KR101466998B1 - 집적형 가스 패널 장치 - Google Patents

집적형 가스 패널 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101466998B1
KR101466998B1 KR1020097005386A KR20097005386A KR101466998B1 KR 101466998 B1 KR101466998 B1 KR 101466998B1 KR 1020097005386 A KR1020097005386 A KR 1020097005386A KR 20097005386 A KR20097005386 A KR 20097005386A KR 101466998 B1 KR101466998 B1 KR 101466998B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flow path
gas
branch
main flow
block body
Prior art date
Application number
KR1020097005386A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090053822A (ko
Inventor
가즈히로 오야
다츠야 하야시
Original Assignee
가부시키가이샤 호리바 에스텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 호리바 에스텍 filed Critical 가부시키가이샤 호리바 에스텍
Publication of KR20090053822A publication Critical patent/KR20090053822A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101466998B1 publication Critical patent/KR101466998B1/ko

Links

Images

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K27/00Construction of housing; Use of materials therefor
    • F16K27/003Housing formed from a plurality of the same valve elements
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F15FLUID-PRESSURE ACTUATORS; HYDRAULICS OR PNEUMATICS IN GENERAL
    • F15BSYSTEMS ACTING BY MEANS OF FLUIDS IN GENERAL; FLUID-PRESSURE ACTUATORS, e.g. SERVOMOTORS; DETAILS OF FLUID-PRESSURE SYSTEMS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F15B13/00Details of servomotor systems ; Valves for servomotor systems
    • F15B13/02Fluid distribution or supply devices characterised by their adaptation to the control of servomotors
    • F15B13/06Fluid distribution or supply devices characterised by their adaptation to the control of servomotors for use with two or more servomotors
    • F15B13/08Assemblies of units, each for the control of a single servomotor only
    • F15B13/0803Modular units
    • F15B13/0821Attachment or sealing of modular units to each other
    • F15B13/0825Attachment or sealing of modular units to each other the modular elements being mounted on a common member, e.g. on a rail
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17DPIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D1/00Pipe-line systems
    • F17D1/02Pipe-line systems for gases or vapours
    • F17D1/04Pipe-line systems for gases or vapours for distribution of gas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/5109Convertible
    • Y10T137/5283Units interchangeable between alternate locations
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/8593Systems
    • Y10T137/877With flow control means for branched passages
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/8593Systems
    • Y10T137/877With flow control means for branched passages
    • Y10T137/87885Sectional block structure

Abstract

현격하게 뛰어난 응답성을 얻을 수 있어 가스 농도의 안정화를 도모할 수 있으며, 게다가 종래의 패널형 형상을 그대로 유지할 수 있는 집적형 가스 패널 장치를 제공하는 것을 소기 과제로 한다. 이를 위해서, 패널체(2)를, 적어도 메인 유로(main channel)(R2)를 형성하는 메인 유로용 블록체(32)와 분지 유로(branch channel)(R1)를 형성하는 분지 유로용 블록체(31)로 이루어진 것으로 하고, 그 메인 유로용 블록체(32)를 중심으로 하여 좌우 양측으로 대향하도록 상기 분지 유로용 블록체(31)를 배치하도록 하였다.
패널형 형상, 패널체, 분지 유로, 메인 유로, 분지 유로용 블록체, 메인 유로형 블록체

Description

집적형 가스 패널 장치{INTEGRATED GAS PANEL APPARATUS}
본 발명은 반도체 제조 프로세스 등에 이용되는 집적형 가스 패널 장치에 관한 것이다.
집적(集積)형 가스 패널 장치란, 반도체 디바이스 제조 등에서 이용되는 복수 종(種)의 가스를 각각 유량 제어하면서 최종적으로는 혼합하여 성막(成膜) 챔버에 공급하기 위한 것으로, 그 이전의 배관 구조로 구성한 가스 공급 제어 라인을 축소하기 위하여 개발된 것이다. 구체적으로는, 일례를 특허문헌 1에 나타낸 바와 같이, 개략 면판(面板) 모양을 이루는 패널체에 밸브나 질량 유량 제어기(mass flow controller) 등의 가스 제어 기기가 장착되도록 구성되어 있다. 패널체의 내부에는, 예를 들어 상기 가스 제어 기기가 장착되는 복수의 분지 유로(枝流路)(branch channel)와, 그들 분지 유로가 접속되어 그곳을 흐르는 각 가스가 합류하도록 구성한 하나의 메인 유로(main channel)가 형성되어 있다.
이와 같은 집적형 가스 패널 장치로는, 최근 여러 가지 개량이 되고 있으며, 예를 들어 사용하는 가스의 종류 수 등에 대응된 유연한 유로 구성을 취할 수 있도록, 몇 종류의 블록체를 적절히 연달아 설치하여 상기 패널체가 조립되도록 구성한 것 등이 알려져 있다.
특허문헌 1: 일본국 특개평10-169881
[발명이 해결하고자 하는 과제]
그러나, 종래의 이런 종류의 장치는 메인 유로의 한쪽 편에 분지 유로가 병렬로 배치되어 있으며, 각 분지 유로와 메인 유로의 합류 부위는 분지 유로의 배열순으로 메인 유로의 상류로부터 하류를 향하여 대략 등간격으로 배치되어 있다.
그렇지만, 이와 같은 구성에서는, 예를 들어 분지 유로가 다수가 되면, 그 만큼 메인 유로 길이가 길어져서 가스의 최종 출구까지의 도달 시간이 길어지게 되어 유체 회로계(回路系)의 응답성에 악영향을 준다. 그런 영향이 현저해지는 것은, 메인 유로의 상류측에 위치하는 분지 유로로부터의 가스나 소유량(小流量) 가스이다. 그리고 그 결과, 단시간·고속 응답성이 요구되는 것과 같은 프로세스에 대해 충분한 대응을 도모하는 것이 어려워진다. 또, 응답성이 나쁘기 때문에 가스 농도가 불안정해지기 쉽다고 하는 결함도 생긴다.
특히, 반도체 프로세스에서는 제조 공정의 고속 가스 처리에 따른 프로세스 시간의 단축(시동 안정까지의 배기 시간/종료시의 퍼지 시간의 단축 등)이 중요한 요인이 되고 있으며, 이와 같은 응답성 열화에 따른 결함은 바람직한 것이 아니다.
또, 예를 들어 반도체 제조 프로세스에 있어서는, 최종적으로 공급되는 복수 종의 가스가 충분히 혼합된 상태일 것이 요구된다. 이것은 공급 가스의 혼합 상태에 고르지 못함이 있으면, 디바이스의 품질 열화를 초래하기 때문이나, 이에 대해, 종래는 이 집적형 가스 패널 장치 이후의 배관 길이를 길게 잡아 혼합을 촉진하거나, 혹은 그 후단에 추가로 가스 혼합기를 설치하거나 하는 연구를 하고 있다.
그러나, 이와 같은 구성에서는 충분한 혼합을 실시할 수 있으나, 배관 용량이 커지는 만큼 응답성에 악영향이 나와서, 전술한 바와 같이, 단시간·고속 응답성이 요구되는 것과 같은 프로세스에 대해 충분한 대응을 도모하는 것이 어려워진다. 또 응답성이 나빠지는 만큼 가스 농도의 시동 안정성 등에도 영향이 나온다. 또한, 일부의 분지 유로로부터의 가스 유량이 작은 경우에는, 그 가스의 도달 시간이 길어지기 때문에, 응답성이 나빠지는데다가 메인 유로를 흘러나온 가스의 압력 변동 등에 의해, 그 소유량 가스의 합류량 변동이 생기기 쉬워서 최종적인 가스 농도의 불안정화가 현저해지는 경우도 있다.
덧붙여, 종래의 이런 종류의 장치는 메인 유로의 한편 측에 분지 유로가 병렬로 배치되어 있고, 각 분지 유로와 메인 유로의 합류 부위가 분지 유로의 배열순으로 메인 유로의 상류로부터 하류를 향하여 대략 등간격으로 배치되어 있기 때문에, 각 분지 유로 중, 메인 유로의 상류측에서 합류하는 것과 하류측에서 합류하는 것에서는, 가스의 최종 출구까지의 도달 시간이 달라져 버린다고 하는 결함이 있다. 이런 경우이면, 가장 상류측에 위치하는 분지 유로로부터의 가스의 도달 시간이 길어져서, 이 가스 도달 시간이 이 유체 회로계의 응답성의 속도에 영향을 끼쳐 버린다.
또한, 각 분지 유로로부터의 가스 도달 시간에 동시성을 담보할 수 없는 것으로 인하여, 조기 상태에 있어서 가스의 농도 분포가 불안정해지기 쉽게 된다.
또, 분지 유로가 다수가 되면 그만큼 메인 유로 길이가 길어지며, 이것도 유체 회로계의 응답성에 악영향을 준다.
즉, 종래의 구성이면, 단시간·고속 응답성이 요구되는 것과 같은 프로세스에 대해 충분한 대응을 도모하는 것이 어려워지며, 가스 농도가 불안정해지기 쉽다고 하는 결함도 생긴다.
본 발명은 이러한 결함을 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 현격하게 뛰어난 응답성을 얻을 수 있어 가스 농도의 안정화도 도모할 수 있고, 게다가 종래의 패널형 형상을 그대로 유지할 수 있어 구조의 복잡화나 비대화를 초래하지 않거나, 또는 콤팩트화마저 가능한 집적형 가스 패널 장치를 제공하는 것을 그 주된 목적으로 하는 것이다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
즉, 청구항 1의 발명에 관련된 집적형 가스 패널 장치는, 밸브나 질량 유량 제어기 등의 가스 제어 기기가 도중에 설치되어 내부를 흐르는 가스를 제어할 수 있도록 구성된 복수의 분지 유로와, 그들 분지 유로로부터의 가스가 흘러들어 합류하는 하나의 메인 유로와, 복수의 블록체를 조립함으로써 상기 분지 유로 및 메인 유로가 내부에 형성되도록 구성한 매니폴드(manifold)형 패널체를 구비한 것으로서, 상기 패널체가, 상기 메인 유로를 형성하는 메인 유로용 블록체와, 그 메인 유로용 블록체를 중심으로 하여 좌우 양측으로 대향하도록 각각 배치된, 상기 분지 유로를 형성하는 분지 유로용 블록체를 구비한 것인 것을 특징으로 한다.
이와 같은 것이면, 종래 메인 유로의 한쪽 편에만 배치되어 있던 분지 유로가 메인 유로의 좌우에 배치되게 되기 때문에, 메인 유로의 길이를 단축할 수 있다. 그리고 그 결과, 가스의 최종 출구까지의 도달 시간을 단축할 수 있어 응답성을 향상시키는 것이 가능해진다. 이것은 가스 농도의 안정화에도 기여한다. 게다가, 각 유로를 형성하고 있는 블록체를 평면적으로 배치하여 종래와 같은 패널체를 구성할 수 있기 때문에, 종래 장치와 무리없이 바꿔 놓을 수 있다.
메인 유로 단축에 가장 바람직한 형태로는, 상기 메인 유로를 사이에 두고 대향한 하나의 분지 유로와 다른 분지 유로와의 메인 유로에 대한 각 합류 부위가, 해당 메인 유로의 길이(延伸) 방향에 있어서 대략 같은 장소로 설정되어 있는 것을 들 수 있다. 메인 유로의 길이 방향에 있어서 대략 같은 장소란, 합류 부위가 완전하게 합치하는 것 외에, 메인 유로가 서로 대향하는 관측 벽부위나, 직교하는 관측 벽부위 등도 포함한다고 하는 의미이다.
응답성, 가스 농도 안정성을 더욱 향상시키기 위해서는, 상기 메인 유로용 블록체에, 그 내부의 메인 유로에 연통하는 삽입 구멍을 형성하는 동시에, 상기 분지 유로의 출구 부분을 내부에 가진 분지 유로용 블록체에, 그 분지 유로를 외측으로 돌출시킨 돌출 배관을 설치해 두고, 상기 돌출 배관을 상기 삽입 구멍에 삽입하여 해당 메인 유로용 블록체와 분지 유로용 블록체를 조립한 상태에 있어서, 상기 돌출 배관의 선단이 상기 메인 유로의 내측면으로부터 더욱 안쪽으로 돌출하도록 구성하고 있는 것이 바람직하다.
또, 청구항 5의 발명에 관련된 집적형 가스 패널 장치는, 밸브나 질량 유량 제어기 등의 가스 제어 기기가 도중에 설치되어 내부를 흐르는 가스를 제어할 수 있도록 구성된 복수의 분지 유로와, 그들 분지 유로로부터의 가스가 흘러드는 메인 유로와, 복수의 블록체를 조립함으로써 상기 분지 유로 및 메인 유로가 내부에 형성되도록 구성한 패널체를 구비한 것으로서, 상기 블록체 중, 상기 메인 유로를 내부에 가진 메인 유로용 블록체에, 그 내부의 메인 유로에 연통하는 삽입 구멍을 형성하는 동시에, 상기 분지 유로의 출구 부분을 내부에 가진 분지 유로용 블록체에, 그 분지 유로를 외측으로 돌출시킨 돌출 배관을 설치해 두고, 상기 돌출 배관을 상기 삽입 구멍에 삽입하여 해당 메인 유로용 블록체와 분지 유로용 블록체를 조립한 상태에서, 상기 돌출 배관의 선단이 상기 메인 유로의 내측면으로부터 더욱 안쪽으로 돌출하도록 구성하고 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 것이면, 분지 유로와 메인 유로의 접속 부분에 있어서, 분지 유로의 출구인 돌출 배관이 메인 유로 내로 돌출하여 그 유로 지름을 좁히기 때문에, 이 부분에서의 초크(choke) 효과에 의해서 분지 유로 내의 가스가 메인 유로 내에 강하게 끌려들어가는 데다가, 그 가스는 상기 돌출 배관의 후방에 발생하는 난류 등에 의해 확산되기 때문에, 메인 유로를 흘러나온 가스와 분지 유로의 가스의 혼합이 크게 촉진된다.
따라서, 종래의 것에 비교해서, 이 가스 패널 장치 내에서의 가스의 혼합을 충분하게 실시할 수 있게 되며, 그 후단에 배치해야 할 배관 길이나 가스 혼합기의 용량을 작게 하거나 생략하거나 하는 것에 의해, 종래의 것에 비해, 고속 응답성에 있어서 현격히 뛰어난 것으로 할 수 있게 된다. 또, 그로 인하여, 시동시 등의 가스 농도 안정성도 향상시킬 수 있게 된다.
또, 분지 유로 내의 가스가 비록 소유량이더라도, 이것을 메인 유로에 확실하게 끌어들일 수 있기 때문에, 그 소유량 가스의 합류시에 있어서의 유량 변동이 생기기 어려워지며, 이런 점에서도 가스 농도 안정성을 향상시킬 수 있다.
또한, 분지 유로용 블록체로부터 소정 길이의 돌출 배관을 돌출시키는 것만으로 기본적으로는 구성할 수 있기 때문에, 구조상의 복잡화를 거의 초래하지 않으며, 조립 상태에서는 이 돌출 배관이 내부에 숨어 버리기 때문에, 종래의 것과 외형적으로 거의 동일한 것으로 유지할 수 있다.
가스의 혼합을 무리없이 촉진시키기 위해서는, 상기 돌출 배관의 선단이, 상기 메인 유로를 횡단면에서 보아 그 중앙 근방에까지 돌출하도록 구성하고 있는 것이 바람직하다.
또, 청구항 8의 발명에 관련된 입체 집적형 가스 패널 장치는, 밸브나 질량 유량 제어기 등의 가스 제어 기기가 도중에 설치되어 내부를 흐르는 가스를 제어할 수 있도록 구성된 복수의 분지 유로와, 그들 분지 유로로부터의 가스가 흘러들어 합류하는 하나의 메인 유로와, 하나의 분지 유로가 내부에 형성된, 바닥면을 장착면으로 하는 긴 패널 모양을 이루는 분지 유로용 블록체와, 측주면(側周面)에 형성한 유지면에서 복수의 분지 유로용 블록체를 그들 길이 방향이 서로 평행해지도록 유지하는 중심 블록체를 구비하며, 상기 중심 블록체에 상기 메인 유로를 형성하는 동시에, 그 메인 유로에 설정한 합류 부위로부터, 해당 중심 블록체의 측주면에 장착한 분지 유로용 블록체의 분지 유로를 향하여 각각 신장되는 중간 유로를 형성하도록 하고 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 것이면, 종래 평면 모양으로 전개하고 있던 분지 유로용 블록체를 입체적으로 배치하고 있으므로, 콤팩트해져서 유로 길이 단축을 도모할 수 있어 응답성을 향상시킬 수 있게 된다. 또, 입체적 구성이기 때문에 각 유로의 배치 자유도가 증가하며, 그 유로 길이이나 합류 부위에 대한 연구로 인하여, 가스 합류 타이밍의 동시성 향상이나, 나아가서는 가스 농도의 안정성 향상을 도모할 수 있다.
보다 구체적으로는, 메인 유로의 단축에 의한 응답성 향상을 도모하기 위해서는, 상기 합류 부위가 메인 유로의 한 개소에 설정되어 있는 것이 바람직하다. 특히, 통상은 중심 블록체의 단면에 출구 포트를 장착하기 때문에, 합류 부위를 예를 들어 중심 블록체의 단부에 설정하면, 메인 유로 길이를 짧게 할 수 있으므로 응답성의 가급적 향상을 도모할 수 있다.
가스 합류 타이밍의 동시성을 향상시키기 위해서는, 상기 각 유지면에 의해서 중심 블록체의 축선을 중심으로 한 회전대칭형이 구성되는 동시에, 상기 합류 부위가, 상기 축선상에 설치되어 각 중간 유로가 서로 동일한 길이로 설정되어 있는 것이 바람직하다.
그런 경우, 상기 메인 유로가 상기 축선상을 따라서 설치되어 있으면, 메인 유로 길이의 가급적 단축에도 기여할 수 있다.
동시성을 더욱 향상시키기 위해서는, 가스 유량에 따라서 중간 유로의 지름이나, 분지 유로에 있어서의 특히 질량 유량 제어기 이후의 유로 지름을 다르게(가스 유량이 작은 것일수록 지름을 작게) 하도록 하면 된다.
제조 용이성을 고려한 구체적 실시형태로는, 상기 중심 블록체가 정다각(正多角) 기둥 모양인 것이 바람직하다.
본 발명의 효과가 특히 현저해지고, 그 유용성이 발휘되는 구체적 실시형태로는, 반도체 제조 프로세스에 이용되는 것을 들 수 있다.
[발명의 효과]
이와 같이 구성한 청구항 1에 관련된 발명에 의하면, 메인 유로 길이를 단축할 수 있으므로, 응답성이나 시동시 등에 있어서의 가스 농도 안정성을 향상시킬 수 있다. 게다가, 종래와 같은 평면적인 형상을 유지할 수 있기 때문에 종래 장치와 무리없이 바꿔 놓을 수 있다.
청구항 5에 관련된 발명에 의하면, 메인 유로를 흘러나온 가스와 분지 유로의 가스의 혼합이 크게 촉진되기 때문에, 그 후단에 배치해야 할 배관 길이나 가스 혼합기의 용량을 작게 하거나 생략하는 것에 의해, 종래의 것에 비해 고속 응답성을 향상시키며, 나아가서는 시동시 등의 가스 농도 안정성도 향상시킬 수 있게 된다. 또한, 분지 유로용 블록체로부터 소정 길이의 돌출 배관을 돌출시키는 것만으로 기본적으로는 구성할 수 있기 때문에, 구조상의 복잡화를 거의 초래하지 않으며, 조립 상태에서는 이 돌출 배관이 내부에 숨어 버리기 때문에, 종래의 것과 외형적으로 거의 동일한 것으로 유지할 수 있다.
청구항 8에 관련된 발명에 의하면, 상술한 바와 같이, 분지 유로용 블록체를 입체적으로 배치하고 있기 때문에, 콤팩트화나 설계 자유도의 향상을 도모할 수 있으며, 그 결과로써 응답성이나 가스 농도 안정성도 향상할 수 있게 된다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시형태에 있어서의 집적형 가스 패널 장치의 전체 사시도이다.
도 2는, 상기 제1 실시형태에 있어서의 집적형 가스 패널 장치의 유체 회로도이다.
도 3은, 상기 제1 실시형태에 있어서의 접속 부분을 나타내는 평면 방향에서 본 모식도이다.
도 4는, 상기 제1 실시형태의 변형예에 있어서의 집적형 가스 패널 장치의 접속 부분을 나타내는 평면 방향에서 본 모식도이다.
도 5는, 도 4의 변형예에 있어서의 집적형 가스 패널 장치의 메인 유로를 나타내는 주요부 종단면도이다.
도 6은, 본 발명의 제2 실시형태에 있어서의 집적형 가스 패널 장치의 전체 사시도이다.
도 7은, 상기 제2 실시형태에 있어서의 집적형 가스 패널 장치의 유체 회로도이다.
도 8은, 상기 제2 실시형태에 있어서의 집적형 가스 패널 장치의 주요부 부분 단면도이다.
도 9는, 상기 제2 실시형태에 있어서의 접속 부분을 나타내는 분해 사시도이다.
도 10은, 상기 제2 실시형태에 있어서의 집적형 가스 패널 장치의 주요부 부분 단면도이다.
도 11은, 본 발명의 제3 실시형태에 있어서의 입체 집적형 가스 패널 장치의 내부를 일부 파단하여 가리키는 전체 사시도이다.
도 12는, 상기 제3 실시형태에 있어서의 입체 집적형 가스 패널 장치의 유체 회로도이다.
도 13은, 상기 제3 실시형태에 있어서의 합류 부위를 나타내는 모식적 횡단면도이다.
도 14는, 상기 제3 실시형태의 변형예에 있어서의 중심 블록체의 모식적 횡단면도이다.
이하에 본 발명의 몇 가지 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한 각 실시형태에 있어서, 대응된 부재에는 동일 부호를 부여하고 있으나, 동일 기능이더라도 형상이 다르거나 그 반대의 경우 등에는 다른 부호가 부여되고 있는 경우도 있다.
<제1 실시형태>
제1 실시형태에서는 도 1부터 도 5를 참조한다.
본 실시형태에 관련된 집적형 가스 패널 장치(1)는 반도체 제조 시스템의 일부를 구성하는 것이며, 그 개요를 도 1에 나타낸 바와 같이, 성막용의 각종 가스를 도시하지 않은 가스 공급원으로부터 각각 도입하고, 그것들을 혼합하여 반도체의 성막 챔버(도시하지 않음)에 공급하기 위해서 이용된다.
따라서, 이 집적형 가스 패널 장치(1)에 대하여, 먼저 그 유체 회로 구조를 주변 회로도 포함하여 도 2를 참조하면서 설명한다.
이 집적형 가스 패널 장치(1)에는, 회로적으로 보아 병렬시킨 복수의 분지 유로(R1)와, 그들 각 분지 유로(R1)의 출구가 접속된 1개의 메인 유로(R2)가 설치되어 있다.
각 분지 유로(R1)는 그 기단(基端)에 각각 입구 포트(inlet port)(PI)가 접속된 것이며, 이 입구 포트(PI)에 접속한 외부 배관(도시하지 않음)을 통하여 상기 가스 공급원으로부터, 많은 종류의 가스가 각 분지 유로(R1)에 각각 이송된다. 각 분지 유로(R1)의 도중에는 밸브(V)나 질량 유량 제어기(MFC) 등의 가스 제어 기기가 배치되어 있으며, 그들의 동작에 의해서, 각 분지 유로(R1)를 흐르는 가스 유량이나 퍼지 가스로의 전환 등을 각각 제어할 수 있도록 하고 있다.
한편, 메인 유로(R2)는 전술한 바와 같이 단일 유로 구조를 이루는 것으로, 전술한 각 분지 유로(R1)와의 접속 부분(CN)은 1개소로 집약되지 않고, 그 흐름에 따라서 띄엄띄엄 설치되어 있다. 이 실시형태에서는, 이 집적형 가스 패널 장치(1)의 하류, 즉 메인 유로(R2)의 하류에, 합류한 가스를 교반 혼합하는 가스 혼합기(MIX)가 배치되어 있으며, 또한 그 하류에, 가스 혼합기(MIX)에서 혼합된 가스를 소정 유량 비율로 분배하여 출구 포트(outlet port)(PO)로부터 각 성막 챔버에 출력하는 유량 비율 제어기(FRC)가 설치되어 있다. 또한, 이들 가스 혼합기(MIX)나 유량 비율 제어기(FRC), 출구 포트(PO) 등은 도 1에는 도시되어 있지 않다.
이와 같은 구성에 의해서, 각 가스 공급원으로부터 공급된 가스는, 이 집적형 가스 패널 장치(1)의 분지 유로(R1)에 있어서 각각 유량 제어되어 메인 유로(R2)에 도입되며, 그 후 가스 혼합기(MIX)로 충분히 혼합되어, 유량 비율 제어 기(FRC)로부터 소정의 유량비로 각 출구 포트(PO)로부터 각각 출력된다.
또한, 도 2에는, 메인 유로(R2), 분지 유로(R1) 외에, 전술한 퍼지 가스의 유로나 그 입구 포트(PX), 출구 포트(PY) 등도 기재되어 있다. 또, 부호 MFM으로 나타내는 부재는, 질량 유량 제어기가 나타내는 유량이 정확한지의 여부를 확인하기 위한 검정기(verifier)이다.
다음에, 이 집적형 가스 패널 장치(1)의 물리적인 구성에 대하여, 도 1 등을 참조하면서 설명한다.
이 가스 패널 장치(1)는, 상기 메인 유로(R2)나 분지 유로(R1)가 내부에 형성된 개략 면판 모양을 이루는 패널체(2)와, 그 패널체(2)에 장착된 상기 가스 제어 기기(V, MFC)와, 추가로 입구 포트(PI) 등의 부속 배관구를 구비하고 있다.
패널체(2)는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 복수의 블록체를 평면적으로 연달아 설치함으로써 구성되는 면판 모양의 것이다. 이 블록체로는 여러 가지가 있으나, 여기서는 적어도 분지 유로(R1)를 구성하는 분지 유로용 블록체(31)와 메인 유로(R2)를 구성하는 메인 유로용 블록체(32)를 이용하고 있다.
분지 유로용 블록체(31)는 편평한 사각형 평판 모양을 이루는 것이며, 밸브 탑재용의 것이나 질량 유량 제어기 탑재용의 것 등, 내부 배관이 다른 것의 종류가 약간 있다. 1개의 분지 유로(R1)는, 이와 같은 분지 유로용 블록체(31)를 복수 직렬시켜서 긴 판 모양으로 함으로써 형성되지만, 또한 이와 같이 직렬시킨 분지 유로용 블록체(31)의 열(이하, 분지 유로용 블록체 열(5)이라고도 함)을 가로로 배열하여 면판 모양으로 함으로써, 회로 구성에서 기술한 바와 같이, 복수의 분지 유로(R1)가 병렬로 배치되도록 하고 있다.
메인 유로용 블록체(32)는, 예를 들어 한 장의 긴 판 모양을 이루는 것이며, 그 길이 방향을 따라서 내부에 메인 유로(R2)가 신장되어 있다. 그리고 분지 유로용 블록체(31)의 하면에 상하로(패널체(2)의 평면 방향과는 수직 방향으로) 적층되어 접속된다. 이 때의 메인 유로용 블록체(32)의 길이 방향은, 상기 분지 유로용 블록체 열(5)의 길이 방향과 직교시키고 있다.
그러나, 본 실시형태에서는, 메인 유로용 블록체(32)를 중심으로 하여 좌우 대칭으로 분지 유로용 블록체 열(5)을 각각 복수(예를 들어 한쪽 편에 4개 등) 배열하고 있다. 이로 인하여, 평면 방향에서 본 모식도를 도 3에 나타내겠으나, 메인 유로(R2)를 중심으로 하여 그 좌우 양측에 대칭으로 분지 유로(R1)가 배치되게 된다.
또, 메인 유로(R2)를 사이에 두고 대향하는 하나의 분지 유로(R1)와 다른 분지 유로(R1)와의 해당 메인 유로(R2)에 대한 각 접속 부분(이하, 합류 부위라고도 함)(CN)은, 해당 메인 유로(R2)의 길이 방향에 있어서 같은 위치이며, 메인 유로(R2)가 서로 대향하는 측부(側部)에 설정하도록 하고 있다. 또한, 상기 각 접속 부분(CN)은 메인 유로(R2)의 길이 방향에 있어서 같은 위치이면 되고, 부품 배치 등 설계상의 형편으로 인하여 한쪽이 메인 유로의 바닥부이며 다른 한쪽이 측부 등이어도 되다.
이와 같이 구성한 이 가스 패널 장치(1)에 의하면, 종래 메인 유로의 한쪽 편에만 배치되어 있던 분지 유로(R1)가, 메인 유로(R2)의 좌우에 배치되게 되기 때 문에, 메인 유로(R2)에 있어서의 각 합류 부위(CN)가 설치되어 있는 영역의 길이를 종래의 약 절반으로 단축할 수 있다. 그 결과, 가스의 최종 출구까지의 도달 시간을 단축할 수 있기 때문에 응답성을 향상시키는 것이 가능해지며, 동시에 시동시 등에 있어서의 가스 농도의 안정화도 향상시킬 수 있게 된다.
게다가, 블록체를 평면적으로 배치하여 종래와 같은 패널체(2)를 구성하여 평면적인 형상을 유지하고 있기 때문에, 예를 들어 기존 장치와 바꿔 놓는 것도 무리없이 할 수 있다.
다음에, 본 실시형태의 변형을 설명한다(이하의 변형예에 있어서 상기 실시형태에 대응된 부재에는 동일 부호를 부여하고 있다).
예를 들어, 도 4에 모식적으로 나타낸 바와 같이, 좌우의 분지 유로(R1)를 메인 유로(R2)에 대해 지그재그 모양으로 접속해도 된다. 이와 같은 구성이면, 대향하는 하나의 분지 유로와 다른 분지 유로와의 메인 유로에 대한 각 합류 부위(CN)가, 해당 메인 유로(R2)의 길이 방향에 있어서 다른 장소가 되어, 상기 실시형태의 경우에 비해 메인 유로(R2)의 길이가 약간 길어진다. 그러나, 종래와 같이 메인 유로의 한쪽 편에만 분지 유로를 배치하고 있던 경우와 비교하면, 역시 메인 유로(R2)의 길이를 현격하게 단축할 수 있어, 상기 실시형태와 거의 같은 작용 효과를 기대할 수 있다.
또한 이와 같은 구성이면, 이하에 설명하겠으나, 합류 부위(CN)에 있어서, 분지 유로(R1)의 출구 배관(311)을 메인 유로(R2) 내에 소정 길이만큼 돌출시킬 경우에, 그 출구 배관(311)을 서로 간섭시키는 일 없이 무리없이 구성할 수 있다.
이 합류 부위(CN)의 구조에 대하여, 여기서 그 일례를 상술해 둔다.
이 예에서는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 메인 유로용 블록체(32)의 표면에 삽입 구멍(321)을 개구시키고, 그 삽입 구멍(321)을 내부의 메인 유로(R2)에 연통시켜 두는 한편, 분지 유로용 블록체(31)의 최하류의 것, 즉 분지 유로(R1)의 출구 부분을 가지는 분지 유로용 블록체(31))에, 표면으로부터 해당 분지 유로(R1)를 돌출시킨 원통 모양의 출구 배관(이하, 돌출 배관이라고도 함)(311)을 일체로(별체라도 상관없음) 설치하도록 하고 있다.
그리고, 상기 돌출 배관(311)을 삽입 구멍(321)에 삽입하고, 메인 유로용 블록체(32)와 분지 유로용 블록체((31(1))를 조립한 상태에서, 상기 돌출 배관(311)의 선단이, 상기 메인 유로(R2)의 내측면(R2a)(도 5에 나타냄)으로부터 더욱 안쪽으로 돌출하도록 구성한다. 그 돌출 치수는, 예를 들어 돌출 배관(311)의 선단이 횡단면에서 보아 메인 유로(R2)의 중앙 근방에까지 도달할 정도이다.
또, 이 조립 상태에서, 메인 유로용 블록체(32)와 분지 유로용 블록체(31(1))가 대향하는 평면 사이에 O 링 등의 씰 부재(6)를 개재시켜서 축(thrust) 방향으로 밀접시켜, 이 접속 부분(CN)에서의 가스 누설을 방지하고 있다.
이와 같이 구성하면, 분지 유로(R1)와 메인 유로(R2)의 접속 부분(CN)에 있어서, 분지 유로(R1)의 출구인 돌출 배관(311)이 메인 유로(R2) 내에 돌출하여 그 유로 지름을 좁히기 때문에, 이 부분에서의 메인 유로(R2)의 가스 유속이 빨라져서 압력이 저하하여, 분지 유로(R1) 내의 가스를 강하게 메인 유로(R2) 내로 끌어들일 수 있다. 그리고, 이 끌려 들어간 가스는 메인 유로(R2)에 있어서 돌출 배관(311)의 후방에 발생기는 난류 등에 의해서 확산되기 때문에, 메인 유로(R2)를 흘러나온 가스에 보다 고르게 혼합시킬 수 있게 된다. 즉, 종래의 것에 비해, 가스의 혼합을 미리 패널체(2)의 내부에서 충분하게 실시할 수 있게 된다.
따라서, 종래라면 가스의 충분한 혼합을 실시하기 위해서 길게 설정하고 있었던 접속 부분 이후의 배관 길이를 짧게 할 수 있는데다가, 가스 혼합기(MIX)의 용량을 작게 하거나 경우에 따라서는 이것을 생략하거나 할 수도 있게 된다. 그리고, 이와 같이 유로 용량을 작게 한 만큼, 이 유체 회로계의 응답성을 더욱 향상시킬 수 있게 된다.
즉, 이 구성을 상기 실시형태에 적용하면, 메인 유로(R2)의 분지 유로 합류 개소에 있어서의 길이의 단축과, 그 이후의 유로 길이 단축을 동시에 도모할 수 있어, 응답성의 향상과 그에 기초한 시동시 등의 가스 농도 안정성의 향상을 현격하게 촉진시키는 것이 가능해진다.
또, 분지 유로(R1) 내의 가스가 비록 소유량이더라도, 상술한 바와 같이, 이것을 메인 유로(R2)에 확실하게 끌어들일 수 있으므로, 이런 점에서도 최종적인 혼합 가스의 농도 안정성을 보다 향상시킬 수 있게 된다.
게다가, 종래와 구조적으로 크게 다른 것은, 분지 유로용 블록체를 대향하도록 설치한 것 외, 분지 유로용 블록체(31)로부터 소정 길이의 돌출 배관(311)을 돌출시키는 부분뿐이기 때문에, 구조상의 복잡화를 거의 초래하지 않으며, 조립 상태에서는, 이 돌출 배관(311)이 내부로 숨어 버리므로, 이 접합 부분에 있어서 종래 의 것과 외형적으로 양립할 수 있는 것으로 할 수 있다.
그 외의 변형예로는, 예를 들어 각 분지 유로의 내경을 각 가스의 유량에 따라 설정하도록(유량이 적을수록 내경은 작게 한다) 해도 된다. 이에 의해, 각 가스의 유속이 보다 동일해져서, 메인 유로에서의 각 가스의 합류 타이밍의 동시성을 종래에 비해 향상시킬 수 있기 때문에, 가스 유량에 좌우되지 않고 보다 단시간에 혼합 가스를 공급할 수 있게 된다.
블록체도 사각형 모양뿐만 아니라 예를 들어 원판 모양의 것이어도 된다. 단, 스러스트 씰(thrust seal) 구조를 위해서는 대향 개소에 평면부를 가지고 있는 것이 바람직하다.
<제2 실시형태>
이하에 본 발명의 제2 실시형태에 대하여 도 6~도 10을 참조하여 설명한다.
이 실시형태에 관련된 집적형 가스 패널 장치(1)는, 반도체 제조 시스템의 일부를 구성하는 것이며, 그 개요를 도 6에 나타낸 바와 같이, 성막용의 각종 가스를 도시하지 않은 가스 공급원으로부터 각각 도입하고, 그것들을 혼합하여 반도체의 성막 챔버(도시하지 않음)에 공급하기 위해서 이용된다.
따라서, 이 집적형 가스 패널 장치(1)에 대하여, 우선 그 유체 회로 구조를 주변 회로도 포함하여 도 7을 참조하면서 설명한다.
이 집적형 가스 패널 장치(1)에는, 병렬로 설치한 복수의 분지 유로(R1)와, 그들 각 분지 유로(R1)의 출구가 접속된 1개의 메인 유로(R2)가 설치되어 있다.
각 분지 유로(R1)는 그 기단에 각각 입구 포트(PI)가 접속된 것이며, 이 입 구 포트(PI)에 접속한 외부 배관(도시하지 않음)을 통하여 상기 가스 공급원(도시하지 않음)으로부터, 많은 종류의 가스가 각 분지 유로(R1)에 각각 이송된다. 각 분지 유로(R1)의 도중에는 밸브(V)나 질량 유량 제어기(MFC) 등의 가스 제어 기기가 배치되어 있으며, 그들의 동작에 의해서, 각 분지 유로(R1)를 흐르는 가스 유량이나 퍼지 가스로의 전환 등을 각각 제어할 수 있도록 하고 있다.
한편, 메인 유로(R2)는 전술한 바와 같이 단일 유로 구조를 이루는 것으로, 전술한 각 분지 유로(R1)와의 접속 부분(CN)은 1개소로 집약되지 않고, 그 흐름을 따라서 띄엄띄엄 설치하고 있다. 이 실시형태에서는, 이 집적형 가스 패널 장치(1)의 하류, 즉 메인 유로(R2)의 하류에, 합류한 가스를 교반 혼합하는 가스 혼합기(MIX)가 배치되어 있으며, 또한 그 하류에 가스 혼합기(MIX)에서 혼합된 가스를 소정 유량 비율로 분배하여 출구 포트(PO)로부터 각 성막 챔버 등에 출력하는 유량 비율 제어기(FRC)가 설치되어 있다. 또한, 이들 가스 혼합기(MIX), 유량 비율 제어기(FRC), 출구 포트(PO) 등은 도 6에는 도시되어 있지 않다.
이와 같은 구성에 의해서, 각 가스 공급원으로부터 공급된 가스는 이 집적형 가스 패널 장치(1)의 분지 유로(R1)에서 각각 유량 제어되어 메인 유로(R2)에 도입되며, 그 후 가스 혼합기(MIX)에서 충분히 혼합되어, 유량 비율 제어기(FRC)로부터 소정의 유량비로 각 출구 포트(PO)로부터 각각 출력된다.
또한, 도 7에는 메인 유로(R2), 분지 유로(R1) 외에, 전술한 퍼지 가스의 유로나 그 입구 포트(PX)나 출구 포트(PY) 등도 기재되어 있다. 또, 부호 MFM으로 나타내는 부재는 질량 유량 제어기가 나타내는 유량이 정확한지의 여부를 확인하기 위한 검정기이다.
다음에, 이 집적형 가스 패널 장치(1)의 물리적인 구성에 대하여, 도 6 등을 참조하면서 설명한다.
이 가스 패널 장치(1)는, 상기 메인 유로(R2)나 분지 유로(R1)가 내부에 형성된 개략 면판 모양을 이루는 패널체(2)와, 그 패널체(2)에 장착된 상기 가스 제어 기기와, 추가로 입구 포트(PI) 등의 부속 배관구를 구비하고 있다.
패널체(2)는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 복수의 블록체를 평면적으로 연달아 설치함으로써 구성되는 면판 모양의 것이다. 이 블록체로는 여러 가지가 있으나, 여기서는 적어도 분지 유로(R1)를 구성하는 분지 유로용 블록체(31)와 메인 유로(R2)를 구성하는 메인 유로용 블록체(32)를 이용하고 있다.
분지 유로용 블록체(31)는 편평한 사각형 평판 모양을 이루는 것이며, 밸브 탑재용의 것이나 질량 유량 제어기 탑재용의 것 등, 내부 배관이 다른 것의 종류가 약간 있다. 1개의 분지 유로(R1)는, 이와 같은 분지 유로용 블록체(31)를 복수 직렬시켜서 긴 판 모양으로 함으로써 형성되지만, 또한 이와 같이 직렬시킨 분지 유로용 블록체(31)의 열(이하, 분지 유로용 블록체 열(5)이라고도 함)을 가로로 배열하여 면판 모양으로 함으로써, 회로 구성에서 기술한 바와 같이, 복수의 분지 유로(R1)가 병렬로 형성되도록 하고 있다.
메인 유로용 블록체(32)는, 예를 들어 한 장의 긴 판 모양을 이루는 것이며, 그 길이 방향을 따라서 내부에 메인 유로(R2)가 형성되어 있다. 그리고, 분지 유로용 블록체(31)의 하면에 상하로(패널체의 평면 방향과는 수직 방향으로) 적층되어 접속된다. 이 때의 메인 유로용 블록체(32)의 길이 방향은, 상기 분지 유로용 블록체 열(5)의 길이 방향과 직교시키고 있다. 그리고 이에 의해, 상술한 바와 같이, 메인 유로(R2)에 각 분지 유로(R1)의 출구가 접속되도록 구성하고 있다.
그러나, 이 실시형태에서는, 메인 유로(R2)와 분지 유로(R1)의 접속 부분(CN)에, 이하와 같은 구성을 채용하고 있다.
즉, 도 8~도 10에 나타낸 바와 같이, 상기 메인 유로용 블록체(32)의 상부 평면에 삽입 구멍(321)을 개구시키고, 그 삽입 구멍(321)이 내부의 메인 유로(R2)에 연통하도록 구성하는 한편, 분지 유로용 블록체(31)의 최하류의 것, 즉 분지 유로(R1)의 출구 부분을 가지는 분지 유로용 블록체(31(1))에, 그 하부 평면으로부터 해당 분지 유로(R1)를 돌출시킨 원통 모양의 돌출 배관(311)을 일체적으로 설치하고 있다. 또한, 이 돌출 배관(311)의 외경과 삽입 구멍(321)의 내경은 대략 일치시키고 있다.
그리고, 상기 돌출 배관(311)을 삽입 구멍(321)에 삽입하고, 메인 유로용 블록체(32)와 분지 유로용 블록체(31(1))를 조립한 상태에서, 상기 돌출 배관(311)의 선단이, 상기 메인 유로(R2)의 내측면(R2a)(도 10에 나타냄)으로부터 더욱 안쪽으로 돌출하도록 구성하고 있다. 그 돌출 치수는, 예를 들어 돌출 배관(311)의 선단이 횡단면에서 보아 메인 유로(R2)의 중앙 근방에까지 도달할 정도이다.
또, 이 조립 상태에서는, 메인 유로용 블록체(32)와 분지 유로용 블록체(31(1))가 대향하는 평면 사이에 0 링 등의 씰 부재(6)를 개재시키고 축 방향으로 밀접시켜, 이 접속 부분(CN)에서의 가스 누설을 방지하고 있다. 또한, 부호 322는 메인 유로용 블록체(32)에 설치된, 씰 부재(6)를 수용하는 스폿 페이싱(spot facing)부이다. 이 스폿 페이싱부(322)는 분지 유로용 블록체(31)에 설치해도 상관없다.
이와 같이 구성한 본 실시형태에 의하면, 분지 유로(R1)와 메인 유로(R2)의 접속 부분(CN)에서, 분지 유로(R1)의 출구인 돌출 배관(311)이 메인 유로(R2) 내로 돌출하여 그 유로 지름을 좁히기 때문에, 이 부분에서의 메인 유로(R2)의 가스 유속이 빨라져서 압력이 저하하여, 분지 유로(R1) 내의 가스를 강하게 메인 유로(R2) 내로 끌어들일 수 있다. 그리고, 이 끌어들여진 가스는, 메인 유로(R2)에 있어서 돌출 배관(311)의 후방에 발생하는 난류 등에 의해서 확산되기 때문에, 메인 유로(R2)를 흘러나온 가스에 보다 고르게 혼합시킬 수 있게 된다. 즉, 종래의 것에 비해, 가스의 혼합을 미리 패널체(2)의 내부에서 충분하게 실시할 수 있어, 그 후단의 가스 혼합기(MIX)의 용량을 작게 하거나, 경우에 따라서는 이것을 생략하거나 하는 것도 가능해진다. 그리고 그 결과, 응답성을 현격하게 향상시키는 것이 가능해진다. 또 그로 인하여, 상승시 등의 가스 농도 안정성도 향상시킬 수 있게 된다.
또한, 분지 유로(R1) 내의 가스가 비록 소유량이더라도, 이것을 메인 유로(R2)에 확실하게 끌어들일 수 있기 때문에, 이런 점에서도 최종적인 혼합 가스의 농도 안정성을 보다 향상시킬 수 있다.
게다가, 종래와 구조적으로 크게 다른 것은, 분지 유로용 블록체(31)로부터 소정 길이의 돌출 배관(311)을 돌출시키는 부분뿐이기 때문에, 구조상의 복잡화를 거의 초래하지 않으며, 조립 상태에서는 이 돌출 배관(311)이 내부에 숨어 버리기 때문에 종래의 것과 외형적으로 양립할 수 있다.
덧붙여서, 각 블록체(31(1), 32)가 대향하는 평면 사이에서, 씰 부재(6)를 끼워 넣은 스러스트 씰 구조를 채용하고 있기 때문에, 접속 부분(CN)에 있어서의 확실한 가스 누설 방지도 간단히 도모할 수 있다.
또한, 본 실시형태를 변형시켜도 상관없다. 예를 들어, 돌출 배관의 외경은 적어도 메인 유로의 내경보다 작으면 되며, 메인 유로로의 돌출 치수도 이번은 메인 유로의 중앙 부근이 바람직하였으나, 가스 유량과의 균형을 맞추어 혼합에 최적인 것으로 설정하면 된다.
또한, 각 돌출 배관의 내경(보다 바람직하게는 질량 유량 제어기 이후의 분지 유로의 내경)을, 각 가스의 유량에 따라 설정하도록(유량이 적을수록 내경을 작아지도록) 해도 된다. 이로 인하여, 소유량 가스로도 유속을 다른 가스와 동등하게 하여 도달 시간을 단축할 수 있기 때문에, 각 가스의 메인 유로에서의 합류 타이밍의 동시성을 향상시킬 수 있다. 즉, 가스 유량에 좌우되지 않고 보다 단시간에 혼합 가스를 공급할 수 있게 된다.
또, 돌출 배관은 원통 모양으로 한정되지 않으며 다각 형상의 통이라도 되며, 그 외의 형상도 다양하게 생각할 수 있다.
아울러, 돌출 배관은 분지 유로용 블록체에 일체적으로 설치할 뿐만 아니라, 분지 유로용 블록체와는 따로 따로 설치해 두고 조립하도록 해도 상관없다.
블록체도 사각형 모양뿐만 아니라, 예를 들어 원판 모양의 것이라도 된다. 단, 스러스트 씰 구조를 위해서는 대향 개소에 평면부를 가지고 있는 것이 바람직하다.
<제3 실시형태>
이하에 본 발명의 제3 실시형태에 대하여 도 11~도 14를 참조하여 설명한다.
이 실시형태에 관련된 입체 집적형 가스 패널 장치(1)는 반도체 제조 시스템의 일부를 구성하는 것이며, 그 개요를 도 11에 나타낸 바와 같이, 성막용의 각종 가스를 도시하지 않은 가스 공급원으로부터 각각 도입하고, 그것들을 혼합하여 반도체의 성막 챔버(도시하지 않음)에 공급하기 위해서 사용된다.
따라서, 이 입체 집적형 가스 패널 장치(1)에 대해서, 우선 그 유체 회로 구조를 주변 회로도 포함하여 도 12를 참조하면서 설명한다.
이 입체 집적형 가스 패널 장치(1)에는, 회로적으로 보아 병렬시킨 복수의 분지 유로(R1)와, 그들 각 분지 유로(R1)의 출구가 접속된 하나의 메인 유로(R2)와, 그들 분지 유로(R1) 및 메인 유로를 연통하는 복수의 중간 유로(R3)가 설치되어 있다.
각 분지 유로(R1)는 그 기단에 각각 입구 포트(PI)가 접속된 것이며, 이 입구 포트(PI)에 접속한 외부 배관(도시하지 않음)을 통하여 상기 가스 공급원으로부터 많은 종류의 가스가 각 분지 유로(R1)에 각각 이송된다. 각 분지 유로(R1)의 도중에는, 밸브(V)나 질량 유량 제어기(MFC) 등의 가스 제어 기기가 배치되어 있으며, 그들의 동작에 의해서, 각 분지 유로(R1)를 흐르는 가스 유량이나 퍼지 가스로의 전환 등을 각각 제어할 수 있도록 하고 있다.
중간 유로(R3)는 각 분지 유로(R1)의 선단(출구)에 각각 연속하여 접속되어 메인 유로(R2)에 각 분지 유로(R1)를 연통시키는 것이다.
메인 유로(R2)는, 전술한 바와 같이 하나의 단일 유로 구조를 이루는 것이다. 그리고 이 실시형태에서는, 이 메인 유로(R2)의 하류, 즉 입체 집적형 가스 패널 장치(1)의 하류에, 합류한 가스를 교반 혼합하는 가스 혼합기(MIX)가 배치되어 있으며, 또한 그 하류에, 가스 혼합기(MIX)에서 혼합된 가스를 소정 유량 비율로 분배하여 출구 포트(PO)로부터 각 성막 챔버에 출력하는 유량 비율 제어기(FRC)가 설치되어 있다. 또한, 이들 가스 혼합기(MIX)나 유량 비율 제어기(FRC), 출구 포트(PO) 등은, 도 11에는 도시되어 있지 않다.
이와 같은 구성에 의해서, 각 가스 공급원으로부터 공급된 가스는, 이 입체 집적형 가스 패널 장치(1)의 분지 유로(R1)에서 각각 유량 제어된 후, 중간 유로(R3)를 거쳐 메인 유로(R2)에 도입되며, 그 후 가스 혼합기(MIX)에서 충분히 혼합되어, 유량 비율 제어기(FRC)로부터 소정의 유량비로 각 출구 포트(PO)로부터 각각 출력된다.
또한, 도 12에는 메인 유로(R2), 분지 유로(R1) 외에, 전술한 퍼지 가스의 유로나 그 입구 포트(PX), 출구 포트(PY) 등도 기재되어 있다. 또, 부호 MFM으로 나타내는 부재는 질량 유량 제어기(MFC)가 나타내는 유량이 정확한지의 여부를 확인하기 위한 검정기이다.
다음에, 이 입체 집적형 가스 패널 장치(1)의 물리적인 구성에 대하여, 도 11, 도 13을 참조하면서 설명한다.
이 입체 집적형 가스 패널 장치(1)는 하나의 분지 유로(R1)가 내부에 형성된 긴 평판 패널 모양을 이루는 분지 유로용 블록체(3)와, 메인 유로(R2)나 중간 유로(R3)가 형성된 정다각 기둥 모양(여기서는, 정팔각 기둥 모양)을 이루는 중심 블록체(4)와, 상기 분지 유로용 블록체(3)에 장착된 상기 가스 제어 기기(V, MFC)와, 추가로 입구 포트(PI) 등의 부속 배관구를 구비하고 있다. 여기서 하나의 분지 유로(R1)란 복수인 분지 유로 중 하나라는 의미이다.
분지 유로용 블록체(3)는, 여기서는 편평한 사각형 평판 모양을 이루는 블록체 요소(31)를 복수 직렬시켜서 구성하고 있다. 이 블록체 요소(31)에는 밸브 탑재용의 것이나 질량 유량 제어기 탑재용의 것 등 내부 배관이 다른 것의 종류가 약간 있다. 물론, 이 분지 유로용 블록체(3)를 분할하지 않고 한 장의 구성으로 해도 상관없다.
중심 블록체(41)는, 상술한 바와 같이, 축선을 중심으로 한 회전대칭형인 정팔각 기둥 모양을 이루는 것이며, 유지면인 그 각 측주면(側周面)(41)에, 각 분지 유로용 블록체(3)의 장착면인 바닥면(3a)을 각각 대향시켜서 유지하고 있다.
이 중심 블록체(4)의 한쪽 단부에는, 그 축선(C)상을 따라서 메인 유로(R2)가 설치되어 있다. 이 메인 유로(R2)의 선단(상기 단부측의 일단)에는, 외부 배관과의 접속을 위한 출구 포트(P)가 장착되어 중심 블록체(4)의 단면(4a)으로부터 돌출해 있다. 또, 이 메인 유로(R2)의 기단(상기 단부와 반대측의 일단)에는 합류 부위(CN)가 설정되어 있으며, 이 합류 부위(CN)로부터 상기 축선(C)과 수직으로, 그리고 중심 블록체(4)의 각 측주면(41)을 향하여 방사상으로 중간 유로(R3)가 연 신되어 있다. 이들 중간 유로(R3)는 서로 동일한 길이를 갖는다.
이와 같은 것이면, 각 분지 유로(R1)로부터 메인 유로(R2)로의 유로 길이(중간 유로(R3)의 길이)가 동일하며, 게다가 메인 유로(R2)의 한 개소에 설치한 합류 부위(CN)에서 중간 유로(R3) 전체가 합류하기 때문에, 각 분지 유로(R2)로부터 최종 출구 포트(P)까지의 거리가 동일해진다. 이로써, 각 가스의 도달 시간의 동시성을 현격하게 향상시킬 수 있다.
또, 메인 유로(R2)가 출구 포트(P)의 근방인 중심 블록체(4)의 단부에 위치하여 그 거리가 매우 짧기 때문에, 응답성이 매우 뛰어나게 된다. 이는 입체적인 구조 특성을 살린 효과라고 말할 수 있다.
또한, 종래 평면 모양으로 전개하고 있던 여러 가지의 부재를 입체적으로 배치하고 있기 때문에 콤팩트화도 가능하다.
또한, 본 실시형태를 변형시키는 것은 물론 가능하다.
예를 들어, 동시성을 더욱 향상시키기 위해서는 가스 유량에 따라서 중간 유로의 지름이나, 분지 유로에 있어서의 특히 질량 유량 제어기 이후의 유로 지름을 다르게 하도록(가스 유량이 작은 것일수록 지름을 작게 하도록) 하면 된다. 그 외에, 중간 유로의 길이를 가스 유량에 따라서 다르게 하도록 하는(가스 유량이 작은 것일수록 길이를 짧게 하도록 하는) 것도 가능하다. 이 경우는, 예를 들어, 중간 블록체를 회전대칭형인 채로 해 두고, 합류 부위를 중간 블록체의 축선으로부터 편위(偏位)시키도록 하거나, 혹은 중간 블록체 자신이 이형(異形) 모양을 이루는 것으로 하거나 하여 중간 유로의 길이를 다르게 하도록 하면 된다.
또한 이 중심 블록체에 대하여 말하면, 단일 구조의 것으로 한정되지 않고 복수의 블록체 요소를 조합하여 구성할 수 있도록 하면 된다. 또, 형상으로 말하면 정다각 기둥으로 한정되지 않으며, 요컨대 각 유지면(41)에 의해서 축선을 중심으로 한 복수 회전대칭형이 구성되는 것이면 된다. 예를 들어 도 14에 나타낸 것을 들 수 있다.
또, 제조 형편이나 형상적인 제한 등으로, 합류 개소를 한 개소로 하지 않고, 응답성의 영향이 실질적으로 문제가 되지 않는 범위에서 메인 유로상에서 약간 벗어난 복수 개소에 설치해도 된다.
그 외 본 발명은, 이상의 각 실시형태에서 기술한 구성의 일부를 적절히 조합해도 상관없으며, 그 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형이 가능하다.

Claims (13)

  1. 밸브나 질량 유량 제어기(mass flow controller) 등의 가스 제어 기기가 도중에 설치되어 내부를 흐르는 가스를 제어할 수 있도록 구성된 복수의 분지 유로(branch channel)와, 그들 분지 유로로부터의 가스가 흘러들어 합류하는 하나의 메인 유로(main channel)와, 복수의 블록체를 조립함으로써 상기 분지 유로 및 메인 유로가 내부에 형성되도록 구성한 매니폴드(manifold)형 패널체를 구비한 집적형 가스 패널 장치에 있어서,
    상기 패널체가, 상기 메인 유로를 형성하는 메인 유로용 블록체와, 그 메인 유로용 블록체를 중심으로 하여 대향하도록 배치된, 상기 분지 유로를 형성하는 분지 유로용 블록체를 구비하고,
    1개의 상기 분지 유로가, 복수의 분지 유로용 블록체를 직렬시켜 형성되어 있음과 아울러, 상기 메인 유로용 블록체를 중심으로 좌우로 각각 복수 열의 상기 분지 유로용 블록체가 마련되어, 그들 분지 유로 블록체용 열이 동일 평면상에 구비되는 면판 모양으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 집적형 가스 패널 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 메인 유로를 사이에 두고 대향하는 하나의 분지 유로와 다른 분지 유로와의 메인 유로에 대한 각 합류 부위가, 해당 메인 유로의 길이 방향에서 같은 장소로 설정되어 있는 집적형 가스 패널 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 합류 부위에서, 분지 유로의 출구 배관이 메인 유로의 내측면보다 더욱 안쪽으로 소정 길이 돌출하도록 구성하고 있는 집적형 가스 패널 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스가 반도체 제조 프로세스에 이용되는 것인 집적형 가스 패널 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 밸브나 질량 유량 제어기 등의 가스 제어 기기가 도중에 설치되어 내부를 흐르는 가스를 제어할 수 있도록 구성된 복수의 분지 유로와,
    그들 분지 유로로부터의 가스가 흘러들어 합류하는 하나의 메인 유로와,
    하나의 분지 유로가 내부에 형성된, 바닥면을 장착면으로 하는 긴 패널 모양을 이루는 분지 유로용 블록체와,
    측주면(側周面)에 형성한 유지면에서 복수의 분지 유로용 블록체를 그들의 길이 방향이 서로 평행이 되도록 유지하는 중심 블록체를 구비하며,
    상기 중심 블록체에 상기 메인 유로를 형성하는 동시에, 그 메인 유로에 설정한 합류 부위로부터, 해당 중심 블록체의 측주면에 장착한 분지 유로용 블록체의 분지 유로를 향하여 각각 신장되는 중간 유로를 형성하도록 하고 있고,
    상기 합류 부위가 메인 유로의 한 개소로 설정되어 있는 입체 집적형 가스 패널 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 각 유지면에 의해서 중심 블록체의 축선을 중심으로 한 회전대칭형이 구성되는 동시에, 상기 합류 부위가 상기 축선상에 설치되어 각 중간 유로가 서로 동일한 길이로 설정되어 있는 입체 집적형 가스 패널 장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 메인 유로가, 상기 축선상을 따라서 설치되어 있는 입체 집적형 가스 패널 장치.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 중심 블록체가 정다각 기둥 모양을 이루는 것인 입체 집적형 가스 패널 장치.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 가스가 반도체 제조 프로세스에 이용되는 것인 입체 집적형 가스 패널 장치.
  13. 삭제
KR1020097005386A 2006-08-23 2007-08-21 집적형 가스 패널 장치 KR101466998B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-226874 2006-08-23
JPJP-P-2006-227224 2006-08-23
JP2006226874 2006-08-23
JPJP-P-2006-226970 2006-08-23
JP2006226970 2006-08-23
JP2006227224 2006-08-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090053822A KR20090053822A (ko) 2009-05-27
KR101466998B1 true KR101466998B1 (ko) 2014-12-01

Family

ID=39106796

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097005386A KR101466998B1 (ko) 2006-08-23 2007-08-21 집적형 가스 패널 장치

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8196609B2 (ko)
JP (2) JP5037510B2 (ko)
KR (1) KR101466998B1 (ko)
CN (1) CN101506561B (ko)
TW (1) TWI435991B (ko)
WO (1) WO2008023711A1 (ko)

Families Citing this family (335)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5377513B2 (ja) * 2007-12-27 2013-12-25 ラム リサーチ コーポレーション ショートエッチングレシピのためのガス輸送遅延の解消のための装置、方法、及びプログラム格納デバイス
JP4700095B2 (ja) * 2008-11-03 2011-06-15 シーケーディ株式会社 ガス供給装置、ブロック状フランジ
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9157578B2 (en) * 2009-03-04 2015-10-13 Horiba Stec, Co., Ltd. Gas supply device
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
TWI426197B (zh) * 2010-05-13 2014-02-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 旋轉接頭及採用該旋轉接頭之旋轉工作台
US8950433B2 (en) * 2011-05-02 2015-02-10 Advantage Group International Inc. Manifold system for gas and fluid delivery
US8746284B2 (en) * 2011-05-11 2014-06-10 Intermolecular, Inc. Apparatus and method for multiple symmetrical divisional gas distribution
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
FR2976337B1 (fr) * 2011-06-08 2014-08-29 Air Liquide Dispositif de repartition de gaz pour installation de conditionnement de bouteilles de gaz
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
WO2013046660A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 株式会社フジキン ガス供給装置
KR101940325B1 (ko) 2011-10-05 2019-01-18 가부시키가이샤 호리바 에스텍 유체 기구 및 상기 유체 기구를 구성하는 지지 부재 및 유체 제어 시스템
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
GB201201986D0 (en) * 2012-02-03 2012-03-21 Parker Hannifin Mfg Ltd Modular fluid control system
US8985152B2 (en) * 2012-06-15 2015-03-24 Novellus Systems, Inc. Point of use valve manifold for semiconductor fabrication equipment
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP5616416B2 (ja) * 2012-11-02 2014-10-29 株式会社フジキン 集積型ガス供給装置
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9454158B2 (en) 2013-03-15 2016-09-27 Bhushan Somani Real time diagnostics for flow controller systems and methods
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) * 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10128087B2 (en) 2014-04-07 2018-11-13 Lam Research Corporation Configuration independent gas delivery system
CN104975271B (zh) * 2014-04-11 2018-01-19 北京北方华创微电子装备有限公司 进气装置以及半导体加工设备
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10557197B2 (en) 2014-10-17 2020-02-11 Lam Research Corporation Monolithic gas distribution manifold and various construction techniques and use cases therefor
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
CN105714271B (zh) * 2014-12-22 2020-07-31 株式会社堀场Stec 汽化系统
JP2016148403A (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 株式会社五洋電子 流体制御ユニット
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6193284B2 (ja) 2015-03-18 2017-09-06 株式会社東芝 流路構造、吸排気部材、及び処理装置
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
GB201511463D0 (en) * 2015-06-30 2015-08-12 Ge Healthcare Bio Sciences Ab Improvements in and relating to fluid path networks
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10022689B2 (en) 2015-07-24 2018-07-17 Lam Research Corporation Fluid mixing hub for semiconductor processing tool
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10957561B2 (en) * 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10118263B2 (en) 2015-09-02 2018-11-06 Lam Researech Corporation Monolithic manifold mask and substrate concepts
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
JP6082082B2 (ja) * 2015-10-29 2017-02-15 株式会社堀場エステック 流体機構及び該流体機構を構成する支持部材
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
US10215317B2 (en) 2016-01-15 2019-02-26 Lam Research Corporation Additively manufactured gas distribution manifold
US9879795B2 (en) 2016-01-15 2018-01-30 Lam Research Corporation Additively manufactured gas distribution manifold
US10147588B2 (en) 2016-02-12 2018-12-04 Lam Research Corporation System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10662527B2 (en) 2016-06-01 2020-05-26 Asm Ip Holding B.V. Manifolds for uniform vapor deposition
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
KR101863697B1 (ko) * 2016-09-01 2018-06-01 서치수 포집튜브용 유량 밸브 조절기
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10983537B2 (en) 2017-02-27 2021-04-20 Flow Devices And Systems Inc. Systems and methods for flow sensor back pressure adjustment for mass flow controller
JP7030342B2 (ja) * 2017-03-28 2022-03-07 株式会社フジキン 継手ブロックおよびこれを用いた流体制御装置
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP6759167B2 (ja) * 2017-09-05 2020-09-23 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10927459B2 (en) * 2017-10-16 2021-02-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for atomic layer deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
CN112888893A (zh) * 2018-10-26 2021-06-01 株式会社富士金 流体供给系统、流体控制装置以及半导体制造装置
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
WO2020131214A1 (en) * 2018-12-20 2020-06-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for supplying improved gas flow to a processing volume of a processing chamber
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11346460B2 (en) * 2019-02-05 2022-05-31 Swagelok Company Integrated actuator manifold for multiple valve assembly
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11492701B2 (en) 2019-03-19 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Reactor manifolds
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20210140779A (ko) * 2019-04-15 2021-11-23 램 리써치 코포레이션 가스 전달을 위한 모듈형 컴포넌트 시스템
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
WO2020217601A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 株式会社堀場エステック 流路形成装置
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210048408A (ko) 2019-10-22 2021-05-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 증착 반응기 매니폴드
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN112941492B (zh) * 2021-01-19 2022-06-03 华中科技大学 原子层沉积装置与方法
KR20230135655A (ko) * 2021-03-19 2023-09-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 공급 장치 및 반도체 제조 장치
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US20230124246A1 (en) * 2021-10-19 2023-04-20 Applied Materials, Inc. Manifold for equal splitting and common divert architecture

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6162265U (ko) * 1984-09-28 1986-04-26
KR900016667A (ko) * 1989-04-12 1990-11-14 프란세스코 델라 포르타 밸브 다지관
JP2002095955A (ja) * 2000-09-26 2002-04-02 Shimadzu Corp 液体材料供給装置
JP2002349797A (ja) * 2001-05-23 2002-12-04 Fujikin Inc 流体制御装置

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS616076U (ja) 1984-06-16 1986-01-14 東横化学株式会社 半導体装置用複合エアバルブ
JPS618127A (ja) 1984-06-22 1986-01-14 Oval Eng Co Ltd ガスブレンド装置
JPS639785A (ja) * 1986-06-30 1988-01-16 Daiwa Handotai Sochi Kk 半導体プロセス用ガス供給制御バルブ装置
JPS6396375A (ja) * 1986-10-07 1988-04-27 トル−バ・エ・コ−バン マニホ−ルド
US5178191A (en) 1990-09-05 1993-01-12 Newmatic Controls Inc. Modular pneumatic control systems
JP2731080B2 (ja) * 1991-05-31 1998-03-25 株式会社本山製作所 ガス制御装置
US5368062A (en) 1992-01-29 1994-11-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Gas supplying system and gas supplying apparatus
JPH061946U (ja) * 1992-06-09 1994-01-14 株式会社ベンカン ガス高速切換弁
JPH061946A (ja) 1992-06-16 1994-01-11 Yasuhara Chem Kk ポリエステル系ホットメルト接着剤
US5605179A (en) * 1995-03-17 1997-02-25 Insync Systems, Inc. Integrated gas panel
JP3546275B2 (ja) * 1995-06-30 2004-07-21 忠弘 大見 流体制御装置
US5992463A (en) 1996-10-30 1999-11-30 Unit Instruments, Inc. Gas panel
US6394138B1 (en) * 1996-10-30 2002-05-28 Unit Instruments, Inc. Manifold system of removable components for distribution of fluids
US5836355A (en) * 1996-12-03 1998-11-17 Insync Systems, Inc. Building blocks for integrated gas panel
JPH10169881A (ja) * 1996-12-03 1998-06-26 Benkan Corp 集積化ガスパネル及びその組立方法
DE19711227C2 (de) * 1997-03-18 2000-11-30 Festo Ag & Co Ventilanordnung
US6068016A (en) * 1997-09-25 2000-05-30 Applied Materials, Inc Modular fluid flow system with integrated pump-purge
DE69830857T2 (de) 1998-01-02 2006-05-24 Fluid Management Systems, Inc., Waltham Magnetventil mit Fluidkanälen mit harten Rohren im Ventilsitz und flexiblem Dichtdiaphragma
JP2002517697A (ja) * 1998-06-12 2002-06-18 ジェイ. グレゴリー ホーリングスヘッド, 一体化モジュラー化学送達ブロック
JP4463896B2 (ja) 1999-04-13 2010-05-19 株式会社オムニ研究所 ガス供給装置
JP2001033000A (ja) 1999-07-21 2001-02-06 Nippon Sanso Corp ガス供給装置
EP1239219A4 (en) * 1999-12-15 2003-03-12 Osaka Gas Co Ltd LIQUID DISTRIBUTOR, COMBUSTION DEVICE, GAS TURBINE ENGINE AND HEATING POWER SYSTEM
US6283143B1 (en) * 2000-03-31 2001-09-04 Lam Research Corporation System and method for providing an integrated gas stick
JP2002089798A (ja) * 2000-09-11 2002-03-27 Ulvac Japan Ltd 流体制御装置およびこれを用いたガス処理装置
DE10063471A1 (de) * 2000-12-19 2002-06-20 Claas Industrietechnik Gmbh Kontaktierungsvorrichtung und eine Magnetspule
JP4435999B2 (ja) * 2001-02-26 2010-03-24 株式会社堀場エステック マスフローコントローラを用いた流体供給機構および取替基板ならびにアタプタ
US6834669B2 (en) * 2001-11-12 2004-12-28 Otto Herman Seyfarth Integrated pneumatic manifold
US6907904B2 (en) * 2003-03-03 2005-06-21 Redwood Microsystems, Inc. Fluid delivery system and mounting panel therefor
JP4319434B2 (ja) * 2003-03-11 2009-08-26 東京エレクトロン株式会社 ゲートバルブ及び真空容器
DE10394269T5 (de) * 2003-07-14 2007-03-22 Kuroda Precision Industries Ltd., Kawasaki Schaltventilanordnung
US7146999B2 (en) * 2005-03-08 2006-12-12 Gregory C. Giese Modular fluid handling device
US7726331B1 (en) * 2007-05-23 2010-06-01 Giese Gregory C Modular fluid handling device II
US8307849B2 (en) * 2008-06-03 2012-11-13 Jergens, Inc. Rotary coupler and method of using same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6162265U (ko) * 1984-09-28 1986-04-26
KR900016667A (ko) * 1989-04-12 1990-11-14 프란세스코 델라 포르타 밸브 다지관
JP2002095955A (ja) * 2000-09-26 2002-04-02 Shimadzu Corp 液体材料供給装置
JP2002349797A (ja) * 2001-05-23 2002-12-04 Fujikin Inc 流体制御装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI435991B (zh) 2014-05-01
US20120227848A1 (en) 2012-09-13
WO2008023711A1 (fr) 2008-02-28
JP2012229807A (ja) 2012-11-22
CN101506561B (zh) 2012-04-18
US20090320754A1 (en) 2009-12-31
KR20090053822A (ko) 2009-05-27
JP5579783B2 (ja) 2014-08-27
JP5037510B2 (ja) 2012-09-26
JPWO2008023711A1 (ja) 2010-01-14
TW200825315A (en) 2008-06-16
US8196609B2 (en) 2012-06-12
US8820360B2 (en) 2014-09-02
CN101506561A (zh) 2009-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101466998B1 (ko) 집적형 가스 패널 장치
KR101940325B1 (ko) 유체 기구 및 상기 유체 기구를 구성하는 지지 부재 및 유체 제어 시스템
US8197601B2 (en) Vaporizer, vaporization module and film forming apparatus
US20060060253A1 (en) Integrated gas valve
KR20170085969A (ko) 부가적으로 제작된 가스 분배 매니폴드
TWI683195B (zh) 分流系統、使用該分流系統的流體控制系統、及流體控制系統的製造方法
JPWO2013046660A1 (ja) ガス供給装置
JP4554853B2 (ja) ガス供給集積弁
TW201804107A (zh) 流體控制裝置
JP2014092929A (ja) 集積型ガス供給装置
KR20090031338A (ko) 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비
JP4971376B2 (ja) 気体噴射モジュール
US10161040B2 (en) Shower head for electronic device having dispersion pins fabrication and shower head assembly
US8544828B2 (en) Liquid material vaporization apparatus
KR101915535B1 (ko) 가스측정장치
JP7425462B2 (ja) 流体制御装置および半導体製造装置
JP2011036773A (ja) 反応装置及び反応プラント
JP5794884B2 (ja) 流体制御システム
WO2011040268A1 (ja) 流量算出システム、集積型ガスパネル装置及びベースプレート
WO2022196386A1 (ja) ガス供給装置および半導体製造装置
KR100972802B1 (ko) 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비
TW202248562A (zh) 流體傳遞安裝板及系統
KR20220037843A (ko) 유량 비율 제어 장치
KR970005412A (ko) 샤워 헤드

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171107

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181101

Year of fee payment: 5