JPH09232275A - エピタキシャル成長装置サセプターのクリーニング 装置とその方法 - Google Patents
エピタキシャル成長装置サセプターのクリーニング 装置とその方法Info
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- JPH09232275A JPH09232275A JP7334396A JP7334396A JPH09232275A JP H09232275 A JPH09232275 A JP H09232275A JP 7334396 A JP7334396 A JP 7334396A JP 7334396 A JP7334396 A JP 7334396A JP H09232275 A JPH09232275 A JP H09232275A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウェーハ製造の生産性を向上し、エ
ッチングレートを増大し、ＨＣｌガス、Ｈ２ガスの使用
頻度を最小限に抑え、消費電力、ドライエッチング時間
を低減させる。 【解決手段】 エピタキシャル成長工程後のサセプター
２の裏面に付着したポリシリコン付着部分３を除去する
ためのドライエッチング工程において、エピタキシャル
成長炉に使用されるサセプター２と、ガス吐出位置を可
変とするドライエッチング用のガスノズル４とを内包し
たチャンバー１と、該チャンバー１の少なくとも上部、
下部、側面のいずれかに配した温度管理機能を有する出
力調節可能な加熱装置８とにより、サセプター２のクリ
ーニング装置を構成する。
ッチングレートを増大し、ＨＣｌガス、Ｈ２ガスの使用
頻度を最小限に抑え、消費電力、ドライエッチング時間
を低減させる。 【解決手段】 エピタキシャル成長工程後のサセプター
２の裏面に付着したポリシリコン付着部分３を除去する
ためのドライエッチング工程において、エピタキシャル
成長炉に使用されるサセプター２と、ガス吐出位置を可
変とするドライエッチング用のガスノズル４とを内包し
たチャンバー１と、該チャンバー１の少なくとも上部、
下部、側面のいずれかに配した温度管理機能を有する出
力調節可能な加熱装置８とにより、サセプター２のクリ
ーニング装置を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主としてエピタキ
シャルウェーハを製造するための縦型のエピタキシャル
成長装置の炉内品（以後サセプターと称する）に係り、
該サセプターの裏面に付着したポリシリコンを除去する
ためのクリーニング装置とその方法に関するものであ
る。
シャルウェーハを製造するための縦型のエピタキシャル
成長装置の炉内品（以後サセプターと称する）に係り、
該サセプターの裏面に付着したポリシリコンを除去する
ためのクリーニング装置とその方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、縦型タイプのエピタキシャル成長
炉を用いてエピタキシャルウェーハを製造すると、シリ
コンウェーハ上だけでなく、通常カーボンにＳｉＣコー
ティングを施して成るサセプターの表面や裏面にも成長
ガス（ＳｉＣｌ４，ＳｉＨＣｌ３，ＳｉＨ２Ｃｌ２，Ｓ
ｉＨ４等）が廻り込みポリシリコンが付着することが知
られている。このとき、長時間のエピタキシャル成長を
長期間繰り返すと、約１０ｍｍ以上の厚みのポリシリコ
ンが付着する。この傾向はパワーＭＯＳ・ＦＥＴやＩＧ
ＢＴ等の厚いエピ厚幅を要求される品種を製造するとき
に顕著に現われる。このサセプター表面に付着したポリ
シリコンは次回のエピタキシャル成長時に不具合が生じ
るため、ある一定の厚みになるとＨＣｌガスによるドラ
イエッチング方式で除去している。例えば図３に示すよ
うに、従来の縦型タイプのエピタキシャル成長炉１１
は、ワークコイル１２を下方に配したベース１３上の略
中央に上方へ向けてガス吐出用ノズル１４を突出させ、
該ガス吐出用ノズル１４を中心にしてディスク状のサセ
プター１５をベース１３上に載置させ、その上に石英ベ
ルジャー１６を被せた構造のものであった。
炉を用いてエピタキシャルウェーハを製造すると、シリ
コンウェーハ上だけでなく、通常カーボンにＳｉＣコー
ティングを施して成るサセプターの表面や裏面にも成長
ガス（ＳｉＣｌ４，ＳｉＨＣｌ３，ＳｉＨ２Ｃｌ２，Ｓ
ｉＨ４等）が廻り込みポリシリコンが付着することが知
られている。このとき、長時間のエピタキシャル成長を
長期間繰り返すと、約１０ｍｍ以上の厚みのポリシリコ
ンが付着する。この傾向はパワーＭＯＳ・ＦＥＴやＩＧ
ＢＴ等の厚いエピ厚幅を要求される品種を製造するとき
に顕著に現われる。このサセプター表面に付着したポリ
シリコンは次回のエピタキシャル成長時に不具合が生じ
るため、ある一定の厚みになるとＨＣｌガスによるドラ
イエッチング方式で除去している。例えば図３に示すよ
うに、従来の縦型タイプのエピタキシャル成長炉１１
は、ワークコイル１２を下方に配したベース１３上の略
中央に上方へ向けてガス吐出用ノズル１４を突出させ、
該ガス吐出用ノズル１４を中心にしてディスク状のサセ
プター１５をベース１３上に載置させ、その上に石英ベ
ルジャー１６を被せた構造のものであった。
【０００３】ところが、サセプターの裏面に付着したポ
リシリコンは表面のポリシリコンが除去された後もほと
んど残っているのが現状である。結果的にある程度のエ
ピタキシャルウェーハの製造を行った後、厚みにして約
１０ｍｍ程度のポリシリコンがサセプターの裏面に付着
残留した状態となる。この結果、サセプターの変形や加
熱時のサセプター上の熱分布の不均一の原因となり、エ
ピタキシャルウェーハの品質に悪影響を及ぼす。例えば
シリコンウェーハのエピタキシャル膜厚分布のバラツキ
の要因、抵抗率分布の悪化、スリップ等の発生を誘発す
る。そこで従来はエピタキシャル成長炉に再度サセプタ
ーを裏返しに取り付け、ＨＣｌガスによるドライエッチ
ング方式で、サセプターの裏面のポリシリコンをも除去
する方式（以後裏面ＳＥと称す）を採っていた。
リシリコンは表面のポリシリコンが除去された後もほと
んど残っているのが現状である。結果的にある程度のエ
ピタキシャルウェーハの製造を行った後、厚みにして約
１０ｍｍ程度のポリシリコンがサセプターの裏面に付着
残留した状態となる。この結果、サセプターの変形や加
熱時のサセプター上の熱分布の不均一の原因となり、エ
ピタキシャルウェーハの品質に悪影響を及ぼす。例えば
シリコンウェーハのエピタキシャル膜厚分布のバラツキ
の要因、抵抗率分布の悪化、スリップ等の発生を誘発す
る。そこで従来はエピタキシャル成長炉に再度サセプタ
ーを裏返しに取り付け、ＨＣｌガスによるドライエッチ
ング方式で、サセプターの裏面のポリシリコンをも除去
する方式（以後裏面ＳＥと称す）を採っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
では、サセプター裏面のドライエッチング中は、エピタ
キシャル成長炉を再度使用するので次のエピタキシャル
ウェーハの生産が行えない状態となり生産性悪化の原因
となる。また、従来型のエピタキシャル成長炉を使用す
るため、チャンバー内が構造的に大きくなりエッチング
レートが大きくできない。さらに、裏面ＳＥのために、
必要以上のＨＣｌガス、Ｈ２ガス、消費電力、エッチン
グ時間が必要となってしまうという問題点を有してい
た。
では、サセプター裏面のドライエッチング中は、エピタ
キシャル成長炉を再度使用するので次のエピタキシャル
ウェーハの生産が行えない状態となり生産性悪化の原因
となる。また、従来型のエピタキシャル成長炉を使用す
るため、チャンバー内が構造的に大きくなりエッチング
レートが大きくできない。さらに、裏面ＳＥのために、
必要以上のＨＣｌガス、Ｈ２ガス、消費電力、エッチン
グ時間が必要となってしまうという問題点を有してい
た。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、シリコンウェーハ製造の生産性を向上させ、エッチ
ングレートを増大させ、ＨＣｌガス、Ｈ２ガスの使用頻
度を最小限に抑え、消費電力、ドライエッチング時間を
低減させるような裏面ＳＥのためのドライエッチング方
式によるエピタキシャル成長装置サセプターのクリーニ
ング装置とその方法を提供することを目的としたもので
ある。
で、シリコンウェーハ製造の生産性を向上させ、エッチ
ングレートを増大させ、ＨＣｌガス、Ｈ２ガスの使用頻
度を最小限に抑え、消費電力、ドライエッチング時間を
低減させるような裏面ＳＥのためのドライエッチング方
式によるエピタキシャル成長装置サセプターのクリーニ
ング装置とその方法を提供することを目的としたもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明にあっては、底部中央に導入口を有するチ
ャンバーと、この導入口より挿入され前記チャンバー内
にガス吹き出し口が開口したガス導入管と、このガス導
入管をチャンバー外部より回転駆動する駆動機構と、ガ
ス導入管にガスを送入する送入機構とを有するクリーニ
ング装置であって、このチャンバー内部に収容される被
洗浄物に対し、前記ガス導入管が回転しながらガス吹き
出し口から腐食性ガスを吹き付けることにより被洗浄物
表面に付着した汚染物を除去するよう構成されたことを
特徴とする。
ため、本発明にあっては、底部中央に導入口を有するチ
ャンバーと、この導入口より挿入され前記チャンバー内
にガス吹き出し口が開口したガス導入管と、このガス導
入管をチャンバー外部より回転駆動する駆動機構と、ガ
ス導入管にガスを送入する送入機構とを有するクリーニ
ング装置であって、このチャンバー内部に収容される被
洗浄物に対し、前記ガス導入管が回転しながらガス吹き
出し口から腐食性ガスを吹き付けることにより被洗浄物
表面に付着した汚染物を除去するよう構成されたことを
特徴とする。
【０００７】また、エピタキシャル成長工程後に、エピ
タキシャル成長炉に使用されるサセプターの裏面に付着
したポリシリコンを除去するためのドライエッチング工
程において、エピタキシャル成長炉に使用されるサセプ
ターと、ガス吐出位置を可変とするドライエッチング用
のガスノズルとを内包したチャンバーと、該チャンバー
の少なくとも上部、下部、側面のいずれかに配した温度
管理機能を有する出力調節可能な加熱装置とにより構成
されていることを特徴とする。
タキシャル成長炉に使用されるサセプターの裏面に付着
したポリシリコンを除去するためのドライエッチング工
程において、エピタキシャル成長炉に使用されるサセプ
ターと、ガス吐出位置を可変とするドライエッチング用
のガスノズルとを内包したチャンバーと、該チャンバー
の少なくとも上部、下部、側面のいずれかに配した温度
管理機能を有する出力調節可能な加熱装置とにより構成
されていることを特徴とする。
【０００８】さらに、前記ガス吐出位置の変更をサセプ
ターまたはガスノズルのいずれかもしくは両方が回転可
能なノズル調節用可動部により行なわせる構成とした
り、前記加熱装置は、高周波誘導加熱方式または赤外線
輻射加熱方式のいずれかの構成としたり、前記チャンバ
ーに覗き窓を設けたり、前記温度管理機能は、パイロメ
ーターまたはチャンバー内に設置した熱電対によるもの
としても良い。
ターまたはガスノズルのいずれかもしくは両方が回転可
能なノズル調節用可動部により行なわせる構成とした
り、前記加熱装置は、高周波誘導加熱方式または赤外線
輻射加熱方式のいずれかの構成としたり、前記チャンバ
ーに覗き窓を設けたり、前記温度管理機能は、パイロメ
ーターまたはチャンバー内に設置した熱電対によるもの
としても良い。
【０００９】また、本発明のクリーニング方法にあって
は、エピタキシャル成長工程後に、エピタキシャル成長
炉に使用されるサセプターの裏面に付着したポリシリコ
ンを除去するためのドライエッチング工程を、エピタキ
シャル成長炉とは別構成の、サセプターとドライエッチ
ング用のガスノズルを内包するチャンバー内にて行なう
ことにより、エピタキシャル成長炉自体を用いて行なっ
ていたサセプター裏面のポリシリコン除去工程を代用さ
せたことを特徴とする。
は、エピタキシャル成長工程後に、エピタキシャル成長
炉に使用されるサセプターの裏面に付着したポリシリコ
ンを除去するためのドライエッチング工程を、エピタキ
シャル成長炉とは別構成の、サセプターとドライエッチ
ング用のガスノズルを内包するチャンバー内にて行なう
ことにより、エピタキシャル成長炉自体を用いて行なっ
ていたサセプター裏面のポリシリコン除去工程を代用さ
せたことを特徴とする。
【００１０】本発明に係るエピタキシャル成長装置サセ
プターのメンテナンス装置とその方法にあっては、裏面
ＳＥのためにエピタキシャル成長炉を使用する必要がな
いため、直に次回のエピタキシャル成長に取り掛かるこ
とができ、シリコンウェーハの生産性を向上させる。チ
ャンバーはサセプターが入る必要最小限のコンパクトな
大きさであり、また、ＨＣｌガスのガスノズルの位置を
可変として、ポリシリコンが顕著に付着している箇所に
相当する位置に吹き付けることができるので、エッチン
グレートを大幅に増大させ、さらに、効率良くＨＣｌガ
ス、Ｈ２ガス等のドライエッチング用ガスを使用するこ
とができ、使用電力、エッチング時間等を低減させる。
プターのメンテナンス装置とその方法にあっては、裏面
ＳＥのためにエピタキシャル成長炉を使用する必要がな
いため、直に次回のエピタキシャル成長に取り掛かるこ
とができ、シリコンウェーハの生産性を向上させる。チ
ャンバーはサセプターが入る必要最小限のコンパクトな
大きさであり、また、ＨＣｌガスのガスノズルの位置を
可変として、ポリシリコンが顕著に付着している箇所に
相当する位置に吹き付けることができるので、エッチン
グレートを大幅に増大させ、さらに、効率良くＨＣｌガ
ス、Ｈ２ガス等のドライエッチング用ガスを使用するこ
とができ、使用電力、エッチング時間等を低減させる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明するに、図１、図２において１は、主と
してエピタキシャルウェーハを製造するための縦型のエ
ピタキシャル成長装置の炉内品である所謂サセプターの
裏面に付着したポリシリコンをドライエッチング方式で
除去するためのクリーニング装置本体を構成する、石英
等の材質から成るチャンバーである。このチャンバー１
内には、縦型タイプのエピタキシャル成長炉に使用する
中心部に開口を有するディスク状のサセプター２と、該
サセプター２上のポリシリコン付着部分３にＨＣｌガ
ス、Ｈ２ガス等の腐食性ガスである所謂ドライエッチン
グガスを吐出させるためのガス送入機構を備えた側面略
Ｔ字形状のガスノズル４を内包する容量を有する全体を
コンパクトにした構成としている。このＴ字形状のガス
ノズル４は、ドライエッチングガスを導く回転可能な中
心軸パイプ５を前記サセプター２の中心部開口２Ａに挿
入され、該中心軸パイプ５の上端に横向きにして１本の
ノズルパイプ６を連通状に架設したものであり、該ノズ
ルパイプ６の下側壁面には下方に配したサセプター２に
向けて単数または複数のガス吐出孔７を開穿している
（図１参照）。尚、図示を省略するが、ガスノズル４
は、サセプター２の中心からＴ字形状に突出させずに、
該サセプター２の角よりＬ字形状に突出させても良く、
あるいはサセプター２の下方にノズルパイプ６を設け、
この上側壁面に上方に配したサセプター２に向けて単数
または複数のガス吐出孔７を開穿した構成であっても良
い。
施の形態を説明するに、図１、図２において１は、主と
してエピタキシャルウェーハを製造するための縦型のエ
ピタキシャル成長装置の炉内品である所謂サセプターの
裏面に付着したポリシリコンをドライエッチング方式で
除去するためのクリーニング装置本体を構成する、石英
等の材質から成るチャンバーである。このチャンバー１
内には、縦型タイプのエピタキシャル成長炉に使用する
中心部に開口を有するディスク状のサセプター２と、該
サセプター２上のポリシリコン付着部分３にＨＣｌガ
ス、Ｈ２ガス等の腐食性ガスである所謂ドライエッチン
グガスを吐出させるためのガス送入機構を備えた側面略
Ｔ字形状のガスノズル４を内包する容量を有する全体を
コンパクトにした構成としている。このＴ字形状のガス
ノズル４は、ドライエッチングガスを導く回転可能な中
心軸パイプ５を前記サセプター２の中心部開口２Ａに挿
入され、該中心軸パイプ５の上端に横向きにして１本の
ノズルパイプ６を連通状に架設したものであり、該ノズ
ルパイプ６の下側壁面には下方に配したサセプター２に
向けて単数または複数のガス吐出孔７を開穿している
（図１参照）。尚、図示を省略するが、ガスノズル４
は、サセプター２の中心からＴ字形状に突出させずに、
該サセプター２の角よりＬ字形状に突出させても良く、
あるいはサセプター２の下方にノズルパイプ６を設け、
この上側壁面に上方に配したサセプター２に向けて単数
または複数のガス吐出孔７を開穿した構成であっても良
い。
【００１２】そして、ノズルパイプ６をチャンバー１外
部より回転駆動させる駆動機構が設けられていて、その
ためガスノズル４はサセプター２上で可動式となり、サ
セプター２上のポリシリコンが顕著に付着している箇所
に対応して任意の位置にガス吐出孔７を調整することが
できるようにしている（図２参照）。尚、図示は省略す
るが、前記中心軸パイプ５の上端において横向き放射方
向にノズルパイプ６が突出するように複数本のノズルパ
イプ６を連通状に架設して構成しても良い。
部より回転駆動させる駆動機構が設けられていて、その
ためガスノズル４はサセプター２上で可動式となり、サ
セプター２上のポリシリコンが顕著に付着している箇所
に対応して任意の位置にガス吐出孔７を調整することが
できるようにしている（図２参照）。尚、図示は省略す
るが、前記中心軸パイプ５の上端において横向き放射方
向にノズルパイプ６が突出するように複数本のノズルパ
イプ６を連通状に架設して構成しても良い。
【００１３】また、チャンバー１の周囲、例えば上部、
下部または両側面のいずれかには、略８００℃〜１２０
０℃の温度範囲にてドライエッチング工程を行うための
赤外線ランプによる輻射加熱方式あるいは高周波による
誘導加熱方式を用いた加熱装置８を配置させている。こ
のとき、チャンバー１内部での温度管理はバイロメー
タ、あるいはチャンバー１内に設置した熱電対によって
行ない、前記加熱装置の出力調整を行うようにしてい
る。さらに、チャンバー１の適宜周壁面には覗き窓を設
け、プロセス中、ポリシリコン除去状況を確認できるよ
うにしても良い。
下部または両側面のいずれかには、略８００℃〜１２０
０℃の温度範囲にてドライエッチング工程を行うための
赤外線ランプによる輻射加熱方式あるいは高周波による
誘導加熱方式を用いた加熱装置８を配置させている。こ
のとき、チャンバー１内部での温度管理はバイロメー
タ、あるいはチャンバー１内に設置した熱電対によって
行ない、前記加熱装置の出力調整を行うようにしてい
る。さらに、チャンバー１の適宜周壁面には覗き窓を設
け、プロセス中、ポリシリコン除去状況を確認できるよ
うにしても良い。
【００１４】さらに、前記チャンバー１をＳＵＳ、Ｓｉ
Ｃ、Ｓｉ等の材質により構成しても良く、この場合には
前記加熱装置８は高周波加熱方式に限定される。また、
ドライエッチングガスはＨＦガスでも可能である。さら
に、加熱装置８を赤外線ランプ等の輻射加熱方式に限定
すれば、サセプター２以外の部品、例えば石英ノズル、
石英ベディスタル等のドライエッチング装置としても使
用できる。
Ｃ、Ｓｉ等の材質により構成しても良く、この場合には
前記加熱装置８は高周波加熱方式に限定される。また、
ドライエッチングガスはＨＦガスでも可能である。さら
に、加熱装置８を赤外線ランプ等の輻射加熱方式に限定
すれば、サセプター２以外の部品、例えば石英ノズル、
石英ベディスタル等のドライエッチング装置としても使
用できる。
【００１５】尚、本実施の形態において、前記チャンバ
ー１をサセプターとガスノズルを内包する容量を有する
構成としているが、チャンバー１の大きさ、形状はサセ
プターが入るための必要最小限の大きさになることが可
能とするものであれば、これら条件に限定されることは
ないことは勿論である。
ー１をサセプターとガスノズルを内包する容量を有する
構成としているが、チャンバー１の大きさ、形状はサセ
プターが入るための必要最小限の大きさになることが可
能とするものであれば、これら条件に限定されることは
ないことは勿論である。
【００１６】また、本実施の形態において、エピタキシ
ャル成長工程後に、エピタキシャル成長炉に使用される
サセプター２の裏面に付着したポリシリコンを除去する
ためのドライエッチング工程を、エピタキシャル成長炉
とは別構成の、サセプター２とドライエッチング用のガ
スノズル４を内包するチャンバー１内にて行なうことに
より、従来ではエピタキシャル成長炉自体に一々サセプ
ター２を裏返して取付けることにより行なっていたサセ
プター２裏面のポリシリコン除去工程を代用させたクリ
ーニング方法に特徴を有するものとしている。
ャル成長工程後に、エピタキシャル成長炉に使用される
サセプター２の裏面に付着したポリシリコンを除去する
ためのドライエッチング工程を、エピタキシャル成長炉
とは別構成の、サセプター２とドライエッチング用のガ
スノズル４を内包するチャンバー１内にて行なうことに
より、従来ではエピタキシャル成長炉自体に一々サセプ
ター２を裏返して取付けることにより行なっていたサセ
プター２裏面のポリシリコン除去工程を代用させたクリ
ーニング方法に特徴を有するものとしている。
【００１７】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されており、
特にシリコンウェーハ製造の生産性を向上させ、エッチ
ングレートを増大させ、ＨＣｌガス、Ｈ２ガスの使用頻
度を最小限に抑え、消費電力、ドライエッチング時間を
低減することができる。
特にシリコンウェーハ製造の生産性を向上させ、エッチ
ングレートを増大させ、ＨＣｌガス、Ｈ２ガスの使用頻
度を最小限に抑え、消費電力、ドライエッチング時間を
低減することができる。
【図１】本発明の実施の形態を示したチャンバーの概略
正面図である。
正面図である。
【図２】同じくチャンバーの概略平面図である。
【図３】従来例の縦型タイプのエピタキシャル成長炉の
概略正面図である。
概略正面図である。
１…チャンバー ２…サセプター ３…ポリシリコン付着部分 ４…ガスノズル ５…中心軸パイプ ６…ノズルパイプ ７…ガス吐出孔 ８…加熱装置
Claims (7)
- 【請求項１】 底部中央に導入口を有するチャンバー
と、この導入口より挿入され前記チャンバー内にガス吹
き出し口が開口したガス導入管と、このガス導入管をチ
ャンバー外部より回転駆動する駆動機構と、ガス導入管
にガスを送入する送入機構とを有するクリーニング装置
であって、このチャンバー内部に収容される被洗浄物に
対し、前記ガス導入管が回転しながらガス吹き出し口か
ら腐食性ガスを吹き付けることにより被洗浄物表面に付
着した汚染物を除去するよう構成されたことを特徴とす
るエピタキシャル成長装置サセプターのクリーニング装
置。 - 【請求項２】 エピタキシャル成長工程後に、エピタキ
シャル成長炉に使用されるサセプターの表面に付着した
ポリシリコンを除去するためのドライエッチング工程に
おいて、エピタキシャル成長炉に使用されるサセプター
と、ガス吐出位置を可変とするドライエッチング用のガ
スノズルとを内包したチャンバーと、該チャンバーの少
なくとも上部、下部、側面のいずれかに配した温度管理
機能を有する出力調節可能な加熱装置とにより構成され
ているエピタキシャル成長装置サセプターのクリーニン
グ装置。 - 【請求項３】 前記ガス吐出位置の変更をサセプターま
たはガスノズルのいずれかもしくは両方が回転可能なノ
ズル調節用可動部により行なわせることを特徴とする請
求項２記載のエピタキシャル成長装置サセプターのクリ
ーニング装置。 - 【請求項４】 前記加熱装置は、高周波誘導加熱方式ま
たは赤外線輻射加熱方式のいずれかである請求項２記載
のエピタキシャル成長装置サセプターのクリーニング装
置。 - 【請求項５】 前記チャンバーに覗き窓を設けた請求項
２記載のエピタキシャル成長装置サセプターのクリーニ
ング装置。 - 【請求項６】 前記温度管理機能は、パイロメーターま
たはチャンバー内に設置した熱電対によるものである請
求項２記載のエピタキシャル成長装置サセプターのクリ
ーニング装置。 - 【請求項７】 エピタキシャル成長工程後に、エピタキ
シャル成長炉に使用されるサセプターの裏面に付着した
ポリシリコンを除去するためのドライエッチング工程
を、エピタキシャル成長炉とは別構成の、サセプターと
ドライエッチング用のガスノズルを内包するチャンバー
内にて行なうことにより、エピタキシャル成長炉自体を
用いて行なっていたサセプター裏面のポリシリコン除去
工程を代用させたことを特徴とするエピタキシャル成長
装置サセプターのクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7334396A JPH09232275A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | エピタキシャル成長装置サセプターのクリーニング 装置とその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7334396A JPH09232275A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | エピタキシャル成長装置サセプターのクリーニング 装置とその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232275A true JPH09232275A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=13515429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7334396A Withdrawn JPH09232275A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | エピタキシャル成長装置サセプターのクリーニング 装置とその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232275A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458982B1 (ko) * | 2000-08-09 | 2004-12-03 | 주성엔지니어링(주) | 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법 |
| WO2008078503A1 (ja) | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜方法 |
| WO2008078500A1 (ja) | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2012028385A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Nuflare Technology Inc | 半導体製造装置およびサセプタのクリーニング方法 |
| US8328943B2 (en) | 2006-12-25 | 2012-12-11 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and method |
-
1996
- 1996-02-20 JP JP7334396A patent/JPH09232275A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458982B1 (ko) * | 2000-08-09 | 2004-12-03 | 주성엔지니어링(주) | 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법 |
| WO2008078503A1 (ja) | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜方法 |
| WO2008078500A1 (ja) | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜方法 |
| US8328943B2 (en) | 2006-12-25 | 2012-12-11 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and method |
| US8440270B2 (en) | 2006-12-25 | 2013-05-14 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus and method |
| US8696814B2 (en) | 2006-12-25 | 2014-04-15 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus and film deposition method |
| JP2012028385A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Nuflare Technology Inc | 半導体製造装置およびサセプタのクリーニング方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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