KR20050055204A - 도파관 연결 장치 - Google Patents

도파관 연결 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20050055204A
KR20050055204A KR1020030088259A KR20030088259A KR20050055204A KR 20050055204 A KR20050055204 A KR 20050055204A KR 1020030088259 A KR1020030088259 A KR 1020030088259A KR 20030088259 A KR20030088259 A KR 20030088259A KR 20050055204 A KR20050055204 A KR 20050055204A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
waveguide
housing
signal
connection
curved
Prior art date
Application number
KR1020030088259A
Other languages
English (en)
Inventor
장우진
김해천
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020030088259A priority Critical patent/KR20050055204A/ko
Priority to US10/788,435 priority patent/US7106153B2/en
Publication of KR20050055204A publication Critical patent/KR20050055204A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/12—Hollow waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/02—Bends; Corners; Twists
    • H01P1/022—Bends; Corners; Twists in waveguides of polygonal cross-section
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/04—Fixed joints
    • H01P1/042—Hollow waveguide joints

Landscapes

  • Waveguides (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)

Abstract

본 발명은 도파관이 직각으로 연결되는 부분에서 모서리인 불연속 지점에 의해 발생하는 비정합에 의해 신호의 반사 및 손실이 일어나는 것을 감소시키기 위하여 직각으로 연결되는 부분을 곡면 구조로 제작하여 신호의 반사 및 손실을 개선시키기 위한 것이다.
본 발명에 따르면, 도파관 구조를 갖는 초고주파 패키지 내부의 상호연결을 위한 저손실의 도파관 연결장치을 구현가능하고, 동일 칩과 동일 구조에서 기존 방법에 비해 우수한 성능의 패키지 제품을 생산할 수 있다.

Description

도파관 연결 장치{waveguide interconnection apparatus}
본 발명은 초고주파 회로 패키지 내부의 도파관 상호연결시 저손실을 구현한 도파관 연결장치에 관한 것으로서, 도파관이 직각으로 연결되는 부분에서 모서리인 불연속 지점에 의해 발생하는 비정합에 의해 신호의 반사 및 손실이 일어나는 것을 감소시키기 위하여 직각으로 연결되는 부분을 곡면 구조로 제작하여 신호의 반사 및 손실을 개선시키기 위한 것이다.
종래 기술에 의한 도파관 연결장치에서는 2개의 도파관을 직각 부분에서 연결할 때 모서리가 생김으로 인하여 발생하는 불연속성이 신호의 반사를 발생시키고 이로 인하여 신호의 손실을 가져온다. 이와 같은 손실을 줄이기 위해 신호전달의 불연속 지점이 생기지 않도록 하고자 두 개의 도파관을 직각 부분에서 연결할 때 곡면으로 처리하였다. 본 발명에서 제안한 방법을 적용하여 동일 칩과 동일 구조에서 기존 방법에 비해 우수한 성능의 패키지 제품을 생산하기 위함이다.
종래 기술에 의한 도파관 연결장치는 미국특허 제5,929,728호에 개시되어 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 종래 기술에 의한 도파관 연결장치를 설명한다. 도 1a는 종래 기술에 의한 도파관 연결장치의 개략적인 구성도이고, 도 1b는 종래 기술에 의한 도파관 연결장치의 연결구조의 상세 구성도이다.
도 1a를 참조하면, 종래 기술의 도파관 연결장치는 상단 하우징(10), 중앙 하우징(20) 및 하단 하우징(30)을 포함하여 구성되고, 연결 부위 2개가 서로 90도 꺾이는 부분이 발생하는 구조이다. 또한, 상단 하우징(10)에는 상부 도파관(10a), 중앙 하우징(20)에는 중앙 도파관(20a), 그리고 하단 하우징(30)에는 하단 도파관(30a)가 포함되어 있다.
종래 기술에 의한 도파관 연결장치의 단면도를 통해서 초고주파 신호의 흐름을 살펴보면, 예컨대 초고주파 신호는 외부가 도체로 되어 있는 구조물이 있는 상태에서 도파관을 통하여 이동하게 되는데 상단 하우징(10)의 상단 도파관(10a)로 신호가 입력되면 중앙 하우징(20)의 중앙 도파관(20a)를 지나서 하단 하우징(30)의 도파관(30a)를 지나면서 신호가 전달된다.
이 때 신호가 전달되는 과정 중에서 상단 하우징(100)의 도파관(10a)와 중앙 하우징(20)의 도파관20a), 하단 하우징(30)의 도파관(30a)가 만나는 부분에서 모서리 지점이 발생하게 된다.
이와 같은 모서리는 신호의 전달에 있어서 불연속 지점이 되어 이로 인한 비정합에 의해 신호의 반사 및 손실이 발생하게 된다. 즉, 종래 기술에 의한 도파관 연결장치를 사용하면 위와 같은 불연속 지점이 발생하게 되고 불연속 지점은 신호의 비정합을 일으키고 일정량의 신호 감쇄가 발생하는 도파관 구조가 된다.
한편, 상단 하우징(10), 중앙 하우징(20) 및 하단 하우징(30)은 도체로 된 직육면체의 구조물에 직육면체의 도파관을 뚫어서 간단하고 저렴하게 제작할 수 있으며, 따라서 작은 크기의 구조물로 제작이 가능하다는 장점이 있다.
그러나, 이와 같이 제작한 종래 기술에 의한 도파관 연결장치는 도파관의 불연속 지점에서 발생하는 비정합에 의해 신호의 반사 및 손실이 존재하게 되는데 이라한 요인으로 인해 반도체 칩의 본래 성능을 저하시키게 된다.
도파관 구조를 갖는 패키지 내부의 도파관들의 상호 연결을 위하여 기존 방법에 의하면 도파관이 직각으로 연결되는 부분에서 모서리인 불연속 지점에 의해 발생하는 비정합에 의해 신호의 반사 및 손실이 일어나게 된다.
상술한 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명의 목적은 도파관 연결장치의 불연속 지점이 생기지 않도록 2 개의 도파관을 직각 부분에서 연결할 때 곡면으로 처리한 도파관 연결장치를 제공하는 것이다.
이와 같이 제작함으로써 제작공정은 조금 복잡해지지만 불연속 지점에 의해 발생하는 비정합에 의해 신호의 반사 및 손실을 감소시켜서 반도체 칩이 가지는 본래의 성능을 그대로 갖는 패키지를 제작하기 위한 것이다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 기술적 수단으로서 본 발명의 일측면은 내부에 제 1 도파관을 구비한 제 1 하우징; 제 1 도파관에 연결된 제 2 도파관을 구비한 제 2 하우징; 및 제 2 도파관에 연결된 제 3 하우징을 구비한 제 3 하우징을 포함하고, 제 1 도파관으로부터 상기 제 2 도파관을 거쳐 상기 제 3 도파관으로 전달되는 신호는 각 도파관의 연결부위을 통과할 때 소정각을 가지고 반사되어 전달되되, 제 1 도파관과 상기 제 2 도파관 사이의 내측 연결부위와 외측 연결부위, 상기 제 2 도파관과 상기 제 3 도파관 사이의 내측 연결부위와 외측 연결부위 중 적어도 하나는 곡선으로 처리되어 있는 도파관 연결 장치를 제공한다.
본 발명의 다른 측면은 제 1 도파관을 구비한 제 1 하우징; 제1 도파관에 연결된 제 2 도파관을 구비한 제2 하우징을 포함하고, 제 1 도파관으로부터 상기 제 2 도파관으로 전달되는 신호는 도파관의 연결부위을 통과할 때 소정각을 가지고 반사되어 전달되되, 제 1 도파관과 상기 제 2 도파관 사이의 내측 연결부위와 외측 연결부위 중 적어도 하나는 곡선으로 처리되어 있는 도파관 연결 장치를 제공한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 도파관 연결장치를 설명한다. 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 도파관 연결장치의 개략적인 단면도이고, 도 3은 도 2의 도파관 연결장치의 제작예의 상세 구성도이고, 도 4는 도 2의 도파관 연결장치의 패키징 상태를 도시하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 도파관 연결장치는 제 1 하우징(101), 제 2 하우징(102,103,104) 및 제 3 하우징(105)을 포함하여 구성되고, 제 1 하우징(101)에는 제 1 도파관(101a), 제 2 하우징(102,103,104)에는 제 2 도파관(102a,103a,104a), 그리고 제 3 하우징(105)에는 제 3 도파관(105a)가 포함되어 있다. 제 1 도파관(101a)으로부터 제 2 도파관(102a,103a,104a)을 거쳐 제 3 도파관(105a)으로 전달되는 신호는 각 도파관의 연결부위을 통과할 때 소정각을 가지고 반사되어 전달된다.
또한, 제 1 도파관(101a)과 제 2 도파관(102a,103a,104a) 사이의 내측 연결부위(A)와 외측 연결부위(B), 제 2 도파관(102a,103a,104a)과 제 3 도파관(105a) 사이의 내측 연결부위(C)와 외측 연결부위(D) 중 적어도 하나는 곡선으로 처리되어 있다. 도시의 편의를 위해, 도 2에는 연결 부위 2개의 각각의 내측 연결부위(A,C)와 외측 연결부위(B,D)는 모두 곡선으로 처리되어 있는 구조이다.
도 2에 도시된 바와 같이 내측 연결부위는 신호가 진행하는 입장에서 상대적으로 작은원에 해당하는 곡선을 의미하고, 외측 연결부위는 신호가 진행하는 입장에서 상대적으로 큰원에 해당하는 곡선을 의미한다.
이 때 신호가 전달되는 과정 중에서 모서리 부분인 불연속 지점을 없애기 위하여 제 2 하우징을 3개 부분으로 나누어 90도 꺾이는 부분인 모서리 지점을 곡면으로 처리한다. 즉, 제 2 하우징의 제 1 부분(102)의 도파관(102a)과 제 2 부분(104)의 도파관(104a)을 곡면으로 처리하여 불연속 지점을 제거하고 신호의 반사 및 손실의 발생을 최소화 하도록 한다.
이와 같은 도파관 연결장치에서의 신호 흐름을 살펴보면, 예컨대 초고주파 신호는 외부가 도체로 되어 있는 구조물이 있는 상태에서 도파관을 통하여 이동하게 되어, 제 1 하우징(101)의 제 1 도파관(101a)로 신호가 입력되면 제 2 하우징(102,103,104)의 제 2 도파관(102a,103a,104a)를 지나서 제 3 하우징(105)의 제 3 도파관(105a)로 초고주파 신호가 전달된다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 도파관 연결장치의 제작일예의 상세 구성도이다. 본 도파관 연결장치는 제 1 하우징(101)과 제 2 하우징의 제1 부분(102), 제 1 부분 덮개(102b), 제 2 하우징의 제2 부분(103), 제 2 부분 덮개(102b), 제 2 하우징의 제3 부분(104), 제 3 부분 덮개(104b)를 포함하여 구성된다.
도 3을 참조하면, 제1 하우징(101),제 2 하우징의 제2 부분(103) 및 제 3 하우징(105)는 도체로 된 직육면체의 구조물에 직육면체의 도파관을 뚫어서 제작할 수 있고, 제 2 하우징의 제1 부분(102)과 제 3부분(104)는 도파관(102a,104a)을 곡면으로 제작한 다음 각각 덮개(102b), 덮개(104b)를 결합하여 제작한다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 도파관 연결장치의 패키징을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 제 2 하우징(201)위에 접착제(202a,202b)를 부가하고 그 위에 마이크로스트립-도파관 전이를 위한 PCB(203a,203b)를 올려서 일정 온도와 일정시간을 가하여 제 2 하우징(201)에 부착한다. 그 후, PCB(203a,203b) 위에 반도체칩(205)을 플립칩 본딩하기 위한 접착 고형물(204a,204b)를 올린다.
다음으로, 반도체칩(205)을 반도체의 상면이 하부 방향으로 향하도록 뒤집어서 PCB(203a,203b)와 플립칩 본딩을 수행한다. 다음으로 제 2 하우징(201)과 제 1 하우징(206)을 결합시키고 제 3 하우징(207)을 결합시키고 하우징 덮개를 덮으면 패키지 제작이 완료된다. 한편, 외부 구조물과 연결하기 위하여 도파관 구조물(208,209)를 연결한다.
도 4를 참조하여 초고주파 신호의 흐름을 살펴보면, 도파관 구조물의 도파관(208a)로 입력된 신호는 제 3 하우징(207)의 도파관(207a)로 전달되고 제 2 하우징(201)의 도파관(201a)을 지나서 마이크로스트립 전이를 위한 PCB(203a)로 전달되면서 도파관의 신호는 마이크로스트립 라인의 신호 형태로 바뀌게 되며 PCB의 마이크로스트립 라인을 지나게 되고 접착 고형물(204a)를 지나서 반도체칩(205)에 신호가 전달된다.
반도체칩(205)의 성능을 갖게 된 신호는 접착 고형물(204b)을 지나서 마이크로스트립에서 도파관 전이를 위한 PCB(203b)로 전달되어 PCB의 마이크로스트립 라인을 지나게 되고 마이크로스트립 라인의 신호가 도파관 신호로 바뀌면서 제 1 하우징(206)의 도파관(206a)과 제 2 하우징(201)의 도파관(201b)로 전달되고 도파관 구조물의 도파관(209a)으로 신호가 출력된다.
이와 같은 본 발명의 패키지는 도파관의 연결부분에서 불연속 지점이 존재하지 않도록 곡면처리 되어 신호의 반사 및 손실이 기존 방법에 비하여 매우 작으며 반도체 칩의 본래 성능을 그대로 유지하게 된다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 도파관 연결장치의 개략적인 단면도이고, 도 6은 도 5의 도파관 연결장치의 제작예의 상세 구성도이고, 도 7은 도 5의 도파관 연결장치의 패키징 상태를 도시하기 위한 도면이다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 도파관 연결장치는 제작 과정을 더욱 간단하고 패키지의 크기를 감소시키기 위해 도 2의 도파관 연결장치에 비해 간단한 구조를 가지는 것에 특징이 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 도파관 연결장치는 제 1 하우징(301), 제 2 하우징(302) 및 제 3 하우징(303)을 포함하여 구성되고, 연결 부위 2개가 서로 90도의 사각형 형상으로 꺾이지 않도록 곡선으로 처리되어 있는 구조이다. 제 1 하우징(101)에는 제 1 도파관(301a), 제 2 하우징(302)에는 제 2 도파관(302a), 그리고 제 3 하우징(303)에는 제 3 도파관(303a)이 포함되어 있다.
도 5을 참조하여 본 도파관 연결장치에서의 신호 흐름을 살펴보면, 제 1 하우징(301)의 도파관(301a)로 신호가 입력되면 제 2 하우징(302)의 제 2 도파관(302a)를 지나서 제 3 하우징(303)의 제 3 도파관(303a)를 지나면서 초고주파 신호가 전달된다. 이 때 신호가 전달되는 과정 중에서 제 1 하우징(301)의 도파관(301a)의 우측부분과 중앙 하우징(302)의 도파관(302a)이 만나는 내측연결 부위(A)에서는 불연속 지점이 발생하지만, 제 1 하우징(301)의 도파관(301a)의 좌측부분과 제 2 하우징(302)의 도파관(302a)이 만나는 외측연결부위(B) 에서는 불연속 지점이 발생하지 않는다.
또한, 제 3 하우징의 도파관(303a)의 좌측 부분과 제 2 하우징의 제 2 도파관(302a)가 만나는 내측 연결부위(C)에서는 불연속 지점이 발생하지만, 제 2 하우징의 제 2 도파관(302a)의 우측 부분과 제 2 하우징의 도파관(302a)가 만나는 외측연결부분(D)에서는 불연속 지점이 발생하지 않는다.
제 2 실시예에 따르면, 불연속 지점을 곡면으로 처리하여 비정합에 의한 신호의 감쇄가 일어나지 않는다는 점과 간단한 제작 방법, 패키지의 소형화, 저가격의 장점을 모두 얻을 수 있기 위해 발명된 것이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 도파관 연결장치의 제작예의 상세 구성도이다. 본 도파관 연결장치는 제1 하우징(301), 제 2 하우징(302) 및 제 3 하우징(303)을 포함하여 구성된다. 이 구조는 제 1 하우징(301), 제 2 하우징(302) 및 제 3 하우징(303)이 상호 연결되어 2개의 90도 꺾이는 부분이 발생하는 구조이다. 제 1 하우징(301)과 제 2 하우징(302), 제 3 하우징(303)은 도체로 된 직육면체의 구조물에 직육면체의 도파관을 뚫어서 간단하고 저렴하게 제작할 수 있으며, 작은 크기의 구조물로 제작이 가능하다는 장점이 있다.
도 7은 도 5의 도파관 연결장치의 패키징 상태를 도시하기 위한 도면이다. 이 패키징의 제작과정은 제 2 하우징(401)위에 PCB(403a,403b)를 고정할 접착제(402a,402b)를 올리고 그 위에 마이크로스트립-도파관 전이를 위한 PCB (403a,403b)를 올려서 일정온도와 일정시간을 가하여 중앙 하우징(401)에 붙이고 PCB(403a,403b)위에 반도체칩(405)을 플립칩 본딩하기 위한 접착 고형물(404a, 404b)를 부착한다.
다음으로 반도체칩(405)를 반도체 윗면이 아랫방향으로 향하도록 뒤집어서 PCB(403a,403b)와 플립칩 본딩을 한다. 다음으로 제 2 하우징(401)과 제 1 하우징(406)을 결합시키고 제 3 하우징(407)을 결합시키면 패키지 제작이 완료된다. 외부 구조물과 연결하기 위하여 도파관 구조물(408, 409)를 연결한다.
도 7을 참조하여 초고주파 신호의 흐름을 살펴보면, 도파관 구조물의 도파관(408a)으로 입력된 신호는 제 3 하우징의 도파관(407a)으로 전달되고 도파관(601a)을 지나서 마이크로스트립 전이를 위한 PCB(403a)로 전달되면서 도파관의 신호는 마이크로스트립 라인의 신호 형태로 바뀌게되며 PCB의 마이크로스트립 라인을 지나게 되고 접착 고형물(404a)를 지나서 반도체칩(405)에 신호가 전달된다.
반도체칩(305)의 성능을 갖게 된 신호는 접착 고형물(404b)를 지나서 마이크로스트립에서 도파관 전이를 위한 PCB(403b)로 전달되어 PCB의 마이크로스트립 라인을 지나게 되고 마이크로스트립 라인의 신호가 도파관 신호로 바뀌면서 도파관(401b)를 지나서 제 3 하우징의 도파관(407b)로 전달되고 도파관 구조물의 도파관(409a)로 신호가 출력된다.
이와 같은 방법으로 패키지를 제작할 경우는 제작과정이 간단하고 크기가 작고 저렴하게 제작할 수 있으며 패키지에 의한 손실을 종래 기술에 의한 제조방법보다 개선할 수 있다.
한편, 제 2 실시예에 따른 도파관 연결장치는 종래 기술에 비해서는 불연속 지점이 감소하였지만 제 1 실시예에 비해서는 불연속점이 많아서, 성능면에서는 종래 기술 < 제2 실시예 < 제1 실시예의 순이고, 제작의 복잡성 면에서는 종래 기술 < 제1 실시예 < 제2 실시예의 순이고, 제품의 가격 면에서도 종래 기술 < 제1 실시예 < 제2 실시예의 순이다.
한편, 본 발명의 변형예에 따르면, 제 1 도파관을 구비한 제 1 하우징과 제1 도파관에 연결된 제 2 도파관을 구비한 제2 하우징을 포함하고, 제 1 도파관으로부터 제 2 도파관으로 전달되는 신호는 도파관의 연결부위을 통과할 때 소정각을 가지고 반사되어 전달되되, 제 1 도파관과 제 2 도파관 사이의 내측 연결부위와 외측 연결부위 중 적어도 하나는 곡선으로 처리되어 구성될 수 있다. 이 경우, 제 2 하우징은 도체로 된 직육면체의 구조물의 일면에 도파관을 곡면으로 제작한 다음 덮개를 결합하여 제작가능할 것이다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이, 도파관이 직각으로 연결되는 부분에서 모서리인 불연속 지점에 의해 발생하는 비정합에 의해 신호의 반사 및 손실이 일어나는 문제점을 해결하고자 본 발명에서는 신호전달의 불연속 지점이 생기지 않도록 두 개의 도파관을 직각 부분에서 연결할 때 곡면으로 처리하였다.
이와 같은 제작방법에 의해서 불연속 지점에 의해 발생하는 비정합에 의해 신호의 반사 및 손실을 감소시켜서 반도체 칩이 가지는 본래의 성능을 그대로 갖는 패키지를 제작할 수 있게 되는 효과가 있다.
도 1a는 종래 기술에 의한 도파관 연결장치의 개략적인 구성도이다.
도 1b는 종래 기술에 의한 도파관 연결장치의 연결구조의 상세 구성도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 도파관 연결장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2의 도파관 연결장치의 제작예의 상세 구성도이다.
도 4는 도 2의 도파관 연결장치의 패키징 상태를 도시하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 도파관 연결장치의 개략적인 단면도이다.
도 6은 도 5의 도파관 연결장치의 제작예의 상세 구성도이다.
도 7은 도 5의 도파관 연결장치의 패키징 상태를 도시하기 위한 도면이다.

Claims (11)

  1. 내부에 제 1 도파관을 구비한 제 1 하우징;
    상기 제 1 도파관에 연결된 제 2 도파관을 구비한 제 2 하우징; 및
    상기 제 2 도파관에 연결된 제 3 하우징을 구비한 제 3 하우징을 포함하고,
    상기 제 1 도파관으로부터 상기 제 2 도파관을 거쳐 상기 제 3 도파관으로 전달되는 신호는 각 도파관의 연결부위을 통과할 때 소정각을 가지고 반사되어 전달되되,
    상기 제 1 도파관과 상기 제 2 도파관 사이의 내측 연결부위와 외측 연결부위, 상기 제 2 도파관과 상기 제 3 도파관 사이의 내측 연결부위와 외측 연결부위 중 적어도 하나는 곡선으로 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 도파관 연결 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 신호는 초고주파 신호인 것을 특징으로 하는 도파관 연결 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 도파관은 상기 제 1 도파관과 연결된 제1 부분, 상기 제1 부분과 연결된 제 2 부분 및 상기 제 2 부분 및 상기 제 3 도파관과 연결된 제3 부분으로 분리되어 구성되는 것을 특징으로 하는 도파관 연결 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 부분은 곡선형, 상기 제 2부분은 직선형, 상기 제3 부분은 곡선형으로 구성된 것을 특징으로 하는 도파관 연결 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 하우징 및 상기 제 3 하우징은 도체로 된 직육면체의 구조물에 직육면체의 도파관을 뚫어서 제작한 것을 특징으로 하는 도파관 연결 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 하우징은 도체로 된 직육면체의 구조물에 직육면체의 도파관을 뚫어서 제작하는 것을 특징으로 하는 도파관 연결 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 도파관과 상기 제 2 도파관 사이의 내측 연결부위와 외측 연결부위 중 외측 연결부위 만 곡선으로 처리되고, 상기 제 2 도파관과 상기 제 3 도파관 사이의 내측 연결부위와 외측 연결부위 중 외측 연결부위만 곡선으로 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 도파관 연결 장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 부분 및 상기 제 3부분은 도체로 된 직육면체의 구조물의 일면에 도파관을 곡면으로 제작한 다음 덮개를 결합하여 제작하는 것을 특징으로 하는 도파관 연결 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 도파관과 상기 제 2 도파관 사이의 내측 연결부위와 외측 연결부위 모두가 곡선으로 처리되고, 상기 제 2 도파관과 상기 제 3 도파관 사이의 내측 연결부위와 외측 연결부위 모두가 곡선으로 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 도파관 연결 장치.
  10. 제 1 도파관을 구비한 제 1 하우징;
    상기 제1 도파관에 연결된 제 2 도파관을 구비한 제2 하우징을 포함하고,
    상기 제 1 도파관으로부터 상기 제 2 도파관으로 전달되는 신호는 도파관의 연결부위을 통과할 때 소정각을 가지고 반사되어 전달되되,
    상기 제 1 도파관과 상기 제 2 도파관 사이의 내측 연결부위와 외측 연결부위 중 적어도 하나는 곡선으로 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 도파관 연결 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 하우징은 도체로 된 직육면체의 구조물의 일면에 도파관을 곡면으로 제작한 다음 덮개를 결합하여 제작하는 것을 특징으로 하는 도파관 연결 장치.
KR1020030088259A 2003-12-05 2003-12-05 도파관 연결 장치 KR20050055204A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030088259A KR20050055204A (ko) 2003-12-05 2003-12-05 도파관 연결 장치
US10/788,435 US7106153B2 (en) 2003-12-05 2004-03-01 Waveguide interconnection apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030088259A KR20050055204A (ko) 2003-12-05 2003-12-05 도파관 연결 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050055204A true KR20050055204A (ko) 2005-06-13

Family

ID=33411804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030088259A KR20050055204A (ko) 2003-12-05 2003-12-05 도파관 연결 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7106153B2 (ko)
KR (1) KR20050055204A (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100653653B1 (ko) * 2005-12-12 2006-12-06 한국전자통신연구원 수십㎓ 대역에서 ｒｆ의 진행방향을 변경할 수 있도록개선된 코플래너 웨이브가이드 및 이를 적용한 광통신용모듈
US9343793B2 (en) 2014-02-07 2016-05-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Millimeter wave bands semiconductor package
US9343794B2 (en) 2014-02-07 2016-05-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Millimeter wave bands semiconductor package
US9536843B2 (en) 2013-12-25 2017-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor package and semiconductor module

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8598961B2 (en) * 2008-04-16 2013-12-03 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Waveguide transition for connecting U-shaped surface mounted waveguide parts through a dielectric carrier
US9406987B2 (en) * 2013-07-23 2016-08-02 Honeywell International Inc. Twist for connecting orthogonal waveguides in a single housing structure
JP5921586B2 (ja) * 2014-02-07 2016-05-24 株式会社東芝 ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置
JP6526509B2 (ja) * 2015-07-23 2019-06-05 株式会社東芝 導波管ベンドおよび無線機器
US10490874B2 (en) * 2016-03-18 2019-11-26 Te Connectivity Corporation Board to board contactless interconnect system using waveguide sections connected by conductive gaskets
EP3282516B1 (en) * 2016-08-11 2023-07-12 Microelectronics Technology Inc. Waveguide transition structure for receiving satellite signals
US10193227B2 (en) 2016-08-11 2019-01-29 Microelectronics Technology, Inc. Waveguide transition structure for receiving satellite signals
CN107039712A (zh) * 2017-04-26 2017-08-11 电子科技大学 一种适用于te1,1模回旋行波管的紧凑型过模波导弯头

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3072870A (en) * 1960-07-21 1963-01-08 Microwave Ass Rectangular waveguide bend
US3452306A (en) * 1966-07-25 1969-06-24 Microwave Ass Prefabricated waveguide corner
US3686596A (en) * 1971-03-08 1972-08-22 Bunker Ramo Double mitered compensated waveguide bend
DE58906933D1 (de) * 1988-09-22 1994-03-24 Ant Nachrichtentech Anordnung zur Schaffung eines Messsignalzugangs zu einer Hohlleiteranordnung.
US5453154A (en) 1991-10-21 1995-09-26 National Semiconductor Corporation Method of making an integrated circuit microwave interconnect and components
US5381596A (en) 1993-02-23 1995-01-17 E-Systems, Inc. Apparatus and method of manufacturing a 3-dimensional waveguide
JPH07221223A (ja) * 1994-02-03 1995-08-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置，及び混成集積回路装置
US5929728A (en) 1997-06-25 1999-07-27 Hewlett-Packard Company Imbedded waveguide structures for a microwave circuit package
JP2001036301A (ja) * 1999-07-23 2001-02-09 Alps Electric Co Ltd 円導波管
US6274858B1 (en) * 2000-06-01 2001-08-14 The Ferrite Company Bends in a compact circularly polarized microwave feed

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100653653B1 (ko) * 2005-12-12 2006-12-06 한국전자통신연구원 수십㎓ 대역에서 ｒｆ의 진행방향을 변경할 수 있도록개선된 코플래너 웨이브가이드 및 이를 적용한 광통신용모듈
US9536843B2 (en) 2013-12-25 2017-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor package and semiconductor module
US9343793B2 (en) 2014-02-07 2016-05-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Millimeter wave bands semiconductor package
US9343794B2 (en) 2014-02-07 2016-05-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Millimeter wave bands semiconductor package

Also Published As

Publication number Publication date
US7106153B2 (en) 2006-09-12
US20040227597A1 (en) 2004-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20050055204A (ko) 도파관 연결 장치
US6985048B2 (en) Surface acoustic wave apparatus and communication apparatus
US9265140B2 (en) Structure for connecting electrical trace lines of printed circuit boards and optical transceiver module with the same
JP2002090586A (ja) 光・電子回路モジュール及びその製造方法
US5532658A (en) Mounting structure for electronic component
JP2001308130A (ja) 高周波回路及びそれを実装したモジュール、通信機
US20050082687A1 (en) High-speed signaling interface and method for communicating across across an interface
JP4535286B2 (ja) 弾性表面波素子および当該素子を備えた弾性表面波装置
US6639322B1 (en) Flip-chip transition interface structure
CN111640682A (zh) 分离器件金丝键合过渡结构
JPH0716427U (ja) 弾性表面波フィルタ共用器
JPWO2013042756A1 (ja) 方向性結合器及びそれを用いた位相差制御方法
WO2020088327A1 (zh) 一种平衡-不平衡变换装置、通信器件及通信系统
US20230352315A1 (en) Substrate-integrated waveguide
WO2023155638A1 (zh) 一种光器件、光模块及通信设备
JP7468279B2 (ja) 光変調器とそれを用いた光送信装置
US8970017B1 (en) High frequency monolithic microwave integrated circuit connection
JP5760724B2 (ja) 信号変換器および回路モジュール
JPS6297344A (ja) ミキサダイオ−ドの実装構造
JPH06140871A (ja) 積層型多段縦続接続多重モ−ド圧電フィルタ
JP2005102328A (ja) 弾性表面波装置
JP2616469B2 (ja) 半導体レーザモジュール
JP2788938B2 (ja) 高周波用フレキシブル配線板
JP3981503B2 (ja) 電源供給線路構造
JPH07283340A (ja) 半導体チップ実装用パッケージおよびそれを有する半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application