KR101211897B1 - 성막 장치 및 성막 방법 - Google Patents

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에이스케 모리사키
히로카츠 고바야시
준 요시카와
이쿠오 사와다
츠네노부 기모토
노리아키 가와모토
마사토시 아케타
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로무 가부시키가이샤
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

개시되는 성막 장치는 내부에 감압 공간이 유지되는 처리 용기와, 탄소를 주성분으로 하는 재료에 의해 구성되고, 처리 용기 내에 기판을 유지하는 기판 유지부와, 처리 용기의 외측에 배치되어, 기판 유지부를 유도 가열하는 코일과, 기판 유지부를 덮고, 처리 용기로부터 이격되도록 배치되는 단열재를 구비한다. 상기의 감압 공간은 성막 가스가 공급되는 성막 가스 공급 공간과, 기판 유지부와 처리 용기 사이에 구획 형성되는 단열 공간으로 분리되고, 단열 공간에 냉각 매체가 공급된다.

Description

성막 장치 및 성막 방법{FILM FORMING APPARATUS AND METHOD OF FORMING FILM}
본 발명은 유도 가열을 이용하여 기판 상에 성막을 실행하는 성막 장치 및 성막 방법에 관한 것이다.
에피택셜 성장(epitaxial growth)법은 기판 결정 상에 기판 결정의 결정 방향과 동일한 결정 방향을 갖는 단결정을 성장시키는 것이 가능하여, 다방면에서 사용되고 있다.
예를 들어, 하기의 특허문헌 1, 특허문헌 2는 에피택셜 성장법에 의해 Si를 성장시켜, 실리콘 웨이퍼를 제조하는 방법을 개시하고 있다.
상기의 에피택셜 성장법에 있어서는 원료 가스를 열분해하기 위해서, 소정의 막이 성장되는 기판은 원료 가스의 분해 온도보다도 높은 온도로 균일하게 가열되는 것이 바람직하다. 이 때문에, 기판의 가열에는 예를 들어, 코일에 의한 유도 가열을 사용하는 경우가 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허공개 제 1997-232275 호 공보
특허문헌 2 : 일본 특허공개 제 2004-323900 호 공보
그러나, 원료 가스 중에는 열분해 온도가 높은 것이 있으며, 이러한 원료 가스를 사용하는 경우에는 성막 장치를 구성함에 있어서 문제가 발생하는 경우가 있었다. 예를 들어, 일반적인 성막 장치는 성막의 대상이 되는 기판이 내부가 감압으로 유지되는 처리 용기 내에 유지되도록 구성되어 있다.
여기에서, 높은 분해 온도를 갖는 성막 가스가 분해되는 온도까지 기판을 가열하려고 하면, 이에 따라, 처리 용기의 벽도 가열되어, 처리 용기가 손상되어 버리는 경우가 있었다. 또한, 처리 용기의 재료에 따라서는 가열에 의해, 기판 상에 형성되는 막의 오염원이 되는 오염 물질이 방출되어 버리는 경우가 있었다.
또한, 처리 용기의 외측에 설치한 코일에 의한 유도 가열을 사용하는 경우, 처리 용기는 가열되는 것을 방지하기 위해, 작은 유전 손실(유전율)을 갖는 재료로 구성되는 것이 바람직하다.
이상의 문제를 해결하기 위해서는 고온으로 가열되어도, 성막의 오염원이 되는 물질을 방출하지 않고, 또한 유도 가열에 있어서의 유전 손실이 문제가 되지 않으며, 더 나아가 가열에 의해 손상받지 않는 것과 같은 처리 용기를 이용하여 성막 장치를 구성할 필요가 있지만, 이들 요구를 전부 만족하는 것은 곤란하였다.
거기에서, 본 발명에서는 상기의 문제를 해결한, 신규하고 유용한 성막 장치 및 성막 방법을 제공하는 것을 총괄적 과제로 하고 있다.
본 발명의 구체적인 과제는 유도 가열을 이용하여 높은 분해 온도를 갖는 성막 가스를 안정적으로 분해하고, 성막을 실행하는 것이 가능한 성막 장치와 성막 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제 1 태양에 의하면, 내부에 감압 공간이 유지되는 처리 용기와, 이 처리 용기 내에 성막 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 탄소(carbon)를 주성분으로 하는 재료에 의해 구성되고, 처리 용기 내에 기판을 유지하는 기판 유지부와, 처리 용기의 외측에 배치되어, 기판 유지부를 유도 가열하는 코일과, 기판 유지부를 덮고, 처리 용기로부터 이격되도록 배치되는 단열재를 구비하는 성막 장치가 제공된다. 상기의 감압 공간은 성막 가스가 공급되는 성막 가스 공급 공간과, 기판 유지부와 처리 용기 사이에 구획되어 이루어지는 단열 공간으로 분리되고, 단열 공간에 냉각 매체가 공급된다.
본 발명의 제 2 태양에 의하면, 제 1 태양의 성막 장치에 있어서, 단열재가 탄소를 주성분으로 갖는 다공 형상의 재료로 구성되고, 상기 단열재의 열전도율과 기판 유지부의 열전도율을 상이하게 하는 성막 장치가 제공된다.
본 발명의 제 3 태양에 의하면, 제 2 태양의 성막 장치에 있어서, 단열재의 표면에 탄소계의 코팅막이 형성되어 있는 성막 장치가 제공된다.
본 발명의 제 4 태양에 의하면, 제 1 내지 제 3 태양 중 어느 하나의 성막 장치에 있어서, 처리 용기가 석영에 의해 구성되어 있는 성막 장치가 제공된다.
본 발명의 제 5 태양에 의하면, 제 1 내지 제 4 태양 중 어느 하나의 성막 장치에 있어서, 기판 유지부가, 복수의 기판을 유지 가능한 피가열 탑재대와, 상기 피가열 탑재대의 주위에 형성되는 피가열 구조체를 갖고, 상기 피가열 구조체가, 서로 대향하는 2개의 개구부를 가지며, 2개의 개구부 중 한쪽의 개구부로부터 성막 가스가 공급되고, 다른쪽의 개구부로부터 상기 성막 가스가 배출되는 성막 장치가 제공된다.
본 발명의 제 6 태양에 의하면, 제 5 태양의 성막 장치에 있어서, 피가열 탑재대가 복수의 기판이 탑재되는 반송판을 유지 가능하고, 상기 반송판을 소정의 회전축을 중심으로 하여 회전하도록 구성되는 성막 장치가 제공된다.
본 발명의 제 7 태양에 의하면, 제 6 태양의 성막 장치에 있어서, 처리 용기가 반송부를 내부에 갖는 반송실에 접속되고, 상기 반송부에 의해, 반송판이 피가열 탑재대 상으로 반입출되는 성막 장치가 제공된다.
본 발명의 제 8 태양에 의하면, 제 1 내지 제 7 태양 중 어느 하나의 성막 장치에 있어서, 단열재를 덮는 단열재 유지 구조체를 더 구비하는 성막 장치가 제공된다.
본 발명의 제 9 태양에 의하면, 제 1 내지 제 8 태양 중 어느 하나의 성막 장치에 있어서, 기판 상에 성막 가스에 대응하는 막이 형성되는 성막 장치가 제공된다.
본 발명의 제 10 태양에 의하면, 제 1 내지 제 8 태양 중 어느 하나의 성막 장치를 사용하여, 기판 상에 소정의 막을 형성하는 성막 방법이 제공된다. 이 성막 방법은 복수의 기판을 반송판에 탑재하는 공정과, 복수의 기판이 탑재된 반송판을 기판 유지부의 피가열 탑재대 상으로 반송하는 공정과, 피가열 탑재대를 소정 속도로 회전시키는 공정과, 성막 가스 공급 공간에 성막 가스를 공급하는 공정과, 코일에 의해 기판 유지부를 가열하는 공정과, 복수의 기판이 탑재된 반송판을 처리 용기로부터 반출하는 공정을 갖는다.
본 발명의 제 11 태양에 의하면, 제 10 태양의 성막 방법에 있어서, 성막 장치의 단열 공간에 처리 용기를 냉각하는 냉각 매체를 공급하는 공정을 더 구비하는 성막 방법을 제공한다.
본 발명의 제 12 태양에 의하면, 제 10 또는 제 11 태양의 성막 방법에 있어서, 성막 가스가 Si와 C를 주성분으로 하는 가스를 포함하는 성막 방법이 제공된다.
본 발명의 제 13 태양에 의하면, 제 10 내지 제 12 태양 중 어느 하나의 성막 방법에 있어서, 성막 가스는 CxHy(x, y는 정수)로 표시되는 가스를 포함하는 성막 방법이 제공된다.
본 발명의 제 14 태양에 의하면, 제 10 내지 제 13 태양 중 어느 하나의 성막 방법에 있어서, 기판 유지부를 가열하는 공정에서는 기판이 1200℃ 이상이 되도록 기판 유지부가 유도 가열되는 성막 방법이 제공된다.
발명의 효과
본 발명에 의하면, 유도 가열을 이용하여 분해 온도가 높은 성막 가스를 안정적으로 분해하고, 성막을 실행하는 것이 가능한 성막 장치와 성막 방법을 제공 할 수 있다.
도 1은 에피택셜 성장법에 의해 제작되는 반도체 장치의 일예를 도시하는 단면도,
도 2는 반도체 재료의 특성을 비교한 도면,
도 3은 실시예 1에 의한 성막 장치의 개요를 도시하는 모식도,
도 4는 도 3의 성막 장치의 처리 용기 내부의 구조를 모식적으로 도시한 단면도,
도 5는 도 4의 처리 용기 내부에 설치되는 기판 유지부를 도시하는 모식도,
도 6은 도 4의 처리 용기 내부에 설치되는 기판 유지부를 도시하는 다른 모식도,
도 7은 실시예 1에 의한 성막 방법을 도시하는 흐름도,
도 8은 처리 용기에 반송실을 접속하는 예를 도시한 도면,
도 9는 반송실에 복수의 처리 용기를 접속한 예를 도시하는 도면.
※부호의 설명※
101: 처리 용기 101A: 감압 공간
101B: 처리 용기 101C: 가스 공급 수단
101a: 성막 가스 공급 공간 101b: 단열 공간
102: 기판 유지부 103: 탑재대
104: 피가열 구조체 105: 단열재
106: 단열재 유지 구조체 107: 코일
108: 축부 109: 가동 수단
110: 반송판 112: 배기 라인
113: 압력 조정 수단 114: 배기 수단
120: 제어 수단 121: CPU
122: 기억 매체 123: 입력부
124: 메모리 125: 통신부
126: 표시부
130, 130A, 130B, 130C, 130D, 130E, 130F, 130G, 134: 가스 라인
131A, 131B, 131C, 131D, 131E, 131F, 131G, 135: MFC
132A, 132B, 132C, 132D, 132E, 132F, 132G, 136: 밸브
133A, 133B, 133C, 133D, 133E, 133F, 133G, 137: 가스 공급원
이하, 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태를 설명한다. 첨부된 전체 도면 중, 동일 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는 동일 또는 대응하는 참조 부호를 붙이고, 중복하는 설명을 생략한다. 또한, 도면은 부재 혹은 부품 사이, 또는 여러 층의 두께 사이의 상대비를 나타내는 것을 목적으로 하지 않으며, 따라서, 구체적인 두께나 치수는 이하의 한정적이지 않은 실시 형태에 비춰, 당업자에 의해 결정되어야 할 것이다.
도 1은 에피택셜 성장법을 이용해서 제작된 반도체 장치(MOS 트랜지스터)의 구성의 일예를 도시한 도면이다.
도 1을 참조함에 있어, 반도체 장치(10)는 n형의 탄화 규소 반도체(이하, SiC)로 이루어지는 기판(1)과, 기판(1) 상[기판(1)의 표면 상]에 형성된 n형의 SiC층(n형 에피택셜층)(2)을 갖는다. SiC층(2)은 에피택셜 성장법에 의해, 기판 결정 상에 기판 결정의 결정 방향과 동일한 결정 방향을 갖고, 단결정이 되도록 형성되 어 있다. 다만, 다른 실시 형태에 있어서는 성막 장치(100)에 의해 제조되는 반도체 장치(10)의 특성에 따라서는 SiC층(2)은 기판 결정의 결정 방향과 동일한 결정 방향을 반드시 가질 필요는 없고, 또한 다결정이여도 좋다.
SiC층(2)에는 소정의 간격을 두고 p형 불순물 확산 영역(3A, 3B)이 형성되고, p형 불순물 확산 영역(3A, 3B) 내에는 각각 n형 불순물 확산 영역(4A, 4B)이 형성되어 있다. 또한, SiC층(2) 상에는 n형 불순물 확산 영역(4A)의 일부로부터 n형 불순물 확산 영역(4B)의 일부까지 미치도록, 게이트 절연막(6)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(6) 상에는 전극(7)이 형성되어 있다.
또한, p형 불순물 확산층(3A)과 n형 불순물 확산 영역(4A) 상에 전극(5A)이 형성되고, 동일하게, p형 불순물 확산층(3B)과 n형 불순물 확산 영역(4B) 상에 전극(5B)이 형성되어 있다. 또한, 기판(1)의 SiC층(2)과 반대측의 면(이면)에 전극(8)이 형성되어 있다.
상기의 반도체 장치(MOS 트랜지스터)에 있어서는 예컨대, 전극(7)이 게이트 전극으로서 기능하고, 전극(5A, 5B)이 소스(source) 전극으로서 기능하며, 전극(8)이 드레인 전극으로서 기능한다.
상기의 반도체 장치(10)는 종래의, 예를 들어 Si를 사용한 반도체 장치와 비교했을 경우, 이른바 온 저항[드리프트(drift)층의 저항]을 대폭 억제할 수 있다는 점에서 유리하다. 이로써, 전력의 이용 효율이 향상된다고 하는 효과를 나타낸다.
도 2는 반도체 재료로서 사용되는 Si, GaAs 및 SiC의 각각의 특성을 비교하는 도면이다.
도 2를 참조함에 있어, SiC는 반도체 장치의 제조에 종래 일반적으로 사용되어온 Si에 비해, 절연 파괴 전계 강도(Ec)가 1자리수 이상 크다는 특징을 갖고 있다. 상기의 온 저항은 절연 파괴 전계 강도의 3승에 반비례하기 때문에, 절연 파괴 전계 강도(Ec)가 큰 SiC를 사용한 반도체 장치로는 온 저항을 저감하여 전력의 이용 효율을 양호하게 할 수 있다.
또한, SiC는 Si 및 GaAs와 비교하여, 넓은 밴드 갭(band gap)을 갖고 있기 때문에, SiC를 사용한 반도체 장치는 고온에서의 동작이 가능하게 된다. 예컨대, Si로 제작한 반도체 장치의 동작 온도의 상한이 150℃ 정도인 것에 대해, SiC로 제작한 반도체 장치는 400℃ 이상의 고온에서도 동작할 수 있다.
이 때문에, SiC를 사용한 반도체 장치에 의하면, 예를 들어 종래 필요했던 반도체 장치의 냉각 장치가 불필요해지고, 또한, 종래에 비해 가혹한 조건에서의 반도체 장치의 사용이 가능해진다.
또한, 대전류를 취급하는 이른바 파워 디바이스(power device)에 있어서는, 저항값이 작은 SiC를 사용함으로써, 디바이스 면적을 작게해서 상기 디바이스를 사용한 기기의 소형화를 실현하는 것이 가능하게 된다.
상기의 SiC는 예컨대, 에피택셜 성장법에 의해 형성할 수 있다. 이 경우, SiC의 성막에 사용하는 가스의 조합의 일예로서는 SiH4, H2가 있으며, 또한 이들에 더해, 분해가 곤란한 C3H8 등의 탄화수소계의 가스[CxHy(x, y는 정수)에 의해 표시되는 가스]가 사용되는 경우가 있다. 또한, 예를 들어 C3H8을 사용하는 경우에는 기판을 1200℃ 이상의 온도로 가열할 필요가 있으며, 이렇게 기판을 가열하게 되는 경우에는 이하의 문제가 발생하는 경우가 있었다.
예를 들어, 일반적인 성막 장치는 성막의 대상이 되는 기판이 처리 용기 내에 유지되도록 구성되어 있다. 그리고, 처리 용기 내부가 감압으로 유지되면서, 기판 상에 소정의 막이 형성된다.
여기에서, 성막 가스(탄화수소계의 가스)가 분해되는 1200℃ 이상의 온도 정도로 기판을 가열하려고 하면, 이에 따라, 처리 용기의 벽도 가열되어, 처리 용기의 내벽의 온도를 낮게 하는 [소위 콜드 월(cold wall) 방식이라 함] 것이 곤란하게 되어 버린다. 또한, 이렇게 처리 용기가 내측으로부터 국소적으로 가열되면, 처리 용기를 구성하는 재료에 따라서는 열응력에 의해 손상(균열 등)이 생겨 버리는 경우가 있었다. 또한, 처리 용기의 재료에 따라서는 가열되는 것에 의해, 기판 상에 형성되는 막의 오염원이 되는 오염 물질이 방출되어버리는 경우가 있었다.
또한, 처리 용기의 외측에 설치한 코일에 의한 유도 가열을 사용하는 경우, 처리 용기는 예를 들어 석영(석영 유리) 등, 작은 유전 손실(유전율)을 갖는 재료로 구성되는 것이 바람직하다.
이상의 문제를 해결하기 위해서는 고온으로 가열되어도 성막의 오염원이 되는 물질을 방출하지 않고, 또한 유도 가열에 있어서의 유전 손실이 문제가 되지 않으며, 이에 더해 가열에 의해 손상되지 않는 것과 같은 처리 용기를 이용하여 성막 장치를 구성할 필요가 있지만, 이들 요구를 전부 만족시키는 것은 곤란했다.
거기에서, 본 발명의 실시 형태에 의한 성막 장치에서는 상기의 처리 용기 내에, 유도 가열되는 기판 유지부와 상기 처리 용기를 단열하는 단열재를 마련하고 있다. 이 때문에, 기판(기판 유지부)을 고온으로 가열했을 경우라도, 처리 용기의 벽면의 온도를 낮게 유지하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 처리 용기의 파손이나, 처리 용기로부터의 오염 물질의 방출을 저감하고, 안정적으로 기판을 가열하는 것이 가능해진다.
또한, 처리 용기의 온도가 낮게 유지되기 때문에, 처리 용기를 구성하는 재료의 선택의 자유도가 향상된다. 이 때문에, 예를 들어 석영 등, 작은 유전 손실(유전율)을 가져 오염 물질의 방출이 적은 청정한 재료를 이용하여 처리 용기를 구성하고, 안정적으로 성막 가스를 분해해서 에피택셜 성장을 실행하는 것이 가능하게 된다.
또한, 상기의 단열재는 성막 가스가 분해되는 처리 용기 내에 설치되기 때문에, 가열되었을 경우에 분해·변질이 생기기 어렵고, 또한 가열되었을 경우에 오염 물질의 방출 등이 생기기 어려운, 안정적이고 청정한 (순도가 높은) 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 상기의 단열재는 탄소로 구성되면 바람직하고, 또한 예를 들어 탄소를 다공 형상으로 (공극율을 크게) 함으로써, 단열 성능을 향상시킬 수 있다.
다음으로, 상기의 성막 장치의 구성의 일예에 대해서, 또한 상기의 성막 장치를 사용한 성막 방법의 일예에 대해서, 도면에 근거하여 이하에 설명한다.
실시예 1
도 3은 본 발명의 실시예 1에 의한 성막 장치(100)를 모식적으로 도시한 도 면이다. 도 3을 참조함에 있어서, 성막 장치(100)는 내부에 감압 공간(101A)이 구획 형성되는 대략 직방체 형상(대략 바구니 형상)의 처리 용기(101)를 갖는다.
감압 공간(101A)에는 기판을 유지하는 기판 유지부(도 3에서는 기판 및 기판 유지부는 도시하지 않음, 도 4에서 상세하게 도시됨)가 마련되고, 기판 유지부에 유지된 기판 상에 반도체막이 성장된다. 또한, 감압 공간(101A)의 내부 구조에 있어서는 도 3에서는 도시를 생략하지만, 도 4 이하에서 상술한다.
또한, 처리 용기(101)에는 예를 들어, 진공 펌프 등의 배기 장치(114)와, 예를 들어, 컨덕턴스 가변 밸브로 이루어지는 압력 조정기(113)가 마련된 배기 라인(112)이 접속되어, 감압 공간(101A) 내의 압력을 대기압보다도 낮은 압력(감압)으로 조정할 수 있다. 또한, 처리 용기(101)에는 압력계(111)가 마련되고, 감압 공간(101A) 내의 압력은 압력계(111)에 의해 측정되는 압력값에 근거하여, 압력 조정기(113)에 의해 조정된다. 또한, 처리 용기(101)의 외측에는 고주파 전원(107A)에 접속된 코일(107)이 설치되어 있다. 코일(107)에는 고주파 전원(107A)으로부터 고주파 전력이 인가되어, 감압 공간(101A) 내의 기판 유지부(도시하지 않음)가 유도 가열된다. 또한, 처리 용기(101) 내[감압 공간(101A)]에는 가스 공급부(100G)에 의해, 성막의 원료가 되는 성막 가스가 공급된다. 상기의 가스 공급부(100G)는 처리 용기(101)에 접속되는 가스 라인(130)과, 가스 라인(130)에 접속되는 가스 라인(130A, 130B, 130C, 130D, 및 130E)을 갖는다.
질량 유량 컨트롤러(MFC)(131A)와 밸브(132A)를 갖는 가스 라인(130A)은 SiH4 가스를 공급하는 가스 공급원(133A)에 접속되어 있고, 처리 용기(101) 내에 SiH4 가스를 공급하도록 구성되어 있다.
마찬가지로, 질량 유량 컨트롤러(MFC)(131B~131E)와, 밸브(132B~132E)가 각각 마련된 가스 라인(130B~130E)은 각각 가스 공급원(133B~133E)에 접속되어 있다. 가스 공급원(133B~133E)으로부터는 각각, C3H8 가스, H2 가스, TMA(트리메틸 알루미늄) 가스, N2 가스가 공급된다.
예를 들어, 처리 용기(101) 내의 기판 상에, Si와 C를 주성분으로 하는 막(SiC막)을 에피택셜 성장할 경우에는 기판을 적절한 온도로 유지하면서, 성막의 원료가 되는 원료 가스로서의 SiH4 가스, C3H8 가스 및 H2 가스를 처리 용기(101) 내에 공급하면 좋다.
또한, 필요에 따라서, SiH4 가스, C3H8 가스 및 H2 가스에 더해서 TMA 가스나 N2 가스를 처리 용기(101) 내에 공급하여, 형성되는 SiC막의 전기적인 특성을 조정하도록 해도 좋다. 또한, 상기의 가스는 성막에 사용하는 가스의 일예이며, 본 발명에서는 이들 가스에 한정되지 않고, 다른 가스를 이용하여 SiC막을 형성해도 좋다. 또한, SiC막에 한정되지 않고, 다른 가스를 이용하여 다른 막을 형성해도 좋다.
또한, 처리 용기(101)[감압 공간(101A)]에는 가스 라인(134)에 의해, 처리 용기(101)를 냉각하기 위한 냉각 가스가 공급된다. MFC(135)와 밸브(136)가 마련 된 가스 라인(134)은 냉각 가스[예를 들어, 아르곤(Ar) 등의 불활성 가스]를 공급하는 가스 공급원(137)에 접속되어 있고, 냉각 가스를 처리 용기(101) 내에 공급 할 수 있다. 상기의 성막 가스, 냉각 가스의 처리 용기(101) 내에서의 구체적인 공급 경로에 대해서는 도 4를 참조하면서 후술한다.
또한, 성막 장치(100)에 있어서, 성막 순서(예를 들어, 밸브의 개폐나, 유량제어, 고주파 전력의 인가 등의 동작)는 예를 들어, 레시피라 불리는 프로그램에 근거해 실행된다. 이 경우, 밸브나 MFC 등의 동작은 CPU(121)를 갖는 제어 장치(120)에 의해 제어된다. 이들의 접속 배선은 도시가 생략되어 있다.
제어 장치(120)는 CPU(121)와, 상기의 프로그램을 기억한 기억 매체(122)와, 키보드 등의 입력부(123)와, 표시부(126)와, 네트워크 등에 접속하기 위한 통신부(125)와, 메모리(124)를 갖고 있다.
다음으로, 상기의 처리 용기(101)의 구조에 대해서, 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 4는 도 3에서 먼저 설명한 처리 용기(101)의 내부의 구조를 모식적으로 도시한 단면도이다. 다만, 먼저 설명한 부분에는 동일한 부호를 붙이고 있다. 도 4를 참조함에 있어서, 처리 용기(101)의 내부에, 감압 공간(101A)에 기판(W)을 유지하는 기판 유지부(102)가 마련되어 있다.
기판 유지부(102)는 처리 용기(101)의 외측에 마련된 코일(107)에 의해, 유도 가열된다. 기판(W)은 코일(107)에 의해 유도 가열되는 동시에, 유도 가열된 기판 유지부(102)로부터의 복사나 열전도에 의해 가열된다. 기판(W)은 공급되는 성막 가스가 분해되어서 표면 반응(에피택셜 성장)이 가능해지는 정도의 온도로 가열 된다.
예를 들어, 먼저 설명한 C3H8 가스는 약 1200℃에서 분해되기 시작하기 때문에, 기판(W)은 적어도 1200℃ 이상(예를 들어, 1550℃~1650℃ 정도)으로 가열된다. 이 경우, 기판 유지부(102)도 같은 정도의 온도로 가열된다.
또한, 기판 유지부(102)[기판(W)]와 처리 용기(101) 사이에, 유도 가열되어서 고온으로 되는 기판 유지부(102)[기판(W)]로부터 처리 용기(101)를 단열하는 단열재(115)가 마련되어 있다.
이 때문에, 기판 유지부(102)[기판(W)]가 상술한 온도 정도까지 가열된 경우에 있어서도, 가열된 부분과 처리 용기(101)의 온도차를 크게 유지해서 처리 용기(101)의 파손이나 방출 가스 등을 억제할 수 있다.
또한, 처리 용기(101) 내에서 고온이 되는 부분과 처리 용기(101) 사이의 단열성이 우수하기 때문에, 처리 용기(101)를 구성하는 재료의 선택의 자유도가 향상된다. 상기의 처리 용기(101)는 예를 들어, 석영에 의해 구성된다. 석영은 유전 손실이 작고, 유도 가열에 의해 가열되지 않기 때문에, 처리 용기(101)의 재료로서 바람직하다. 또한, 석영은 순도가 높고, 감압에서 가열되었을 경우에도 막을 오염시킬 가능성이 있는 방출 가스의 양이 적기 때문에, 고성능 디바이스를 구성하는 막을 형성할 경우의 감압 공간을 구획 형성하는 재료로서 바람직하다.
또한, 감압 공간(101A)에 있어서의, 단열재(105)와, 고온으로 가열되는 기판 유지부(102)는 가열되었을 경우에 분해·변질이 생기기 어렵고, 또한, 가열되었을 경우에 오염 물질의 방출 등이 생기기 어려운, 안정적이고 청정한(순도가 높은) 재료에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다. 예컨대, 상기의 기판 유지부(102)와, 단열재(105)는 함께 탄소[그래파이트(graphite)]를 이용하여 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 기판 유지부(102)는 유도 가열에 의해 용이하게 가열되고, 또한 복사에 의해 기판을 가열할 수 있도록, 밀도가 높은 탄소 재료로 제작되면 바람직하다. 이러한 탄소 재료는 예컨대, 이른바 벌크(bulk) 재료로 불릴 정도로 높은 밀도를 갖고 있는 것이 바람직하다.
한편으로, 단열재(105)는 단열성을 높이기 위해서, 밀도가 낮은 탄소 재료로 형성되면 바람직하다. 이러한 탄소 재료는 상기의 벌크 재료의 공극율보다 현저하게 큰 공극율을 가지면 바람직하다. 구체적으로는 이러한 단열에 바람직한 탄소 재료는 예를 들어, 육안 관찰에 의해도 어느 정도의 공극을 확인할 수 있으면 더욱 바람직하다. 이들 재료를 본문 중에서는 공극의 형상에 관계 없이, 다공 형상으로 형성되어 있는 재료로 기재하는 경우가 있다.
또한, 필요에 따라서, 탄소의 열전도율을 제어하기 위한 물질을, 기판 상에 형성되는 막을 오염시키는 일이 없는 정도로 포함하는 탄소 재료를 이용하여, 단열재(105)를 구성해도 좋다.
즉, 상기의 기판 유지부(102)와 단열재(105)는 함께 감압 상태에서 가열될 경우에 바람직한 재료인 동일한 재료(탄소)를 주성분으로 하여 구성되지만, 이들 탄소는 주로 그 밀도(재료의 마이크로 구조)의 차이에 의해 생기는 열전도율의 측 면에서 다르다.
또한, 기판 유지부(102)나 단열재(105)의 표면에는 소정의 코팅막이 형성되어 있어도 좋다. 본 실시예의 경우, 예를 들어 기판 유지부(102)의 표면은 SiC막으로 코팅되어 있고, 한편으로 단열재(105)의 표면은 단열재(105)의 밀도보다도 높은 밀도를 갖는 탄소막으로 코팅되어 있다. 이러한 코팅막을 형성함으로써, 재료를 보호하는 동시에, 파티클의 발생이나 단열재 표면과 가스의 반응을 억제할 수 있다.
또한, 단열재(105)의 외측에는 단열재(105)를 덮도록, 석영으로 이루어지는 단열재 유지 구조체(106)가 형성되어 있다. 단열재 유지 구조체(106)는 단열재(105)를 처리 용기(101)로부터 떼어 놓아 유지하도록 구성되어 있다. 이 때문에, 처리 용기(101)와 단열재(105) 사이에 단열 공간(101b)이 구획 형성되어, 처리 용기(101)의 온도 상승이 효과적으로 억제된다. 단열재 유지 구조체(106)는 처리 용기(101)의 바닥면에 탑재되어 기둥 형상의 지지부(106A)에 의해 지지되어 있다.
또한, 단열 공간(101b)에는 가스 라인(134)(도 3)으로부터 냉각 가스(예를 들어, Ar 가스 등)가 공급되고 있다. 이러한 가스에 의한 냉각에 의해서도 처리 용기(101)의 온도 상승이 억제된다.
또한, 단열재 유지 구조체(106)의 내측에 구획 형성되는 기판 유지부(102)와 단열재(105)가 설치된 성막 가스 공급 공간(101a)에는 가스 라인(130)(도 3)으로부터 성막 가스가 공급된다. 즉, 단열재 유지 구조체(106)에 의해, 감압 공간(101A) 내에서의 성막 가스의 확산이 방지되어, 성막 가스가 기판(W)에 효율적으로 공급된다. 이러한 구성은 성막 가스의 이용 효율의 향상에 기여하고 있다.
다시 말하면, 단열재 유지 구조체(106)는 감압 공간(101A)을, 실질적으로 2개의 공간[성막 가스 공급 공간(101A), 단열 공간(101b)]으로 분리하고 있다. 이 때문에, 처리 용기(101)의 온도가 상승하는 것을 효과적으로 억제할 수 있는 동시에, 성막 가스의 이용 효율이 향상된다. 또한, 고온으로 가열되는 기판 유지부(102)가 단열재(105)에 의해 처리 용기(101)로부터 격리되는 것에 더해, 기판 유지부(102)와 처리 용기(101) 사이에 구획 형성되는 단열 공간(101b)에 상기의 냉각 매체가 공급됨에 따라, 처리 용기(101)의 온도 상승이 보다 효과적으로 억제된다.
또한, 도 4를 참조하면, 기판 유지부(102)는 기판(W)이 탑재되는 탑재대(103)와, 탑재대(103)의 주위에 형성되는 피가열 구조체(104)를 갖고 있다.
탑재대(103)는 대략 원반 형상을 갖고, 표면에 오목부를 갖는다. 이 오목부에는 복수의 기판(W)이 탑재된 대략 원반 형상의 반송판(110)이 탑재된다. 복수의 기판(W)은 반송판(110)에 탑재되고, 복수의 기판(W)이 탑재된 반송판(110)이 반송 아암 등의 반송부(후술)에 의해 반송되어, 탑재대(103)의 오목부에 탑재된다.
또한, 탑재대(103)는 그 중심부에 형성된 중심 구멍에 축부(108)가 삽입되도록 구성되어 있다. 축부(108)는 축부(108)의 하단에 마련된 가동부(109)에 의해, 상방향 및 하방향으로 움직일 수 있고, 회전할 수 있다. 축부(108)의 상단에는 전체로서 단차 형상을 이루도록 대략 원반 형상의 선단부가 형성되어 있고, 이 선단부가 반송판(110)의 중심으로 형성된 중심 구멍에 감합하여 반송판(110)을 들어 올리는 것이 가능하게 되어 있다. 반송판(110)의 반송 시에는 축부(108)에 의해, 반 송판(110)이 들어 올려진다.
또한, 성막시에는 축부(108)를 중심축으로 해서, 탑재대(103) 및 반송판(110)이 회전된다. 이 때문에, 성막 속도, 막 두께, 막질 등에 관해서, 기판면 내에서의 격차나, 기판 사이에서의 격차가 억제된다.
도 5는 탑재대(103)에 탑재된 반송판(110)과, 반송판(110)에 탑재된 복수의 기판(W)을 도시하는 평면도이다. 또한, 반송판(110)의 중심 구멍에는 축부(108)의 선단부가 감합하고 있다. 또한, 본 도면에서는 일예로서, 등각도 간격으로 탑재된 8장의 기판(W)을 도시하고 있지만, 기판의 탑재 위치, 탑재되는 매수는 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 반송판(110)은 감압 공간(110A) 내에서 유도 가열되기 때문에, 탑재대(103)와 동일한 재료(탄소)로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
도 6은 상기한 탑재대(103)와 함께 기판 유지부(102)를 구성하는 피가열 구조체(104)를 도시하는 사시도이다. 도 6을 참조함에 있어서, 피가열 구조체(104)는 예컨대 대략 상자 형상(직방체 형상)으로 형성되어, 탑재대(103)의 주위에서 탑재대(103)를 둘러싸도록 배치되어 있다.
또한, 피가열 구조체(104)는 직방체의 서로 대향하는 2개의 면에 대응하는 부분에 개구를 갖고, 2개의 개구 중 한편의 개구로부터 성막 가스가 공급되고, 다른쪽의 개구로부터 성막 가스가 배출되도록 배치되어 있다. 이러한 구조에 의해, 성막 가스 공급 공간(101A)(도 4)에 공급되는 성막 가스는 실질적으로 기판(W)에 평행한 방향을 따라서 흘러, 처리 용기(101)로부터 배출된다.
본 실시예에 의한 성막 장치(100)에 있어서는 처리 용기(101) 내에, 기판(W) 이 탑재되는 탑재대(103)에 더해, 피가열 구조체(104)가 설치되어 있기 때문에, 기판(W)을 보다 효율적으로, 또한 보다 양호한 균일성으로 가열하는 것이 가능하게 된다. 예를 들어, 기판(W)은 유도 가열에 의해 가열되는 동시에, 탑재대(103)[반송판(110)]로부터의 복사에 의해도 가열되지만, 이들에 비해 체적이 큰 피가열 구조체(104)가 마련되어 있기 때문에, 보다 효율적으로 가열된다. 또한, 기판(W)은 피가열 구조체(104)의 복사에 의해, 기판(W)의 주위(복수의 방향)로부터 가열된다. 이 때문에, 기판(W)은 보다 균일하게 가열된다.
또한, 코일에 의한 유도 가열은 예를 들어 히터에 의한 가열에 비해, 보다 효율적으로, 또한, 양호한 균일성으로 기판을 가열할 수 있지만, 이 경우, 코일(107)은 처리 용기(101)에 권취되도록 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 보다 균일하게 기판(W)을 가열하는 것이 가능해지고, 또한, 상기의 피가열 구조체(104)와 조합됨으로써, 보다 효율적으로, 보다 양호한 균일성으로 기판(W)을 가열할 수 있다.
다음으로, 상기의 성막 장치(100)를 사용한 성막 방법의 일예에 대해서, 도 7에 도시한 흐름도에 근거하여 설명한다. 또한, 성막에 이르러서는 복수의 기판(W)이 탑재된 반송판(110)은 예를 들어, 도 8 이후를 참조하면서 후술하는 반송부(예를 들어 반송 아암 등)에 의해 반송된다.
우선, 단계(S1)에 있어서, 원반 형상의 반송판(110)에, 복수의 기판(W)이 탑재된다.
다음으로, 단계(S2)에 있어서, 복수의 기판(W)이 탑재된 반송판(110)이, 반송 수단(후술)에 의해, 탑재대(피가열 탑재대)(103) 상으로 반송된다.
다음으로, 단계(S3)에 있어서, 피가열 탑재대(103) 및 피가열 탑재대(103)에 유지된 반송판(110)이 소정 속도로 회전된다.
다음으로, 단계(S4)에 있어서, 성막 가스 공급 공간(101A)에 성막 가스가 공급된다. 다음으로, 단계(S5)에 있어서, 고주파 전원(107A)으로부터 고주파 전력이 코일(107)에 인가되어서, 기판 유지부(102), 반송판(110) 및 기판(W)이 유도 가열된다.
다음으로, 단계(S6)에 있어서, 반송부에 의해, 기판(W)이 탑재된 반송판(110)이 처리 용기(101)로부터 반출된다.
이렇게 하여, 기판(W) 상에, Si와 C를 주성분으로 하는 막(SiC막)을 에피택셜 성장할 수 있다. 또한, 단계(S4)에 있어서 성막 가스를 공급하는 경우, 도 3에서 먼저 설명한 바와 같이, 성막 가스로서, SiH4 가스, C3H8 가스 및 H2 가스를 처리 용기(101) 내[성막 가스 공급 공간(101A)]에 공급한다. 또한, 필요에 따라서, TMA 가스나 N2 가스를 더불어서 공급해도 좋다.
예컨대, 각각의 성막 가스의 유량은 일예로서, SiH4 가스가 10sccm 내지 30sccm이며, C3H8가스가 10sccm 내지 20sccm이며, H2 가스가 50slm 내지 200slm이지만, 이들 수치에 한정되는 것은 아니다.
또한, 단계(S5)에 있어서, 처리 용기(101)의 외측에 설치되는 코일(107)에 의해, 기판 유지부(102)[기판(W)]를 유도 가열할 경우, 예컨대, 기판은 1550℃ 내 지 1650℃ 정도의 온도로 가열된다.
또한, 단계(S3) 내지 단계(S5)의 순서는 교체 가능하며, 또한 단계(S3) 내지 단계(S5)를 실질적으로 동시에 시작하도록 해도 좋다. 또한, 각각의 단계에 필요로하는 시간을 적당히 변경함으로써, 원하는 두께의 SiC막을 형성할 수 있다.
다음으로, 처리 용기(101)에, 반송실을 접속해서 성막 장치를 구성하는 예에 대해서 설명한다. 예를 들어, 기판 상에 반도체 장치를 형성할 경우, 일반적으로, 기판(기판이 탑재된 반송판)을 반송하는 반송실을 사용할 수 있다. 이 때문에, 성막 장치는 이하에 설명하는 바와 같이, 상기의 반송실을 갖도록 구성된다.
도 8은 먼저 설명한 처리 용기(101)와, 반송 아암(반송부)(201A)을 갖는 반송실(201)을 접속해서 성막 장치를 구성한 예를 모식적으로 도시한 사시도이다. 다만, 먼저 설명한 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 상세한 설명을 생략한다. 또한, 도 8에 있어서, 처리 용기(101) 내의 구조, 처리 용기(101)에 접속되는 배기 라인 등은 생략한다.
도 8을 참조함에 있어서, 도 4 및 도 5를 참조하면서 설명한 처리 용기(101)는 반송 아암(201A)을 내부에 갖는 반송실(201)과, 처리 용기(101B)를 거쳐서 접속되어 있다. 또한, 처리 용기(101B) 아래에는 앞서 설명한 성막 가스를 공급하기 위한 가스 노즐(성막 가스 공급 장치)(101C)이 설치되어 있다. 성막 가스는 상기의 가스 노즐(101C)로부터 성막 가스 공급 공간(101A)(도 4)에 공급된다.
상기의 구조에 있어서, 도 5에 도시한 기판(W)이 탑재된 반송판(110)은 반송 아암(201A)에 의해, 반송실(201)로부터 처리 용기(101) 내로 반입된다. 즉, 반송판(110)은 반송 아암(201A)에 의해, 피가열 구조체(104)(본 도면에서는 도시를 생략)의 개구로부터 성막 가스 공급 공간(101A)(도 4) 내로 인입되어, 탑재대(103) 상에 탑재된다. 또한, 기판(W) 상으로의 성막이 종료한 후에는 마찬가지로 반송 아암(201A)에 의해, 반송판(110)이 처리 용기(101)로부터 반송실(201)로 반출된다.
도 9는 복수의 처리 용기(101)[성막 장치(100)]를 반송실(201)에 접속해서 구성한 성막 장치(1000)의 예를 모식적으로 도시한 평면도이다. 다만, 먼저 설명한 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.
도 9를 참조함에 있어서, 성막 장치(1000)는 반송판(110)이 탑재된 홀더(도시하지 않음)가 탑재되는 포트(205A~205C)와, 상기 홀더의 반송 영역인 로더(203)를 갖고 있다.
또한, 로더(203)는 반송판(110)이 반입되는 로드록(202A, 202B)에 접속되어 있고, 또한 로드록(202A, 202B)은 앞서 도 8에서 설명한 반송실(201)과 접속되어 있다.
상기의 반송실(201)에는 앞서 개시한 처리 용기(101)가 2개 접속되어 있다. 또한, 성막 장치(100)의, 처리 용기(101) 이외의 구조(코일, 고주파 전원, 배기 라인, 가스 라인 등)는 도시가 생략되어 있다.
포트(205A~205C)의 어느 하나에 탑재된 반송판(110)[기판(W)]은 로더(203)를 거쳐서 로드록(202A), 또는 로드록(202B)에 반입된다. 또한, 반송판(110)은 로드록실(202A, 202B) 중 어느 하나로부터, 반송실(201)을 거쳐 성막 장치(100)[처리 용기(101)]로 반송된다. 또한, 필요에 따라서, 로더(203)에 설치된 위치 맞춤 기구(204)를 이용하여, 반송판(110)의 위치 맞춤을 실행하는 것도 가능하다.
성막 장치(100)에서 성막이 완료한 후, 반송판(110)[기판(W)]은 다시 반송실(201)을 거쳐서 로드록(202A), 또는 로드록(202B) 중 어느 하나에 반송되고, 또한 로더(203)를 거쳐서 포트(205A~205C) 중 어느 하나에 복귀된다.
이렇게, 성막 장치(100)[처리 용기(101)]에, 반송실(201) 등의 반송판(110)[기판(W)]의 반송을 위한 구조를 접속해서 사용하는 것으로, 기판의 성막을 연속적으로, 효율적으로 실시하는 것이 가능하게 된다.
또한, 예컨대, 기판 처리 장치(1000)는 상기의 구성에 한정되지 않고, 다양하게 변형·변경하는 것이 가능하다. 예컨대, 상기 반송실(201)에 접속되는 성막 장치(100)[처리 용기(101)]는 2개인 경우에 한정되지 않고, 예컨대, 3개 또는 4개의 성막 장치(100)가 접속되도록 해도 좋다. 더욱이, 반송실(201)에, 성막 장치(100) 이외의 기판 처리가 행하여지는 장치를 접속하도록 해도 좋다. 이렇게 하여, 필요에 따라서 기판 처리 장치의 구성을 변경하고, 기판 처리(성막)의 효율이 양호하게 되도록 하는 것이 가능하다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상기의 특정한 실시예에 한정되는 것이 아니고, 특허청구의 범위에 기재한 요지 내에 있어서 여러가지 변형·변경이 가능하다.
본 국제출원은 2006년 12월 25일 출원된 일본 특허출원 제 2006-348502 호에 근거하는 우선권을 주장하는 것이며, 그 전체 내용을 본원에 원용한다.
본 발명에 의하면, 유도 가열을 이용하여 분해 온도가 높은 성막 가스를 안정적으로 분해하고, 성막을 실행하는 것이 가능한 성막 장치와 성막 방법을 제공 할 수 있다.

Claims (14)

  1. 내부에 감압 공간이 유지되는 처리 용기와,
    탄소(carbon)를 포함하는 재료에 의해 구성되고, 기판을 유지하는 기판 유지부로서, 복수의 상기 기판을 유지 가능한 탑재대와, 상기 탑재대의 주위에 상기 탑재대를 둘러싸도록 형성되는 피가열 구조체를 갖는, 상기 기판 유지부와,
    상기 처리 용기의 외측에 배치되고, 상기 기판 유지부를 유도 가열하는 코일과,
    상기 기판 유지부를 덮는 단열재를 상기 처리 용기로부터 이격시켜 배치하도록 구성되고, 상기 감압 공간을, 상기 기판 유지부와 상기 단열재가 마련되는 성막 가스 공급 공간과, 상기 처리 용기와 상기 단열재 사이에 구획 형성되는 단열 공간으로 분리하는 단열재 유지 구조체와,
    상기 성막 가스 공급 공간으로 성막 가스를 공급하는 가스 공급 수단과,
    상기 단열 공간으로 냉각 가스를 공급하는 가스 라인을 구비하는
    성막 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단열재가 탄소를 포함하는 다공 형상의 재료로 구성되어, 상기 단열재의 열전도율과 상기 기판 유지부의 열전도율을 상이하게 하는
    성막 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 단열재의 표면에 탄소계의 코팅막이 형성되어 있는
    성막 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 용기가 석영에 의해 구성되어 있는
    성막 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 피가열 구조체가 서로 대향하는 2개의 개구부를 갖고,
    상기 2개의 개구부 중 한쪽의 개구부로부터 상기 성막 가스가 공급되고, 다른쪽의 개구부로부터 상기 성막 가스가 배출되는
    성막 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 탑재대가, 복수의 상기 기판이 탑재되는 반송판을 유지 가능하며,
    상기 반송판을 소정의 회전축을 중심으로 회전하도록 구성되는
    성막 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 처리 용기가 반송부를 내부에 갖는 반송실에 접속되고,
    상기 반송부에 의해, 상기 반송판이 상기 탑재대 상으로 반입출되는
    성막 장치.
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상에 상기 성막 가스에 대응하는 막이 형성되는
    성막 장치.
  10. 내부에 감압 공간이 유지되는 처리 용기와,
    탄소를 포함하는 재료에 의해 구성되고, 기판을 유지하는 기판 유지부로서, 복수의 상기 기판을 유지 가능한 탑재대와, 상기 탑재대의 주위에 상기 탑재대를 둘러싸도록 형성되는 피가열 구조체를 갖는, 상기 기판 유지부와,
    상기 처리 용기의 외측에 배치되고, 상기 기판 유지부를 유도 가열하는 코일과,
    상기 기판 유지부를 덮는 단열재를 상기 처리 용기로부터 이격시켜 배치하도록 구성되고, 상기 감압 공간을, 상기 기판 유지부와 상기 단열재가 마련되는 성막 가스 공급 공간과, 상기 처리 용기와 상기 단열재 사이에 구획 형성되는 단열 공간으로 분리하는 단열재 유지 구조체와,
    상기 성막 가스 공급 공간으로 성막 가스를 공급하는 가스 공급 수단과,
    상기 단열 공간으로 냉각 가스를 공급하는 가스 라인을 구비하는 성막 장치를 사용하여, 기판 상에 소정의 막을 형성하는 성막 방법에 있어서,
    복수의 상기 기판을 반송판에 탑재하는 공정과,
    복수의 상기 기판이 탑재된 상기 반송판을 상기 기판 유지부의 탑재대 상으로 반송하는 공정과,
    상기 탑재대를 소정 속도로 회전시키는 공정과,
    상기 성막 가스 공급 공간에 상기 성막 가스를 공급하는 공정과,
    상기 코일에 의해 상기 기판 유지부를 가열하는 공정과,
    복수의 상기 기판이 탑재된 상기 반송판을 상기 처리 용기로부터 반출하는 공정을 포함하는
    성막 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 성막 장치의 상기 단열 공간에 상기 처리 용기를 냉각하는 냉각 가스를 공급하는 공정을 더 구비하는
    성막 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 성막 가스가 CxHy(x, y는 정수)로 표시되는 가스를 포함하는
    성막 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 CxHy(x, y는 정수)로 표시되는 가스는 C3H8 가스인
    성막 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판 유지부를 가열하는 공정에서는, 상기 기판이 1200℃ 이상이 되도록 상기 기판 유지부가 유도 가열되는
    성막 방법.
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