KR101374583B1 - Ｒｆ 셔터 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 일반적으로 플라즈마 프로세싱 장치에서의 사용을 위한 RF 셔터 조립체를 포함한다. RF 셔터 조립체는 처리 중에 섀도우 프레임과 기판 아래의 플라즈마 크리프(creep)의 양을 감소시킴으로써, 바람직하지 않은 표면 상에서 발생하는 증착량을 감소시킬 수 있다. 바람직하지 않은 표면 상에서의 증착량을 감소시킴으로써, 입자 박리 및 그에 따른 기판 오염이 감소될 수 있다.

Description

ＲＦ 셔터 {RF SHUTTER}
본 발명의 실시예들은 일반적으로 기판 페데스탈(pedestal) 아래에서 발생하는 증착량을 감소시키기 위한 RF 셔터에 관한 것이다.
플라즈마 프로세싱에서, 기판은 기판 상의 프로세스를 수행하기 위해 플라즈마에 노출될 수 있다. 그러한 프로세스는 증착, 에칭, 이온 주입, 및 후 증착 처리를 포함할 수 있다. 하나의 그러한 플라즈마 증착 프로세스인, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)에서, RF 바이어스가 샤워헤드에 인가되어 플라즈마를 생성하거나 그리고/또는 샤워헤드와 기판 지지대 사이에 원격 생성된 플라즈마를 추가로 여기시킬 수 있다. 플라즈마 증착 프로세스들에서, 증착은 플라즈마에 노출되는 모든 위치들에서 챔버 내에서 발생할 수 있다. 챔버 표면 상의 특정 양의 증착은 챔버 표면 상에 증착되는 재료가 벗겨지거나(dislodge) 박리(flake)되어 떨어져 기판을 잠재적으로 오염시키지 않는다면 허용될 수 있다. 일단 챔버 표면 상의 증착 허용도(tolerance level)에 도달되었다면, 챔버 표면은 입자 박리 가능성을 감소시키기 위해 세정 또는 대체될 수 있다.
박리는 임의 개수의 이유들로 인해 발생할 수 있다. 박리에 대한 한 가지 이유는 너무 많은 재료가 표면 상에 증착되었고, 따라서 플라즈마 내의 이온과의 충돌로 인해 박리될 수 있다는 점이다. 박리에 대한 다른 이유는 챔버 부품의 이동이다. 기판을 프로세싱 위치로 상승시키는 기판 지지대와 같이, 챔버 부품이 이동할 때, 상기 부품의 이동은 상부에 증착된 재료를 갖는 부품에 충격을 줄 수 있다. 이러한 충격은 재료가 부품으로부터 박리되는 원인일 수 있다. 그러므로, 본 기술 분야에서 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서의 바람직하지 않은 박리를 방지해야 할 필요가 존재한다.
본 발명은 일반적으로 플라즈마 프로세싱 장치에서의 사용을 위한 RF 셔터 조립체에 관한 것이다. RF 셔터 조립체는 프로세싱 중에 섀도우 프레임과 기판 아래의 플라즈마 크리프(creep)의 양을 감소시킬 수 있고, 그로 인해, 바람직하지 않은 표면 상에서 발생하는 증착량을 감소시킬 수 있다. 바람직하지 않은 표면 상에서의 증착량을 감소시킴으로써, 입자 박리 및 그에 따른 기판 오염이 감소될 수 있다.
일 실시예에서, 프로세싱 장치가 개시된다. 상기 장치는 복수의 벽에 의해 한정된 내측을 갖는 챔버 몸체를 포함한다. 자신을 통해 하나 또는 그보다 많은 수의 기판을 통과시키기 위한 개구가 복수의 벽 중 제 1 벽 내에 존재할 수 있다. 개구는 제 1 벽을 따라 제 1 거리로 연장될 수 있다. 하나 또는 그보다 많은 수의 RF 셔터들은 하나 또는 그보다 많은 수의 벽과 연결될 수 있다. 하나 또는 그보다 많은 수의 RF 셔터는 상기 개구 위에 배열될 수 있으며 제 1 거리만큼의 길이의 적어도 50%인 제 2 거리로 연장된다.
다른 실시예에서, 플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치가 개시된다. 상기 장치는 복수의 벽들을 갖는 프로세싱 챔버를 포함한다. 개구가 복수의 벽 중 제 1 벽 내에 배열될 수 있으며 제 1 벽을 따라 제 1 거리로 연장될 수 있다. 하나 또는 그보다 많은 수의 RF 셔터가 프로세싱 챔버 내의 개구 위에 배열될 수 있다. 하나 또는 그보다 많은 수의 셔터가 제 1 벽과 연결될 수 있으며 제 1 거리의 적어도 약 50%인 제 2 거리로 연장된다.
또 다른 실시예에서, 플라즈마 프로세싱 장치가 개시된다. 상기 장치는 적어도 제 1 벽 및 자신을 통해 적어도 하나의 기판을 통과시키기 위한 적어도 하나의 개구를 갖는 챔버 몸체를 포함한다. 적어도 하나의 개구 위에서 챔버 몸체를 에워싸는 RF 셔터 구조물도 또한 존재할 수 있다. RF 셔터 구조물은 제 1 벽을 따라 배열되는 복수의 돌기를 포함한다. 상기 복수의 돌기는 일괄하여 적어도 하나의 개구의 길이의 적어도 약 50%인, 제 1 벽에 따른 거리에 이른다.
본 발명의 전술한 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간단히 요약한 본 발명에 대한 더 상세한 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있고, 실시예들 중 일부가 첨부 도면에 도시된다. 그러나, 첨부 도면은 본 발명의 단지 통상적인 실시예만을 도시한 것이므로 본 발명의 범주를 한정하는 것으로 간주되지 않아야 하고 본 발명에 대해 다른 균등한 효과적인 실시예들이 있을 수 있음을 주목해야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 셔터를 갖는 프로세싱 챔버의 횡단면도이며,
도 2는 도 1의 RF 셔터의 평면도이며,
도 3은 도 2의 RF 셔터의 사시도이며,
도 4는 프로세싱 위치로 상승된 기판을 갖는 도 1의 프로세싱 챔버의 횡단면도이며,
도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 RF 셔터를 갖는 장치의 평면도이며,
도 5b는 도 5a의 RF 셔터의 사시도이며,
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 RF 셔터를 갖는 장치의 평면도이다.
이해를 용이하게 하기 위해, 도면에서 공통인 동일한 구성 요소를 지칭하는데에는 가능하다면 동일한 참조부호가 사용되었다. 일 실시예에 개시된 구성 요소들은 특별한 언급이 없다면 다른 실시예에 유리하게 사용될 수 있다고 이해해야 한다.
본 발명은 일반적으로 플라즈마 프로세싱 장치에 사용하기 위한 RF 셔터 조립체에 관한 것이다. RF 셔터 조립체는 프로세싱 중에 기판과 섀도우 프레임 아래의 플라즈마 크리프의 양을 감소시킬 수 있고, 그로 인해 바람직하지 않은 표면 상에 발생하는 증착량을 감소시킨다. 바람직하지 않은 표면 상의 증착량을 감소시킴으로써, 입자 박리 및 그에 따른 기판 오염이 감소할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 PECVD 장치의 횡단면도이다. 상기 장치는 하나 또는 그보다 많은 수의 필름이 기판(140) 상에 증착될 수 있는 챔버(100)를 포함한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 기판은 프로세싱이 발생하지 않을 수 있는 하강된 위치에 있다. 사용될 수 있는 하나의 적합한 PECVD 장치는 미국 캘리포니아 산타클라라 소재의 어플라이드 머티리얼즈, 인코포레이티드의 자사인 AKT로부터 이용가능하다. 이하의 설명은 PECVD 장치를 참조하여 이루어질 것이지만, 본 발명이 다른 제작자에 의해 제조된 것을 포함한, 물리 기상 증착(PVD) 챔버와 같은 다른 플라즈마 프로세싱 챔버에도 동일하게 적용가능하다는 점이 이해되어야 한다. 상기 장치는 반도체 기판, 평판 디스플레이 기판, 및 태양전지 패널 기판을 포함한 하나 또는 그보다 많은 수의 기판을 프로세싱하는데 사용될 수 있다.
챔버(100)는 일반적으로 프로세스 공간(106)을 한정하는 벽(102), 바닥(104), 샤워헤드(110), 및 기판 지지대(130)를 포함한다. 프로세스 공간(106)은 기판(140)이 챔버(100) 내외로 이송될 수 있도록 밸브(108)를 통해 접근된다. 기판 지지대(130)는 기판(140)을 지지하기 위한 기판 수용면(132)을 포함한다. 하나 또는 그보다 많은 수의 스템(130)이 기판 지지대(130)를 상승 및 하강시키도록 리프트 시스템(136)에 연결될 수 있다. 리프트 핀(138)은 기판 수용면(132)으로부터 그리고 기판 수용면(132)으로 기판(140)을 이동시키도록 기판 지지대(130)를 통해 이동가능하게 배열된다. 기판 지지대(130)는 또한 기판 지지대(130)를 원하는 온도로 유지하기 위해 가열 및/또는 냉각 소자(139)를 포함할 수 있다. 기판 지지대(130)는 또한 기판 지지대(130)의 주변부에 RF 접지를 제공하기 위한 접지 스트랩(131)을 포함할 수 있다.
샤워헤드(110)는 서스펜션(114)에 의해 배킹 플레이트(backing plate)(112)의 주변부에서 배킹 플레이트(112)에 연결될 수 있다. 샤워헤드(110)는 또한 샤워헤드(110)의 평탄도/곡률을 제어하거나 그리고/또는 처짐(sag)을 방지하는데 도움을 주도록 하나 또는 그보다 많은 수의 커플링 지지대(160)에 의해 배킹 플레이트(112)에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 12개의 커플링 지지대(160)가 샤워헤드(110)를 배킹 플레이트(112)에 연결하는데 사용될 수 있다. 커플링 지지대(160)는 너트 및 볼트 조립체와 같은 체결 기구를 포함할 수 있다. 일 실시예에서 너트와 볼트 조립체는 전기 절연 재료로 제조될 수 있다. 다른 실시예에서, 볼트는 금속으로 제조될 수 있으며 전기 절연 재료에 의해 에워싸일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 샤워헤드(110)는 볼트를 수용하도록 나사산이 형성될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 너트는 전기 절연 재료로 형성될 수 있다. 전기 절연 재료는 커플링 지지대(160)가 챔버 내에 존재할 수 있는 임의의 플라즈마에 전기적으로 연결되는 것을 방지하는데 도움을 준다. 추가적으로 그리고/또는 대안적으로, 중앙 커플링 기구가 배킹 플레이트(112)을 샤워헤드(110)에 연결하도록 존재할 수 있다. 중앙 커플링 기구는 (이하 설명되는) 링(148)을 에워쌀 수 있으며 브릿지 조립체로부터 현수될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 커플링 지지대(160)는 샤워헤드(110)에 나사결합되는 패스너를 포함할 수 있다. 패스너는 배킹 플레이트(112)에 연결되는 로드(rod)를 수용하기 위한 슬롯형 개구를 가질 수 있다. 상기 로드는 진공 시일(seal)로 배킹 플레이트(112)에 연결될 수 있다.
가스 소오스(120)는 배킹 플레이트(112) 내의 가스 출구(142)를 통해 그리고 샤워헤드(110) 내의 가스 통로(111)를 통해 기판 수용면(132)으로 가스를 제공하기 위해 배킹 플레이트(112)에 연결될 수 있다. 진공 펌프(109)는 원하는 압력으로 프로세스 공간(106)을 제어하도록 챔버(100)에 연결될 수 있다. RF 전력 소오스(122)는 RF 전력을 샤워헤드(110)에 제공하도록 배킹 플레이트(112) 및/또는 샤워헤드(110)에 연결된다. RF 전력은 샤워헤드(112)와 기판 지지대(130) 사이에 전기장을 생성하여 플라즈마가 샤워헤드(110)와 기판 지지대(130) 사이에 가스들로부터 형성될 수 있게 한다. 약 0.3 ㎒ 내지 약 200 ㎒ 범위의 주파수와 같이, 다양한 주파수가 사용될 수 있다. 일 실시예에서, RF 전력 소오스가 13.56 ㎒의 주파수에서 제공된다.
유도 결합 원격 플라즈마 소오스와 같은 원격 플라즈마 소오스(124)는 또한 가스 소오스(120)와 배킹 플레이트(112) 사이에 연결될 수 있다. 프로세싱 기판들 사이에서 원격 플라즈마 소오스(124)에 세정 가스가 제공되어서 원격 플라즈마가 생성되고 세정 챔버 컴포넌트로 제공된다. 세정 가스는 샤워헤드로 제공되는 RF 전력 소오스(122)에 의해 추가적으로 여기될 수 있다. 적합한 세정 가스로는 NF3, F2 및 SF6가 포함될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
기판 수용면(132) 상에 배열되는 기판(140)의 상부 표면과 샤워헤드(110) 사이의 간격은 약 400 mil 내지 약 1200 mil 범위일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 간격은 약 400 mil 내지 약 800 mil 범위일 수 있다.
배킹 플레이트(112)은 브릿지 조립체(144)에 의해 지지될 수 있다. 하나 또는 그보다 많은 수의 앵커(anchor) 볼트(146)가 브릿지 조립체(144)로부터 지지 링(148)으로 하향 연장될 수 있다. 지지 링(148)은 하나 또는 그보다 많은 수의 볼트(150)에 의해 배킹 플레이트(112)와 연결될 수 있다. 지지 링(148)은 배킹 플레이트(112)의 실질적으로 중앙에서 배킹 플레이트(112)와 연결될 수 있다. 배킹 플레이트(112)의 중앙은 지지 링(148)이 없어서 최소 지지량을 갖는 배킹 플레이트(112)의 영역이다. 그러므로, 배킹 플레이트(112)의 중앙 영역을 지지하는 것은 배킹 플레이트의 처짐을 감소 및/또는 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 지지 링(148)은 배킹 플레이트(112)의 형상을 제어하는 작동기에 연결될 수 있어서 배킹 플레이트(112)의 중앙이 배킹 플레이트(112)의 에지에 대해 상승 또는 하강될 수 있게 한다. 원자층 증착 프로세스가 대면적 기판 상에서 수행되는 것이 가능하도록 배킹 플레이트의 중앙 영역을 상승시킴으로써 소용돌이형 유동이 생성될 수 있음이 이해되어야 한다. 배킹 플레이트(112)의 이동은 프로세싱 중에 얻어지는 메트릭(metric)에 응답하여 발생할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 메트릭은 증착되는 층의 두께이다. 배킹 플레이트(112)의 이동은 상기 프로세싱과 동시에 발생할 수 있다.
지지 링(148)은 샤워헤드(110)용 지지 기구와 통합되거나 분리될 수 있다. 일 실시예에서, 지지 링(148)은 배킹 플레이트(112)의 중앙 영역에 연결되는 반면, 하나 또는 그보다 많은 수의 지지 소자가 샤워헤드(110)를 다양한 위치에서 배킹 플레이트(112)에 연결할 수 있다. 다른 실시예에서, 지지 링(148)이 배킹 플레이트(112)의 중앙 영역에 연결되는 반면, 중앙에 장착되는 커플링 기구가 배킹 플레이트(112)을 샤워헤드(110)에 연결하는데 사용될 수 있다. 샤워헤드(110)가 배킹 플레이트(112)의 지지 링(148)뿐만 아니라 중앙에 지지될 때, 배킹 플레이트(112)의 지지 링(148)은 샤워헤드(110)용 중앙 지지대 내에 배열될 수 있다.
섀도우 프레임(133)은 기판(140)의 주변부 위에 선택적으로 위치될 수 있다. 섀도우 프레임(133)은 기판 지지대(130)가 하강될 때 RF 셔터(162) 상에 놓일 수 있다. 일 실시예에서, RF 셔터(162)는 챔버와 동일한 재료를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, RF 셔터는 유전체 재료를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, RF 셔터(162)는 스테인레스 스틸을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, RF 셔터(162)는 알루미늄을 포함할 수 있다. 섀도우 프레임(133)은 기판(140)의 에지에서 그리고 기판(140)에 의해 덮이지 않는 기판 지지대(130)의 영역 상에서의 증착을 감소시킬 수 있다. 기판(140)이 초기에 챔버 내측에 삽입될 때, 섀도우 프레임(133)은 RF 셔터(162) 상에 놓일 수 있다. 기판 지지대(130)가 프로세싱 위치로 상승할 때 섀도우 프레임(133)은 기판(140)과 기판 지지대(130)에 의해 RF 셔터(162)로부터 상승될 수 있다.
프로세싱 중에, RF 셔터(162)는 플라즈마 크리프(creep)를 감소시키는데 도움을 줄 수 있다. 플라즈마 크리프는 플라즈마가 기판 지지대(130) 아래의 영역으로 확산되는 경우이다. 플라즈마가 크리핑하는 곳마다 증착이 발생할 수 있다. RF 셔터(162)는 섀도우 프레임이 기판(140)과 기판 지지대(130)에 연결되지 않을 때 섀도우 프레임(133)을 위한 지지를 제공할 뿐만 아니라, 챔버(100)를 통해 플라즈마가 크리핑하는 플라즈마의 경로를 변경할 수도 있도록 챔버(100)의 벽들(102)로부터 연장될 수 있다. 플라즈마의 유동(flow)을 변경함으로써, 플라즈마 크리프의 양이 감소될 수 있다.
RF 셔터(162)는 플라즈마 내로 아직 점화되지 않은 임의의 프로세싱 가스 및 플라즈마의 경로를 차단 및/또는 변경할 수 있다. 플라즈마 및/또는 프로세싱 가스가 슬릿 밸브 개구로 진입되는 것이 방지될 수 있다. 플라즈마 및/또는 프로세싱 가스가 슬릿 밸브 개구로 진입하지 않을 수 있기 때문에, 개구 내에 더 적은 재료가 증착될 수 있으며 챔버 팽창, 챔버 수축, 기판 삽입, 또는 기판 제거 중에 덜 박리되게 된다.
도면에 도시되지는 않았지만, 챔버 라이너(liner)도 또한 존재할 수 있다. 챔버 라이너는 플라즈마 프로세싱 중에 챔버 벽 상의 증착을 감소시키는데 사용될 수 있다. 챔버 라이너는 챔버 내의 박리 양을 감소시키도록 제거될 수 있고 그리고 나서 세정 및/또는 대체될 수 있다. 챔버 라이너를 제거함으로써, 제거된 챔버 라이너가 세정 또는 재활용되는 반면, 세정 챔버 라이너가 챔버 내에 즉시 배열될 수 있다. 일 실시예에서, RF 셔터(162)는 챔버 라이너와 통합될 수 있으며, 그에 따라 챔버 라이너와 함께 제거될 수 있다. 다른 실시예에서, RF 셔터(162)는 챔버 라이너를 통해 배열될 수 있다. RF 셔터(162)를 챔버 라이너를 통해 배열함으로써, RF 셔터(162)는 챔버 라이너의 제거 이전에 챔버 라이너로부터 분리될 수 있다. 대안적으로, 챔버 라이너는 라이너의 제거 이전에 RF 셔터(162)의 제거가 필요하지 않는 다수의 피스(piece)들일 수 있다.
도 2는 도 1의 RF 셔터(162)의 평면도이다. 챔버(100)의 상부, 기판(140), 및 섀도우 프레임(133)은 명확함을 위해 제거되었다. 챔버(100)는 4개의 벽들(102a, 102b, 102c, 102d)를 포함할 수 있다. RF 셔터(162)는 상기 벽들(102a, 102b, 102c, 102d) 각각에 존재할 수 있다. 개구(108)가 존재하지 않는 상기 벽들(102a, 102b, 102c)에 대해, RF 셔터들(162a, 162b, 162c)이 재료의 하나의 연속적인 피스를 포함할 수 있다. RF 셔터들(162a, 162b, 162c)은 상기 벽들(102a, 102b, 102c)에 연결되는 별개의 피스들일 수 있다. 일 실시예에서, RF 셔터들(162a, 162b, 162c)은 일괄하여 재료의 단일 피스일 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 벽들(102a, 102b, 102c)과 RF 셔터들(162a, 162b, 162c)은 재료의 단일 피스를 포함할 수 있다.
개구(108)를 갖는 벽(102d)을 따라, RF 셔터(162)는 하나 또는 그보다 많은 수의 RF 셔터 피스들(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5, 162d6)을 포함할 수 있다. 6개의 RF 셔터 피스들(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5, 162d6)이 도시되어 있지만, 더 많은 수의 또는 더 적은 수의 RF 셔터 피스들이 존재할 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 도 3은 개구(108) 위에 배열되는 RF 셔터 피스들(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5)을 도시하는 도 2의 RF 셔터의 사시도이다. 개구(108)는 제 1 방향으로 벽(102d)을 가로질러 연장된다. RF 셔터 피스들(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5, 162d6)은 일괄하여 벽(102d) 내의 개구(108)의 길이의 약 50%보다 더 큰, 제 1 방향으로의 벽(102d)을 따른 길이에 이를 수 있다.
RF 셔터 피스들(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5, 162d6)은 챔버의 개구(108) 내에서 발생하는 증착량을 감소시킬 수 있는데, 이는 RF 셔터 피스들(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5, 162d6)이 챔버(100)를 통해 플라즈마가 크리핑할 때 플라즈마의 유동을 변경시킬 수 있기 때문이다. 일 실시예에서, RF 셔터 피스들(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5, 162d6)은 벽(102d)의 길이에 이르는 재료의 하나의 연속적인 피스를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, RF 셔터 피스들(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5, 162d6) 각각과 벽(102d)은 일괄하여 재료의 단일 피스를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, RF 셔터 피스들(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5, 162d6)은 벽(102d)과 연결될 수 있다.
RF 셔터 피스들(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5, 162d6)이 일련의 개개의 피스들인 실시예에서, PECVD 프로세스 중에 생성되는 플라즈마는 플라즈마가 RF 셔터 피스들(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5, 162d6)과 만날 때 플라즈마의 유동이 변경되게 할 수 있다. 개개의 RF 셔터 피스(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5, 162d6)은 RF 셔터 피스들(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5, 162d6)의 레벨 아래로 흐를 수 있는 플라즈마의 능력을 감소시킬 수 있다. RF 셔터 피스들(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5, 162d6)의 레벨 아래로 크리핑하는 플라즈마의 양을 감소시킴으로써, RF 셔터 피스들(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5, 162d6) 상에서 또는 개구(108) 내에서와 같이, RF 셔터 피스들(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5, 162d6)의 레벨 아래에서 발생할 수 있는 증착량이 감소될 수 있다. RF 셔터 피스들(162d1, 162d2, 162d3, 162d4, 162d5, 162d6)의 레벨 아래에서의 증착량을 감소시킴으로써 박리 또한 감소될 수 있다.
도 4는 프로세싱 위치로 상승된 기판을 갖는 도 1의 프로세싱 챔버의 횡단면도이다. 도 4에 도시한 바와 같이, RF 셔터(162)는 플라즈마(402)의 유동을 변경시켜서 RF 셔터(162)의 레벨 아래로 크리핑하는 플라즈마의 양이 감소될 수 있다.
도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 RF 셔터를 갖는 장치(500)의 평면도이다. 도 5b는 도 5a의 RF 셔터의 사시도이다. 상기 장치(500)는 하나의 챔버 벽(502) 내에 슬릿 밸브 개구(508)를 가진다. 상기 슬릿 밸브 개구(514) 위에, RF 셔터(508)가 배열될 수 있다. 도 5a 및 도 5b에 도시한 바와 같이, 슬릿 밸브 개구(514) 위의 RF 셔터(508)는 재료의 단일 피스를 포함할 수 있다. 슬릿 밸브 개구(514)의 반대편 벽(506)을 따라 다른 RF 셔터(510)가 존재할 수 있다. RF 셔터(510)는 슬릿 밸브 개구(514) 위의 RF 셔터(508)와 실질적으로 동일할 수 있다.
그러나, 슬릿 밸브 개구(514)와 인접한 벽들(504) 상의 RF 셔터들(512)은 슬릿 밸브 개구(514) 위의 RF 셔터(508)와 상이할 수 있다. 도 5a 및 도 5b에 도시한 바와 같이, 개별적으로 벽(504)의 전체 길이에 이르지 않는 하나 또는 그보다 많은 수의 RF 셔터(512)가 존재할 수 있다. 일 실시예에서, 개개의 RF 셔터들(512) 사이의 간격은 RF 셔터들(512)의 길이와 실질적으로 동일하거나 더 적은 길이를 가질 수 있다. 다른 실시예에서 대향하는 벽들(504)에 있는 RF 셔터들(512)이 실질적으로 정렬될 수 있다. 다른 실시예에서, 대향하는 벽들(504)에 있는 RF 셔터들(512)은 실질적으로 오정렬될 수 있다. RF 셔터들(508, 510, 512)은 모두 슬릿 밸브 개구(514)에 대해 실질적으로 동일한 높이에서 상기 장치 내에 배열될 수 있다. 따라서, 대향하는 벽들 상에 있는 RF 셔터들은 실질적으로 동일할 수 있지만 인접 벽들 상에 있는 RF 셔터들은 실질적으로 상이할 수 있다. RF 셔터들(508, 510, 512)은 약 0.5 인치 내지 약 4 인치 범위의 두께를 가질 수 있다. RF 셔터들(512)은 약 1 인치 내지 약 12 인치 범위의 길이를 가질 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 RF 셔터를 갖는 장치(600)의 평면도이다. 상기 장치(600)는 슬릿 밸브 개구를 갖는 챔버의 측면 상에 벽(602)을 가진다. 슬릿 밸브 개구 위에, RF 셔터(608)가 배열될 수 있다. 슬릿 밸브 개구 위의 RF 셔터(608)는 재료의 단일 피스를 포함할 수 있다.
슬릿 밸브 개구 반대쪽의 벽(606)과 슬릿 밸브 개구에 인접한 벽들(604)을 따라, 보다 많은 수의 RF 셔터들(610)이 존재할 수 있다. 그러나 벽들(604,606) 상의 RF 셔터들(610)은 슬릿 밸브 개구 위의 RF 셔터(608)와 상이할 수 있다. 개별적으로 벽(604,606)의 전체 길이에 이르지 않는 하나 또는 그보다 많은 수의 RF 셔터들(610)이 존재할 수 있다. 일 실시예에서, 개개의 RF 셔터들(610) 사이의 간격은 RF 셔터들(610)의 길이와 실질적으로 같거나 더 적은 길이를 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 대향하는 벽들(604) 상의 RF 셔터(610)는 실질적으로 정렬될 수 있다. 다른 실시예에서, 대향하는 벽들(604)에 있는 RF 셔터들(612)은 실질적으로 오정렬될 수 있다. RF 셔터들(608, 610)은 모두 슬릿 밸브 개구에 대해 실질적으로 동일한 높이에서 상기 장치 내에 배열될 수 있다. 따라서, 벽들(604,606)을 따라 엇갈린 RF 셔터들(610)을 갖는 3개의 벽들(604,606)이 존재하는 반면, 관통하는 슬릿 밸브 개구를 갖는 벽(602)은 벽(602)의 길이에 이르는 단일 RF 셔터(608)를 가질 수 있다. RF 셔터들(608, 610)은 약 0.5 인치 내지 약 4 인치 범위의 두께를 가질 수 있다. RF 셔터들(610)은 약 1 인치 내지 약 12 인치 범위의 길이를 가질 수 있다.
플라즈마 프로세싱 중에 프로세싱 챔버 내의 플라즈마 유동을 변경시킴으로써, RF 셔터들은 프로세싱 챔버의 하부 영역으로 발생하는 플라즈마 크리프의 양을 감소시킬 수 있다. 플라즈마 크리프의 양을 감소시킴으로써, 바람직하지 않은 증착량이 감소되며, 그에 따라 기판을 오염시키는 박리 가능성이 감소될 수 있다.
이상은 본 발명의 실시예에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 실시예 및 추가의 실시예가 본 발명의 기본 범주로부터 이탈함이 없이 창안될 수 있으며, 본 발명의 범주는 다음의 청구의 범위에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 프로세싱 장치로서,
    적어도 제 1 벽 및 제 2 벽을 포함하는 복수의 벽들에 의해 한정된 내부를 가지는 챔버 몸체 ― 적어도 하나의 벽이 자신을 관통하여 제 1 거리로 연장되는 개구를 가짐 ―,
    제 1 벽으로부터 연장되며 상기 제 1 벽의 길이와 동일한 연속적인 길이를 가지는 제 1 RF 셔터,
    제 2 벽으로부터 연장되며 상기 제 2 벽의 길이보다 작은 길이를 가지는 제 2 RF 셔터, 및
    상기 제 2 벽으로부터 연장되며 상기 제 2 벽의 길이보다 작은 길이를 가지는 제 3 RF 셔터
    를 포함하는,
    프로세싱 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 벽은 상기 제 1 벽을 관통하는 상기 개구를 가지는,
    프로세싱 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 벽은 상기 제 1 벽의 반대쪽에 배열되는,
    프로세싱 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    제 3 벽으로부터 연장되며 상기 제 3 벽의 길이와 실질적으로 동일한 길이를 가지는 제 4 RF 셔터, 및
    제 4 벽으로부터 연장되며 상기 제 4 벽의 길이와 실질적으로 동일한 길이를 가지는 제 5 RF 셔터
    를 더 포함하는,
    프로세싱 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 RF 셔터 및 제 3 RF 셔터는 실질적으로 동일한,
    프로세싱 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 3 벽 및 상기 제 4 벽은 서로 평행하며 상기 제 1 벽 및 상기 제 2 벽에 인접해 있는,
    프로세싱 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 벽은 상기 제 1 벽에 인접하여 배열되는,
    프로세싱 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    제 3 벽으로부터 연장되며 상기 제 3 벽의 길이보다 작은 길이를 가지는 제 4 RF 셔터, 및
    상기 제 3 벽으로부터 연장되며 상기 제 3 벽의 길이보다 작은 길이를 가지는 제 5 RF 셔터
    를 더 포함하는,
    프로세싱 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    제 4 벽으로부터 연장되며 상기 제 4 벽의 길이보다 작은 길이를 가지는 제 6 RF 셔터, 및
    상기 제 4 벽으로부터 연장되며 상기 제 4 벽의 길이보다 작은 길이를 가지는 제 7 RF 셔터
    를 더 포함하는,
    프로세싱 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 RF 셔터, 상기 제 3 RF 셔터, 상기 제 4 RF 셔터, 상기 제 5 RF 셔터, 상기 제 6 RF 셔터, 및 상기 제 7 RF 셔터는 실질적으로 동일한,
    프로세싱 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 RF 셔터, 상기 제 2 RF 셔터 및 상기 제 3 RF 셔터와 연결되는 제 1 위치와 상기 제 1 RF 셔터, 상기 제 2 RF 셔터 및 상기 제 3 RF 셔터로부터 분리되는 제 2 위치 사이에서 이동가능한 섀도우 프레임을 더 포함하는,
    프로세싱 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 장치는 플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치 또는 물리 기상 증착 장치를 포함하는,
    프로세싱 장치.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
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