JP2000216103A - 薄膜形成装置のクリ―ニング方法 - Google Patents
薄膜形成装置のクリ―ニング方法Info
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- JP2000216103A JP2000216103A JP11016804A JP1680499A JP2000216103A JP 2000216103 A JP2000216103 A JP 2000216103A JP 11016804 A JP11016804 A JP 11016804A JP 1680499 A JP1680499 A JP 1680499A JP 2000216103 A JP2000216103 A JP 2000216103A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】クリーニングが必要なサセプタやその周辺の部
品に選択的に洗浄用ガスを供給し速やかにエッチングを
なしえることを課題とする。 【解決手段】反応室２３と、この反応室２３内に配置さ
れウェハ２４を支持するサセプタ２５と、前記ウェハ２
４を加熱するヒータ２８と、前記反応室２３内に前記ウ
ェハ２４と対向するように配置された整流板とを具備す
る薄膜形成装置のクリーニング方法において、洗浄用ガ
スと希釈用ガスの混合ガスを円形整流板３１を通してサ
セプタ２５及びその近傍に流して反応室２３内に付着し
た不純物を除去することを特徴とする薄膜形成装置のク
リーニング方法。
品に選択的に洗浄用ガスを供給し速やかにエッチングを
なしえることを課題とする。 【解決手段】反応室２３と、この反応室２３内に配置さ
れウェハ２４を支持するサセプタ２５と、前記ウェハ２
４を加熱するヒータ２８と、前記反応室２３内に前記ウ
ェハ２４と対向するように配置された整流板とを具備す
る薄膜形成装置のクリーニング方法において、洗浄用ガ
スと希釈用ガスの混合ガスを円形整流板３１を通してサ
セプタ２５及びその近傍に流して反応室２３内に付着し
た不純物を除去することを特徴とする薄膜形成装置のク
リーニング方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜形成装置のクリ
ーニング方法に関し、特に熱処理により反応室内壁に生
じた反応生成物等の不純物を除去するもので、例えば半
導体装置，減圧ＣＶＤ（Ｃhemical Ｖapor Ｄepositio
n ）炉あるいはＰＶＤ（Ｐhysical ＶaporＤeposition
）炉等の薄膜形成装置のクリーニング方法に関する。
ーニング方法に関し、特に熱処理により反応室内壁に生
じた反応生成物等の不純物を除去するもので、例えば半
導体装置，減圧ＣＶＤ（Ｃhemical Ｖapor Ｄepositio
n ）炉あるいはＰＶＤ（Ｐhysical ＶaporＤeposition
）炉等の薄膜形成装置のクリーニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜形成用の反応炉のクリーニン
グにおいては、反応炉を所定の温度に加熱し、クリーニ
ング用ガス、例えばＣｌＦ3 ガスを不活性ガスで数％に
希釈して配管から直接導入し、クリーニングを行なって
いる。
グにおいては、反応炉を所定の温度に加熱し、クリーニ
ング用ガス、例えばＣｌＦ3 ガスを不活性ガスで数％に
希釈して配管から直接導入し、クリーニングを行なって
いる。
【０００３】図２は、従来の薄膜形成装置を示す。図中
の付番１は上部が開口された有底の筒状体であり、該筒
状体１の上部に設けられた蓋体としての天板２とともに
反応室３を構成している。この反応室３内には、ウェハ
４を支持するサセプタ５が配置されている。サセプタ５
の上部にはは開口部５ａが形成され、この開口部５ａに
ウェハ４が落とし込まれて配置される。前記開口部５ａ
の下部には、ウェハ４の均熱性を向上させるための均熱
板６が配置されている。
の付番１は上部が開口された有底の筒状体であり、該筒
状体１の上部に設けられた蓋体としての天板２とともに
反応室３を構成している。この反応室３内には、ウェハ
４を支持するサセプタ５が配置されている。サセプタ５
の上部にはは開口部５ａが形成され、この開口部５ａに
ウェハ４が落とし込まれて配置される。前記開口部５ａ
の下部には、ウェハ４の均熱性を向上させるための均熱
板６が配置されている。
【０００４】前記サセプタ５は、下方に配置された駆動
機構７により回転駆動するようになっている。前記サセ
プタ５の内側にはウェハ４を加熱するヒータ８が配置さ
れている。前記サセプタ５の外側寄りには、筒状の遮蔽
部材９が配置されている。前記反応室３の上部側壁に
は、ＣｌＦ3 （三弗化塩素）ガス＋Ｎ2 ガスを導入する
ためのガス導入管１０が設けられている。前記反応室３
の底部には、反応室３内の反応生成ガス等を排気するた
めの排気管１１が設けられている。
機構７により回転駆動するようになっている。前記サセ
プタ５の内側にはウェハ４を加熱するヒータ８が配置さ
れている。前記サセプタ５の外側寄りには、筒状の遮蔽
部材９が配置されている。前記反応室３の上部側壁に
は、ＣｌＦ3 （三弗化塩素）ガス＋Ｎ2 ガスを導入する
ためのガス導入管１０が設けられている。前記反応室３
の底部には、反応室３内の反応生成ガス等を排気するた
めの排気管１１が設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、こうした薄
膜形成装置のクリーニングでは、洗浄用ガスとしてのＣ
ｌＦ3 と希釈用ガスとしてのＮ2 ガスの混合ガスを、特
に整流の操作を行なうことなく反応室内に導入してい
る。従って、積層膜が付着した部品上に不均一にエッチ
ングガスが供給されるため、エッチング速度にムラが生
じ、最もクリーニングされにくい部分が律速となってエ
ッチング時間が決定される。このときエッチング速度の
速い部分はオーバーエッチングのためガスが無駄に消費
され、更に材料表面の損傷が促進されて寿命が短縮化す
る状況となっている。また、加熱してクリーニングを行
なう際には、ガス流速が速い部分で温度が低下し、エッ
チング速度に分布が生じる大きな要因となっていた。
膜形成装置のクリーニングでは、洗浄用ガスとしてのＣ
ｌＦ3 と希釈用ガスとしてのＮ2 ガスの混合ガスを、特
に整流の操作を行なうことなく反応室内に導入してい
る。従って、積層膜が付着した部品上に不均一にエッチ
ングガスが供給されるため、エッチング速度にムラが生
じ、最もクリーニングされにくい部分が律速となってエ
ッチング時間が決定される。このときエッチング速度の
速い部分はオーバーエッチングのためガスが無駄に消費
され、更に材料表面の損傷が促進されて寿命が短縮化す
る状況となっている。また、加熱してクリーニングを行
なう際には、ガス流速が速い部分で温度が低下し、エッ
チング速度に分布が生じる大きな要因となっていた。
【０００６】以上のような反応室３内のクリーニング時
間の不均一は、生産に寄与しないメンテナンス時間の増
大に繋がり、コスト削減の面から不都合であり改善が望
まれていた。
間の不均一は、生産に寄与しないメンテナンス時間の増
大に繋がり、コスト削減の面から不都合であり改善が望
まれていた。
【０００７】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、洗浄用ガスと希釈用ガスの混合ガスを整流板を
通してサセプタ及びその近傍に流して反応室内に付着し
た不純物を除去することにより、特にクリーニングが必
要なサセプタやその周辺の部品に選択的に混合ガスを供
給し速やかにエッチングをなしえる薄膜形成装置のクリ
ーニング方法を提供することを目的とする。
もので、洗浄用ガスと希釈用ガスの混合ガスを整流板を
通してサセプタ及びその近傍に流して反応室内に付着し
た不純物を除去することにより、特にクリーニングが必
要なサセプタやその周辺の部品に選択的に混合ガスを供
給し速やかにエッチングをなしえる薄膜形成装置のクリ
ーニング方法を提供することを目的とする。
【０００８】また、本発明は、反応室内でサセプタの周
囲に筒状の遮蔽板を設け、混合ガスを遮蔽板の内側に流
すと同時に、Ｎ2 ガスを遮蔽板の外側に流すことによ
り、効率的にクリーニングを行なうことができる薄膜形
成装置のクリーニング方法を提供することを目的とす
る。
囲に筒状の遮蔽板を設け、混合ガスを遮蔽板の内側に流
すと同時に、Ｎ2 ガスを遮蔽板の外側に流すことによ
り、効率的にクリーニングを行なうことができる薄膜形
成装置のクリーニング方法を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応室と、こ
の反応室内に配置されウェハを支持するサセプタと、前
記ウェハを加熱するヒータと、前記反応室内に前記ウェ
ハと対向するように配置された整流板とを具備する薄膜
形成装置のクリーニング方法において、洗浄用ガスと希
釈用ガスの混合ガスを前記整流板を通してサセプタ及び
その近傍に流して反応室内に付着した不純物を除去する
ことを特徴とする薄膜形成装置のクリーニング方法であ
る。
の反応室内に配置されウェハを支持するサセプタと、前
記ウェハを加熱するヒータと、前記反応室内に前記ウェ
ハと対向するように配置された整流板とを具備する薄膜
形成装置のクリーニング方法において、洗浄用ガスと希
釈用ガスの混合ガスを前記整流板を通してサセプタ及び
その近傍に流して反応室内に付着した不純物を除去する
ことを特徴とする薄膜形成装置のクリーニング方法であ
る。
【００１０】本発明において、前記反応室内でサセプタ
の周囲に筒状の遮蔽板を設け、前記混合ガスを遮蔽板の
内側に流すと同時に、Ｎ2 ガスを遮蔽板の外側に流すこ
とが望ましい。これにより、付着物の少ない反応室の壁
面はＮ2 ガスによりパージされ、整流板より流れる混合
ガスが到達し難く、付着物の多いサセプタ等の部材の方
へ有効に混合ガスを供給することができる。
の周囲に筒状の遮蔽板を設け、前記混合ガスを遮蔽板の
内側に流すと同時に、Ｎ2 ガスを遮蔽板の外側に流すこ
とが望ましい。これにより、付着物の少ない反応室の壁
面はＮ2 ガスによりパージされ、整流板より流れる混合
ガスが到達し難く、付着物の多いサセプタ等の部材の方
へ有効に混合ガスを供給することができる。
【００１１】本発明において、前記洗浄用ガスとしては
例えばＣｌＦ3 ガスであり、希釈用ガスとしては例えば
Ｎ2 ガスが挙げられるが、これらに限定されない。前記
ＣｌＦ3 ガスは室温で使用可能であるという利点を有す
る。
例えばＣｌＦ3 ガスであり、希釈用ガスとしては例えば
Ｎ2 ガスが挙げられるが、これらに限定されない。前記
ＣｌＦ3 ガスは室温で使用可能であるという利点を有す
る。
【００１２】本発明において、前記整流板としては、円
形シャワーヘッド型あるいはリング型のいずれかが挙げ
られる。また、整流板の厚さ、穴径とその分布及び配置
を変化させることにより、ガス流のコンダクタンス及び
流速やその分布等を調整することができ、各反応炉ごと
に最適の条件を提供できる。更に、コールドウォール型
装置で反応室壁面に付着物がつき難い場合には、円形シ
ャワーヘッド状の整流板の外側に、更にリング型シャワ
ーヘッドの整流板を取り付けて不活性ガスのみを流し、
壁面にはクリーニングガスが到達し難い状況を作り出す
ことも可能である。
形シャワーヘッド型あるいはリング型のいずれかが挙げ
られる。また、整流板の厚さ、穴径とその分布及び配置
を変化させることにより、ガス流のコンダクタンス及び
流速やその分布等を調整することができ、各反応炉ごと
に最適の条件を提供できる。更に、コールドウォール型
装置で反応室壁面に付着物がつき難い場合には、円形シ
ャワーヘッド状の整流板の外側に、更にリング型シャワ
ーヘッドの整流板を取り付けて不活性ガスのみを流し、
壁面にはクリーニングガスが到達し難い状況を作り出す
ことも可能である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例について
説明する。まず、本発明に係る薄膜形成装置の構成につ
いて図１（Ａ）〜（Ｃ）を参照して説明する。但し、図
１（Ａ）は同装置の全体図、図１（Ｂ）は同装置の円形
整流板の平面図、図１（Ｃ）は同装置のリング型整流板
の平面図を示す。
説明する。まず、本発明に係る薄膜形成装置の構成につ
いて図１（Ａ）〜（Ｃ）を参照して説明する。但し、図
１（Ａ）は同装置の全体図、図１（Ｂ）は同装置の円形
整流板の平面図、図１（Ｃ）は同装置のリング型整流板
の平面図を示す。
【００１４】図中の付番２１は上部が開口された有底の
筒状体であり、該筒状体２１の上部に設けられた蓋体と
しての天板２２とともに反応室２３を構成している。こ
の反応室２３内には、ウェハ２４を支持するサセプタ２
５が配置されている。サセプタ２５の上部には開口部２
５ａが形成され、この開口部２５ａにウェハ２４が落と
し込まれて配置される。前記開口部２５ａの下部には、
ウェハ２４の均熱性を向上させるための均熱板２６が配
置されている。
筒状体であり、該筒状体２１の上部に設けられた蓋体と
しての天板２２とともに反応室２３を構成している。こ
の反応室２３内には、ウェハ２４を支持するサセプタ２
５が配置されている。サセプタ２５の上部には開口部２
５ａが形成され、この開口部２５ａにウェハ２４が落と
し込まれて配置される。前記開口部２５ａの下部には、
ウェハ２４の均熱性を向上させるための均熱板２６が配
置されている。
【００１５】前記サセプタ２５は、下方に配置された駆
動機構２７により回転駆動するようになっている。前記
サセプタ２５の内側にはウェハ２４を加熱するヒータ２
８が配置されている。前記サセプタ２５の外側寄りに
は、筒状の遮蔽部材２９が配置されている。前記筒状体
２１の上部には環状の支持部材３０が取り付けられてい
る。この支持部材３０の内側には、図１（Ｂ）に示すよ
うに格子状に細孔３１ａが多数形成された第１の整流板
（円形整流板）３１が前記ウェハ２４と平行に配置され
ている。前記筒状体２１と支持部材３０間には、複数の
細孔３２ａを周状に形成した第２の整流板（リング型整
流板）３２が配置されている。ここで、円形整流板３１
は遮蔽部材２９の内側の領域に対応した位置に配置され
ており、リング型整流板３２は遮蔽部材２９と筒状体２
１間の領域に対応した位置に配置されている。
動機構２７により回転駆動するようになっている。前記
サセプタ２５の内側にはウェハ２４を加熱するヒータ２
８が配置されている。前記サセプタ２５の外側寄りに
は、筒状の遮蔽部材２９が配置されている。前記筒状体
２１の上部には環状の支持部材３０が取り付けられてい
る。この支持部材３０の内側には、図１（Ｂ）に示すよ
うに格子状に細孔３１ａが多数形成された第１の整流板
（円形整流板）３１が前記ウェハ２４と平行に配置され
ている。前記筒状体２１と支持部材３０間には、複数の
細孔３２ａを周状に形成した第２の整流板（リング型整
流板）３２が配置されている。ここで、円形整流板３１
は遮蔽部材２９の内側の領域に対応した位置に配置され
ており、リング型整流板３２は遮蔽部材２９と筒状体２
１間の領域に対応した位置に配置されている。
【００１６】前記反応室２３の上部側壁には、前記支持
部材３０，円形整流板３１と天板２２で囲まれた領域Ａ
に、洗浄用ガスとしてのＣｌＦ3 ガスと希釈用ガスとし
てのＮ2 ガスを導入するためのガス導入管３３が設けら
れている。前記ガス導入管３３より下部の反応室２３の
側壁には、前記支持部材３０，リング型整流板３２及び
筒状体２１で囲まれた領域Ｂに、Ｎ2 ガスを導入するた
めのガス導入管３４が設けられている。前記反応室２３
の底部には、反応室２３内の反応生成ガス等を排気する
ための排気管３５が設けられている。
部材３０，円形整流板３１と天板２２で囲まれた領域Ａ
に、洗浄用ガスとしてのＣｌＦ3 ガスと希釈用ガスとし
てのＮ2 ガスを導入するためのガス導入管３３が設けら
れている。前記ガス導入管３３より下部の反応室２３の
側壁には、前記支持部材３０，リング型整流板３２及び
筒状体２１で囲まれた領域Ｂに、Ｎ2 ガスを導入するた
めのガス導入管３４が設けられている。前記反応室２３
の底部には、反応室２３内の反応生成ガス等を排気する
ための排気管３５が設けられている。
【００１７】こうした構成の装置において、ウェハ２４
の処理が一定量終了した後、ウェハ２４をサセプタ２５
から外した状態でガス導入管３３からＣｌＦ3 ガスとＮ
2 ガスの混合ガスを円形整流板３１を通じて流し、同時
にガス導入管３４からＮ2 ガスをリング型整流板３２を
通じて流しながら、クリーニングを行う。コールドウォ
ール型炉のため、もともと付着物の少ない反応室２３の
壁面はリング型整流板３２より流れるＮ2 ガスによりパ
ージされ、円形整流板３１より流れる混合ガスが到達し
難く、付着物の多いサセプタ２５及び均熱板２６の方へ
有効に混合ガスが供給される。
の処理が一定量終了した後、ウェハ２４をサセプタ２５
から外した状態でガス導入管３３からＣｌＦ3 ガスとＮ
2 ガスの混合ガスを円形整流板３１を通じて流し、同時
にガス導入管３４からＮ2 ガスをリング型整流板３２を
通じて流しながら、クリーニングを行う。コールドウォ
ール型炉のため、もともと付着物の少ない反応室２３の
壁面はリング型整流板３２より流れるＮ2 ガスによりパ
ージされ、円形整流板３１より流れる混合ガスが到達し
難く、付着物の多いサセプタ２５及び均熱板２６の方へ
有効に混合ガスが供給される。
【００１８】このように、上記実施例に係るクリーニン
グ方法によれば、ＣｌＦ3 ガスとＮ 2 ガスの混合ガスを
円形整流板３１の細孔３１ａより流すと同時に、Ｎ2 ガ
スをリング型整流板３２の細孔３２ａより流しながらク
リーニングを行う。従って、反応室２１内の流れの分布
を調整し、付着物の多い個所に選択的にクリーニング用
ガスを供給することができ、付着物膜厚の分布がある場
合に効率的にクリーニングを行うことができる。その結
果、クリーニングガスの使用量を削減できるとともに、
クリーニング時間短縮が見込まれ、コスト削減に繋が
る。特に、上記実施例では、円形整流板３１及びリング
型整流板３２を用いて混合ガスとＮ2 ガスを遮蔽板２９
の内側，外側に夫々流すようにしているため、付着物の
少ない反応室２３の壁面はリング型整流板３２より流れ
るＮ2 ガスによりパージされ、円形整流板３１より流れ
る混合ガスが到達し難く、付着物の多いサセプタ２５及
び均熱板２６の方へ有効に混合ガスを供給することがで
きる。
グ方法によれば、ＣｌＦ3 ガスとＮ 2 ガスの混合ガスを
円形整流板３１の細孔３１ａより流すと同時に、Ｎ2 ガ
スをリング型整流板３２の細孔３２ａより流しながらク
リーニングを行う。従って、反応室２１内の流れの分布
を調整し、付着物の多い個所に選択的にクリーニング用
ガスを供給することができ、付着物膜厚の分布がある場
合に効率的にクリーニングを行うことができる。その結
果、クリーニングガスの使用量を削減できるとともに、
クリーニング時間短縮が見込まれ、コスト削減に繋が
る。特に、上記実施例では、円形整流板３１及びリング
型整流板３２を用いて混合ガスとＮ2 ガスを遮蔽板２９
の内側，外側に夫々流すようにしているため、付着物の
少ない反応室２３の壁面はリング型整流板３２より流れ
るＮ2 ガスによりパージされ、円形整流板３１より流れ
る混合ガスが到達し難く、付着物の多いサセプタ２５及
び均熱板２６の方へ有効に混合ガスを供給することがで
きる。
【００１９】なお、上記実施例では、リング型整流板３
２及びガス導入管３４を設けた場合について述べたが、
これに限らず、これらの部材を省いてもよい。また、上
記実施例では、反応性ガスと不活性なガスとしてＮ2 を
用いた場合について述べたが、これに限らず、Ｈｅ，Ａ
ｒなどの不活性ガスを用いてもよい。
２及びガス導入管３４を設けた場合について述べたが、
これに限らず、これらの部材を省いてもよい。また、上
記実施例では、反応性ガスと不活性なガスとしてＮ2 を
用いた場合について述べたが、これに限らず、Ｈｅ，Ａ
ｒなどの不活性ガスを用いてもよい。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、洗
浄用ガスと希釈用ガスの混合ガスを整流板を通してサセ
プタ及びその近傍に流して反応室内に付着した不純物を
除去することにより、特にクリーニングが必要なサセプ
タやその周辺の部品に選択的に混合ガスを供給し速やか
にエッチングをなしえる薄膜形成装置のクリーニング方
法を提供できる。
浄用ガスと希釈用ガスの混合ガスを整流板を通してサセ
プタ及びその近傍に流して反応室内に付着した不純物を
除去することにより、特にクリーニングが必要なサセプ
タやその周辺の部品に選択的に混合ガスを供給し速やか
にエッチングをなしえる薄膜形成装置のクリーニング方
法を提供できる。
【００２１】また、本発明によれば、反応室内でサセプ
タの周囲に筒状の遮蔽板を設け、混合ガスを遮蔽板の内
側に流すと同時に、Ｎ2 ガスを遮蔽板の外側に流すこと
により、効率的にクリーニングを行なうことができる薄
膜形成装置のクリーニング方法を提供できる。
タの周囲に筒状の遮蔽板を設け、混合ガスを遮蔽板の内
側に流すと同時に、Ｎ2 ガスを遮蔽板の外側に流すこと
により、効率的にクリーニングを行なうことができる薄
膜形成装置のクリーニング方法を提供できる。
【図１】本発明の一実施例に係る薄膜形成装置の説明
図。
図。
【図２】従来の薄膜形成装置の説明図。
２１…筒状体、 ２２…天板、 ２３…反応室、 ２４…ウェハ、 ２５…サセプタ、 ２６…均熱板、 ２７…駆動機構、 ２８…ヒータ、 ２９…遮蔽板、 ３０…支持部材、 ３１…第１の整流板（円形整流板）、 ３２…第２の整流板（リング型整流板）、 ３３，３４…ガス導入管、 ３５…排気管。
Claims (4)
- 【請求項１】 反応室と、この反応室内に配置されウェ
ハを支持するサセプタと、前記ウェハを加熱するヒータ
と、前記反応室内に前記ウェハと対向するように配置さ
れた整流板とを具備する薄膜形成装置のクリーニング方
法において、洗浄用ガスと希釈用ガスの混合ガスを前記
整流板を通してサセプタ及びその近傍に流して反応室内
に付着した不純物を除去することを特徴とする薄膜形成
装置のクリーニング方法。 - 【請求項２】 前記反応室内でサセプタの周囲に筒状の
遮蔽板を設け、前記混合ガスを遮蔽板の内側に流すと同
時に、Ｎ2 ガスを遮蔽板の外側に流すことを特徴とする
請求項１記載の薄膜形成装置のクリーニング方法。 - 【請求項３】 前記洗浄用ガスはＣｌＦ3 ガスであり、
希釈用ガスはＮ2 ガスであることを特徴とする請求項１
記載の薄膜形成装置のクリーニング方法。 - 【請求項４】 前記整流板は、円形シャワーヘッド型あ
るいはリング型のいずれかであることを特徴とする請求
項１記載の薄膜形成装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11016804A JP2000216103A (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 薄膜形成装置のクリ―ニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11016804A JP2000216103A (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 薄膜形成装置のクリ―ニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000216103A true JP2000216103A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=11926351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11016804A Pending JP2000216103A (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 薄膜形成装置のクリ―ニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000216103A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101073373B1 (ko) | 2009-06-17 | 2011-10-13 | 주식회사 원익아이피에스 | 샤워헤드 및 이를 이용한 기판처리장치 |
| JP2012204685A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Toyota Central R&D Labs Inc | 表面処理装置 |
| JP2013207196A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
| WO2019131614A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-04 | 株式会社エー・シー・イー | 気相成長装置及び気相成長システム |
-
1999
- 1999-01-26 JP JP11016804A patent/JP2000216103A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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