KR101223409B1 - 알에프아이디 태그, 비접촉식 급전 안테나 부품, 그들의 제조 방법 및 그 금형 - Google Patents

알에프아이디 태그, 비접촉식 급전 안테나 부품, 그들의 제조 방법 및 그 금형 Download PDF

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켄지 키다
후미히토 이시다
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아피쿠 야마다 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 무선 통신을 수행하는 RFID 태그에 있어서, 리드 프레임 10에 형성된 안테나부 10a와, 리드 프레임 10 상에 탑재된 반도체 디바이스 30과, 리드 프레임 10의 양면에 사출 성형되어 반도체 디바이스 30을 덮으며 볼록부 52를 포함하는 열가소성 수지 50과, 열가소성 수지 50의 상기 볼록부 52를 기준 위치로 하여 리드 프레임 10의 양면에 사출 성형된 열가소성 수지 56을 포함한다.

Description

알에프아이디 태그, 비접촉식 급전 안테나 부품, 그들의 제조 방법 및 그 금형{RFID TAG, WIRELESS CHARGING ANTENNA PART, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MOLD}
본 발명은, RFID 태그, 비접촉식 급전(給電) 안테나 부품, 그들의 제조 방법 및 그들을 제조하기 위한 금형에 관한 것이다.
플라스틱 케이스 내에 금속 안테나나 금속 코일을 갖는 제품으로서 대표적인 것으로 ID 태그가 있으며, 통상적으로 ID 정보가 기록된 태그로부터 리더/라이터(Reader/Writer)를 사용하여 무선 통신을 통해 정보의 교환을 수행하기 위한 RFID 태그(무선 IC 태그)가 널리 이용되고 있다. 최근에는 그 편의성으로부터 전지를 탑재하지 않은 타입의 RFID 태그가 사용되는 경우가 많다. 전지를 탑재하지 않은 RFID 태그는 RFID 태그 내에 금속 배선(코일이나 안테나 등. 이하, '안테나부(部)'라 약칭함.)을 가지며, 리더/라이터로부터 전자 유도 방식, 전파 수신 방식, 공명 방식에 의해 RFID 내에 기전력을 발생시킴으로써, 태그와 리더/라이터와의 사이에서 전기적인 통신이 가능하게 된다.
또한, 비접점 충전기에서는, RFID와 마찬가지로 비접점 충전기 내에 안테나부를 가지며, 전자 유도 방식, 전파 수신 방식, 공명 방식에 의하여 비접촉식 급전 안테나 부품을 통하여 비접점 충전기 제품 내에서 기전력을 발생시킴으로써 충전이 가능하게 된다. RFID나 비접촉식 급전 안테나 부품은 외부 소자와의 물리적인 접촉이 불필요한 금속 배선(안테나부)을 포함하여 구성되는바, 수지 성형시에 수지의 유동 압력에 의하여 금속 배선이 변형되며, 또한 금속 배선이 수지의 외부로 노출된다는 문제가 있다. 금속 배선이 변형되면 RFID 태그나 비접촉식 급전 안테나 부품의 성능이 열화되고 또한 금속 배선이 수지의 외부에 노출되면 정전기의 영향을 받기 쉽게 되는 등, 내환경성이 낮아진다.
이러한 점에 관하여, 일본 공개 특허 제2001-236480호 공보에는, 외형의 치수 정밀도가 뛰어난 비접촉식 IC 카드가 개시되어 있다. 본 문헌의 IC 카드는, 베이스 시트 3에 안테나 4와 IC 모듈 5를 결합하여 이루어지는 매설 블랭크 1을 포함하여, 사출 성형된 외표층 2의 내측에 매설 블랭크 1의 전체를 삽입시켜 고정하여 안테나 4와 IC 모듈 5를 카드 내에 매설함으로써 제조된다.
그러나, 일본 공개 특허 제2001-236480호 공보에는, 외표층 2는 제1 표층 6과 제2 표층 7로 나뉘어 한쪽 면씩 형성되어 있다. 이 때문에, 수지 성형시에 있어서 베이스 시트 3이 변형되기 쉽다. 또한, 이러한 구성에서는 IC 카드의 면내(面內) 방향에 있어서의 위치 맞춤을 정확히 수행하기가 곤란하다. 이 때문에 안테나 4의 3차원적인 위치를 정확히 제어하기가 곤란하며, 양호한 성능을 확보할 수 없는 문제가 있다.
일본 공개 특허 제2001-236480호 공보
본 발명은 안테나부의 변형이나 외부 노출을 방지하여 안테나부를 정위치에 수지로 봉지(封止)함으로써, 고성능의 RFID 태그, 비접촉식 급전 안테나 부품, 및 그들의 제조 방법, 그리고 그러한 RFID 태그 또는 비접촉식 급전 안테나 부품을 제조하기 위하여 사용되는 금형을 제공한다.
본 발명의 한 국면으로서의 RFID 태그는, 무선 통신을 수행하는 RFID 태그에 있어서, 리드 프레임에 형성된 안테나부와, 상기 리드 프레임 상에 탑재된 반도체 디바이스와, 상기 리드 프레임의 양면에 사출 성형되어 상기 반도체 디바이스를 덮으며 볼록부를 포함하는 제1 열가소성 수지와, 상기 제1 열가소성 수지의 상기 볼록부를 기준 위치로 하여 상기 리드 프레임의 양면에 사출 성형된 제2 열가소성 수지를 포함한다.
본 발명의 다른 국면으로서의 RFID 태그는, 무선 통신을 수행하는 RFID 태그에 있어서, 리드 프레임에 형성된 안테나부와, 상기 리드 프레임 상에 탑재된 반도체 디바이스와, 상기 리드 프레임의 양면에 사출 성형되어 상기 반도체 디바이스를 덮는 제1 열가소성 수지와, 상기 제1 열가소성 수지의 외면을 기준 위치로 하여 상기 리드 프레임의 양면에 사출 성형됨으로써 형성되는 오목부를 포함하는 제2 열가소성 수지를 포함한다.
본 발명의 다른 국면으로서의 비접촉식 급전 안테나 부품은, 기전력을 발생시키는 비접촉식 급전 안테나 부품에 있어서, 리드 프레임에 형성된 안테나부와, 상기 리드 프레임의 양면에 사출 성형되며 볼록부를 포함하는 제1 열가소성 수지와, 상기 제1 열가소성 수지의 상기 볼록부를 기준 위치로 하여 상기 리드 프레임의 양면에 사출 성형된 제2 열가소성 수지를 포함한다.
본 발명의 다른 국면으로서의 비접촉식 급전 안테나 부품은, 기전력을 발생시키는 비접촉식 급전 안테나 부품에 있어서, 리드 프레임에 형성된 안테나부와, 상기 리드 프레임의 양면에 사출 성형된 제1 열가소성 수지와, 상기 제1 열가소성 수지의 외면을 기준 위치로 하여 상기 리드 프레임의 양면에 사출 성형됨으로써 형성되는 오목부를 포함하는 제2 열가소성 수지를 포함한다.
본 발명의 다른 국면으로서의 RFID의 제조 방법은, 무선 통신을 수행하는 RFID 태그의 제조 방법에 있어서, 리드 프레임에 안테나부를 형성하는 공정과, 상기 리드 프레임 상에 반도체 디바이스를 탑재하는 공정과, 제1 열가소성 수지를 사출 성형하고 상기 반도체 디바이스를 덮어 상기 리드 프레임의 양면에 볼록부를 형성하는 1차 성형 공정과, 상기 제1 열가소성 수지의 상기 볼록부의 위치를 기준으로 하여 상기 리드 프레임의 양면에 제2 열가소성 수지를 사출 성형하는 2차 성형 공정을 포함한다.
본 발명의 다른 국면으로서의 RFID 태그의 제조 방법은, 무선 통신을 수행하는 RFID 태그의 제조 방법에 있어서, 리드 프레임에 안테나부를 형성하는 공정과, 상기 리드 프레임 상에 반도체 디바이스를 탑재하는 공정과, 제1 열가소성 수지를 사출 성형하여 상기 반도체 디바이스를 덮는 1차 성형 공정과, 상기 제1 열가소성 수지의 외면의 위치를 기준으로 하여 상기 리드 프레임의 양면에 오목부를 포함하는 제2 열가소성 수지를 사출 성형하는 2차 성형 공정을 포함한다.
본 발명의 다른 국면으로서의 비접촉식 급전 안테나 부품의 제조 방법은, 기전력을 발생시키는 비접촉식 급전 안테나 부품의 제조 방법에 있어서, 리드 프레임에 안테나부를 형성하는 공정과, 제1 열가소성 수지를 사출 성형하여 상기 리드 프레임의 양면에 볼록부를 형성하는 성형 공정과, 상기 제1 열가소성 수지의 상기 볼록부의 위치를 기준으로 하여 상기 리드 프레임의 양면에 제2 열가소성 수지를 사출 성형하는 성형 공정을 포함한다.
본 발명의 다른 국면으로서의 비접촉식 급전 안테나 부품의 제조 방법은, 기전력을 발생시키는 비접촉식 급전 안테나 부품의 제조 방법에 있어서, 리드 프레임에 안테나부를 형성하는 공정과, 제1 열가소성 수지를 사출 성형하는 성형 공정과, 상기 제1 열가소성 수지의 외면의 위치를 기준으로 하여 상기 리드 프레임의 양면에 오목부를 포함하는 제2 열가소성 수지를 사출 성형하는 성형 공정을 포함한다.
본 발명의 다른 국면으로서의 금형은, RFID 태그를 제조하기 위한 금형에 있어서, 안테나부를 형성하는 리드 프레임을 제1면 측으로부터 압박하는 제1 일방 금형과, 상기 리드 프레임을 상기 제1면의 반대편인 제2면 측으로부터 압박하는 제1 타방 금형과, 상기 리드 프레임을 상기 제1면 측으로부터 압박하는 제2 일방 금형과, 상기 리드 프레임을 상기 제2면 측으로부터 압박하는 제2 타방 금형을 포함하되, 상기 제1 일방 금형 및 상기 제1 타방 금형은 반도체 디바이스를 탑재한 상기 리드 프레임을 고정시키고 제1 열가소성 수지를 사출 성형하기 위하여 사용되며, 상기 제2 일방 금형 및 상기 제2 타방 금형은 상기 제1 열가소성 수지의 성형후의 상기 리드 프레임을 고정시키고 제2 열가소성 수지를 사출 성형하기 위하여 사용되며, 상기 제1 일방 금형 및 상기 제1 타방 금형에는 상기 제2 열가소성 수지의 성형시의 기준 위치가 되는 볼록부를 상기 제1 열가소성 수지에 성형하기 위한 오목부가 포함된다.
본 발명의 다른 국면으로서의 금형은, RFID 태그를 제조하기 위한 금형에 있어서, 안테나부를 형성하는 리드 프레임을 제1면 측으로부터 압박하는 제1 일방 금형과, 상기 리드 프레임을 상기 제1면의 반대편인 제2면 측으로부터 압박하는 제1 타방 금형과, 상기 리드 프레임을 상기 제1면 측으로부터 압박하는 제2 일방 금형과, 상기 리드 프레임을 상기 제2면 측으로부터 압박하는 제2 타방 금형을 포함하되, 상기 제1 일방 금형 및 상기 제1 타방 금형은 반도체 디바이스를 탑재한 상기 리드 프레임을 고정시키고 제1 열가소성 수지를 사출 성형하기 위하여 사용되며, 상기 제2 일방 금형 및 상기 제2 타방 금형은 상기 제1 열가소성 수지의 성형 후의 상기 리드 프레임을 고정시키고 제2 열가소성 수지를 사출 성형하기 위하여 사용되며, 상기 제2 일방 금형 및 상기 제2 타방 금형에는 상기 제1 열가소성 수지의 외면을 기준 위치로 하여 제2 열가소성 수지를 사출 성형하기 위한 볼록부가 포함된다.
본 발명의 다른 국면으로서의 금형은, 비접촉식 급전 안테나 부품을 제조하기 위한 금형에 있어서, 안테나부를 형성하는 리드 프레임을 제1면 측으로부터 압박하는 제1 일방 금형과, 상기 리드 프레임을 상기 제1 면의 반대편인 제2면 측으로부터 압박하는 제1 타방 금형과, 상기 리드 프레임을 상기 제1면 측으로부터 압박하는 제2 일방 금형과, 상기 리드 프레임을 상기 제2면 측으로부터 압박하는 제2 타방 금형을 포함하되, 상기 제1 일방 금형 및 상기 제1 타방 금형은 상기 리드 프레임을 고정시키고 제1 열가소성 수지를 사출 성형하기 위하여 사용되며, 상기 제2 일방 금형 및 상기 제2 타방 금형은 상기 제1 열가소성 수지의 성형 후의 상기 리드 프레임을 고정시키고 제2 열가소성 수지를 사출 성형하기 위하여 사용되며, 상기 제1 일방 금형 및 상기 제1 타방 금형에는 상기 제2 열가소성 수지의 성형시의 기준 위치가 되는 볼록부를 상기 제1 열가소성 수지에 형성하기 위한 오목부가 포함되어 있다.
본 발명의 다른 국면으로서의 금형은, 비접촉식 급전 안테나 부품을 제조하기 위한 금형에 있어서, 안테나부를 형성하는 리드 프레임을 제1면 측으로부터 압박하는 제1 일방 금형과, 상기 리드 프레임을 상기 제1면의 반대편인 제2면 측으로부터 압박하는 제1 타방 금형과, 상기 리드 프레임을 상기 제1면 측으로부터 압박하는 제2 일방 금형과, 상기 리드 프레임을 상기 제2면 측으로부터 압박하는 제2 타방 금형을 포함하되, 상기 제1 일방 금형 및 상기 제1 타방 금형은 상기 리드 프레임을 고정시키고 제1 열가소성 수지를 사출 성형하기 위하여 사용되며, 상기 제2 일방 금형 및 상기 제2 타방 금형은 상기 제1 열가소성 수지의 성형 후의 상기 리드 프레임을 고정시키고 제2 열가소성 수지를 사출 성형하기 위하여 사용되며, 상기 제2 일방 금형 및 상기 제2 타방 금형에는 상기 제1 열가소성 수지의 외면을 기준 위치로 하여 제2 열가소성 수지를 사출 성형하기 위한 볼록부가 포함된다.
본 발명의 다른 목적 및 특징은 이하의 실시에에서 설명된다.
본 발명에 의하면 패키지의 두께 방향에 있어서의 안테나부의 위치를 확실히 제어할 수 있기 때문에, 고성능의 RFID 태그를 제공할 수 있다. 또한, 안테나의 위치를 임의로 설정할 수 있기 때문에, 2차 성형에서 형성된 볼록부의 높이를 변경함으로써, 안테나부를 RFID 태그의 패키지의 두께 방향에 있어서의 임의의 위치에 배치할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 안테나의 단면에 있어서의 두께가 증가하고, 안테나의 소형화를 도모할 수 있다. 또한, 반도체 디바이스를 효과적으로 보호할 수 있다. 또한, 내성(내충격성, 내후성, 내수성)에서 뛰어난 RFID 태그를 제공할 수 있다. 또한 외장 수지(열가소성 수지)의 두께 방향(연직 방향) 및 면내 방향에 있어서의 안테나부의 위치를 제어할 수 있어 안테나부를 적절한 위치에 배치할 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 의하면, 비접촉식 안테나 부품의 단면에 있어서의 두께가 증가되고 그 소형화를 도모할 수 있다. 또한, 내성(내충격성, 내후성, 내수성 등)이 뛰어난 비접촉식 안테나 부품을 제공할 수 있다. 또한, 비접촉식 급전 안테나 부품에 있어서, 외장 수지(열가소성 수지)의 두께 방향(연직 방향) 및 면내 방향에 있어서의 안테나 부품의 위치를 제어할 수 있으며, 안테나부를 적절한 위치에 배치시킬 수 있다.
도 1a 및 도 1b는, 실시예 1에 있어서의 RFID 태그에 사용되는 리드 프레임 안테나(반도체 디바이스 실장전)의 구성도이다.
도 2a 및 도 2b는, 실시예 1에 있어서의 RFID 태그에 사용되는 리드 프레임 안테나(반도체 디바이스 실장후)의 구성도이다.
도 3a 및 도 3b는, 실시예 1에 있어서의 RFID 태그에 사용되는 리드 프레임 안테나(1차 성형후)의 구성도이다.
도 4a 및 도 4b는, 실시예 1에 있어서의 RFID 태그에 사용되는 리드 프레임 안테나(2차 성형후)의 구성도이다.
도 5a 내지 도 5e는, 실시예 1에 있어서의 리드 프레임 안테나의 2차 성형시에 사용되는 금형의 주요부의 구성도이다.
도 6a 내지 도 6f는, 실시예 1에 있어서의 리드 프레임 안테나의 2차 성형시에 사용되는 금형의 변형을 도시한 도면이다.
도 7a 및 도 7b는, 실시예 1에 있어서의 절단후의 리드 프레임 안테나(3차 성형전의 RFID 태그)의 구성도이다.
도 8a 및 도 8b는, 실시예 1에 있어서의 3차 성형후의 RFID 태그의 구성도이다.
도 9a 내지 도 9e는, 실시예 1에 있어서의 RFID 태그의 3차 성형시에 사용되는 금형의 주요부의 구성도이다.
도 10a 및 도 10b는, 실시예 2에 있어서의 RFID 태그에 사용되는 리드 프레임 안테나(2차 성형후)의 구성도이다.
도 11a 내지 도 11e는, 실시예 2에 있어서의 RFID 태그의 2차 성형시에 사용되는 금형의 주요부의 구성도이다.
도 12a 및 도 12b는, 실시예 2에 있어서의 절단후의 리드 프레임 안테나(3차 성형전의 RFID 태그)의 구성도이다.
도 13a 내지 도 13d는, 실시예 2에 있어서의 3차 성형후의 RFID 태그의 구성도이다.
도 14a 내지 도 14e는, 실시예 2에 있어서의 RFID 태그의 3차 성형시에 사용되는 금형의 주요부의 구성도이다.
도 15a 및 도 15b는, 실시예 3에 있어서의 비접촉식 급전 안테나 부품에 사용되는 리드 프레임 안테나의 구성도이다.
도 16a 및 도 16b는, 실시예 3에 있어서의 비접촉식 급전 안테나 부품에 사용되는 리드 프레임 안테나(2차 성형후)의 구성도이다.
도 17a 및 도 17b는, 실시예 3에 있어서의 절단후의 리드 프레임 안테나(3차 성형전의 비접촉식 급전 안테나 부품)의 구성도이다.
도 18a 및 도 18b는, 실시예 3에 있어서의 3차 성형후의 비접촉식 급전 안테나 부품의 구성도이다.
이하, 본 발명의 실시예에 관하여, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 각 도면에 있어서, 동일한 부재에 관하여는 동일한 참조 번호를 붙였으며, 중복되는 설명은 생략한다.
우선, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 RFID(Radio Frequency Identification) 태그에 사용되는 리드 프레임의 구성에 관하여 설명한다. 도 1은, 본 실시예에 있어서의 RFID 태그에 사용되는 (반도체 디바이스 실장 전의) 리드 프레임 10(리드 프레임 안테나)의 구성도로서, 도 1a는 평면도, 도 1b는 측면도를 도시한다.
리드 프레임 10은, 예를 들면 0.15mm의 두께를 갖는 구리 계열 또는 철 계열의 금속으로 이루어지며, 스탬핑(stamping)(프레스 가공) 또는 에칭(etching) 가공에 의하여 형성된다(리드 프레임 성형 가공). 본 실시예의 리드 프레임 10은, 기능부로서 얇은 금속편을 스탬핑 또는 에칭 가공함으로써 형성되며, 무선 통신을 수행하는 RFID 태그의 안테나로서 작용하는 안테나부 10a 및 후술하는 반도체 칩을 실장하기 위한 실장부 10b를 포함하여 구성된다. 리드 프레임 10은, 도시되지 않은 절단 공정에 의하여 개별화됨으로써 파선으로 둘러싸인 영역 120이 하나의 RFID 태그를 제조하기 위하여 사용되게 된다. 즉, 도 1a에는, 개별화 후에 3개의 RFID 태그에 사용되게 되는 리드 프레임 10의 부위가 도시되어 있다.
리드 프레임 10의 상기 영역 120에 있어서, 그 중앙부에 3개의 실장부 10b가 형성되어 있다. 또한, 각각의 실장부 10b로부터는 하나 또는 두 개의 안테나부 10a가 연장되어 있으며, 각각의 안테나부 10a는 도 1에 도시되어 있는 바와 같이 복수의 굴곡부를 포함하여 구성되어 있다. 단, 본 실시예의 안테나부 10a 및 실장부 10b는 여기서 설명하거나 도시된 개수나 형상에 한정되는 것은 아니며, 다른 개수나 형상으로 구성되어 있어도 좋다.
다음으로, 도 2를 참조하여 리드 프레임 10 상에 반도체 디바이스 30을 실장하는 공정(칩 마운트 공정)에 관하여 설명한다. 도 2는, 반도체 디바이스 실장 후의 리드 프레임 10의 구성도로서, 도 2a는 평면도, 도 2b는 측면도를 도시한다. 칩 마운트 공정에서는, 반도체 디바이스 30이 리드 프레임 10의 실장부 10b 상에 실장되며, 반도체 디바이스의 네 모서리에서 땜 납 32 등의 방법으로 리드 프레임과 접속된다.
본 실시예의 반도체 디바이스 30으로서, 바람직하게는, IC 칩(베어 칩; bare chip)을 수지 봉지한 반도체 패키지(IC 패키지)가 사용되며, 특히 면 실장형 반도체 패키지가 사용된다. 반도체 디바이스 30으로서 반도체 패키지를 사용하는 경우, 예를 들면 이하의 세 가지 이점이 있다. 즉, RFID 태그를 클린룸에서 제조할 필요가 없고, RFID 태그의 제조시에 있어서의 제조 비용이 낮아진다. 또한, 반도체 디바이스 30으로서 양품만을 선택하여 리드 프레임 10 상에 실장할 수 있다. 또한, 실장부 10b에 도금 등의 표면 처리를 수행할 필요가 없다.
단 본 실시예는 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 디바이스 30으로서 패키지화되어 있지 않은 베어 칩을 사용하여도 좋다. 베어 칩을 사용하는 경우, 플립 칩 실장 또는 와이어 본딩에 의하여 실장부 10b와의 사이에 전기적 접속을 취할 수 있다.
다음으로, 도 3을 참조하여, 리드 프레임 10의 1차 성형 공정에 관하여 설명한다. 도 3은, 1차 성형 후의 리드 프레임 10의 구성도로서, 도 3a는 평면도, 도 3b는 측면도를 도시한다. 1차 성형에서는 에폭시 수지 등의 열경화성 수지 40을 사용하여 적어도 리드 프레임 10 상에 탑재된 반도체 디바이스 30, 땜 납 32 및 실장부 10b를 수지 봉지한다(덮는다). 본 실시예에 있어서, 열경화성 수지 40에 의한 1차 성형은 포팅(potting) 성형에 의하여 수행된다. 단 이것에 한정되는 것은 아니며, 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)이나 압축 성형에 의하여 1차 성형을 수행하는 것도 가능하다.
후술하는 2차 성형에서 사용되는 열가소성 수지는 그 용융 온도가 200~300℃이며, 2차 성형시에 땜 납 32의 접합이 파괴될 가능성이 있기 때문에 융점이 높은 무연 땜 납을 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 열경화성 수지의 용융 온도는 160℃정도이기 때문에, 땜 납 32의 용융 온도에 도달하지 않는다. 이 때문에 열경화성 수지를 사용한 1차 성형을 수행함으로써, 후술하는 열가소성 수지를 사용한 수지 봉지 시(2차 성형시)에 땜 납 32가 녹는 것을 방지할 수 있다. 또한, 열가소성에 의한 수지 봉지의 경우, 열경화성 수지의 경우보다도 사출압이 높다. 이 때문에 1차 성형을 수행함으로써, 반도체 디바이스 30과 리드 프레임 10(실장부 10a)와의 사이의 접합 파괴를 방지할 수 있다. 또한, 열가소성 수지는 일반적으로 0.3mm 이하의 작은 간격에 충전되는 것이 곤란하다. 이 때문에 반도체 디바이스 30과 리드 프레임 10과의 사이의 땜 납 접합부 근방의 공동(공기 방울)이 생기기 쉽다. 이러한 공동이 존재하면, 온도 변화에 의한 공기의 팽창 및 수축에 의하여 땜 납 접합부가 파괴될 가능성이 있다. 한편, 열경화성 수지는, 예를 들면 수㎛의 작은 간격에도 충전이 가능하다.
이렇게 열경화성 수지 40을 사용한 1차 성형은, 반도체 디바이스 30과 리드 프레임 10 사이의 접합(예컨대, 땜 납 32)을 후술하는 2차 성형시에 있어서의 열 및 사출압 등으로부터 보호하기 위하여 수행된다. 또한, 본 실시예에 있어서, 1차 성형에 사용되는 열경화성 수지 40으로서는, 예를 들어 에폭시 수지가 사용되지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 페놀계 수지나 실리콘계 수지 등을 사용해도 좋다. 또한, 반도체 디바이스 30의 전체를 열경화성 수지 40으로 덮는 대신에, 반도체 디바이스 30과 리드와의 사이만을 FC 접속 및 언더필(underfill) 성형하여도 좋다. 또한 본 실시예에서는 1차 성형 수지로서 열경화성 수지가 사용되었으나, 땜 납 접속부의 신뢰성이 확보되는 경우에는 열가소성 수지를 사용하여도 좋다.
다음으로, 도 4 내지 도 6을 참조하여 리드 프레임 10의 2차 성형 공정에 관하여 설명한다. 도 4는 2차 성형 후의 리드 프레임 10의 구성도로서, 도 4a는 측면도, 도 4b는 평면도를 도시한다. 또한, 도 5는 2차 성형시에 사용되는 금형의 주요부의 구성도이다. 도 5a는 일방 금형의 단면도, 도 5b는 일방 금형의 평면도를 도시하며, 도 5b의 A-A 단면은 도 5a에 도시된 단면에 해당한다. 도 5c는 일방 금형과 타방 금형으로 리드 프레임 10을 고정하고 2차 성형(수지 봉지)을 수행한 후의 상태를 도시한다. 도 5d는 타방 금형의 평면도, 도 5e는 타방 금형의 측면도를 도시하며, 도 5d의 E-E 단면은 도 5e에 도시된 단면에 해당한다. 도 6은 2차 성형시에 사용되는 금형의 변형을 도시한 도면으로서, 도 6a 내지 도 6c는 본 실시예에 있어서의 금형을 도시하며, 도 6d 내지 도 6f는 본 실시예에 있어서의 다른 형태의 금형을 도시한다.
2차 성형은, 일방 금형 60(제1 일방 금형)과 타방 금형 70(제1 타방 금형)으로, 반도체 디바이스 30이 탑재된 리드 프레임 10(반도체 디바이스 30이 열경화성 수지 40으로 덮힌 구성을 포함하는 리드 프레임 10)을 고정하고, 열가소성 수지를 사출 성형함으로써 수행된다. 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 일방 금형 60은, RFID 태그의 패키지 외형의 적어도 일부를 형성하기 위한 외형 오목부 66을 포함한다. 또한, 일방 금형 60은, 후술하는 3차 성형 후에 완성된 RFID 태그에 있어서 리드 프레임 10의 변형과 외부 노출이 없도록 정위치(패키지 두께 방향의 소정 위치)에 배치시킬 수 있도록 하기 위한 오목부 62를 포함한다. 본 실시예에 있어서 오목부 62는 네 군데에 설치되어 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 일방 금형 60은, 타방 금형 70과의 결합(clamp)시에 리드 프레임 10의 안테나부 10a를 끼워서 고정시키기 위한 볼록부 64를 포함한다. 본 실시예에 있어서 볼록부 64는 네 군데에 설치되어 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 일방 금형 60에는, 열가소성 수지 50(제1 열가소성 수지)를 사출하기 위한 주입구(sprue) 67을 포함한다. 본 실시예에서는 열가소성 수지 50으로서 PP 수지(폴리프로필렌 수지)를 사용하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 탄성을 갖는 엘라스토머 수지 등의 다른 수지이어도 좋다.
도 5d 및 도 5e에 도시된 바와 같이, 타방 금형 70은 일방 금형 60과 마찬가지로 RFID 태그의 외형의 적어도 일부를 형성하기 위한 외형 오목부 76을 포함한다. 또한 타방 금형 70은, 후술하는 3차 성형 후에 완성된 RFID 태그에 있어서, 리드 프레임 10을 변형시키거나 외부에 노출시키는 일 없이 정위치(패키지 두께 방향의 소정 위치)에 배치시킬 수 있도록 하기 위한 오목부 72를 포함한다. 본 실시예에 있어서 오목부 72는 네 군데에 형성되어 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 실시예에 있어서, 타방 금형 70의 오목부 72는 일방 금형 60의 오목부 62와 대응되는 위치에 형성되어 있지만, 서로 다른 위치에 형성되어도 좋다.
또한, 타방 금형 70은, 일방 금형 60과의 결합시에 리드 프레임 10의 안테나부 10a를 끼워 고정시키기 위한 볼록부 74를 포함한다. 본 실시예에 있어서 볼록부 74는 네 군데에 형성되어 있으나, 이것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 각각의 볼록부 74에는, 결합시에 안테나부 10a를 끼워 고정시키기 위한 오목홈 75가 세 군데에 형성되어 있다. 오목홈 75의 개수는 안테나부 10a의 형상에 따라 그에 맞게 변경된다. 이렇게 볼록부 74 및 오목홈 75는 열가소성 수지 50의 성형시에 안테나부 10a의 위치 맞춤 및 고정(보호)을 수행하기 위한 요철부이다.
일방 금형 60의 볼록부 64(도 6a 참조)와 타방 금형 70의 볼록부 74(도 6c 참조)는 서로에 대응하는 위치에 형성되어 있다. 그리고, 도 6b에 도시된 바와 같이, 리드 프레임 10의 안테나부 10a가 타방 금형 70에 있어서의 세 군데의 오목홈 75에 끼워져 고정된 상태에서, 일방 금형 60과 타방 금형 70으로 리드 프레임을 결합시킨다. 이렇게, 안테나부 10a를 오목홈 75의 내부에 배치하여 볼록부 64 및 74로 고정함으로써 리드 프레임 10의 위치 맞춤을 수행하기 때문에, 리드 프레임 10을 성형수지압(成刑樹肢壓)으로부터 보호하면서 안정적으로 고정된 상태로 2차 성형을 수행할 수 있게 된다.
이 때문에, 오목홈 75는, 결합시에 일방 금형 60 및 타방 금형 70이 안테나부 10a에 접촉되지 않도록 리드 프레임 10(안테나부 10a)의 두께 보다도 0.1mm 정도 깊게 형성된다. 또한, 오목홈 75와 안테나부 10a와의 사이에 2차 성형에 의한 열가소성 수지 50이 흘러 들어가지 않도록 오목홈 75와 안테나부 10a와의 간격은 0.3mm 이하, 바람직하게는 0.1mm 이하로 설정된다. 이 때문에, 성형시에 수지의 흐름에 의한 안테나부의 위치 변동이 방지되어 위치 정밀도가 높은 성형이 가능하게 된다.
또한, 본 실시예에 있어서, 볼록부 64를 포함하는 일방 금형 60과 볼록부 74를 포함하는 타방 금형 70에 대신하여, 볼록부 64a를 포함하는 일방 금형 60a(도 6d 참조)과 볼록부 74a를 포함하는 타방 금형 70a(도 6f 참조)을 이용하여 2차 성형을 수행하는 것도 가능하다. 타방 금형 70a의 볼록부 74a는, 볼록부 74보다도 높게 되도록 형성되어 있으며, 볼록부 74a에는 오목홈 75보다도 깊은 오목홈 75a가 형성되어 있다. 일방 금형 60a의 볼록부 64a는 타방 금형 70a의 오목홈 75a에 대응되는 위치에 형성되어 있다. 또한, 볼록부 64a는, 오목홈 75a의 깊이보다도 안테나부 10a의 두께만큼 낮은 높이로 형성되어 있다. 도 6e에 도시된 바와 같이, 오목홈 75a의 내부에 안테나부 10a를 배치한 상태에서 일방 금형 60a와 타방 금형 70a로 리드 프레임 10을 고정시킴으로써, 볼록부 64a의 선단부와 오목홈 75a의 바닥부의 사이에 안테나부 10a가 고정된다. 이 때문에, 일방 금형 60a와 타방 금형 70a를 사용한 경우에도 리드 프레임 10을 안정적으로 고정한 상태에서 2차 성형을 수행할 수 있게 된다.
도 5c에 도시된 바와 같이, 주입구 67을 포함하는 일방 금형 60은, 리드 프레임 10의 제1면(반도체 디바이스 30의 탑재면) 12 측으로부터 리드 프레임 10을 압박한다. 타방 금형 70은, 제1면 12의 반대편인 제2면 14 측으로부터 리드 프레임 10을 압박한다. 이 때문에, 열가소성 수지 50은 리드 프레임 10의 제1면 12 측으로부터 사출 성형된다.
도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 2차 성형 후의 리드 프레임 10에서는, 반도체 디바이스 30, 안테나부 10a 및 실장부 10b가 열가소성 수지 50으로 봉지되어 있다. 이에 의하여, 반도체 디바이스 30이나 안테나부 10a의 절연성이 확보된다. 열가소성 수지 40에 의한 2차 성형후, RFID 태그를 구성하는 영역 120에 있어서, 제1면 12 및 제2면 14의 양측의 각각에 네 군데의 볼록부 52가 형성된다. 제1면 12의 볼록부 52는, 일방 금형 60의 오목부 62에 열가소성 수지 50을 충전함으로써 형성된다. 제2면 14의 볼록부 52는 타방 금형 70의 오목부 72에 열가소성 수지 50을 충전함으로써 형성된다. 볼록부 52는, 후술하는 3차 성형시에 있어서의 금형의 접촉 개소가 되며, RFID 태그의 패키지 내부에 있어서의 리드 프레임 10(안테나부 10a)을 소정의 위치에 높은 정밀도로 위치 맞춤을 할 수 있게 한다. 또한, 볼록부 52에 대신하여 반구 형상의 볼록부를 형성하여도 좋다. 이 경우, 최종 제품인 3차 성형 후의 RFID 태그에 있어서, 2차 성형에 의한 열가소성 수지(볼록부)의 노출 면적을 적게 할 수 있으며, 이 볼록부의 존재를 눈에 띄지 않게 할 수 있게 된다.
또한, 2차 성형 후의 열가소성 수지 50에는, 하나의 RFID 태그를 구성하는 영역 120에 있어서 네 군데의 관통 구멍 54가 형성되어 있다. 관통 구멍 54는, 2차 성형시에 안테나부 10a의 위치 맞춤 및 고정을 수행하기 위하여, 또한 안테나부 10a의 변형을 방지하기 위하여, 일방 금형 60의 볼록부 64와 타방 금형 70의 볼록부 74의 대응 개소에 형성된다. 2차 성형시에 관통 구멍 54에는 수지가 충전되지 않기 때문에, 관통 구멍 54에는 안테나부 10a의 일부가 노출되어 있다. 관통 구멍 54는 열가소성 수지 50의 사출 성형시에 안테나부 10a의 위치 맞춤을 수행하기 위한 부위로서, 후술하는 3차 성형에 의하여 열가소성 수지 56에 의하여 충전된다.
이어서, 2차 성형 후의 리드 프레임 10은, 도 7에 도시된 바와 같이, 절단되어 개별화된다. 도 7은 절단 후의 리드 프레임의 구성도(3차 성형 전의 RFID 태그 구성도)로서, 도 7a는 측면도, 도 7b는 평면도이다. 2차 성형 후의 리드 프레임 10은, 도 4b에 도시된 연결 리드부 16에서 절단되어 개별화된다. 이 상태에서 연결 리드부 16 및 관통 구멍 54의 안테나부 10a만이 노출되어 있으며, 그 이외의 구성 요소는 열가소성 수지 50에 의하여 덮여 있다. 2차 성형 후의 열가소성 수지 50은, 측면에서의 외면을 구성하는 볼록부 55a 내지 55f를 포함하고 있다. 볼록부 55a 내지 55f는 후술하는 3차 성형시의 면내(面內) 방향에 있어서의 위치 맞춤의 기준이 되며, RFID 태그 패키지 외형(패키지 면)을 구성한다.
다음으로, 도 8 및 도 9를 참조하여, RFID 태그의 3차 성형 공정에 관하여 설명한다. 도 8은, 3차 성형후의 RFID 태그의 구성도로서, 도 8a는 측면도를, 도 8b는 평면도를 도시한다. 또한, 도 9는, 3차 성형시에 사용되는 금형의 주요부의 구성도이다. 도 9a는 일방 금형의 단면도를, 도 9b는 일방 금형의 평면도를 도시하며, 도 9a의 단면은 도 9b의 A-A 단면에 해당한다. 도 9c는 일방 금형과 타방 금형으로 2차 성형 후의 RFID 태그를 고정하고, 3차 성형(수지 봉지)을 수행한 후의 상태를 도시한다. 도 9d는 타방 금형의 평면도를, 도 9e는 타방 금형의 측면도를 도시하며, 도 9e의 단면도는 도 9d의 E-E 단면에 해당한다.
3차 성형은 일방 금형 80(제2 일방 금형)과 타방 금형 90(제2 타방 금형)으로 2차 성형 후의 RFID 태그를 고정하고, 열가소성 수지를 사출 성형함으로써 수행된다. 도 9a 및 도 9b에 도시된 바와 같이, 일방 금형 80은 RFID 태그의 패키지 외형을 형성하기 위한 외형 오목부 86을 포함한다.
도 9d 및 도 9e에 도시된 바와 같이 타방 금형 90은 일방 금형 80과 마찬가지로 RFID 태그의 패키지 외형을 형성하기 위한 외형 오목부 96을 포함한다. 또한, 도 9b 및 도 9d의 평면도에는 2차 성형 후의 RFID 태그의 구조를 파선으로 도시하여 이해를 돕고 있다.
도 9c에 도시된 바와 같이, 일방 금형 80은 2차 성형 후의 RFID 태그의 제1면(반도체 디바이스 30의 탑재면) 22 측으로부터 RFID 태그를 압박한다. 타방 금형 90은, 제1면 22의 반대편인 제2면 24 측으로부터 RFID 태그를 압박한다. 본 실시예에 있어서의 3차 성형은, 열가소성 수지 56(제2 열가소성 수지)를 사출 성형함으로써 수행된다. 열가소성 수지 56은, 2차 성형에 의하여 성형된 열가소성 수지 50의 볼록부 52 및 55a 내지 55f를 기준 위치로 하여, 리드 프레임(열가소성 수지 50)의 양면에 사출 성형된다. 즉, 열가소성 수지 56은 RFID 태그의 연직(鉛直) 방향으로는 볼록부 52의 위치를 기준으로 하여 성형되며, 면내(面內) 방향으로는 볼록부 55a 내지 55f를 기준 위치로 하여 성형된다.
본 실시예의 3차 성형시에 있어서, 일방 금형 80의 외형 오목부 86의 주요면(바닥면)은, 열가소성 수지 50으로 성형된 제1면 22의 볼록부 52에 접촉된다. 이에 의하여, 3차 성형시에 있어서 RFID 태그의 법선 방향(상하 방향)에 있어서의 안테나부 10a의 위치는 2차 성형에서 양면에 형성된 볼록부 52에 의하여 결정된다. 또한, 일방 금형 80의 외형 오목부 86의 측면 및 타방 금형 90의 외형 오목부 96의 측면은, 열가소성 수지 50으로 성형된 볼록부 55a 내지 55f에 접촉된다. 이에 의하여, 3차 성형시에 있어서 RFID 태그의 면내 방향(종횡 방향)에 있어서의 안테나부의 위치는 2차 성형에서 형성된 볼록부 55a 내지 55f에 의하여 결정된다. 이렇게 본 실시예의 3차 성형에서는, 2차 성형에 의하여 형성된 볼록부 52 및 볼록부 55a 내지 55f을 연직 방향 및 면내 방향에 있어서의 위치 맞춤의 기준으로 삼을 수 있다. 또한, 노출되어 있는 연결 리드부(리드 절단부) 16도 열가소성수지 56에 의하여 덮힌다. 이 때문에, 본 실시예의 구성에 의하면, 리드 프레임 10(안테나부 10a)의 외부 노출을 확실히 방지하는 수지 봉지를 수행할 수 있다. 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 최종 제품인 3차 성형 후의 RFID 태그의 패키지 외면은, 열가소성 수지 50 및 열가소성 수지 56에 의하여 구성된다.
3차 성형시의 열가소성 수지 56은 2차 성형시의 열가소성 수지 50과 동일한 종류의 수지를 사용할 수 있다. 이에 의하여, RFID 태그의 패키지를 구성하는 두 개의 열가소성 수지 50 및 56의 경계를 눈에 띄지 않도록 할 수 있다. 단, 본 실시예는 이에 한정되는 것은 아니며, 서로 다른 종류의 수지를 사용하여도 좋다. 예를 들면, 열가소성 수지 50 및 56의 유전율을 변화시킬 필요가 있는 경우 등에 유효하다.
이러한 3차 성형(사출 성형)에 의하여 열가소성 수지 56이 일방 금형 80의 외형 오목부 86 및 타방 금형 90의 외형 오목부 96의 내부에 충전된다. 3차 성형이 종료되면, 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같은 표면에 리드 프레임이 노출되지 않은 RFID 태그가 완성된다.
수지 봉지된 안테나부 10a는 RFID 태그의 패키지(열가소성 수지 50 및 56)의 두께 방향에 있어서의 위치에 대응하여, 그 성능(통신 가능한 거리)이 달라지지만, 본 실시예의 구성에 의하면 패키지의 두께 방향에 있어서의 안테나부의 위치를 확실히 제어할 수 있기 때문에, 고성능의 RFID 태그를 제공할 수 있다. 또한, 안테나의 위치를 임의로 설정할 수 있기 때문에, 2차 성형에서 형성된 볼록부의 높이를 변경함으로써, 안테나부를 RFID 태그의 패키지의 두께 방향에 있어서의 임의의 위치에 배치할 수 있다. 또한, 도 8에 도시된 RFID 태그는, 식별 대상물에 양면 테이프 등으로 접착함으로써 식별 사용이 가능하게 된다.
다음으로, 본 발명의 실시예 2에 있어서의 RFID 태그의 구성 및 그 제조 방법에 관하여 설명한다. 본 실시예에 있어서, 2차 성형 전의 리드 프레임 10(리드 프레임 안테나)의 구성 및 그 제조 방법은 실시예 1과 같으므로, 이에 관한 설명은 생략한다.
우선, 도 10 및 도 11을 참조하여, 리드 프레임 10의 2차 성형 공정에 관하여 설명한다. 도 10은, 2차 성형 후의 리드 프레임 10의 구성도로서, 도 10a는 측면도이며, 도 10b는 평면도이다. 또한, 도 11은 2차 성형시에 사용되는 금형의 주요부의 구성도이다. 도 11a는 일방 금형의 단면도이며, 도 11b는 일방 금형의 평면도이고, 도 11a의 단면도는 도 11b에 있어서의 A-A 선의 단면에 해당한다. 도 11c는 일방 금형과 타방 금형으로 리드 프레임 10을 고정하고, 2차 성형(수지 봉지)를 수행한 후의 상태를 도시한다. 도 11d는 타방 금형의 평면도이고, 도 11e는 타방 금형을 도시하며, 도 11e의 단면도는 도 11d에 있어서의 E-E 선의 단면에 해당한다.
본 실시예의 2차 성형은, 일방 금형 60a(제1 일방 금형)과 타방 금형 70a(제1 타방 금형)으로 반도체 디바이스 30이 탑재된 리드 프레임 10을 고정하고, 열가소성 수지를 사출 성형함으로써 수행된다. 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이, 일방 금형 60a는 RFID 태그의 패키지 외형의 적어도 일부를 형성하기 위한 외형 오목부 66a를 포함한다. 본 실시예의 외형 오목부 66a는, 도 11b와 같이 평면으로부터 본 경우 정사각형 또는 직사각형을 띤다. 또한 일방 금형 60a은, 타방 금형 70a와의 사이에 리드 프레임 10이 고정된 때에, 리드 프레임 10의 안테나부 10a를 끼워 고정하기 위한 볼록부 64a를 포함한다. 본 실시예에 있어서 볼록부 64a는 네 군데에 형성되어 있으나, 여기에 한정되는 것은 아니다. 또한, 일방 금형 60a에는 열가소성 수지 50a(제1 열가소성 수지)를 사출하기 위한 주입구 67a가 형성되어 있다. 단, 본 실시예의 일방 금형 60a는 리드 프레임 10을 특정 위치(패키지의 두께 방향의 소정 위치)에 배치시키기 위한 (실시예 1의 오목부 62에 해당하는) 오목부를 포함하지 않는다.
도 11d 및 도 11e에 도시된 바와 같이, 타방 금형 70a는 일방 금형 60a와 마찬가지로 RFID 태그의 외형의 적어도 일부를 형성하기 위한 외형 오목부 76a(평면으로부터 본 경우 정사각형 또는 직사각형)를 포함한다. 또한, 타방 금형 70a는 일방 금형 60a와 함께 결합될 때에 리드 프레임 10의 안테나부 10a를 끼워 고정하기 위한 볼록부 74a를 포함한다. 본 실시예에 있어서 볼록부 74a는 네 군데에 형성되어 있으나, 여기에 한정되는 것은 아니다. 또한, 각각의 볼록부 74a에는 결합시에 안테나부 10a에 끼워 고정하기 위한 오목홈 75a가 세 군데 형성되어 있다. 오목홈 75a의 개수는 안테나부 10a의 형상에 대응하여 적절히 변경된다. 단, 본 실시예의 타방 금형 70a는 리드 프레임 10을 특정 위치(패키지 두께 방향의 소정의 위치)에 배치시키기 위하여 (실시예 1의 오목부 72에 해당하는) 오목부를 포함하지 않는다.
도 11c에 도시된 바와 같이, 주입구 67a가 형성된 일방 금형 60a는 리드 프레임 10의 제1면(반도체 디바이스 30의 탑재면) 12 측으로부터 리드 프레임 10을 압박한다. 타방 금형 70a는 제1면 12의 반대편인 제2면 14 측으로부터 리드 프레임 10을 압박한다. 이 때문에, 열가소성 수지 50a는 리드 프레임 10의 제1면(12)측으로부터 사출 성형된다.
도 10a 및 도 10b에 도시된 바와 같이, 2차 성형 후의 리드 프레임 10에는, 반도체 디바이스 30, 안테나부 10a 및 실장부 10b가 열가소성 수지 50a로 봉지되어 있다. 또한, 본 실시예에서는, 2차 성형 후의 열가소성 수지 50a에는 볼록부가 형성되어 있지 않고 관통 구멍 54a가 형성되어 있다는 점 이외에는 평면 형상으로 구성되어 있다. 또한, 열가소성 수지 50a의 측면에 있어서도, 실시예 1과 같은 볼록부 55a 내지 55f에 해당하는 볼록부가 형성되어 있지 않고 평면 형상으로 되어 있다.
이어서, 2차 성형 후의 리드 프레임 10은, 도 12에 도시된 바와 같이 절단되어 개별화된다. 도 12는 절단 후의 리드 프레임의 구성도(3차 성형 전의 RFID 태그의 구성도)로서, 도 12a는 측면도이고, 도 12b는 평면도이다. 2차 성형 후의 리드 프레임 10은, 도 10b에 도시된 연결 리드부 16에서 절단되어 개별화된다. 이 상태에서 연결 리드부 16 및 관통 구멍 54a의 안테나부 10a만이 노출되어 있으며, 그 이외의 구성 요소는 열가소성 수지 50a에 의하여 덮여 있다.
다음으로, 도 13 및 도 14를 참조하여, RFID 태그의 3차 성형 공정에 관하여 설명한다. 도 13은, 3차 성형 후의 RFID 태그의 구성도로서, 도 13a는 측면도, 도 13b는 도 13d의 B-B 선의 단면도, 도 13c는 도 13d의 C-C 선의 단면도, 도 13d는 평면도이다. 또한 도 14는 3차 성형시에 사용되는 금형의 주요부의 구성도이다. 도 14a는 일방 금형의 단면도이고, 도 14b는 일방 금형의 평면도이며, 도 14a의 단면도는 도 14b의 A-A선의 단면에 해당한다. 도 14c는 일방 금형과 타방 금형으로 2차 성형 후의 RFID 태그를 고정하고 3차 성형(수지 봉지)를 수행한 후의 상태를 도시한다. 도 14d는 타방 금형의 평면도이고, 도 14e는 타방 금형의 단면도를 도시하며, 도 14e의 단면도는 도 14d의 E-E 선의 단면에 해당한다.
본 실시예의 3차 성형은, 일방 금형 80a(제2 일방 금형)과 타방 금형 90a(제2 타방 금형)으로 2차 성형 후의 RFID 태그를 고정하고 열가소성 수지를 사출 성형함으로써 수행된다. 도 14a 및 도 14b에 도시된 바와 같이, 일방 금형 80a는 RFID 태그의 패키지 외형을 형성하기 위한 외형 오목부 86a를 포함한다. 또한, 일방 금형 80a는 3차 성형시에 있어서의 안테나부 10a의 연직 바향의 위치 맞춤을 수행하기 위한 볼록부 88이 네 군데에 형성되어 있다. 또한, 일방 금형 80a는 3차 성형시에 있어서의 안테나부 10a의 면내 방향의 위치 맞춤을 수행하기 위한 볼록부 89 및 89a가 2차 성형 후의 RFID 태그(영역 150)의 네 측면의 각각의 중앙에 접촉되도록 형성되어 있다.
도 14d 및 도 14e에 도시된 바와 같이, 타방 금형 90a는 일방 금형 80a와 마찬가지로, RFID 태그의 패키지 외형을 형성하기 위한 외형 오목부 96a를 포함한다. 또한 타방 금형 90a는 3차 성형시에 있어서의 안테나부 10a의 연직 방향의 위치 맞춤을 수행하기 위한 볼록부 98이 네 군데에 형성되어 있다. 볼록부 98는 볼록부 88에 대응되는 위치(연직 방향으로부터 보아 겹치는 위치)에 형성되어 있는 것이 바람직하지만, 서로 다른 위치에 형성되어도 좋다. 또한, 타방 금형 90a는 3차 성형시에 있어서의 안테나부 10a의 면내 방향의 위치 맞춤을 수행하기 위한 볼록부 99 및 99a가, 2차 성형 후의 RFID 태그(영역 150)의 네 측면의 각각의 중앙부에 접촉하도록 형성되어 있다. 도 14c에 도시된 바와 같이, 일방 금형 80a와 타방 금형 90a가 상호 결합될 때에는, 볼록부 89와 볼록부 99 및 볼록부 89a와 볼록부 99a가 서로 접촉된 상태에서 RFID 태그의 면내 방향에서의 위치 맞춤이 수행되어 확실히 고정된다. 또한, 도 14b 및 도 14d의 평면도에는 2차 성형 후의 RFID 태그의 외형(영역 150) 및 그 참조 구성이 파선으로 도시되어 있다.
일방 금형 80a와 타방 금형 90a를 사용하여 3차 성형을 수행하면, 도 13a 내지 도 13d에 도시된 RFID 태그가 형성된다. 3차 성형은 열가소성 수지 56a(제2 열가소성 수지)를 사출 성형함으로써 수행된다. 3차 성형 후의 RFID 태그는 제1면 22 및 제2면 24의 양면의 각각에 네 군데의 오목부 58이 형성되어 있다. 오목부 58은 일방 금형 80a의 볼록부 88 및 타방 금형 90a의 볼록부 98에 의하여 3차 성형시에 있어서의 안테나부 10a의 연직 방향의 위치 맞춤을 수행할 때에 형성된 것이다.
또한, 3차 성형 후의 RFID 태그에는 일방 금형 80a의 볼록부 89a 및 타방 금형 90a의 볼록부 99a로 형성된 오목부 59a가 서로 대변인 두 측면의 중앙부에 형성되어 있다. 또한 일방 금형 80a의 볼록부 89 및 타방 금형 90a의 볼록부 99로 형성된 관통 구멍 59가, 오목부 59a가 형성된 측면과는 다른 두 측면의 중앙 근방에 형성되어 있다. 오목부 59a 및 관통 구멍 59는 3차 성형시에 있어서의 안테나부 10a의 면내 방향의 위치 맞춤을 수행할 때에 형성된 것이다.
이렇게 열가소성 수지 56a는, 열가소성 수지 50a의 외면(주면 및 측면)을 기준 위치로 하여 리드 프레임(열가소성 수지 50a)의 양면에 사출 성형됨으로써 형성된 오목부 58, 59a 및 관통 구멍 59를 포함한다. 즉, 오목부 58에 의하여 RFID 태그의 주면의 연직 방향에 있어서의 위치 맞춤이 수행되며, 오목부 59a 및 관통 구멍 59에 의하여 면내 방향에 있어서의 위치 맞춤이 수행된다. 본 실시예의 구성에 의하여도 안테나부를 확실히 위치 맞춤할 수 있으므로, 고성능의 RFID를 제공할 수 있다.
상기한 바와 같이, 실시예 1 및 2의 RFID 태그에서는 리드 프레임 10을 이용하여 안테나부 10a가 형성된다. 이 때문에, 안테나의 단면에 있어서의 두께가 증가하고, 안테나의 소형화를 도모할 수 있다. 또한 반도체 디바이스 30은 열경화성 수지 40으로 덮이기 때문에, 반도체 디바이스 30을 효과적으로 보호할 수 있다. 또한, RFID 태그는 열가소성 수지 50 및 56(열가소성 수지 50a 및 56a)를 사용하여 외장(外裝)되어 있다. 이 때문에 내성(내충격성, 내후성, 내수성)에서 뛰어난 RFID 태그를 제공할 수 있다. 또한 상기 각 실시예의 RFID 태그의 제조 방법에 의하면 외장 수지(열가소성 수지 50 및 56과, 열가소성 수지 50a 및 56a)의 두께 방향(연직 방향) 및 면내 방향에 있어서의 안테나부의 위치를 제어할 수 있어 안테나부를 적절한 위치에 배치할 수 있게 된다.
다음으로, 본 발명의 실시예 3에 있어서의 비접촉식 급전 안테나 부품의 구성 및 그 제조 방법에 관하여 설명한다. 본 실시예의 비접촉식 급전 안테나 부품은, 기전력을 발생시키는 비접촉식 급전 안테나 부품으로서, 비접점 충전기 등에 이용된다.
본 실시예의 비접촉식 급전 안테나 부품에는, 실시예 1 또는 2의 RFID 태그와 같은 반도체 디바이스는 탑재되지 않는다. 이 때문에, 본 실시예에서는, 실시예 1 또는 2에서 설명된 1차 성형은 실행되지 않으며, 안테나를 보호함과 함께 안테나의 위치 제어를 수행하기 위한 2차 성형 및 최종 제품인 비접촉식 급전 안테나 부품의 외형을 결정하기 위한 3차 성형만이 실행된다.
먼저 도 15를 참조하여 본 실시예에 있어서의 비접촉식 급전 안테나 부품에 사용되는 리드 프레임(리드 프레임 안테나)의 구성에 관하여 설명한다. 도 15는 본 실시예에 있어서의 비접촉식 급전 안테나 부품에 사용되는 리드 프레임 100의 구성도로서, 도 15a는 평면도이고, 도 15b는 측면도이다. 리드 프레임 100은 실시예 1 또는 2의 리드 프레임 10과 마찬가지로 예를 들면 0.15mm의 두께를 갖는 구리계열 또는 철계열의 금속으로서 스탬핑(stamping)(프레스 가공) 또는 에칭 가공에 의하여 형성된다. 또한 리드 프레임 100은 비접촉식 급전 안테나로서 기능하는 안테나부 100a를 포함하여 구성된다. 단, 본 실시예의 안테나부 100a는 도 15a에 도시된 바와 같은 형상에 한정되는 것은 아니며, 다른 형상에 의하여 구성된 것이어도 좋다.
리드 프레임 100은, 도시되지 않은 절단 공정에 의하여 개별화됨으로써 파선으로 둘러싸인 영영 220이 하나의 비접촉식 급전 안테나 부품을 제조하기 위하여 사용된다. 즉, 도 15a에는 개별화 후에 3개의 비접촉식 급전 안테나 부품으로 사용되는 리드 프레임 100의 부분이 도시되어 있다.
다음으로, 도 16을 참조하여 리드 프레임 100의 2차 성형 공정에 관하여 설명한다. 도 16은 2차 성형 후의 리드 프레임 100의 구성도로서, 도 16a는 측면도이고 도 16b는 평면도이다. 본 실시예의 2차 성형은 실시예 2와 마찬가지로 제1 일방 금형 및 제1 타방 금형(도시되지 않음)으로 리드 프레임 100을 고정하고, 열가소성 수지를 사출 성형함으로써 수행된다.
제1 일방 금형 및 제1 타방 금형은 비접촉식 급전 안테나 부품의 패키지 외형의 적어도 일부를 형성하기 위한 외형 오목부를 포함한다. 또한 이들의 금형은 리드 프레임 100을 고정할 때에 리드 프레임 100의 안테나부 100a를 끼워 고정하기 위한 오목부를 포함한다. 제1 일방 금형 및 제1 타방 금형의 볼록부의 적어도 어느 한쪽에는 고정 시에 안테나부 100a에 끼워 고정하기 위한 오목홈이 형성되어 있다. 오목홈의 개수는 안테나부 100a의 형상에 따라 적절히 변경된다.
일방 금형은 리드 프레임 100의 제1면 320 측으로부터 리드 프레임 100을 압박한다. 타방 금형은 제1면 320의 반대편인 제2면 340 측으로부터 리드 프레임 100을 압박한다. 이렇게 리드 프레임 100을 고정하여 리드 프레임 100에 대하여 열가소성 수지 500(제1 열가소성 수지)를 사출 성형한다.
도 16a 및 도 16b에 도시된 바와 같이, 2차 성형 후의 리드 프레임 100에서는 안테나부 100a가 열가소성 수지 500으로 봉지되어 있다. 또한 본 실시예에서는 2차 성형 후의 열가소성 수지 500은 평면 형상으로서, 소정의 위치에 있어서 관통 구멍 540이 형성되어 있다. 관통 구멍 540은, 금형에 의하여 고정될 때(2차 성형시)에 안테나부 100a가 변형되는 것을 방지하기 위하여 금형의 볼록부(오목홈이 형성된 볼록부)로 안테나부 100a를 누름으로써 형성된 것이다.
이어서, 2차 성형 후의 리드 프레임 100은 도 17에 도시된 바와 같이 절단되어 개별화된다. 도 17은, 절단 후의 리드 프레임의 구성도(3차 성형 전의 비접촉식 급전 안테나 부품의 구성도)로서 도 17a는 평면도이고 도 17b는 평면도이다. 2차 성형 후의 리드 프레임 100은 도 17b에 도시된 바와 같이 네 군데의 연결 리드부 160에서 절단되어 개별화된다. 이 상태에서 연결 리드부 160 및 관통 구멍 540의 안테나 부품 100a만이 노출되어 있으며, 그 이외의 구성 요소는 열가소성 수지 500에 의하여 덮여 있다.
다음으로, 도 18을 참조하여, 비접촉실 급전 안테나 부품의 3차 성형 공정에 관하여 설명한다. 도 18은 3차 성형 후의 비접촉식 급전 안테나 부품의 구성도로서, 도 18a는 측면도이고 도 18b는 평면도이다. 본 실시예의 3차 성형은 제2 일방 금형과 제2 타방 금형(도시되지 않음)으로 2차 성형 후의 비접촉식 급전 안테나 부품을 고정하고 열가소성 수지 560(제2 열가소성 수지)를 사출 성형함으로써 수행된다.
제2 일방 금형 및 제2 타방 금형은 비접촉식 급전 안테나 부품의 패키지 외형을 형성하기 위한 외형 오목부를 포함한다. 또한 이들의 금형은 3차 성형시에 있어서의 안테나부 100a의 연직 방향의 위치 맞춤을 수행하기 위한 볼록부가 두 군데에 형성되어 있다. 또한, 이들 금형은 3차 성형시에 있어서의 안테나부 100a의 면내 방향의 위치 맞춤을 수행하기 위한 볼록부가, 2차 성형 후의 비접촉식 급전 안테나 부품의 네 측면의 각각의 중앙부에 접촉되도록 형성된다. 이 때문에 결합시에 각각의 볼록부가 서로 접촉된 상태에서 비접촉식 급전 안테나 부품의 면내 방향으로의 위치 맞춤이 수행되어 확실히 고정된다.
3차 성형은 열가소성 수지 560(제2 열가소성 수지)를 사출 성형함으로써 수행된다. 도 18a 및 도 18b에 도시된 바와 같이, 3차 성형 후의 비접촉식 급전 안테나 부품은 제1면 420 및 제2면 440의 양면의 각각에 두 군데의 오목부 580을 포함한다. 오목부 580은, 제2 일방 금형 및 제2 타방 금형의 각각에 두 군데씩 형성된 볼록부에 의하여 3차 성형시에 있어서의 안테나부 100a의 연직 방향의 위치 맞춤을 수행할 때에 형성된 것이다.
또한 3차 성형 후의 비접촉식 급전 안테나 부품에는 제2 일방 금형 및 제2 타방 금형의 각각에 네 군데씩 형성된 볼록부에 의하여 2 개의 관통 구멍 590 및 2 개의 오목부 590a가 형성되어 있다. 관통 구멍 590 및 오목부 590a는 3차 성형시에 있어서의 안테나부 100a의 면내 방향의 위치 맞춤을 수행할 때에 형성된 것이다.
이에 의하여, 열가소성 수지 560은 열가소성 수지 500의 외면(주면 및 측면)을 기준 위치로 하여 리드 프레임(열가소성 수지 500)의 양면에 사출 성형됨으로써 형성된 오목부 580, 590a 및 관통 구멍 590을 포함한다. 즉, 오목부 580에 의하여 비접촉식 급전 안테나 부품의 주면의 연직 방향에 있어서의 위치 맞춤이 수행되며, 관통 구멍 590 및 오목부 590a에 의하여 면내 방향에 있어서의 위치 맞춤이 수행된다. 본 실시예의 구성에 의하면, 안테나부를 확실히 위치 맞춤할 수 있기 때문에 고성능의 비접촉식 급전 안테나 부품을 제공할 수 있게 된다.
또한 본 실시예의 비접촉식 급전 안테나 부품에는, 관통 구멍 550이 형성되어 있다. 관통 구멍 550에 의하여 안테나부 100a를 접속하기 위한 노출부 170a가 형성된다. 또한 하나의 연결 리드부 160도 안테나 접속용의 노출부 170b를 형성한다. 단, 본 실시예는 여기에 한정되는 것은 아니며, 노출부 170a와 170b 중의 l적어도 어느 한쪽만을 노출시키도록 형성하여도 좋다. 또한, 노출부 170a를 노출부 170b와 마찬가지로 비접촉 급전 안테나 부품의 외측에 노출시켜도 좋다.
또한 본 실시예의 2차 성형 및 3차 성형에서 사용된 금형은 실시예 2의 금형과 동등한 특징을 갖는 금형이지만, 여기에 한정되는 것은 아니며, 본 실시예의 비접촉식 급전 안테나 부품은 실시예 1의 금형과 동등한 특징을 갖는 금형을 사용하여 제조할 수도 있다.
상기한 바와 같이, 본 실시예의 비접촉식 급전 안테나 부품에서는 리드 프레임 100을 사용하여 안테나부 100a가 형성된다. 이 때문에, 안테나의 단면에 있어서의 두께가 증가되고 안테나의 소형화를 도모할 수 있다. 또한 비접촉식 급전 안테나 부품은 열가소성 수지 500 및 560을 이용하여 외장되어 있다. 이 때문에 내성(내충격성, 내후성, 내수성 등)이 뛰어난 비접촉식 안테나 부품을 제공할 수 있다. 또한, 본 실시예의 비접촉식 급전 안테나 부품의 제조 방법에 의하면, 외장 수지(열가소성 수지 500 및 560)의 두께 방향(연직 방향) 및 면내 방향에 있어서의 안테나 부품의 위치를 제어할 수 있으며, 안테나부를 적절한 위치에 배치시킬 수 있다.
상기 각 실시예에 의하면, 안테나부의 변형이나 외부 노출을 방지하여 안테나부를 특정 위치에 수지 봉지함으로써 고성능의 RFID 태그, 비접촉식 안테나 부품 및 이들의 제조 방법, 그리고 그러한 RFID 태그 또는 비접촉식 급전 안테나 부품을 제조하기 위하여 사용되는 금형을 제공할 수 있다.
이상 본 발명의 실시예에 관하여 구체적으로 설명하였다. 단, 본 발명은 상기 실시예로서 기재된 사항에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 않는 범위 내에서 적절한 변경이 가능하다.
예를 들면, 실시예 1 또는 실시예 2의 RFID 태그에 있어서, 반도체 디바이스는 열경화성 수지로 덮여 있으나, 여기에 한정되는 것은 아니며, 반도체 디바이스를 열가소성 수지(제1 열가소성 수지)로 직접 덮어도 좋다. 이렇게 실시예 1 또는 실시예 2에서는, 열경화성 수지를 사용하지 않고 열가소성 수지(제1 열가소성 수지 및 제2 열가소성 수지)만을 사용하여 RFID 태그를 구성할 수도 있다. 이 경우, 제1 열가소성 수지는 1차 성형 공정에서 성형되며, 제2 열가소성 수지는 2차 성형 공정에서 성형된다.
또한, 실시예 1에서는 제1 열가소성 수지에 의한 성형으로 RFID 측이 볼록부로 되며, 실시예 2에서는 제1 열가소성 수지에 의한 성형으로 RFID가 오목부가 되어 있지만, 제1 열가소성 수지에 의한 성형은 RFID 측에 요철부를 조합시켜도 좋고, 제2 열가소성 수지의 기준이 제1 열가소성 수지에 의하여 성형되면 좋다.
본 발명에 의하면, 안테나부의 변형이나 외부 노출을 방지하여 안테나부를 특정 위치에 수지 봉지함으로써 고성능의 RFID 태그, 비접촉식 안테나 부품 및 이들의 제조 방법, 그리고 그러한 RFID 태그 또는 비접촉식 급전 안테나 부품을 제조하기 위하여 사용되는 금형을 제공할 수 있다.
10: 리드 프레임, 10a: 안테나부, 10b: 실장부, 30: 반도체 디바이스, 32: 땜 납, 40: 열경화성 수지, 50: 열가소성 수지, 60: 일방 금형, 62: 오목부, 64: 볼록부, 67: 주입구(sprue), 70: 타방 금형, 72: 오목부, 74: 볼록부, 75: 오목홈. 76: 외형 오목부

Claims (20)

  1. 무선 통신을 수행하는 RFID 태그에 있어서,
    리드 프레임에 형성된 안테나부와,
    상기 리드 프레임 상에 탑재된 반도체 디바이스와,
    상기 리드 프레임의 양면에 사출 성형되어 상기 반도체 디바이스를 덮으며 볼록부를 포함하는 제1 열가소성 수지와,
    상기 제1 열가소성 수지의 상기 볼록부를 기준 위치로 하여 상기 리드 프레임의 양면에 사출 성형된 제2 열가소성 수지
    를 포함하는 RFID 태그.
  2. 무선 통신을 수행하는 RFID 태그에 있어서,
    리드 프레임에 형성된 안테나부와,
    상기 리드 프레임 상에 탑재된 반도체 디바이스와,
    상기 리드 프레임의 양면에 사출 성형되어 상기 반도체 디바이스를 덮는 제1 열가소성 수지와,
    상기 제1 열가소성 수지의 외면을 기준 위치로 하여 상기 리드 프레임의 양면에 사출 성형됨으로써 형성되는 오목부를 포함하는 제2 열가소성 수지
    를 포함하는 RFID 태그.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 열가소성 수지에는 당해 제1 열가소성 수지의 사출 성형시에 상기 안테나부의 위치 맞춤을 수행하기 위한 부위가 형성되어 있으며,
    상기 위치 맞춤을 수행하기 위한 부위는 상기 제2 열가소성 수지에 의하여 충전되어 있는 RFID 태그.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 RFID 태그의 패키지 외면은, 상기 제1 열가소성 수지 및 상기 제2 열가소성 수지에 의하여 형성되는 RFID 태그.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 반도체 디바이스는 베어 칩(bare chip) 또는 베어 칩을 수지 봉지하여 형성된 반도체 패키지로서,
    땜 납에 의하여 상기 리드 프레임의 실장부에 접속되며,
    열경화성 수지에 의하여 덮여 있는 RFID 태그.
  6. 기전력을 발생시키는 비접촉식 급전 안테나 부품에 있어서,
    리드 프레임에 형성된 안테나부와,
    상기 리드 프레임의 양면에 사출 성형되며 볼록부를 포함하는 제1 열가소성 수지와,
    상기 제1 열가소성 수지의 상기 볼록부를 기준 위치로 하여 상기 리드 프레임의 양면에 사출 성형된 제2 열가소성 수지
    를 포함하는 비접촉식 급전 안테나 부품.
  7. 기전력을 발생시키는 비접촉식 급전 안테나 부품에 있어서,
    리드 프레임에 형성된 안테나부와,
    상기 리드 프레임의 양면에 사출 성형된 제1 열가소성 수지와,
    상기 제1 열가소성 수지의 외면을 기준 위치로 하여 상기 리드 프레임의 양면에 사출 성형됨으로써 형성되는 오목부를 포함하는 제2 열가소성 수지
    를 포함하는 비접촉식 급전 안테나 부품.
  8. 무선 통신을 수행하는 RFID 태그의 제조 방법에 있어서,
    리드 프레임에 안테나부를 형성하는 공정과,
    상기 리드 프레임 상에 반도체 디바이스를 탑재하는 공정과,
    제1 열가소성 수지를 사출 성형하고 상기 반도체 디바이스를 덮어 상기 리드 프레임의 양면에 볼록부를 형성하는 1차 성형 공정과,
    상기 제1 열가소성 수지의 상기 볼록부의 위치를 기준으로 하여 상기 리드 프레임의 양면에 제2 열가소성 수지를 사출 성형하는 2차 성형 공정
    을 포함하는 RFID 태그의 제조 방법.
  9. 무선 통신을 수행하는 RFID 태그의 제조 방법에 있어서,
    리드 프레임에 안테나부를 형성하는 공정과,
    상기 리드 프레임 상에 반도체 디바이스를 탑재하는 공정과,
    제1 열가소성 수지를 사출 성형하여 상기 반도체 디바이스를 덮는 1차 성형 공정과,
    상기 제1 열가소성 수지의 외면의 위치를 기준으로 하여 상기 리드 프레임의 양면에 오목부를 포함하는 제2 열가소성 수지를 사출 성형하는 2차 성형 공정
    을 포함하는 RFID 태그의 제조 방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 1차 성형 공정은, 상기 제1 열가소성 수지의 사출 성형시에 상기 안테나부의 위치 맞춤 및 고정을 수행하기 위한 관통 구멍을 형성하고,
    상기 2차 성형 공정은, 상기 관통 구멍을 상기 제2 열가소성 수지에 의하여 충전하는
    RFID 태그의 제조 방법.
  11. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 제2차 성형 공정은, 상기 제1 열가소성 수지 및 상기 제2 열가소성 수지에 의하여 상기 RFID 태그의 패키지 외면을 형성하는 RFID 태그의 제조 방법.
  12. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 반도체 디바이스는, 베어 칩(bare chip) 또는 베어 칩을 수지 봉지하여 형성된 반도체 패키지로서 열경화성 수지에 의하여 덮여 있는 RFID 태그의 제조 방법.
  13. 기전력을 발생시키는 비접촉식 급전 안테나 부품의 제조 방법에 있어서,
    리드 프레임에 안테나부를 형성하는 공정과,
    제1 열가소성 수지를 사출 성형하여 상기 리드 프레임의 양면에 볼록부를 형성하는 성형 공정과,
    상기 제1 열가소성 수지의 상기 볼록부의 위치를 기준으로 하여 상기 리드 프레임의 양면에 제2 열가소성 수지를 사출 성형하는 성형 공정
    을 포함하는 비접촉식 급전 안테나 부품의 제조 방법.
  14. 기전력을 발생시키는 비접촉식 급전 안테나 부품의 제조 방법에 있어서,
    리드 프레임에 안테나부를 형성하는 공정과,
    제1 열가소성 수지를 사출 성형하는 성형 공정과,
    상기 제1 열가소성 수지의 외면의 위치를 기준으로 하여 상기 리드 프레임의 양면에 오목부를 포함하는 제2 열가소성 수지를 사출 성형하는 성형 공정
    을 포함하는 비접촉식 급전 안테나 부품의 제조 방법.
  15. RFID 태그를 제조하기 위한 금형에 있어서,
    안테나부를 형성하는 리드 프레임을 제1면 측으로부터 압박하는 제1 일방 금형과,
    상기 리드 프레임을 상기 제1면의 반대편인 제2면 측으로부터 압박하는 제1 타방 금형과,
    상기 리드 프레임을 상기 제1면 측으로부터 압박하는 제2 일방 금형과,
    상기 리드 프레임을 상기 제2면 측으로부터 압박하는 제2 타방 금형
    을 포함하되,
    상기 제1 일방 금형 및 상기 제1 타방 금형은 반도체 디바이스를 탑재한 상기 리드 프레임을 고정시키고 제1 열가소성 수지를 사출 성형하기 위하여 사용되며,
    상기 제2 일방 금형 및 상기 제2 타방 금형은 상기 제1 열가소성 수지의 성형후의 상기 리드 프레임을 고정시키고 제2 열가소성 수지를 사출 성형하기 위하여 사용되며,
    상기 제1 일방 금형 및 상기 제1 타방 금형에는 상기 제2 열가소성 수지의 성형시의 기준 위치가 되는 볼록부를 상기 제1 열가소성 수지에 성형하기 위한 오목부가 포함되는
    RFID 태그를 제조하기 위한 금형.
  16. RFID 태그를 제조하기 위한 금형에 있어서,
    안테나부를 형성하는 리드 프레임을 제1면 측으로부터 압박하는 제1 일방 금형과,
    상기 리드 프레임을 상기 제1면의 반대편인 제2면 측으로부터 압박하는 제1 타방 금형과,
    상기 리드 프레임을 상기 제1면 측으로부터 압박하는 제2 일방 금형과,
    상기 리드 프레임을 상기 제2면 측으로부터 압박하는 제2 타방 금형
    을 포함하되,
    상기 제1 일방 금형 및 상기 제1 타방 금형은 반도체 디바이스를 탑재한 상기 리드 프레임을 고정시키고 제1 열가소성 수지를 사출 성형하기 위하여 사용되며,
    상기 제2 일방 금형 및 상기 제2 타방 금형은 상기 제1 열가소성 수지의 성형 후의 상기 리드 프레임을 고정시키고 제2 열가소성 수지를 사출 성형하기 위하여 사용되며,
    상기 제2 일방 금형 및 상기 제2 타방 금형에는 상기 제1 열가소성 수지의 외면을 기준 위치로 하여 제2 열가소성 수지를 사출 성형하기 위한 볼록부가 포함되는
    RFID 태그를 제조하기 위한 금형.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서,
    상기 제1 일방 금형 및 상기 제1 타방 금형에는, 상기 제1 열가소성 수지의 성형시에 상기 안테나부의 위치 맞춤 및 보호를 수행하기 위한 요철부가 포함되는 RFID 태그를 제조하기 위한 금형.
  18. 비접촉식 급전 안테나 부품을 제조하기 위한 금형에 있어서,
    안테나부를 형성하는 리드 프레임을 제1면 측으로부터 압박하는 제1 일방 금형과,
    상기 리드 프레임을 상기 제1 면의 반대편인 제2면 측으로부터 압박하는 제1 타방 금형과,
    상기 리드 프레임을 상기 제1면 측으로부터 압박하는 제2 일방 금형과,
    상기 리드 프레임을 상기 제2면 측으로부터 압박하는 제2 타방 금형
    을 포함하되,
    상기 제1 일방 금형 및 상기 제1 타방 금형은 상기 리드 프레임을 고정시키고 제1 열가소성 수지를 사출 성형하기 위하여 사용되며,
    상기 제2 일방 금형 및 상기 제2 타방 금형은 상기 제1 열가소성 수지의 성형 후의 상기 리드 프레임을 고정시키고 제2 열가소성 수지를 사출 성형하기 위하여 사용되며,
    상기 제1 일방 금형 및 상기 제1 타방 금형에는 상기 제2 열가소성 수지의 성형시의 기준 위치가 되는 볼록부를 상기 제1 열가소성 수지에 형성하기 위한 오목부가 포함되어 있는
    비접촉식 급전 안테나 부품을 제조하기 위한 금형.
  19. 비접촉식 급전 안테나 부품을 제조하기 위한 금형에 있어서,
    안테나부를 형성하는 리드 프레임을 제1면 측으로부터 압박하는 제1 일방 금형과,
    상기 리드 프레임을 상기 제1면의 반대편인 제2면 측으로부터 압박하는 제1 타방 금형과,
    상기 리드 프레임을 상기 제1면 측으로부터 압박하는 제2 일방 금형과,
    상기 리드 프레임을 상기 제2면 측으로부터 압박하는 제2 타방 금형
    을 포함하되,
    상기 제1 일방 금형 및 상기 제1 타방 금형은 상기 리드 프레임을 고정시키고 제1 열가소성 수지를 사출 성형하기 위하여 사용되며,
    상기 제2 일방 금형 및 상기 제2 타방 금형은 상기 제1 열가소성 수지의 성형 후의 상기 리드 프레임을 고정시키고 제2 열가소성 수지를 사출 성형하기 위하여 사용되며,
    상기 제2 일방 금형 및 상기 제2 타방 금형에는 상기 제1 열가소성 수지의 외면을 기준 위치로 하여 제2 열가소성 수지를 사출 성형하기 위한 볼록부가 포함되는
    비접촉식 급전 안테나 부품을 제조하기 위한 금형.
  20. 제18항 또는 제19항에 있어서,
    상기 제1 일방 금형 및 상기 제1 타방 금형에는, 상기 제1 열가소성 수지의 성형시에 상기 안테나부의 위치 맞춤 및 보호를 수행하기 위한 요철부가 형성되어 있는
    비접촉식 급전 안테나 부품을 제조하기 위한 금형.
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