JPH07147248A - Ｃｖｄ装置のガス吹き出しノズル - Google Patents
Ｃｖｄ装置のガス吹き出しノズルInfo
- Publication number
- JPH07147248A JPH07147248A JP31601493A JP31601493A JPH07147248A JP H07147248 A JPH07147248 A JP H07147248A JP 31601493 A JP31601493 A JP 31601493A JP 31601493 A JP31601493 A JP 31601493A JP H07147248 A JPH07147248 A JP H07147248A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- blowing nozzle
- opaque
- gas blowing
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 縦型の気相成長装置において、塩化物の水素
還元反応によって発生するＨＣｌガスにより、ガス吹き
出しノズルとして用いる石英ガラス管の下部に接続した
ステンレス鋼管が腐食する。この腐食の進行を遅らせる
ことができるようにする。 【構成】 ガス吹き出しノズル１は、軸心に反応ガスを
通す穴１ａを備え、軸心と直角の方向に複数個のガス吹
き出し穴１ｂが設けられ、大径部下端には反応ガスを供
給するステンレス鋼管の上端を嵌着する段付き穴１ｃが
設けられている。前記ガス吹き出しノズル１を不透明石
英ガラスによって構成するか、または透明石英ガラスの
外側表面全体をエッチング加工して不透明とする。その
他、部分的に不透明石英ガラスを接合してもよい。前記
不透明部分により熱伝導率および光の透過率が小さくな
るので、ステンレス鋼管の温度上昇が緩和され、腐食の
進行を遅らせることができる。
還元反応によって発生するＨＣｌガスにより、ガス吹き
出しノズルとして用いる石英ガラス管の下部に接続した
ステンレス鋼管が腐食する。この腐食の進行を遅らせる
ことができるようにする。 【構成】 ガス吹き出しノズル１は、軸心に反応ガスを
通す穴１ａを備え、軸心と直角の方向に複数個のガス吹
き出し穴１ｂが設けられ、大径部下端には反応ガスを供
給するステンレス鋼管の上端を嵌着する段付き穴１ｃが
設けられている。前記ガス吹き出しノズル１を不透明石
英ガラスによって構成するか、または透明石英ガラスの
外側表面全体をエッチング加工して不透明とする。その
他、部分的に不透明石英ガラスを接合してもよい。前記
不透明部分により熱伝導率および光の透過率が小さくな
るので、ステンレス鋼管の温度上昇が緩和され、腐食の
進行を遅らせることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＶＤ装置のガス吹き
出しノズルに関する。
出しノズルに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子製造工程において、シリコン
基板上に絶縁膜、電極配線膜、半導体膜などを形成する
手段の一つとしてＣＶＤ装置が用いられている。前記Ｃ
ＶＤ装置は、薄膜材料を構成する元素からなる一種また
は数種の化合物ガス、単体ガスをを基板上に供給し、気
相または基板表面での化学反応により所望の薄膜を形成
させる装置で、ガス分子は一般的には熱エネルギーやプ
ラズマ放電により励起される。
基板上に絶縁膜、電極配線膜、半導体膜などを形成する
手段の一つとしてＣＶＤ装置が用いられている。前記Ｃ
ＶＤ装置は、薄膜材料を構成する元素からなる一種また
は数種の化合物ガス、単体ガスをを基板上に供給し、気
相または基板表面での化学反応により所望の薄膜を形成
させる装置で、ガス分子は一般的には熱エネルギーやプ
ラズマ放電により励起される。
【０００３】図６は縦型の気相成長装置の一例を模式的
に示したものである。同図において透明な石英ガラス製
のベルジャ６は水冷ジャケット７によって被覆され、前
記ベルジャ６の中心にガス吹き出しノズル８が垂直に設
けられている。前記ガス吹き出しノズル８は透明な石英
ガラス管によって構成され、上端近傍に複数個のガス吹
き出し穴が設けられている。ガス吹き出しノズル８の下
端には反応ガスを供給するステンレス鋼管９が接続され
ている。反応ガスは前記ガス吹き出し穴から放射状に噴
出し、回転するサセプタ１０に載置されたシリコンウー
ェハ１１に均等に当たる。前記サセプタ１０の下方には
高周波コイル１２が設置されている。
に示したものである。同図において透明な石英ガラス製
のベルジャ６は水冷ジャケット７によって被覆され、前
記ベルジャ６の中心にガス吹き出しノズル８が垂直に設
けられている。前記ガス吹き出しノズル８は透明な石英
ガラス管によって構成され、上端近傍に複数個のガス吹
き出し穴が設けられている。ガス吹き出しノズル８の下
端には反応ガスを供給するステンレス鋼管９が接続され
ている。反応ガスは前記ガス吹き出し穴から放射状に噴
出し、回転するサセプタ１０に載置されたシリコンウー
ェハ１１に均等に当たる。前記サセプタ１０の下方には
高周波コイル１２が設置されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】塩化物の水素還元反応
を利用するシリコンウーェハの気相成長において、前記
水素還元反応によって発生するＨＣｌガスにより、ステ
ンレス鋼管が腐食される。この腐食は高温の雰囲気であ
るためその進行が速く、気相成長膜が重金属によって汚
染される原因の一つとなっている。本発明は上記従来の
問題点に着目してなされたもので、ガス吹き出しノズル
の下部に接続したステンレス鋼管の腐食の進行を遅らせ
ることができるようなＣＶＤ装置のガス吹き出しノズル
を提供することを目的としている。
を利用するシリコンウーェハの気相成長において、前記
水素還元反応によって発生するＨＣｌガスにより、ステ
ンレス鋼管が腐食される。この腐食は高温の雰囲気であ
るためその進行が速く、気相成長膜が重金属によって汚
染される原因の一つとなっている。本発明は上記従来の
問題点に着目してなされたもので、ガス吹き出しノズル
の下部に接続したステンレス鋼管の腐食の進行を遅らせ
ることができるようなＣＶＤ装置のガス吹き出しノズル
を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るＣＶＤ装置のガス吹き出しノズルは、
ベルジャの中心に垂直に設けたガス吹き出しノズルと、
このガス吹き出しノズルに接続するステンレス鋼からな
るガス供給管と、前記ガス吹き出しノズルの周囲に回転
するサセプタと、前記サセプタの下方に設けた高周波コ
イルとを有する縦型のＣＶＤ装置において、前記ガス吹
き出しノズルを不透明石英ガラスで構成したことを特徴
とし、または、ガス吹き出しノズルに透明石英ガラスを
用い、その外側表面にエッチング加工を施して不透明と
したものを用いてもよく、あるいは、ガス吹き出しノズ
ルが、透明石英ガラスからなる部分と、複数個の不透明
石英ガラスからなる部分とを接合して構成したものでも
よい。更には、透明石英ガラスからなるガス吹き出しノ
ズルの頂部に不透明石英ガラスからなる蓋を接合し、ま
たは透明石英ガラスからなる蓋の表面にエッチング加工
を施して不透明としたものでもよい。
め、本発明に係るＣＶＤ装置のガス吹き出しノズルは、
ベルジャの中心に垂直に設けたガス吹き出しノズルと、
このガス吹き出しノズルに接続するステンレス鋼からな
るガス供給管と、前記ガス吹き出しノズルの周囲に回転
するサセプタと、前記サセプタの下方に設けた高周波コ
イルとを有する縦型のＣＶＤ装置において、前記ガス吹
き出しノズルを不透明石英ガラスで構成したことを特徴
とし、または、ガス吹き出しノズルに透明石英ガラスを
用い、その外側表面にエッチング加工を施して不透明と
したものを用いてもよく、あるいは、ガス吹き出しノズ
ルが、透明石英ガラスからなる部分と、複数個の不透明
石英ガラスからなる部分とを接合して構成したものでも
よい。更には、透明石英ガラスからなるガス吹き出しノ
ズルの頂部に不透明石英ガラスからなる蓋を接合し、ま
たは透明石英ガラスからなる蓋の表面にエッチング加工
を施して不透明としたものでもよい。
【０００６】
【作用】不透明石英ガラスは内部に気泡を含んでいるた
め、透明石英ガラスに比べて純度は低いが熱伝導率およ
び光の透過率が小さい。上記構成によれば、ガス吹き出
しノズル全体を不透明石英ガラスで構成し、または透明
石英ガラスの外側表面にエッチング加工を施して不透明
としたもの、もしくは透明石英ガラスと不透明石英ガラ
スとを接合したもの、あるいは頂部端面を不透明とした
ものを用いることとしたので、従来の透明石英ガラス製
のものと比べて熱伝導率や光の透過率が小さくなる。従
って、ガス吹き出しノズルに接続するステンレス鋼管が
加熱される条件は緩和され、腐食の進行を遅らせること
ができる。
め、透明石英ガラスに比べて純度は低いが熱伝導率およ
び光の透過率が小さい。上記構成によれば、ガス吹き出
しノズル全体を不透明石英ガラスで構成し、または透明
石英ガラスの外側表面にエッチング加工を施して不透明
としたもの、もしくは透明石英ガラスと不透明石英ガラ
スとを接合したもの、あるいは頂部端面を不透明とした
ものを用いることとしたので、従来の透明石英ガラス製
のものと比べて熱伝導率や光の透過率が小さくなる。従
って、ガス吹き出しノズルに接続するステンレス鋼管が
加熱される条件は緩和され、腐食の進行を遅らせること
ができる。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明に係るＣＶＤ装置のガス吹き
出しノズルの実施例について、図面を参照して説明す
る。図１は請求項１に基づくガス吹き出しノズルの断面
説明図で、図の左端が頂部となる。このガス吹き出しノ
ズル１は、上部外径が小さく、サセプタ取り付け位置よ
り下の部分の外径が大きい段付きの管で、軸心に反応ガ
スを通す穴１ａを備えている。小径部には複数個のガス
吹き出し穴１ｂが軸心と直角の方向に設けられ、大径部
下端にはガス吹き出しノズルに反応ガスを供給するステ
ンレス鋼管の上端を嵌着する段付き穴１ｃが設けられて
いる。また、前記小径部の上端は蓋１ｄによって封止さ
れている。前記ガス吹き出しノズル１はすべて不透明石
英ガラスによって構成されている。
出しノズルの実施例について、図面を参照して説明す
る。図１は請求項１に基づくガス吹き出しノズルの断面
説明図で、図の左端が頂部となる。このガス吹き出しノ
ズル１は、上部外径が小さく、サセプタ取り付け位置よ
り下の部分の外径が大きい段付きの管で、軸心に反応ガ
スを通す穴１ａを備えている。小径部には複数個のガス
吹き出し穴１ｂが軸心と直角の方向に設けられ、大径部
下端にはガス吹き出しノズルに反応ガスを供給するステ
ンレス鋼管の上端を嵌着する段付き穴１ｃが設けられて
いる。また、前記小径部の上端は蓋１ｄによって封止さ
れている。前記ガス吹き出しノズル１はすべて不透明石
英ガラスによって構成されている。
【０００８】図２は請求項２に基づくガス吹き出しノズ
ルの断面説明図で、前記ノズルの外面に沿って鎖線を施
した部分はエッチング加工を示す。このガス吹き出しノ
ズル２は透明石英ガラスからなり、外側表面全体にエッ
チング加工を施してその全面を不透明としたものであ
る。なお、ガス吹き出しノズル２の形状は図１と同一で
ある。
ルの断面説明図で、前記ノズルの外面に沿って鎖線を施
した部分はエッチング加工を示す。このガス吹き出しノ
ズル２は透明石英ガラスからなり、外側表面全体にエッ
チング加工を施してその全面を不透明としたものであ
る。なお、ガス吹き出しノズル２の形状は図１と同一で
ある。
【０００９】図３は請求項３の第１実施例に基づくガス
吹き出しノズルの断面説明図で、形状は図１と同一であ
る。このガス吹き出しノズル３の小径部全体および大径
部の上端部分には透明石英ガラス３ａが用いられ、前記
大径部の上端部分に続くその下方の部分は不透明石英ガ
ラス３ｂと透明石英ガラス３ａとを交互に接合して構成
されている。本第１実施例においては３箇所に等間隔に
不透明石英ガラスが用いられている。
吹き出しノズルの断面説明図で、形状は図１と同一であ
る。このガス吹き出しノズル３の小径部全体および大径
部の上端部分には透明石英ガラス３ａが用いられ、前記
大径部の上端部分に続くその下方の部分は不透明石英ガ
ラス３ｂと透明石英ガラス３ａとを交互に接合して構成
されている。本第１実施例においては３箇所に等間隔に
不透明石英ガラスが用いられている。
【００１０】図４は請求項３の第２実施例に基づくガス
吹き出しノズルの断面説明図で、形状は図１と同一であ
る。このガス吹き出しノズル４も上記第１実施例と同じ
く大径部が不透明石英ガラス４ｂと透明石英ガラス４ａ
とを交互に接合して構成されている。第２実施例の場合
は５箇所に等間隔に不透明石英ガラスが用いられてい
る。
吹き出しノズルの断面説明図で、形状は図１と同一であ
る。このガス吹き出しノズル４も上記第１実施例と同じ
く大径部が不透明石英ガラス４ｂと透明石英ガラス４ａ
とを交互に接合して構成されている。第２実施例の場合
は５箇所に等間隔に不透明石英ガラスが用いられてい
る。
【００１１】図３および図４において、不透明石英ガラ
スと透明石英ガラスとを交互に接合する代わりに、ガス
吹き出しノズル全体を透明石英ガラスで構成した上、所
定の箇所たとえば図３、図４において不透明石英ガラス
を配設した箇所の外周にエッチング加工を施して不透明
としてもよい。
スと透明石英ガラスとを交互に接合する代わりに、ガス
吹き出しノズル全体を透明石英ガラスで構成した上、所
定の箇所たとえば図３、図４において不透明石英ガラス
を配設した箇所の外周にエッチング加工を施して不透明
としてもよい。
【００１２】図５は請求項４に基づくガス吹き出しノズ
ルの断面説明図で、形状は図１と同一である。このガス
吹き出しノズル５の上端は不透明石英ガラス製の蓋５ａ
を接合することによって封止され、前記蓋５ａを除く他
の部分は透明石英ガラスによって構成されている。ガス
吹き出しノズル全体に透明石英ガラスを用いた上、蓋の
表面をエッチング加工して不透明としてもよい。
ルの断面説明図で、形状は図１と同一である。このガス
吹き出しノズル５の上端は不透明石英ガラス製の蓋５ａ
を接合することによって封止され、前記蓋５ａを除く他
の部分は透明石英ガラスによって構成されている。ガス
吹き出しノズル全体に透明石英ガラスを用いた上、蓋の
表面をエッチング加工して不透明としてもよい。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ガ
ス吹き出しノズルを構成する石英ガラス管の一部または
全部に不透明石英ガラスあるいは透明石英ガラスの外側
表面をエッチング加工して不透明としたものを用いるこ
とによって、前記石英ガラス管の熱伝導率および光の透
過率を下げ、石英ガラス管の下部に接続したステンレス
鋼管の温度条件を緩和することにしたので、前記ステン
レス鋼管の腐食の進行を従来よりも遅らせることができ
る。これにより、ＣＶＤ成長膜に対する重金属汚染原因
の一つが解消され、高品質の半導体素子を製造すること
が可能となる。
ス吹き出しノズルを構成する石英ガラス管の一部または
全部に不透明石英ガラスあるいは透明石英ガラスの外側
表面をエッチング加工して不透明としたものを用いるこ
とによって、前記石英ガラス管の熱伝導率および光の透
過率を下げ、石英ガラス管の下部に接続したステンレス
鋼管の温度条件を緩和することにしたので、前記ステン
レス鋼管の腐食の進行を従来よりも遅らせることができ
る。これにより、ＣＶＤ成長膜に対する重金属汚染原因
の一つが解消され、高品質の半導体素子を製造すること
が可能となる。
【図１】全体を不透明石英ガラスで構成したガス吹き出
しノズルの断面説明図である。
しノズルの断面説明図である。
【図２】透明石英ガラスの外側表面全体をエッチング加
工して不透明としたガス吹き出しノズルの断面説明図で
ある。
工して不透明としたガス吹き出しノズルの断面説明図で
ある。
【図３】透明石英ガラスと不透明石英ガラスとを接合し
て構成したガス吹き出しノズルの第１実施例を示す断面
説明図である。
て構成したガス吹き出しノズルの第１実施例を示す断面
説明図である。
【図４】透明石英ガラスと不透明石英ガラスとを接合し
て構成したガス吹き出しノズルの第２実施例を示す断面
説明図である。
て構成したガス吹き出しノズルの第２実施例を示す断面
説明図である。
【図５】頂部端面に不透明石英ガラスを用いたガス吹き
出しノズルの断面説明図である。
出しノズルの断面説明図である。
【図６】縦型の気相成長装置の模式的断面図である。
１，２，３，４，５，８…ガス吹き出しノズル、１ｄ，
５ａ…蓋、３ａ，４ａ…透明石英ガラス、３ｂ，４ｂ…
不透明石英ガラス、６…ベルジャ、９…ステンレス鋼
管、１０…サセプタ、１２…高周波コイル。
５ａ…蓋、３ａ，４ａ…透明石英ガラス、３ｂ，４ｂ…
不透明石英ガラス、６…ベルジャ、９…ステンレス鋼
管、１０…サセプタ、１２…高周波コイル。
Claims (4)
- 【請求項１】 ベルジャの中心に垂直に設けたガス吹き
出しノズルと、このガス吹き出しノズルに接続するステ
ンレス鋼からなるガス供給管と、前記ガス吹き出しノズ
ルの周囲に回転するサセプタと、前記サセプタの下方に
設けた高周波コイルとを有する縦型のＣＶＤ装置におい
て、前記ガス吹き出しノズルを不透明石英ガラスで構成
したことを特徴とするＣＶＤ装置のガス吹き出しノズ
ル。 - 【請求項２】 ガス吹き出しノズルに透明石英ガラスを
用い、その外側表面にエッチング加工を施して不透明と
したことを特徴とする請求項１のＣＶＤ装置のガス吹き
出しノズル。 - 【請求項３】 ガス吹き出しノズルが、透明石英ガラス
からなる部分と、複数個の不透明石英ガラスからなる部
分とを接合して構成したものであることを特徴とする請
求項１のＣＶＤ装置のガス吹き出しノズル。 - 【請求項４】 透明石英ガラスからなるガス吹き出しノ
ズルの頂部に不透明石英ガラスからなる蓋を接合し、ま
たは透明石英ガラスからなる蓋の表面にエッチング加工
を施して不透明としたことを特徴とする請求項１のＣＶ
Ｄ装置のガス吹き出しノズル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31601493A JP3183599B2 (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | Ｃｖｄ装置のガス吹き出しノズル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31601493A JP3183599B2 (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | Ｃｖｄ装置のガス吹き出しノズル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07147248A true JPH07147248A (ja) | 1995-06-06 |
| JP3183599B2 JP3183599B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=18072296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31601493A Expired - Lifetime JP3183599B2 (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | Ｃｖｄ装置のガス吹き出しノズル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3183599B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100907458B1 (ko) * | 2007-05-25 | 2009-07-10 | 우원전자 주식회사 | 가스 스쿠루버용 금속 배관 |
| CN103320763A (zh) * | 2012-03-21 | 2013-09-25 | 日立电线株式会社 | 金属氯化物气体产生装置、氢化物气相沉积装置以及氮化物半导体模板的制造方法 |
| JP2017118129A (ja) * | 2012-03-21 | 2017-06-29 | 住友化学株式会社 | 窒化物半導体自立基板の製造方法 |
| KR20200111247A (ko) * | 2018-03-28 | 2020-09-28 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 가스 노즐, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
-
1993
- 1993-11-22 JP JP31601493A patent/JP3183599B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100907458B1 (ko) * | 2007-05-25 | 2009-07-10 | 우원전자 주식회사 | 가스 스쿠루버용 금속 배관 |
| CN103320763A (zh) * | 2012-03-21 | 2013-09-25 | 日立电线株式会社 | 金属氯化物气体产生装置、氢化物气相沉积装置以及氮化物半导体模板的制造方法 |
| JP2013225648A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-10-31 | Hitachi Cable Ltd | 金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置及び窒化物半導体テンプレートの製造方法 |
| JP2017118129A (ja) * | 2012-03-21 | 2017-06-29 | 住友化学株式会社 | 窒化物半導体自立基板の製造方法 |
| KR20200111247A (ko) * | 2018-03-28 | 2020-09-28 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 가스 노즐, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
| CN111868897A (zh) * | 2018-03-28 | 2020-10-30 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、气体喷嘴及半导体装置的制造方法 |
| JPWO2019188017A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2021-02-25 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、ガスノズルおよび半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3183599B2 (ja) | 2001-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006066432A (ja) | 石英治具及び半導体製造装置 | |
| JP2000216136A (ja) | 改良されたガスディストリビュ―タを有する処理チャンバ及び製造方法 | |
| JPH0992494A (ja) | Ｃｖｄ装置の電極装置 | |
| KR200475462Y1 (ko) | 플라즈마 처리 장치의 교체 가능한 상부 챔버 섹션 | |
| JP7419779B2 (ja) | サセプタ及び化学気相成長装置 | |
| JPH07147248A (ja) | Ｃｖｄ装置のガス吹き出しノズル | |
| JP2009071210A (ja) | サセプタおよびエピタキシャル成長装置 | |
| KR20050021459A (ko) | 대구경 ｓｉｃ 웨이퍼 및 그 제조 방법 | |
| JP3131860B2 (ja) | 成膜処理装置 | |
| JP3666952B2 (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JP3131855B2 (ja) | 成膜処理方法及びその装置 | |
| JP2007180132A (ja) | サセプタ及びそのサセプタを用いたｃｖｄ装置 | |
| JPH1041251A (ja) | Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ方法 | |
| KR20010002399A (ko) | 화학기상증착 설비 | |
| JPH092892A (ja) | 半導体単結晶引き上げ装置 | |
| JPH0582450A (ja) | 半導体装置製造用気相反応装置 | |
| TW202039915A (zh) | 用於mocvd的基片以及在基片上生長緩衝層的方法 | |
| JP2000306886A (ja) | プラズマエッチング電極 | |
| JPH09232275A (ja) | エピタキシャル成長装置サセプターのクリーニング 装置とその方法 | |
| KR102298836B1 (ko) | 플라즈마 화학기상 증착장비용 상부전극 | |
| JP2963310B2 (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JP2005330518A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR100408259B1 (ko) | 공정챔버_ | |
| JPH10223620A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2001257167A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090427 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090427 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100427 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120427 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130427 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130427 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 13 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140427 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |