KR100316270B1 - 전기장과 플라즈마를 이용한 다결정질 실리콘 박막 증착 방법 - Google Patents
전기장과 플라즈마를 이용한 다결정질 실리콘 박막 증착 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
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- 기판 상에 플라즈마 생성에 의해 챔버 내부의 전극에서 이탈된 전이 금속을 증착시켜 결정화 유도층을 형성하는 단계와,플라즈마가 없는 상태에서 상기 기판양단에 전기장을 인가하면서 상기 결정화 유도층 상에 비정질실리콘을 증착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 전기장과 플라즈마를 이용한 다결정질 실리콘 박막 증착 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 결정화 유도층을 0.01Å-10Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 전기장과 플라즈마를 이용한 다결정질 실리콘 박막 증착 방법.
- 제 1항에 있어서 상기 전기장의 세기가 1~100V/cm인 것을 특징으로 하는 전기장과 플라즈마를 이용한 다결정질 실리콘 박막 증착 방법.
- 제 1항에 있어서 상기 결정화 유도층을 형성하기 위한 상기 챔버 내부의 전극이 전이금속인 것을 특징으로 하는 전기장과 플라즈마를 이용한 다결정질 실리콘 박막 증착 방법.
- 제 7항에 있어서 상기 챔버 내부의 전극이 Ni, Mo, Co, Fe, NiAu으로 이루어진 전기장과 플라즈마를 이용한 다결정질 실리콘 박막 증착 방법.
- 제 1항에 있어서 상기 결정화 유도층을 0.1초부터 1,000초 동안 플라즈마에 노출시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 전기장과 플라즈마를 이용한 다결정질 실리콘 박막 증착 방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990002776A KR100316270B1 (ko) | 1999-01-28 | 1999-01-28 | 전기장과 플라즈마를 이용한 다결정질 실리콘 박막 증착 방법 |
US09/493,201 US6451637B1 (en) | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Method of forming a polycrystalline silicon film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990002776A KR100316270B1 (ko) | 1999-01-28 | 1999-01-28 | 전기장과 플라즈마를 이용한 다결정질 실리콘 박막 증착 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000052007A KR20000052007A (ko) | 2000-08-16 |
KR100316270B1 true KR100316270B1 (ko) | 2001-12-12 |
Family
ID=19572651
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990002776A KR100316270B1 (ko) | 1998-07-10 | 1999-01-28 | 전기장과 플라즈마를 이용한 다결정질 실리콘 박막 증착 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100316270B1 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100366960B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2003-01-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 실리콘 결정화 방법 |
KR100434313B1 (ko) * | 2001-04-23 | 2004-06-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 비정질 실리콘의 결정화 방법 |
KR100593267B1 (ko) * | 2004-03-24 | 2006-07-13 | 네오폴리((주)) | 결정질 실리콘 박막트랜지스터의 제조 방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0645258A (ja) * | 1992-07-23 | 1994-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質半導体薄膜の製造装置 |
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1999
- 1999-01-28 KR KR1019990002776A patent/KR100316270B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0645258A (ja) * | 1992-07-23 | 1994-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質半導体薄膜の製造装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20000052007A (ko) | 2000-08-16 |
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