RU2327248C2 - ПЛАСТИНА БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА ИЗ SiC И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ - Google Patents
ПЛАСТИНА БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА ИЗ SiC И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ Download PDFInfo
- Publication number
- RU2327248C2 RU2327248C2 RU2005103611/28A RU2005103611A RU2327248C2 RU 2327248 C2 RU2327248 C2 RU 2327248C2 RU 2005103611/28 A RU2005103611/28 A RU 2005103611/28A RU 2005103611 A RU2005103611 A RU 2005103611A RU 2327248 C2 RU2327248 C2 RU 2327248C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sic
- plate
- diameter
- crystal
- polycrystalline
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 14
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 81
- 229910021431 alpha silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 37
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 18
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 abstract 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000004108 freeze drying Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/06—Joining of crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к пластине SiC с наружным диаметром шесть дюймов и способу ее получения. Для экономичного изготовления полупроводникового устройства на основе SiC, существующую линию изготовления устройств на основе Si используют таким образом, чтобы обеспечить возможность манипулирования пластиной малого диаметра из SiC. Для этого поликристаллический SiC выращивают с по меньшей мере одной стороны поверхности пластины малого диаметра из монокристаллического α-SiC до размера по наружному диаметру, соответствующего устройству манипулирования существующей линии изготовления полупроводников, а затем поликристаллический SiC на поверхности пластины из монокристаллического α-SiC шлифуют с получением SiC увеличенного диаметра с двойной структурой, в которой поликристаллический SiC выращен вокруг внешней периферии пластины малого диаметра из монокристаллического α-SiC. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Область техники
Настоящее изобретение относится к пластине большого диаметра из SiC и способу ее изготовления и, в частности, относится к пластине из SiC, увеличенной по своему диаметру с тем, чтобы сделать пригодной для практического применения пластину из монокристаллического SiC, используемую в способе изготовления полупроводников на основе SiC, а также к способу ее изготовления.
Уровень техники
Существует способ роста кристаллов вытягиванием из жидкой фазы, согласно которому затравочный кристалл, который является основой для выращиваемого кристалла, погружают в расплавленный кремний и при этом вращают, а затем постепенно вытягивают с получением выращенного кристалла Si. Однако, поскольку карбид кремния SiC не имеет жидкой фазы ниже 3000оС, то для выращивания кристаллов из него широко используется способ сублимационной рекристаллизации. Однако методика изготовления пластин из SiC еще не доработана, и многие пластины, которые возможно сегодня изготавливать, имеют кристаллические дефекты. Поскольку кристалл хорошего качества до сих пор не был получен в виде пластины большого диаметра, то размер пластины из монокристаллического α-SiC для полупроводниковых устройств на основе SiC и эмиссионных лазеров на основе GaN, которая доступна в настоящее время для практического применения, ограничен примерно двумя дюймами, хотя она и поступает на рынок.
С другой стороны, что касается устройства, которое может манипулировать обычной пластиной из монокристаллического кремния, то имеются устройства, которые могут манипулировать такими пластинами с размером от 6 дюймов до 12 дюймов, но при этом ни одна линия изготовления полупроводников не может манипулировать пластинами из монокристаллического α-SiC размером в два дюйма, которые меньше упомянутых выше пластин. Таким образом, возможно изготовление пластин из SiC размером в два дюйма для практического применения, но они не соответствуют фактическим требованиям промышленности. Существует особенно повышенный спрос на пластины из монокристаллического α-SiC, пригодные для практического применения, поскольку пластина из монокристаллического α-SiC имеет высокую электрическую прочность диэлектрика. Следовательно, является желательным манипулирование ей на линии изготовления полупроводников.
Упоминаемый выше способ изготовления пластин большого диаметра из монокристаллического кремния известен из выложенного патента Японии № 10-55975. Этот способ изготовления предусматривает выращивание поликристаллического или монокристаллического Si вокруг стержня из монокристаллического Si. Однако, поскольку стержень из монокристаллического кремния используется в качестве исходного материала, то устройство становится крупным, а применяемым в этом способе исходным материалом является только кремний, в то время как применение SiC, который является перспективным полупроводниковым материалом, в этом документе не раскрыто. Кроме того, получаемая структура двойного кольцевого слоя Si примерно в 1,1 раза больше диаметра исходного материала, и этот результат трудно назвать достижением большого диаметра.
Ввиду упоминаемой выше проблемы известного уровня техники, с целью экономичного изготовления полупроводниковых устройств на основе SiC, настоящее изобретение ставит перед собой задачу обеспечения пластины большого диаметра из SiC, которая может быть использована в существующей линии изготовления устройств на основе Si, для обеспечения возможности манипулирования такими пластинами из SiC, а также создания способа ее изготовления.
Раскрытие изобретения
Настоящее изобретение направлено на выращивание поликристаллического SiC с наружным диаметром шесть дюймов и внутренним диаметром два дюйма вокруг, например, пластины из монокристаллического α-SiC размером два дюйма, обычно имеющейся в продаже. Упомянутая задача решается исходя из знания того, что вследствие вышеизложенного возможно изготовление устройства на основе SiC путем использования существующей линии изготовления устройств на основе Si размером в четыре дюйма или более.
В частности, настоящее изобретение характеризуется увеличением диаметра за счет двойной структуры, в которой поликристаллический SiC выращен до размера, соответствующего устройству манипулирования (манипулятору) существующей линии изготовления полупроводников, вокруг внешней периферии (внешнего периметра) пластины малого диаметра из монокристаллического α-SiC. В этом случае желательно разместить по меньшей мере две или более упомянутых выше пластины малого диаметра из монокристаллического α-SiC. Также желательно, чтобы упомянутый выше поликристаллический SiC представлял собой β-SiC, полученный методом ХОПФ (химического осаждения из паровой фазы). Также для обнаружения пластины целесообразно образовать упомянутый выше поликристаллический SiC так, чтобы он имел высокую отражательную способность по отношению к световому излучению лазера.
Способ изготовления пластины большого диаметра из SiC согласно настоящему изобретению характеризуется тем, что он включает в себя стадии, на которых выращивают поликристаллический SiC с по меньшей мере одной стороны поверхности пластины малого диаметра из монокристаллического α-SiC таким образом, чтобы иметь размер по наружному диаметру, соответствующий устройству манипулирования существующей линии изготовления полупроводников, а затем шлифуют упомянутый поликристаллический SiC на упомянутой поверхности пластины из монокристаллического α-SiC с получением SiC увеличенного диаметра с двойной структурой, в которой поликристаллический SiC выращен вокруг внешней периферии пластины малого диаметра из монокристаллического α-SiC.
Согласно вышеизложенному решению, предлагается такая структура пластины, в которой поликристаллический SiC сформирован на периферийной части пластины из монокристаллического α-SiC. Это делает возможным использование существующей установки для изготовления устройств на основе Si с целью изготовления устройств на основе SiC. Когда α-SiC используется в линии изготовления устройств на основе Si, α-SiC пропускает световое излучение лазера вследствие большой ширины запрещенной энергетической зоны по отношению к световому излучению лазера в устройстве обнаружения пластины, и поэтому делается заключение, что пластина отсутствует, хотя в действительности она в наличии. Однако, если вокруг α-SiC разместить поликристаллический SiC с высокой отражательной способностью по отношению к световому излучению лазера, то обеспечивается возможность обнаружения такой пластины существующим устройством.
Краткое описание чертежей
Фиг.1 представляет собой блок-схему способа изготовления пластины большого диаметра из SiC согласно одному из вариантов воплощения настоящего изобретения;
Фиг.2 представляет собой вид в сечении установки для изготовления пластины из α-SiC согласно упомянутому варианту воплощения настоящего изобретения;
Фиг.3 представляет собой вид сбоку в сечении пластины из SiC, изготовленной согласно упомянутому варианту воплощения настоящего изобретения;
Фиг.4 представляет собой вид сбоку в сечении пластины из α-SiC, изготовленной согласно упомянутому варианту воплощения настоящего изобретения.
Оптимальный вариант воплощения изобретения
Один из вариантов воплощения пластины большого диаметра из SiC согласно настоящему изобретению и способ ее изготовления подробно поясняются ниже со ссылкой на прилагаемые чертежи.
Предпочтительный вариант воплощения пластины из SiC согласно упомянутому варианту воплощения поясняется со ссылкой на пластину с размером в шесть дюймов, взятым в качестве примера.
Вначале изготавливают пластину 10 из α-SiC, являющуюся материалом пластины большого размера из SiC, например, следующим образом. Фиг.2 показывает вид сбоку в сечении установки 1 для изготовления пластины из α-SiC. Как показано на Фиг.2, в центральной части данной установки размещен графитовый тигель 11. Графитовый тигель 11 состоит из корпуса 13 и крышки 15. Исходный материал 17 SiC содержится в нижней части внутри корпуса 13 тигля, а подложка 19 из α-SiC прикреплена к крышке 15.
Графитовый тигель 11 имеет внешнюю периферию, окруженную теплоизоляционным материалом 21, и размещен в высокочастотной печи, которая не показана. Высокочастотная печь имеет, например, высокочастотную катушку 23, установленную на ее внешней стороне, а также имеет расположенную внутри нее полую сдвоенную трубку 25, выполненную из кварца и состоящую из двух трубок, выполненных из кварцевого материала. Охлаждающая вода 27 протекает между этими двумя выполненными из кварца трубками сдвоенной трубки 25. Высокочастотной печью управляют с получением фиксированного значения температуры по выходному сигналу высокочастотного генератора, который не показан. Поверхность графитового тигля 11 измеряют пирометром 29 из зазора в теплоизоляционном материале 21 в его верхней и нижней части, и, таким образом, температуру графитового тигля 11 поддерживают на фиксированном значении с помощью высокочастотной катушки 23, управляемой по выходному сигналу высокочастотного генератора. Когда высокочастотная печь нагрета, исходный материал 17 SiC и подложка 19 α-SiC внутри графитового тигля 11 нагреваются до температуры примерно от 2200оС до 2400оС. Фаза 31 α-SiC осаждается на поверхности подложки 19 α-SiC, и при этом формируется SiC 33.
Следовательно, как показано на Фиг.3, на подложке 19 α-SiC растет фаза 31 α-SiC кристалла 6Н с толщиной Та=10~50 мм, причем с использованием монокристалла в качестве подложки можно получить монокристалл того же размера, что и диаметр подложки. Затем полученный простой объемный кристалл (10~50 мм) полируют, в результате чего получают пластину 50 α-SiC с 6Н, которая показана на Фиг.4.
Эту пластину 50 из α-SiC размером в два дюйма и толщиной 0,5 мм, изготовленную согласно способу сублимационной рекристаллизации, используют в упомянутом варианте воплощения.
Фиг.1 иллюстрирует способ изготовления пластины большого диаметра из α-SiC. Как показано на Фиг.1(1), пластину 50 α-SiC размещают в центральной части круглой графитовой плиты 52 с диаметром 6 дюймов. Затем на пластину 50 α-SiC помещают графитовую маску 54.
В этом состоянии выполняют химическое осаждение из паровой фазы (ХОПФ) с указанного стрелками направления на круглую графитовую плиту 52 и маску 54, как показано на Фиг.1 (2). А именно, в случае пластины из монокристаллического α-SiC на графитовой плите в качестве источника Si используют SiH4, SiHCl3 и т.п., а в качестве источника С используют С3Н8 и т.п., причем их подают в реактор ХОПФ, и внутри данного реактора SiC химически осаждают на упомянутые графитовую плиту и пластину из монокристаллического α-SiC. Размер поликристаллического вещества, сформированного на пластине из монокристаллического α-SiC, задают в соответствии с размером графитовой плиты. В соответствии с этим, выращивают поликристаллический β-SiC 56 толщиной 0,8 мм. Для выращивания β-SiC 56 данный способ выполняют при температуре менее 2000оС.
После химического осаждения из паровой фазы излишний β-SiC 56 удаляют шлифовкой до тех пор, пока не будет вскрыта поверхность маски 54 (Фиг.1 (3)). Круглую графитовую плиту 52 и маску 54 выжигают и таким образом получают SiC 60 большого диаметра с двойной структурой из концентрических кругов.
Выполняют операцию шлифовки и операцию полировки SiC 60 большого диаметра, и, как показано на Фиг.1 (4), получают шестидюймовый SiC 60 большого диаметра в виде единой плиты, состоящей из образующей центральную часть пластины, представляющей собой пластину 50 из монокристаллического α-SiC размером в два дюйма, и из периферийной части, представляющей собой поликристаллический β-SiC 56. Пластина 50 из монокристаллического α-SiC в центральной части полученного SiC 60 большого диаметра является бесцветной и прозрачной или зеленой и прозрачной, а поликристаллический β-SiC 56 в периферийной части является желтым или черным. Поскольку полученный SiC 60 большого диаметра имеет высокую отражательную способность по отношению к направляемому на периферийную часть световому излучению лазера, он является обнаруживаемым посредством данного светового излучения лазера и устройства обнаружения пластины, используемого в линии изготовления устройств на основе Si.
В описываемом выше варианте воплощения поликристаллический SiC формируют на периферийной части, но он не всегда должен представлять собой β-фазу. Не всегда обязательно получать его методом ХОПФ, и вместо этого можно использовать сублимационный способ. Если в этом сублимационном способе для получения периферийной части используют SiC, то обеспечивают его реагирование при высокой температуре, и поэтому кристаллическая система превращается в α-SiC в виде стабильного слоя.
Устройство манипулирования существующей линии изготовления полупроводников на основе Si можно использовать в состоянии, как оно есть, также и для работы с полученным таким образом SiC 60 большого диаметра. Благодаря этому, устройство можно сформировать в области пластины 50 α-SiC размером в два дюйма, и пластину 50 α-SiC можно сделать пригодной для практического использования. Соответственно, обеспечивается возможность использования пластины 50 α-SiC на практическом уровне, которую можно было ранее применять для изготовления полупроводниковых устройств только в масштабе лабораторных установок, а теперь ее можно использовать в полупроводниковой промышленности.
В описываемом выше варианте воплощения пластина 50 α-SiC расположена в центральной части SiC 60 большого диаметра. Однако пластину 50 α-SiC можно сформировать в положении, смещенном из центра. В альтернативном варианте, можно расположить множество двухдюймовых пластин 50 α-SiC в плоскости круглой графитовой плиты 52 большого диаметра. Это осуществимо, поскольку используется методика осаждения β-SiC 56 на пластину 50 α-SiC, размещенную на круглой графитовой плите 52, как это показано на Фиг.1.
Согласно приводимому выше пояснению, настоящее изобретение обеспечивает получение увеличенного диаметра за счет двойной структуры, в которой поликристаллический SiC выращен до размера, который соответствует устройству манипулирования существующей линии изготовления полупроводников, на внешней периферии пластины малого диаметра из монокристаллического α-SiC. Соответственно, с точки зрения экономичного изготовления полупроводниковых устройств на основе SiC положительные эффекты могут быть достигнуты благодаря возможности манипулирования пластинами из SiC с использованием существующей в настоящее время линии изготовления устройств на основе Si.
Промышленная применимость
Способ изготовления полупроводников из SiC согласно настоящему изобретению позволяет увеличить диаметр пластины из монокристаллического α-SiC с размером два дюйма и обеспечивает возможность применения ее в устройстве манипулирования существующей линии изготовления полупроводников.
Claims (5)
1. Пластина большого диаметра из SiC, в которой путем осаждения поликристаллического SiC в плоскости на внешнюю периферию пластины малого диаметра из монокристаллического α-SiC, которая сформирована заранее в виде пластины, эта пластина из монокристаллического α-SiC увеличена в диаметре в виде двойной структуры из монокристаллического SiC и поликристаллического SiC.
2. Пластина большого диаметра из SiC по п.1, в которой по меньшей мере две упомянутых пластины малого диаметра из монокристаллического α-SiC размещены на плоскости.
3. Пластина большого диаметра из SiC по п.1, в которой упомянутый поликристаллический SiC представляет собой β-SiC, полученный методом ХОПФ.
4. Пластина большого диаметра из SiC по п.1, в которой упомянутый поликристаллический SiC имеет высокую отражательную способность по отношению к световому излучению лазера для обнаружения пластины.
5. Способ изготовления пластины большого диаметра из SiC, включающий в себя стадии, на которых:
плоско размещают пластину малого диаметра из монокристаллического α-SiC, которая сформирована заранее, на графитовой плите и наносят графитовую маску на поверхность этой пластины,
осаждают поликристаллический SiC в плоскости со стороны поверхности маски на графитовую плиту и пластину из монокристаллического α-SiC,
затем шлифуют поликристаллический SiC на поверхности пластины из монокристаллического α-SiC до тех пор, пока не будет вскрыта поверхность маски, после чего маску и плиту выжигают с получением пластины увеличенного диаметра из SiC с двойной структурой, в которой часть из поликристаллического SiC сформирована на внешней периферии пластины малого диаметра из монокристаллического α-SiC.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002202953 | 2002-07-11 | ||
| JP2002-202953 | 2002-07-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2005103611A RU2005103611A (ru) | 2005-07-10 |
| RU2327248C2 true RU2327248C2 (ru) | 2008-06-20 |
Family
ID=30112652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005103611/28A RU2327248C2 (ru) | 2002-07-11 | 2003-06-30 | ПЛАСТИНА БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА ИЗ SiC И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7544249B2 (ru) |
| EP (1) | EP1547131B1 (ru) |
| JP (1) | JP4654030B2 (ru) |
| KR (1) | KR101027364B1 (ru) |
| AU (1) | AU2003238163A1 (ru) |
| RU (1) | RU2327248C2 (ru) |
| TW (1) | TWI229897B (ru) |
| WO (1) | WO2004008506A1 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012057651A1 (ru) | 2010-10-28 | 2012-05-03 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Гранник" | Способ получения драгоценных камней из карбида кремния |
| RU2524509C1 (ru) * | 2013-04-25 | 2014-07-27 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ |
| RU2720397C2 (ru) * | 2015-09-11 | 2020-04-29 | Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИТНОЙ ПОДЛОЖКИ SiC И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКИ |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101448984B (zh) * | 2006-05-18 | 2012-02-22 | 昭和电工株式会社 | 制造碳化硅单晶的方法 |
| US20080122042A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-05-29 | Michael Goldstein | Applications of polycrystalline wafers |
| JP5223215B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2013-06-26 | 株式会社ザイキューブ | ウェハー構造体及びその製造方法 |
| JP5633328B2 (ja) * | 2010-11-18 | 2014-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN102560434B (zh) * | 2010-12-13 | 2014-10-22 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 金属有机化合物化学气相沉积设备 |
| JP5719957B1 (ja) * | 2014-06-06 | 2015-05-20 | 日新技研株式会社 | 単結晶の製造装置及び製造方法 |
| KR102053304B1 (ko) | 2018-04-24 | 2019-12-06 | 주식회사 케이엔제이 | 대형 SiC 플레이트 제조방법 |
| CN110000692B (zh) * | 2019-04-29 | 2024-01-09 | 青岛高测科技股份有限公司 | 一种用于半导体晶棒磨削工序的上下料装置及使用方法 |
| CN114080692A (zh) * | 2021-04-02 | 2022-02-22 | 英诺赛科(苏州)科技有限公司 | 三族氮基半导体晶圆 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62119917A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 炭化ケイ素単結晶の形成方法 |
| SE9600704D0 (sv) * | 1996-02-26 | 1996-02-26 | Abb Research Ltd | A susceptor for a device for epitaxially growing objects and such a device |
| JPH1055975A (ja) | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置用シリコン結晶体 |
| JP3296998B2 (ja) * | 1997-05-23 | 2002-07-02 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 |
| JP3043689B2 (ja) * | 1997-11-17 | 2000-05-22 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 |
| JP3043690B2 (ja) | 1997-11-17 | 2000-05-22 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 |
| US6706114B2 (en) * | 2001-05-21 | 2004-03-16 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide crystals |
-
2003
- 2003-06-26 TW TW092117368A patent/TWI229897B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-06-30 KR KR1020057000558A patent/KR101027364B1/ko active IP Right Grant
- 2003-06-30 JP JP2004521138A patent/JP4654030B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-30 AU AU2003238163A patent/AU2003238163A1/en not_active Abandoned
- 2003-06-30 WO PCT/JP2003/008312 patent/WO2004008506A1/en active Application Filing
- 2003-06-30 RU RU2005103611/28A patent/RU2327248C2/ru active
- 2003-06-30 EP EP03736307A patent/EP1547131B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-30 US US10/520,141 patent/US7544249B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012057651A1 (ru) | 2010-10-28 | 2012-05-03 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Гранник" | Способ получения драгоценных камней из карбида кремния |
| RU2524509C1 (ru) * | 2013-04-25 | 2014-07-27 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ |
| RU2720397C2 (ru) * | 2015-09-11 | 2020-04-29 | Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИТНОЙ ПОДЛОЖКИ SiC И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКИ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20050021459A (ko) | 2005-03-07 |
| KR101027364B1 (ko) | 2011-04-11 |
| EP1547131B1 (en) | 2011-08-10 |
| EP1547131A1 (en) | 2005-06-29 |
| JP2005532697A (ja) | 2005-10-27 |
| US7544249B2 (en) | 2009-06-09 |
| EP1547131A4 (en) | 2007-10-10 |
| TWI229897B (en) | 2005-03-21 |
| WO2004008506A1 (en) | 2004-01-22 |
| TW200402765A (en) | 2004-02-16 |
| JP4654030B2 (ja) | 2011-03-16 |
| AU2003238163A1 (en) | 2004-02-02 |
| RU2005103611A (ru) | 2005-07-10 |
| US20060097266A1 (en) | 2006-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9068277B2 (en) | Apparatus for manufacturing single-crystal silicon carbide | |
| JP3491402B2 (ja) | 単結晶製造方法及びその単結晶製造装置 | |
| RU2327248C2 (ru) | ПЛАСТИНА БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА ИЗ SiC И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | |
| JP2004099340A (ja) | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 | |
| US20060260536A1 (en) | Vessel for growing a compound semiconductor single crystal, compound semiconductor single crystal, and process for fabricating the same | |
| JPS5838399B2 (ja) | 炭化珪素結晶層の製造方法 | |
| JPH1045499A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法およびそれに用いる種結晶 | |
| JPH08143396A (ja) | ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| JPH11209198A (ja) | ＳｉＣ単結晶の合成方法 | |
| JP4224195B2 (ja) | 炭化珪素単結晶育成用種結晶および炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JPH08245299A (ja) | 炭化ケイ素の結晶成長方法 | |
| TWI767309B (zh) | 碳化矽晶錠之製造方法以及製造碳化矽晶錠之系統 | |
| JP2003137694A (ja) | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 | |
| JP4184622B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
| KR20040008169A (ko) | α-ＳｉＣ 웨이퍼의 제조 방법 | |
| JPH0443878B2 (ru) | ||
| JPH0443879B2 (ru) | ||
| JPH10297997A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| WO2020241578A1 (ja) | ＳｉＣ単結晶インゴットの製造方法 | |
| JP2001294498A (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法ならびに炭化珪素単結晶育成用マスク | |
| JPS6152119B2 (ru) | ||
| JPS609658B2 (ja) | 炭化珪素基板の製造方法 | |
| JPH0364480B2 (ru) | ||
| JPH05306190A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP2005200228A (ja) | 化合物半導体単結晶成長方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20190115 |
|
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20200115 |