数のサブモジュールを支持する。複数のサブモジュールの複数の外部端子が、複数の内部端子のそれぞれに接続され、第２支持部材から露出する。複数のサブモジュールのうち少なくとも一つのサブモジュールは、第１支持部材の少なくとも一部の領域に設けられた第１導電膜を有している。

Description

高周波モジュール
　本発明は、複数の電子部品を含む高周波モジュールに関する。
　インターポーザに複数の集積回路デバイスを実装して樹脂で封止する技術が公知である（特許文献１）。携帯型移動通信端末の小型低背化のニーズに伴い、通信端末に内蔵される部品の小型低背化が望まれている。　
特開２０２１－４８３８６号公報
　インターポーザに複数のデバイスを実装し、樹脂で封止して得られる高周波モジュールにおいては、インターポーザの厚さがボトルネックとなり、低背化を進めることが困難である。また、共通のインターポーザに複数の高周波デバイスやスイッチングノイズを発生するデバイスを実装すると、デバイス間で電磁気的な干渉が生じやすくなる。本発明の目的は、低背化を図り、かつ電磁気的な干渉を低減させることが可能な高周波モジュールを提供することである。
　本発明の一観点によると、
　複数のサブモジュールを備え、
　前記複数のサブモジュールの各々は、
　各々が複数の内部端子を含む複数の電子部品と、
　前記複数の内部端子を露出させるように前記複数の電子部品を覆い、支持する第１支持部材と
を含み、
　さらに、
　前記複数のサブモジュールを覆い、支持する第２支持部材と、
　前記複数の内部端子のそれぞれに接続され、前記第２支持部材から露出する複数の外部端子と
を備え、
　前記複数のサブモジュールのうち少なくとも一つのサブモジュールは、前記第１支持部材の少なくとも一部の領域に設けられた第１導電膜を有している高周波モジュールが提供される。
　電子部品の内部端子が外部端子に接続され、外部端子が第２支持部材から露出しているため、高周波モジュールを、露出した外部端子を介して他の基板に実装することができる。電子部品と他の基板との間にインターポーザが介在しないため、低背化を図ることができる。一つのサブモジュールに設けられた第１導電膜が電磁シールド膜として機能し、サブモジュール間の電磁気的な干渉が低減される。
図１Ａは、第１実施例による高周波モジュールの断面図であり、図１Ｂは、図１Ａに示した高周波モジュール及びモジュール基板の断面図である。 図２Ａから図２Ｄまでの図面は、第１実施例による高周波モジュールに含まれるサブモジュールの製造途中段階における断面図であり、図２Ｅは、サブモジュールの断面図である。 図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃは第１実施例による高周波モジュールの製造途中段階における断面図である。 図４は、第２実施例による高周波モジュールの断面図である。 図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ第３実施例及び第３実施例の変形例による高周波モジュールの断面図である。 図６は、第４実施例による高周波モジュールの断面図である。 図７Ａ及び図７Ｂは、第４実施例の変形例による高周波モジュールの断面図である。 図８は、第５実施例による高周波モジュール及びモジュール基板の断面図である。 図９は、第６実施例による高周波モジュール及びモジュール基板の断面図である。 図１０は、第６実施例の変形例による高周波モジュール及びモジュール基板の断面図である。 図１１は、第７実施例による高周波モジュール及びモジュール基板の断面図である。 図１２Ａは、第８実施例による高周波モジュールの断面図であり、図１２Ｂは、第８実施例による高周波モジュールの概略等価回路図である。 図１３Ａは、第９実施例による高周波モジュールの底面図であり、図１３Ｂは、第９実施例の変形例による高周波モジュールの底面図である。 図１４Ａは、第１０実施例による高周波モジュールの断面図であり、図１４Ｂは、第１０実施例の変形例による高周波モジュールの断面図である。 図１５Ａ及び図１５Ｂは、第１０実施例の他の変形例による高周波モジュールの断面図である。
　［第１実施例］
　図１Ａから図３Ｃまでの図面を参照して、第１実施例による高周波モジュールについて説明する。図１Ａは、第１実施例による高周波モジュールの断面図である。
　第１実施例による高周波モジュール５０は、複数のサブモジュール２０を備えている。複数のサブモジュール２０の各々は、複数の電子部品３０と、複数の電子部品３０を覆って支持する樹脂からなる第１支持部材２２とを含む。
　電子部品３０の各々は、複数の内部端子３１を有しており、複数の内部端子３１は、サブモジュール２０の一つの面に露出している。複数の内部端子３１が露出した面を第１面２１Ａということとする。第１支持部材２２の一つの面と、複数の第１電極３１Ａの露出した面とで、ほぼ平坦な第１面２１Ａが構成される。第１支持部材２２は、第１面２１Ａとは反対方向を向く天面２１Ｔ、及び第１面２１Ａと天面２１Ｔとを接続する側面２１Ｓを含む。
　電子部品３０は、例えば、半導体集積回路、表面実装型のインダクタ、キャパシタ等の個別部品である。サブモジュール２０の各々は、例えば、ＲＦフロントエンド、パワーマネジメント等の少なくとも一つの機能を有する。
　内部端子３１は、例えばＣｕからなる第１電極３１Ａとハンダ３１Ｂとの２層を含む。第１電極３１Ａがサブモジュール２０の第１面２１Ａに露出している。少なくとも一つのサブモジュール２０（例えば図１Ａにおいて右側のサブモジュール２０）の第１支持部材２２の天面２１Ｔ及び側面２１Ｓが第１導電膜２３で覆われている。第１導電膜２３は、電磁シールド膜として機能する。第１導電膜２３は、特定の範囲の全域に設けられた全面膜（ベタ膜）でもよいし、電磁シールド機能を有するパターン化された膜、例えば網目状の膜、ストライプ状の膜でもよい。第１面２１Ａに露出している複数の第１電極３１Ａの少なくとも一つは、第１支持部材２２の側面２１Ｓに露出しており、第１導電膜２３に電気的に接続されている。
　樹脂からなる第２支持部材４０が、複数のサブモジュール２０の少なくとも第１面２１Ａに接触して複数のサブモジュール２０を支持している。複数のサブモジュール２０の第１面２１Ａは、同一方向を向く配置、位置で支持されている。高周波モジュール５０は、複数のサブモジュール２０の第１面２１Ａと同じ方向を向く実装面４１Ａを有する。第２支持部材４０は、実装面４１Ａとは反対方向を向く天面４１Ｔ、及び実装面４１Ａと天面４１Ｔとを接続する側面４１Ｓを有する。
　第１導電膜２３が設けられたサブモジュール２０においては、第１支持部材２２の第１面２１Ａ及び第１導電膜２３の表面が、第２支持部材４０に密着する。第１導電膜２３が設けられていないサブモジュール２０においては、第１支持部材２２の天面２１Ｔ、側面２１Ｓ、及び第１面２１Ａが、第２支持部材４０に密着する。
　複数の外部端子４２が、それぞれ複数の内部端子３１に接続されており、実装面４１Ａに露出している。外部端子４２は、実装面４１Ａに露出したＣｕからなる第２電極４２Ａと内部端子３１に接続されたハンダ４２Ｂとの２層を含む。少なくとも一つの外部端子４２は、第１電極３１Ａを介して第１導電膜２３に接続されている。
　実装面４１Ａに、第２電極４２Ａの他に第１配線４３が配置されている。第１配線４３は、ハンダ４２Ｂを介して一つのサブモジュール２０の一つの内部端子３１に接続されるとともに、ハンダ４２Ｂを介して他のサブモジュール２０の一つの内部端子３１に接続されている。すなわち、第１配線４３は、一つのサブモジュール２０と他のサブモジュール２０とを接続する。複数の外部端子４２の表面、第１配線４３の表面、及び第２支持部材４０の表面によって、ほぼ平坦な実装面４１Ａが構成される。
　図１Ｂは、図１Ａに示した高周波モジュール５０、及びモジュール基板８０の断面図である。モジュール基板８０の表面に複数のランド８１が配置されている。高周波モジュール５０の複数の外部端子４２が、それぞれハンダ８５を介して複数のランド８１に接続されることにより、高周波モジュール５０がモジュール基板８０に実装されている。第１導電膜２３は、サブモジュール２０の側面２１Ｓに露出している第１電極３１Ａ、外部端子４２、ハンダ８５、ランド８１を介してモジュール基板８０のグランド電位に接続される。
　次に、図２Ａから図２Ｅまでの図面を参照して、サブモジュール２０の製造方法について説明する。図２Ａから図２Ｄまでの図面は、サブモジュール２０の製造途中段階における断面図であり、図２Ｅは、サブモジュール２０の断面図である。
　図２Ａに示すように、複数の電子部品３０及び仮の基板９０を準備する。仮の基板９０として、プリント基板を用いることができる。仮の基板９０の表面に複数の第１電極３１Ａが配置されており、その上にハンダＳが載せられている。図２Ａに示した段階では、サブモジュール２０は個片に分割されていないが、図２Ａでは、１つのサブモジュール２０に対応する領域のみを示している。半導体集積回路等の電子部品３０は、実装用の複数のハンダボール３１ＢＡを有している。表面実装型の個別部品等の電子部品３０は、実装用の電極３１Ｃを有している。
　図２Ｂに示すように、電子部品３０のハンダボール３１ＢＡまたは電極３１Ｃを仮の基板９０のハンダＳの上に載せてリフロー処理を行う。これにより、電子部品３０が仮の基板９０に固着される。リフロー処理により、ハンダボール３１ＢＡとハンダＳとが一体化し、ハンダ３１Ｂ及び第１電極３１Ａからなる内部端子３１が形成される。電極３１Ｃが設けられている電子部品３０においては、ハンダＳが溶融し、固化することにより形成されたハンダ３１Ｂと第１電極３１Ａとにより、内部端子３１が形成される。
　図２Ｃに示すように、複数の電子部品３０を封止樹脂で覆うことにより、第１支持部材２２を形成する。第１支持部材２２の形成には、例えばトランスファーモールド法、コンプレッションモールド法等を用いることができる。第１支持部材２２として、例えばエポキシ樹脂が用いられる。
　図２Ｄに示すように、仮の基板９０（図２Ｃ）を研削し、複数の第１電極３１Ａを露出させる。第１電極３１Ａが配置されていない領域には、第１支持部材２２が露出する。これにより、第１支持部材２２の表面及び複数の第１電極３１Ａの表面を含む平坦な第１面２１Ａが露出する。研削後、個々のサブモジュール２０に分割する。ここまでの工程で、第１導電膜２３が設けられていないサブモジュール２０（図１Ａの左側のサブモジュール２０）が完成する。
　図２Ｅに示すように、第１支持部材２２の天面２１Ｔ及び側面２１Ｓに第１導電膜２３を形成する。第１導電膜２３には、例えばＣｕ、Ａｇ、Ｎｉ等が用いられる。第１導電膜２３を、複数の金属の積層構造としてもよい。第１導電膜２３の形成には、例えばスパッタリングを用いることができる。ここまでの工程で、第１導電膜２３を有するサブモジュール２０（図１Ａの右側のサブモジュール２０）が完成する。
　次に、図３Ａから図３Ｃまでの図面を参照して、高周波モジュール５０の製造方法について説明する。図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃは、高周波モジュール５０（図１Ａ）の製造途中段階における断面図である。
　図３Ａに示すように、仮の基板９１、第１導電膜２３が設けられたサブモジュール２０、及び第１導電膜２３が設けられていないサブモジュール２０を準備する。仮の基板９１の表面に、複数の第２電極４２Ａ及び第１配線４３が配置されている。第２電極４２Ａ、及び第１配線４３の一部にハンダＳを載せる。仮の基板９１として、プリント基板を用いることができる。サブモジュール２０の内部端子３１の露出した表面にハンダボール４２ＢＡを載せる。
　図３Ｂに示すように、サブモジュール２０を仮の基板９１の上に載せてリフロー処理を行うことにより、サブモジュール２０を仮の基板９１に固着させる。ハンダボール４２ＢＡとハンダＳとが一体化したハンダ４２Ｂ、及び第２電極４２Ａにより、外部端子４２が形成される。一つのサブモジュール２０の一つの内部端子３１と他の一つのサブモジュール２０の一つの内部端子３１とが、ハンダ４２Ｂ、第１配線４３、及び他のハンダ４２Ｂを介して接続される。
　図３Ｃに示すように、複数のサブモジュール２０を樹脂で封止することにより、第２支持部材４０を形成する。第２支持部材４０の形成には、例えばトランスファーモールド法、コンプレッションモールド法等を用いることができる。第２支持部材４０として、例えばエポキシ樹脂が用いられる。
　第２支持部材４０を形成した後、仮の基板９１を研削して外部端子４２、第１配線４３、及び第２支持部材４０を露出させる。外部端子４２の表面、第１配線４３の表面、及び第２支持部材４０の表面によって、ほぼ平坦な実装面４１Ａが構成される。最後に高周波モジュール５０ごとに分割することにより、図１Ａに示した高周波モジュール５０が完成する。
　次に、第１実施例の優れた効果について説明する。
　第１実施例による高周波モジュール５０は、インターポーザを含まない。つまり、第１実施例による高周波モジュール５０に含まれるサブモジュール２０は、インターポーザを介することなくモジュール基板８０に直接搭載されるため、低背化を図ることが可能である。複数のサブモジュール２０のうち少なくとも一つのサブモジュール２０の天面２１Ｔ及び側面２１Ｓが第１導電膜２３で覆われている。この第１導電膜２３は、電磁シールド膜として機能する。このため、第１導電膜２３が設けられているサブモジュール２０と、他のサブモジュール２０との間の電磁気的な干渉を低減させることができる。特に、動作周波数が低く、出力が大きいサブモジュール２０に、優先して電磁シールド膜として機能する第１導電膜２３を設けることが好ましい。
　高周波モジュール５０内の複数のサブモジュール２０が、第１配線４３によって相互に接続される。このため、モジュール基板８０内に、複数のサブモジュール２０を相互に接続するための配線を配置する必要がない。これにより、モジュール基板８０の薄型化が可能なる。
　次に、第１実施例の種々の変形例による高周波モジュールについて説明する。
　第１実施例では、複数のサブモジュール２０のうち一つのサブモジュール２０に第１導電膜２３を設けているが、すべてのサブモジュール２０に第１導電膜２３を設けてもよい。また、第１実施例では、第１導電膜２３が第１支持部材２２の天面２１Ｔ及び側面２１Ｓの全面を覆っているが、第１支持部材２２の天面２１Ｔ及び側面２１Ｓの一部の領域を覆うようにしてもよい。例えば、相互に隣り合う２つのサブモジュール２０の相互に対向する側面２１Ｓのうち、少なくとも一方のサブモジュール２０の側面２１Ｓにのみ第１導電膜２３を設けてもよい。
　第１実施例では、サブモジュール２０の第１面２１Ａ、側面２１Ｓ、及び天面２１Ｔが、第２支持部材４０で覆われている。第２支持部材４０が、サブモジュール２０の第１面２１Ａ及び側面２１Ｓのみでサブモジュール２０を安定して支持することができる場合には、必ずしも、サブモジュール２０の天面２１Ｔの上に第２支持部材４０を配置しなくてもよい。この構成を採用すると、さらに高周波モジュール５０の低背化を図ることが可能である。
　第１実施例では、電磁シールド膜として機能する第１導電膜２３が、サブモジュール２０の側面２１Ｓに露出した第１電極３１Ａ等を介してモジュール基板８０のグランド電位に接続されている。その他の構成として、第１導電膜２３を第１電極３１Ａに接続せず、電気的にフローティング状態にしてもよい。第１導電膜２３は、電気的にフローティング状態であっても電磁シールド膜として機能し得る。
　［第２実施例］
　次に、図４を参照して第２実施例による高周波モジュールについて説明する。以下、図１Ａから図３Ｃまでの図面を参照して説明した第１実施例による高周波モジュール５０と共通の構成については説明を省略する。
　図４は、第２実施例による高周波モジュール５０の断面図である。第１実施例（図１）では、高周波モジュール５０の実装面４１Ａに複数の第２電極４２Ａ及び第１配線４３が配置されている。これに対して第２実施例では、実装面４１Ａにさらに導体パターン４４が配置されている。導体パターン４４は、ハンダ４２Ｂ及び内部端子３１を介して電子部品３０のグランド電位に接続されている。導体パターン４４は、平面視において信号配線、制御配線、電源配線等の必要な配線以外の領域に配置されており、サブモジュール２０一部と重なっている。導体パターン４４は、サブモジュール２０に対して電磁シールド膜として機能する。
　次に、第２実施例の優れた効果について説明する。第１実施例では、サブモジュール２０の天面２１Ｔ及び側面２１Ｓに配置された第１導電膜２３によって、上方向及び横方向について電磁シールド性を確保している。第２実施例では、導体パターン４４によって、サブモジュール２０の下方向についても電磁シールド性を確保することができる。
　［第３実施例］
　次に、図５Ａを参照して第３実施例による高周波モジュールについて説明する。以下、図１Ａから図３Ｃまでの図面を参照して説明した第１実施例による高周波モジュール５０と共通の構成については説明を省略する。
　図５Ａは、第３実施例による高周波モジュール５０の断面図である。第１実施例（図１Ａ）では、第２支持部材４０によって複数のサブモジュール２０が支持されている。第３実施例では、複数のサブモジュール２０の他に、アンテナ部品６０が第２支持部材４０によって支持されている。
　アンテナ部品６０は、アンテナ素子６１及びアンテナ端子６２を含む。アンテナ素子６１として、例えばパッチアンテナ、ダイポールアンテナ等が用いられる。図５Ａにおいて、アンテナ素子６１を回路記号で表している。アンテナ端子６２は、高周波モジュール５０の実装面４１Ａに露出している。
　複数のサブモジュール２０は、電子部品３０の一つとして、高周波集積回路部品３０ＲＦ（ＲＦＩＣ）を含む。サブモジュール２０の各々は、高周波信号のダウンコンバート、アップコンバート、増幅等を行う。高周波モジュール５０の実装面４１Ａに第２配線４７が配置されている。第２配線４７は、一つのサブモジュール２０の一つの内部端子３１とアンテナ端子６２とを接続する。アンテナ部品６０に接続されたサブモジュール２０に、電磁シールド膜として機能する第１導電膜２３が設けられている。
　アンテナ部品６０に接続されていないサブモジュール２０は、高周波モジュール５０の外部に設けられたアンテナに接続される。
　次に、第３実施例の優れた効果について説明する。
　第３実施例では、一つの高周波モジュール５０に、アンテナ部品６０と、ＲＦフロントエンドの機能を持つ複数のサブモジュール２０が搭載される。一つのサブモジュール２０とアンテナ部品６０とが、高周波モジュール５０内の第２配線４７によって接続されるため、外部に給電線路を配置する必要がない。このため、アンテナ部品６０に供給する高周波信号の損失を低減させることができる。
　アンテナ部品６０に接続されたサブモジュール２０に電磁シールド膜として機能する第１導電膜２３が設けられているため、アンテナ部品６０とサブモジュール２０との間の電磁的な干渉、及び複数のサブモジュール２０の間の電磁的な干渉を低減させることができる。
　次に、図５Ｂを参照して第３実施例の変形例による高周波モジュールについて説明する。図５Ｂは、第３実施例の変形例による高周波モジュール５０の断面図である。図５Ｂに示した変形例では、高周波モジュール５０が複数のアンテナ部品６０を含む。複数のアンテナ部品６０は、高周波モジュール５０内の複数のサブモジュール２０のいずれかに、第２配線４７を介して接続されている。本変形例のように、複数のサブモジュール２０のそれぞれに接続されるアンテナ部品６０を高周波モジュール５０内に配置してもよい。
　［第４実施例］
　次に、図６を参照して第４実施例による高周波モジュールについて説明する。以下、図５Ｂを参照して説明した第３実施例の変形例による高周波モジュール５０と共通の構成については説明を省略する。
　図６は、第４実施例による高周波モジュール５０の断面図である。第３実施例の変形例（図５Ｂ）では、第２支持部材４０の天面４１Ｔ及び側面４１Ｓに導電膜が配置されていない。これに対して第４実施例では、第２支持部材４０の天面４１Ｔのほぼ全域に第２導電膜４５が配置されている。すなわち、平面視においてアンテナ部品６０は第２導電膜４５に包含されている。なお、第２支持部材４０の側面４１Ｓには、導電膜が配置されていない。第２導電膜４５は、高周波モジュール５０を個片に分割する前の状態で、第２支持部材４０の天面４１Ｔにスパッタリング等によって形成することができる。
　次に、第４実施例の優れた効果について説明する。
　第４実施例においては、第２支持部材４０の天面４１Ｔに配置された第２導電膜４５が電磁シールド膜として機能する。第２導電膜４５は、アンテナ部品６０から上方（第２支持部材４０の天面４１Ｔが向く方向）に伝搬する電波が遮蔽される。アンテナ部品６０から側方（第２支持部材４０の側面４１Ｓが向く方向）に伝搬する電波は、遮蔽されず外部に放射される。このように、第４実施例による高周波モジュール５０は、電波の指向性を制御することができる。アンテナ部品６０のメインビームを側方に向ける場合に、第４実施例の構成が有効である。
　次に、図７Ａを参照して第４実施例の変形例による高周波モジュールについて説明する。図７Ａは、第４実施例の変形例による高周波モジュール５０の断面図である。第４実施例（図６）においては、第２導電膜４５が電気的にフローティング状態である。これに対して図７Ａに示した変形例では、第２導電膜４５が、第２支持部材４０を高さ方向に貫通する導体柱４９によって実装面４１Ａの第２電極４２Ａに接続されている。導体柱４９に接続された第２電極４２Ａは、高周波モジュール５０内のグランド電位に接続される。これにより、第２導電膜４５の電位をグランドに固定することができる。
　次に、図７Ｂ参照して、第４実施例の他の変形例による高周波モジュールについて説明する。図７Ｂは、第４実施例の他の変形例による高周波モジュール５０の断面図である。第４実施例（図６）では、第２支持部材４０の天面４１Ｔの全域に第２導電膜４５が配置されている。これに対して図７Ｂに示した変形例では、第２支持部材４０の天面４１Ｔのうち一部の領域（以下、第２導電膜４５の開口４６という。）には第２導電膜４５が配置されていない。すなわち、第２導電膜４５に開口４６が設けられており、第２支持部材４０の天面４１Ｔのうち一部の領域が露出している。第２支持部材４０の天面４１Ｔを平面視したとき、アンテナ部品６０の少なくとも一つは、開口４６と重なる位置に配置されている。このアンテナ部品６０の近傍の第２支持部材４０の側面４１Ｓに、第２導電膜４５が配置されている。
　次に、図７Ｂに示した変形例の優れた効果について説明する。第２導電膜４５の開口４６と平面視において重なる領域に配置されたアンテナ部品６０から上方に放射された電波が、開口４６を通って外部に放射される。開口４６と重なる領域に配置されたアンテナ部品６０のメインビームを上方に向けたい場合に、図７Ｂに示した変形例の構成が有効である。
　［第５実施例］
　次に、図８を参照して第５実施例による高周波モジュールについて説明する。以下、図１Ａから図３Ｃまでの図面を参照して説明した第１実施例による高周波モジュール５０と共通の構成については説明を省略する。
　図８は、第５実施例による高周波モジュール５０及びモジュール基板８０の断面図である。第８実施例による高周波モジュール５０は、図７Ｂに示した第４実施例の変形例による高周波モジュール５０と同様に、複数のアンテナ部品６０を含み、第２支持部材４０の天面４１Ｔ及び側面４１Ｓの一部の領域に第２導電膜４５が配置されている。さらに、モジュール基板８０に高周波用のコネクタ８３が実装されている。特に、第２支持部材４０の側面４１Ｓのうちコネクタ８３の方を向く領域に、第２導電膜４５が配置されている。
　コネクタ８３は、例えば同軸ケーブル９５を介してベースバンド集積回路部品９６（ＢＢＩＣ）に接続される。さらに、コネクタ８３は、モジュール基板８０内の配線（図示せず）、ランド８１、ハンダ８５を介して、サブモジュール２０の外部端子４２に接続されている。このサブモジュール２０は、電子部品３０として高周波集積回路部品３０ＲＦを含む。サブモジュール２０とベースバンド集積回路部品９６との間で、コネクタ８３及び同軸ケーブル９５を介してと中間周波信号、種々の制御信号等が伝送される。
　次に、第５実施例の優れた効果について説明する。
　コネクタ８３を向く第２支持部材４０の側面４１Ｓに配置された第２導電膜４５が電磁シールド膜として機能する。これにより、高周波モジュール５０内の高周波回路とコネクタ８３とのアイソレーションを高めることができる。
　［第６実施例］
　次に、図９を参照して第６実施例による高周波モジュールについて説明する。以下、図１Ａから図３Ｃまでの図面を参照して説明した第１実施例による高周波モジュール５０と共通の構成については説明を省略する。
　図９は、第６実施例による高周波モジュール５０及びモジュール基板８０の断面図である。第１実施例（図１Ａ）では、第２支持部材４０によって複数のサブモジュール２０が支持されている。これに対して第６実施例では、複数のサブモジュール２０の他に、表面実装型のチップ部品７０が第２支持部材４０によって支持されている。チップ部品７０の外部端子７１が高周波モジュール５０の実装面４１Ａに露出している。チップ部品７０の例として、表面実装型のフェライトビーズ、表面実装型のインダクタ、表面実装型のバイパスコンデンサ等が挙げられる。図９では、チップ部品７０の一例としてフェライトビーズを示しているが、チップ部品７０はフェライトビーズに限定されない。
　第５実施例（図８）と同様に、モジュール基板８０にコネクタ８３が実装されている。コネクタ８３は、モジュール基板８０内の配線（図示せず）、ランド８１、及びハンダ８５を介してチップ部品７０の外部端子７１に接続されている。チップ部品７０の他の外部端子７１は、実装面４１Ａに配置された配線７２、及びハンダ４２Ｂを介して一つのサブモジュール２０の一つの内部端子３１に接続されている。サブモジュール２０とコネクタ８３との間で、チップ部品７０を通して高周波信号が伝送される。チップ部品７０は、平面視において、チップ部品７０が接続されたサブモジュール２０とコネクタ８３との間に配置されている
　次に、第６実施例の優れた効果について説明する。
　一般的に、チップ部品７０がフェライトビーズである場合、チップ部品７０はコネクタ８３の近傍に配置される。ここで、「近傍に配置」とは、平面視においてチップ部品７０とコネクタ８３との間に他の部品が配置されておらず、チップ部品７０とコネクタ８３とが隣り合っていることを意味する。フェライトビーズであるチップ部品７０を高周波モジュール５０に内蔵することにより、フェライトビーズを高周波モジュール５０の外側のモジュール基板８０上に配置する構成と比べて省スペース化を図ることが可能である。
　高周波モジュール５０に内蔵されたチップ部品７０の代わりに、モジュール基板８０上にチップ部品を搭載する場合、コネクタ８３とチップ部品との間、及びチップ部品と高周波モジュール５０との間の両方に、実装工程において課される最小部品間距離の条件を満たすように、一定の距離を確保する必要がある。第６実施例のように、チップ部品７０が高周波モジュール５０に内蔵されている場合には、実装工程における最小部品間距離の条件を満たすために高周波モジュール５０とコネクタ８３との間の距離のみを考慮すればよい。このため、省スペース化が可能になる。
　次に、図１０を参照して第６実施例の変形例による高周波モジュールについて説明する。図１０は、第６実施例の変形例による高周波モジュール５０及びモジュール基板８０の断面図である。
　第６実施例（図９）では、第２支持部材４０の天面４１Ｔ及び側面４１Ｓに導電膜が配置されていない。これに対して図１０に示した変形例では、第２支持部材４０の天面４１Ｔ及び側面４１Ｓに第３導電膜５１が配置されている。第３導電膜５１は、第２支持部材４０の側面４１Ｓに露出した第２電極４２Ａ、ハンダ８５、およびランド８１を介してモジュール基板８０のグランド電位に接続される。
　図１０に示した変形例では、第３導電膜５１が電磁シールド膜として機能し、コネクタ８３と高周波モジュール５０内の高周波回路とのアイソレーションを高めることができる。これにより、高周波モジュール５０内の高周波回路がコネクタ８３から発生するノイズの影響を受けにくくなる。さらに、高周波モジュール５０内で発生したノイズが外部に漏れにくくなる。
　［第７実施例］
　次に、図１１を参照して第７実施例による高周波モジュールについて説明する。以下、第３実施例の変形例による高周波モジュール５０（図５Ｂ）と共通の構成については説明を省略する。
　図１１は、第７実施例による高周波モジュール５０及びモジュール基板８０の断面図である。第３実施例（図５Ｂ）では、高周波集積回路部品３０ＲＦを含む２つのサブモジュール２０に接続される複数のアンテナ部品６０が、第２支持部材４０に支持されている。これに対して第７実施例では、第２支持部材４０に支持されたアンテナ部品６０の他に、モジュール基板８０に放射素子６５が配置されている。
　複数の放射素子６５は、モジュール基板８０の、高周波モジュール５０が実装された面とは反対側の面に配置されている。放射素子６５は、モジュール基板８０内に配置されたグランドプレーン６６とともにパッチアンテナを構成する。複数の放射素子６５は、それぞれモジュール基板８０内の配線６７及びビア６８を介して、一つのサブモジュール２０の複数の外部端子４２に接続されている。
　一例として、アンテナ部品６０に接続されたサブモジュール２０に含まれる高周波集積回路部品３０ＲＦは、ＷｉＧｉｇに準拠した信号処理を行い、放射素子６５に接続されたサブモジュール２０に含まれる高周波集積回路部品３０ＲＦは、第５世代移動通信システム（５Ｇ）の通信規格に準拠した信号処理を行う。ＷｉＧｉｇに準拠した信号処理を行うサブモジュール２０に、第１導電膜２３が設けられている。
　次に、第７実施例の優れた効果について説明する。
　第７実施例による高周波モジュール５０は、ＷｉＧｉｇ、５Ｇ等の異なる複数の通信規格に準拠した通信を行うことが可能である。２つのサブモジュール２０の少なくとも一方が、電磁シールド膜として機能する第１導電膜２３を有することにより、準拠する通信規格の異なる２つのサブモジュール２０の間のアイソレーションを確保することができる。
　また、２つの通信規格用のアンテナのうち一方が、高周波モジュール５０に内蔵されたアンテナ部品６０で構成され、他方がモジュール基板８０に配置された放射素子６５で構成される。このように、異なる複数の通信規格のそれぞれの周波数帯に応じて、最適な構成のアンテナを用いることができる。
　［第８実施例］
　次に、図１２Ａ及び図１２Ｂを参照して第８実施例による高周波モジュールについて説明する。以下、図１Ａから図３Ｃまでの図面を参照して説明した第１実施例による高周波モジュール５０と共通の構成については説明を省略する。
　図１２Ａは、第８実施例による高周波モジュール５０の断面図であり、図１２Ｂは、第８実施例による高周波モジュール５０の概略等価回路図である。高周波モジュール５０に２つのサブモジュール２０が含まれている。一方のサブモジュール２０は、電子部品３０としてＤＣＤＣコンバータ３０ＤＣ及び出力インダクタ３０Ｌを含んでいる。出力インダクタ３０Ｌは、サブモジュール２０内の配線３２を介してＤＣＤＣコンバータ３０ＤＣに接続されている。ＤＣＤＣコンバータ３０ＤＣを含むサブモジュール２０に、電磁シールド膜として機能する第１導電膜２３が設けられている。
　他方のサブモジュール２０は、電子部品３０として高周波集積回路部品３０ＲＦを含んでいる。出力インダクタ３０Ｌは、高周波モジュール５０の実装面４１Ａに配置された第３配線４８を介して高周波集積回路部品３０ＲＦの内部端子３１に接続されている。
　図１２Ｂに示すように、出力インダクタ３０ＬとキャパシタＣによってローパスフィルタが構成される。キャパシタＣは、例えば出力インダクタ３０Ｌを含むサブモジュール２０に内蔵される。ＤＣＤＣコンバータ３０ＤＣからローパスフィルタを介して高周波集積回路部品３０ＲＦに電源が供給される。
　出力インダクタ３０Ｌは、出力インダクタ３０Ｌを含むサブモジュール２０の他の電子部品のいずれよりも、第３配線４８を介して接続されたサブモジュール２０に近い位置に配置されている。
　次に、第８実施例の優れた効果について説明する。
　ＤＣＤＣコンバータ３０ＤＣを含むサブモジュール２０に第１導電膜２３が設けられているため、高周波集積回路部品３０ＲＦが、ＤＣＤＣコンバータ３０ＤＣから発生するスイッチングノイズの影響を受けにくくなる。さらに、出力インダクタ３０Ｌが高周波集積回路部品３０ＲＦを含むサブモジュール２０の近くに配置されているため、高周波集積回路部品３０ＲＦに供給される電源品質の向上、電圧降下の低減を図ることができる。
　次に、第８実施例の変形例について説明する。
　第８実施例では、ローパスフィルタを出力インダクタ３０ＬとキャパシタＣとで構成しているが、ノイズを低減させることが可能な他の素子や回路構成を用いてもよい。例えば、出力インダクタ３０Ｌの代わりに、コンデンサやフェライトビーズを用いてもよい。例えば、出力インダクタ３０Ｌを高周波集積回路部品３０ＲＦとＤＣＤＣコンバータ３０ＤＣとの間に直列に接続する代わりに、高周波集積回路部品３０ＲＦとＤＣＤＣコンバータ３０ＤＣとを接続する配線とグランドとの間にインダクタを接続してもよい。
　［第９実施例］
　次に、図１３Ａを参照して第９実施例による高周波モジュールについて説明する。以下、図１Ａから図３Ｃまでの図面を参照して説明した第１実施例による高周波モジュール５０と共通の構成については説明を省略する。
　図１３Ａは、第９実施例による高周波モジュール５０の底面図である。第２支持部材４０の実装面４１Ａに、複数の外部端子４２が露出している。１つのサブモジュール２０の電子部品３０に接続された１つの外部端子４２が、他の１つのサブモジュール２０の電子部品３０に接続された外部端子４２に、第１配線４３によって接続されている。第１配線４３から、スタブ４３Ｓが分岐している。スタブ４３Ｓは、第２支持部材４０の実装面４１Ａに配置されている。スタブ４３Ｓは、オープンスタブである。
　図１３Ｂは、第９実施例の変形例による高周波モジュール５０の底面図である。第９実施例（図１３Ａ）では、第１配線４３から分岐するスタブ４３Ｓがオープンスタブであるが、図１３Ｂに示した第９実施例の変形例では、スタブ４３Ｓがショートスタブである。第２支持部材４０の実装面４１Ａにグランドプレーン４３Ｇが形成されており、スタブ４３Ｓの先端がグランドプレーン４３Ｇに接続されている。グランドプレーン４３Ｇは、少なくとも１つの電子部品３０のグランド端子に接続された外部端子４２Ｇに接続されている。
　次に、第９実施例及びその変形例の優れた効果について説明する。
　第９実施例においても第１実施例と同様に、高周波モジュールの低背化を図ることが可能であるとともに、サブモジュール２０の間の電磁気的な干渉を低減させることができる。
　さらに第９実施例及びその変形例では、スタブ４３Ｓにより、２つのサブモジュール２０の間でインピーダンスを整合させることができる。スタブ４３Ｓは、第２支持部材４０の実装面４１Ａに第１配線４３の形成と同時に形成することができる。このため、インピーダンス整合用の回路部品を実装することなく、インピーダンス整合回路を構成することができる。
　［第１０実施例］
　次に、図１４Ａを参照して第１０実施例による高周波モジュールについて説明する。以下、図１Ａから図３Ｃまでの図面を参照して説明した第１実施例による高周波モジュール５０と共通の構成については説明を省略する。
　図１４Ａは、第１０実施例による高周波モジュール５０の断面図である。第１０実施例による高周波モジュール５０は、複数のサブモジュール２０の他に複数の第２サブモジュール１２０を含む。以下、サブモジュール２０を第２サブモジュール１２０と区別するために、第１サブモジュール２０ということとする。
　第２サブモジュール１２０の各々は、複数の第２電子部品１３０、及び複数の第２電子部品１３０を覆って支持する第３支持部材１２２を含む。第２電子部品１３０に接続された複数の第２内部端子１３１が、第３支持部材１２２の１つの面に露出している。第３支持部材１２２の、第２内部端子１３１が露出した面は、第１支持部材２２の、内部端子３１が露出した面とは反対方向を向く。
　複数の第１サブモジュール２０は、第２支持部材４０の第１部分４０Ａに覆われて支持されており、複数の第２サブモジュール１２０は、第２支持部材４０の第２部分４０Ｂに覆われて支持されている。第２支持部材４０の、複数の外部端子４２が露出する実装面４１Ａとは反対側の面４１Ｂに、複数の第２外部端子１４２が露出している。複数の第２外部端子１４２は、それぞれ複数の第２内部端子１３１に接続されている。
　第２支持部材４０の第１部分４０Ａ、複数の第１サブモジュール２０、及び複数の外部端子４２からなる構造は、第１実施例による高周波モジュール５０（図１Ａ）の構造と同一である。また、第２支持部材４０の第２部分４０Ｂ、複数の第２サブモジュール１２０、及び複数の第２外部端子１４２からなる構造も、第１実施例による高周波モジュール５０（図１Ａ）の構造と同一である。
　次に、第１０実施例による高周波モジュールの製造方法について説明する。
　第１実施例による高周波モジュール５０の製造方法と同様の方法で、第２支持部材４０の第１部分４０Ａ、第１部分４０Ａに支持された複数の第１サブモジュール２０、及び複数の外部端子４２を含む構造物を作製する。同様の方法で、第２支持部材４０の第２部分４０Ｂ、第２部分４０Ｂに支持された複数の第２サブモジュール１２０、及び複数の第２外部端子１４２を含む構造物を作製する。第２支持部材４０の第１部分４０Ａと第２部分４０Ｂとを貼り合わせることにより、第１０実施例による高周波モジュールを作製することができる。
　次に、第１０実施例の優れた効果について説明する。第１０実施例においても第１実施例と同様に、高周波モジュールの低背化を図ることが可能であるとともに、第１サブモジュール２０及び第２サブモジュール１２０の間の電磁気的な干渉を低減させることができる。さらに第１０実施例では、第１サブモジュール２０と第２サブモジュール１２０とが、実装面４１Ａに対して直交する方向に積み重ねられているため、電子部品３０及び第２電子部品１３０の実装密度を高めることができる。
　次に、第１０実施例の変形例について説明する。
　第１０実施例では、第２支持部材４０の第２部分４０Ｂに複数の第２サブモジュール１２０が支持されているが、第２支持部材４０の第２部分４０Ｂに、１つの第２サブモジュール１２０が支持された構成としてもよい。また、複数の第１サブモジュール２０のうち少なくとも１つは、シールド膜として機能する第１導電膜２３（図１Ａ）を含むが、複数の第２サブモジュール１２０のいずれも、シールド膜として機能する導電膜を含まない構成としてもよい。
　次に、図１４Ｂを参照して第１０実施例の変形例による高周波モジュールについて説明する。図１４Ｂは、第１０実施例の変形例による高周波モジュールの断面図である。第１０実施例（図１４Ａ）では、第１サブモジュール２０と第２サブモジュール１２０との間に、第２支持部材４０が介在している。
　これに対して図１４Ｂに示した変形例では、第１サブモジュール２０の、複数の内部端子３１が配置された面とは反対側の面（以下、天面という。）と、第２サブモジュール１２０の、複数の第２内部端子１３１が配置された面とは反対側の面（以下、天面という。）とが、第２支持部材４０を介することなく相互に対向している。例えば、両者の間には、接着剤からなる層が配置されている。
　この構造は、例えば第１実施例による高周波モジュール５０の製造工程の図３Ｂに示した製造途中段階までの構造を作製した後、樹脂で封止する際に、少なくとも１つの第１サブモジュール２０の天面が露出するように、トランスファー成形すればよい。または、図３Ｃに示すように、第１サブモジュール２０を第２支持部材４０で封止した後、第１サブモジュール２０の天面が露出するまで第２支持部材４０を研削または研磨してもよい。第２支持部材４０の第２部分４０Ｂで覆われた構造も、同様の方法で作製することができる。
　図１４Ｂに示した変形例においては、第１０実施例と比べて、高周波モジュールの低背化をさらに進めることができる。
　次に、図１５Ａ及び図１５Ｂを参照して、第１０実施例の他の変形例による高周波モジュールについて説明する。図１５Ａ及び図１５Ｂは、第１０実施例の他の変形例による高周波モジュール５０の断面図である。
　第１０実施例（図１４Ａ）では、第２支持部材４０が、複数の第１サブモジュール２０を支持する第１部分４０Ａと、複数の第２サブモジュール１２０を支持する第２部分４０Ｂとの境界が明確に現れている。これに対して図１５Ａ及び図１５Ｂに示した変形例では、第２支持部材４０が単一の樹脂部材で構成されている。
　次に、図１５Ａに示した変形例による高周波モジュール５０の製造方法について説明する。第１実施例による高周波モジュール５０の図３Ｂに示した製造途中段階において、複数の第１サブモジュール２０が実装された仮の基板９１と、複数の第２サブモジュール１２０が実装された他の仮の基板９１とを、実装面同士を対向させた状態で、トランスファーモールド工法を用いて、２枚の仮の基板９１の間に第２支持部材４０を充填する。その後、２枚の仮の基板９１を研削して除去することにより、図１５Ａに示した変形例による高周波モジュールが完成する。
　図１５Ｂに示した変形例による高周波モジュール５０においては、図１４Ｂに示した変形例と同様に、第１サブモジュール２０の天面と第２サブモジュール１２０の天面との間に第２支持部材４０が介在していない。例えば、第１サブモジュール２０の天面が第２サブモジュール１２０の天面に接触している。図１５Ｂに示した変形例による高周波モジュールは、２枚の仮の基板９１の間に第２支持部材４０を、トランスファーモールド工法を用いて充填する際に、第１サブモジュール２０の天面と第２サブモジュール１２０の天面とを相互に接触させておけばよい。
　図１５Ａ及び図１５Ｂに示した変形例では、第１０実施例（図１４Ａ）と比べて、製造工程数を削減することができる。
　上述の各実施例は例示であり、異なる実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。複数の実施例の同様の構成による同様の作用効果については実施例ごとには逐次言及しない。さらに、本発明は上述の実施例に制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
２０　サブモジュール
２１Ａ　第１面　
２１Ｓ　側面
２１Ｔ　天面
２２　第１支持部材
２３　第１導電膜
３０　電子部品
３０ＤＣ　ＤＣＤＣコンバータ
３０Ｌ　出力インダクタ
３０ＲＦ　高周波集積回路部品
３１　内部端子
３１Ａ　第１電極
３１Ｂ　ハンダ
３１ＢＡ　ハンダボール
３１Ｃ　実装用の電極
３２　配線
４０　第２支持部材
４０Ａ　第２支持部材の第１部分
４０Ｂ　第２支持部材の第２部分
４１Ａ　実装面
４１Ｓ　側面
４１Ｔ　天面
４２　外部端子
４２Ａ　第２電極
４２Ｂ　ハンダ
４２ＢＡ　ハンダボール
４２Ｇ　グランド端子に接続された外部端子
４３　第１配線
４３Ｇ　グランドプレーン
４３Ｓ　スタブ
４４　導体パターン
４５　第２導電膜
４６　開口
４７　第２配線
４８　第３配線
４９　導体柱
５０　高周波モジュール
５１　第３導電膜
６０　アンテナ部品
６１　アンテナ素子
６２　アンテナ端子
６５　放射素子
６６　グランドプレーン
６７　配線
６８　ビア
７０　フェライトビーズ
７１　フェライトビーズの外部端子
７２　配線
８０　モジュール基板
８１　ランド
８３　コネクタ
８５　ハンダ
９０、９１　仮の基板
９５　同軸ケーブル
９６　ベースバンド集積回路部品
１２０　第２サブモジュール
１２２　第３支持部材
１３０　第２電子部品
１３１　第２内部端子
１４２　第２外部端子
 

Claims (17)

  1. 　複数のサブモジュールを備え、
    　前記複数のサブモジュールの各々は、
    　各々が複数の内部端子を含む複数の電子部品と、
    　前記複数の内部端子を露出させるように前記複数の電子部品を覆い、支持する第１支持部材と
    を含み、
    　さらに、
    　前記複数のサブモジュールを覆い、支持する第２支持部材と、
    　前記複数の内部端子のそれぞれに接続され、前記第２支持部材から露出する複数の外部端子と
    を備え、
    　前記複数のサブモジュールのうち少なくとも一つのサブモジュールは、前記第１支持部材の少なくとも一部の領域に設けられた第１導電膜を有している高周波モジュール。
  2. 　前記複数のサブモジュールの前記複数の内部端子が露出する前記第１支持部材の面と、前記複数の外部端子が露出する前記第２支持部材の面とが、同一方向を向いている請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記複数のサブモジュールのすべてが、前記第１導電膜を有する請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記第２支持部材の、前記複数の外部端子が露出した面に配置され、前記複数のサブモジュールのうち一つのサブモジュールの前記複数の内部端子の一つと、他の一つのサブモジュールの前記複数の内部端子の一つとを接続する第１配線をさらに備えた請求項１乃至３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記第２支持部材の、前記複数の外部端子が露出した面に配置され、前記第１配線から分岐するスタブをさらに備えた請求項４に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記第２支持部材に覆われて支持され、アンテナ素子及び前記第２支持部材から露出したアンテナ端子を有する少なくとも一つのアンテナ部品をさらに備えている請求項１乃至５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記第２支持部材は、前記複数の外部端子が露出した面とは反対側を向く天面を有し、前記第２支持部材の天面に設けられた第２導電膜をさらに備えた請求項６に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記第２支持部材の天面のうち一部の領域は前記第２導電膜から露出しており、前記第２支持部材の天面を平面視したとき、前記アンテナ部品の少なくとも一つは、前記第２支持部材の天面が露出している領域と重なる位置に配置されている請求項７に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記第２支持部材の、前記複数の外部端子が露出した面に配置され、前記複数のサブモジュールのうち一つのサブモジュールの前記複数の内部端子の一つと前記アンテナ端子とを接続する第２配線をさらに備えており、
    　前記複数のサブモジュールのうち前記第２配線に接続されたサブモジュールは、前記複数の電子部品の一つとして高周波集積回路部品を含む請求項６乃至８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  10. 　前記複数のサブモジュールのうち少なくとも２つのサブモジュールは、それぞれ前記複数の電子部品の一つとして、相互に異なる通信規格の信号処理を行う高周波集積回路部品を含む請求項６乃至９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  11. 　前記複数のサブモジュールのうち一つのサブモジュールは前記複数の電子部品の一つとしてＤＣＤＣコンバータ及び前記ＤＣＤＣコンバータに接続された出力インダクタを含み、
    　前記第２支持部材の、前記複数の外部端子が露出した面に配置され、前記複数のサブモジュールのうち前記出力インダクタを含むサブモジュールとは別の一つのサブモジュールの前記複数の内部端子の一つと、前記出力インダクタとを接続する第３配線をさらに備え、
    　前記出力インダクタは、前記出力インダクタを含むサブモジュールの他の電子部品のいずれよりも、前記第３配線で接続されたサブモジュールに近い位置に配置されている請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  12. 　さらに、
    　前記複数の外部端子が接続された複数のランドを有するモジュール基板と、
    　前記モジュール基板に実装されたコネクタと
    を備えた請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  13. 　前記第２支持部材に支持され、前記複数の外部端子が露出した前記第２支持部材の面に露出した端子を有する少なくとも一つの表面実装型のチップ部品をさらに備え、
    　前記チップ部品は、前記複数のサブモジュールのうち一つのサブモジュールに接続されており、平面視において、前記チップ部品が接続されたサブモジュールと前記コネクタとの間に配置されている請求項１２に記載の高周波モジュール。
  14. 　前記第２支持部材の、前記複数の外部端子が露出した面以外の面に配置された第３導電膜をさらに備えた請求項１乃至５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  15. 　さらに、
    　少なくとも１つの第２サブモジュールを備え、
    　前記第２サブモジュールの各々は、
    　複数の第２内部端子を含む複数の第２電子部品と、
    　前記複数の第２内部端子を露出させるように前記複数の第２電子部品を覆い、支持する第３支持部材と、
    前記複数の第２内部端子に接続された複数の第２外部端子と
    を含み、
    　前記第２支持部材の、前記複数の外部端子が露出する面とは反対側の面に、前記複数の第２外部端子が露出するように、前記第２サブモジュールが前記第２支持部材に支持されている請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  16. 　前記第２支持部材は、前記複数のサブモジュールを覆う第１部分と、前記第２サブモジュールを覆う第２部分とを含み、前記第１部分が前記第２部分に接着されている請求項１５に記載の高周波モジュール。
  17. 　前記複数のサブモジュールのうち少なくとも１つのサブモジュールの、前記複数の内部端子が配置された面とは反対側の面と、前記第２サブモジュールの、前記複数の第２内部端子が配置された面とは反対側の面とが、前記第２支持部材を介することなく相互に対向している請求項１５または１６に記載の高周波モジュール。
     
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