KR101621621B1 - 밀리파대용 반도체 패키지 및 밀리파대용 반도체 장치 - Google Patents

밀리파대용 반도체 패키지 및 밀리파대용 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

실시 형태는 밀리파대용 반도체 패키지를 제공한다. 밀리파대용 반도체 패키지는 금속제의 기체, 회로 기판 및 금속제의 덮개를 갖는다. 기체는 제1 관통 구멍 및 제2 관통 구멍을 갖는다. 회로 기판은 기체 위에 배치되어 있고, 표면에는 입력용 신호 선로 및 출력용 신호 선로가 형성되어 있다. 덮개는 회로 기판 위에 배치되어 있고, 제1 비관통 구멍 및 제2 비관통 구멍을 갖는다. 이 덮개는, 제1 비관통 구멍이 기체의 제1 관통 구멍의 바로 위에 배치됨과 함께, 제2 비관통 구멍이 기체의 제2 관통 구멍의 바로 위에 배치되도록 회로 기판 위에 배치된다. 그리고, 제1 비관통 구멍 및 제1 관통 구멍은 제1 도파관을 구성함과 함께, 제2 비관통 구멍 및 제2 관통 구멍은 제2 도파관을 구성한다.

Description

밀리파대용 반도체 패키지 및 밀리파대용 반도체 장치{SEMICONDUCTOR PACKAGE FOR MILLIMETER WAVE BAND AND SEMICONDUCTOR DEVICE FOR MILLIMETER WAVE BAND}
본 출원은 일본 특허 출원 제2014-022066호(출원일 : 2014년 2월 7일)를 기초로 하여, 이 출원으로부터 우선권의 이익을 향수한다. 본 출원은 이 출원을 참조함으로써, 상기 출원의 내용을 모두 포함한다.
본 발명의 실시 형태는 밀리파대용 반도체 패키지 및 밀리파대용 반도체 장치에 관한 것이다.
30㎓ 이상의 밀리파대 등에 있어서 동작하는 반도체 칩이 실장되는 종래의 밀리파대용 반도체 패키지는, 반도체 칩이 적재되는 기체(基體), 일단부가 반도체 칩에 접속되고, 타단부가 안테나로서 기능하는 신호선, 및 반도체 칩을 덮도록 기체 위에 설치된 덮개를 갖는다. 이러한 종래의 밀리파대용 반도체 패키지는, 외부 전기 회로 등에 접속되는 도파관 내에, 신호선을 삽입함으로써 사용된다.
그러나, 종래의 밀리파대용 반도체 패키지와 도파관은 별도 부품이기 때문에, 패키지에 대한 도파관의 설치 상태는 도파관을 설치할 때마다 변화된다. 따라서, 밀리파대용 반도체 패키지 및 이 패키지에 반도체 칩이 실장된 밀리파대용 반도체 장치의 재현성은 나쁜 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 재현성이 우수한, 패키지에 반도체 칩이 실장된 밀리파대용 반도체 장치를 제공하는 것이다.
실시 형태는 밀리파대용 반도체 패키지를 제공한다. 밀리파대용 반도체 패키지는 금속제의 기체, 회로 기판 및 금속제의 덮개를 갖는다. 기체는 제1 관통 구멍 및 제2 관통 구멍을 갖는다. 회로 기판은 기체 위에 배치되어 있고, 표면에는 입력용 신호 선로 및 출력용 신호 선로가 형성되어 있다. 덮개는 회로 기판 위에 배치되어 있고, 제1 비관통 구멍 및 제2 비관통 구멍을 갖는다. 이 덮개는, 제1 비관통 구멍이 기체의 제1 관통 구멍의 바로 위에 배치됨과 함께, 제2 비관통 구멍이 기체의 제2 관통 구멍의 바로 위에 배치되도록 회로 기판 위에 배치된다. 그리고, 제1 비관통 구멍 및 제1 관통 구멍은 제1 도파관을 구성함과 함께, 제2 비관통 구멍 및 제2 관통 구멍은 제2 도파관을 구성한다.
실시 형태는 밀리파대용 반도체 장치를 제공한다. 밀리파대용 반도체 장치는 금속제의 기체, 회로 기판, 금속제의 덮개 및 반도체 칩을 갖는다. 기체는 제1 관통 구멍 및 제2 관통 구멍을 갖는다. 회로 기판은 기체 위에 배치되어 있고, 일부에 관통 구멍을 갖는다. 이 회로 기판의 표면에는 입력용 신호 선로 및 출력용 신호 선로가 형성되어 있다. 덮개는 회로 기판 위에 배치되어 있고, 제1 비관통 구멍 및 제2 비관통 구멍을 갖는다. 이 덮개는, 제1 비관통 구멍이 기체의 제1 관통 구멍의 바로 위에 배치됨과 함께, 제2 비관통 구멍이 기체의 제2 관통 구멍의 바로 위에 배치되도록 회로 기판 위에 배치된다. 그리고, 제1 비관통 구멍 및 제1 관통 구멍은 제1 도파관을 구성함과 함께, 제2 비관통 구멍 및 제2 관통 구멍은 제2 도파관을 구성한다. 반도체 칩은, 회로 기판의 관통 구멍 내에 배치되도록 기체의 표면 위에 적재되어 있고, 입력용 신호 선로 및 출력용 신호 선로에 전기적으로 접속되어 있다.
상기 구성에 의하면, 재현성이 우수한, 패키지에 반도체 칩이 실장된 밀리파대용 반도체 장치가 제공된다.
도 1은 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 장치를 경사 상방으로부터 본 경우의 모식적인 분해 사시도.
도 2는 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 장치를 경사 하방으로부터 본 경우의 모식적인 분해 사시도.
도 3a는 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 패키지의 기체를 경사 상방으로부터 본 경우의 모식적인 사시도.
도 3b는 도 3a의 일점쇄선 A-A'를 따라서 도시하는 기체의 모식적인 단면도.
도 4a는 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 패키지의 회로 기판을 경사 상방으로부터 본 경우의 모식적인 사시도.
도 4b는 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 패키지의 회로 기판을 상방으로부터 본 경우의 모식적인 평면도.
도 4c는 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 패키지의 회로 기판을 하방으로부터 본 경우의 모식적인 평면도.
도 4d는 도 4a의 일점쇄선 B-B'를 따라서 도시하는 회로 기판의 모식적인 단면도.
도 5a는 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 패키지의 덮개를 경사 상방으로부터 본 경우의 모식적인 사시도.
도 5b는 도 5a의 일점쇄선 C-C'를 따라서 도시하는 덮개의 모식적인 단면도.
도 6은 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 장치를 나타내는 도 3b, 도 4d 및 도 5b에 대응하는 단면도.
이하에, 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 패키지 및 밀리파대용 반도체 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 장치를 경사 상방으로부터 본 경우의 모식적인 분해 사시도이다. 또한, 도 2는 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 장치를 경사 하방으로부터 본 경우의 모식적인 분해 사시도이다. 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 장치(10)에 있어서, 밀리파대용 반도체 패키지(20)의 내부에는 반도체 칩(11)이 실장되어 있다. 밀리파대용 반도체 패키지(20)는 기체(21), 신호 선로(22) 등을 구비하는 회로 기판(23) 및 덮개(24)를 갖는다.
밀리파대용 반도체 패키지(20)를 구성하는 기체(21) 및 덮개(24)는 각각 직육면체 형상의 금속 블록이다. 또한, 회로 기판(23)은 유전체 기판(25)의 표면 위에 원하는 회로 패턴 등이 형성됨과 함께, 이면 위에 원하는 패턴이 형성된 것이다.
이하에, 이러한 밀리파대용 반도체 패키지(20)에 대하여 상세하게 설명한다.
도 3a는 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 패키지(20)의 기체(21)를 경사 상방으로부터 본 경우의 모식적인 사시도이고, 도 3b는 도 3a의 일점쇄선 A-A'를 따라서 도시하는 기체(21)의 모식적인 단면도이다.
도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 직육면체 형상의 금속 블록인 기체(21)에는, 표면(21a)으로부터 측면(21b, 21c)을 향하여 기체(21)를 관통하는 L자 형상의 제1 관통 구멍(26) 및 제2 관통 구멍(27)이 각각 형성되어 있다. 제1 관통 구멍(26)은 표면(21a)으로부터 제1 측면(21b)을 향하여 기체(21)를 관통하고, 제2 관통 구멍(27)은 표면(21a)으로부터 제1 측면(21b)에 대향하는 제2 측면(21c)을 향하여 기체(21)를 관통하고 있다. 이 관통 구멍(26, 27)은 각각, 후술하는 덮개(24)의 비관통 구멍(35, 36)과 함께, 밀리파를 도파하는 도파관(12)을 구성한다.
각각의 관통 구멍(26, 27)은 각각, 도 3a에 도시한 바와 같이, 그 단면이 가로로 긴 형상인, 소위 E면 벤드형 관통 구멍이지만, 관통 구멍은 각각 그 단면 형상이 세로로 긴 형상인, 소위 H면 벤드형 관통 구멍이어도 된다. 그러나, 관통 구멍(26, 27)을 각각 H면 벤드형으로 하면 기체(21)가 두꺼워진다. 따라서, 각각의 관통 구멍(26, 27)은 각각, 도시한 바와 같이, 소위 E면 벤드형 관통 구멍인 것이 바람직하다.
또한, 기체(21)는 금속제이면 되지만, 기체(21)의 표면(21a) 위에 적재되는 반도체 칩(11)(도 1 및 도 2)으로부터 발해지는 열의 방열성을 양호하게 하기 위해서, 예를 들면 구리(Cu) 등의 열전도성이 우수한 금속을 포함하는 것이 바람직하다.
도 4a는 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 패키지(20)의 회로 기판(23)을 경사 상방으로부터 본 경우의 모식적인 사시도이고, 도 4b는 회로 기판(23)을 상방으로부터 본 경우의 모식적인 평면도이며, 도 4c는 회로 기판(23)을 하방으로부터 본 경우의 모식적인 평면도이고, 도 4d는 도 4a의 일점쇄선 B-B'를 따라서 도시하는 회로 기판(23)의 모식적인 단면도이다.
도 4a 내지 도 4d에 각각 도시한 바와 같이, 회로 기판(23)은 유전체 기판(25)의 표면 위에 원하는 회로 패턴 등이 형성됨과 함께, 이면 위에 원하는 패턴이 형성된 것이다.
유전체 기판(25)은, 예를 들면 세라믹 등을 포함하는 판상의 것이고, 유전체 기판(25)의 대략 중앙 영역에는 반도체 칩(11) 등을 배치하기 위한 대략 직사각 형상의 관통 구멍(28)이 형성되어 있다.
도 4a, 도 4b 및 도 4d에 도시한 바와 같이, 이 유전체 기판(25)의 표면 위에는 입력용 신호 선로(22a), 출력용 신호 선로(22b), 복수의 바이어스 공급 선로(29) 및 제1 접지 패턴(30)을 포함하는 회로 패턴이, 예를 들면 구리(Cu) 등의 금속 박막에 의해 형성되어 있다.
입력용 신호 선로(22a)는, 유전체 기판(25)의 표면 위에 있어서, 대략 직사각 형상의 관통 구멍(28)의 긴 변 위로부터, 유전체 기판(25)의 한쪽을 향하여 소정 거리만큼 연장되어 있다. 이 입력용 신호 선로(22a)는, 그 일단부에 있어서 후술하는 도파관(12)을 도파되는 밀리파를 수신한다. 또한, 입력용 신호 선로(22a)는, 그 타단부에 있어서, 수신한 밀리파를, 타단부에 전기적으로 접속되는 반도체 칩(11)에 도파한다.
출력용 신호 선로(22b)는, 유전체 기판(25)의 표면 위에 있어서, 입력용 신호 선로(22a)가 접하는 긴 변에 대향하는 상기 관통 구멍(28)의 긴 변 위로부터, 입력용 신호 선로(22a)의 연장 방향과 반대 방향을 향하여 소정 거리만큼 연장되어 있다. 이 출력용 신호 선로(22b)는, 그 일단부에 있어서, 일단부에 전기적으로 접속되는 반도체 칩(11)으로부터 도파되는 밀리파를 수신한다. 또한, 출력용 신호 선로(22b)는, 그 타단부에 있어서, 수신한 밀리파를, 도파관(12)에 송신한다.
따라서, 입력용 신호 선로(22a) 및 출력용 신호 선로(22b)에 있어서의 소정 거리란 각각, 이들 신호 선로(22a, 22b)가, 도파관(12)을 도파되는 밀리파를 송수신하기 위한 모노폴 안테나로서 기능하는 정도의 길이보다 긴 거리를 의미한다.
복수의 바이어스 공급 선로(29)는 각각, 유전체 기판(25)의 표면 위에 있어서, 대략 직사각 형상의 관통 구멍(28)의 예를 들면 짧은 변 위로부터, 유전체 기판(25)의 주변부를 따라서 신장되어, 유전체 기판(25)의 한 변에 접하도록 연장되어 있다. 이들 바이어스 공급 선로(29)는 각각, 반도체 칩(11)에 DC 바이어스를 공급하기 위한 선로이다.
제1 접지 패턴(30)은 입력용 신호 선로(22a), 출력용 신호 선로(22b) 및 복수의 바이어스 공급 선로(29)와 절연되도록, 유전체 기판(25)의 표면 위의 거의 전체면에 형성되어 있다. 이 제1 접지 패턴(30)은, 입력용 신호 선로(22a)의 일단부 부근에 있어서, 대략 직사각 형상으로 제거되어 있고, 또한, 제1 접지 패턴(30)은, 출력용 신호 선로(22b)의 타단부 부근에 있어서, 대략 직사각 형상으로 제거되어 있다.
또한, 이와 같이 접지 패턴(30)이 제거됨으로써 노출되는 유전체 기판(25)의 대략 직사각 형상의 표면 영역은 후술하는 도파관(12) 내에 포함되는 영역이다. 따라서, 제1 접지 패턴(30)을 제거함으로써 노출되는 유전체 기판(25)의 대략 직사각 형상의 표면 영역을, 표면 도파 영역(31)이라 칭한다.
다음에, 도 4c 및 도 4d에 도시한 바와 같이, 유전체 기판(25)의 이면 위에는, 제2 접지 패턴(32)이, 예를 들면 구리(Cu) 등의 금속 박막에 의해 형성되어 있다. 제2 접지 패턴(32)은, 유전체 기판(25)의 이면 위의 거의 전체면에 형성되어 있지만, 표면 도파 영역(31)에 대응하는 영역은 제거되어 있다. 접지 패턴(30)과 접지 패턴(32)은 다수의 관통 구멍(도면 중에서는 생략되어 있음)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 이와 같이 접지 패턴(32)이 제거됨으로써 노출되는 유전체 기판(25)의 대략 직사각 형상의 이면 영역도, 표면 영역과 마찬가지로, 후술하는 도파관(12) 내에 포함되는 영역이다. 따라서, 제2 접지 패턴(32)을 제거함으로써 노출되는 유전체 기판(25)의 대략 직사각 형상의 이면 영역을 이면 도파 영역(33)이라 칭한다.
도 5a는 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 패키지(20)의 덮개(24)를 경사 상방으로부터 본 경우의 모식적인 사시도이고, 도 5b는 도 5a의 일점쇄선 C-C'를 따라서 도시하는 덮개의 모식적인 단면도이다.
직육면체 형상의 금속 블록인 덮개(24)는, 상술한 회로 기판(23) 위에 배치되는 것이지만, 덮개(24)와 바이어스 공급 선로(29)의 접촉을 억제하기 위해서, 도 5a, 도 5b 및 도 2에 각각 도시한 바와 같이, 덮개(24)의 이면 중, 바이어스 공급 선로(29)에 대향하는 링 형상의 영역(34)은 얇게 파여 있다.
이러한 링 형상의 영역(34)을 갖는 덮개(24)에는, 도 5b 및 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 비관통 구멍(35) 및 제2 비관통 구멍(36)이 각각 형성되어 있다.
제1 비관통 구멍(35) 및 제2 비관통 구멍(36)은 각각, 이면으로부터 표면 방향으로 소정 거리만큼 연장되며, 덮개(24)를 관통하지 않도록 형성되어 있다. 상술한 바와 같이, 이 비관통 구멍(35, 36)은 각각, 기체(21)의 관통 구멍(26, 27)과 함께, 밀리파를 도파하는 도파관(12)을 구성한다.
또한, 제1 비관통 구멍(35) 및 제2 비관통 구멍(36)에 있어서의 소정 거리란, 덮개(24)가 회로 기판(23) 위에 적재되었을 때, 회로 기판(23)의 표면으로부터 비관통 구멍(35, 36)의 저면까지의 거리 L1(도 6)이 λ/4(단 λ는 사용되는 밀리파의 파장임)로 되는 거리를 의미한다.
또한, 도 5b 및 도 2에 도시한 바와 같이, 덮개(24)의 이면에 있어서, 제1 비관통 구멍(35)과 제2 비관통 구멍(36) 사이에는, 반도체 칩(11)을 배치하기 위한 제1 오목부(37)가 형성되어 있고, 또한, 각각의 비관통 구멍(35, 36)과 제1 오목부(37)를 연결하도록 제2 오목부(38)가 형성되어 있다.
도 6은 상술한 밀리파대용 반도체 패키지(20)에 반도체 칩(11)이 탑재된 밀리파대용 반도체 장치(10)를 도시하는 도 3b, 도 4d 및 도 5b에 대응하는 단면도이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 회로 기판(23)은, 이 이면에 형성된 이면 도파 영역(33)이 기체(21)의 제1 관통 구멍(26) 및 제2 관통 구멍(27)의 상단부 위에 배치되고, 회로 기판(23) 이면의 제2 접지 패턴(32)이, 기체(21)의 표면(21a)에 접촉하도록, 기체(21)의 표면(21a) 위에 적재된다. 또한, 덮개(24)는, 제1 비관통 구멍(35) 및 제2 비관통 구멍(36)이, 회로 기판(23)의 표면 도파 영역(31) 위에 배치되고, 이면이 회로 기판(23) 표면의 제1 접지 패턴(30)에 접촉하도록, 회로 기판(23) 위에 적재된다.
그리고, 기체(21), 회로 기판(23) 및 덮개(24)의 각각에는, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이 각각을 관통하는 나사 구멍(14)이 형성되어 있고, 이들 나사 구멍(14)에 고정용 나사를 삽입함으로써, 기체(21), 회로 기판(23) 및 덮개(24)는 서로 고정된다.
이와 같이 구성된 밀리파대용 반도체 패키지(20)에 있어서, 기체(21)의 제1 관통 구멍(26)과 덮개(24)의 제1 비관통 구멍(35)은, 내부에 회로 기판(23)의 표면 도파 영역(31) 및 이면 도파 영역(33)을 포함하는 제1 도파관(12a)을 구성한다. 마찬가지로, 기체(21)의 제2 관통 구멍(27)과 덮개(24)의 제2 비관통 구멍(36)은, 내부에 회로 기판(23)의 표면 도파 영역(31) 및 이면 도파 영역(33)을 포함하는 제2 도파관(12b)을 구성한다.
또한, 이와 같이 구성된 밀리파대용 반도체 패키지(20)에 있어서, 회로 기판(23)의 입력용 신호 선로(22a), 출력용 신호 선로(22b)는 각각, 이러한 도파관(12a, 12b) 내에, L2=λ/4(단 λ는 사용되는 밀리파의 파장임)만큼 삽입된 상태로 되어, 모노폴 안테나로서 기능한다.
이상에 설명한 밀리파대용 반도체 패키지(20) 내에는, 밀리파에 있어서 동작하는 반도체 칩(11)이 실장되어 있다. 반도체 칩(11)은, 예를 들면 밀리파의 전력을 증폭하는 전계 효과 트랜지스터(FET)이다.
반도체 칩(11)은, 금속제의 칩 마운트 플레이트(15)를 개재하여 기체(21)의 표면 위에 적재된다. 이 반도체 칩(11)은, 칩 마운트 플레이트(15)와 함께, 기체(21)의 표면, 회로 기판(23)의 관통 구멍(28)의 측면 및 덮개(24)의 제1 오목부(37)에 의해 대략 둘러싸이는 공간 S1 내에 배치되도록, 기판(21)의 표면 위에 적재된다.
또한, 덮개(24)의 제1 오목부(37) 내에는, 예를 들면 세라믹 등의 유전체를 포함하는 오목 형상의 칩 커버체(16)가 배치되어 있다. 따라서, 보다 상세하게는, 반도체 칩(11)은 칩 마운트 플레이트(15)와 함께, 기체(21)의 표면, 회로 기판(23)의 관통 구멍(28)의 측면 및 칩 커버체(16)에 의해 대략 둘러싸이는 공간 S2 내에 배치되도록, 기판(21)의 표면 위에 적재된다.
이와 같이 적재된 반도체 칩(11)은, 회로 기판(23)의 입력용 신호 선로(22a)의 타단부와, 예를 들면 와이어(13) 등의 접속 도체에 의해, 전기적으로 접속됨과 함께, 회로 기판(23)의 출력용 신호 선로(22b)의 일단부와, 예를 들면 와이어(13) 등의 접속 도체에 의해 전기적으로 접속된다.
이와 같이 밀리파대용 반도체 패키지(20)에 반도체 칩(11)이 실장됨으로써 구성되는 밀리파대용 반도체 장치(10)에 있어서, 도 6의 화살표 IN 방향으로부터 제1 도파관(12a) 내에 밀리파가 입력되면, 그 밀리파는, 제1 도파관(12a) 내를 도파되어, 제1 도파관(12a) 내에 삽입 배치된 입력용 신호 선로(22a)에 있어서 수신된다.
수신된 밀리파는, 입력용 신호 선로(22a)를 통하여 반도체 칩(11)에 입력되고, 반도체 칩(11) 내에서 원하는 신호 처리(예를 들면 전력 증폭)가 이루어진다.
신호 처리가 이루어진 밀리파가 반도체 칩(11)으로부터 출력용 신호 선로(22b)에 출력되면, 그 밀리파는 출력용 신호 선로(22b)로부터 제2 도파관(12b) 내로 송신된다. 제2 도파관(12b) 내에 송신된 밀리파는, 제2 도파관(12b) 내를 도파되어, 도 6의 화살표 OUT 방향으로 출력된다.
이상에 설명한 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 패키지(20) 및 밀리파대용 반도체 장치(10)에 의하면, 밀리파를 도파하는 도파관(12a, 12b)이 밀리파대용 반도체 패키지(20)에 내장되기 때문에, 예를 들면 입력용 신호 선로(22a)와 도파관(12a)의 상대 위치, 출력용 신호 선로(22b)와 도파관(12b)의 상대 위치가 변화되는 것이 억제되어, 재현성이 우수한 밀리파대용 반도체 패키지(20) 및 밀리파대용 반도체 장치(10)를 제공할 수 있다.
또한, 입력용 신호 선로(22a)와 도파관(12a)의 상대 위치, 출력용 신호 선로(22b)와 도파관(12b)의 상대 위치가 예를 들면 0.5㎜ 어긋난 것만으로, 밀리파는 3㏈ 정도(절반 정도)의 전력이 손실된다. 따라서, 재현성이 우수하고, 따라서, 예를 들면 입력용 신호 선로(22a), 출력용 신호 선로(22b)를 도파관(12a, 12b)에 대하여 각각 원하는 위치에 고정밀도로 배치할 수 있는 것은, 밀리파대용 반도체 패키지(20) 및 밀리파대용 반도체 장치(10)에 있어서는 매우 중요하다.
또한, 이상에 설명한 본 실시예에 따른 밀리파대용 반도체 패키지(20) 및 밀리파대용 반도체 장치(10)에 의하면, 기체(21)에 형성되며, 도파관(12a, 12b)의 주체를 구성하는 제1, 제2 관통 구멍(26, 27)은, 표면(21a)으로부터 측면(21b, 21c)을 향하여 기체(21)를 관통한다. 따라서, 기체(21)의 이면을 방열 핀 등의 냉각 기구에 고정할 수 있다. 이 결과, 방열성을 향상시킬 수도 있다.
본 발명의 몇 가지의 실시 형태를 설명하였지만, 이들 실시 형태는 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규의 실시 형태는, 그 밖의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 다양한 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태나 그 변형은 발명의 범위나 요지에 포함됨과 함께, 특허 청구 범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다.

Claims (20)

  1. 제1 관통 구멍 및 제2 관통 구멍을 갖는 금속제의 기체(基體)와,
    이 기체 위에 배치되며, 표면에 입력용 신호 선로 및 출력용 신호 선로가 형성된 회로 기판과,
    이 회로 기판 위에 배치되며, 제1 비관통 구멍 및 제2 비관통 구멍을 갖는 금속제의 덮개를 구비하고,
    상기 덮개는, 상기 제1 비관통 구멍이 상기 기체의 상기 제1 관통 구멍의 바로 위에 배치됨과 함께, 상기 제2 비관통 구멍이 상기 기체의 상기 제2 관통 구멍의 바로 위에 배치되도록 상기 회로 기판 위에 배치되고,
    상기 제1 비관통 구멍 및 상기 제1 관통 구멍은 제1 도파관을 구성함과 함께, 상기 제2 비관통 구멍 및 상기 제2 관통 구멍은 제2 도파관을 구성하는 밀리파대용 반도체 패키지로서,
    상기 회로 기판의 표면 위에는 반도체 칩에 DC 바이어스를 공급하는 바이어스 공급 선로가 더 형성되어 있고,
    상기 덮개의 이면(裏面) 중, 상기 바이어스 공급 선로에 대향하는 영역은 다른 영역보다 얇아지도록 파여 있고,
    상기 회로 기판의 표면 위에는 제1 접지 패턴이 더 형성되어 있고,
    상기 제1 접지 패턴은, 상기 입력용 신호 선로, 상기 출력용 신호 선로 및 상기 바이어스 공급 선로로부터 절연되도록 형성되어 있는, 밀리파대용 반도체 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기체의 상기 제1 관통 구멍 및 상기 제2 관통 구멍은 각각 표면으로부터 측면을 향하여 상기 기체를 관통하는 L자 형상의 관통 구멍인, 밀리파대용 반도체 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기체의 상기 제1 관통 구멍 및 상기 제2 관통 구멍은 각각 E면 벤드형 관통 구멍인, 밀리파대용 반도체 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 입력용 신호 선로의 한쪽 단부는 상기 제1 도파관 내에 λ/4의 길이만큼 삽입됨과 함께,
    상기 출력용 신호 선로의 한쪽 단부는 상기 제2 도파관 내에 λ/4의 길이만큼 삽입되는, 밀리파대용 반도체 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 비관통 구멍은, 그 저면이, 상기 입력용 신호 선로로부터 상방으로 λ/4의 길이만큼 이격된 위치에 배치되도록 형성되어 있음과 함께,
    상기 제2 비관통 구멍은, 그 저면이, 상기 출력용 신호 선로로부터 상방으로 λ/4의 길이만큼 이격된 위치에 배치되도록 형성되어 있는, 밀리파대용 반도체 패키지.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 접지 패턴은 상기 제1 도파관 내 및 상기 제2 도파관 내에는 형성되지 않는, 밀리파대용 반도체 패키지.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 회로 기판의 이면 위에는 상기 제1 접지 패턴에 전기적으로 접속된 제2 접지 패턴이 형성되어 있는, 밀리파대용 반도체 패키지.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 접지 패턴은, 상기 회로 기판의 이면 위 중, 상기 제1 도파관 내 및 상기 제2 도파관 내에 배치되는 영역을 제외한 전체면에 형성되는, 밀리파대용 반도체 패키지.
  11. 제1 관통 구멍 및 제2 관통 구멍을 갖는 금속제의 기체와,
    이 기체 위에 배치되며, 일부에 관통 구멍을 갖고, 표면에 입력용 신호 선로 및 출력용 신호 선로가 형성된 회로 기판과,
    이 회로 기판 위에 배치되며, 제1 비관통 구멍 및 제2 비관통 구멍을 갖는 금속제의 덮개와,
    상기 회로 기판의 관통 구멍 내에 배치되도록 상기 기체의 표면 위에 적재되며, 상기 입력용 신호 선로 및 상기 출력용 신호 선로에 전기적으로 접속된 반도체 칩을 구비하고,
    상기 덮개는, 상기 제1 비관통 구멍이 상기 기체의 상기 제1 관통 구멍의 바로 위에 배치됨과 함께, 상기 제2 비관통 구멍이 상기 기체의 상기 제2 관통 구멍의 바로 위에 배치되도록 상기 회로 기판 위에 배치되고,
    상기 제1 비관통 구멍 및 상기 제1 관통 구멍은 제1 도파관을 구성함과 함께, 상기 제2 비관통 구멍 및 상기 제2 관통 구멍은 제2 도파관을 구성하는 밀리파대용 반도체 장치로서,
    상기 회로 기판의 표면 위에는 상기 반도체 칩에 DC 바이어스를 공급하는 바이어스 공급 선로가 더 형성되어 있고,
    상기 덮개의 이면 중, 상기 바이어스 공급 선로에 대향하는 영역은 다른 영역보다 얇아지도록 파여 있고,
    상기 회로 기판의 표면 위에는 제1 접지 패턴이 더 형성되어 있고,
    상기 제1 접지 패턴은, 상기 입력용 신호 선로, 상기 출력용 신호 선로 및 상기 바이어스 공급 선로로부터 절연되도록 형성되어 있는, 밀리파대용 반도체 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기체의 상기 제1 관통 구멍 및 상기 제2 관통 구멍은 각각 표면으로부터 측면을 향하여 상기 기체를 관통하는 L자 형상의 관통 구멍인, 밀리파대용 반도체 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 기체의 상기 제1 관통 구멍 및 상기 제2 관통 구멍은 각각 E면 벤드형 관통 구멍인, 밀리파대용 반도체 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 입력용 신호 선로의 한쪽 단부는 상기 제1 도파관 내에 λ/4의 길이만큼 삽입됨과 함께,
    상기 출력용 신호 선로의 한쪽 단부는 상기 제2 도파관 내에 λ/4의 길이만큼 삽입되는, 밀리파대용 반도체 장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제1 비관통 구멍은, 그 저면이, 상기 입력용 신호 선로로부터 상방으로 λ/4의 길이만큼 이격된 위치에 배치되도록 형성되어 있음과 함께,
    상기 제2 비관통 구멍은, 그 저면이, 상기 출력용 신호 선로로부터 상방으로 λ/4의 길이만큼 이격된 위치에 배치되도록 형성되어 있는, 밀리파대용 반도체 장치.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제11항에 있어서,
    상기 제1 접지 패턴은 상기 제1 도파관 내 및 상기 제2 도파관 내에는 형성되지 않는, 밀리파대용 반도체 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 회로 기판의 이면 위에는 상기 제1 접지 패턴에 전기적으로 접속된 제2 접지 패턴이 형성되어 있는, 밀리파대용 반도체 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제2 접지 패턴은, 상기 회로 기판의 이면 위 중, 상기 제1 도파관 내 및 상기 제2 도파관 내에 배치되는 영역을 제외한 전체면에 형성되는, 밀리파대용 반도체 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170341563A1 (en) * 2016-05-24 2017-11-30 Morimoto Lighting, LLC Retrofit vehicle auxiliary lighting

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4575247B2 (ja) * 2005-07-11 2010-11-04 株式会社東芝 高周波パッケージ装置

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3103454A (en) 1957-10-01 1963-09-10 Paocsssl
US4286229A (en) * 1979-11-26 1981-08-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Waveguide structure for selectively coupling multiple frequency oscillators to an output port
JPS6286841A (ja) 1985-10-14 1987-04-21 Mitsubishi Electric Corp 高周波混成集積回路
US5235300A (en) * 1992-03-16 1993-08-10 Trw Inc. Millimeter module package
JPH07221223A (ja) 1994-02-03 1995-08-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置，及び混成集積回路装置
US6969635B2 (en) * 2000-12-07 2005-11-29 Reflectivity, Inc. Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
JPH0926457A (ja) * 1995-07-12 1997-01-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子評価装置
JPH1065038A (ja) 1996-08-22 1998-03-06 Mitsubishi Electric Corp ミリ波デバイス用パッケージ
JP3791077B2 (ja) 1996-12-11 2006-06-28 三菱電機株式会社 高周波気密モジュール
JP3464118B2 (ja) 1997-04-25 2003-11-05 京セラ株式会社 高周波用パッケージの接続構造
EP0874415B1 (en) 1997-04-25 2006-08-23 Kyocera Corporation High-frequency package
JPH1174396A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Kyocera Corp 高周波用入出力端子ならびに高周波用半導体素子収納用パッケージ
JP3209183B2 (ja) * 1998-07-08 2001-09-17 日本電気株式会社 高周波信号用集積回路パッケージ及びその製造方法
US6040739A (en) * 1998-09-02 2000-03-21 Trw Inc. Waveguide to microstrip backshort with external spring compression
JP2000151222A (ja) 1998-11-13 2000-05-30 Nec Corp 高周波モジュール
JP3538045B2 (ja) * 1998-12-09 2004-06-14 三菱電機株式会社 Ｒｆ回路モジュール
JP3204241B2 (ja) 1999-02-19 2001-09-04 日本電気株式会社 導波管接続パッケージ
JP3346752B2 (ja) * 1999-11-15 2002-11-18 日本電気株式会社 高周波パッケージ
US6489679B2 (en) * 1999-12-06 2002-12-03 Sumitomo Metal (Smi) Electronics Devices Inc. High-frequency package
JP4261726B2 (ja) * 2000-03-15 2009-04-30 京セラ株式会社 配線基板、並びに配線基板と導波管との接続構造
JP3485520B2 (ja) 2000-03-31 2004-01-13 日本無線株式会社 化合物半導体ベアチップ実装型ミリ波帯モジュール及びその製造方法
US6573803B1 (en) * 2000-10-12 2003-06-03 Tyco Electronics Corp. Surface-mounted millimeter wave signal source with ridged microstrip to waveguide transition
US6594479B2 (en) * 2000-12-28 2003-07-15 Lockheed Martin Corporation Low cost MMW transceiver packaging
US6627992B2 (en) * 2001-05-21 2003-09-30 Xytrans, Inc. Millimeter wave (MMW) transceiver module with transmitter, receiver and local oscillator frequency multiplier surface mounted chip set
US6498551B1 (en) * 2001-08-20 2002-12-24 Xytrans, Inc. Millimeter wave module (MMW) for microwave monolithic integrated circuit (MMIC)
JP2003209411A (ja) 2001-10-30 2003-07-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法
JP3828438B2 (ja) * 2002-03-13 2006-10-04 三菱電機株式会社 導波管／マイクロストリップ線路変換器
KR100472681B1 (ko) 2002-10-21 2005-03-10 한국전자통신연구원 도파관 구조의 패키지 및 그 제조 방법
JP4278617B2 (ja) * 2002-11-12 2009-06-17 富士通株式会社 実装構造及び電子装置
FR2847723B1 (fr) * 2002-11-22 2006-02-03 United Monolithic Semiconduct Composant electronique en boitier pour applications a des frequences millimetriques
US7050765B2 (en) * 2003-01-08 2006-05-23 Xytrans, Inc. Highly integrated microwave outdoor unit (ODU)
US6900765B2 (en) * 2003-07-23 2005-05-31 The Boeing Company Method and apparatus for forming millimeter wave phased array antenna
TWI241050B (en) 2003-11-25 2005-10-01 Chung Shan Inst Of Science Composite waveguide tube with pre-formed thin metal sheet lining and method for producing the same
KR20050055204A (ko) 2003-12-05 2005-06-13 한국전자통신연구원 도파관 연결 장치
FR2869725A1 (fr) 2004-04-29 2005-11-04 Thomson Licensing Sa Element de transition sans contact entre un guide d'ondes et une ligne mocroruban
FR2879830B1 (fr) 2004-12-20 2007-03-02 United Monolithic Semiconduct Composant electronique miniature pour applications hyperfrequences
JP4475582B2 (ja) 2005-02-24 2010-06-09 三菱電機株式会社 多層高周波回路
JP4395103B2 (ja) * 2005-06-06 2010-01-06 富士通株式会社 導波路基板および高周波回路モジュール
US7742307B2 (en) * 2008-01-17 2010-06-22 Raytheon Company High performance power device
US8072065B2 (en) 2008-02-14 2011-12-06 Viasat, Inc. System and method for integrated waveguide packaging
US8872333B2 (en) 2008-02-14 2014-10-28 Viasat, Inc. System and method for integrated waveguide packaging
WO2009139210A1 (ja) 2008-05-12 2009-11-19 三菱電機株式会社 高周波収納ケースおよび高周波モジュール
US8093700B2 (en) * 2008-12-16 2012-01-10 Freescale Semiconductor, Inc. Packaging millimeter wave modules
JP5556072B2 (ja) * 2009-01-07 2014-07-23 ソニー株式会社 半導体装置、その製造方法、ミリ波誘電体内伝送装置
KR101200813B1 (ko) 2009-01-16 2012-11-13 한양대학교 산학협력단 금속 나노 입자를 포함하는 플래시 기억 소자 및 그 제조 방법
JP2010238845A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Oki Data Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、半導体複合装置
FR2945379B1 (fr) 2009-05-05 2011-07-22 United Monolithic Semiconductors Sa Composant miniature hyperfrequences pour montage en surface
KR101077011B1 (ko) * 2009-06-09 2011-10-26 서울대학교산학협력단 미세가공 공동 공진기와 그 제조 방법 및 이를 이용한 대역통과 필터와 발진기
US8256685B2 (en) * 2009-06-30 2012-09-04 International Business Machines Corporation Compact millimeter wave packages with integrated antennas
KR101256556B1 (ko) * 2009-09-08 2013-04-19 한국전자통신연구원 밀리미터파 대역 패치 안테나
JP5467851B2 (ja) * 2009-12-07 2014-04-09 日本無線株式会社 マイクロストリップ線路−導波管変換器
US8169060B2 (en) * 2010-03-29 2012-05-01 Infineon Technologies Ag Integrated circuit package assembly including wave guide
JP5636834B2 (ja) * 2010-09-10 2014-12-10 富士通株式会社 高周波回路用パッケージ及び高周波回路装置
JP5358544B2 (ja) 2010-09-22 2013-12-04 日立オートモティブシステムズ株式会社 電子制御装置
KR101761920B1 (ko) * 2011-02-16 2017-07-26 삼성전기주식회사 유전체 도파관 안테나
US8912634B2 (en) * 2012-03-29 2014-12-16 International Business Machines Corporation High frequency transition matching in an electronic package for millimeter wave semiconductor dies
US9960468B2 (en) * 2012-09-07 2018-05-01 Remec Broadband Wireless Networks, Llc Metalized molded plastic components for millimeter wave electronics and method for manufacture
JP5921586B2 (ja) * 2014-02-07 2016-05-24 株式会社東芝 ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4575247B2 (ja) * 2005-07-11 2010-11-04 株式会社東芝 高周波パッケージ装置

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