KR101192548B1 - 후면-접촉형 태양 전지의 도전층들의 접촉 분리 방법 및태양 전지 - Google Patents

후면-접촉형 태양 전지의 도전층들의 접촉 분리 방법 및태양 전지 Download PDF

Info

Publication number
KR101192548B1
KR101192548B1 KR1020077010796A KR20077010796A KR101192548B1 KR 101192548 B1 KR101192548 B1 KR 101192548B1 KR 1020077010796 A KR1020077010796 A KR 1020077010796A KR 20077010796 A KR20077010796 A KR 20077010796A KR 101192548 B1 KR101192548 B1 KR 101192548B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
region
contact
barrier layer
solar cell
Prior art date
Application number
KR1020077010796A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070092953A (ko
Inventor
안드레아스 테뻬
페테르 엔젤하르트
조르그 뮬러
Original Assignee
인스티투트 퓌어 솔라에네르기포르슝 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 인스티투트 퓌어 솔라에네르기포르슝 게엠베하 filed Critical 인스티투트 퓌어 솔라에네르기포르슝 게엠베하
Publication of KR20070092953A publication Critical patent/KR20070092953A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101192548B1 publication Critical patent/KR101192548B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H01L31/022458—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for emitter wrap-through [EWT] type solar cells, e.g. interdigitated emitter-base back-contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Abstract

반도체 기판의 후면에 전기 접촉부가 이루어져 있는 반도체 기판(2)을 포함하는 태양 전지(1) 제조 방법이 제시되어 있다. 반도체 기판의 후면은 국부적으로 도핑된 영역(3)을 갖고 있다. 인접한 영역(4)은 영역(3)과는 다른 도핑을 나타낸다. 2 개의 영역(3, 4)은 그의 전체 영역에 걸처서 도전 재료(5)로 초기에 코팅된다. 도전 재료(5)가 태양 전지의 회로를 쇼트시키지 않도록 하기 위해, 2 개의 영역(3, 4)은 적어도 영역 경계(6)에서 얇은 전기적 절연층(7)으로 커버된다. 도전층(5)은 그의 전체 표면에 걸처서 식각 장벽층(8)을 적용함으로써 분리되며, 이후 절연층(7) 위에 국부적으로 마스킹하고, 예를 들어, 레이저 절개에 의해 선택적으로 제거된다. 도전층은 식각 용액의 후속 작용에 의해 식각 장벽층(8)의 개구(9)의 영역에서 국부적으로 제거된다.
태양 전지, 반도체, 도핑, 쇼트, 절연층, 레이저, 식각

Description

후면-접촉형 태양 전지의 도전층들의 접촉 분리 방법 및 태양 전지{METHOD FOR THE CONTACT SEPARATION OF ELECTRICALLY CONDUCTING LAYERS ON THE BACK CONTACTS OF SOLAR CELLS AND CORRESPONDING SOLAR CELLS}
본 발명은 에미터 접촉부와 베이스 접촉부가 반도체 기판의 후면에 배열되어 있는 태양 전지 및 이러한 태양 전지를 제조하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 태양 전지의 후면에 배열된 베이스 및 에미터 접촉부를 전기적으로 분리하는 방법에 관한 것이다.
태양 전지는 빛을 전기 에너지로 변환하는데 이용된다. 이 경우에, 반도체 기판에서 빛에 의해 생성된 전하 캐리어 쌍은 pn 접합에 의해 분리되어 에미터 접촉부 및 베이스 접촉부를 통해서 컨슈머(consumer)를 포함하는 전력 회로에 공급된다.
종래의 태양 전지에서, 에미터 접촉부는 반도체 기판의 앞면, 즉 광원에 마주하고 있는 쪽에 대부분 배열되어 있다. 그러나, 예를 들어, JP 5-75149 A, DE 41 43 083 및 DE 101 42 481에는 베이스 접촉부뿐만 아니라 에미터 접촉부가 반도체 기판의 후면에 배열되어 있는 태양 전지도 제안되어 있다. 첫째로, 이는 접촉부에 의한 후면의 셰이딩(shading)을 회피하므로 태양 전지의 효율이 향상되고 미 감이 좋아지며, 둘째로, 이들 태양 전지는 전지의 후면이 이웃하는 전지의 앞면에 전기적으로 접촉될 필요가 없기 때문에 직렬로 접속하기가 용이하다.
다시 말하면, 앞면 금속 피복이 없는 태양 전지는 다수의 장점을 갖는다: 태양 전지의 앞면은 어떤 접촉부에 의해서도 그늘이 지지 않으므로 입사되는 방사 에너지가 제약없이 반도체 기판에서 전하 캐리어를 생성할 수 있다. 또한, 이들 전지들은 모듈에 연결하기가 용이하며 이들은 양호한 미감을 갖고 있다.
그러나, 종래의 소위 말하는 후면-접촉 태양 전지는 몇몇 단점을 갖고 있다. 이 태양 전지 제조 방법들은 대부분 작업이 정교하다. 몇몇 방법들은 반도체 기판의 후면에서 베이스 접촉부를 에미터 접촉부로부터 전기적으로 분리되게 형성하기 위해서 다수의 마스킹 단계, 다수의 식각 단계 및/또는 다수의 증착 단계를 필요로 한다. 또한, 종래의 후면 태양 전지는 베이스 영역과 에미터 영역 간의 인버젼 층 또는 에미터 접촉부와 베이스 접촉부 간의 부적절한 전기적 절연에 의해서 국부적으로 빈번하게 쇼트된다. 따라서, 태양 전지의 효율이 떨어진다.
앞면 금속 피막이 없는 태양 전지는, 예를 들어, R. M. Swanson에 의해서 "Point Contact Silicon Solar Cells", Electric Power Research Institute Rep. AP-2859, May 1983에 제시되어 있다. 이 전지 개념은 계속해서 더 발전되었다(R.A.Sinton "Bilevel contact solar cells", US Patent 5,053,083, 1991). 이 포인트 접촉 태양 전지의 간단한 버젼은 SunPowerCorporation이 파일롯 라인에서 제조하고 있다(K.R. McInthosh, M. J. Cuddzinovic, D-D Smith, W-P. Mulligan 및 R. M. Swanson "The choice of silicon wafer for the production of low-cost rear-contact solar cells", 3rd World Conference on PV Energy Conversion, Osaka 2003, in press).
이들 태양 전지를 제조하기 위해서는, 상이하게 도핑된 영역들을 다수의 마스킹 단계로 서로 인접하게 생성하여 부분적인 다층 금속 구조를 적용하여 메탈라이즈(meyallise)하거나 접촉되게 해야만 한다.
여기서 단점은 이들 방법이 다수의 정렬 마스킹 단계를 필요로 하므로 매우 정교해야 한다는 것이다.
JP 5-75149A에는 태양 전지의 후면에 요철 영역을 갖는 앞면 금속화가 없는 태양 전지이다. 이 태양 전지는 또한 다수의 마스킹 및 식각 단계들을 이용하여 제조될 수 있다. 또한, 요철 영역들을 형성하기 위해서는 표면이 평탄한 태양 전지에 비해서 부가적인 작업 단계들을 필요로 한다.
특허 DE 41 43 083은 정렬 마스킹 단계들을 전혀 필요로 하지 않는 앞면 금속화 없는 태양 전지를 설명하고 있다. 그러나, 인버젼 층이 낮은 병렬 저항을 일으키어 낮은 충진 팩터(a low fill factor)를 유발하는 두개의 접촉 시스템에 연결되기 때문에 이 전지의 효율은 떨어진다.
특허 DE 101 42 481은 후면에 베이스 및 에미터 접촉부가 있는 태양 전지를 설명하고 있다. 이 태양 전지는 후면 구조를 갖고 있으나 접촉부들은 볼록부들의 측면에 위치해 있다. 이는 접촉부들을 제조하는데 진공 기상 증착 단계를 필요로 한다. 또한, 이 전지에는 로컬 에미터의 제조가 기술적으로 요구된다.
후면-접촉형 태양 전지의 특정 어려움은 전기적 쇼트가 절대적으로 회피되도록 후면 접촉부들을 정교하게 제조해야만 한다는 것이다.
본 발명은 앞서 언급한 문제점들을 회피하거나 최소한 줄여서 고 효율을 성취하고 제조하기에 용이한 태양 전지 및 이 태양 전지 제조 방법을 제공하는 것이 필요하다.
이러한 필요는 독립 청구항들의 특징들을 갖고 있는 본 발명에 따른 태양 전지 및 이의 제조 방법에 의해 성취될 수 있다. 본 발명의 유리한 실시예 및 부가적인 개발은 종속 청구항으로부터 얻을 수 있다.
특히, 본 발명은 후면 접촉 시스템, 즉 베이스 및 에미터 접촉부의 제조 문제점 및 이들의 전기적 분리를 문제없이 간단한 방식으로 해결하고 있으며 본 발명에 의해 간단히 제조될 수 있는 태양 전지를 기술하고 있다.
본 발명의 제1 양태에 따르면, 태양 전지를 제조하는 방법이 제공되는데, 이 방법은 기판 앞면과 기판 후면이 있는 반도체 기판을 준비하는 단계; 에미터 영역과 베이스 영역을 각각 상기 기판 후면 상에 형성하는 단계; 상기 에미터 영역이 상기 베이스 영역에 인접해 있는 영역 경계 위의 적어도 접합 영역들에서 상기 기판 후면 상에 전기적 절연층을 형성하는 단계; 적어도 상기 기판 후면의 부분 영역들 상에 금속층을 증착하는 단계; 상기 금속층을 식각하기 위한 에천트에 대해 실질적으로 내성이 있는 식각 장벽층을 적어도 상기 금속층의 부분 영역들 상에 증착하는 단계; 적어도 상기 접합 영역들의 부분 영역들에서 상기 식각 장벽층을 국부적으로 제거하는 단계; 상기 식각 장벽층이 국부적으로 제거된 상기 부분 영역들에서 상기 금속층이 실질적으로 제거되게 상기 금속층을 식각하는 단계를 포함하고 있다.
실리콘 웨이퍼는 반도체 기판으로서 이용될 수 있다. 이 방법은 특히 에미터가 태양 전지(예를 들어, 소위 말하는 EWT(Emitter Wrap Through) 태양 전지)의 앞면 및 후면 상에 형성되어 있는 후면-접촉형 태양 전지의 제조에 적합하다. 전하 캐리어 쌍들을 분리하는 pn 접합으로부터의 짧은 거리의 결과로서, 예를 들어, 웨어퍼의 두께보다 짧은 마이너리티 캐리어 확산 길이를 갖고 있는 다결정 실리콘 또는 Cz 실리콘으로 이루어진 낮은 품질의 실리콘 웨이퍼가 이들 태양 전지에 이용될 수 있다.
두께가 수 마이크로미터 범위 내에 있는 캐리어 기판에 적용된 얇은 반도체 층들은 반도체 기판으로서 이용될 수 있다. 본 발명에 따른 방법은, 서두에서 특정한 종래의 방법들 중 몇몇과는 대조적으로, 기판 후면의 조직화가 요구되지 않지만 후면이 평탄한 기판에 이 방법이 적용될 수 있기 때문에 박층 태양 전지의 제조에 특히 유리하다.
뒤이어 형성되는 태양 전지의 에미터 영역과 베이스 영역은 서로 다른 n-형 또는 p-형 도핑을 갖고 있다. 두 영역의 정의는, 예를 들어, 마스킹 층을 이용하여 베이스 층을 확산으로부터 국부적으로 보호하거나 또는 최종 에미터를 국부적으로 식각하거나 이를 레이저 절개로 제거함으로써 성취된다. 두 영역들은 빗형 형식("인터디지티드")으로 서로에 포개져 있다. 이는 단지 반도체 기판에서 생성된 전하 캐리어 쌍들이 pn 접합까지 짧은 거리를 이동한 후 그곳에서 분리되고 각 영역들을 접촉하는 메탈라이제이션들을 통해서 제거될 수 있다는 결과를 낳는다. 이와 같이 재결합 및 직렬 저항 손실이 최소화될 수 있다. 이 경우에, 에미터 영역과 베이스 영역은 전체 후면 표면에서 동일한 표면 부분을 차지할 필요는 없다.
에미터 영역이 베이스 영역과 인접하는 곳, 즉 pn-접합이 기판 후면의 표면에 도달하는 점의 영역 경계 위의 접합 영역에서, 전기적 절연층은 기판 후면상에 형성된다. "위의"는 여기서 기판 후면의 표면에 접하는 것으로 이해되어야 한다. "접합 영역"은 측방향으로 영역 경계에 인접한, 즉 기판 표면에 평행한 영역들로서 이해되어야 한다.
전기적 절연층은 표면이 그 아래에 있는 기판 표면과 특히 pn-접합을 페시베이트하는 유전체일 수 있으며 또한 후속해서 위에 배치되는 금속층에 의해 발생하는 에미터 영역과 베이스 영역 간의 쇼트 회로를 방지해 준다.
절연층은 양호하게는 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물로 형성된다. 예를 들어, 산화물이 실리콘 표면에서 열적으로 설장될 수 있거나 질화물이 CVD 법에 의해 증착될 수도 있다. 이 경우에, 층이 전기적으로 가능한 한 잘 절연되는 것이 중요하다. 임의 핀홀이 층의 절연 특성에 악 영향을 끼칠 수 있다. 따라서, 층들이 가능한 한 컴팩트하게 되도록 주의해야 한다. 열적으로 성장된 산화물은 보통 증착된 질화물보다 컴팩트하므로 좀더 바람직할 수 있다.
절연층은 단지 접합 영역에 형성되지만 인터라이닝 영역들은 전기적 접촉 목적의 층에 의해 커버되지 않기 때문에, 절연층은 마스크를 통해서 선택적으로 적용될 수 있으며, 여기서 영역 경계에 관련한 올바른 포지셔닝에는 주의를 기울여야만 한다.
대안으로, 절연층은 기판 후면 상의 전체 영역에 걸처 형성된 다음, 예를 들어 레이저 절개 또는 국부 식각에 의해 라인 또는 점으로 국부적으로 제거될 수 있다.
다른 대안에서, 확산을 방지하기 위해 베이스 영역 상의 에미터 영역 내의 확산 전에 형성된 마스킹 층은 기판 후면 상에 유지되어 절연층으로서 작용한다. 에미터 도펀트가 또한 확산 동안에 마스킹 층 아래에서 측방향으로 확산하기 때문에, 이 층은 그후 에미터와 베이스 영역 간의 영역 경계를 커버한다.
다음 처리 단계에서, 금속층은 양호하게는 기판의 전체 후면상에 증착된다. 예를 들어, 포토리소그래피에 의한 기판 후면의 각 영역들의 마스킹은 요구되지 않는다. 예를 들어, 증착 동안 기판을 홀드하기 위해 이용되는 기판 후면의 부분 영역들은 아마 금속층 없이 유지될 것이다. 금속층 용으로는 알루미늄이 바람직하다.
금속층이 증착된 후, 이 위에는 식각 장벽층이 적어도 부분 영역들에 증착된다. 따라서, 식각 장벽층이 적어도 부분적으로 금속층을 커버한다. 양호하게는 그 위에 위치한 금속층 및 식각 장벽층은 전체 기판 표면을 커버한다.
본 발명에 따르면, 식각 장벽층은 금속층을 식각하는데 이용되는 에천트에 실질적인 내성을 갖고 있다. 이는 에천트, 예를 들어, 금속층을 상당하게 부식하는 액체 식각 용액 또는 반응 가스는 식각 장벽층을 식각하지 못하거나 아주 약하게 식각한다. 예를 들어, 금속층에 관한 에천트의 식각 레이트는, 예를 들어, 식각 장벽층에 관한 에천트의 식각 레이트보다 10배 만큼 높을 수 있다.
양호하게는 도전체 및 특히 은 또는 구리와 같은 남땜가능 금속이 식각 장벽층으로 이용될 수 있다. 용어 "납땜가능"은 여기서 종래의 케이블 또는 접촉 스트립이 식각 장벽층에 납땜될 수 있고 이는 예를 들어 태양 전지들을 서로 연결하는데 이용될 수 있다는 것을 의미한다. 이 경우에, 예를 들어, 알루미늄, 티타늄 또는 그러한 금속들의 화합물을 남땝하는데 요구되는 특수한 납땜기 또는 특수한 툴을 이용함이 없이 간단하고 경제적인 납땜 방법을 이용하는 것이 가능해야 한다. 예를 들어, 종래의 은 납땜기 및 종래의 납땜 아이론을 이용하여 식각 장벽층을 남땜하는 것도 가능해야 한다.
그러나, 실리콘 산화물(예를 들어, SiO2) 또는 실리콘 질화물(예를 들어, Si3N4)와 같은 유전체가 이용될 수 있고 아래에 배치된 금속층을 접촉시키기 위한 후속 제조 단계에 이용될 수도 있다.
금속층 및/또는 식각 장벽층은 양호하게는 기상 증착 또는 스퍼터링에 의해 증착된다. 여기서, 이들 층은 단일 진공 단계에서 증착될 수 있다.
식각 장벽층은 이후 적어도 접합 영역 위의 부분 영역들에서 국부적으로 제거된다. 다른 말로, 식각 장벽층은 적어도 부분적으로 제거되며, 여기서 기판 후면은 노출된 pn 접합의 영역 경계에서 전기적 절연층에 의해 커버된다.
식각 장벽층은 양호하게는 식각 장벽층을 국부적으로 제거하기 위한 마스킹을 이용하지 않고, 즉 포토리소그래피 방식으로 배치되는 마스크를 이용하지 않고도 제거될 수 있다.
식각 장벽층은 양호하게는 레이저 절개에 의해 국부적으로 제거될 수 있다. 이 경우에, 식각 장벽층은 아래에 위치한 금속층이 노출되도록 고에너지 레이저에 의해 국부적으로 기화되거나 쪼개어질 수 있다.
대안으로, 식각 장벽층은 예를 들어 잉크 젯 프린터와 유사한 디스펜서에 의해 국부적으로 적용되는 식각 용액에 의해 제거될 수 있다.
다은 대안에서, 식각 장벽층은 또한 예를 들어 스코어링 또는 소잉(scoring or sawing)과 같은 기계적 수단에 의해 국부적으로 제거될 수 있다.
후속 처리 단계에서, 금속층이 위치해 있고 식각 장벽층이 이 금속층을 커버하고 있는 기판의 후면은 에천트에 노출된다. 식벽 장벽 층에 의해 커버된 영역들에서, 금속층은 에천트에 의해 부식되지 않거나 거의 부식되지 않는다. 그러나 식각 장벽층이 국부적으로 제거된 부분 영역들에서는, 에천트가 직접 금속층을 부식시킬 수 있다. 식각 장벽층 아래에 배치된 금속층은 이들 부분 영역들에서 식각된다. 분리 트렌치가 형성되는데 이 분리 트렌치는 아래에 배치된 전기적 절연막까지 연장된다. 그 결과, 베이스 영역에 있는 금속층은 에미터 영역에 있는 금속층과 더 이상 전기적으로 연결되지 않는다.
본 발명에 따른 방법은 간단한 식으로 기판의 후면에 배치된 에미터 접촉부로부터 베이스 접촉부의 전기적 절연을 성취할 수 있다. 이에 관련해서, 전기적 절연층이 모든 점에서 영역 경계를 커버해야만 하지만 또한 기판 후면의 실질적인 부가 영역들에 걸처서 연장될 수 있다는 것은 장점이다. 절연층으로 작용하는 유전체는 기판 후면의 넓은 영역을 표면-패시베이트(surface-passivate)할 수 있으며, 단지 에미터를 접촉하기 위해 국부적으로 개방되어야만 한다. 베이스 접촉부는 LFC 방법(laser fired contacts)에 의해서 유전체를 통해 베이스 영역에 접속된다. 대안으로, 유전체는 베이스 영역내의 금속 증착 이전에 선택적으로 국부적으로 개방될 수 있다.
식각 장벽층의 국부적인 제거는 하부 접합 영역들의 어떤 특정 부분에서만 이루어져야 하고 식각 단계 후에 전체 베이스 접촉부가 에미터 접촉부로부터 완전히 분리되게 이루어져야 한다. 이는 베이스 접촉부로부터 에미터 접촉부를 절연하는 분리 트렌치가 인접하는 금속층들이 하부 절연층에 의해서 기판 후면으로부터 절연되는 영역에서 항상 이어져야 한다는 것을 의미한다. 기판 후면의 넓은 영역이 절연층에 의해 커버되어 있다면, 이는 분리 트렌치의 형상 프로파일에 관해서 큰 자유도를 제공한다. 분리 트렌치는 표면-pn-접합의 영역 경계 위에서 정밀하게 얼라인될 필요는 없지만 이 영역 경계로부터 이격되게 이어질 수 있다. 예를 들어, 분리 트렌치는 굴곡형으로 형성될 수 있다. 또한 분리 트렌치에 의해서 서로 절연되는 가늘고 긴 메탈리제이션 핑거 영역들이 태양 전지의 한쪽 에지로부터 반대쪽 에지를 향해서 가늘어지는 식으로 형성될 수도 있다.
본 발명의 제2 양태에 따르면, 기판 앞면 및 기판 후면이 있는 반도체 기판; 상기 기판 후면 상의 제1 도핑 종류의 베이스 영역 및 상기 기판 후면 상의 제2 도핑 종류의 에미터 영역; 상기 베이스 영역이 상기 에미터 영역에 인접해 있는 영역 경계 위의 접합 영역들에 있는 유전체층; 적어도 부분 영역들에서 상기 베이스 영역에 전기적으로 접촉하는 베이스 접촉부 및 적어도 부분 영역들에서 상기 에미터 영역에 전기적으로 접촉하는 에미터 접촉부를 포함하는 태양 전지가 제공되며, 이 태양 전지에서, 상기 베이스 접촉부 및 상기 에미터 접촉부는 각각 반도체 기판에 접촉하는 금속층을 갖고 있으며, 상기 베이스 접촉부의 상기 금속층은 상기 에미터 접촉부 및 상기 베이스 접촉부가 전기적으로 분리되도록 분리 갭에 의해서 상기 유전체층 위의 상기 에미터 접촉부의 상기 금속층으로부터 측방향으로 이격되어 있다.
특히, 태양 전지는 앞서 설명된 본 발명에 따른 방법에 의해 형성되는 것들과 같은 특징을 가질 수 있다.
한 실시예에서, 태양 전지는 베이스 접촉부의 금속층 및 에미터 접촉부의 금속층이 기판 앞면으로부터 거의 동일한 거리로 배열되는 식으로 구성될 수 있다. 다른 말로, 이는 두 개의 접촉부가 평탄한 기판 후면에 적용된다는 것을 의미한다. 그러므로 이들 접촉부는 분리 갭에 의해 측방향으로만 분리되며 많은 종래의 후면-접촉형 태양 전지에서 발견할 수 있는 수직 이격이 없다.
다른 실시예에서는 다른 얇은 금속층이 접촉부들을 형성하는 금속층 위에 배치되며, 이 얇은 층은 태양 전지의 제조 동안에 식각 장벽층으로서 작용한다. 이 층은 양호하게는, 예를 들어, 은 또는 구리와 같은 납땜가능한 재료를 이용하여 형성된다. 납땜하기에 까다로운 알루미늄으로 금속층이 이루어져 있는 접촉부들은 이 층의 보조로 용이하게 납땜될 수 있어 태양 전지들이 서로 연결될 수 있다.
본 발명의 부가적인 특징 및 장점들은 첨부 도면을 참조한 다음의 양호한 실시예들의 상세한 설명으로부터 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 태양 전지의 개략적인 단면도를 보여주고 있다.
도 2A 내지 2C는 본 발명에 따른 처리 시퀀스의 처리 단계들을 개략적으로 보여주고 있다.
도 3은 영역 경계에 관해서 측방향으로 오프셋되는 분리 트렌치가 있는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지의 개략적인 단면도를 보여주고 있다.
도 4는 분리 트렌치가 굴곡형 구성(meander-shaped configuration)인 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양 전지의 개략적인 도면이다.
도 5는 테이퍼링 접촉 핑거가 있는 본 발명의 제4 실시예에 따른 태양 전지를 개략적인 도면이다.
이제, 본 발명에 따른 태양 전지(1)의 실시예들 및 이들 제조에 적합한 본 발명에 따른 제조 방법은 도 1, 도 2A 내지 2C 및 도 3을 참조로 설명된다. 도 2A 내지 2C는 도 1에서 점선으로 경계가 표시된 영역 A를 참조해서 후면-접촉 영역들을 분리하는 처리 단계들을 보여주고 있다.
반도체 기판(2)으로서 역활을 하는 p-도핑된 실리콘 웨이퍼의 후면 상에는, n-도핑된 에미터 영역(3)들이 국부적으로 안쪽에 확산되어 있다. 이 목적을 위해 서, 확산이 발생하지 않는 기판(2)의 표면은 확산 장벽, 예를 들어, 실리콘 질화물에 의해 보호된 후, 이 기판은 인 확산 처리된다.
이후에는, 전기적 절연층(7)이 이 기판 전반에 걸처서 CVD에 의해서 퇴적되는 열 성장 실리콘 산화물 층 및 실리콘 질화물 층의 형태로 이 기판의 전체 후면에 걸처 적용된다. 이 층(7)은 이후 후속 에미터 접촉의 영역, 즉 에미터 영역(3)에 걸처서 레이저 절개에 의해서 국부적으로 제거되어 스트립이 된다. 이후, 금속 층(5)으로 작용하는 알루미늄 층은 초기에 에미터 영역(3)에서 기판의 후면과 직접 접촉되도록 전체 기판 후면에 증착되는 한편, 베이스 영역(4) 및 영역 경계(6)에 인접한 접합 영역(3)에서는 상기 층이 절연층(7) 위에 위치한다. 동일한 기상 증착 단계에 있어서, 식각 장벽층(8)으로 작용하는 은 층은 금속 층(5) 전반에 적용된다. 따라서, 도 2A에 도시된 바와 같은 일련의 층이 제공된다.
다음에는, 도 2B에 도시된 처리 단계에서, 식각 장벽층(8)은 레이저에 의해서 국부적으로 개방된다. 식각 장벽층(8)이 제거된 개방된 영역(9)의 형상은 다양하게 변화를 줄 수 있다. 후속 베이스 접촉부 및 에미터 접촉부 사이의 쇼트 회로를 방지하기 위해서는, 개방된 영역(9)이 절연층(7) 위에 기 위치해 있고 개방된 영역(9)이 식각 영역 경계(6) 위에 또는 그에 인접하게 위치되는 것을 공고히 해야 할 필요가 있다.
도 4에 도시된 실시예에서 알 수 있는 바와 같이, 개방된 영역(9)은 굴곡형 프로파일을 가질 수 있다. 이러한 식으로, 인터디지테이티드 접촉 핑거들이 형성된다. 도 5에 도시된 다른 실시예에서, 인터디지테이티드 접촉 핑거들은 테이 퍼(taper) 형태로 구성된다. 이는 고전류가 흐르는 접촉 핑거들의 영역에서 접촉 핑거들의 단면이 커서 저항 손실이 감소하는 장점을 갖고 있다.
도 2C에 도시된 후속 처리 단계에서, 일련의 층들이 형성되어 있는 반도체 기판은 식각 처리된다. 이 경우에, 용액, 예를 들어, HC1-기 또는 반응 가스가 에천트로 이용될 수 있다. 이 에천트는 식각 장벽을 부식하지 않거나 거의 부식하지 않는다. 그러나 개방 영역(9)에서, 에천트는 금속 층(5)에 직접 작용해서 이를 식각한다. 절연층(7)까지 아래로 연장되어 베이스 접촉부의 금속 층(5b)으로부터 에미터 접촉부의 금속 층(5a)을 분리하는 분리 트렌치(10)가 형성된다.
도 3은 분리 트렌치(10)가 측면으로 영역 경계(6)로부터 일정 거리에 있는 영역 내에 위치해 있는 실시예를 보여주고 있다. 또한, 바니시 층(12)은 절연층(7)의 전면에 국부적으로 적용되어, 금속 층(5)과 하부 층 사이의 저항이 증가한다. 이는 특히 절연층(7)이 쇼트 회로를 일으킬 수 있는 마이크로스코픽 핀홀을 갖고 있을 때 유리할 수 있다.
다른 말로 요약해 보면, 본 발명은 다음과 같이 설명될 수 있다: 전기적 접촉이 반도체 기판의 후면에서 이루어지는 반도체 기판(2)을 포함하고 있는 태양 전지(1)가 제안된다. 반도체 기판의 후면은 국부적으로 도핑된 영역(3)을 갖고 있다. 인접한 영역(4)들은 영역(3)과는 다른 도핑을 나타낸다. 두 영역(3, 4)은 초기에 전체 영역에 걸처서 도전 재료(5)로 코팅된다. 두 영역(3, 4)은 적어도 영역 경계(6)에서 얇은 전기적 절연층(7)으로 피복되어 있으므로, 도전 재료(5)가 태양 전지를 쇼트시키지 않는다.
도전층(5)은 국부적으로 절연층(7) 아래에서 마스킹 없이 선택적으로 레이저 절개에 의해 제거되는 식각 장벽층(8)을 전체 표면에 적용함으로써 분리된다. 도전층(5)은 식각 용액의 후속 작용에 의해서 식각 장벽층(8)의 개구(9)의 영역에서 국부적으로 제거된다.
다른 장점들 중에서도 다음의 장점들은 호리즌 전지(HORIZON cell: HOrizontal Rear Interdigitated ZONes)로서 설계되어 제시된 태양 전지로 성취된다:
- 서로 전기적으로 절연된 베이스 및 에미터 백 접촉부(base and emitter back contacts)들이 용이하게 생성될 수 있다. 이들 접촉부는 기상 증착 금속층 및 식각 장벽층을 포함하는 이중층을 갖고 있다. 접촉 분리는 양호하게는 식각 장벽층을 비-접촉 레이저 절개 또는 국부 식각으로 제거한 다음 금속층을 국부 식각으로 제거함으로써 성취된다. 따라서 금속화 동안에 태양 전지의 물리적 하중이 발생하지 않는다.
- 전체 표면에 금속층과 식각 장벽층을 증착하는데는 단지 1회의 진공 증착 단계가 필요하다.
- 금속 접촉부들은 기판의 평탄한 후면 상에서 분리될 수 있다; 실리콘 웨이퍼의 표면 구축이 요구되지 않는다.
- 금속 접촉부들의 플렉서블 형상의 구성 결과로서, 접촉 핑거들의 높은 도전률은 물론이고 낮은 접촉 저항 및 낮은 접촉 재결합이 성취될 수 있다.
- 납땜가능한 식각 장벽층을 이용하면, 태양 전지를 모듈에 연결하기 위해 접촉 스트립으로 납땜하기가 용이해진다.
본 발명에 따른 태양 전지 및 본 발명에 따른 태양 전지 제조 방법은 단지 예로서 앞서 언급한 실시예들을 들어서 설명되었다. 앞서 설명한 처리 단계들은 원칙적으로 서로 전기적으로 분리되는 베이스 및 에미터 후면 접촉부를 형성하기 위해 본 발명에 따라서 이용될 수 있는 태양 전지의 완전한 처리의 일부에 관한 것임은 유념해야 한다. 설명된 처리 단계들 및 첨부된 특허청구범위 내의 변경 및 수정이 다른 공지된 처리 단계들과 결합될 수 있으며, 이러한 식으로 다양한 유형의 태양 전지를 생산할 수 있는다 것은 종래 기술에 정통한 숙련된 자에게는 자명한 것이다. 예를 들어, 표면 텍스처링(surface texturing), 에미터 확산, 표면 패시베이션, 반사 방지층의 증착 등과 같은 다양한 부가적인 단계들이 태양 전지의 앞면을 형성하는데 이용될 수 있다.

Claims (22)

  1. 태양 전지(1)를 제조하는 방법으로서,
    기판 앞면과 기판 후면이 있는 반도체 기판(2)을 제공하는 단계;
    에미터 영역(3)과 베이스 영역(4)을 각각 상기 기판 후면 상에 형성하는 단계;
    상기 에미터 영역(3)과 상기 베이스 영역(4)이 접해 있는 영역 경계(6) 위의 적어도 접합 영역(junction region)들에서 상기 기판 후면 상에 전기적 절연층(7)을 형성하는 단계;
    상기 기판 후면의 적어도 부분 영역들에 금속층(5)을 증착하는 단계;
    상기 금속층(5)의 적어도 부분 영역들에 식각 장벽층(etch barrier layer)(8)을 증착하는 단계 - 상기 식각 장벽층(8)은 상기 금속층(5)을 식각하기 위한 에천트에 대해 실질적으로 내성이 있는 유전체층임 - ;
    상기 접합 영역들의 적어도 부분 영역들에서 상기 식각 장벽층(8)을 국부적으로 제거하는 단계 - 상기 식각 장벽층(8)은 마스킹 없이 국부적으로 제거됨 - ;
    상기 금속층(5)을 식각하는 단계 - 상기 금속층(5)은 상기 식각 장벽층(8)이 국부적으로 제거된 부분 영역들에서 실질적으로 제거됨 -
    를 포함하는 태양 전지 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 식각 장벽층(8)은 레이저에 의해 국부적으로 제거되는 태양 전지 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 식각 장벽층(8)은 국부적으로 가해지는 식각 용액에 의해 국부적으로 제거되는 태양 전지 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 식각 장벽층(8)은 기계적으로 국부적으로 제거되는 태양 전지 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 식각 장벽층(8)은 상기 영역 경계(6)로부터 측방향으로(laterally) 이격된 영역에서 국부적으로 제거되는 태양 전지 제조 방법.
  6. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 식각 장벽층(8)은 상기 영역 경계(6)로부터 측방향으로 이격된 영역에서 국부적으로 제거되는 태양 전지 제조 방법.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 식각 장벽층(8) 및 상기 금속층(5) 중 적어도 하나가 기상 증착 또는 스퍼터링에 의해 증착되는 태양 전지 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 식각 장벽층(8)은 굴곡형 영역들(meander-shaped regions)에서 국부적으로 제거되는 태양 전지 제조 방법.
  9. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 식각 장벽층(8)이 제거되는 영역들(9) 사이의 긴 금속화 핑거 영역들(elongated metallisation finger regions)(11)이 상기 태양 전지(1)의 한쪽 에지로부터 반대쪽 에지를 향해 점점 가늘어지는(taper) 식으로 상기 식각 장벽층(8)이 국부적으로 제거되는 태양 전지 제조 방법.
  10. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전기적 절연층(7)은 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지 제조 방법.
  11. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    전기적 절연 바니시층(electrically insulating varnish layer)(12)이 상기 전기적 절연층(7) 위에 도포(apply)되는 태양 전지 제조 방법.
  12. 태양 전지(1)로서,
    기판 앞면과 기판 후면을 포함하는 반도체 기판(2);
    상기 기판 후면 상의 제1 도핑 유형의 베이스 영역(4) 및 상기 기판 후면 상의 제2 도핑 유형의 에미터 영역(3);
    상기 베이스 영역(4)과 상기 에미터 영역(3)이 접해 있는 영역 경계(6) 위의 접합 영역들 내의 유전체층(7);
    적어도 부분 영역들에서 상기 베이스 영역(4)에 전기적으로 접촉하는 베이스 접촉부(5b), 및 적어도 부분 영역들에서 상기 에미터 영역(3)에 전기적으로 접촉하는 에미터 접촉부(5a) - 상기 베이스 접촉부(5b) 및 상기 에미터 접촉부(5a)는 각각 상기 반도체 기판과 접촉하는 금속층(5)을 구비하고 있으며, 상기 베이스 접촉부(5b)의 금속층은 분리 갭에 의해서 상기 유전체층(7) 위에서 상기 에미터 접촉부(5a)의 금속층으로부터 측방향으로 이격되어 상기 에미터 접촉부(5a) 및 상기 베이스 접촉부(5b)가 전기적으로 분리되도록 함 -; 및
    상기 베이스 접촉부 및 상기 에미터 접촉부의 금속층들(5a, 5b)을 커버하는 유전체 식각 장벽층(8)
    을 포함하는 태양 전지.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 분리 갭(10)은 적어도 부분 영역들에서 상기 영역 경계(6)로부터 측방향으로 이격되어 있는 태양 전지.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 베이스 접촉부(5b)의 금속층 및 상기 에미터 접촉부(5a)의 금속층은 상기 기판 앞면으로부터 실질적으로 동일한 거리에 배열되어 있는 태양 전지.
  15. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 에미터 접촉부 및 상기 베이스 접촉부 중 적어도 하나의 접촉부의 금속층은 알루미늄을 포함하는 태양 전지.
  16. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    적어도 부분적으로 상기 유전체층(8)을 커버하는 전기적 절연 바니시층(12)을 더 포함하는 태양 전지.
  17. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 분리 갭(10)은 굴곡진 모양으로 형성되는 태양 전지.
  18. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 에미터 접촉부(5a) 및 상기 베이스 접촉부(5b) 중 적어도 하나는 상기 태양 전지(1)의 한쪽 에지로부터 반대쪽 에지로 점점 가늘어지는(taper) 긴 핑거들(11)로 형성되는 태양 전지.
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
KR1020077010796A 2004-10-14 2005-10-13 후면-접촉형 태양 전지의 도전층들의 접촉 분리 방법 및태양 전지 KR101192548B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004050269A DE102004050269A1 (de) 2004-10-14 2004-10-14 Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle
DE102004050269.2 2004-10-14
PCT/EP2005/011046 WO2006042698A1 (de) 2004-10-14 2005-10-13 Verfahren zur kontakttrennung elektrisch leitfähiger schichten auf rückkontaktierten solarzellen und entsprechende solarzelle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070092953A KR20070092953A (ko) 2007-09-14
KR101192548B1 true KR101192548B1 (ko) 2012-10-17

Family

ID=35462341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077010796A KR101192548B1 (ko) 2004-10-14 2005-10-13 후면-접촉형 태양 전지의 도전층들의 접촉 분리 방법 및태양 전지

Country Status (10)

Country Link
US (3) US20080035198A1 (ko)
EP (1) EP1800352A1 (ko)
JP (1) JP5459957B2 (ko)
KR (1) KR101192548B1 (ko)
CN (1) CN100524832C (ko)
AU (1) AU2005296716B2 (ko)
CA (1) CA2583760C (ko)
DE (1) DE102004050269A1 (ko)
MX (1) MX2007004533A (ko)
WO (1) WO2006042698A1 (ko)

Families Citing this family (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8664030B2 (en) 1999-03-30 2014-03-04 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8238944B2 (en) * 2002-04-16 2012-08-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Disaster and emergency mode for mobile radio phones
DE10239845C1 (de) 2002-08-29 2003-12-24 Day4 Energy Inc Elektrode für fotovoltaische Zellen, fotovoltaische Zelle und fotovoltaischer Modul
CN102420271B (zh) * 2005-12-21 2016-07-06 太阳能公司 背面触点太阳能电池及制造方法
JP2009524523A (ja) * 2006-01-25 2009-07-02 フラオンホファー−ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファオ 基板を精密加工するための方法および装置ならびにその使用
US9006563B2 (en) 2006-04-13 2015-04-14 Solannex, Inc. Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9865758B2 (en) 2006-04-13 2018-01-09 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8729385B2 (en) 2006-04-13 2014-05-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8884155B2 (en) 2006-04-13 2014-11-11 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8822810B2 (en) 2006-04-13 2014-09-02 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9236512B2 (en) 2006-04-13 2016-01-12 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US20080072953A1 (en) * 2006-09-27 2008-03-27 Thinsilicon Corp. Back contact device for photovoltaic cells and method of manufacturing a back contact device
GB2442254A (en) * 2006-09-29 2008-04-02 Renewable Energy Corp Asa Back contacted solar cell
US9184327B2 (en) * 2006-10-03 2015-11-10 Sunpower Corporation Formed photovoltaic module busbars
AT504568B1 (de) 2006-12-05 2010-03-15 Nanoident Technologies Ag Schichtaufbau
US20100147368A1 (en) * 2007-05-17 2010-06-17 Day4 Energy Inc. Photovoltaic cell with shallow emitter
US20080290368A1 (en) * 2007-05-21 2008-11-27 Day4 Energy, Inc. Photovoltaic cell with shallow emitter
WO2009052227A1 (en) * 2007-10-17 2009-04-23 Ferro Corporation Dielectric coating for single sided back contact solar cells
US20090139557A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Douglas Rose Busbar connection configuration to accommodate for cell misalignment
DE102008030880A1 (de) * 2007-12-11 2009-06-18 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Rückkontaktsolarzelle mit großflächigen Rückseiten-Emitterbereichen und Herstellungsverfahren hierfür
WO2009076740A1 (en) * 2007-12-18 2009-06-25 Day4 Energy Inc. Photovoltaic module with edge access to pv strings, interconnection method, apparatus, and system
DE102008005396A1 (de) * 2008-01-21 2009-07-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
DE102008020796A1 (de) 2008-04-22 2009-11-05 Q-Cells Ag Rückseitenkontakt-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE102008040332B4 (de) 2008-07-10 2012-05-03 Q-Cells Ag Rückseitenkontaktierte Solarzelle und Solarmodul mit rückseitenkontaktierten Solarzellen
DE102008033632B4 (de) * 2008-07-17 2012-06-14 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle und Solarzellenmodul
JP5223004B2 (ja) 2008-07-28 2013-06-26 デイ４ エネルギー インコーポレイテッド 低温精密エッチ・バック及び不動態化プロセスで製造された選択エミッタを有する結晶シリコンｐｖ電池
US20100323471A1 (en) * 2008-08-21 2010-12-23 Applied Materials, Inc. Selective Etch of Laser Scribed Solar Cell Substrate
EP2324509A2 (en) 2008-08-27 2011-05-25 Applied Materials, Inc. Back contact solar cells using printed dielectric barrier
EP2329530A4 (en) * 2008-08-27 2013-03-20 Applied Materials Inc PHOTOPIL MODULES WITH REAR CONTACTS
US20100071765A1 (en) * 2008-09-19 2010-03-25 Peter Cousins Method for fabricating a solar cell using a direct-pattern pin-hole-free masking layer
WO2010037102A2 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 Thinsilicon Corporation Monolithically-integrated solar module
KR101472018B1 (ko) * 2008-10-13 2014-12-15 엘지전자 주식회사 후면전극 태양전지 및 그 제조방법
CN102239565B (zh) 2008-12-02 2016-04-06 三菱电机株式会社 太阳能电池单元的制造方法
EP2200082A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-23 STMicroelectronics Srl Modular interdigitated back contact photovoltaic cell structure on opaque substrate and fabrication process
KR101539047B1 (ko) 2008-12-24 2015-07-23 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 광기전력 변환 소자 및 그의 제조방법
US20100212735A1 (en) * 2009-02-25 2010-08-26 Pin-Sheng Wang Solar cell and method for fabricating the same
JP5597247B2 (ja) 2009-03-31 2014-10-01 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 太陽電池及びその製造方法
CN102272944B (zh) * 2009-05-06 2013-08-14 薄膜硅公司 光伏电池和提高半导体层堆叠中的光俘获的方法
KR100984700B1 (ko) * 2009-06-04 2010-10-01 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US8530990B2 (en) 2009-07-20 2013-09-10 Sunpower Corporation Optoelectronic device with heat spreader unit
US20120167980A1 (en) * 2009-09-10 2012-07-05 Q-Cells Se Solar cell
KR101155130B1 (ko) * 2009-09-16 2012-06-11 주식회사 효성 도금을 이용한 후면전극 태양전지의 제조방법
US8552288B2 (en) * 2009-10-12 2013-10-08 Sunpower Corporation Photovoltaic module with adhesion promoter
US8304644B2 (en) * 2009-11-20 2012-11-06 Sunpower Corporation Device and method for solar power generation
US8324015B2 (en) * 2009-12-01 2012-12-04 Sunpower Corporation Solar cell contact formation using laser ablation
US8809671B2 (en) * 2009-12-08 2014-08-19 Sunpower Corporation Optoelectronic device with bypass diode
US20130167915A1 (en) 2009-12-09 2013-07-04 Solexel, Inc. High-efficiency photovoltaic back-contact solar cell structures and manufacturing methods using three-dimensional semiconductor absorbers
FR2953999B1 (fr) 2009-12-14 2012-01-20 Total Sa Cellule photovoltaique heterojonction a contact arriere
CN102725858B (zh) * 2010-01-26 2015-12-09 三洋电机株式会社 太阳能电池及其制造方法
US8790957B2 (en) 2010-03-04 2014-07-29 Sunpower Corporation Method of fabricating a back-contact solar cell and device thereof
US9202960B2 (en) 2010-03-30 2015-12-01 Sunpower Corporation Leakage pathway layer for solar cell
US20110277833A1 (en) * 2010-05-11 2011-11-17 Molecular Imprints, Inc. Backside contact solar cell
US8211731B2 (en) 2010-06-07 2012-07-03 Sunpower Corporation Ablation of film stacks in solar cell fabrication processes
US9911882B2 (en) 2010-06-24 2018-03-06 Sunpower Corporation Passive flow accelerator
US8263899B2 (en) 2010-07-01 2012-09-11 Sunpower Corporation High throughput solar cell ablation system
US8604404B1 (en) 2010-07-01 2013-12-10 Sunpower Corporation Thermal tracking for solar systems
US8334161B2 (en) 2010-07-02 2012-12-18 Sunpower Corporation Method of fabricating a solar cell with a tunnel dielectric layer
JP5485060B2 (ja) * 2010-07-28 2014-05-07 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法
JP5334926B2 (ja) * 2010-08-02 2013-11-06 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法
US8563849B2 (en) 2010-08-03 2013-10-22 Sunpower Corporation Diode and heat spreader for solar module
US9897346B2 (en) 2010-08-03 2018-02-20 Sunpower Corporation Opposing row linear concentrator architecture
US8336539B2 (en) 2010-08-03 2012-12-25 Sunpower Corporation Opposing row linear concentrator architecture
KR20140015247A (ko) 2010-08-05 2014-02-06 솔렉셀, 인크. 태양전지용 백플레인 보강 및 상호연결부
US20130000715A1 (en) * 2011-03-28 2013-01-03 Solexel, Inc. Active backplane for thin silicon solar cells
US8658454B2 (en) 2010-09-20 2014-02-25 Sunpower Corporation Method of fabricating a solar cell
US20120073650A1 (en) 2010-09-24 2012-03-29 David Smith Method of fabricating an emitter region of a solar cell
US8426974B2 (en) 2010-09-29 2013-04-23 Sunpower Corporation Interconnect for an optoelectronic device
US8492253B2 (en) 2010-12-02 2013-07-23 Sunpower Corporation Method of forming contacts for a back-contact solar cell
US9246037B2 (en) 2010-12-03 2016-01-26 Sunpower Corporation Folded fin heat sink
US8134217B2 (en) 2010-12-14 2012-03-13 Sunpower Corporation Bypass diode for a solar cell
CN102074619B (zh) * 2010-12-14 2012-05-30 天津市津能电池科技有限公司 一种非晶硅电池的绝缘处理方法
US8839784B2 (en) 2010-12-22 2014-09-23 Sunpower Corporation Locating connectors and methods for mounting solar hardware
US8893713B2 (en) 2010-12-22 2014-11-25 Sunpower Corporation Locating connectors and methods for mounting solar hardware
JP5879515B2 (ja) * 2010-12-29 2016-03-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池の製造方法
CN102130214A (zh) * 2010-12-31 2011-07-20 常州天合光能有限公司 一种湿法刻蚀监控方法
US8586403B2 (en) * 2011-02-15 2013-11-19 Sunpower Corporation Process and structures for fabrication of solar cells with laser ablation steps to form contact holes
EP2690667A4 (en) * 2011-03-25 2014-10-08 Sanyo Electric Co METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
CN102157416B (zh) * 2011-04-01 2012-11-14 百力达太阳能股份有限公司 一种干法刻蚀硅片的自动检测方法
CN102185030B (zh) * 2011-04-13 2013-08-21 山东力诺太阳能电力股份有限公司 基于n型硅片的背接触式hit太阳能电池制备方法
KR101724005B1 (ko) 2011-04-29 2017-04-07 삼성에스디아이 주식회사 태양전지와 그 제조 방법
NL2006933C2 (en) * 2011-06-14 2012-12-17 Stichting Energie Photo-voltaic cell.
US9373731B2 (en) * 2011-06-30 2016-06-21 Newsouth Innovations Pty Limited Dielectric structures in solar cells
US9038421B2 (en) 2011-07-01 2015-05-26 Sunpower Corporation Glass-bending apparatus and method
US20130014800A1 (en) * 2011-07-13 2013-01-17 Thinsilicon Corporation Photovoltaic device and method for scribing a photovoltaic device
TWI532196B (zh) 2011-08-04 2016-05-01 愛美科公司 指叉電極的形成方法以及指叉式背接觸光伏特電池
US8692111B2 (en) 2011-08-23 2014-04-08 Sunpower Corporation High throughput laser ablation processes and structures for forming contact holes in solar cells
WO2013026948A1 (en) * 2011-08-24 2013-02-28 Jani Oksanen Optoelectronic semiconductor structure and method for transporting charge carriers
US8796535B2 (en) 2011-09-30 2014-08-05 Sunpower Corporation Thermal tracking for solar systems
US8586397B2 (en) 2011-09-30 2013-11-19 Sunpower Corporation Method for forming diffusion regions in a silicon substrate
US9559228B2 (en) 2011-09-30 2017-01-31 Sunpower Corporation Solar cell with doped groove regions separated by ridges
US8992803B2 (en) 2011-09-30 2015-03-31 Sunpower Corporation Dopant ink composition and method of fabricating a solar cell there from
US8889981B2 (en) 2011-10-18 2014-11-18 Samsung Sdi Co., Ltd. Photoelectric device
CN103105536A (zh) * 2011-11-14 2013-05-15 浚鑫科技股份有限公司 一种等离子体刻蚀后的单晶体硅硅片的检测方法
US9035168B2 (en) 2011-12-21 2015-05-19 Sunpower Corporation Support for solar energy collectors
US8528366B2 (en) 2011-12-22 2013-09-10 Sunpower Corporation Heat-regulating glass bending apparatus and method
US8822262B2 (en) 2011-12-22 2014-09-02 Sunpower Corporation Fabricating solar cells with silicon nanoparticles
US8513045B1 (en) 2012-01-31 2013-08-20 Sunpower Corporation Laser system with multiple laser pulses for fabrication of solar cells
KR101948206B1 (ko) 2012-03-02 2019-02-14 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 태양 전지와, 이의 제조 방법
US9397611B2 (en) 2012-03-27 2016-07-19 Sunpower Corporation Photovoltaic systems with local maximum power point tracking prevention and methods for operating same
CN103378205A (zh) * 2012-04-13 2013-10-30 杜邦太阳能有限公司 太阳能模组
EP2856512A4 (en) * 2012-05-29 2015-12-16 Solexel Inc STRUCTURES AND METHODS FOR FORMING CONTIGUOUS AND NON-CONTIGUOUS BASE REGIONS FOR HIGH EFFICIENCY REAR CONTACT SOLAR CELLS
KR101315407B1 (ko) * 2012-06-04 2013-10-07 한화케미칼 주식회사 에미터 랩 스루 태양 전지 및 이의 제조 방법
US9640676B2 (en) * 2012-06-29 2017-05-02 Sunpower Corporation Methods and structures for improving the structural integrity of solar cells
US8636198B1 (en) 2012-09-28 2014-01-28 Sunpower Corporation Methods and structures for forming and improving solder joint thickness and planarity control features for solar cells
CN104813480B (zh) 2012-10-16 2017-03-01 索莱克赛尔公司 用于光伏太阳能电池和模块中的单片集成旁路开关的系统和方法
US9515217B2 (en) 2012-11-05 2016-12-06 Solexel, Inc. Monolithically isled back contact back junction solar cells
US9130076B2 (en) * 2012-11-05 2015-09-08 Solexel, Inc. Trench isolation for monolithically isled solar photovoltaic cells and modules
CN103856163A (zh) * 2012-12-04 2014-06-11 杜邦公司 用于背接触式光伏模块的组件
CN104347751B (zh) * 2013-07-29 2016-10-05 上海凯世通半导体股份有限公司 太阳能电池的制作方法
US9437756B2 (en) 2013-09-27 2016-09-06 Sunpower Corporation Metallization of solar cells using metal foils
DE102013219560A1 (de) * 2013-09-27 2015-04-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Photovoltaische Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer metallischen Kontaktierung einer photovoltaischen Solarzelle
DE102013111634A1 (de) * 2013-10-22 2015-05-07 Solarworld Innovations Gmbh Solarzelle
JP2015122475A (ja) * 2013-11-19 2015-07-02 セイコーエプソン株式会社 太陽電池モジュールの製造方法、及び太陽電池モジュール
KR20160134650A (ko) * 2014-01-13 2016-11-23 솔렉셀, 인크. 배면 접촉 솔라 셀을 위한 불연속적인 에미터 및 베이스 아일랜드
US9997651B2 (en) 2015-02-19 2018-06-12 Sunpower Corporation Damage buffer for solar cell metallization
US11355657B2 (en) * 2015-03-27 2022-06-07 Sunpower Corporation Metallization of solar cells with differentiated p-type and n-type region architectures
US20160380127A1 (en) * 2015-06-26 2016-12-29 Richard Hamilton SEWELL Leave-In Etch Mask for Foil-Based Metallization of Solar Cells
DE102016107802A1 (de) 2016-04-27 2017-11-02 Universität Stuttgart Verfahren zur Herstellung rückseitenkontaktierter Solarzellen aus kristallinem Silizium
US11049988B2 (en) 2016-10-25 2021-06-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. High photoelectric conversion efficiency solar cell and method for manufacturing high photoelectric conversion efficiency solar cell
US11233162B2 (en) 2017-03-31 2022-01-25 The Boeing Company Method of processing inconsistencies in solar cell devices and devices formed thereby
CN108598267B (zh) * 2018-06-08 2021-09-24 常州福佑达智能装备科技有限公司 一种异质结太阳能电池及其制备方法
DE102018123484A1 (de) * 2018-09-24 2020-03-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Vereinzeln eines Halbleiterbauelementes mit einem pn-Übergang und Halbleiterbauelement mit einem pn-Übergang
US20210143290A1 (en) * 2019-11-13 2021-05-13 Sunpower Corporation Hybrid dense solar cells and interconnects for solar modules and related methods of manufacture

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63207182A (ja) * 1987-02-24 1988-08-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非晶質太陽電池の製造法
JP2002057352A (ja) * 2000-06-02 2002-02-22 Honda Motor Co Ltd 太陽電池およびその製造方法
US20050172996A1 (en) 2004-02-05 2005-08-11 Advent Solar, Inc. Contact fabrication of emitter wrap-through back contact silicon solar cells

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL163370C (nl) * 1972-04-28 1980-08-15 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting met een geleiderpatroon.
GB1355890A (en) * 1972-04-29 1974-06-05 Ferranti Ltd Contacts for solar cells
US4174978A (en) * 1978-05-11 1979-11-20 Chubrikov Boris A Semiconductor photovoltaic generator and method of fabricating thereof
JPS60182757A (ja) * 1984-02-29 1985-09-18 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 集積型太陽電池
JPS616828A (ja) * 1984-06-20 1986-01-13 Sanyo Electric Co Ltd 集積型光起電力装置の製造方法
US4650524A (en) * 1984-06-20 1987-03-17 Sanyo Electric Co., Ltd Method for dividing semiconductor film formed on a substrate into plural regions by backside energy beam irradiation
CN1004245B (zh) * 1984-10-29 1989-05-17 株式会社半导体能源研究所 电子器件的制造方法
DE3618732A1 (de) * 1985-09-11 1987-03-19 Siemens Ag Sensorelementeanordnung in einem halterahmen fuer einen pyrodetektor und verfahren zu deren herstellung
US4707218A (en) * 1986-10-28 1987-11-17 International Business Machines Corporation Lithographic image size reduction
US4838952A (en) * 1988-04-29 1989-06-13 Spectrolab, Inc. Controlled reflectance solar cell
US5053083A (en) * 1989-05-08 1991-10-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Bilevel contact solar cells
DE4009336A1 (de) * 1990-03-23 1991-09-26 Telefunken Systemtechnik Solarzelle
DE4129595A1 (de) * 1991-09-06 1993-03-11 Telefunken Systemtechnik Verfahren und vorrichtung zum partiellen abtragen von auf solarzellenoberflaechen angeordneten beschichtungen, vorzugsweise von antireflex- bzw. passivierungsbelaegen
US5320684A (en) * 1992-05-27 1994-06-14 Mobil Solar Energy Corporation Solar cell and method of making same
DE19525270C2 (de) * 1994-07-13 1999-08-26 Int Steel Ind Engineering Co Verfahren zur Gewinnung von Roheisen aus Eisenoxiden
DE19525720C2 (de) * 1995-07-14 1998-06-10 Siemens Solar Gmbh Herstellungsverfahren für eine Solarzelle ohne Vorderseitenmetallisierung
BR9610739A (pt) * 1995-10-05 1999-07-13 Ebara Sola Inc Célula solar e processo para sua fabricação
AUPN606395A0 (en) * 1995-10-19 1995-11-09 Unisearch Limited Metallization of buried contact solar cells
US5641362A (en) * 1995-11-22 1997-06-24 Ebara Solar, Inc. Structure and fabrication process for an aluminum alloy junction self-aligned back contact silicon solar cell
WO1998013882A1 (en) * 1996-09-26 1998-04-02 Akzo Nobel N.V. Method of manufacturing a photovoltaic foil
DE19650111B4 (de) * 1996-12-03 2004-07-01 Siemens Solar Gmbh Solarzelle mit geringer Abschattung und Verfahren zur Herstellung
JPH10173210A (ja) * 1996-12-13 1998-06-26 Canon Inc 電極、その形成方法及び該電極を有する光起電力素子
US6057173A (en) * 1997-02-19 2000-05-02 Texas Instruments Incorporated Ablative bond pad formation
US6103636A (en) * 1997-08-20 2000-08-15 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for selective removal of material from wafer alignment marks
JPH11112010A (ja) * 1997-10-08 1999-04-23 Sharp Corp 太陽電池およびその製造方法
DE19819200B4 (de) * 1998-04-29 2006-01-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle mit Kontaktstrukturen und Verfahren zur Herstellung der Kontaktstrukturen
ES2249305T3 (es) * 1999-10-12 2006-04-01 Roger P. Reid Cartucho de filtro reciclable y recipiente a presion.
JP4329183B2 (ja) * 1999-10-14 2009-09-09 ソニー株式会社 単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法、バックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法および集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法
DE10021440A1 (de) * 2000-05-03 2001-11-15 Univ Konstanz Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und nach diesem Verfahren hergestellte Solarzelle
DE10047556A1 (de) * 2000-09-22 2002-04-11 Univ Konstanz Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und nach diesem Verfahren hergestellte Solarzelle
DE10142481A1 (de) * 2001-08-31 2003-03-27 Rudolf Hezel Solarzelle sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen
JP4244549B2 (ja) * 2001-11-13 2009-03-25 トヨタ自動車株式会社 光電変換素子及びその製造方法
CN100401532C (zh) * 2001-11-26 2008-07-09 壳牌阳光有限公司 太阳能电池及其制造方法
US20040118444A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 General Electric Company Large-area photovoltaic devices and methods of making same
US7388147B2 (en) * 2003-04-10 2008-06-17 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
US7170001B2 (en) * 2003-06-26 2007-01-30 Advent Solar, Inc. Fabrication of back-contacted silicon solar cells using thermomigration to create conductive vias
US20050067378A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Harry Fuerhaupter Method for micro-roughening treatment of copper and mixed-metal circuitry
US20050145506A1 (en) * 2003-12-29 2005-07-07 Taylor E. J. Electrochemical etching of circuitry for high density interconnect electronic modules
WO2007081381A2 (en) * 2005-05-10 2007-07-19 The Regents Of The University Of California Spinodally patterned nanostructures
DE102008014506A1 (de) * 2008-03-15 2009-09-17 Wabco Gmbh Zylinder

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63207182A (ja) * 1987-02-24 1988-08-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非晶質太陽電池の製造法
JP2002057352A (ja) * 2000-06-02 2002-02-22 Honda Motor Co Ltd 太陽電池およびその製造方法
US20050172996A1 (en) 2004-02-05 2005-08-11 Advent Solar, Inc. Contact fabrication of emitter wrap-through back contact silicon solar cells

Also Published As

Publication number Publication date
AU2005296716B2 (en) 2012-02-02
CA2583760A1 (en) 2006-04-27
US20080035198A1 (en) 2008-02-14
CA2583760C (en) 2013-08-06
US20110053312A1 (en) 2011-03-03
US20140087515A1 (en) 2014-03-27
JP5459957B2 (ja) 2014-04-02
WO2006042698A1 (de) 2006-04-27
EP1800352A1 (de) 2007-06-27
DE102004050269A1 (de) 2006-04-20
AU2005296716A1 (en) 2006-04-27
MX2007004533A (es) 2008-01-14
JP2008517451A (ja) 2008-05-22
KR20070092953A (ko) 2007-09-14
CN101048875A (zh) 2007-10-03
CN100524832C (zh) 2009-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101192548B1 (ko) 후면-접촉형 태양 전지의 도전층들의 접촉 분리 방법 및태양 전지
CN101160668B (zh) 背接触式太阳能电池及其制造方法
US7388147B2 (en) Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
US4927770A (en) Method of fabricating back surface point contact solar cells
EP2380203B1 (en) Solar cell
JP2011507246A (ja) 広いうら側エミッタ領域を有する裏面電極型太陽電池およびその製造方法
EP2071632B1 (en) Thin-film solar cell and process for its manufacture
KR20070107660A (ko) 백 콘택 태양 전지를 통한 이미터 랩 프로세스 및 제조방법
NL2010496C2 (en) Solar cell and method for manufacturing such a solar cell.
EP2727149B1 (en) Photovoltaic cell with wrap through connections
US20230335663A1 (en) Back-contact solar cell, and production thereof
EP4068392A1 (en) Photovoltaic device with passivated contact and corresponding method of manufacture
EP4195299A1 (en) Interdigitated back contact solar cell and method for producing an interdigitated back contact solar cell
TW201537757A (zh) 太陽電池以及製造太陽電池的方法
WO2013058707A1 (en) All-back-contact solar cell and method of fabricating the same
KR19980075546A (ko) 후면 부분소결형 실리콘 태양전지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160121

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160929

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170928

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181002

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191007

Year of fee payment: 8