KR100434313B1 - 비정질 실리콘의 결정화 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (16)
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- 비정질 실리콘 상에 금속을 평균적으로 5.0 x 1012atoms/cm2에서 2.0 x 1014atoms/cm2개 증착하는 단계와 상기의 비정질 실리콘에 자외선을 조사하여 고체상태에서 온도를 급격히 올리는 단계와, 상기의 비정질 실리콘에 전계를 인가하여 결정화시키는 단계를 포함하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 청구항 2에 있어서,비정질 실리콘 상에 증착되는 금속이 니켈인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 청구항 2에 있어서,결정화 시키는 위하여 증착되는 금속이 니켈 혹은 니켈을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 청구항 2에 있어서,비정질 실리콘 상에 금속을 입히는 방법으로 이온 빔을 이용하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 청구항 2에 있어서,비정질 실리콘 상에 금속을 입히는 방법으로 플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 청구항 2에 있어서,플라즈마를 형성하기 위하여 RF 또는 마이크로파 플라즈마를 이용하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 청구항 2에 있어서,비정질 실리콘 상에 금속을 입히는 방법으로 금속 용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 청구항 2에 있어서,비정질 실리콘에 조사되는 자외선 파장이 100nm ~ 400nm 사이에 있는 빛을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 청구항 2에 있어서,비정질 실리콘을 결정화 시키기 위하여 조사된 자외선에 의해 비정질 실리콘의 온도가 400 ~1100oC 가 되는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 청구항 2에 있어서,고체 상태의 비정질 실리콘의 온도가 500 ~ 700oC가 되는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 삭제
- 청구항 2에 있어서,온도 상승 속도가 평균적으로 50oC/min ~ 1500oC/min 인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 청구항 2에 있어서,비정질 실리콘을 결정화 시키기 위하여 인가한 전계의 세기가 시간에 따라서 변화하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 청구항 2에 있어서,인가하는 전계는 직류 또는 교류 전계인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 청구항 2에 있어서,비정질 실리콘을 결정화 시키기 위하여 인가한 전계의 세기가 1 ~ 1000V/cm인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JPH08204206A (ja) * | 1995-01-28 | 1996-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体およびその作製方法および半導体装置 |
JPH09171965A (ja) * | 1995-12-20 | 1997-06-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JPH09260676A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH10135135A (ja) * | 1996-10-30 | 1998-05-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
KR20000052007A (ko) * | 1999-01-28 | 2000-08-16 | 장진 | 전기장과 플라즈마를 이용한 다결정질 실리콘 박막 증착 방법 |
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---|---|---|---|---|
JPH08204206A (ja) * | 1995-01-28 | 1996-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体およびその作製方法および半導体装置 |
JPH09171965A (ja) * | 1995-12-20 | 1997-06-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JPH09260676A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH10135135A (ja) * | 1996-10-30 | 1998-05-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
KR20000052007A (ko) * | 1999-01-28 | 2000-08-16 | 장진 | 전기장과 플라즈마를 이용한 다결정질 실리콘 박막 증착 방법 |
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