JPH10135135A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザー光の照射による非晶質珪素膜の結晶
化をむら無く行う技術を提供する。 【解決手段】 非晶質珪素膜１０２の表面に形成された
酸化膜１０３をエッチングしてから、レーザー光の照射
を行う。この際、レーザー光は線状にビーム加工された
紫外領域のエキシマレーザーを用いる。また、試料は室
温以下の温度とし、また非晶質珪素膜の膜厚を４００〜
１０００Å程度とする。こうすることで、線状レーザー
の照射による縞模様の形成を抑制することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
レーザー光の照射により、結晶化された結晶性珪素膜を
利用した薄膜トランジスタの作製方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体薄膜にレーザー光を照射すること
により各種アニールを行う技術が知られている。例え
ば、ガラス基板上に薄膜トランジスタを作製する際に、
まず非晶質珪素膜（アモファスシリコン膜）をガラス基
板上にプラズマＣＶＤ法等で成膜し、それにパルス発振
型で紫外光領域の発振を行うエキシマレーザー光を照射
することにより、結晶性珪素膜を得る技術が知られてい
る。

【０００３】エキシマレーザーが利用されるのは、珪素
膜のアニールに適するような照射エネルギー密度と波長
が得られるからである。

【０００４】しかし、通常のレーザー光は数ｍｍ角程度
のスポット状のビーム形状であるので、数十ｃｍ角の大
きさを有するガラス基板を利用した際等に生産性が問題
となる。

【０００５】この問題を解決するために、レーザー光を
光学系により、長さ数十ｃｍの線状に加工し、この線状
のレーザービーム（線状レーザーと称する）を走査する
ことにより、大面積への対応を行う技術が知られてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記線状レーザーを用
いた方法により、薄膜トランジスタを作製じた場合、以
下のような問題が生じる。薄膜トランジスタを作製する
場合、それが単体で作製されるのではなく、集積化した
ものとして作製される。

【０００７】例えば、周辺駆動回路を一体化したアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置に薄膜トランジスタを
利用する場合、周辺駆動回路を構成するシフトレジスタ
やバッファー回路、さらにアナログスイッチ回路といっ
た回路は、同じ回路パターンが繰り返されて配置される
ものとなる。

【０００８】このような構成を得るために線状のレーザ
ー光を利用すると、得られた液晶ディスプレイの表示に
細かい縞模様が観察される。この縞模様はその長手方向
が直交した２種類に分類される。即ち、縦縞及び横縞と
して観察される。

【０００９】なお、レーザー光の走査方向を９０°回転
させても、やはり縦縞及び横縞は観察される。

【００１０】この縞模様は、アニール後の珪素膜を観察
した場合にも結晶性のむらとして認識することができ
る。

【００１１】本発明者らの知見によれば、上記の縦縞及
び横縞は、線状のレーザービームの長手方向における照
射エネルギー密度のバラツキ、及び走査方向におけるレ
ーザーエネルギー密度のバラツキに関係する。

【００１２】線状のレーザービームの長手方向における
照射エネルギー密度のバラツキは、発振器内部における
放電開始箇所のバラツキに起因する。即ち、発振器から
出るレーザー光の密度分布に偏りが生じ、それが光学系
において拡大される結果として生じる。特に線状のレー
ザービームは、数ｃｍ角のスポットビームを光学系によ
り、幅数ｍｍ、長さ数十ｃｍに成形するので、発振器内
部における放電箇所の偏りは、大きく拡大されたものと
なる。

【００１３】上記線状のレーザービームの長手方向にお
ける照射エネルギー密度のバラツキは、レーザー発振器
内部における空間的な発振位置のバラツキによるものと
理解することができる。

【００１４】また、線状のレーザービームの走査方向お
ける照射エネルギー密度のバラツキは、発振器の安定
性、即ち発振毎における照射エネルギー密度のバラツキ
に起因する。

【００１５】これは、レーザー発振器の時間的な発振強
度のバラツキによるものと理解することができる。

【００１６】上記の時間的及び空間的なレーザー発振の
バラツキは、レーザー発振器の構造や発振方法に起因す
るものである。本明細書で開示する発明は、以下の事項
を前提とし、大面積へのアニール効果の不均一性を解決
することを課題とする。

【００１７】（１）パルス発振型のエキシマレーザーを
利用する。 （２）光学系により成形した線状のレーザー光を利用す
る。 （３）レーザー発振器からのレーザー光が上述したよう
なエネルギー密度のゆらぎを有している。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
は、非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜
の表面に形成された不純物膜を除去する工程と、紫外領
域の波長を有する線状のエキシマレーザー光を走査して
照射することにより前記非晶質珪素膜を結晶化させる工
程と、を有することを特徴とする。

【００１９】上記構成において、レーザー光の照射時に
非晶質珪素膜の温度を室温または室温以下に冷却するこ
とを特徴とする。

【００２０】また、非晶質珪素膜の膜厚を４００Å〜８
００Åとすることを特徴とする。

【００２１】不純物膜は、酸化物、窒化物、有機物から
選ばれた少なくとも一つを含む膜として定義される。主
に関係するのは酸化膜である。

【００２２】不純物膜の除去は、特にＢＨＦやＨＦ等の
フッ酸を含むエッチャントによって行いうと効果的であ
る。これは、非晶質珪素膜の表面をフッ素によってター
ミネイトすることにより、レーザー照射前に非晶質珪素
膜の表面に不純物膜が形成されないようにすることに効
果がある。

【００２３】

【発明の実施の形態】非晶質珪素膜の表面に形成された
自然酸化膜に代表される不純物膜をエッチングで除去す
ることにより、その後の線状レーザー光の照射時におけ
る結晶化をむらなく行わすことができる。

【００２４】酸化膜を除去することにより、レーザー照
射後の膜質が安定するのは、非晶質珪素膜と酸化珪素膜
との熱伝導率の大きな違いに起因する。

【００２５】厚さが１０００Å以下であるような非晶質
珪素膜は、膜中の不均一性が顕著に現れてしまう。当
然、そのような非晶質珪素膜上に形成された酸化膜にも
不均一性が現れる。

【００２６】エキシマレーザー光には、そもそも時間的
及び空間的にゆらぎが存在する。レーザー光が非晶質珪
素膜に照射されると、そこから周囲に熱が瞬間的に伝導
するのであるが、その伝導状態は、レーザー自体の照射
エネルギー密度のバラツキと上記膜の不均一性を反映し
たものとなる。

【００２７】線状のレーザーを利用した場合、熱伝導に
より結晶化した端部にこの不均一性が現れる。当然この
端部は線状（筋状）なものとなる。エキシマレーザーを
利用した場合、パルス発振により、次々とレーザー光が
照射されるが、この時上記線状の領域は、レーザー発振
の不均一性と非晶質珪素膜と酸化膜の不均一性とを反映
したものとして現れる。

【００２８】換言すれば、レーザー発振の不均一性と非
晶質珪素膜と酸化膜の不均一性とが相乗して、さらに強
調されたものとして現れる。

【００２９】そして、これが縞模様状に結晶状態（膜
質）が変化してしまうものとして観察される。

【００３０】酸化珪素膜の熱伝導率は、非晶質珪素膜の
それに比較して、数パーセント以下である。従って、非
晶質珪素膜の表面に酸化膜が存在すると、上記の不均一
性がさらに助長されたものとなる。

【００３１】このことは、酸化膜以外の有機膜や窒化膜
についてもいえることである。

【００３２】また、レーザー照射時の加熱も上記の不均
一性（熱伝導の不均一性）をさらに助長するものとな
る。

【００３３】また、膜厚が４００Å以下というように薄
くなる場合も上記の膜質の不均一性が顕在化する。

【００３４】

【実施例】

〔実施例１〕図１にレーザーアニールにより、結晶性珪
素膜を得る工程の概略を示す。まず、ガラス基板１０１
上にプラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ法により、非
晶質珪素膜１０２を５００Åの厚さに成膜する。

【００３５】非晶質珪素膜１０２の成膜後、膜の表面に
は不純物膜１０３が不可避に形成される。これは、成膜
装置から試料の取り出しや搬送時に不可避に形成されて
しまう。この不純物膜は、酸化膜（自然酸化膜）が主で
あり、その他有機膜、さらには窒化膜でもって構成され
る。（実際には、それらが混合した膜が形成される）

【００３６】こうして図１（Ａ）に示す状態を得る。次
にＢＨＦ（バッファードフッ酸）またはＨＦ（フッ酸）
を用いて、非晶質珪素膜１０２表面に形成された不純物
膜をエッチングする。このエッチングは、ドライエッチ
ング法を利用して行うのでもよい。

【００３７】このエッチチング後には、膜の表面はフッ
素及び水素でターミネイトされ、数時間は自然酸化膜や
有機膜が形成されることが防がれる。

【００３８】上記のエッチング後にレーザー光の照射を
行うことにより、非晶質珪素膜を結晶化させる。レーザ
ー光としては、ＫｒＦエキシマレーザ、ＸｅＣｌエキシ
マレーザー等の紫外領域の発振を行うエキシマレーザー
を用いる。

【００３９】またその照射方法は、光学系により、幅数
ｍｍ、長さ数十ｃｍの線状にビーム加工したものを、そ
の幅方向に走査しながら照射するものとする。こうする
ことで、大面積への対応を行うことができる。

【００４０】図３に非晶質珪素膜の表面に形成されてい
る酸化膜を除去した場合としない場合とにおけるレーザ
ー照射後の膜の見かけ上の屈折率とレーザー照射時の照
射エネルギー密度との関係を示す。

【００４１】屈折率は、エリプソメトリで計測し、エネ
ルギー照射密度は、照射されたレーザー光の一部を外部
に取り出し、それをディテクターで計測した値から求め
たものである。これらの計測値は、絶対的なものではな
く、相対的なものである。

【００４２】またレーザー光は、線状にビーム加工され
たＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）を利用し
たものである。

【００４３】利用した試料は、プラズマＣＶＤ法で成膜
した厚さ５００Åの非晶質珪素膜を空気中において４５
０℃の温度で１時間加熱し、膜中の水素を離脱させたも
のを用いた。

【００４４】酸化膜は、上記水素出しの加熱処理中に形
成されたものである。また、その膜厚は数十Å程度であ
る。

【００４５】また、酸化膜の除去の方法は、バッファー
ドフッ酸によるウェットエッチングによるものである。

【００４６】屈折率が、その値が小さい程、膜表面の荒
れが大きく、またその結晶性が優れていることを示して
いる。

【００４７】なお、この膜表面荒れと結晶性との関係
は、一見矛盾しているようであるが、レーザー光の照射
によって得られた結晶性珪素膜においては、一般的に膜
表面の荒れが大きい方が膜の結晶性が高いというデータ
が得られている。

【００４８】図３から明らかなように、レーザー光の照
射エネルギー密度の変化に対しての屈折率の変化、即ち
レーザー光の照射エネルギー密度の変化に対しての結晶
性と表面の荒れの程度は、酸化膜を除去した試料の場合
の方が小さい。

【００４９】これは、酸化膜を除去した試料において
は、そうでない試料に比較して、照射エネルギー密度の
バラツキに対して、膜質の変化が小さいことを示してい
る。即ち、不可避に発生してしまうエネルギー密度のゆ
らぎに対して、得られる膜質（換言すればアニール効
果）の変化が小さいことを示している。

【００５０】図４に示すには、出発膜である非晶質珪素
膜の膜厚と、得られた結晶性珪素膜のラマン強度変動の
関係を示したものである。なお利用した試料の作製条件
は、図３に示すデータを得たものと同じである。

【００５１】図４から明らかなように、出発膜の膜厚が
４００Å以上であれば、得られる結晶性珪素膜のラマン
強度、即ち得られる結晶性珪素膜の結晶性はそれ程変動
しないことがわかる。

【００５２】図５に示すのは、レーザー光の照射時にお
ける温度（基板加熱温度）と得られた結晶性珪素膜のラ
マン強度との関係を示すものである。なお利用した試料
の作製条件は、図３に示すデータを得たものと同じであ
る。

【００５３】図５から明らかなように、加熱をする程、
得られる膜のラマン強度（結晶性を反映したものと解釈
される）の変動は大きくなる。特に、試料である非晶質
珪素膜の膜厚が３００Åの場合は、膜厚が５００Åの場
合に比較してこの傾向が極めて顕著になる。

【００５４】即ち、図５からは、レーザー光を照射する
対象となる非晶質珪素膜の膜厚は、３００Åより５００
Åの方が良く、また加熱は行わず２５℃（室温）でレー
ザー光の照射を行うことが良い、という結論が得られ
る。

【００５５】また、図６に非晶質珪素膜に対するレーザ
ー光の照射時における酸化膜の有無、さらに加熱の有無
における得られた結晶性珪素膜の表面を写した写真を示
す。

【００５６】図６（Ａ）は、酸化膜の除去を行わず、室
温でレーザー光を照射した場合に得られる結晶性珪素膜
の表面を写した写真である。この写真は、ランプからの
光を膜の表面に反射させて、膜質のムラが現れやすいよ
うにして、写真撮影を行ったものである。

【００５７】図６（Ｂ）は、酸化膜の除去を行い、４０
０℃の加熱状態でレーザー光を照射した場合に得られる
結晶性珪素膜の表面を写した写真である。

【００５８】図６（Ｃ）は、酸化膜の除去を行い、室温
でレーザー光を照射した場合に得られる結晶性珪素膜の
表面を写した写真である。

【００５９】（Ａ）〜（Ｃ）の写真を見れば判るよう
に、酸化膜の除去を行うことにより、縞状のムラ（これ
は結晶性の不均一性を反映したものと考えられる）が少
なくすることができる。さらにレーザー照射時に加熱を
行わないことで、縞状のムラをより少なくすることがで
きる。

【００６０】以上、図３〜図６に示すデータより、レー
ザー光の照射エネルギー密度の変動に対しての影響を抑
制するたの対策して以下の事項が導かれる。

【００６１】（１）非晶質珪素膜表面の酸化膜を徹底し
て除去してから、レーザー光の照射を行う。 （２）非晶質珪素膜表面の膜厚は、４００Å以上とす
る。また、紫外領域の光の吸収状態を考慮すると、その
膜厚の上限は１０００Å以下、好ましくは８００Å以下
とする。 （３）レーザー光の照射時には、試料を加熱しない。さ
らには冷却する。

【００６２】上記の要素を少なくとも一つ満たすことに
より、照射エネルギー密度の変動に対して得られる膜質
の変化を小さいものとすることができる。

【００６３】上記（１）〜（３）の要素は、できるだけ
多くの満足することが好ましい。従って、できることな
ら上記（１）〜（３）に要素を全て満足することがより
好ましい。

【００６４】なお上記（２）に膜厚の条件を１０００Å
とするのは、それ以上の膜厚になると、レーザーの吸収
が膜表面付近に集中し、厚さ方向における結晶性の違い
が顕在化するからである。またレーザー光の照射による
結晶化をより効果的に行うには、その膜厚を８００Å以
下とすることがより好ましい。

【００６５】また冷却の温度は、室温以下〜−２０℃程
度が適当である。 〔実施例２〕本実施例では、周辺駆動回路一体型のアク
ティブマトリクス型の液晶表示装置の作製工程を示す。

【００６６】図２に作製工程を示す。まずガラス基板
（または石英基板）５０１上に図示しない下地膜を成膜
する。ここでは、図示しない下地膜としてスパッタ法に
より、酸化珪素膜を３０００Åの厚さに成膜する。

【００６７】次にプラズマＣＶＤ法（または減圧熱ＣＶ
Ｄ法）により、非晶質珪素膜５０２を５００Åの厚さに
成膜する。こうして図２（Ａ）に示す状態を得る。

【００６８】次に実施例１に示した様にして、表面の不
純物層を除去する。そしてＫｒＦエキシマレーザー光の
照射を行い、非晶質珪素膜５０２を結晶化させ、結晶性
珪素膜を得る。結晶性珪素膜を得たら、それをパターニ
ングすることにより、図２（Ｂ）の５１、５２、５３で
示される薄膜トランジスタの活性層を形成する。

【００６９】ここで、５１がＰＴＦＴの活性層であり、
５２がＮＴＦＴの活性層である。この２つのＴＦＴでも
って、周辺駆動回路を構成するＣＭＯＳが構成される。
また、５３が画素に配置されるＮＴＦＴの活性層であ
る。

【００７０】ゲイト絶縁膜として機能する酸化珪素膜５
０３をプラズマＣＶＤ法により、１０００Åの厚さに成
膜する。さらに図示しないアルミニウム膜をスパッタ法
により４０００Åの厚さに成膜し、それをパターニング
することにより、ゲイト電極５０４、５０５、５０６を
形成する。

【００７１】次に得られたゲイト電極のパターンを陽極
とした陽極酸化を行うことにより、陽極酸化膜５０７、
５０８、５０９を１０００Åの厚さに形成する。陽極酸
化膜は、ゲイト電極を電気的及び物理的に保護する機能
を有している。こうして図２（Ｂ）に示す状態を得る。

【００７２】ここでは、低抵抗を有するアルミニウムを
材料として、ゲイト電極を構成する例を示すが、他の導
電性材料を利用するのでもよい。

【００７３】次に図２（Ｂ）に示す状態において、導電
型を付与するための不純物元素のドーピングを行う。こ
こでは、まずＰＴＦＴを構成する活性層に対して、選択
的にＢ（ボロン）のドーピングをプラズマドーピング法
でもって行い、次にＮＴＦＴを構成する活性層に対し
て、選択的にＰ（リン）のドーピングをプラズマドーピ
ング法でもって行う。

【００７４】こうして、周辺駆動回路を構成するＰＴＦ
Ｔのソース領域５０７、チャネル領域５０８、ドレイン
領域５０９が自己整合的に形成される。また、周辺駆動
回路を構成するＮＴＦＴのソース領域５１２、チャネル
領域５１１、ドレイン領域５１０を自己整合的に形成さ
れる。また、画素マトリクスに配置されるＮＴＦＴのソ
ース領域５１３、チャネル領域５１４、ドレイン領域５
１５が自己整合的に形成される。こうして図２（Ｃ）に
示す状態を得る。

【００７５】なお、本実施例においては、陽極酸化膜５
０７、５０８、５０９が存在する関係で、その厚さの分
でオフセットゲイト領域がチャネルとソース／ドレイン
領域の間に形成される。しかし、その寸法は１０００Å
（実際はプラズマドーピング時における注入イオンの回
り込みにより、さらに小さくなると考えられる）程度で
あるので、ここではその存在は無視する。なお、陽極酸
化膜の膜厚を２０００Å程度以上といように厚くした場
合には、オフセットゲイト領域の効果が顕在化する。

【００７６】次に第１の層間絶縁膜として、２０００Å
厚の窒化珪素膜５１６とポリイミド樹脂でなる膜５１７
を積層する。ここでは、窒化珪素膜をプラズマＣＶＤ法
により成膜し、ポリイミド樹脂でなる膜をスピンコート
法でもって成膜する。

【００７７】そしてコンタクトホールの形成を行い、周
辺駆動回路のＰＴＦＴのソース電極５１８、ＮＴＦＴの
ソース電極５２０、両ＴＦＴに共通のドレイン電極５１
９を形成する。これで、ＰＴＦＴとＮＴＦＴとが相補型
に構成されたＣＭＯＳが得られる。

【００７８】さらに、画素マトリクスに配置されるＮＴ
ＦＴのソース電極５２１とドレイン電極５２２とを形成
する。ここで、ソース電極５２１は、ゲイト配線と共に
画素マトリクス領域において格子状に配置されたソース
配線から延在したものとして形成される。こうして図２
（Ｄ）に示す状態を得る。

【００７９】次に第２の層間絶縁膜として、ポリイミド
樹脂でなる絶縁膜５２３をスピンコート法でもって成膜
する。そしてコンタクトホールの形成を行い、ＩＴＯで
もって画素電極５２４を形成する。

【００８０】こうして図２（Ｅ）に示す周辺駆動回路と
アクティブマトクス回路とを同一ガラス基板上に集積化
したアクティブマトリクス型の液晶ディスプレイを構成
する片方の基板が完成する。

【００８１】なお、液晶ディスプレイを構成するには、
さらに配向膜の形成、配向処理等が必要とされる。

【００８２】〔実施例３〕本実施例では、ボトムゲイト
型の薄膜トランジスタの作製工程を示す。まず図７
（Ａ）に示すようにガラス基板上にゲイト電極７０２を
形成する。そして、ゲイト絶縁膜として機能する酸化珪
素膜７０３を成膜し、さらに非晶質珪素膜７０４を成膜
する。

【００８３】非晶質珪素膜の成膜後、その表面には、７
０５で示される不純物膜が不可避に形成される。こうし
て図７（Ａ）に示す状態を得る。

【００８４】次にエッチングにより不純物膜７０５を除
去し、さらにレーザー光の照射を行うことにより、非晶
質珪素膜７０４を結晶化させ、結晶性珪素膜７０６を得
る。

【００８５】こうして図７（Ｂ）に示す状態を得る。図
７（Ｃ）に示すように次にレジストマスク７０７を基板
裏面からの露光により形成する。そして、ソース／ドレ
イン領域を形成するための不純物のドーピングをレジス
トマスク７０７を用いて行い、ソース領域７０８、ドレ
イン領域７１０を形成する。またこの際、チャネル領域
７０９が画定する。

【００８６】ドーピングの終了後、レジストマスクを除
去し、再度のレーザー光の照射を行う。この工程でドー
パントの活性化とドーピング時の損傷のアニールとが行
われる。

【００８７】次に図７（Ｄ）に示すように、層間絶縁膜
として窒化珪素膜７１０を成膜し、さらにポリイミド樹
脂でなる層間絶縁膜７１１を形成する。そしてコンタク
トホールの形成を行い、ソース電極７１２とドレイン電
極７１３を形成する。こうしてガラス基板上にボトムゲ
イト型の薄膜トランジスタが完成する。

【００８８】図８に図７（Ｃ）に示すものとは異なるド
ーピング方法を示す。（Ａ）に示すのは、ドーピント元
素を含んだ薄い膜８０１を成膜し、その後に基板上また
は基板裏面側からレーザー光の照射を行う方法である。
この方法を採用した場合、膜が瞬間的に溶融し、そこか
らドーパント元素がソース／ドレイン領域となるべき領
域に拡散する。こうして、一導電型を有するソース／ド
レイン領域が形成される。

【００８９】（Ｂ）に示すには、ドーパント元素を含ん
だ雰囲気中においてレーザー光を基板表面また裏面から
行うことにより、ドーピングを行う方法である。図に
は、Ｐ（リン）が含まれた雰囲気を利用した場合の例が
模式的に示されている。

【００９０】

【発明の効果】本明細書で開示する発明を利用すること
により、大面積へのアニール効果の不均一性を解決し
て、薄膜トランジスタでなる回路を均一性よく形成する
ことができる。そして、表示ムラのないアクティブマト
リクス型の液晶ディスプレイを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 レーザーアニールにより結晶性珪素膜を得る
工程を示す図。

【図２】 周辺駆動回路一体型のアクティブマトリクス
型の液晶表示装置のＴＦＴ部分の作製工程を示す図。レ
ーザー照射システムの概略を示す図。

【図３】 非晶質珪素膜表面の酸化膜がレーザー結晶化
時に与える影響を示す図。

【図４】 レーザーアニール後のラマン強度と非晶質珪
素膜の膜厚の関係を示す図。

【図５】 レーザー照射時の試料の温度とラマン強度と
の関係を示す図。

【図６】 レーザー照射後の結晶性珪素薄膜の表面の状
態を示す写真。

【図７】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。

【図８】 ドーピング手段を示す図。

【符号の説明】

１０１ ガラス基板 １０２ 非晶質珪素膜 １０３ 自然酸化膜を主とする不純物膜

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】非晶質珪素膜を形成する工程と、 前記非晶質珪素膜の表面に形成された不純物膜を除去す
   る工程と、 紫外領域の波長を有する線状のエキシマレーザー光を走
   査して照射することにより前記非晶質珪素膜を結晶化さ
   せる工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 【請求項２】請求項１において、レーザー光の照射時に
   非晶質珪素膜の温度を室温または室温以下に冷却するこ
   とを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 【請求項３】請求項１において、非晶質珪素膜の膜厚を
   ４００Å〜８００Åとすることを特徴とする半導体装置
   の作製方法。
4. 【請求項４】請求項１において、不純物膜は、酸化物、
   窒化物、有機物から選ばれた少なくとも一つを含むこと
   を特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 【請求項５】請求項１において、不純物膜の除去はフッ
   酸を含むエッチャントによって行い、非晶質珪素膜の表
   面をフッ素と水素とによってターミネイトすることを特
   徴とする半導体装置の作製方法。