KR101502744B1 - Ｐｅｃｖｄ 프로세스 챔버 후면 판 보강 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 일반적으로 플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치에서 사용하기 위한 후면 판 보강 장치를 포함한다. 대면적 기판들을 프로세싱하는 경우에, 챔버에 걸쳐 연장하는 후면 판이 또한 아주 클 수 있다. 후면 판의 중앙 영역을 프레임 구조물을 이용하여 지지함으로써, 후면 판은 실질적으로 평면으로 유지될 수 있다. 대안적으로, 필요한 경우에, 후면 판의 윤곽을 프로세스의 특정한 요구들에 적합하도록 조정할 수 있다.

Description

ＰＥＣＶＤ 프로세스 챔버 후면 판 보강 {PECVD PROCESS CHAMBER BACKING PLATE REINFORCEMENT}
본 발명의 실시예들은 일반적으로 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 장치 상의 후면 판을 보강하기 위한 장치에 관한 것이다.
대면적 기판들은 평판형 디스플레이들 및 태양 전지 패널들과 같은 분야에서 사용되는 다수의 물품들을 제조하는데 사용될 수 있다. 대면적 기판은 표면적이 2 제곱미터를 초과할 수 있다. 이러한 대면적 기판들을 프로세싱하기 위해, 챔버 크기가 또한 증가할 수 있다. 대면적 기판들을 프로세싱하는데 사용될 수 있는 하나의 적합한 장치는 도 7에 도시된 바와 같은 PECVD 장치(700)이다. 기판(704)은 가스 분배 샤워헤드(702)에 대향하여 프로세스 챔버 내에 배치된다. 후면 판(706)은 샤워헤드(702)의 뒤에 배치되어, 샤워헤드(702) 뒤에서, 프로세싱 가스의 분배를 위한, 후면 판(706)과 샤워헤드(702) 사이의 플레넘(708)을 생성한다. PECVD 챔버에 있어서, 후면 판(706)은 적어도 대면적 기판(704)만큼 클 수 있다. 따라서, 대면적 기판들을 프로세싱하기 위한 PECVD 장치에서, 후면 판은 표면적이 2 제곱미터를 초과할 수 있다. 프로세스 챔버를 단순히 확대하고 그 프로세스 챔버의 표면적을 증가시키는 것에 의해서, 후면 판(706)이 더 작은 챔버들의 두께를 유지하는 경우에는, 후면 판의 크기 및 중량이 결국에, 도 7에 도시된 바와 같이, 후면 판(706)의 중앙의 새깅(sagging)을 초래할 수 있다. 따라서, 대면적 기판들의 프로세싱을 허용하기에 충분한 크기 및 기계적 강도의 후면 판에 대한 필요성이 본 기술 분야에 존재한다.
본 발명은 일반적으로 플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치에서 사용하기 위한 후면 판 보강 장치에 관한 것이다. 대면적 기판들을 프로세싱하는 경우에, 챔버에 걸쳐 연장하는 후면 판이 또한 아주 클 수 있다. 후면 판의 중앙 영역을 프레임 구조물을 이용하여 지지함으로써, 후면 판은 실질적으로 평면으로 유지될 수 있다. 대안적으로, 필요한 경우에, 후면 판의 윤곽을 프로세스의 특정한 요구들에 적합하도록 조정할 수 있다.
일 실시예에서, 플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치가 개시된다. 장치는 챔버 몸체, 챔버 몸체와 커플링되며 프로세싱 영역을 에워싸는 후면 판, 및 프로세싱 영역 외부에 배치되며 후면 판의 중앙 영역과 커플링된 프레임 구조물을 포함한다.
다른 실시예에서, 후면 판 보강 장치가 개시된다. 장치는 브릿지 섹션(bridge section), 브릿지 섹션의 에지 부분들로부터 연장하는 복수의 레그들, 및 브릿지 섹션의 중앙 부분 아래에서 서스펜딩된 지지 엘리먼트를 포함하며, 지지 엘리먼트는 브릿지 섹션의 중앙 부분을 통하여 연장하며 브릿지 섹션의 상부 표면에 체결되는 하나 또는 그 초과의 앵커 엘리먼트(anchor element)들에 의해 서스펜딩된다. 지지 엘리먼트는 엘리먼트를 통하여 연장하는 하나 또는 그 초과의 체결기들 및 각각의 체결기와 커플링된 전기 절연 엘리먼트를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 후면 판의 형상을 제어하는 방법이 개시된다. 방법은 후면 판 위에 배치된 프레임 조립체로부터 연장하는 지지 엘리먼트를 이용하여 후면 판의 중앙 부분을 지지하는 단계, 및 후면 판의 형상을 제어하기 위해, 프레임 조립체로부터 지지 링이 연장하는 거리를 조정하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 플라즈마 강화 화학 기상 증착 방법이 개시된다. 방법은, 가스 분배 샤워헤드와 커플링된 후면 판, 및 후면 판과 커플링되며 가스 분배 샤워헤드에 대향하는 후면 판의 측면 상에 배치된 후면 판 지지부를 포함하는 장치에서, 플라즈마 강화 화학 기상 증착에 의해 기판 상에 재료의 층을 증착하는 단계, 및 증착의 측정된 파라미터에 응답하여 장치 내의 후면 판의 형상을 조정하는 단계를 포함한다.
본 발명의 위에서 기재된 특징들이 상세히 이해될 수 있도록, 위에서 간략하게 요약된 본 발명의 더 특정한 설명이 첨부된 도면들에서 일부가 도시되어 있는 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있다. 그러나, 본 발명이 다른 동등하게 효과적인 실시예들을 인정할 수 있기 때문에, 첨부된 도면들이 단지 본 발명의 전형적인 실시예들만을 도시하며 따라서 본 발명의 범주를 한정하는 것으로 고려되지 않아야 한다는 것이 유의되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 PECVD 장치의 횡단면도이며,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면 판 프레임 구조물의 상부 사시도이며,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 PECVD 장치의 상부 부분의 횡단면도이며,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 링의 평면도이며,
도 5는 도 4의 지지 링에 장착된 앵커 볼트의 컷어웨이 도면이며,
도 6은 도 4의 지지 링과 후면 판을 통하는 볼트들의 컷어웨이 도면이며,
도 7은 새깅 후면 판을 갖는 PECVD 장치(700)이다.
이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우에 동일한 참조 번호들을 사용하였다. 하나의 실시예에서 개시된 엘리먼트들이 특정 기재 없이 다른 실시예들에 대해 유익하게 이용될 수 있다는 것이 고려된다.
본 발명의 실시예들은 일반적으로 프로세스 챔버에서 후면 판을 지지하기 위한 장치 및 방법을 제공한다. 일 실시예에서, 후면 판의 중앙 영역은 후면 판을 실질적으로 평면 배향(planar orientation)으로 유지하는 지지 링과 커플링된다. 프로세싱될 기판이 반도체 기판, 평판형 디스플레이 기판, 태양 전지 패널 기판 등과 같은 임의의 적합한 기판일 수 있다는 것이 이해된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 PECVD 장치의 횡단면도이다. 장치는 챔버(100)를 포함하며, 그 챔버(100) 내에서, 하나 또는 그 초과의 막들이 기판(140) 상에 증착될 수 있다. 사용될 수 있는 하나의 적합한 PECVD 장치는 미국 캘리포니아 산타클라라 소재의 어플라이드 머티리얼즈 인코포레이티드의 자회사인 AKT로부터 이용가능하다. 아래의 설명이 PECVD 장치에 관련하여 이루어질 것이지만, 본 발명이 다른 제조자들에 의해 제조된 것들을 포함하는 다른 프로세스 챔버에 또한 동등하게 적용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
챔버(100)는 일반적으로, 프로세싱 볼륨(106)을 형성하는, 벽들(102), 저부(104), 샤워헤드(110), 및 기판 지지부(130)를 포함한다. 프로세싱 볼륨(106)은, 기판(140)이 챔버(100) 내부 및 외부로 이송될 수 있도록 밸브(108)를 통해 접근된다. 기판 지지부(130)는 기판(140)을 지지하기 위한 기판 수용면(132)을 포함한다. 하나 또는 그 초과의 스템들(134: stems)이 기판 지지부(130)를 승강시키기 위해 리프트 시스템(136)에 커플링될 수 있다. 섀도우 링(133)은 기판(140)의 주변부 위에 선택적으로 배치될 수 있다. 리프트 핀들(138)은, 기판(140)을 기판 수용면(132)으로 그리고 기판 수용면(132)으로부터 이동시키기 위해 기판 지지부(130)를 통하여 이동가능하게 배치된다. 기판 지지부(130)는 또한, 기판 지지부(130)를 원하는 온도로 유지하기 위한 가열 및/또는 냉각 엘리먼트들(139)을 포함할 수 있다. 기판 지지부(130)는 또한, 기판 지지부(130)의 주변부에서 RF 접지를 제공하기 위한 접지 스트랩들(131)을 포함할 수 있다.
샤워헤드(110)는 샤워헤드(110)의 주변부에서 서스펜션(114)에 의해 후면 판(112)에 커플링될 수 있다. 샤워헤드(110)는 또한, 샤워헤드(110)의 진직도(straightness)/곡률을 제어하고 그리고/또는 새깅을 방지하는 것을 보조하기 위한 하나 또는 그 초과의 커플링 지지부들(160)에 의해 후면 판(112)에 커플링될 수 있다. 일 실시예에서, 12 개의 커플링 지지부들(160)이 샤워헤드(110)를 후면 판(112)에 커플링시키기 위해 사용될 수 있다. 커플링 지지부들(160)은 너트 및 볼트 조립체와 같은 체결 메커니즘을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 너트 및 볼트 조립체는 전기 절연 재료로 이루어질 수 있다. 다른 실시예에서, 볼트는 금속으로 이루어질 수 있고 전기 절연 재료로 둘러싸일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 샤워헤드(110)는 볼트를 수용하도록 스레딩(thread)될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 너트는 전기 절연 재료로 형성될 수 있다. 전기 절연 재료는, 커플링 지지부들(160)이 챔버 내에 존재할 수 있는 임의의 플라즈마에 전기적으로 커플링되는 것을 방지하는 것을 보조한다. 부가적으로 그리고/또는 대안적으로, 중앙 커플링 메커니즘이 후면 판(112)을 샤워헤드(110)에 커플링시키기 위해 존재할 수 있다. 중앙 커플링 메커니즘은 (아래에서 논의되는) 링(148)을 둘러쌀 수 있고 브릿지 조립체로부터 서스펜딩될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 커플링 지지부들(160)은 샤워헤드(110) 내로 스레딩된 체결기를 포함할 수 있다. 체결기는 후면 판(112)에 커플링된 로드(rod)를 수용하기 위한 슬롯형 개구를 가질 수 있다. 로드는 진공 시일(seal)을 이용하여 후면 판(112)에 커플링될 수 있다.
가스 소오스(120)는 후면 판(112) 내의 가스 배출구(142)를 통해 그리고 샤워헤드(110) 내의 가스 통로들(111)을 통해 기판 수용면(132)으로 가스를 제공하기 위해 후면 판(112)에 커플링된다. 진공 펌프(109)는 원하는 압력으로 프로세싱 볼륨(106)을 제어하기 위해 챔버(100)에 커플링된다. RF 전력 소오스(122)는 RF 전력을 샤워헤드(110)에 제공하기 위해 후면 판(112) 및/또는 샤워헤드(110)에 커플링된다. RF 전력은, 플라즈마가 샤워헤드(110)와 기판 지지부(130) 사이에서 가스들로부터 생성될 수 있도록, 샤워헤드(112)와 기판 지지부(130) 사이에 전기장을 생성한다. 약 0.3 ㎒ 내지 약 200 ㎒의 주파수와 같이 다양한 주파수들이 사용될 수 있다. 일 실시예에서, RF 전력 소오스는 13.56 ㎒의 주파수로 제공된다.
유도성 커플링된 원격 플라즈마 소오스와 같은 원격 플라즈마 소오스(124)가 또한 가스 소오스(120)와 후면 판(112) 사이에 커플링될 수 있다. 기판들을 프로세싱하는 사이에, 챔버 컴포넌트들을 세정하기 위해 원격 플라즈마가 생성 및 제공되도록, 세정 가스가 원격 플라즈마 소오스(124)에 제공될 수 있다. 세정 가스는 샤워헤드로 제공되는 RF 전력 소오스(122)에 의해 더 여기될 수 있다. 적합한 세정 가스들로는 NF3, F2, 및 SF6가 포함되나 이들에 한정되지는 않는다.
기판 수용면(132) 상에 배치된 기판(140)의 상부 표면과 샤워헤드(110) 사이의 간격은 약 400 mil 내지 약 1,200 mil일 수 있다. 일 실시예에서, 간격은 약 400 mil 내지 약 800 mil일 수 있다. 후면 판(112)과 샤워헤드(110) 사이의 거리는 조정될 수 있다.
후면 판(112)은 브릿지 조립체(144)에 의해 지지될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 앵커 볼트들(146)은 브릿지 조립체(144)로부터 지지 링(148)으로 하향 연장할 수 있다. 지지 링(148)은 하나 또는 그 초과의 볼트들(150)에 의해 후면 판(112)과 커플링될 수 있다. 지지 링(148)은 실질적으로 후면 판(112)의 중앙에서 후면 판(112)과 커플링될 수 있다. 후면 판(112)의 중앙은 지지 링(148)의 부재 시에 최소량으로 지지되는(least amount of support) 후면 판(112)의 영역이다. 따라서, 후면 판(112)의 중앙 영역을 지지하는 것은 후면 판의 새깅을 감소 그리고/또는 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 지지 링(148)은, 후면 판(112)의 중앙이 후면 판(112)의 에지들에 대하여 상승 또는 하강될 수 있도록, 후면 판(112)의 형상을 제어하는 작동기에 커플링될 수 있다. 후면 판의 중앙 영역을 상승시킴으로써, 원자 층 증착 프로세스들이 대면적 기판들에 대해 수행될 수 있게 하기 위해 와류형 유동이 생성될 수 있다는 것이 고려된다. 후면 판(112)의 움직임은 프로세싱 동안에 획득된 메트릭(metric)에 응답하여 발생할 수 있다. 일 실시예에서, 메트릭은 증착되는 층의 두께이다. 후면 판(112)의 움직임은 프로세싱과 동시에 발생할 수 있다.
지지 링(148)은 샤워헤드(110)를 위한 지지 메커니즘과 일체형 또는 별개일 수 있다. 일 실시예에서, 지지 링(148)이 후면 판(112)의 중앙 영역에 커플링되면서, 하나 또는 그 초과의 지지 엘리먼트들이 다양한 위치들에서 샤워헤드(110)를 후면 판(112)에 커플링시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 지지 링(148)이 후면 판(112)의 중앙 영역에 커플링되면서, 중앙 장착된 커플링 메커니즘이 후면 판(112)을 샤워헤드(110)에 커플링시키기 위해 사용될 수 있다. 샤워헤드(110)가 후면 판(112)의 지지 링(148)에 부가하여 중앙 지지되는 경우에, 후면 판(112)의 지지 링(148)이 샤워헤드(110)를 위해서 중앙 지지부 내에 배치될 수 있다.
브릿지 조립체(144)와 후면 판(112) 사이의 거리는 원하는 대로 조정될 수 있다. 일 실시예에서, 브릿지 조립체(144)와 후면 판(112) 사이의 거리는 프로세싱 조건의 측정된 메트릭에 응답하여 조정될 수 있다. 부가적으로, 브릿지 조립체(144)와 후면 판(112) 사이의 거리를 조정하는 경우에, 샤워헤드(110)와 기판 사이의 거리는 샤워헤드(110)가 후면 판(112)에 커플링될 때는 언제든지 조정될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면 판 프레임 구조물(200)의 상부 사시도이다. 샤워헤드 판의 새깅을 방지하기 위해 샤워헤드를 후면 판에 커플링시키는 복수의 커플링 메커니즘들(224)을 볼 수 있을 것이다. 일 실시예에서, 12 개의 커플링 메커니즘들(224)이 존재할 수 있다. 후면 판(202)의 에지들이 리드 몸체(204) 상에 놓일 수 있다. 그러나, 후면 판의 중앙 부분(222)은 브릿지 조립체(206)의 중앙 영역(218)으로부터 서스펜딩된 지지 링(208)에 의해 중앙에서 지지될 수 있다. 브릿지 조립체(206)의 브릿지 섹션(220)은 후면 판(202)의 폭에 걸쳐 있을 수 있다. 브릿지 섹션(220)의 에지들은 리드 몸체(204)와 커플링된 하나 또는 그 초과의 레그들(216)에 의해 지지될 수 있다.
지지 링(208)은 하나 또는 그 초과의 앵커 볼트들(212)에 의해 브릿지 섹션(220)의 중앙 영역(218)으로부터 서스펜딩될 수 있다. 앵커 볼트들의 재료는 대면적 후면 판(202)을 지지하기에 충분한 강도의 임의의 잘 알려진 재료일 수 있다. 일 실시예에서, 앵커 볼트들(212)은 스테인레스 스틸을 포함할 수 있다. 지지 링(208)은 하나 또는 그 초과의 볼트들(210)에 의해 후면 판(202)과 커플링될 수 있다. 볼트들(210)은 절연체들(214)에 의해 후면 판(202)으로부터 전기 절연될 수 있다. 절연체들(214)은 임의의 잘 알려진 전기 절연 재료로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 절연체들(214)은 세라믹이다. 볼트들(210,212)이 지지 링(208)을 후면 판(202)에 커플링시키고 지지 링(208)을 브릿지 섹션(220)의 중앙 영역(218)에 커플링시키기 위한 것으로 설명되었지만, 엘리먼트들을 함께 커플링시킬 수 있는 임의의 체결 메커니즘이 고려된다는 것이 이해되어야 한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 PECVD 장치(300)의 상부 부분의 횡단면도이다. 후면 판(302)에 커플링된 지지 링(306)은 하나 또는 그 초과의 앵커 볼트들(308)에 의해 브릿지 조립체(304)로부터 서스펜딩될 수 있다. 앵커 볼트들(308)은 지지 링(306) 및 브릿지 조립체(304)에 커플링하기 위해 각각의 단부(310)에서 스레딩될 수 있다. 브릿지 조립체(304)에서, 너트와 같은 체결 메커니즘(312)이 앵커 볼트(308)의 스레딩된 단부(310)에 스레딩 커플링(threadedly couple)될 수 있다.
지지 링(306)에서, 앵커 볼트들(308)은 지지 링(306)에 스레딩 커플링될 수 있다. 지지 링(306)은 앵커 볼트(308)의 스레딩된 단부(310)를 수용하기 위한 스레딩된 부분을 가질 수 있다. 앵커 볼트(308)를 지지 링(306)에 스레딩 부착함으로써, 너트와 같은 체결 메커니즘이 지지 링(306)의 저면 상에 필요하지 않을 수 있다. 지지 링(306)의 저면 상의 너트는 브릿지 조립체(304)에 대한 후면 판(302)의 원하지 않는 전기적인 커플링을 초래할 수 있다. 그러나, 일 실시예에서, 너트가 앵커 볼트(308)와 커플링하기 위해 지지 링(306)의 저면 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 절연 체결 메커니즘이 지지 링(306)을 앵커 볼트들(308)에 커플링시키기 위해 사용될 수 있다. 절연 너트가 앵커 볼트들(308)을 지지 링(306)에 커플링시키기 위해 사용되는 경우에, 지지 링(306)은 앵커 볼트들(308)을 수용하기 위해 스레딩될 수 있거나 또는 스레딩되지 않을 수 있다. 스레딩된 지지 링(306) 및 너트 모두를 사용함으로써, 앵커 볼트들(308)은 지지 링(306)에 더 고정될 수 있다. 너트만이 앵커 볼트들(308)을 지지 링(306)에 커플링시키기 위해 사용되는 경우에, 앵커 볼트들(308)이 통과하는 지지 링(306)의 부분이 실질적으로 직선 측면을 가질 수 있다(straight sided).
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면 판(406)에 커플링된 지지 링(400)의 평면도이다. 앵커 볼트들(402) 및 볼트들(404)이 또한 도시되어 있다. 하나 또는 그 초과의 앵커 볼트들(402)이 존재할 수 있지만, 6 개의 앵커 볼트들(402)이 도시되어 있다. 더 많거나 또는 더 적은 앵커 볼트들(402)이 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 부가적으로, 지지 링(400)을 후면 판(406)에 커플링시키는 8 개의 볼트들(404)이 도시되어 있지만, 더 많거나 또는 더 적은 볼트들(404)이 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
도 5는 도 4의 지지 링(400)에 장착된 앵커 볼트(402)의 컷어웨이 도면이다. 앵커 볼트(402)는 지지 링(400)의 스레딩된 수용 부분(502)과 커플링된 스레딩된 단부(504)를 가질 수 있다. 위에서 논의된 바와 같이, 스레딩된 단부(504)는 스레딩된 수용 부분(502)에 부가하여 또는 그 대신에, 체결 메커니즘을 부가적으로 가질 수 있거나 또는 갖지 않을 수 있다. 일 실시예에서, 앵커 볼트(402)의 스레딩된 단부(504)는 후면 판(406)과 앵커 볼트(402) 사이의 임의의 전기적인 커플링을 감소시키기 위해 전기 절연 재료로 코팅될 수 있다.
도 6은 도 4의 지지 링(400) 및 후면 판(406)을 통하는 볼트들(404)의 컷어웨이 도면이다. 지지 링(400)과 후면 판(406) 사이에서, 볼트들(404)은 절연 와셔(602)에 의해 전기적으로 격리될 수 있다. 일 실시예에서, 절연 와셔(602)는 후면 판(406) 내로 카운터싱크(countersink)될 수 있다.
볼트(404)의 단부는 후면 판(406)의 저면 상에서 스레딩된 절연 너트(606)에 스레딩 커플링될 수 있다. 절연 너트(606)는 후면 판(406) 내로 카운터싱크될 수 있다. 볼트(404)의 스레딩된 단부는 절연 너트(606)를 통하여 연장하지 않을 수 있다. 볼트(404)의 스레딩된 단부가 절연 너트(606)를 통하여 연장하는 경우에, 볼트(404)는 후면 판(406) 내의 개구(608)를 통해 제공되는 임의의 플라즈마에 노출될 것이다. 볼트(404)를 플라즈마에 노출시킴으로써, 볼트(404)는 후면 판(406)으로부터 전기 절연되지 않을 것이며, 따라서 접지로의 경로를 제공할 수 있다. 따라서, 절연 너트(606)가 볼트(404)를 위한 절연 캡으로서 기능할 수 있다.
후면 판(406) 내에서, 볼트(404)는 절연 너트(606)와 절연 와셔(602) 사이에서 연장하는 절연 슬리브(604)에 의해 후면 판(406)으로부터 전기 절연될 수 있다. 일 실시예에서, 절연 와셔(602), 절연 슬리브(604), 및 절연 너트(606) 각각을 위한 절연 재료는 세라믹 재료를 포함할 수 있다. 절연 와셔(602), 절연 슬리브(604), 및 절연 너트(606) 각각을 위해 임의의 잘 알려진 전기 절연 재료가 사용될 수 있다는 것이 고려된다. 일 실시예에서, 절연 와셔(602), 절연 슬리브(604), 및 절연 너트(606)는 절연 재료의 단일 피스(piece)를 포함할 수 있다.
전술한 바가 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 및 추가의 실시예들이 본 발명의 기본 범주로부터 벗어나지 않고 고안될 수 있으며, 본 발명의 범주는 이후의 청구의 범위에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치로서:
    챔버 몸체;
    상기 챔버 몸체와 커플링되며 프로세싱 영역을 에워싸는 후면 판; 및
    상기 프로세싱 영역 외부에 배치되며 상기 후면 판의 중앙 영역과 커플링된 프레임 구조물;을 포함하고,
    상기 프레임 구조물은:
    상기 후면 판에 걸쳐 있고(spanning) 중앙 영역을 가지는 브릿지 섹션;
    상기 브릿지 섹션의 에지 부분들로부터 연장하는 복수의 레그들; 및
    상기 브릿지 섹션의 중앙 영역과 상기 후면 판의 중앙 영역 사이에서 스레딩 커플링된 지지 엘리먼트;를 더 포함하며,
    상기 지지 엘리먼트는 하나 이상의 제 1 체결기를 포함하고, 상기 하나 이상의 제 1 체결기는 상기 지지 엘리먼트와 상기 후면 판을 통하여 연장하는 복수의 볼트들을 더 포함하며, 상기 복수의 볼트들의 각각은 상기 후면 판으로부터 전기 절연되는,
    플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    리드 몸체를 더 포함하며,
    상기 복수의 레그들이 상기 리드 몸체와 상기 챔버 몸체 중 하나 이상의 몸체와 커플링되며 상기 하나 이상의 몸체로부터 연장하고;
    상기 지지 엘리먼트는 상기 하나 이상의 제 1 체결기에 의해 상기 후면 판의 중앙 영역과 스레딩(threadedly) 커플링되고, 상기 지지 엘리먼트는 하나 이상의 제 2 체결기에 의해 상기 브릿지 섹션의 중앙 영역과 스레딩 커플링되고, 상기 하나 이상의 제 2 체결기는 제 1 단부, 또는 제 2 단부, 또는 제 1 단부와 제 2 단부 모두에 스레딩되는,
    플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 볼트들의 각각의 사이에서 커플링된 절연 와셔;
    상기 지지 엘리먼트를 통하여 연장하며 상기 복수의 볼트들의 각각을 둘러싸는 절연 슬리브; 및
    상기 복수의 볼트들의 각각과 커플링된 절연 너트;를 더 포함하는,
    플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 절연 와셔, 상기 절연 슬리브, 및 상기 절연 너트는 세라믹 재료를 포함하는,
    플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 절연 와셔, 상기 절연 슬리브, 및 상기 절연 너트는 절연 재료의 단일 피스(piece)를 포함하는,
    플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 제 2 체결기는: 상기 지지 엘리먼트와 상기 브릿지 섹션의 중앙 영역 사이에서 연장하는 복수의 앵커 볼트들을 더 포함하는,
    플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 앵커 볼트들은 상기 중앙 영역을 통하여 연장하고 상기 중앙 영역에 조정가능하게 커플링되는,
    플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 레그들은, 상기 리드 몸체와 상기 챔버 몸체 중 하나 또는 그 초과의 몸체의 제 1 부분으로부터 연장하는 하나 또는 그 초과의 제 1 레그들, 및 상기 제 1 부분에 대향하여 배치된, 상기 리드 몸체와 상기 챔버 몸체 중 하나 또는 그 초과의 몸체의 제 2 부분으로부터 연장하는 하나 또는 그 초과의 제 2 레그들을 포함하며,
    상기 브릿지 섹션은 상기 후면 판을 가로질러 걸쳐 있으며 상기 하나 또는 그 초과의 제 1 레그들 및 상기 하나 또는 그 초과의 제 2 레그들 양자 모두에 커플링되는,
    플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치.
  10. 챔버와 후면 판 위에 배치되는 후면 판 보강 장치로서:
    브릿지 섹션;
    상기 브릿지 섹션의 에지 부분들로부터 연장하는 복수의 레그들; 및
    상기 브릿지 섹션의 중앙 부분 아래에서 서스펜딩(suspend)된 지지 엘리먼트;를 포함하며,
    상기 지지 엘리먼트는, 상기 브릿지 섹션의 중앙 부분을 통하여 연장하며 상기 브릿지 섹션의 상부 표면에 스레딩 체결되는 하나 또는 그 초과의 스레딩된 앵커 엘리먼트들에 의해 서스펜딩되고,
    상기 지지 엘리먼트는:
    상기 엘리먼트를 통하여 연장하는 하나 또는 그 초과의 체결기들; 및
    상기 체결기들의 각각과 커플링된 전기 절연 엘리먼트;를 포함하는,
    후면 판 보강 장치.
  11. 후면 판 보강 장치로서:
    브릿지 섹션;
    상기 브릿지 섹션의 에지 부분들로부터 연장하는 복수의 레그들; 및
    상기 브릿지 섹션의 중앙 부분 아래에서 서스펜딩된 지지 엘리먼트;를 포함하며,
    상기 지지 엘리먼트는, 상기 브릿지 섹션의 중앙 부분을 통하여 연장하며 상기 브릿지 섹션의 상부 표면에 스레딩 체결되는 하나 또는 그 초과의 스레딩된 앵커 엘리먼트들에 의해 서스펜딩되고,
    상기 지지 엘리먼트는:
    상기 엘리먼트를 통하여 연장하는 하나 또는 그 초과의 체결기들; 및
    상기 체결기들의 각각과 커플링된 전기 절연 엘리먼트;를 포함하며,
    각각의 전기 절연 엘리먼트는:
    상기 체결기들의 각각의 사이에서 커플링된 절연 와셔;
    상기 지지 엘리먼트를 통하여 연장하며 상기 체결기들의 각각을 둘러싸는 절연 슬리브; 및
    상기 체결기들의 각각과 커플링된 절연 너트;를 더 포함하는,
    후면 판 보강 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 절연 와셔, 상기 절연 슬리브, 및 상기 절연 너트는 세라믹 재료를 포함하는,
    후면 판 보강 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 절연 와셔, 상기 절연 슬리브, 및 상기 절연 너트는 절연 재료의 단일 피스를 포함하는,
    후면 판 보강 장치.
  14. 삭제
  15. 삭제
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