JPH01220390A - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
- Publication number
- JPH01220390A JPH01220390A JP4377388A JP4377388A JPH01220390A JP H01220390 A JPH01220390 A JP H01220390A JP 4377388 A JP4377388 A JP 4377388A JP 4377388 A JP4377388 A JP 4377388A JP H01220390 A JPH01220390 A JP H01220390A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating
- substrate
- heating element
- heating device
- plate body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 206010027476 Metastases Diseases 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000009401 metastasis Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は短時間にして所望の温度まで昇温し、さらに短
時間にして所望の温度まで降温を可能にする、高周波誘
導法による加熱装置に関し、特にＳｉ基板上に形成され
たＧａ、Ａｓ薄膜の高品質化に適用して好適な加熱装置
に関するものである。
時間にして所望の温度まで降温を可能にする、高周波誘
導法による加熱装置に関し、特にＳｉ基板上に形成され
たＧａ、Ａｓ薄膜の高品質化に適用して好適な加熱装置
に関するものである。
一般にＳｉ基板上にｍ−ｖ族化合物、特にＧａＡＳのよ
うにＳｉと格子定数が異なる半導体薄膜を成長した場合
、かかる格子不整合に起因して、Ｓｉ−ｍ−ｖ族化合物
界面において誘起された高密度な転移が半導体薄膜表面
にまで達する。かかる転移は電気伝導キャリアの再結合
中心を形成するため、上記半導体結晶を用いた半導体装
置の性能を大幅に阻害することが知られている。
うにＳｉと格子定数が異なる半導体薄膜を成長した場合
、かかる格子不整合に起因して、Ｓｉ−ｍ−ｖ族化合物
界面において誘起された高密度な転移が半導体薄膜表面
にまで達する。かかる転移は電気伝導キャリアの再結合
中心を形成するため、上記半導体結晶を用いた半導体装
置の性能を大幅に阻害することが知られている。
最近、上記半導体薄膜を成長した後に高温熱処理を加え
ることにより、上記転移低減が効果的におこなわれ、上
記ＧａＡｓ１膜の結晶品質が大幅に向上することが報告
されている。（例えば特願昭６２−１６５４４３号、特
開昭 −号公報、大町他昭和６２年秋季応物学会講演
番号２０ｐＸ６／Ｉ）。
ることにより、上記転移低減が効果的におこなわれ、上
記ＧａＡｓ１膜の結晶品質が大幅に向上することが報告
されている。（例えば特願昭６２−１６５４４３号、特
開昭 −号公報、大町他昭和６２年秋季応物学会講演
番号２０ｐＸ６／Ｉ）。
上記転移低減の工程は以下の通りである。すなわち、Ｓ
ｉ基板であり、その主面上にＧａＡｓ薄膜を形成されて
なるＳｉ基板を第３図に示した手順で加熱と冷却をくり
返す。その際、ＧａＡｓ薄膜中の転移密度を効果的に減
少せしめるには１サイクルだけの加熱と冷却では不十分
であり、５サイクルから１０サイクル繰り返すことが必
要であることがわかっている。加熱の最高温度の目安は
Ｓｉ基板上にＧａＡｓ１膜を結晶成長させる温度付近で
あり、降温の下限温度は冷却に要する時間が許容できる
範囲として２００℃とした。８００℃と２００℃の温度
範囲で上述した加熱−降温をＩＯサイクル繰り返したと
コロ、Ｓｉ基板上（７）ＧａＡｓＷｌｌＧ！の転移密度
はｌ×１０ｈＣｍ４ であった。上記加熱−降温サイク
ルを処理する以前のｃａＡｓｌ膜の転移密度は１×ＩＱ
”ｃｍ’−”であり、かかる処理によってＧａＡｓ１膜
膜の結晶品質は大幅に向上した。すなわち、上記加熱−
降温サイクル工程は基板本体上にＧａＡｓ薄膜を形成し
てなるＳｉ基板を有する半導体装置を製造する場合に適
用して好適なものである。
ｉ基板であり、その主面上にＧａＡｓ薄膜を形成されて
なるＳｉ基板を第３図に示した手順で加熱と冷却をくり
返す。その際、ＧａＡｓ薄膜中の転移密度を効果的に減
少せしめるには１サイクルだけの加熱と冷却では不十分
であり、５サイクルから１０サイクル繰り返すことが必
要であることがわかっている。加熱の最高温度の目安は
Ｓｉ基板上にＧａＡｓ１膜を結晶成長させる温度付近で
あり、降温の下限温度は冷却に要する時間が許容できる
範囲として２００℃とした。８００℃と２００℃の温度
範囲で上述した加熱−降温をＩＯサイクル繰り返したと
コロ、Ｓｉ基板上（７）ＧａＡｓＷｌｌＧ！の転移密度
はｌ×１０ｈＣｍ４ であった。上記加熱−降温サイク
ルを処理する以前のｃａＡｓｌ膜の転移密度は１×ＩＱ
”ｃｍ’−”であり、かかる処理によってＧａＡｓ１膜
膜の結晶品質は大幅に向上した。すなわち、上記加熱−
降温サイクル工程は基板本体上にＧａＡｓ薄膜を形成し
てなるＳｉ基板を有する半導体装置を製造する場合に適
用して好適なものである。
第４図に上記加熱−降温工程に使用した従来構造による
高周波誘導加熱装置の略断面構造の一例を示す。ここで
発熱体１は略々直方体の形状を存する比較的長い導電体
で構成され、通常はグラファイトで形成される。かかる
発熱体１の主面上に、Ｓｉ基板４１の主面上に形成され
たＧａＡｓ薄膜４２を有する半導体４を載１した状態で
、外周に高周波誘導コイル（以下高周波コイルと云う。
高周波誘導加熱装置の略断面構造の一例を示す。ここで
発熱体１は略々直方体の形状を存する比較的長い導電体
で構成され、通常はグラファイトで形成される。かかる
発熱体１の主面上に、Ｓｉ基板４１の主面上に形成され
たＧａＡｓ薄膜４２を有する半導体４を載１した状態で
、外周に高周波誘導コイル（以下高周波コイルと云う。
）６を装置している石英管５内に配し、しかして石英管
５の内部雰囲気を水素もしくはアルシンを含有する水素
ガスとなし、高周波コイル６に高周波電力を通電せしめ
れば、発熱体１の表面近傍に発生させる高周波誘導電流
にｈよって高温に加熱される。従って発熱体ｌの主面上
に載置された半導体４が加熱される。発熱体１を降温す
るには高周波コイル６に印加する電力をしゃ断して発熱
を停止する。
５の内部雰囲気を水素もしくはアルシンを含有する水素
ガスとなし、高周波コイル６に高周波電力を通電せしめ
れば、発熱体１の表面近傍に発生させる高周波誘導電流
にｈよって高温に加熱される。従って発熱体ｌの主面上
に載置された半導体４が加熱される。発熱体１を降温す
るには高周波コイル６に印加する電力をしゃ断して発熱
を停止する。
従来構造の加熱装置は、例えば第３図の特性■に示した
如く、昇温に８分、降温に２２分の時間を要し、１サイ
クルで３０分、ｌＯサイクルの全工程終了に３００分を
要し、生産性が極めて低い欠点があった。
如く、昇温に８分、降温に２２分の時間を要し、１サイ
クルで３０分、ｌＯサイクルの全工程終了に３００分を
要し、生産性が極めて低い欠点があった。
本発明は、上記加熱−降温の全工程に要する時間を短縮
した新しい構造の加熱装置を提供することを目的とする
ものである。
した新しい構造の加熱装置を提供することを目的とする
ものである。
本発明の加熱装置は上述の目的を達成するため、高周波
誘導により熱を発生する発熱体に被加熱物質を載置して
加熱する加熱装置において、前記発熱体は、前記被加熱
物質を載置する第１の導電性物質からなる基体と前記基
体の相対する二辺の縁部側面を、それぞれ対向して橋架
支持する第１の側面部および第２の側面部を備えた第２
の導電性物質からなる板体を具備してなることを特徴と
している。
誘導により熱を発生する発熱体に被加熱物質を載置して
加熱する加熱装置において、前記発熱体は、前記被加熱
物質を載置する第１の導電性物質からなる基体と前記基
体の相対する二辺の縁部側面を、それぞれ対向して橋架
支持する第１の側面部および第２の側面部を備えた第２
の導電性物質からなる板体を具備してなることを特徴と
している。
本発明の加熱装置は、加熱されるべき物質を載置する発
熱体が第１の導電性物質からなる基板を有し、かつ基体
の相対する二辺の縁部を、第２の導電性物 。
熱体が第１の導電性物質からなる基板を有し、かつ基体
の相対する二辺の縁部を、第２の導電性物 。
質からなる板体の第１及び第２の側面部によって橋架支
持する構造を備えていることから、加熱されるべき物質
、例えば半導体装置する発熱体の熱容量を小さくするこ
とにより、加熱と降温に要する時間を短縮することがで
きる。以下図面にもとづき実施例について説明する。
持する構造を備えていることから、加熱されるべき物質
、例えば半導体装置する発熱体の熱容量を小さくするこ
とにより、加熱と降温に要する時間を短縮することがで
きる。以下図面にもとづき実施例について説明する。
第１図ａ乃至Ｃは本発明の加熱装置の発熱体の実施例を
示し、第１図すおよび第１図Ｃはそれぞれ第１図ａのＡ
−Ａ ’およびＢ−Ｂ ”における断面図で、以下に述
べる構成を有する。
示し、第１図すおよび第１図Ｃはそれぞれ第１図ａのＡ
−Ａ ’およびＢ−Ｂ ”における断面図で、以下に述
べる構成を有する。
すなわち、例えば略々断面が長方形の形状を有する比較
的長い導電性物質からなる基体２１を有する。
的長い導電性物質からなる基体２１を有する。
また基体２１は、基体２１の相対する二辺の縁部の側面
２１１及び２１２にそれぞれ密着固定した第１の側面部
２２１および第２の側面部２２２を備えた導電性物質か
らなる板体２２によって橋架支持されている。この場合
、板体２２は、第１の側面部２２１および第２の側面部
２２２を取付用螺子３を用いて基体２１の側面２１１及
び２１２に取付けることによって、基体２１の側面２１
１及び２１２を橋架している。また、基体２１及び取付
用螺子３は、例えばグラファイト、板体２２は、例えば
タンタル又はタングステン等の高融点金属によって作ら
れている。以上が本発明による加熱装置の発熱体ｌＯの
一構成例である。
２１１及び２１２にそれぞれ密着固定した第１の側面部
２２１および第２の側面部２２２を備えた導電性物質か
らなる板体２２によって橋架支持されている。この場合
、板体２２は、第１の側面部２２１および第２の側面部
２２２を取付用螺子３を用いて基体２１の側面２１１及
び２１２に取付けることによって、基体２１の側面２１
１及び２１２を橋架している。また、基体２１及び取付
用螺子３は、例えばグラファイト、板体２２は、例えば
タンタル又はタングステン等の高融点金属によって作ら
れている。以上が本発明による加熱装置の発熱体ｌＯの
一構成例である。
このような構成を有する本願の発明による発熱体１０を
備えた結晶化装置からなる加熱装置によれば、発熱体ｌ
Ｏを第２図に示すように、基体２１の主面上に、上述し
た高品質化されるべきＧａＡｓｆｉｌ膜４２をＳｔ膜板
２１上に有する構造の半導体４をＲ置した状態で高周波
コイル６を巻装せる石英管５内に配し、高周波コイル６
に高周波電力を通電させれば、基体２１、従って半導体
４が次に述べるように加熱される。
備えた結晶化装置からなる加熱装置によれば、発熱体ｌ
Ｏを第２図に示すように、基体２１の主面上に、上述し
た高品質化されるべきＧａＡｓｆｉｌ膜４２をＳｔ膜板
２１上に有する構造の半導体４をＲ置した状態で高周波
コイル６を巻装せる石英管５内に配し、高周波コイル６
に高周波電力を通電させれば、基体２１、従って半導体
４が次に述べるように加熱される。
すなわち、高周波コイル６に通電すると、基体２１の外
表面部と板体２２の外表面部によって形成される閉表面
ループ部に、これを閉電流路として高周波誘導電流が流
れる。よって上記閉電流路が高周波誘導電流のジュール
損失によって発熱し、これによって基体２１が発熱する
。しかるに、基体２１を構成するグラファイトの比抵抗
は１８００ｘｌＯ−ｈΩｃｍであるのに対し、板体２２
をタングステンで構成した場合、タングステンの比抵抗
は６Ｘ１０−ｈΩｃｍと小さいため、上記閉電流路にお
いて板体２２に比べて基体２１は格段に小さいインピー
ダンスを有する。従って高周波誘導によって発熱するの
は基体２１である。このため基体２１からの熱によって
、基体２１の主面上に載置された半導体４は効果的に加
熱される。
表面部と板体２２の外表面部によって形成される閉表面
ループ部に、これを閉電流路として高周波誘導電流が流
れる。よって上記閉電流路が高周波誘導電流のジュール
損失によって発熱し、これによって基体２１が発熱する
。しかるに、基体２１を構成するグラファイトの比抵抗
は１８００ｘｌＯ−ｈΩｃｍであるのに対し、板体２２
をタングステンで構成した場合、タングステンの比抵抗
は６Ｘ１０−ｈΩｃｍと小さいため、上記閉電流路にお
いて板体２２に比べて基体２１は格段に小さいインピー
ダンスを有する。従って高周波誘導によって発熱するの
は基体２１である。このため基体２１からの熱によって
、基体２１の主面上に載置された半導体４は効果的に加
熱される。
電磁見学によれば高周波誘導電流の表皮効果による浸入
深さの値δは以下の式で求められる。
深さの値δは以下の式で求められる。
但し 抵抗率：ρ（Ω・ｃｍ）
透磁率；μ＝ １ 、 ３ Ｘ １０−＠（Ｖ ｓｅ
ｃ／Ａ−ｃｍ）周波数：ｆ（Ｈｚ） 周波数４００ＫＨ２ではδ（グラファイト）−０，３４
ｃｍ、δ （タングステン）＝０．０２ｃｍであり、従
って上記閉電流路を構成する基体２１及び板体２２の厚
さとしては少なくとも各々上記δの値以上であれば前記
高周波誘導電流の閉ループを形成するのに十分であり、
余裕をもってしても各々上記δの値の３倍の厚さをもっ
てすれば十分である。
ｃ／Ａ−ｃｍ）周波数：ｆ（Ｈｚ） 周波数４００ＫＨ２ではδ（グラファイト）−０，３４
ｃｍ、δ （タングステン）＝０．０２ｃｍであり、従
って上記閉電流路を構成する基体２１及び板体２２の厚
さとしては少なくとも各々上記δの値以上であれば前記
高周波誘導電流の閉ループを形成するのに十分であり、
余裕をもってしても各々上記δの値の３倍の厚さをもっ
てすれば十分である。
第１図に示す本実施例では、図に例示したように基体２
１の断面寸法ｄＸＷをｌＱｍｍｘ４Ｑｍｍとした。ここ
で基体２１の厚さであるｄの１０ｍｍはグラファイトの
δの３倍を見積って設計された。タングステンからなる
板体２２は０．０６ｃｍの厚さでもって構成した。さら
に基体２１と板体２２で構成される断面寸法は第１図に
示すように、略４０ｍｍＸ３５ｍｍとした。
１の断面寸法ｄＸＷをｌＱｍｍｘ４Ｑｍｍとした。ここ
で基体２１の厚さであるｄの１０ｍｍはグラファイトの
δの３倍を見積って設計された。タングステンからなる
板体２２は０．０６ｃｍの厚さでもって構成した。さら
に基体２１と板体２２で構成される断面寸法は第１図に
示すように、略４０ｍｍＸ３５ｍｍとした。
本発明と従来技術を比較するに、本発明による第１図に
示す実施例の発熱体１０に相当する従来の発熱体ｌを構
成する場合、発熱体ｌの構造は、長さ寸法が本発明の基
体２１と同じであり、かつ断面構造が基体２１と板体２
２で形成する外形と同じ寸法ををする。すなわち、本発
明の第１図に示す加熱装置の発熱体１０と同じ高周波誘
導加熱効果を従来構造の発熱体１で実現するには、発熱
体１の断面寸法も４０ｍｍＸ３５ｍｍである。
示す実施例の発熱体１０に相当する従来の発熱体ｌを構
成する場合、発熱体ｌの構造は、長さ寸法が本発明の基
体２１と同じであり、かつ断面構造が基体２１と板体２
２で形成する外形と同じ寸法ををする。すなわち、本発
明の第１図に示す加熱装置の発熱体１０と同じ高周波誘
導加熱効果を従来構造の発熱体１で実現するには、発熱
体１の断面寸法も４０ｍｍＸ３５ｍｍである。
板体２２の熱容量を基体２１の熱容量に比較して無視す
れば、第１図に示す本発明の実施例では従来構造に比べ
て、その熱容量は３．５分の−に低減されたことは明白
である。
れば、第１図に示す本発明の実施例では従来構造に比べ
て、その熱容量は３．５分の−に低減されたことは明白
である。
このような構成を有する発熱体１０を備えた本発明によ
る加熱装置によれば、第２図に示すように、発熱体１０
を、基体２１の主面上に半導体４を載置した状態で、外
周に高周波コイル６を巻装している石英管５内に配し、
高周波コイル６に印加せる高周波電力を通電、しゃ断す
ることによって、Ｓｔ基板４１の主面上に形成されてい
るＧａＡｓ薄膜４２の加熱−降温サイクル工程をおこな
う。本実施例によるサイクル工程では、第３図の特性■
に示すように室温から温度８００ ”ｃまでの加熱に５
分弱、８００℃から２００℃の降温に１０分を要した。
る加熱装置によれば、第２図に示すように、発熱体１０
を、基体２１の主面上に半導体４を載置した状態で、外
周に高周波コイル６を巻装している石英管５内に配し、
高周波コイル６に印加せる高周波電力を通電、しゃ断す
ることによって、Ｓｔ基板４１の主面上に形成されてい
るＧａＡｓ薄膜４２の加熱−降温サイクル工程をおこな
う。本実施例によるサイクル工程では、第３図の特性■
に示すように室温から温度８００ ”ｃまでの加熱に５
分弱、８００℃から２００℃の降温に１０分を要した。
すなわちｌサイクルに要した時間は略１５分であり、従
来の発熱体構成の加熱装置の場合に対し半分に時間が短
縮され、１０サイクルの全工程は３００分から１５０分
に短縮され、生産性は大幅に向上した。
来の発熱体構成の加熱装置の場合に対し半分に時間が短
縮され、１０サイクルの全工程は３００分から１５０分
に短縮され、生産性は大幅に向上した。
なお、上述においては本発明の一例を示したに留まり、
本発明の精神を脱することなしに寸法の変更、種々の変
形、変更をなし得ることは明らかである。 また上述に
おいては、本発明を半４体の熱処理による結晶品質の向
上に適用した場合を述べたが、本発明は半導体以外の他
の材料を種々の目的で加熱する場合にも適用し得ること
は明らかである。
本発明の精神を脱することなしに寸法の変更、種々の変
形、変更をなし得ることは明らかである。 また上述に
おいては、本発明を半４体の熱処理による結晶品質の向
上に適用した場合を述べたが、本発明は半導体以外の他
の材料を種々の目的で加熱する場合にも適用し得ること
は明らかである。
以上説明したように、本発明によれば従来構造に比べて
数分の一〇熱容量を有する加熱装置が実現できるので加
熱−降温サイクルを短時間でおこなうことができる。
数分の一〇熱容量を有する加熱装置が実現できるので加
熱−降温サイクルを短時間でおこなうことができる。
第１図ａ乃至Ｃは本発明の加熱装置に係る発熱体の実施
例の構成を示す図、第２図は本発明の加熱装置により被
加熱物質を加熱、降温する状態を説明する図、第３図は
本発明および従来の加熱装置による加熱−降温工程の温
度と時間の関係を示す図、第４図は従来の加熱装置によ
り被加熱物質を加熱、降温する状態を説明する図である
。 １・・・発熱体、２１・・・基体、２２・・・板体、２
１１゜２１２・・・基体２１の側面、２２１．２２２・
・・板体２２の第１および第２の側面部、３・・・取付
用螺子、４・・・半導体、４１・・・Ｓｉ基板、４２・
・・ＧａＡｓ薄膜、５・・・石英管、６・・・高周波コ
イル、１０・・・発熱体 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 玉 蟲 久五部 （外２名）
例の構成を示す図、第２図は本発明の加熱装置により被
加熱物質を加熱、降温する状態を説明する図、第３図は
本発明および従来の加熱装置による加熱−降温工程の温
度と時間の関係を示す図、第４図は従来の加熱装置によ
り被加熱物質を加熱、降温する状態を説明する図である
。 １・・・発熱体、２１・・・基体、２２・・・板体、２
１１゜２１２・・・基体２１の側面、２２１．２２２・
・・板体２２の第１および第２の側面部、３・・・取付
用螺子、４・・・半導体、４１・・・Ｓｉ基板、４２・
・・ＧａＡｓ薄膜、５・・・石英管、６・・・高周波コ
イル、１０・・・発熱体 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 玉 蟲 久五部 （外２名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 高周波誘導により熱を発生する発熱体に被加熱物質を載
置して加熱する加熱装置において、 前記発熱体は、 前記被加熱物質を載置する第１の導電性物質からなる基
体（２１）と、 前記基体の相対する二辺の縁部側面を、それぞれ対向し
て橋架支持する第１の側面部（２２１）および第２の側
面部（２２２）を備えた第２の導電性物質からなる板体
（２２）を具備してなる ことを特徴とする加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4377388A JPH01220390A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4377388A JPH01220390A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220390A true JPH01220390A (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=12673074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4377388A Pending JPH01220390A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01220390A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007036110A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Toyota Motor Corp | はんだ付け装置およびはんだ付けされた装置の製造方法 |
| US20100092666A1 (en) * | 2006-12-25 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus and film deposition method |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP4377388A patent/JPH01220390A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007036110A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Toyota Motor Corp | はんだ付け装置およびはんだ付けされた装置の製造方法 |
| US20100092666A1 (en) * | 2006-12-25 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus and film deposition method |
| US8696814B2 (en) * | 2006-12-25 | 2014-04-15 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus and film deposition method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20070240633A1 (en) | One hundred millimeter single crystal silicon carbide wafer | |
| EP1832673B1 (en) | Method for producing substrate for single crystal diamond growth | |
| US20160247607A1 (en) | ReBCO HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTING WIRE BONDING DEVICE AND BONDING METHOD USING SAME | |
| EP1219731B1 (en) | FERROMAGNETIC p-TYPE SINGLE CRYSTAL ZINC OXIDE AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF | |
| WO2015070589A1 (zh) | 一种多晶硅薄膜基板制作方法 | |
| JP2006298722A (ja) | 単結晶炭化ケイ素基板の製造方法 | |
| JP2000012482A (ja) | 炭化けい素半導体素子の製造方法 | |
| JPH01220390A (ja) | 加熱装置 | |
| JP2000001398A (ja) | 炭化けい素半導体基板の製造方法 | |
| JPH04198095A (ja) | 化合物半導体薄膜成長方法 | |
| US6436186B1 (en) | Material for raising single crystal SiC and method of preparing single crystal SiC | |
| JPS6126216A (ja) | 化合物半導体の成長方法 | |
| JP3657036B2 (ja) | 炭化ケイ素薄膜および炭化ケイ素薄膜積層基板の製造方法 | |
| JP2006237319A (ja) | ｐ型シリコンカーバイド層の製造方法 | |
| US3988172A (en) | Annealing solar cells of InP/CdS | |
| CN112746257A (zh) | 一种具有垂直磁各向异性的异质结及其制备方法 | |
| JP2000053493A (ja) | 単結晶の製造方法および単結晶製造装置 | |
| JP2005032803A (ja) | 半導体製造方法及び半導体ウェハ | |
| JPH08255882A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法およびｓｏｉ基板 | |
| JP3793934B2 (ja) | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 | |
| JPS60148127A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH03252398A (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ基板の製造方法 | |
| KR20000052007A (ko) | 전기장과 플라즈마를 이용한 다결정질 실리콘 박막 증착 방법 | |
| JPH0543109Y2 (ja) | ||
| JP2002137992A (ja) | 液相成長法およびその装置 |