WO2012057651A1 - Способ получения драгоценных камней из карбида кремния - Google Patents

Способ получения драгоценных камней из карбида кремния Download PDF

Info

Publication number
WO2012057651A1
WO2012057651A1 PCT/RU2011/000627 RU2011000627W WO2012057651A1 WO 2012057651 A1 WO2012057651 A1 WO 2012057651A1 RU 2011000627 W RU2011000627 W RU 2011000627W WO 2012057651 A1 WO2012057651 A1 WO 2012057651A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
blanks
polishing
moissanite
grinding
faceting
Prior art date
Application number
PCT/RU2011/000627
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Александр Валерьевич КЛИШИН
Юрий Иванович ПЕТРОВ
Виктор Анатольевич ТУЗЛУКОВ
Original Assignee
Общество С Ограниченной Ответственностью "Гранник"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to BR112013010205A priority Critical patent/BR112013010205A2/pt
Priority to CA2816447A priority patent/CA2816447A1/en
Priority to AU2011321040A priority patent/AU2011321040A1/en
Priority to EA201300509A priority patent/EA201300509A1/ru
Priority to EP11836702.8A priority patent/EP2634295A1/en
Priority to CN2011800517775A priority patent/CN103314139A/zh
Application filed by Общество С Ограниченной Ответственностью "Гранник" filed Critical Общество С Ограниченной Ответственностью "Гранник"
Priority to JP2013536555A priority patent/JP2014506138A/ja
Priority to KR1020137013632A priority patent/KR20140037013A/ko
Priority to US13/519,651 priority patent/US20120298092A1/en
Publication of WO2012057651A1 publication Critical patent/WO2012057651A1/ru
Priority to IL225960A priority patent/IL225960A0/en
Priority to MA35931A priority patent/MA34679B1/fr

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A44—HABERDASHERY; JEWELLERY
    • A44C—PERSONAL ADORNMENTS, e.g. JEWELLERY; COINS
    • A44C17/00—Gems or the like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B28/12—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state

Definitions

  • a method of producing gemstones from silicon carbide A method of producing gemstones from silicon carbide.
  • the invention relates to the cultivation and processing of single crystals.
  • Silicon carbide obtained by this method can be used not only for the electronics industry, jewelry production, but also as glass for watches, mobile phones, glasses, players and other accessories.
  • Silicon carbide (carborundum) is a binary inorganic chemical compound of silicon with carbon. It is found in nature in the form of an extremely rare mineral - moissanite. The first silicon carbide powder was obtained in 1893. Used as abrasive, semiconductor, artificial gemstones. Most often, it was used as an abrasive, but recently you can find the use of this substance as a semiconductor or as a simulator of diamond jewelry quality.
  • Moissanite As a gemstone, silicon carbide is used in jewelry: it is called “synthetic moissanite” or simply “moissanite”. Moissanite is similar to diamond: it is transparent and solid (9–9.5 on the Mohs scale, compared to 10 for diamond), with a refractive index of 2.65–2.69 (compared to 2.42 for diamond). Moissanite has a slightly more complex structure than ordinary cubic zirconium. Unlike diamond, moissanite has strong birefringence. This quality may be desirable in some optical designs, but not in precious stones. For this reason, in the manufacture of jewelry stones, the crystal is cut along the optical axis in order to minimize the effect of two refractions.
  • Moissanite has a lower density of 3.21 g / cm 3 (versus 3.53 g / cm 3 for diamond) and is much more resistant to heat. The result is a stone with a strong shine, with clear edges and good resistance to external influences. Unlike diamond, which burns at a temperature of 800 ° C, moissanite remains intact up to a temperature of 1800 ° C (for comparison: 1064 ° C is the melting point of pure gold). Moissanite has become popular as a substitute for diamond, and may be mistaken for a diamond, since its thermal conductivity is much closer to diamond than any other diamond substitute. Faceted moissanite can be distinguished from diamond by its birefringence and very little green or yellow fluorescence in ultraviolet light. (O'Donoghue, M. Gems.— Elsevier.— 2006. — P.89.— ISBN 0-75-065856-8).
  • SiC for example, polycrystalline (RU 2327248 C 30 V 33/00, publ. 2005), as well as single crystals (RU2156330 SZOV 33/00, publ. 2000) are known.
  • the difference of the claimed method from all known is the simultaneous growth of several single crystals in graphite form with the achievement of a technical result - improving the quality of crystals. Also increasing productivity, since we refuse the cutting operation, immediately when growing, we obtain blanks, i.e. we reduce production costs and material losses during cutting.
  • the method for the simultaneous production of several faceted gems from synthetic silicon carbide - moissanite involves the simultaneous cultivation of many preforms of moissanite crystals in honeycomb form graphite, their separation into individual crystals and faceting, which includes three stages - grinding, grinding and polishing moreover, before cutting, an operation is carried out to sticker the blanks on the mandrel, and then to re-stick the blanks on their back side, and polishing is carried out by lamination of moissanite on a ceramic wheel rotating at a speed of 200 to 300 rpm, using a diamond spray with a grain size of 0, 125 to 0.45 ⁇ m, providing a depth of the patterns shorter than the light wavelength of the visible part of the spectrum, and chipped edges and blanks with defects unsuitable for cutting, crushed and returned to the growing stage.
  • a grinding paste with a grain size of 0.25 microns is used for grinding.
  • a method for simultaneously producing faceted stones from synthetic silicon carbide - moissanite is implemented as follows: at the same time, many blanks of moissanite crystals are grown in honeycomb form of forming graphite. Their division into individual crystals, faceting, grinding and polishing is carried out as follows: each workpiece is glued to a metal mandrel, its upper part is treated, then the other side is glued to another mandrel and the faceting, grinding and polishing operations are repeated for the remaining side. Workpieces on ceramic disks are polished at a rotation speed of 200-300 rpm using a diamond powder (spray) with a particle size of 0.125 - 0.25 ⁇ m, providing a depth of images less than the light wavelength of the visible part of the spectrum. Trimmed and chipped edges, as well as defective blanks unsuitable for cutting, are crushed and returned to the growing stage.
  • a diamond grinding paste with a grain size of 5-10 microns is used for grinding.
  • the method is illustrated by examples.
  • Cultivation is carried out in the cellular form of forming graphite at once of many preforms of moissanite crystals.
  • the grown crystals are divided into separate blanks.
  • a cut is carried out, which includes three stages - grinding, grinding and polishing, preliminary, the operation is carried out to glue the blanks on a special mandrel, and then to re-glue the blanks on their reverse side, they are processed.
  • Polishing is carried out by polishing moissanite on a steel wheel rotating at a speed of 200 rpm, using a grinding paste with a grain size of 0.25 ⁇ m, while the cut and chipped edges and blanks with defects, unsuitable for cutting, crushed and returned to the cultivation stage.
  • Cultivation is carried out in the cellular form of forming graphite at once of many preforms of moissanite crystals.
  • the grown crystals are divided into individual crystals.
  • an operation is carried out to glue the blanks on the base, and then to re-glue the blanks on their reverse side, they are faceted.
  • These moissanite preforms are processed on a steel wheel rotating at a speed of 280 rpm, using a grinding paste with a grain size of 0.45 ⁇ m, while the cut and chipped edges and blanks with defects unsuitable for cutting are crushed and returned to the growing stage.
  • Example 2 All techniques were used as in Example 2, but use a grinding paste with a grain size of 0.25 ⁇ m.
  • the obtained single crystals are suitable for jewelry purposes.
  • Diamonds are cut on heavy cast iron discs at a rotation speed of 3000 rpm or more, and both faceting and polishing occur on the same disc.
  • the process of cutting moissanite includes three stages - faceting, grinding and polishing, which are performed on various disks with a much lower rotation speed.
  • Obtaining faceted jewelry inserts using the described method involves several stages.
  • the initial sample of the material silicon carbide if necessary, is subjected to rough processing (grinding).
  • This treatment is carried out on abrasive disks with a grain size of 20 to 100 microns, depending on the size of the workpiece and the amount of material to be ground.
  • the future faceted insert gets its shape.
  • optional intermediate processing can be performed when the edges of the insert are reduced more accurately on grinding or cutting edges with an abrasive grain size of 3 to 10 microns.
  • Finer grinding according to the proposed method - polishing the surface of the faces of faceted inserts is carried out using fine-grained abrasive materials with a grain size of 0.125 - 0.5 ⁇ m, to prevent the appearance of numerous scratches, comparable in depth with the light wavelength of the visible part of the spectrum. This is a difference from conventional technology, in which an abrasive with a grain size of 0.5 to 3 microns is used for polishing.
  • the speed of rotation of the polishing disk should be low (about 200-300 rpm), and the force of the insert to the surface of the disk should be small, so as to exclude rounding of the ribs and curvature of the plane of the surface of the faces.
  • the listed stages are performed for all faces of one side of the insert (top or bottom), then they are repeated for the other side.
  • abrasive powder powder, paste, emulsion, etc.
  • grains of diamond, metal oxides, or other solid materials with a size of 0.5 ⁇ m or more
  • the faceted inserts obtained by the proposed method are polished with abrasive powders with a grain size from 0.125 to 0.25 ⁇ m, which, if the polishing technology is followed, gives the required surface cleanliness (corresponds to 1 to 1 class of cleanliness according to GOST 2789-59) and eliminates the dispersion of light flux.
  • the light incident on the surface of the face is either reflected or enters and, being refracted, participates in the internal reflection, contributing to the manifestation of the effect of star fire.
  • the depth of the images is less than the wavelength of the visible part of the spectrum (0.4 ⁇ m)
  • these risks do not significantly affect the course of the incident rays.
  • the stream of light falling on them slightly diffuses, and color flashes (play of light, brilliance) become less noticeable.

Abstract

Изобретение относится к выращиванию и обработке монокристаллов. Полученный данным способом карбид кремния можно использовать не только для электронной промышленности, ювелирного производства, но и в качестве стекла или корпуса для часов. Способ включает одновременное выращивание множества заготовок кристаллов муассанита в сотовой форме формирующего графита, их разделение на отдельные кристаллы, огранку, шлифовку и полировку. Перед огранкой, шлифовкой и полировкой проводят операцию по наклейке заготовок на оправку, а затем по переклейке заготовок на их обратную сторону. Полировку проводят путем полирования муассанита на керамическом круге, вращающемся со скоростью от 200 до 300 об/мин, с использованием алмазного порошка (спрея) с размером зерна от 0, 125 до 0,45 мкм, обеспечивая глубину рисок меньшую, чем длина световой волны видимой части спектра, при этом обрезанные и сколотые края и заготовки с дефектами, непригодные для огранки, размельчают и возвращают на стадию выращивания.

Description

Способ получения драгоценных камней из карбида кремния.
Описание
Изобретение относится к выращиванию и обработке монокристаллов.
Полученный данным способом карбид кремния можно использовать не только для электронной промышленности, ювелирного производства, но и в качестве стекла для часов, мобильных телефонов, очков, плейеров и прочих аксессуаров.
Карбид кремния (карборунд) - бинарное неорганическое химическое соединение кремния с углеродом. В природе встречается в виде чрезвычайно редкого минерала - муассанита. Впервые порошок карбида кремния был получен в 1893 году. Используется как абразив, полупроводник, искусственные драгоценные камни. Чаще всего он использовался в качестве абразива, но в последнее время можно найти применение данного вещества и в качестве полупроводника или как имитатор алмаза ювелирного качества.
Как драгоценный камень карбид кремния используется в ювелирном деле: называется «синтетический муассанит» или просто «муассанит». Муассанит похож на алмаз: он прозрачен и тверд (9 - 9,5 по шкале Мооса, по сравнению с 10 для алмаза), с показателем преломления 2,65 - 2,69 (по сравнению с 2,42 для алмаза). Муассанит имеет несколько более сложную структуру, чем обычный кубический цирконий. В отличие от алмаза, муассанит имеет сильное двулучепреломление. Это качество может являться желательным в некоторых оптических конструкциях, но только не в драгоценных камнях. По этой причине при изготовлении ювелирных камней кристалл разрезают вдоль оптической оси, чтобы свести к минимуму эффект дву преломления. Муассанит имеет более низкую плотность 3,21 г/см3 (против 3,53 г/см3 для алмаза) и гораздо более устойчив к теплу. В результате получается камень с сильным блеском, с четкими гранями и хорошей устойчивостью к внешним воздействиям. В отличие от алмаза, который горит при температуре 800°С, муассанит остается неповрежденным вплоть до температуры в 1800°С (для сравнения: 1064°С - температура плавления чистого золота). Муассанит стал популярен как заменитель алмаза, и может быть ошибочно принят за алмаз, так как его теплопроводность гораздо ближе к алмазу, чем у любого другого заменителя бриллианта. Ограненный муассанит можно отличить от алмаза по его двупреломлению и очень небольшой зеленой или желтой флуоресценции в ультрафиолетовом свете. (O'Donoghue, М. Gems.— Elsevier.— 2006.— С.89.— ISBN 0-75- 065856-8).
Из уровня техники известны способы получения SiC, например, поликристаллического (RU 2327248 С 30 В 33/00, пуб.2005), а также монокристаллов (RU2156330 СЗОВ 33/00,пуб. 2000).
Отличие заявленного способа от всех известных заключается в одновременном выращивании нескольких монокристаллов в графитовой форме с достижением технического результата - повышение качества кристаллов. Кроме того, увеличивается производительность, так как мы отказываемся от операции резки, сразу при выращивании получая заготовки, т.е. снижаем затраты на производство и потери материала при резке.
Указанный результат достигается тем, что способ одновременного получения нескольких ограненных драгоценных камней из синтетического карбида кремния - муассанита, включает одновременное выращивание множества заготовок кристаллов муассанита в сотовой форме формирующего графита, их разделение на отдельные кристаллы и огранку, включающую три стадии - обдирку, шлифовку и полировку, причем перед огранкой проводят операцию по наклейке заготовок на оправку, а затем по переклейке заготовок на их обратную сторону, а полировку проводят путем полирования муассанита на керамическом круге, вращающемся со скоростью от 200 до 300 об/мин, с использованием алмазного спрея с размером зерна от 0, 125 до 0,45 мкм, обеспечивая глубину рисок меньшую, чем длина световой волны видимой части спектра, при этом обрезанные и сколотые края и заготовки с дефектами, непригодные для огранки, размельчают и возвращают на стадию выращивания.
Предпочтительно для шлифовки используют шлифовальную пасту с размером зерна 0,25 мкм.
Способ одновременного получения ограненных камней из синтетического карбида кремния - муассанита реализуют следующим образом: одновременно выращивают множество заготовок кристаллов муассанита в сотовой форме формирующего графита. Их разделение на отдельные кристаллы, огранку, шлифовку и полировку проводят так: каждую заготовку наклеивают на металлическую оправку, обрабатывают ее верхнюю часть, затем переклеивают на другую оправку обработанной стороной и для оставшейся стороны повторяют операции гранения, шлифовки и полировки. Полируются заготовки на керамических дисках при скорости вращения 200-300 об/мин с применением алмазного порошка (спрея) с размером частиц 0,125 - 0,25 мкм, обеспечивая глубину рисок меньше длины световой волны видимой части спектра. Обрезанные и сколотые края, а также заготовки с дефектами, непригодные для огранки, размельчают и возвращают на стадию выращивания.
Предпочтительно для шлифовки используют алмазную шлифовальную пасту с размером зерна 5-10 мкм.
Способ иллюстрируют примеры.
Пример 1.
Выращивание проводят в сотовой форме формирующего графита сразу множества заготовок кристаллов муассанита. Выращенные кристаллы разделяют на отдельные заготовки. Проводят огранку, включающую три стадии - обдирку, шлифовку и полировку, предварительно проводят операцию по приклейке заготовок на специальную оправку, а затем по переклейке заготовок на их обратную сторону, обрабатывают. Полировку проводят путем полирования муассанита на стальном круге, вращающемся со скоростью 200 об/мин, с использованием шлифовальной пасты с размером зерна 0,25 мкм, при этом обрезанные и сколотые края и заготовки с дефектами, непригодные для огранки, размельчают и возвращают на стадию выращивания.
Пример 2.
Выращивание проводят в сотовой форме формирующего графита сразу множества заготовок кристаллов муассанита. Выращенные кристаллы разделяют на отдельные кристаллы. Перед огранкой проводят операцию по приклейке заготовок на основу, а затем по переклейке заготовок на их обратную сторону, ограняют. Эти заготовки муассанита обрабатывают на стальном круге, вращающемся со скоростью 280 об/мин, с использованием шлифовальной пасты с размером зерна 0,45 мкм, при этом обрезанные и сколотые края и заготовки с дефектами, непригодные для огранки, размельчают и возвращают на стадию выращивания.
Пример 3.
Все приемы использовали как в Примере 2, но используют шлифовальную пасту с размером зерна 0,25 мкм.
Полученные монокристаллы пригодны для ювелирных целей.
Следует пояснить, что отличие огранки алмаза и муассанита состоит в том, что алмаз при огранке сильно нагревается, поэтому его механически зажимают в цанге ограночной головки, а муассанит просто приклеивают к металлической оправке, используя термоклей.
Алмазы гранят на тяжелых чугунных дисках при скорости вращения 3000 об/мин и более, причем как гранение, так и полировка происходят на одном и том же диске. Процесс же огранки муассанита включает в себя три стадии - гранение, шлифовку и полировку, которые выполняются на различных дисках с гораздо меньшей скоростью вращения.
Получение ограненных ювелирных вставок с использованием описанного способа включает в себя несколько стадий. Исходный образец материала карбид кремния при необходимости подвергается грубой обработке (обдирке). Эта обработка производится на абразивных дисках с размером зерна от 20 до 100 мкм - в зависимости от размера заготовки и количества материала, подлежащего стачиванию. В результате обдирки будущая ограненная вставка получает свою форму.
Затем может выполняться необязательная промежуточная обработка, когда грани вставки сводятся более точно на шлифовальных или гранильных дисках с размером зерна абразива от 3 до 10 мкм. Более тонкая шлифовка согласно предлагаемому способу - полировка поверхности граней ограненных вставок производится с применением тонкозернистых абразивных материалов с размером зерна 0,125 - 0,5 мкм, чтобы не допустить появления многочисленных царапин, по глубине соизмеримых с длиной световой волны видимой части спектра. В этом отличие от общепринятой технологии, при которой для полировки используется абразив с размером зерна от 0.5 до 3 мкм. Скорость вращения полировального диска должна быть невысокой (порядка 200 - 300 об/мин), а сила прижима вставки к поверхности диска - небольшой, чтобы исключить скругление ребер и искривления плоскости поверхности граней. Перечисленные стадии выполняются для всех граней одной стороны вставки (верха или низа), затем повторяются для другой стороны.
В общепринятой практике огранки для полировки обычно используется абразивный порошок (спрей, паста, эмульсия и т.д.) содержащий зерна алмаза, оксидов металлов или иных твердых материалов размером 0,5 мкм или более. Но зерна такого размера могут оставить множество сопоставимых по глубине ориентированных царапин, которые приведут к частичному рассеиванию светового потока. Ограненные вставки, полученные предложенным способом, полируются абразивными порошками с размером зерна от 0,125 до 0,25 мкм, что при соблюдении технологии полировки дает требуемую чистоту поверхности (соответствует 1 1 классу чистоты согласно ГОСТ 2789— 59) и исключает рассеивание светового потока. В этом случае свет, падающий на поверхность грани, в зависимости от угла падения, либо отражается, либо входит внутрь и, преломляясь, участвует во внутреннем отражении, способствуя проявлению эффекта звездного огня. Т.е. при глубине рисок меньше, чем длина световой волны видимой части спектра (0,4 мкм), эти риски не оказывают заметного влияния на ход падающих лучей. При большей глубине рисок поток света, попадая на них, слегка рассеивается, и цветные вспышки (игра света, блеск) становятся менее заметными.
Т.о. мы повышаем качество изделия.
Следует также подчеркнуть, что заявленным способом мы снижаем затраты на производство изделий из карбида кремния, используя при вторичной переработке материал, непригодный для огранки.

Claims

Формула изобретения
1. Способ одновременного получения нескольких ограненных драгоценных камней из синтетического карбида кремния - муассанита, включающий одновременное выращивание множества заготовок кристаллов муассанита в сотовой форме формирующего графита, их разделение на отдельные кристаллы и огранку, включающую три стадии - обдирку, шлифовку и полировку, причем перед огранкой проводят операцию по наклейке заготовок на оправку, а затем по переклейке заготовок на их обратную сторону, а полировку проводят путем полирования муассанита на керамическом круге, вращающемся со скоростью от 200 до 300 об/мин, с использованием алмазного спрея с размером зерна от 0, 125 до 0,45 мкм, обеспечивая глубину рисок меньшую, чем длина световой волны видимой части спектра, при этом обрезанные и сколотые края и заготовки с дефектами, непригодные для огранки, размельчают и возвращают на стадию выращивания.
2. Способ по п.1., отличающийся тем, что для шлифовки используют шлифовальную пасту с размером зерна 0,25 мкм.
PCT/RU2011/000627 2010-10-28 2011-08-18 Способ получения драгоценных камней из карбида кремния WO2012057651A1 (ru)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CA2816447A CA2816447A1 (en) 2010-10-28 2011-08-18 Method for producing gemstones from silicon carbide
AU2011321040A AU2011321040A1 (en) 2010-10-28 2011-08-18 Method for producing gemstones from silicon carbide
EA201300509A EA201300509A1 (ru) 2010-10-28 2011-08-18 Способ получения драгоценных камней из карбида кремния
EP11836702.8A EP2634295A1 (en) 2010-10-28 2011-08-18 Method for producing gemstones from silicon carbide
CN2011800517775A CN103314139A (zh) 2010-10-28 2011-08-18 采用碳化硅生产宝石的方法
BR112013010205A BR112013010205A2 (pt) 2010-10-28 2011-08-18 método para produzir pedras preciosas lapidadas a partir de carboneto de silício
JP2013536555A JP2014506138A (ja) 2010-10-28 2011-08-18 シリコンカーバイドから宝石を製造するための方法
KR1020137013632A KR20140037013A (ko) 2010-10-28 2011-08-18 실리콘 카바이드로부터 준보석을 제조하는 방법
US13/519,651 US20120298092A1 (en) 2010-10-28 2011-08-18 Method for producing gemstones from silicon carbide
IL225960A IL225960A0 (en) 2010-10-28 2013-04-25 A method for exporting a variety of polished gemstones, simultaneously, from synthetic silicon carbide - moissanite
MA35931A MA34679B1 (fr) 2010-10-28 2013-05-23 Procédé de production de pierres précieuses à partir de carbure de silicium

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010144123/05A RU2434083C1 (ru) 2010-10-28 2010-10-28 Способ одновременного получения нескольких ограненных драгоценных камней из синтетического карбида кремния - муассанита
RU2010144123 2010-10-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012057651A1 true WO2012057651A1 (ru) 2012-05-03

Family

ID=45316702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU2011/000627 WO2012057651A1 (ru) 2010-10-28 2011-08-18 Способ получения драгоценных камней из карбида кремния

Country Status (13)

Country Link
US (1) US20120298092A1 (ru)
EP (1) EP2634295A1 (ru)
JP (1) JP2014506138A (ru)
KR (1) KR20140037013A (ru)
CN (1) CN103314139A (ru)
AU (1) AU2011321040A1 (ru)
BR (1) BR112013010205A2 (ru)
CA (1) CA2816447A1 (ru)
EA (1) EA201300509A1 (ru)
IL (1) IL225960A0 (ru)
MA (1) MA34679B1 (ru)
RU (1) RU2434083C1 (ru)
WO (1) WO2012057651A1 (ru)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2467099C1 (ru) * 2011-12-13 2012-11-20 Виктор Анатольевич Тузлуков Способ огранки мягкого ювелирного материала, например жемчуга, с высокоточной полировкой на свободном абразиве
US9919972B2 (en) * 2013-05-02 2018-03-20 Melior Innovations, Inc. Pressed and self sintered polymer derived SiC materials, applications and devices
RU2547260C1 (ru) * 2013-12-27 2015-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена" Композиция для чистки поверхности мягких и пористых полудрагоценных камней
CN108523329A (zh) * 2018-02-07 2018-09-14 上海黛恩妠珠宝有限公司 一种碳硅石圆钻
CN109911899B (zh) * 2019-03-07 2023-01-03 江苏超芯星半导体有限公司 一种无色莫桑石的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2156330C2 (ru) 1995-08-31 2000-09-20 Си Три, Инк. Драгоценные камни из карбида кремния
RU2327248C2 (ru) 2002-07-11 2008-06-20 Мицуи Инджиниринг Энд Шипбилдинг Ко. Лтд. ПЛАСТИНА БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА ИЗ SiC И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
RU2396160C2 (ru) * 2005-01-27 2010-08-10 Атлантик Гмбх Способ и устройство для шлифования керамических сферических тел

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1637291A (en) * 1923-10-06 1927-07-26 Leon H Barnett Method of producing gem materials
US3317035A (en) * 1963-09-03 1967-05-02 Gen Electric Graphite-catalyst charge assembly for the preparation of diamond
BE693619A (ru) * 1966-02-11 1967-07-17
US3423177A (en) * 1966-12-27 1969-01-21 Gen Electric Process for growing diamond on a diamond seed crystal
US3774347A (en) * 1972-05-09 1973-11-27 E Marshall Grinding machine for gems
SU645505A1 (ru) * 1976-03-01 1980-02-05 Всесоюзный Научно-Исследовательский Институт Абразивов И Шлифования Способ получени синтетических алмазов
US4075055A (en) * 1976-04-16 1978-02-21 International Business Machines Corporation Method and apparatus for forming an elongated silicon crystalline body using a <110>{211}orientated seed crystal
US4237085A (en) * 1979-03-19 1980-12-02 The Carborundum Company Method of producing a high density silicon carbide product
US4532737A (en) * 1982-12-16 1985-08-06 Rca Corporation Method for lapping diamond
US5958132A (en) * 1991-04-18 1999-09-28 Nippon Steel Corporation SiC single crystal and method for growth thereof
US5293858A (en) * 1992-03-30 1994-03-15 Peters Nizam U Apparatus and method for cone shaping the crown and pavilion of gemstones
US5443032A (en) * 1992-06-08 1995-08-22 Air Products And Chemicals, Inc. Method for the manufacture of large single crystals
US5614019A (en) * 1992-06-08 1997-03-25 Air Products And Chemicals, Inc. Method for the growth of industrial crystals
US5441011A (en) * 1993-03-16 1995-08-15 Nippon Steel Corporation Sublimation growth of single crystal SiC
JPH07108007A (ja) * 1993-10-13 1995-04-25 Daiwa Kako Kk 装飾品
US5558564A (en) * 1993-10-22 1996-09-24 Ascalon; Adir Faceting machine
US5503592A (en) * 1994-02-02 1996-04-02 Turbofan Ltd. Gemstone working apparatus
US5458827A (en) * 1994-05-10 1995-10-17 Rockwell International Corporation Method of polishing and figuring diamond and other superhard material surfaces
US7465219B2 (en) * 1994-08-12 2008-12-16 Diamicron, Inc. Brut polishing of superhard materials
US5882786A (en) * 1996-11-15 1999-03-16 C3, Inc. Gemstones formed of silicon carbide with diamond coating
US6048813A (en) * 1998-10-09 2000-04-11 Cree, Inc. Simulated diamond gemstones formed of aluminum nitride and aluminum nitride: silicon carbide alloys
US6045613A (en) * 1998-10-09 2000-04-04 Cree, Inc. Production of bulk single crystals of silicon carbide
US7553373B2 (en) * 2001-06-15 2009-06-30 Bridgestone Corporation Silicon carbide single crystal and production thereof
KR100782998B1 (ko) * 2003-06-16 2007-12-07 쇼와 덴코 가부시키가이샤 실리콘 카바이드 단결정의 성장 방법, 실리콘 카바이드 씨드결정 및 실리콘 카바이드 단결정
US20100297350A1 (en) * 2003-12-05 2010-11-25 David Thomas Forrest Free-standing silicon carbide articles formed by chemical vapor deposition and methods for their manufacture
IL168588A (en) * 2005-05-15 2010-06-30 Sarin Polishing Technologies L Apparatus and article for polishing gemstones
US7553344B2 (en) * 2005-06-07 2009-06-30 Adico, Asia Polydiamond Company, Ltd. Shaped thermally stable polycrystalline material and associated methods of manufacture
US7238088B1 (en) * 2006-01-05 2007-07-03 Apollo Diamond, Inc. Enhanced diamond polishing
CN100467679C (zh) * 2007-04-20 2009-03-11 山东大学 彩色碳硅石单晶及其制备方法与人造宝石的制备

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2156330C2 (ru) 1995-08-31 2000-09-20 Си Три, Инк. Драгоценные камни из карбида кремния
RU2327248C2 (ru) 2002-07-11 2008-06-20 Мицуи Инджиниринг Энд Шипбилдинг Ко. Лтд. ПЛАСТИНА БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА ИЗ SiC И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
RU2396160C2 (ru) * 2005-01-27 2010-08-10 Атлантик Гмбх Способ и устройство для шлифования керамических сферических тел

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
O'DONOGHUE: "M. Gems", 2006, ELSEVIER, pages: 89

Also Published As

Publication number Publication date
MA34679B1 (fr) 2013-11-02
KR20140037013A (ko) 2014-03-26
EA201300509A1 (ru) 2013-08-30
JP2014506138A (ja) 2014-03-13
CN103314139A (zh) 2013-09-18
EP2634295A1 (en) 2013-09-04
CA2816447A1 (en) 2012-05-03
US20120298092A1 (en) 2012-11-29
BR112013010205A2 (pt) 2019-09-24
RU2434083C1 (ru) 2011-11-20
IL225960A0 (en) 2013-06-27
AU2011321040A1 (en) 2013-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2156330C2 (ru) Драгоценные камни из карбида кремния
AU719775B2 (en) Gemstones formed of silicon carbide with diamond coating
RU2434083C1 (ru) Способ одновременного получения нескольких ограненных драгоценных камней из синтетического карбида кремния - муассанита
CN102198701B (zh) 一种刻面碳化硅宝石成品的加工方法
US5072549A (en) Method of cutting gemstones and product
US11638470B2 (en) Gallium nitride gemstones
Crowe Jeweller's Directory of Gemstones: A Complete Guide to Appraising and Using Precious Stones, from Cut and Colour to Shape and Setting
US3755025A (en) Production of doublet blanks for simulated diamonds
KR101227754B1 (ko) 장식용 보석 및 그 가공방법
JP4370361B1 (ja) 装身具、装身具製造方法
RU2808301C1 (ru) Способ получения ювелирного камня
Lin et al. A new deposit of pink natrolite from Indonesia
CN101623842A (zh) 用于制造宝石或半宝石的方法
JP2010104774A (ja) 装身具、装身具製造方法
JP2009297207A (ja) 宝石または準貴石を製造するための方法
KR100332336B1 (ko) 형석 가공방법
Mukherjee et al. Precious and Semiprecious Stones
Айдарбаева DIAMOND AND ITS APPLICATION IN ENGINEERING
MXPA98001580A (en) Sili carbide gems
KR20010092021A (ko) 이종의 보석을 태극문양으로 일체로 가공하는 방법 및 그제품
JPH0730731U (ja) 宝飾珠玉石

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11836702

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13519651

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2013/04904

Country of ref document: TR

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2013536555

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2816447

Country of ref document: CA

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2011836702

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011836702

Country of ref document: EP

Ref document number: 201300509

Country of ref document: EA

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20137013632

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: A201310769

Country of ref document: UA

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2011321040

Country of ref document: AU

Date of ref document: 20110818

Kind code of ref document: A

REG Reference to national code

Ref country code: BR

Ref legal event code: B01A

Ref document number: 112013010205

Country of ref document: BR

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 112013010205

Country of ref document: BR

Kind code of ref document: A2

Effective date: 20130426