KR20050021459A - 대구경 ｓｉｃ 웨이퍼 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
SiC 반도체 장치를 경제적으로 제조하기 위한 관점으로부터, 기존의 Si 장치 제조 라인을 이용하여, 소구경 SiC 웨이퍼를 핸들링할 수 있도록 한다. 소구경 α-SiC 단결정 웨이퍼의 하나 이상의 면으로부터 결정 SiC 를 성장시켜, 소구경 α-SiC 단결정 웨이퍼의 외주면 둘레로, 기존의 반도체 제조 라인의 핸들링 장치에 적합한 사이즈로, 다결정 SiC 를 성장시킨 이중 구조에 따라 대구경화되록 한다.
Description
본 발명은 대구경 SiC 웨이퍼 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, SiC 반도체 제조 프로세스에서 이용되는 SiC 단결정 웨이퍼가 실제 사용 시에 유용하도록 대구경화된 SiC 웨이퍼, 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
결정 성장의 기초인 시드 결정을 용융 실리콘에 담그어 회전시킨 후, 점진적으로 인상함으로써 Si 잉곳을 제조하는 액상 리프팅 방법이 있다. 그러나, SiC 는 3000 ℃ 이하에서는 액상을 갖지 않기 때문에, 승화 재결정 방법이 널리 이용된다. 그러나, SiC 웨이퍼의 제조 기술이 발전하지 않고, 제조할 수 있는 대부분의 웨이퍼가 결정 내에 결정 결함을 갖는다. 대구경 웨이퍼에서 우수한 품질의 결정을 획득하지 못하기 때문에, 실제로 이용될 수 있는 SiC 반도체 및 GaN 방출 레이저용 α-SiC 단결정 웨이퍼의 사이즈는 약 2 인치로 제한되어 시중에서 판매된다.
그 반면, 통상의 실리콘 단결정 웨이퍼를 핸들링할 수 있는 장치에 대해서는, 6 인치 내지 12 인치의 웨이퍼를 핸들링하는 것이 존재하며, 반도체 제조 라인에서는 전술한 웨이퍼 보다 작은 2 인치 사이즈의 α-SiC 단결정 웨이퍼를 핸들링할 수 없다. 이는 실용화 가능한 2 인치 사이즈의 SiC 웨이퍼를 제조할 수 있도록 하지만, 실제 산업계에 제공할 수는 없다. α-SiC 단결정 웨이퍼가 높은 유전 강도를 갖기 때문에, α-SiC 단결정 웨이퍼를 실제로 이용하자는 요구가 증가되고 있다. 따라서, 반도체 제조 라인에서 이 웨이퍼를 핸들링할 수 있는 것이 필요하다.
전술한 대구경 실리콘 단결정 웨이퍼의 제조 방법으로서, 일본 특개평 10-55975 호가 공지되어 있다. 이 제조 방법은 Si 단결정 로드 (rod) 둘레로 다결정 또는 단결정 Si 를 성장시키는 방법에 관한 것이다. 그러나, 실리콘 단결정 로드를 원료로 이용하기 때문에, 장치가 대형화되고, 이 방법에서 적용되는 원료는 오직 Si 일 뿐, 유망한 반도체 재료인 SiC 를 개시하지 않고 있다. 또한, 획득되는 이중 고리 층 구조 Si 는 원료 직경에 비하여 약 1.1 배 만큼 크며, 대구경화를 달성하기 어렵게 된다.
SiC 반도체 장치를 경제적으로 제조하기 위한 관점에서 볼 때, 종래 기술의 전술한 문제에 기초하여, 본 발명은 대구경 SiC 웨이퍼를 제공하고 현존하는 Si 장치 제조 라인을 이용하여 이 SiC 웨이퍼를 핸들링할 수 있도록 하여, 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1 은 본 발명의 실시형태에 따른 대구경 SiC 웨이퍼의 플로우 챠트이다.
도 2 는 본 발명의 실시형태에 따른 α-SiC 웨이퍼 제조 장치의 단면도이다.
도 3 은 본 발명의 실시형태에 따라 제조된 SiC 웨이퍼의 단면도이다.
도 4 는 본 발명의 실시형태에 따라 제조된 α-SiC 웨이퍼 제조 장치의 단면도이다.
본 발명은 6 인치 외경 및 2 인치 내경을 갖는 다결정 SiC 을, 예를 들면, 시중에서 판매되고 있는 2 인치의 α-SiC 단결정 웨이퍼 둘레에 성장시키는 것에 관한 것이다. 전술한 바에 의하여, 기존의 4 인치 이상의 Si 제조 라인을 이용하여 SiC 장치의 제조를 가능하게 하는 기술에 의해 획득된다.
즉, 본 발명은, 소구경 α-SiC 단결정 웨이퍼의 외주면 둘레로, 기존의 반도체 제조 라인의 핸들링 장치에 적합한 사이즈로 다결정 SiC 를 성장시키는 이중 구조로 대구경화하는 것을 특징으로 한다. 이 경우, 2 이상의 소구경 α-SiC 단결정 웨이퍼가 위치되는 것을 특징으로 한다. 또한, 전술한 다결정 SiC 가 CVD 방법에 의해 제조되는 β-SiC 가 되도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 전술한 다결정 SiC 가 웨이퍼 검지용 레이저 광에 대하여 고 반사율을 갖도록 제조되는 것이 적합하다.
본 발명에 따른 대구경 SiC 웨이퍼의 제조 방법은 하나 이상의 소구경 α-SiC 단결정 웨이퍼의 적어도 일면측에, 다결정 SiC 를 기존의 반도체 제조 라인의 핸들링 장치에 적합한 외경 사이즈가 되도록 성장시키는 단계, 및 그 후, α-SiC 단결정 웨이퍼의 표면 상의 다결정 SiC 를 그라인딩하는 단계를 포함하여, 소구경 α-SiC 단결정 웨이퍼의 외주면 둘레에 다결정 SiC 를 성장시키는 이중 구조의 대구경화 SiC 를 제조하는 그라인딩 단계를 포함한다.
전술한 구성에 따르면, 다결정 SiC 가 α-SiC 단결정 웨이퍼의 외주면에 형성되는 구성을 제공한다. 이는 기존의 Si 장치용 장치가 SiC 장치를 제조할 수 있도록 한다. α-SiC 를 Si 장치용 제조 라인에 이용하기 때문에, α-SiC 는 웨이퍼 검출 장치의 레이저 광에 대한 대역 갭으로 인하여 레이저 레이저광을 전송하고, 웨이퍼가 실제로 존재할 때에도 웨이퍼가 존재하지 않는 것으로 판단한다. 그러나, α-SiC 둘레에 레이저 광에 대하여 고 반사율을 갖는 다결정 SiC 를 형성함으로써, 웨이퍼 검출이 기존의 장치에서 가능하게 된다.
본 발명에 따른 대구경 SiC 웨이퍼 및 그 제조 방법의 실시형태를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
본 실시형태에 따른 SiC 웨이퍼의 바람직한 실시형태를 6 인치 웨이퍼를 예로 들어 설명한다.
먼저, 대구경 SiC 웨이퍼의 재료인 α-SiC 웨이퍼 (10) 를 다음의 예를 들어 설명한다. 도 2 는 α-SiC 웨이퍼 제조 장치 (1) 의 단면도이다. 도 2 에서, 흑연 도가니 (11) 를 중심부에 위치시킨다. 흑연 도가니 (11) 는 도가니 형체 (13) 및 리드 (15) 로 형성된다. 도가니 몸체 (13) 내부에 하부에 SiC 원료 (17) 를 하우징하고 α-SiC 기판 (19) 을 리드 (15) 에 접착시킨다.
흑연 도가니 (11) 는 내열재 (21) 로 둘러싸이는 외주부를 가지며, 고주파로 (미도시) 에 설치된다. 고주파로는 예를 들어 그 외측에 설치되는 고주파 코일 (23) 을 가지며, 그 내부에 석영으로 이루어진 이중관으로 구성된 공동형의 이중관 (25) 을 갖는다. 냉각수 (27) 는 석영으로 이루어진 이중관 (25) 의 이중관들 사이를 흐른다. 고주파로는 고주파 공진기 (미도시) 로부터 생성되는 출력에 의해 고정된 온도에서 조절된다. 다음으로, 상부 및 하부의 내열재 (21) 의 틈새로부터의 고온계 (29) 에 의해 흑연 도가니 (11) 의 표면이 측정되고, 흑연 도가니 (11) 는 고주파 공진기에 의해 생성되는 고주파 코일 (23) 에 의해 고정된 온도에서 유지된다. 고주파로를 가열할 때, 흑연 도가니 (11) 내부의 SiC 재료 (17) 및 α-SiC 기판 (19) 을 약 2200 ℃ 에서 2400 ℃ 으로 가열한다. α-SiC 기판 (19) 의 표면 상에 α-SiC 상 (31) 을 증착하여, SiC (33) 을 형성한다.
다음으로, 도 3 에 나타낸 바와 같이, α-SiC 기판 (19) 상에 Ta=10 ~50 mm 두께의 6H 결정의 α-SiC 상 (31) 을 성장시키고, 기판용 단결정을 이용하여, 기판 직경과 동일한 사이즈의 단결정을 획득할 수 있다. 다음으로, 단결정 벌크 (10 내지 50 mm) 를 절단하고 연마함으로써, 도 4 에 나타낸 바와 같이 6H 의 α-SiC 웨이퍼 (50) 를 획득한다.
전술한 바와 같이 승화 재결정 방법에 따라 제조되는 0.5 mm 의 두께를 갖는 2 인치의 α-SiC 웨이퍼 (50) 를 이 실시형태에 이용한다.
도 1 은 대구경 α-SiC 웨이퍼의 제조 프로세스를 나타낸다. 도 1 의 (1) 에 나타낸 바와 같이, α-SiC 웨이퍼 (50) 는 6 인치 직경을 갖는 흑연 순환판 (52) 의 중심부에 위치된다. 또한, 흑연 마스킹 (54) 이 α-SiC 웨이퍼 (50) 상에 위치된다.
이 상태에서, 도 1 의 (2) 에 나타낸 바와 같이, 화살표 방향으로부터 흑연 순환판 (52) 및 마스킹 (54) 으로 CVD 방법을 수행한다. 즉, Si 소오스로서 SiH4 및 SiHCl3 등을 이용하고, 흑연판 상의 α-SiC 단결정 웨이퍼의 C 의 소오스로서 C3H8 등을 이용하고, CVD 반응기에 이들을 공급하며, CVD 반응기 내부에서 흑연판 및 단결정 웨이퍼 상에 SiC 를 화학적 증착한다. α-SiC 단결정 웨이퍼 상에 형성되는 다결정 물질의 사이즈는 흑연판의 사이즈에 따라 결정된다. 이에 따라, 0.8 mm 의 두께를 갖는 다결정 β-SiC (56) 이 성장한다. 2000 ℃ 미만의 온도 조건 하에서 이 프로세스를 수행하여 β-SiC (56) 를 성장시킨다.
CVD 후에, 마스킹 (54) 의 표면이 노출될 때까지 그라인딩하여 잔여 β-SiC (56) 를 제거한다 (도 1 의 (3)). 흑연 순환판 (52) 및 마스킹 (54) 을 하소시킴으로써, 중심원의 이중 구조를 갖는 대구경 SiC (60) 를 획득할 수 있다.
대구경 SiC (60) 에 대하여 그라인딩 작업 및 연마 직업을 수행하고, 도 1 의 (4) 에 나타낸 바와 같이, 단결정 α-SiC 웨이퍼 (50) 가 2 인치 사이즈인 웨이퍼 중심부 및 다결정 β-SiC (56) 으로 이루어진 외주부로 이루어지는 단일판의 6 인치의 대구경 SiC (60) 를 획득한다. 획득되는 대구경 SiC (60) 의 중심부에서의 단결정 α-SiC (50) 는 무색 투명하거나, 녹색 투명하고, 외주부의 다결정 β-SiC (56) 는 황색 또는 흑색이다. 획득되는 대구경 SiC (60) 이 외주부에 위치되는 레이저 광에 대하여 고 반사율을 갖는 다결정 β-SiC (56) 를 갖기 때문에, Si 장치 제조 라인에 이용되는 웨이퍼 검지용 장치의 레이저광에 대하여 검출가능하다.
전술한 실시형태에서, 다결정 SiC 는 외주부에 형성되지만, 항상 β상이 되는 것은 아니다. CVD 방법에 의해 제조되어야 하는 것은 아니며, 이와 다른 방법으로 승화법을 이용할 수도 있다. SiC 를 승화법으로 외주부에 대해 이용할 때, 고온에서 반응할 수 있도록 함으로써 결정 시스템이 안정층의 α-SiC 가 된다.
이와 같이 형성되는 대구경 SiC (60) 에 대하여 기존의 Si 반도체 라인의 핸들링 장치를 이용할 수 있다. 이로 인하여, 이 장치는 α-SiC 웨이퍼 (50) 의 면적이 2 인치 사이즈로 형성될 수 있으며, α-SiC 웨이퍼 (50) 를 실제 용도로 이용할 수 있게 된다. 따라서, 실험실 장비의 범위에서 반도체 장치에만 적용할 수 있는 α-SiC 웨이퍼 (50) 를 실용화 레벨로 이용할 수 있게 되고, 반도체 산업에도 이용할 수 있다.
전술한 실시형태에서, α-SiC 웨이퍼 (50) 를 대구경 SiC (60) 의 중심부에 위치시킨다. 그러나, α-SiC 웨이퍼 (50) 를 중심으로부터 벗어난 위치에 형성할 수도 있다. 다른 방법으로, 대구경 흑연 순환판 (52) 의 면에 복수의 2 인치 α-SiC 웨이퍼 (50) 를 위치시킬 수 있다. 이는 도 1 에 나타낸 바와 같이 흑연 순환판 (52) 상에 위치되는 α-SiC 웨이퍼 (50) 상에 β-SiC (56) 를 증착하는 기술을 이용하기 때문에 가능하게 된다.
지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명은 소구경 α-SiC 단결정 웨이퍼의 외주면으로, 기존의 반도체 제조 라인의 장치의 처리에 적합한 사이즈로, 다결정 SiC 를 성장시킨 이중 구조에 따른 구성을 이용한다. 따라서, SiC 반도체 장치를 경제적으로 제조하는 관점으로부터, 본 Si 장치 제조 라인을 이용함으로써 SiC 웨이퍼를 핸들링할 수 있도록 하는 효과를 획득할 수 있다.
본 발명에 따른 SiC 반도체 제조 방법은 α-SiC 단결정 웨이퍼의 직경을 2 인치의 사이즈로 증가시키고, 기존의 반도체 제조 라인의 핸들링 장치에서 이용할 수 있도록 하는 것이 가능하다.
Claims (5)
- 소구경 α-SiC 단결정 웨이퍼의 외주면 둘레에, 기존의 반도체 제조 라인의 핸들링 장치에 적합한 사이즈로, 다결정 SiC 를 성장시킨 이중 구조로 대구경화된, 대구경 SiC 웨이퍼.
- 제 1 항에 있어서,2 이상의 상기 소구경 α-SiC 단결정 웨이퍼가 위치되는, 대구경 SiC 웨이퍼.
- 제 1 항에 있어서,상기 다결정 SiC 는 CVD 방법에 의해 제조되는 β-SiC 인, 대구경 SiC 웨이퍼.
- 제 1 항에 있어서,상기 다결정 SiC 는 웨이퍼 검지용 레이저 광에 대하여 높은 반사율을 갖는, 대구경 SiC 웨이퍼.
- 소구경 α-SiC 단결정 웨이퍼의 적어도 일면측으로부터, 다결정 SiC 를 기존의 반도체 제조 라인의 핸들링 장치에 적합한 외경 사이즈가 되도록 성장시키는 단계, 및그 후, α-SiC 단결정 웨이퍼의 표면 상의 다결정 SiC 를 그라인딩하는 단계로서, 소구경 α-SiC 단결정 웨이퍼의 외주면 둘레에 다결정 SiC 를 성장시키는 이중 구조의 대구경화 SiC 를 제조하도록 하는 그라인딩 단계를 포함하는, 대구경 SiC 웨이퍼의 제조 방법.
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| US20080122042A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-05-29 | Michael Goldstein | Applications of polycrystalline wafers |
| JP5223215B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2013-06-26 | 株式会社ザイキューブ | ウェハー構造体及びその製造方法 |
| RU2434083C1 (ru) | 2010-10-28 | 2011-11-20 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Гранник" | Способ одновременного получения нескольких ограненных драгоценных камней из синтетического карбида кремния - муассанита |
| JP5633328B2 (ja) * | 2010-11-18 | 2014-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN102560434B (zh) * | 2010-12-13 | 2014-10-22 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 金属有机化合物化学气相沉积设备 |
| RU2524509C1 (ru) * | 2013-04-25 | 2014-07-27 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ |
| JP5719957B1 (ja) * | 2014-06-06 | 2015-05-20 | 日新技研株式会社 | 単結晶の製造装置及び製造方法 |
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| JP3043690B2 (ja) | 1997-11-17 | 2000-05-22 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 |
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