KR20000052007A - 전기장과 플라즈마를 이용한 다결정질 실리콘 박막 증착 방법 - Google Patents
전기장과 플라즈마를 이용한 다결정질 실리콘 박막 증착 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (11)
- 기판 위에 다결정 실리콘을 증착하기 위하여 기판이 플라즈마 입자에 노출된 단계와, 플라즈마 입자에 노출된 기판 위에 전기장을 인가한 상태에서 비정질 실리콘을 증착 하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비정질막을 결정화시키는 방법.
- 기판 위에 비정질막을 증착 중에 결정화시키기 위하여 기판 위의 얇은 비정질막 위에 플라즈마 입자를 노출시키는 단계와 플라즈마에 노출된 기판에 전기장을 인가한 상태에서 비정질막이 증착 되는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘을 결정화하는 방법.
- 제 1항 내지 제 2항에 있어서,기판이 부분적으로 플라즈마 입자에 노출되는 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화시키는 방법.
- 제 1항, 제 2항, 제 3항에 있어서,플라즈마 입자에 노출된 기판에 증착된 금속층의 두께가 0.01Å에서 10Å인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화시키는 방법.
- 제 1항, 제 2항 내지 제 3항에 있어서,전기장의 세기가 1~100V/cm인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화시키는 방법
- 제 1항, 제 2항 내지 제 3항에 있어서,기판온도가 300~1,000℃인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화시키는 방법.
- 제 1항, 제 2항 내지 제 3항에 있어서,플라즈마 형성시 금속 입자를 얻기 위한 전극이 전이금속인 것을 특징으로 하는 비정질막을 결정화시키는 방법.
- 제 7항에 있어서,플라즈마 형성시 금속입자를 얻기 위하여 전극이 니켈 또는 니켈합금인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화시키는 방법
- 제 1항, 제 2항 내지 제 3항에 있어서,플라즈마 입자에 노출된 시간이 0.1초부터 1,000초인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화시키는 방법
- 제 1항, 제 2항 내지 제 3항에 있어서,비정질 막이 비정질 실리콘인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화시키는 방법
- 제 2항에 있어서,기판위의 얇은 비정질 막의 두께가 5Å에서 1000Å인 것을 특징으로 하는 비정질 막을 결정화시키는 방법
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1999
- 1999-01-28 KR KR1019990002776A patent/KR100316270B1/ko not_active IP Right Cessation
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