KR101580415B1 - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

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마나부 오쿠타니
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Abstract

기판 처리 방법은, 미세 패턴이 형성되고, 기판 유지 유닛에 수평 자세로 유지되어 있는 기판의 상면에, 린스액을 공급하는 린스 공정과, 상기 미세 패턴의 간극을 포함하는 기판의 상면에 부착된 린스액을, 린스액보다도 표면장력이 낮은 소정의 액체의 유기 용매로 치환시키기 위해서, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면에 상기 유기 용매를 공급함으로써 상기 상면에 상기 유기 용매의 액막을 형성하는 유기 용매 공급 공정과, 상기 유기 용매 공급 공정의 개시 후에 실행되고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면을 상기 유기 용매의 비점보다도 높은 소정의 고온으로 유지함으로써, 상기 미세 패턴의 간극을 포함하는 상기 기판의 상면 전체면에 있어서 상기 유기 용매의 기상막을 형성함과 더불어 상기 기상막의 상방에 상기 유기 용매의 액막을 형성하는 고온 유지 공정과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면으로부터, 상기 유기 용매의 액막을 배제하는 유기 용매 배제 공정을 포함한다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}
이 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 표면에 처리액을 공급하여, 그 기판의 표면이 처리액을 이용하여 처리된다.
예를 들면, 기판을 1장씩 처리하는 매엽식 기판 처리 장치는, 기판을 거의 수평하게 유지하면서, 그 기판을 회전시키는 스핀 척과, 이 스핀 척에 의해 회전되는 기판의 표면에 처리액을 공급하기 위한 노즐을 구비하고 있다. 스핀 척에 유지된 기판에 대해 약액이 공급되고, 그 다음에 순수가 공급됨으로써, 기판 상의 약액이 순수로 치환된다. 그 다음에, 기판 상의 순수를 배제하기 위한 스핀 건조 처리가 행해진다. 스핀 건조 처리에서는, 기판이 고속 회전됨으로써 기판에 부착되어 있는 순수가 뿌려져 제거(건조)된다. 이러한 건조 처리의 수법에서는, 기판의 표면에 형성되어 있는 패턴의 간극에 들어간 순수가 뿌려지지 않아, 패턴의 간극에 순수가 잔류할 우려가 있다.
그 때문에, 순수에 의한 린스 처리가 행해진 후의 기판의 표면에 상온의 이소프로필알코올(isopropyl alcohol：IPA)액 등의 유기 용매를 공급하여, 기판 표면의 미세 패턴의 간극에 들어간 순수를 유기 용매로 치환하고, 기판의 표면을 건조시키는 수법이 제안되어 있다(예를 들어 US5882433A 참조).
그런데, 스핀 드라이시에는, 인접하는 패턴끼리가 서로 끌어당겨 접촉하여, 패턴 도괴에 이르는 경우가 있다. 그 원인 중 하나는, 인접하는 패턴간에 존재하는 액에 의한 표면장력에 있다고 추측된다. 스핀 드라이 전에 유기 용매를 기판에 공급하는 경우에는, 패턴간에 존재하는 것이 유기 용매이며, 그 표면장력이 낮기 때문에, 인접하는 패턴끼리가 서로 끌어당기는 힘을 약하게 함으로써, 패턴 도괴를 방지할 수 있다고 생각되고 있다.
그러나, 근년, 반도체 기판의 표면에는, 고집적화를 위해서, 미세하고 또한 애스펙트비가 높은 미세 패턴(볼록 형상 패턴, 라인 형상의 패턴 등)이 형성되어 있다. 미세하고 고애스펙트비의 미세 패턴은 도괴되기 쉽기 때문에, 이러한 기판을 세정할 때에는 스핀 드라이 전에 유기 용매를 기판의 표면에 공급하는 것만으로는 스핀 드라이시의 패턴 도괴를 충분히 억제하는 것이 곤란한 경우가 있다.
그래서, 본 발명의 목적은, 미세하고 고애스펙트비의 미세 패턴이 상면에 형성된 기판을 세정하는 경우라도, 패턴의 도괴를 억제 또는 방지하면서, 기판의 상면을 양호하게 건조시킬 수 있는, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은, 미세 패턴이 형성되고, 기판 유지 유닛에 수평 자세로 유지되어 있는 기판의 상면에, 린스액을 공급하는 린스 공정과, 상기 미세 패턴의 간극을 포함하는 기판의 상면에 부착된 린스액을, 린스액보다도 표면장력이 낮은 소정의 액체의 유기 용매로 치환시키기 위해서, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면에 상기 유기 용매를 공급함으로써 상기 상면에 상기 유기 용매의 액막을 형성하는 유기 용매 공급 공정과, 상기 유기 용매 공급 공정의 개시 후에 실행되고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면을 상기 유기 용매의 비점보다도 높은 소정의 고온으로 유지함으로써, 상기 미세 패턴의 간극을 포함하는 상기 기판의 상면 전체면에 있어서 상기 유기 용매의 기상막을 형성함과 더불어 상기 기상막의 상방에 상기 유기 용매의 액막을 형성하는 고온 유지 공정과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면으로부터, 유기 용매의 액막을 배제하는 유기 용매 배제 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
이 방법에 의하면, 기판의 상면에 유기 용매를 공급함으로써, 미세 패턴의 간극에 존재하는 린스액이 유기 용매에 의해 치환된다. 이에 의해, 기판의 상면으로부터 린스액이 양호하게 제거된다.
그리고, 기판 상면으로의 유기 용매의 공급이 개시된 후, 기판의 상면을 유기 용매의 비점보다도 높은 소정의 온도로 유지한다. 이에 의해, 미세 패턴의 상방과 미세 패턴의 간극에 유기 용매의 기상막이 형성되고, 또한 유기 용매의 기상막의 상방에 유기 용매의 액막이 형성된다. 이 상태에서는, 미세 패턴의 간극에 있어서의 표면장력이 작아지므로, 이 표면장력에 기인하는 패턴 도괴가 발생하기 어려워진다. 이상에 의해, 미세하고 고애스펙트비의 미세 패턴이 형성된 기판을 세정하는 경우에 있어서도, 패턴의 도괴를 억제 또는 방지하면서 기판의 상면을 양호하게 건조시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 유기 용매 배제 공정은, 상기 고온 유지 공정의 종료에 앞서 실행 개시된다.
고온 유지 공정시에는, 유기 용매의 액막은, 기상막을 통해 기판의 상면으로부터 상방으로 분리되어 있다. 그 때문에, 유기 용매의 액막과 기판의 상면 사이에 거의 마찰력이 발생하지 않아, 유기 용매의 액막은 기판의 상면을 따라 이동하기 쉬운 상태에 있다.
고온 유지 공정의 종료에 앞서 유기 용매 배제 공정이 실행되므로, 유기 용매의 액막을 기판의 상면을 따라서 이동시켜 유기 용매의 액막을 비교적 용이하게 기판의 상면으로부터 배제할 수 있다. 이에 의해, 패턴의 도괴를 발생시키지 않고, 기판의 상면으로부터 유기 용매의 액막을 양호하게 배제할 수 있다.
상기 고온 유지 공정에 있어서의 기판 온도는, 상기 고온 유지 공정에 있어서 유기 용매의 비등을 방지할 수 있는 온도로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 유기 용매의 액막의 균열의 발생을 유효하게 방지할 수 있다.
상기 소정의 고온은, 상기 유기 용매의 비점보다도 10~50℃ 높아도 된다.
상기 고온 유지 공정에 있어서의 기판 온도, 및 상기 고온 유지 공정의 실행 시간 중 적어도 한쪽은, 상기 유기 용매의 기상막에 포함되는 기상의 유기 용매가, 상기 유기 용매의 액막을 뚫고 상기 액막 상으로 나오지 않는 온도 및 실행 시간으로 각각 설정되어 있어도 된다.
상기 고온 유지 공정에 있어서의 유기 용매의 막 두께는, 상기 고온 유지 공정에 있어서 유기 용매의 액막이 분열되지 않는 두께로 설정되어 있어도 된다. 이에 의해, 유기 용매의 액막의 균열의 발생을 유효하게 방지할 수 있다. 구체적으로는, 상기 고온 유지 공정에 있어서의 상기 유기 용매의 액막의 막 두께는, 상기 기판의 중심에 있어서 1~5mm로 설정되어 있어도 된다. 이 경우, 유기 용매의 액막의 균열의 발생을 유효하게 방지할 수 있다.
상기 고온 유지 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 회전시키면서 그 기판의 상면을 상기 소정의 고온으로 유지하는 것이며, 상기 고온 유지 공정에 있어서의 상기 기판의 회전 속도는, 10~500rpm으로 설정되어 있어도 된다. 이 경우, 유기 용매의 액막의 균열의 발생을 유효하게 방지할 수 있다.
상기 고온 유지 공정에 있어서 상기 유기 용매의 액막에 상기 유기 용매를 추가해도 된다. 이 경우, 유기 용매의 액막의 균열의 발생을 유효하게 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 유기 용매 공급 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면의 온도가 유기 용매의 비점 미만일 때 실행된다.
이 방법에 의하면, 유기 용매가 액상인 채로 기판의 상면에 공급된다. 그리고, 미세 패턴의 간극에 액상의 유기 용매가 들어간다. 유기 용매가 액상이므로, 미세 패턴의 간극에 존재하는 린스액을, 유기 용매에 의해 양호하게 치환할 수 있다. 이에 의해, 기판의 상면으로부터 린스액을 확실히 제거할 수 있다.
그리고, 유기 용매 공급 공정의 개시 후에 실행되는 고온 유지 공정에 있어서, 미세 패턴의 간극은 기상의 유기 용매로 채워진다. 이에 의해, 미세하고 고애스펙트비의 미세 패턴이 형성된 기판을 세정하는 경우에 있어서도, 패턴의 도괴를 억제 또는 방지하면서 기판의 상면을 양호하게 건조시킬 수 있다.
상기 기판 처리 방법은, 상기 고온 유지 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 상기 기판의 하방에 배치된 히터에 의해 가열하는 공정을 포함하고 있어도 된다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법은, 상기 유기 용매 배제 공정 후에, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 회전시켜 상기 기판을 건조시키는 스핀 드라이 공정을 더 포함한다.
이 방법에 의하면, 스핀 드라이 공정의 실행에 앞서, 기판의 상면으로부터 유기 용매가 배제된다. 유기 용매가 기판의 상면에 유기 용매가 존재하지 않는 상태로 스핀 드라이 공정이 실행되므로, 스핀 드라이 공정시에 패턴 무너짐이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
상기 유기 용매 배제 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 회전시키면서, 상기 기판의 상면의 회전 중심을 향해 기체를 토출하는 공정을 포함하고 있어도 된다.
상기 유기 용매 배제 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면을 향해 띠형상의 기체를 분사함과 더불어, 상기 기판의 상면에 있어서의 상기 기체를 분사하는 영역을 이동시키는 공정을 포함하고 있어도 된다.
상기 유기 용매 배제 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 수평에 대해 기울게 하는 공정을 포함하고 있어도 된다.
상기 유기 용매 배제 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 그 중앙 영역으로부터 둘레 가장자리부를 향해 차례로 가열하는 공정을 포함하고 있어도 된다.
본 발명은, 상면에 미세 패턴이 형성된 기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면에, 물보다도 표면장력이 낮은 소정의 유기 용매를 공급하기 위한 유기 용매 공급 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 하방에 배치되고, 상기 기판을 가열하기 위한 히터와, 상기 유기 용매 공급 유닛을 제어하여, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면에 상기 유기 용매를 공급하는 유기 용매 공급 제어 유닛과, 상기 히터를 제어하여, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 상기 유기 용매의 비점보다도 높은 소정의 고온으로 유지함으로써, 상기 미세 패턴의 간극을 포함하는 상기 기판의 상면 전체면에 있어서 상기 유기 용매의 기상막을 형성함과 더불어 상기 기상막의 상방에 상기 유기 용매의 액막을 형성하는 고온 유지 제어 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면으로부터, 상기 유기 용매를 배제하는 유기 용매 배제 제어 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 기판의 상면에 유기 용매를 공급함으로써, 미세 패턴의 간극에 존재하는 린스액이 유기 용매에 의해 치환된다. 이에 의해, 기판의 상면으로부터 린스액이 양호하게 제거된다.
그리고, 기판의 상면을 유기 용매의 비점보다도 높은 소정의 온도로 유지함으로써, 미세 패턴의 상방과 미세 패턴의 간극에 유기 용매의 기상막이 형성되고, 또한 유기 용매의 기상막의 상방에 유기 용매의 액막이 형성된다. 이 상태에서는, 미세 패턴의 간극에 있어서의 표면장력이 작아지므로, 이 표면장력에 기인하는 패턴 도괴가 발생하기 어려워진다. 이상에 의해, 미세하고 고애스펙트비의 미세 패턴이 형성된 기판을 세정하는 경우에 있어서도, 패턴의 도괴를 억제 또는 방지하면서 기판의 상면을 양호하게 건조시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치는, 개구를 갖는 컵 본체, 및 상기 개구를 폐색하는 덮개 부재를 갖고, 내부 공간이 외부로부터 밀폐된 밀폐 컵을 더 포함하고, 상기 기판 유지 유닛이 상기 내부 공간에 수용되어 있다.
이 구성에 의하면, 기판 유지 유닛이, 밀폐 컵의 내부 공간에 수용된다. 고온 환경하에서 유기 용매를 취급하므로, 기판 상에서 격렬한 반응이 생길 우려가 있다. 그러나, 이 기판이 기판 유지 유닛마다 밀폐 컵의 내부 공간에 수용되어 있으므로, 격렬한 반응은 밀폐 컵 내에서 그친다. 이에 의해, 기판 처리 장치에 있어서의 밀폐 컵 밖의 영역이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
상기 히터는, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 상기 기판의 하방으로부터 이격된 상태로 가열하기 위한 것이며, 상기 기판 처리 장치는, 상기 히터와 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판이 접근/이반하도록, 상기 히터 및 상기 기판 유지 유닛 중 적어도 한쪽을 승강시키는 승강 유닛을 더 포함하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 히터와, 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 간격을 변화시킬 수 있다. 그리고, 히터와 기판의 간격이 좁은 상태에서는, 히터에 의해 기판이 고온으로 가열된다. 이 상태에서, 히터와 기판의 간격을 크게 넓힘으로써, 기판으로의 가열량을 저감시킬 수 있어, 이에 따라, 기판을 즉시 냉각할 수 있다.
본 발명에 있어서의 상술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 기술하는 실시형태의 설명으로 밝혀진다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는, 도 1에 나타낸 기판 유지 회전 기구의 평면도이다.
도 3은, 도 1에 나타낸 내측 덮개의 저면도이다.
도 4a 및 도 4b는, 도 1에 나타낸 상측 및 하측 접촉 핀에 의한 웨이퍼의 지지를 설명하는 도면이다.
도 5는, 도 1에 나타낸 기판 처리 장치의 전기적 구성을 나타내는 블럭도이다.
도 6은, 도 1에 나타낸 기판 처리 장치에 의해 실행되는 에칭 처리의 일례에 대해서 설명하기 위한 공정도이다.
도 7a~도 7i는, 도 6의 처리예를 설명하기 위한 모식도이다.
도 8a~도 8d는, 도 6의 처리예에 있어서의 웨이퍼 상면 상태를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.
도 9는, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 10은, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 이용한 IPA 배제 공정을 나타내는 측면도이다.
도 11a~도 11c는, IPA 배제 공정의 일례를 설명하는 도면이다.
도 12a~도 12c는, IPA 배제 공정의 다른 예를 설명하는 도면이다.
도 13a~도 13c는, IPA 배제 공정의 또 다른 예를 설명하는 도면이다.
도 14a~도 14c는, IPA 배제 공정의 다른 예를 설명하는 도면이다.
도 15a~도 15c는, IPA 배제 공정의 다른 예를 설명하는 도면이다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
이 기판 처리 장치(1)는, 원형의 반도체 웨이퍼(W)(이하, 단순히 「웨이퍼(W)」라고 함)의 디바이스 형성 영역측의 표면에 대해 세정 처리의 일례로서의 에칭 처리를 실시하기 위한 매엽형 장치이다. 자연 산화막을 제거하기 위한 에칭 처리를, 기판 처리 장치(1)가 실행하는 경우에는, 에칭액으로서 예를 들면 희불산이 채용된다. 또, 희생막을 제거하기 위한 에칭 처리를, 기판 처리 장치(1)가 실행하는 경우에는, 에칭액으로서 예를 들면 농불산이나 TMAH(테트라메틸암모늄하이드로옥사이드) 등이 채용된다.
기판 처리 장치(1)는 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 처리 모듈(M1)을 갖고 있다. 처리 모듈(M1)은 격벽(2)에 의해 구획된 처리실(3) 내에, 웨이퍼(W)를 수평하게 유지하여 회전시키는 기판 유지 회전 기구(기판 유지 유닛)(4)와, 기판 유지 회전 기구(4)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 하면에 대향 배치되고, 웨이퍼(W)를 하방으로부터 가열하기 위한 히터(5)와, 기판 유지 회전 기구(4)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면(상면)에 에칭액을 토출하기 위한 에칭액 노즐(6)과, 기판 유지 회전 기구(4)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면에 린스액으로서의 DIW(탈이온수)를 토출하기 위한 린스액 노즐(7)과, 기판 유지 회전 기구(4)를 수용하는 하측 컵(컵 본체)(8)과, 하측 컵(8)의 개구(9)를 폐색하기 위한 덮개 부재(10)를 구비하고 있다. 덮개 부재(10)가 하측 컵(8)의 개구(9)를 폐색함으로써, 내부에 밀폐 공간을 갖는 밀폐 컵이 형성된다.
기판 유지 회전 기구(4)는, 웨이퍼(W)의 회전축선(연직축선)(C)과 동심의 회전 중심을 갖는, 수평 지지된 원환판형상의 회전 링(11)과, 회전 링(11)의 상면에 연직으로 세워져 설치된 복수개(예를 들어 6개)의 하측 접촉핀(12)을 구비하고 있다. 각 하측 접촉핀(12)은 원주형상을 이루고 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지한다. 회전 링(11)에는, 회전 링(11)을 회전축선(C) 둘레로 회전시키기 위한 링 회전 기구(13)가 결합되어 있다. 링 회전 기구(13)는, 예를 들면 모터 및 그것에 부수되는 전달 기구에 의해 구성되어 있다.
히터(5)는, 예를 들어 세라믹이나 탄화규소(SiC)제의 본체부에, 저항(16)이 매설된 저항식의 히터이다. 히터(5)는, 히터 지지대(17)에 의해 지지되고 있다.
히터(5)는, 수평 평탄한 원형의 상면(18)을 갖고, 원판형상을 이루고 있다. 히터(5)의 상면(18)은, 기판 유지 회전 기구(4)에 유지된 웨이퍼(W)의 하면의 둘레 가장자리부를 제외한 영역과 대향하고 있다. 저항(16)에 급전하여 발열시키면 상면(18)을 포함하는 히터(5) 전체가 발열한다. 히터(5)의 상면(18)의 전역에 있어서, 히터(5)의 온 상태에서의 단위면적당 발열량은 균일하게 설정되어 있다.
히터(5)는 회전 가능한 구성은 아니며, 따라서, 저항(16)으로의 급전을 위해서 회전 전기 접점이 불필요하다. 그 때문에, 히터(5)를 회전시키는 경우에 비해, 히터(5)로의 급전량이 제한되지 않는다. 이에 따라, 웨이퍼(W)를 원하는 고온까지 가열하는 것이 가능하다.
히터 지지대(17)에는, 히터 지지대(17)마다 히터(5)를 승강시키기 위한 히터 승강 기구(승강 유닛)(19)가 결합되어 있다. 히터(5)는, 히터 승강 기구(19)에 의해 수평 자세를 유지한 채로 승강된다. 히터 승강 기구(19)는, 예를 들어 볼나사나 모터에 의해 구성되어 있다. 히터 승강 기구(19)를 구동함으로써, 히터(5)는, 그 상면(18)이 웨이퍼(W)의 하면으로부터 하방으로 이반하는 하측 위치(이반 위치. 도 7a 등 참조)와, 히터(5)의 상면(18)이 웨이퍼(W)의 하면에 미소한 간격(W1)을 두고 대향 배치되는 상측 위치(근접 위치. 도 7f 등 참조) 사이에서 승강된다. 이와 같이 히터(5)와 웨이퍼(W)의 하면의 간격을 변경함으로써 히터(5)가 웨이퍼(W)에 부여하는 열량을 조정할 수 있다.
에칭액 노즐(6)은, 예를 들면 연속류 상태로 에칭액을 하방을 향해 토출하는 스트레이트 노즐이다. 에칭액 노즐(6)에는, 에칭액 공급원으로부터의 에칭액공급 통로가 되는 에칭액 공급관(21)이 접속되어 있다. 에칭액 공급관(21)에는, 에칭액의 공급을 개폐하기 위한 에칭액 밸브(22)가 개재되어 설치되어 있다. 에칭액 밸브(22)가 열리면, 에칭액 공급관(21)으로부터 에칭액 노즐(6)에 에칭액이 공급되고, 또, 에칭액 밸브(22)가 닫히면, 에칭액 공급관(21)으로부터 에칭액 노즐(6)로의 에칭액의 공급이 정지된다. 에칭액 노즐(6)에는, 에칭액 노즐 이동 기구(23)가 결합되어 있다. 에칭액 노즐 이동 기구(23)는, 기판 유지 회전 기구(4)의 상방과, 기판 유지 회전 기구(4)의 측방(하측 컵(8)의 바깥쪽)에 설치된 홈 포지션과의 사이에서 에칭액 노즐(6)을 이동시킨다.
린스액 노즐(7)은, 예를 들면, 연속류 상태로 린스액을 하방을 향해 토출하는 스트레이트 노즐이다. 린스액 노즐(7)에는, DIW 공급원으로부터의 DIW 공급 통로가 되는 린스액 공급관(26)이 접속되어 있다. 린스액 공급관(26)에는, 린스액의 공급을 개폐하기 위한 린스액 밸브(27)가 개재되어 설치되어 있다. 린스액 밸브(27)가 열리면, 린스액 공급관(26)으로부터 린스액 노즐(7)에 DIW가 공급되고, 또, 린스액 밸브(27)가 닫히면, 린스액 공급관(26)으로부터 린스액 노즐(7)로의 DIW의 공급이 정지된다. 린스액 노즐(7)에는, 린스액 노즐 이동 기구(28)가 결합되어 있다. 린스액 노즐 이동 기구(28)는, 기판 유지 회전 기구(4)의 상방과, 기판 유지 회전 기구(4)의 측방(하측 컵(8)의 바깥쪽)에 설치된 홈 포지션과의 사이에서 린스액 노즐(7)을 이동시킨다.
하측 컵(8)은, 대략 원통 용기 형상을 이루며, 상면에 원형의 개구(9)를 갖고 있다. 하측 컵(8)은 대략 원판형상의 바닥벽부(31)와, 바닥벽부(31)로부터 상방으로 상승하는 둘레벽부(32)를 일체적으로 구비하고 있다. 둘레벽부(32)는, 회전축선(C)을 중심으로 하는 원통형상으로 형성되어 있다. 둘레벽부(32)는 원환형상의 상단면(33)을 갖고 있다. 바닥벽부(31)의 상면에는, 회전 링(11)의 하방에 위치하는 영역에, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리로부터 비산하는 에칭액이나 린스액, IPA액을 모으기 위한 환상 홈(34)이 형성되어 있다. 환상 홈(34)에는, 폐수로(도시하지 않음)의 일단이 접속되어 있다. 폐수로의 타단은, 기계 밖의 폐수 설비(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
둘레벽부(32)의 주위에는 하측 접촉핀(12)에 유지된 웨이퍼(W)로부터 비산되는 에칭액을 포획하기 위한 컵(도시하지 않음)이 설치되고, 상기 컵의 바닥부는, 기계 밖의 도시하지 않는 폐수 설비(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
또, 히터 지지대(17)는, 바닥벽부(31)의 중심부를 관통하여 하방으로 연장되어 있다. 히터 지지대(17)의 축부와 바닥벽부(31)의 중심부 사이는, 원환형상의 시일 부재(35)에 의해 시일되어 있다.
덮개 부재(10)는, 기판 유지 회전 기구(4)의 상방에 있어서, 거의 수평인 자세로 배치되어 있다. 덮개 부재(10)는, 대략 원판형상의 외측 덮개(41)와 대략 원반형상의 내측 덮개(61)를 상하로 겹친 상태로 갖는 이중 덮개 구조이다. 외측 덮개(41)의 하면에는, 그 중심부와 둘레 가장자리부를 제외한 영역에, 외측 덮개(41)와 동심의 원통형상의 상측 환상 홈(42)이 형성되고, 내측 덮개(61)는 이 상측 환상 홈(42)에 수용된 상태로 외측 덮개(41)에 대해 회전 가능하게 유지되어 있다.
외측 덮개(41)는, 거의 수평인 자세로, 또한 그 중심이 웨이퍼(W)의 회전축선(C) 상에 위치하도록 배치되어 있다. 외측 덮개(41)의 중심부에는, 유기 용매 유통관(유기 용매 공급 유닛)(43) 및 질소 가스 유통관(44)이 연직 방향으로 연장되어 인접하여 삽입 통과하고 있다.
외측 덮개(41)의 중심부 하면(45)은 원형을 갖는 수평 평탄면이다. 중심부 하면(45)은, 기판 유지 회전 기구(4)에 유지되는 웨이퍼(W)의 표면(상면)의 중심부에 대향하고 있다.
유기 용매 유통관(43)의 하단은 외측 덮개(41)의 중심부 하면(45)에서 개구하고, 유기 용매 토출구(46)를 형성하고 있다. 유기 용매 유통관(43)에는, 유기 용매 공급관(47)이 접속되어 있다. 유기 용매 공급관(47)에는, DIW(물. 린스액)보다도 낮은 표면장력을 갖는 유기 용매의 일례로서의 이소프로필알코올(isopropyl alcohol：IPA)액이 IPA액 공급원으로부터 공급된다. 유기 용매 공급관(47)에는, 유기 용매의 공급을 개폐하기 위한 유기 용매 밸브(48)가 개재되어 설치되어 있다.
또, 질소 가스 유통관(44)의 하단도 외측 덮개(41)의 중심부 하면(45)에서 개구하고, 불활성 가스의 일례로서의 질소 가스(N2)를 토출하기 위한 질소 가스 토출구(51)를 형성하고 있다. 질소 가스 유통관(44)에는, 질소 가스 공급원으로부터의 질소 가스 공급 통로가 되는 질소 가스 공급관(52)이 접속되어 있다. 질소 가스 공급관(52)에는, 질소 가스의 공급을 개폐하기 위한 질소 가스 밸브(53), 및 질소 가스 공급관(52)의 개도를 조절하여 질소 가스 토출구(51)로부터의 가스 토출 유량을 조절하기 위한 유량 조절 밸브(55)가 개재되어 설치되어 있다.
외측 덮개(41)의 둘레 가장자리부 하면(49)의 반경 방향 도중부에는, 실링환(50)이 둘레 가장자리부 하면(49)의 둘레 방향 전역에 걸쳐서 부착되어 있다. 실링환(50)은, 예를 들면 수지제의 탄성 재료를 이용하여 형성되어 있다.
내측 덮개(61)는, 외측 덮개(41)의 중심부 하면(45)을 둘러싸는 대략 원반형상을 이루고 있다. 내측 덮개(61)는, 웨이퍼(W)보다도 다소 대경으로 되어 있으며, 거의 수평인 자세로, 또한 그 중심이 웨이퍼(W)의 회전축선(C) 상에 위치하고 있다. 내측 덮개(61)의 내주연에는 단통의 내주통(61A)이 접속되어 있다. 상기 내주통(61A)은 연직 상방으로 연신되는 부분과, 상기 연신 부분의 상단으로부터 반경 방향 외방을 향해 수평 원환형상으로 돌출하는 부분을 포함한다. 내주통(61A)은 외측 덮개(41)의 중심부 하면(45)에 대해 독립하여 회전할 수 있도록 연결되어 있다.
또, 내측 덮개(61)의 하면은, 기판 유지 회전 기구(4)에 유지된 웨이퍼(W)의 상면의 중심부를 제외한 영역과 대향하는 기판 대향면(62)을 형성하고 있다. 기판 대향면(62)은, 외측 덮개(41)의 중심부 하면(45)을 둘러싸는 원환형상의 수평 평탄면으로 이루어진다. 기판 대향면(62)의 둘레 가장자리부에는, 예를 들면 6개의 상측 접촉핀(64)이 등 간격으로 설치되어 있다. 각 상측 접촉핀(64)은 원통형상을 이루고, 연직으로 늘어뜨려져 있다.
내측 덮개(61)는, 후술하는 웨이퍼(W)와 일체적으로 내측 덮개(61)의 중심을 통과하는 연직축선(웨이퍼(W)의 회전축선(C)과 일치하는 축선) 둘레로 회전한다.
또, 덮개 부재(10)에는, 외측 덮개(41) 및 내측 덮개(61)를 일체적으로 승강시키기 위한 덮개 승강 기구(54)가 결합되어 있다. 덮개 승강 기구(54)의 구동에 의해, 덮개 부재(10)는, 하측 컵(8)보다도 상방으로 퇴피하여 하측 컵(8)의 개구(9)를 개방하는 열림 위치와, 하측 컵(8)의 개구(9)를 폐색하는 닫힘 위치 사이에서 승강된다.
덮개 부재(10)가 닫힘 위치에 있는 상태에서는, 외측 덮개(41)의 둘레 가장자리부의 하면에 배치된 실링환(50)이, 그 둘레 방향 전역에서 하측 컵(8)의 상단면(33)에 맞닿고, 외측 덮개(41)와 하측 컵(8) 사이가 시일된다. 또, 이 상태에서 내측 덮개(61)의 기판 대향면(62) 및 외측 덮개(41)의 중심부 하면(45)은 미소한 간격(W2)(도 7d 참조. 예를 들면 약 4mm)을 두고 웨이퍼(W)의 상면에 근접하여 대향 배치된다.
도 2는, 기판 유지 회전 기구(4)의 평면도이다.
회전 링(11)의 상면에는, 예를 들면 6개의 하측 접촉핀(12)이 웨이퍼(W)의 회전축선(C)(도 1 참조)을 중심으로 하는 원둘레 상에 등 간격으로 배치되어 있다. 각 하측 접촉핀(12)의 상단은 수평면과 회전축선(C)을 향해 하방향으로 경사진 하측 접촉면(12A)을 갖고 있다. 6개의 하측 접촉핀(12) 상에 웨이퍼(W)를 올려놓으면, 웨이퍼(W)의 하면(이면) 둘레 끝가장자리가 하측 접촉핀(12)의 하측 접촉면(12A)과 맞닿고 웨이퍼(W)를 기판 유지 회전 기구(4)에 양호하게 유지할 수 있어, 웨이퍼(W)를 각 기판 처리 공정에서의 처리 속도(예를 들면 10~3000rpm)로 회전시킬 수 있다.
도 3은 내측 덮개(61)의 저면도이다. 내측 덮개(61)의 기판 대향면(62)에는, 예를 들면 6개의 상측 접촉핀(64)이 내측 덮개(61)의 중심을 통과하는 연직축선(웨이퍼(W)의 회전축선(C)과 일치하는 축선)을 중심으로 하는 원둘레 상에 등 간격으로 배치되어 있다. 각 상측 접촉핀(64)의 하단은 수평면과, 내측 덮개(61)의 중심을 통과하는 연직축선을 향해 상방향으로 경사진 상측 접촉면(64A)을 갖고 있다. 각 상측 접촉핀(64)과 내측 덮개(61)의 중심을 통과하는 연직축선 사이의 거리는, 각 상측 접촉핀(64)과 회전축선(C) 사이의 거리와 같아진다. 각 상측 접촉핀(64)의 상측 접촉면(64A)은 웨이퍼(W)의 상면 둘레 가장자리에 맞닿음으로써 웨이퍼(W)를 양호하게 지지할 수 있다.
도 4(a), (b)는 하측 접촉핀(12)과 상측 접촉핀(64)에 의한 웨이퍼(W)의 지지를 설명하는 도면이다.
도 1~도 4(b)에 나타낸 바와 같이, 기판 유지 회전 기구(4) 및 내측 덮개(61)가 각각 소정의 기준 자세에 있는 상태에서는, 6개의 하측 접촉핀(12)의 둘레 방향 위치는, 6개의 상측 접촉핀(64)의 둘레 방향 위치와 각각 맞춰져 있다. 즉, 기판 유지 회전 기구(4) 및 내측 덮개(61)가 각각 소정의 기준 자세에 있는 상태에서는, 각 하측 접촉핀(12)에 대응하여 그 연직 방향 상측에 상측 접촉핀(64)이 한개씩 배치되게 된다.
기판 유지 회전 기구(4) 및 내측 덮개(61)가 각각 기준 자세에 있으며, 또한 기판 유지 회전 기구(4)에 웨이퍼(W)가 유지된 상태로, 덮개 승강 기구(54)가 구동되어 덮개 부재(10)가 닫힘 위치까지 내려간다. 이에 의해, 내측 덮개(61)의 각 상측 접촉핀(64)이 기판 유지 회전 기구(4)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 상면 둘레 끝가장자리와 맞닿고, 대응하는 하측 접촉핀(12)을 향해, 웨이퍼(W)의 상면 둘레 끝가장자리를 누르게 된다. 그리고, 각 상측 및 하측 접촉핀(64, 12) 사이에 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 상하로부터 끼운다. 복수쌍(예를 들면 6쌍)의 상측 및 하측 접촉핀(64, 12)에 의해서 웨이퍼(W)가 끼워짐으로써, 웨이퍼(W)가 기판 유지 회전 기구(4) 및 내측 덮개(61)에 강고하게 유지된다. 그리고, 기판 유지 회전 기구(4)의 회전 링(11)과 내측 덮개(61)를 동일 방향으로 동기하여 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있다. 이 때, 기판 유지 회전 기구(4) 및 내측 덮개(61)는, 웨이퍼(W)를 유지하면서 최대 3000rpm의 회전 속도로 회전시킬 수 있다.
도 5는, 기판 처리 장치(1)의 전기적 구성을 나타내는 블럭도이다.
기판 처리 장치(1)는, 마이크로 컴퓨터를 포함하는 구성의 제어 장치(70)를구비하고 있다. 제어 장치(70)는, 링 회전 기구(13), 덮개 승강 기구(54), 히터 승강 기구(19), 에칭액 노즐 이동 기구(23), 린스액 노즐 이동 기구(28) 등의 동작을 제어한다.
또, 제어 장치(70)는, 미리 정해진 프로그램에 따라서, 에칭액 밸브(22), 린스액 밸브(27), 유기 용매 밸브(48), 질소 가스 밸브(53)의 개폐 동작을 제어함과 더불어, 유량 조절 밸브(55)의 개도를 제어한다. 또, 제어 장치(70)는, 저항(16)(도 1 참조)으로의 통전/절단의 전환에 의해, 히터(5)의 온/오프를 제어한다.
도 6은, 기판 처리 장치(1)에 의해 실행되는 에칭 처리의 일례를 설명하는 공정도이다. 도 7a~도 7i는 이 처리예를 단계적으로 설명하는 모식도이다. 도 8a~도 8d는 이 처리예에 있어서의 웨이퍼(W) 상면의 상태를 설명하는 모식적인 단면도이다.
이하에서는, 도 1~도 8d를 참조하여 에칭 처리의 처리예에 대해서 설명한다.
에칭 처리시에는 반송 로봇(도시하지 않음)이 제어되어 처리실(3) 내에 미처리된 웨이퍼(W)가 반입된다(단계 S1).
도 8a~도 8d에 나타낸 바와 같이, 처리실(3) 내에 반입되는 웨이퍼(W)는, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼의 표면에 미세 패턴(101)을 형성한 것이다. 미세 패턴(101)은 볼록 형상의 구조체(102)를 서로 같은 방향을 따라 배열하여 형성된다. 각 구조체(102)는, 그 선 폭(W0)(도 8a 참조)이 10nm~45nm 정도, 미세 패턴(101)의 간극(W3)(도 8a 참조)이 10nm~수 μm 정도가 되도록 형성되어 있다. 또한, 미세 패턴(101)은 라인형상의 구조체의 패턴이어도 되며, 이 경우에는, 미세 패턴(101)에는 홈(트렌치)형상의 간극이 형성된다. 혹은, 미세 패턴(101)은, 소정의 박막에 복수가 작은 공극(보이드)(또는 미세 구멍(포어))형상의 간극을 형성함으로써 설치된 것이어도 된다.
미세 패턴(101)은, 통상, 절연막을 포함하고 있다. 또, 미세 패턴(101)은, 도체막을 포함하고 있어도 된다. 보다 더 구체적으로는, 미세 패턴(101)은, 복수의 막을 적층한 적층막에 의해 형성되어 있으며, 또한, 절연막과 도체막을 포함하고 있어도 된다. 미세 패턴(101)은, 단층막으로 구성되는 패턴이어도 된다. 절연막은, SiO2막이나 질화막이어도 된다. 또, 도체막은, 저저항화를 위한 불순물을 도입한 아몰퍼스 실리콘막이어도 되고, 금속막(예를 들면 금속 배선막)이어도 된다. 또한, 적층막을 구성하는 각 막으로서, 폴리실리콘막, SiN막, BSG막(붕소를 포함하는 SiO2막), 및 TEOS막(TEOS(테트라에톡실란)를 이용하여 CVD법으로 형성된 SiO2막) 등을 예시할 수 있다.
또, 미세 패턴(101)의 막 두께(T)(도 8a 참조)는, 예를 들면, 50nm~5μm 정도이다. 또, 미세 패턴(101)은, 예를 들면, 애스펙트비(선 폭(W0)에 대한 막 두께(T)의 비)가, 예를 들면, 5~500 정도여도 된다(전형적으로는 5~50 정도이다).
이러한 미세 패턴(101)이 형성된 웨이퍼(W)를 건조시키는 경우에, 웨이퍼(W)가 건조되어가는 과정에서 인접하는 구조체(102)끼리를 끌어당기는 힘이 가해져 미세 패턴(101)이 패턴 도괴를 일으킬 우려가 있다.
다음에, 도 1, 도 2 및 도 6~도 7i를 참조하여, 기판 처리 장치(1)에 의해 실행되는 에칭 처리에 대해서 설명한다.
우선, 도 7a에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)는 로봇(도시하지 않음)에 의해 처리실(3) 내에 반입된 후, 회전 링(11)의 복수개의 하측 접촉핀(12)에 건네지고, 이들 하측 접촉핀(12)에 의해 유지된다(S1：웨이퍼(W)반입). 이에 의해, 반입된 웨이퍼(W)는, 그 표면(미세 패턴(101)의 형성면)을 상면을 향하게 한 상태로 기판 유지 회전 기구(4)에 유지된다.
웨이퍼(W)의 반입시에는, 웨이퍼(W)의 반입의 방해가 되지 않도록, 덮개 부재(10)는, 열림 위치에 있다. 또, 히터(5)는 온 상태(구동 상태)로 하측 위치에 위치하고 있다. 또한, 에칭액 노즐(6)과 린스액 노즐(7)은 각각 홈 포지션에 배치되어 있다(도 7a에서는 도시하지 않음).
웨이퍼(W)가 기판 유지 회전 기구(4)에 유지되면, 도 7b에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(70)는 링 회전 기구(13)를 제어하여, 웨이퍼(W)의 회전을 개시시킨다. 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 미리 정하는 기판 처리 속도(예를 들어 300~1500rpm 정도)까지 상승한다.
또, 제어 장치(70)는, 에칭액 노즐 이동 기구(23)(도 1등 참조)를 제어하여, 에칭액 노즐(6)을 웨이퍼(W)의 상방 위치로 이동시키고, 도 7b에 나타낸 바와 같이, 에칭액 노즐(6)을 웨이퍼(W)의 회전축선(C) 상에 배치시킨다.
에칭액 노즐(6)이 웨이퍼(W)의 회전축선(C) 상에 배치되면, 도 7b에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(70)는, 에칭액 밸브(22)(도 1등 참조)를 열어, 에칭액 노즐(6)로부터 에칭액을 토출한다. 웨이퍼(W)의 상면 중심부 부근에 공급된 에칭액은, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 웨이퍼(W)의 상면 상을 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 향해 흐른다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 상면의 전역에 에칭액이 퍼져, 웨이퍼(W)의 상면이 에칭된다(S2：에칭 공정).
또, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부로부터 비산되는 에칭액은, 하측 컵(8)의 둘레벽부(32)의 내벽에 받아져, 이 내벽을 타고 환상 홈(34)에 모인다. 환상 홈(34)에 모인 에칭액은, 폐수로(도시하지 않음)를 통해, 기계 밖의 폐수 설비(도시하지 않음)로 보내지고, 거기서 처리된다.
에칭액의 토출 개시로부터, 미리 정하는 에칭 시간이 경과하면, 제어 장치(70)는, 에칭액 밸브(22)를 닫아 에칭액 노즐(6)로부터의 에칭액의 토출을 정지함과 더불어, 에칭액 노즐 이동 기구(23)를 제어하여, 에칭액의 토출 정지 후의 에칭액 노즐(6)을 그 홈 포지션으로 되돌린다.
이어서, 제어 장치(70)는, 린스액 노즐 이동 기구(28)(도 1 등 참조)를 제어하여, 린스액 노즐(7)을 웨이퍼(W)의 상방 위치로 이동시켜, 도 7c에 나타낸 바와 같이, 린스액 노즐(7)을 웨이퍼(W)의 회전축선(C) 상에 배치시킨다.
린스액 노즐(7)이 웨이퍼(W)의 회전축선(C) 상에 배치되면, 도 7c에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(70)는, 린스액 밸브(27)(도 1등 참조)를 열어, 린스액 노즐(7)로부터 DIW를 토출한다. 웨이퍼(W)의 상면의 중심부 부근에 공급된 DIW는, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 웨이퍼(W)의 상면 상을 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 향해 흐르고, 이에 따라, 웨이퍼(W)의 상면의 전역에 DIW가 퍼져, 웨이퍼(W)의 상면에 부착된 에칭액이 씻겨나간다(단계 S3：린스 공정). 이 린스 공정에 의해, 도 8a에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 상면(100)에 형성된 미세 패턴(101)의 간극의 바닥부(상기 공간에 있어서의 웨이퍼(W) 자체의 상면(100)에 매우 가까운 위치)까지 DIW가 퍼진다.
또, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부로부터 비산되는 DIW(에칭액을 포함하는 DIW)는, 하측 컵(8)의 둘레벽부(32)의 내벽에 받아져, 이 내벽을 타고 환상 홈(34)에 모인다. 환상 홈(34)에 모인 DIW는, 폐수로(도시하지 않음)를 통해, 기계 밖의 폐수 설비(도시하지 않음)로 보내지고, 거기서 처리된다.
DIW의 토출 개시로부터, 미리 정하는 린스 시간이 경과하면, 제어 장치(70)는, 린스액 밸브(27)를 닫아 린스액 노즐(7)로부터의 DIW의 토출을 정지함과 더불어, 린스액 노즐 이동 기구(28)를 제어하여, DIW의 토출 정지 후의 린스액 노즐(7)을 그 홈 포지션으로 되돌린다.
그 다음에, 제어 장치(70)는, IPA액 공급 공정(유기 용매 공급 공정)(S4)을 개시한다. 제어 장치(70)는, 우선 도 7d에 나타낸 바와 같이 링 회전 기구(13)를 제어하여 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨다. 웨이퍼(W)의 회전 정지 후, 제어 장치(70)는, 링 회전 기구(13)를 제어하여 기판 유지 회전 기구(4) 및 내측 덮개(61)를 기준 자세까지 회전시킨 후, 덮개 승강 기구(54)를 제어하여 덮개 부재(10)를 닫힘 위치까지 하강시킨다. 덮개 부재(10)가 닫힘 위치까지 하강하면, 하측 컵(8)의 개구(9)가 덮개 부재(10)에 의해 폐색된다. 이 상태에서, 락 부재(도시하지 않음)에 의해 덮개 부재(10)와 하측 컵(8)을 결합시키면, 외측 덮개(41)의 둘레 가장자리부 하면(49)에 배치된 실링환(50)이, 그 둘레 방향 전역에서 하측 컵(8)의 상단면(33)에 맞닿고, 외측 덮개(41)와 하측 컵(8) 사이가 시일된다. 이에 의해, 하측 컵(8) 및 덮개 부재(10)의 내부 공간이 밀폐된다.
또, 덮개 부재(10)가 닫힘 위치에 있는 상태에서는, 내측 덮개(61)의 기판 대향면(62)과, 웨이퍼(W)의 상면은, 미소한 간격(W2)으로 이격하고 있다.
덮개 부재(10)와 하측 컵(8)이 결합한 후, 도 7e에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(70)는, 링 회전 기구(13)를 제어하여 회전 링(11)의 회전을 개시시킨다. 이에 의해, 회전 링(11)의 회전 속도로 웨이퍼(W) 및 내측 덮개(61)가 동일 방향으로 회전한다.
또, 웨이퍼(W)가 소정의 회전 속도(예를 들어 10~1000rpm의 범위. 바람직하게는 1000rpm)에 달하면, 도 7e에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(70)는, 유기 용매 밸브(48)를 열어, 유기 용매 유통관(43)의 유기 용매 토출구(46)로부터 IPA액을 토출한다. 이 때, 히터(5)가 하측 위치에 있으므로, 웨이퍼(W)와 히터(5)는 근접하고 있지 않아, 이 때문에, 웨이퍼(W)는 히터(5)에 의해 가열되어 있지 않다. 그 때문에, 웨이퍼(W)의 상면의 온도는 예를 들면 상온(예를 들어 25℃)이다. 또, 웨이퍼(W)에 공급되는 IPA액도 상온의 IPA액이다. 즉, 웨이퍼(W)의 상면, 및 웨이퍼(W)의 상면에 공급되는 IPA액은, 모두 IPA의 비점 이하의 온도를 갖고 있다.
웨이퍼(W)의 상면의 중심부 부근에 공급된 IPA액은, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 웨이퍼(W)의 상면과, 내측 덮개(61)의 기판 대향면(62) 사이를 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 향해 흐른다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 상면의 전역에 IPA액이 퍼져, 웨이퍼(W)의 상면의 DIW가 IPA액에 의해 치환된다. 웨이퍼(W)의 상면에 공급되는 IPA가 액체(액상)이므로, 도 8b에 나타낸 바와 같이, 미세 패턴(101)의 간극 내부의 DIW를 IPA액에 의해 양호하게 치환할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 상면으로부터 DIW를 확실히 제거할 수 있다.
IPA액의 토출 개시로부터 미리 정하는 IPA 치환 시간이 경과하면, 웨이퍼(W)의 상면 전체면에 소정 막 두께(예를 들어 1mm 정도)의 IPA의 액막(80)이 형성된다. IPA 치환 시간은, 웨이퍼(W)의 상면의 DIW가 IPA액에 의해 치환되기에 충분한 시간으로 설정되어 있다.
IPA에 의한 치환이 완료되면, 도 7f에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(70)는, 히터 승강 기구(19)를 제어해, 히터(5)를 상측 위치까지 상승시킨다. 이에 의해, 웨이퍼 가열 공정(S5)이 실행된다.
히터(5)가 상측 위치까지 상승하면, 히터(5)의 상면(18)은 웨이퍼(W)의 하면까지 간격(W1)(전형적으로는 0.5~3mm)까지 근접한다. 히터(5)가 상측 위치에 도달함으로써, 웨이퍼(W)의 하면은, 히터(5)로부터의 열복사 또는 웨이퍼(W)의 하면과 히터(5)의 상면(18) 사이의 공간 내 유체 열전도에 의해 가열된다. 히터(5)는 상측 위치에 있는 상태에서, 히터(5)의 상면(18)과 웨이퍼(W)의 하면이 평행을 이루도록 배치되어 있다. 이 때문에, 히터(5)로부터 웨이퍼(W)에 부여되는 단위면적 당 열량은, 웨이퍼(W)의 전역에 있어서 거의 균일해진다.
또한, 이 실시형태에서는, 히터(5)의 상측 위치를, 히터(5)의 상면(18)과 웨이퍼(W)의 하면이 근접하는 위치인 것으로 하는데, 히터(5)의 상면(18)과 웨이퍼(W)의 하면이, 부분적으로 또는 전면적으로 접촉하는 위치로 할 수도 있다.
히터(5)가 웨이퍼(W)의 하면을 가열함으로써, 웨이퍼(W)의 상면 전체면(미세 패턴(101)(도 8a~8D 등)의 상면. 보다 더 구체적으로는, 각 구조체(102)의 상단면(102A))의 온도가, 미리 정하는 가열시 상면 온도까지 승온된다. 이 가열시 상면 온도는, IPA액의 비점(82.4℃)보다도 10~50℃ 높은 범위에 포함되는 소정의 온도이다.
본 실시형태에서는, 웨이퍼(W)의 상면 전체면이 이 가열시 상면 온도까지 승온되도록, 히터(5)의 단위면적당 열량, 및 웨이퍼(W)의 하면과 히터(5)의 상면(18)과의 간격(W1)이, 각각 소정의 크기로 설정되어 있다.
웨이퍼 상면의 온도가 가열시 표면 온도에 도달하여 소정 시간이 경과하면, 웨이퍼(W)의 상면의 IPA의 액막(80)의 일부가 증발하여 기상화하고 미세 패턴(101)의 간극을 채움과 더불어 웨이퍼(W)의 상면(각 구조체(102)의 상단면(102A))의 상방 공간에 IPA의 증기막(85)을 형성한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 상면(각 구조체(102)의 상단면(102A))으로부터 IPA의 액막(80)이 부상한다(도 8c 참조).
이 때, 미세 패턴(101)의 간극은 기상의 유기 용매로 채워지므로 각 구조체(102) 사이에는 매우 작은 표면장력밖에 생기지 않게 된다. 이 때문에, 표면장력에 기인하는 미세 패턴(101)의 도괴를 방지할 수 있다.
웨이퍼(W)로의 가열은, 적어도 웨이퍼(W)의 상면 전체면에 있어서 IPA의 액막(80)이 부상하고, 또한 미세 패턴(101)의 간극의 액상의 IPA가 기상화할 때까지 계속한다.
다음에, 제어 장치(70)는, IPA 배제 공정(유기 용매 배제 공정)(S6)을 실행하여, 웨이퍼(W)의 상방으로 부상한 IPA의 액막(80)을 액 덩어리 상태인 채로 웨이퍼(W)의 상면으로부터 배제한다. 이 단계에서 IPA의 액막(80)은 웨이퍼(W)의 상면에 접촉하고 있지 않으므로, IPA의 액막(80)은 웨이퍼(W)의 상면을 따라서 이동하기 쉬운 상태에 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 상면에 부상하고 있는 IPA의 액막(80)에 균열(81)(도 8d참조) 등이 발생하는 경우가 있다. 균열(81) 등이 발생한 부분에서는 IPA의 액적과 웨이퍼(W)의 고액계면이 생긴 상태로 건조하기 때문에, 표면장력에 기인하여 패턴 도괴가 발생할 우려가 있다. 또, 웨이퍼(W)의 상면에 워터 마크 등의 결함이 생길 우려가 있다.
이 때문에, IPA 배제 공정(S6)에 의해 IPA의 액막(80)을 웨이퍼(W)의 상면으로부터 배제할 때까지, 상기 IPA의 액막(80)에는 균열(81) 등을 일으키게 하지 않는 것이 바람직하다.
IPA의 액막(80)에 균열(81) 등을 일으키게 하는 요인은 2가지 생각할 수 있다.
제1의 요인은 웨이퍼(W)의 장시간의 가열에 따른 다량의 IPA 증기의 발생 또는 IPA의 액막(80)의 비등이다. 다량의 IPA 증기가 발생하거나 또는 IPA의 액막(80)이 비등하면 IPA의 증기막(85)이 그 상방의 IPA의 액막(80)을 뚫고 상기 액막(80) 상으로 나와 액막(80)에 균열(81) 등을 일으키게 할 우려가 있다.
제2의 요인은 웨이퍼(W)의 고속 회전에 수반하는 원심력에 의해 발생하는 IPA의 액막(80)의 분열이다.
제1의 요인에 대응하기 위해서, 본 실시형태에서는 웨이퍼(W)의 가열 온도 및 가열 시간을 이러한 균열(81)이 발생하지 않는 온도나 시간으로 설정하고 있다. 또, 웨이퍼(W)의 가열중에 적절한 타이밍에서 IPA액을 IPA의 액막(80)에 보급함으로써, 웨이퍼 가열 공정(S5) 및 IPA 배제 공정(S6)을 통해 IPA의 액막(80)에 균열(81) 등이 발생하지 않는 두께(예를 들어 웨이퍼(W)의 중심에 있어서 1~5mm. 바람직하게는 약 3mm)를 유지하도록 하고 있다.
제2의 요인에 대응하기 위해서, 본 실시형태에서는, 웨이퍼 가열 공정(S5)에서의 웨이퍼(W)의 회전 속도를 IPA의 액막(80)에 균열(81) 등이 발생하지 않는 정도의 속도로 설정하고 있다. 예를 들면, 웨이퍼(W)를 10~500rpm으로 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)의 상면 전체면에 IPA의 액막(80)을 유지하면서 원심력에 기인하는 액막(80)의 분열을 방지할 수 있다.
IPA 배제 공정(S6)의 설명으로 돌아온다. 제어 장치(70)는, 도 7g에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 예를 들어 10~500rpm으로 설정함과 더불어 질소 가스 밸브(53)를 연다. 이 때, 유량 조절 밸브(55)(도 1 등 참조)의 개도는, 질소 가스 토출구(51)로부터의 질소 가스(N2)의 토출 유량이 소유량이 되도록 그 개도가 설정되어 있다. 이에 의해, 질소 가스 토출구(51)로부터는 소유량의 질소 가스가 토출되어 웨이퍼(W)의 상면 중심부에 분사된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 상면 중심부의 IPA의 액막(80)이 부분적으로 제거되어 소경 원형상의 건조 영역(82)이 형성된다.
IPA의 액막(80)은, IPA의 증기막(85)(도 8c 등 참조)을 통해, 웨이퍼(W)의 상면(미세 패턴(101)의 상면)으로부터 분리되어 있으며, 웨이퍼(W)의 상면을 따라서 이동하기 쉬운 상태에 있으므로 상기 건조 영역(82)은 웨이퍼(W)의 상면 중심부에 질소 가스가 토출됨에 따라 확대된다. 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력이, IPA의 액막(80)에 작용하고 있기 때문에, 건조 영역(82)은 한층 더 급속히 확대된다. 건조 영역(82)이 웨이퍼의 상면의 전역에 확대됨으로써, 웨이퍼(W)의 상면(미세 패턴(101)의 상면)으로부터 IPA액을 그 액 덩어리 상태를 유지한 채로(즉, 다수의 작은 액적으로 분열시키지 않고) 배제할 수 있다.
웨이퍼(W)의 상면으로부터 IPA의 액막(80)이 모두 배제된 후, 제어 장치(70)는, 도 7h에 나타낸 바와 같이, 히터 승강 기구(19)를 제어하여 히터(5)를 하측 위치까지 하강시킨다. 히터(5)가 하측 위치까지 하강하면 히터(5)와 웨이퍼(W)의 간격이 커져 히터(5)로부터 충분한 열(복사열 또는 공간내 유체 열전도)이 웨이퍼(W)에 다다르지 않게 된다. 이에 의해, 히터(5)에 의한 웨이퍼(W)의 가열이 종료되고, 웨이퍼(W)는 거의 상온까지 온도 저하한다.
또, 제어 장치(70)는 유량 조절 밸브(55)(도 1 참조)를 제어하여, 질소 가스 토출구(51)로부터의 질소 가스의 토출 유량을 대유량까지 상승시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 상면과 내측 덮개(61)의 기판 대향면(62) 사이에 발생한 웨이퍼(W)의 중심부로부터 둘레 가장자리부를 향하는 질소 가스의 기류가 강화·촉진되고, 웨이퍼(W)의 상면과 내측 덮개(61)의 기판 대향면(62) 사이가 질소 가스로 충만된다.
제어 장치(70)는 동시에 링 회전 기구(13)를 제어하여, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 소정의 건조시 회전 속도(예를 들어 2500rpm)까지 가속시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상으로부터 IPA액이 완전히 뿌려져 제거된다(S7：스핀 드라이). 이 스핀 드라이시에도, 내측 덮개(61)는 계속해서 웨이퍼(W)와의 간격(W2)을 유지한 채로 웨이퍼(W)의 회전에 동기하여, 웨이퍼(W)의 회전 방향과 같은 방향으로 회전되므로, 웨이퍼(W)의 상면 부근의 분위기가 그 주위로부터 차단되고, 웨이퍼(W)의 상면과 내측 덮개(61)의 기판 대향면(62) 사이에 안정 기류가 형성된다.
그리고, 웨이퍼(W)의 건조시 회전 속도로의 회전이 소정 시간에 걸쳐 계속되면, 도 7h에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(70)는 링 회전 기구(13)를 제어하여, 웨이퍼(W)의 회전을 정지함과 더불어, 질소 가스 밸브(53)를 닫는다. 또, 제어 장치(70)는, 덮개 승강 기구(54)를 구동하여, 덮개 부재(10)를 열림 위치까지 상승시킨다. 이에 의해, 1장의 웨이퍼(W)에 대한 에칭 처리가 종료되고, 반송 로봇에 의해, 처리가 끝난 웨이퍼(W)가 처리실(3)(도 1 등 참조)로부터 반출된다(단계 S8).
본 실시형태에서는, IPA 배제 공정 S6에서, 우선 웨이퍼(W)의 중앙부에 건조 영역(82)을 형성하고, 계속해서 이 건조 영역(82)을 원심력에 의해 서서히 확대하도록 하여 IPA액을 배제하고 있다. 이 때문에, IPA액을 비교적 큰 액 덩어리인 상태로 웨이퍼(W)의 상면으로부터 배제하는 것이 가능하다. 이에 의해 웨이퍼(W)의 상면에 IPA액이 소액적 형상으로 잔류하지 않게 되므로, IPA액이 소액적 상태로 웨이퍼(W)의 상면에서 건조·소실되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
웨이퍼(W)의 상면(100)의 미세 패턴(101)의 애스펙트비가 높은 경우, 액상의 IPA와 미세 패턴(101) 내의 각 구조체(102)의 접촉 면적이 커져 이웃하는 구조체(102) 사이의 공간에 있는 액상의 IPA를 증발시키기 위해서 필요로 하는 시간이 길어지게 된다고 생각된다. 이 경우에는, 웨이퍼(W)의 상면 근방의 IPA의 액막(80)을 증발시키는데 필요한 열량도 많아진다. 따라서, 처리 대상인 웨이퍼(W)의 미세 패턴(101)의 애스펙트비의 크기에 따라 웨이퍼 가열 온도를 높게 혹은 가열 시간을 길게 설정하는 것이 바람직하다고 생각된다.
또, 에칭 처리의 처리예에서는, 웨이퍼(W)를 기판 유지 회전 기구(4)마다, 하측 컵(8) 및 덮개 부재(10)로 구성되는 밀폐 컵 내의 내부 공간 내에 수용된 상태로, IPA액을 이용한 공정 S5~S7이 실행된다. IPA액을 고온 환경하에서 취급하는 이러한 공정에서는, 웨이퍼(W) 상에서 격렬한 반응이 생길 우려가 있다. 그러나, 밀폐 컵 내에 웨이퍼(W)를 수용해 둠으로써, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 밀폐 컵 밖의 영역이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
다음에 본 발명의 제2 실시형태를 설명한다. 제2 실시형태에 있어서도 제1 실시형태와 거의 같은 에칭 처리가 실행되는데 IPA 배제 공정 S6만 상이하기 때문에, 본 공정에 관련된 개소를 중심으로 설명한다.
도 9는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(201)의 평면도이며, 도 10은 기판 처리 장치(201)를 이용한 IPA 배제 공정을 나타내는 측면도이다. 도 9 및 도 10에서, 제1 실시형태에 나타난 각 부에 대응하는 부분에는, 도 1~도 7i의 경우와 동일한 참조 부호를 부여하여 나타내며, 설명을 생략한다.
제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는 웨이퍼(W)의 상면에 대향 배치된 질소 가스 토출구(51)로부터 질소 가스를 토출했지만, 이 제2 실시형태에서는, 도 9에 나타낸 바와 같이 직선 띠형상의 가스 분사 노즐(202)을 이용하여 직선 띠형상으로 웨이퍼(W)의 상면을 향해 불활성 가스를 토출하고 있다. 이 가스 분사 노즐(202)은 소정의 Y방향을 따르는 직선형으로 개구하는, 선형으로 개구하는 슬릿 토출구(203)를 갖는다. 슬릿 토출구(203)는, 기판 유지 회전 기구(4)에 유지된 웨이퍼(W)의 상면에 대향하고 있다. 가스 분사 노즐(202)은, 유지 레일(도시하지 않음)에 의해, Y방향에 직교하는 X방향을 따라서 왕복 이동 가능하게 유지되어 있다. X방향 및 Y방향은, 둘 다, 웨이퍼(W)의 상면을 따르는 방향(수평 방향)이다. 가스 분사 노즐(202)에는, 질소 가스 공급원으로부터의 질소 가스가 공급되도록 되어 있다.
도 10에 나타낸 바와 같이, 슬릿 토출구(203)로부터 웨이퍼(W)의 상면에 분사되는 질소 가스의 분사 방향 α는 소정의 예각(예를 들어 45°)을 예시할 수 있다.
이 수법에서는, 단계 S6(도 6 참조)의 IPA 배제 공정에 있어서, 가스 분사 노즐(202)로부터 웨이퍼(W)의 상면에 직선형(띠형상)의 질소 가스를 분사한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 상면에, Y방향을 따르는 직선형의 질소 가스 분사 영역(205)이 형성된다. 또, 질소 가스의 분사와 병행하여, 가스 분사 노즐(202)은, 웨이퍼(W)의 상방 영역 밖에 있는 이동 개시 위치(도 9에서 이점쇄선으로 도시)에서, 이 이동 개시 위치와 웨이퍼(W)의 회전 중심을 사이에 둔 반대측에서 웨이퍼(W)의 상방 영역 밖에 있는 리턴 위치(도 9에서 일점쇄선으로 도시)까지의 사이를 X방향을 따라 이동(일방향 스캔)시킨다. 이에 수반하여, 질소 가스 분사 영역(205)이, X방향을 따라서 이동한다.
이 가스 분사 노즐(202)은, 슬릿 토출구(203)가 웨이퍼(W)의 회전 중심의 상방(회전축선(C) 상)에 있는 상태로, 슬릿 토출구(203)의 Y방향의 일방단 및 타방단이 웨이퍼(W)의 상방 영역 외에 있다. 이 때문에, 가스 분사 노즐(202)을, 이동 개시 위치에서 리턴 위치까지 일방향 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)의 상면의 전역에 질소 가스 분사 영역(205)을 주사시킬 수 있다.
단계 S5의 웨이퍼(W) 가열 공정(도 6 참조)에서는, 상술한 바와 같이, IPA의 액막(80)과 웨이퍼(W)의 상면 사이에 거의 마찰력이 발생하지 않아, IPA의 액막(80)(도 8c 등 참조)은 웨이퍼(W)의 상면을 따라서 이동하기 쉬운 상태에 있다. 이 때문에, 질소 가스 분사 영역(205)을 이동시킴으로써, IPA의 액막(80)을 진행 방향측으로 이동시킬 수 있어, 이에 의해, 패턴의 도괴를 일으키지 않고, 웨이퍼(W)의 상면으로부터 IPA의 액막(80)을 양호하게 배제할 수 있다.
상술한 제1 및 제2 실시형태에서는, 웨이퍼(W)의 상면에 대향 배치된 질소 토출구로부터 질소를 토출함으로써, 증기막(85)에 의해 웨이퍼(W)의 상방으로 부상한 IPA의 액막(80)을 웨이퍼(W)의 상면으로부터 배제하는 것으로 설명했다. 그러나, 제1 실시형태에서 설명한 에칭 공정, 린스 공정, IPA액 공정 및 웨이퍼 가열 공정 후에 실시되는 IPA의 액막(80)의 배제 방법은, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 11a~도 15c에 각각 수법에 의해, 웨이퍼(W) 상의 IPA의 액막(80)을 배제해도 된다.
도 11a~도 11c에 나타낸 수법에서는, 웨이퍼(W)의 상방쪽으로 부상한 IPA의 액막(80)을 그 자중에 의해 미끄러지게 해 떨어뜨림으로써 웨이퍼(W)의 상면으로부터 배제하고 있다. 도 11a에 나타낸 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 유지 유닛(302) 내의 히터(303)에 의해 IPA의 비점 이상으로 가열되고, 그 상면에 IPA의 증기막(85)을 형성하고 있다. 또, 이 증기막(85)은, IPA의 액막(80)을, 웨이퍼(W)의 상방으로 부상시키고 있다(도 8c 참조). 이 상태로부터 도 11b에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 유지 유닛(302)을 회전축(도시하지 않음) 둘레로 회전시킴으로써 웨이퍼 유지 유닛(302)을 경사지게 하고, IPA의 액막(80)을 그 자중에 의해서 웨이퍼(W)의 상면으로부터 미끄러지게 해 떨어뜨리도록 하여 웨이퍼(W)의 상면으로부터 배제하고 있다(도 11c 참조).
또, 웨이퍼(W)의 상방으로 부상한 IPA의 액막(80)을, 도 12a~도 12c에 나타낸 수법에 의해 웨이퍼(W)의 상면으로부터 배제해도 된다. 도 12a에 나타낸 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 유지 유닛(402) 내의 히터(403)에 의해 IPA의 비점 이상으로 가열되고, 그 상면에 IPA의 증기막(85)을 형성하고 있다. 이 증기막(85)은, IPA의 액막(80)을 웨이퍼(W)의 상방으로 부상시키고 있다(도 8c 참조). 이 수법에서는 흡인 노즐(404)을 사용한다. 흡인 노즐(404)의 일단은 개구하여 흡인구(405)를 형성하고 있다. 흡인 노즐(404)은, 진공 발생 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
IPA 배제 공정에 있어서, 흡인 노즐(404)은, 그 흡인구(405)가 웨이퍼(W)의 상면 중심부에 근접하여 대향하도록 배치된다. 그리고, 진공 발생 장치가 구동되고, 흡인구(405) 내가 흡인된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 상면의 중심부에 있는 IPA의 액막(80)이 흡인구(405)에 흡인된다. 동시에, 도 12b에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 상면의 다른 영역에 있는 IPA의 액막(80)이, 중심부에 있는 IPA의 액막(80)에 끌어당겨져 웨이퍼(W)의 상면의 중심부에 순차적으로 이동하고, 흡인구(405)에 흡인되어, 웨이퍼(W)의 상면으로부터 제거된다.
도 12a~도 12c에서 설명한 흡인 노즐(404) 대신에 도 13a~도 13c에 나타낸 바와 같은 스펀지 와이프(504)를 이용하여 IPA의 액막(80)을 배제해도 된다.
도 13a에 나타낸 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 유지 유닛(502) 내의 히터(5)03에 의해 IPA의 비점 이상으로 가열되어, 그 상면에 IPA의 증기막(85)을 형성하고 있다. 이 증기막(85)은, IPA의 액막(80)을 웨이퍼(W)의 상방으로 부상시키고 있다(도 8c 참조). 이 스펀지 와이프(504)는, 웨이퍼(W)와 마찬가지로 원판형상을 이루고 있으며 흡수성을 갖고 있다. 스펀지 와이프(504)는, 홀더(505)에 의해 상방으로부터 지지되고 있다. IPA 배제 공정에서는, 도 13a에 나타낸 바와 같이, 스펀지 와이프(504)를 하강시켜, 웨이퍼(W)의 상면에 근접 배치시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 상면의 IPA의 액막(80)이 스펀지 와이프(504)에 흡수된다(도 13b 참조). 그 상태에서, 도 13c에 나타낸 바와 같이, 스펀지 와이프(504)를 끌어올림으로써, IPA의 액막(80)이, 웨이퍼(W)의 상면으로부터 배제된다. 그리하여, 패턴의 도괴를 일으키지 않고, 웨이퍼(W)의 상면으로부터 IPA의 액막(80)을 양호하게 배제할 수 있다.
도 12a~도 12c에서 설명한 흡인 노즐(404) 혹은 도 13a~도 13c에서 설명한 스펀지 와이프(504) 대신에 도 14a~도 14c에 나타낸, 연직 방향으로 연장되는 다수가 짧은 모세관(606)을 모아 형성한 모세관 헤드(604)를 사용해도 된다. 도 14a에 나타낸 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 유지 유닛(602) 내의 히터(603)에 의해 IPA의 비점 이상으로 가열되어, 그 상면에 IPA의 증기막(85)을 형성하고 있다. 이 증기막(85)은 IPA의 액막(80)을 웨이퍼(W)의 상방으로 부상시키고 있다(도 8c 참조). 모세관 헤드(604)는, 웨이퍼(W)의 상면에 대향 배치되어 있으며, 웨이퍼(W)와 마찬가지로 대략 원판형상으로 형성되어 있다. 모세관 헤드(604)는, 홀더(605)에 의해서 상방으로부터 지지되고 있다.
IPA 배제 공정에서는, 도 14a에 나타낸 바와 같이, 모세관 헤드(604)를 하강시켜, 웨이퍼(W)의 상면에 근접 배치시킨다. 이 때, 모세관 헤드(604)의 각 모세관(606)에 있어서의 모세관 현상에 의해, 웨이퍼(W)의 상면의 IPA의 액막(80)이 모세관 헤드(604)에 흡수된다(도 14b 참조). 그 상태에서, 도 14c에 나타낸 바와 같이, 모세관 헤드(604)가 끌어 올려지면 IPA의 액막(80)이 웨이퍼(W)의 상면으로부터 배제된다. 그리하여, 패턴의 도괴를 일으키지 않고, 웨이퍼(W)의 상면으로부터 IPA의 액막(80)을 양호하게 배제할 수 있다.
혹은, 웨이퍼(W)의 표면에 온도 구배를 형성함으로써 웨이퍼(W)의 표면으로부터 IPA의 액막(80)을 배제해도 된다.
도 15a에 나타낸 웨이퍼(W)는 내부에 히터(703)가 배치된 웨이퍼 유지 유닛(702)에 올려져 있다. 이 히터(703) 상면은 다수의 에리어로 나뉘어져 있으며, 각 에리어에 있어서 발열 상태와 비발열 상태를 전환할 수 있도록 되어 있다. 즉, 에리어마다 온/오프를 제어할 수 있도록 되어 있다.
웨이퍼 유지 유닛(702) 상의 웨이퍼(W)는 모든 에리어가 발열 상태가 된 히터(703)로부터의 전열에 의해 가열된다. 히터(703)의 가열에 의해 IPA의 액막(80)과 웨이퍼(W)의 상면 사이에 IPA의 증기막(85)이 형성되어 IPA의 액막(80)이 웨이퍼(W)의 상면으로부터 부상한다(도 8c 참조). 이 상태에서는 IPA의 액막(80)과 웨이퍼(W)의 상면 사이에 거의 마찰력이 발생하지 않으므로 IPA의 액막(80)은 웨이퍼(W)의 상면을 따라서 이동하기 쉬운 상태에 있다.
도 15a에 나타낸 바와 같이 IPA 배제 공정에서는 히터(703)의 상면의 중심부만을 발열 상태로 하고, 히터(703)의 상면의 다른 영역은 비발열 상태로 한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 상면의 중심부가 고온이 되고, 웨이퍼(W)의 상면의 다른 영역은 저온이 된다. IPA액은, 온도가 높은 곳에서 낮은 곳으로 이동하는 성질을 갖고 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 상면의 중심부에 위치하는 IPA의 액막(80)이, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 향해서 이동한다.
그 후, 도 15b에 나타낸 바와 같이, 히터(703)의 상면에 있어서의 발열 영역을, 둘레 가장자리부를 향해서 차례로 확대시키고, 이윽고, 히터(703)의 상면 전역을 발열시킨다(도 15c 참조). 이에 의해, 웨이퍼(W)의 상면에 있어서, 고온의 영역이 중심부로부터 둘레 가장자리부를 향해 차례로 확대된다. 이에 의해, IPA의 액막(80)이 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부로 이동하고, 또한 웨이퍼(W) 밖으로 배출된다. 그러므로, 패턴의 도괴를 일으키지 않고, 웨이퍼(W)의 상면으로부터 IPA의 액막(80)을 양호하게 배제할 수 있다.
이상, 이 발명의 2개의 실시형태에 대해서 설명했는데, 본 발명은 다른 형태로 실시할 수도 있다.
예를 들면, 상술한 제1 실시형태에서는, IPA액 공급 공정(도 6의 S4)의 개시부터 IPA 배제 공정(도 6의 S6)의 종료까지의 기간에 걸쳐, 웨이퍼(W)를 계속 회전시키는 것으로 설명했는데, IPA액 공급 공정(도 6의 S4)의 일부 기간 또는 전체 기간에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 영 또는 영에 가까운 저속(예를 들면 20rpm 미만의 회전 속도)으로 유지해도 된다. 또, 웨이퍼 가열 공정(도 6의 S5)의 일부 기간 또는 전체 기간에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 영 또는 영에 가까운 저속(예를 들면 20rpm 미만의 회전 속도)으로 유지해도 된다. 이하에 일례를 나타낸다. IPA액 공급 공정(도 6의 S4)의 개시시에는, 상술한 제1 실시형태의 경우와 마찬가지로, 웨이퍼(W)가 상기 소정의 회전 속도(예를 들면 10~1000rpm의 범위. 바람직하게는 1000rpm)로 회전된다. 웨이퍼(W)의 상면의 중심부 부근에 공급된 IPA액은, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 웨이퍼(W)의 상면과, 내측 덮개(61)의 기판 대향면(62) 사이를 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 향해서 흐른다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 상면의 전역에 IPA액이 퍼져, 웨이퍼(W)의 상면의 DIW가 IPA액에 의해 치환된다.
IPA액 공급 공정(도 6의 S4) 개시 후 소정 시간이 경과하면, 웨이퍼(W)의 회전의 감속이 개시되고, IPA 치환 시간의 경과까지, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 영 또는 영에 가까운 저속까지 떨어진다. 이 때문에, IPA액 공급 공정(도 6의 S4)의 종료 단계에 있어서, 웨이퍼(W) 상의 IPA액에 영 또는 작은 원심력 밖에 작용하지 않게 되어 IPA액이 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부로부터 배출되지 않고 웨이퍼(W)의 상면에 체류하게 된다. 이 결과, 웨이퍼(W)의 상면에 패들 상태(웨이퍼(W)의 상면에 IPA액이 체류하여 액막을 형성하는 상태)의 IPA액의 액막(80)이 형성된다.
그리고, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 영 또는 영에 가까운 저속으로 유지된 상태로, 웨이퍼 가열 공정(도 6의 S5)이 실행된다. 즉, 웨이퍼(W) 상에 패들 상태의 IPA액의 액막이 유지된 상태로, 히터(5)를 상측 위치(도 7f 등 참조)까지 상승시켜 웨이퍼(W)를 가열한다. 이 때, 웨이퍼 가열 공정(도 6의 S5)의 전체 기간에 걸쳐서, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 영 또는 영에 가까운 저속으로 유지되어 있어도 된다.
이 경우, 웨이퍼 가열 공정(도 6의 S5)에 있어서, IPA의 액막(80)(도 8c 참조)에 영 또는 작은 원심력 밖에 작용하지 않게 되므로, IPA의 액막(80)에 있어서의 균열의 발생을 보다 더 확실하게 방지할 수 있다.
예를 들면, 제1 실시형태에 있어서, 단계 S4의 IPA액의 공급 후 단계 S5의 웨이퍼(W)의 가열 개시까지의 동안, 웨이퍼(W)의 상면의 온도를, 상온보다도 높게, 또한 가열시 상면 온도보다도 낮은 소정의 온도로 유지해 두어도 된다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 상면에 공급되는 IPA액의 치환 효율을 높일 수 있어, 이에 의해, IPA 치환 시간을 단축할 수 있다. 이 경우, 히터(5)를, 하측 위치(도 7a 등 참조)와 상측 위치(도 7f 등 참조) 사이의 소정의 중간 위치에 배치함으로써 웨이퍼(W)를 가열해도 된다.
IPA 치환을 양호하게 행하기 위해서는 IPA는 액상인 것이 바람직하다. 이 때문에, 단계 S4의 IPA액의 공급 후 단계 S5의 웨이퍼(W)의 가열 개시까지의 동안에, 웨이퍼(W)의 상면의 온도를 상온보다도 높게 하는 경우에 있어서도, 그 온도는, IPA액의 비점(82.4℃) 미만인 것이 바람직하다. 그러나, 이 기간에, 웨이퍼(W)의 상면을 IPA액의 비점 이상으로 올릴 수도 있다. 특히, IPA액의 공급의 개시 직후에서는, 웨이퍼(W)의 상면에서 IPA 치환이 충분히 행해져 있지 않으므로, 웨이퍼(W)의 상면은 IPA액과 DIW가 혼재한 상태가 된다. 이 상태에서는 웨이퍼(W)의 IPA액의 비점에 이르더라도, IPA액이 비등하지 않는다. 그 때문에, IPA액에 의한 DIW의 치환을 행하는 것이 가능하다.
또, 제1 실시형태에 있어서, 에칭 공정(도 6의 단계 S2)의 실행시에, 히터(5)를 상측 위치(도 7f 등 참조)나 상술한 중간 위치에 배치함으로써 웨이퍼(W)를 가열해도 된다. 그러나, 에칭 처리시에 웨이퍼(W)를 가열함으로써, IPA액 공급(단계 S4)시 등에서의 온도 제어에 영향을 미치는 경우에는, 웨이퍼(W)의 가열은 행하지 않는 것이 바람직하다.
또, 제1 실시형태에서는 린스 공정(도 6의 단계 S3)의 실행시에 히터(5)를 하측 위치(도 7a 등 참조)시키고 있기 때문에 웨이퍼(W)는 큰 열량으로 가열되어 있지 않다. 그러나, 린스 공정에 있어서, 히터(5)를 상측 위치(도 7f 등 참조)에 배치하여 웨이퍼(W)를 가열시키도록 해도 된다. 이 경우, 린스 공정에 이어서 실행되는 IPA 치환의 치환 효율을 높이기 위해서, IPA액 공급 공정시에 히터(5)를 하측 위치로 하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 린스 공정의 실행시에 웨이퍼(W)를 가열함으로써, IPA액 공급(단계 S4)시 등에 있어서의 온도 제어에 영향을 미치는 경우에는, 웨이퍼(W)의 가열은 행하지 않는 것이 바람직하다.
또, 제1 실시형태에 있어서, 린스액 노즐(7)을 이용하여 린스액을 토출하는 구성을 예로 들었는데, 외측 덮개(41)의 중심부에, 도 1에 파선으로 나타낸 바와 같이, 연직 방향으로 연장되어 삽입 통과되어 있는 린스액 유통관(802)을 사용해도 된다. 린스액 유통관(802)의 하단은 외측 덮개(41)의 중심부 하면(45)에서 개구하여, 린스액 토출구(803)를 형성하고 있다. 이 때, 린스액 유통관(802)에는, 린스액 공급원으로부터의 DIW가 공급되는 린스액 공급관(800)이 접속되어 있다. 린스액 공급관(800)에는, 린스액 공급관(800)의 개폐를 위한 린스액 밸브(801)가 개재되어 설치되어 있다.
또, 제1 실시형태에 있어서, 히터(5)를 승강시킴으로써 히터(5)와 웨이퍼(W)의 간격을 조정하는 구성을 예로 들었다. 그러나, 웨이퍼(W)를 유지하는 기판 유지 회전 기구(4)를 승강시킴으로써, 또 히터(5)와 기판 유지 회전 기구(4)의 쌍방을 승강시킴으로써, 히터(5)와 웨이퍼(W)의 간격을 조정해도 된다.
또, 히터(5)를 웨이퍼(W)의 회전과 동기하여 회전시키는 히터 회전 유닛이 구비되어 있어도 된다.
또, IPA의 액막(80)은, 웨이퍼 가열 공정(S5) 및 IPA 배제 공정(S6) 중에 웨이퍼(W)를 회전시키지 않는 양태에 있어서, 웨이퍼(W)의 연직 방향 중심 위치에서 1~5mm 정도의 두께로 형성해도 된다.
또, IPA액의 공급은, 적절한 타이밍에서 정지하면 된다. 예를 들면, 웨이퍼 가열 공정(S5)의 개시 직전에 IPA액의 공급을 정지해도 되고, 웨이퍼 가열 공정(S5)의 개시 후, 소정 시간 경과 후에 IPA액의 공급을 정지해도 된다. 상기한 바와 같이 웨이퍼 가열 공정(S5)의 실시중에 IPA액을 액막(80)에 적절히 추가하는 것이어도 된다.
또, 낮은 표면장력을 갖는 유기 용매로서 IPA액 이외에, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 아세톤, 및 HFE(하이드로플루오로에테르) 등을 들 수 있다.
또, 린스액으로서 DIW를 이용하는 경우를 예로 들어 설명했다. 그러나, 린스액은, DIW에 한정되지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 오존수, 희석 농도(예를 들면, 10~100ppm 정도)의 염산수, 환원수(수소수) 등을 린스액으로서 채용할 수도 있다.
또한, 불활성 가스의 일례로서 질소 가스를 들었는데, 청정 공기나 그 외의 불활성 가스를 채용할 수 있다.
또, 상술한 각 실시형태에서는 웨이퍼(W)에 에칭 처리를 행하는 경우를 예로 들었는데, 세정 처리 등 다른 처리에 있어서도 본 발명이 적용된다. 이러한 세정 처리에 있어서는, 세정액으로서 상술한 희불산에 추가해, SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：암모니아과산화수소수 혼합액), SC2(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：염산과산화수소수 혼합액), 버퍼드불산(Buffered HF：불산과 불화암모늄의 혼합액) 등을 채용할 수 있다.
또한 상술한 각 실시형태의 에칭 처리나 세정 처리는 대기압 하에서 실행했는데, 처리 분위기의 압력은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 덮개 부재(10)와 하측 컵(8)으로 구획되는 밀폐 공간의 분위기를 소정의 압력 조정 유닛을 이용하여 가감압함으로써, 대기압보다도 높은 고압 분위기 또는 대기압보다도 낮은 감압 분위기로 한 후에 각 실시형태의 에칭 처리나 세정 처리를 실행해도 된다.
본 발명의 실시형태에 대해서 상세하게 설명해 왔는데, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 밝히기 위해서 이용된 구체적인 예에 지나지 않으며, 본 발명은 이들 구체예로 한정하여 해석되어야 하는 것이 아니며, 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 한정된다.
이 출원은, 2012년 11월 8일에 일본 특허청에 제출된 특허 출원 2012-246546호 및 2013년 9월 27일에 일본 특허청에 제출된 특허 출원 2013-202711호에 대응하고 있으며, 이 출원의 전 개시는 여기서 인용에 의해 편입되는 것으로 한다.

Claims (22)

  1. 미세 패턴이 형성되고, 기판 유지 유닛에 수평 자세로 유지되어 있는 기판의 상면에, 린스액을 공급하는 린스 공정과,
    상기 기판의 상면에 부착되어 있는 린스액을 유기 용매로 치환하기 위해, 상기 린스액보다도 표면장력이 낮은 소정의 액체의 유기 용매를, 상기 유기 용매의 비점 이하의 온도로 된 상기 기판의 상면에 공급하여, 상기 기판의 상면에, 상기 미세 패턴의 간극을 채우는 상기 유기 용매의 액막을 형성하는 유기 용매 공급 공정과,
    상기 기판의 상면을 상기 유기 용매의 비점보다도 높은 소정의 고온으로 유지하여, 상기 유기 용매의 상기 액막을 상기 미세 패턴의 상방으로 부상시킴으로써, 상기 미세 패턴의 간극을 포함하는 상기 기판의 상면 전체면에 있어서 상기 유기 용매의 기상막을 형성함과 더불어 상기 기상막의 상방에 상기 유기 용매의 액막을 형성하는 고온 유지 공정과,
    상기 기판의 상면으로부터, 상기 유기 용매의 액막을 배제하는 유기 용매 배제 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 용매 배제 공정은, 상기 고온 유지 공정의 종료에 앞서 실행 개시되는, 기판 처리 방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 고온 유지 공정에 있어서의 기판의 상면 온도는, 상기 고온 유지 공정에 있어서 상기 유기 용매의 액막의 비등을 방지할 수 있는 온도로 설정되어 있는, 기판 처리 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 소정의 고온은, 상기 유기 용매의 비점보다도 10~50℃ 높은, 기판 처리 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 고온 유지 공정에 있어서의 기판 온도, 및 상기 고온 유지 공정의 실행 시간 중 적어도 한쪽은, 상기 유기 용매의 기상막에 포함되는 기상의 유기 용매가, 상기 유기 용매의 액막을 뚫고 상기 액막 상으로 나오지 않는 온도 및 실행 시간으로 각각 설정되어 있는, 기판 처리 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 고온 유지 공정에 있어서의 상기 유기 용매의 액막의 막 두께는, 상기 고온 유지 공정에 있어서 상기 유기 용매의 액막이 분열되지 않는 두께로 설정되어 있는, 기판 처리 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 고온 유지 공정에 있어서의 상기 유기 용매의 액막의 막 두께는, 상기 기판의 중심에 있어서 1~5mm로 설정되어 있는, 기판 처리 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 고온 유지 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 회전시키면서 그 기판의 상면을 상기 소정의 고온으로 유지하는 것이며,
    상기 고온 유지 공정에 있어서의 상기 기판의 회전 속도는, 10~500rpm으로 설정되어 있는, 기판 처리 방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 고온 유지 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 회전시키면서 상기 기판의 상면을 상기 소정의 고온으로 유지시키는 것이고,
    상기 고온 유지 공정에서의 상기 기판의 회전 속도는, 영 또는 20rpm 미만의 저속으로 설정되어 있는, 기판 처리 방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 고온 유지 공정에 있어서 상기 유기 용매의 액막에 상기 유기 용매를 추가하는, 기판 처리 방법.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 용매 공급 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면의 온도가 상기 유기 용매의 비점 미만일 때 실행되는, 기판 처리 방법.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 고온 유지 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 상기 기판의 하방에 배치된 히터에 의해 가열하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 용매 배제 공정 후에, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 회전시켜 상기 기판을 건조시키는 스핀 드라이 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 용매 배제 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 회전시키면서, 상기 기판의 상면의 회전 중심을 향하여 기체를 토출하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 용매 배제 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면을 향해서 띠형상의 기체를 분사함과 더불어, 상기 기판의 상면에 있어서의 상기 기체를 분사하는 영역을 이동시키는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 용매 배제 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 수평에 대해 기울게 하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 용매 배제 공정은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 그 중앙 영역으로부터 둘레 가장자리부를 향해 차례로 가열하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  18. 청구항 1에 있어서,
    상기 고온 유지 공정에서, 상기 유기 용매의 기상막의 상방에 형성되는 상기 유기 용매의 상기 액막은, 상기 기판의 상면 전체면을 덮고 있는, 기판 처리 방법.
  19. 상면에 미세 패턴이 형성된 기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지 유닛과,
    상기 기판의 상면에 린스액을 공급하는 린스액 공급 유닛과,
    상기 기판의 상면에, 상기 린스액보다도 표면장력이 낮은 소정의 유기 용매를 공급하기 위한 유기 용매 공급 유닛과,
    상기 기판을 가열하기 위한 히터와,
    상기 기판으로부터 상기 유기 용매를 배제하기 위한 유기 용매 배제 유닛과,
    상기 린스액 공급 유닛, 상기 유기 용매 공급 유닛, 상기 히터 및 상기 유기 용매 배제 유닛을 제어함으로써, 상기 린스액 공급 유닛으로부터 상기 기판에 린스액을 공급시키고, 그 후, 상기 기판의 상면에 부착되어 있는 린스액을 상기 유기 용매로 치환하기 위해, 상기 유기 용매 공급 유닛으로부터 상기 기판에 상기 유기 용매를 공급하여, 상기 기판의 상면에, 상기 미세 패턴의 간극을 채우는 상기 유기 용매의 액막을 형성하고, 상기 히터를 제어하여, 상기 기판의 상면을 상기 유기 용매의 비점보다도 높은 소정의 온도까지 승온시켜, 상기 유기 용매의 상기 액막을 상기 미세 패턴의 상방으로 부상시킴으로써, 상기 미세 패턴의 간극을 포함하는 상기 기판의 상면 전체면에 있어서 상기 유기 용매의 기상막을 형성함과 함께 상기 기상막의 상방에 상기 유기 용매의 액막을 형성시키고, 상기 유기 용매의 액막이 형성된 후, 상기 유기 용매 배제 유닛에 의해 상기 유기 용매의 액막을 상기 기판의 상면으로부터 배제시키는 제어 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판의 상면에 대향 배치되는 기판 대향면을 구비한 덮개 부재를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 기판 유지 유닛을 내부에 격납하는 컵 본체를 더 포함하고, 상기 덮개 부재는 상기 컵 본체의 개구를 폐색함으로써, 상기 컵 본체의 내부 공간을 외부로부터 밀폐하는, 기판 처리 장치.
  22. 청구항 19 내지 청구항 21 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 히터는, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 상기 기판의 하방으로부터 가열하기 위한 것이며,
    상기 히터와 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판이 접근/이반하도록, 상기 히터 및 상기 기판 유지 유닛 중 적어도 한쪽을 승강시키는 승강 유닛을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
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