CN103105536A - 一种等离子体刻蚀后的单晶体硅硅片的检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种等离子体刻蚀后的单晶硅硅片的检测方法，用于确定等离子体刻蚀后的单晶硅硅片是否合格。本发明实施例方法包括：将等离子体刻蚀后的单晶硅硅片置于绝缘电阻测试仪中，开启绝缘电阻测试仪；读取绝缘电阻测试仪显示的单晶硅硅片的电阻值；根据单晶硅硅片的电阻值判断单晶硅硅片是否合格。本发明实施例中的方法能够有效的提高等离子体刻蚀后的单晶硅硅片的电阻值测量的准确率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池的生产加工技术领域，尤其涉及一种等离子体刻蚀后的单晶硅硅片的检测方法。
背景技术
今年来，太阳能电池片生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，使光伏发电的应用日益普及并迅猛发展，逐渐成为电力供应的重要来源，太阳能电池片是一种能力转换的光电元件，它可以再太阳光的照射下，把光能转换为电能，实现光伏发电。
太阳能电池片的生产工艺比较复杂，简单来说，目前的太阳能电池片的生产过程可以分为以下几个主要步骤：
1)表面制绒以及化学清洗硅片表面，通过化学反应在原本光滑的硅片表面形成凹凸不平的结构，以增强光的吸收；
2)扩散制结，将P型的单晶体硅片放入扩散炉内，使N型杂质原子硅片表面层，通过硅原子之间的空隙向单晶硅内部渗透扩散，形成PN结，使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样便形成电流，也就是使单晶硅具有光伏效应；
3)等离子刻蚀，去除扩散过程中在硅片边缘形成的将PN结短路的到导电层；
4)平板PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子增强的化学蒸发沉积)，即沉积反射膜，利用薄膜干涉原理，减少光的反射，起到钝化作用，增大电池的短路电流和输出功率，提高转换效率；
5)印刷电极，采用银浆印刷正电极和背电极，采用铝浆印刷背场，以手机电流并起到导电的作用；
6)烧结，在高温下使印刷的电极和硅片之间形成欧姆接触。
在上述过程中，对单晶硅进行等离子体刻蚀后，为了检测等离子刻蚀后的单晶硅是否合格，将利用万用表测试等离子刻蚀后的单晶硅硅片的四周，测试的光伏电压要求需大于120mv。但是，这种检测方法受到室内光照，万用表测试方法，人工测试时遮光面的等因素的影响，易造成测试不准，无法有效的检测出等离子刻蚀后的单晶硅硅片是否合格，影响了单晶硅硅片的合格率。
发明内容
本发明实施例提供了一种等离子体刻蚀后的单晶硅硅片的检测方法，能够准确的对等离子体刻蚀后的单晶硅硅片的电阻值进行测量，提高电阻值测量的准确率。
本发明实施例中的方法包括：
将等离子体刻蚀后的单晶硅硅片置于绝缘电阻测试仪中，开启所述绝缘电阻测试仪；
读取所述绝缘电阻测试仪显示的所述单晶硅硅片的电阻值；
根据所述单晶硅硅片的电阻值判断所述单晶硅硅片是否合格。
从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：
通过使用绝缘电阻测试仪对等离子体刻蚀后的单晶硅硅片的电阻值进行测量，并根据测量得到的电阻值判断单晶硅硅片是否合格，能够有效的提高单晶硅硅片电阻值测量的准确性，精确了单晶硅硅片的合格率。
附图说明
图1为本发明实施例中一种等离子体刻蚀后的单晶硅硅片的检测方法的一个示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种等离子体刻蚀后的单晶硅硅片的检测方法，用于对等离子刻蚀后的单晶硅硅片的电阻值进行测量，能有有效的检测电阻值，精确了单晶硅硅片的合格率。
请参阅图1，为本发明实施例中一种等离子体刻蚀后的单晶硅硅片的检测方法的实施例，包括：
101、将等离子体刻蚀后的单晶硅硅片置于绝缘电阻测试仪中，开启绝缘电阻测试仪；
在本发明实施例中，在对单晶硅硅片进行扩散制结的过程中，N型杂质会沉积在硅片的四周侧面和背面，导致硅片的正面和背面导通，做成成品电池后，将造成漏电现象，因此，需要对硅片进行等离子体刻蚀，去掉硅片四周的磷。
在本发明实施例中，使用绝缘电阻测试仪对等离子刻蚀后的单晶硅硅片进行检测，因此，需要将等离子体刻蚀后的单晶硅硅片至于绝缘电阻测试仪中，并开启该绝缘电阻测试仪。
102、读取绝缘电阻测试仪显示的单晶硅硅片的电阻值；
在本发明实施例中，绝缘电阻测试仪开启之后，将测试单晶硅硅片的电阻值，可从绝缘电阻测试仪的显示界面上读取被检测的单晶硅硅片的电阻值。
103、根据单晶硅硅片的电阻值判断单晶硅硅片是否合格。
在本发明实施例中，可根据单晶硅硅片的电阻值判断该单晶硅硅片是否合格，具体为：判断该单晶硅硅片的电阻值是否大于3000欧姆；若大于3000欧姆，则确定该单晶硅硅片合格，若小于或等于3000欧姆，则确定该单晶硅硅片不合格。
需要说明的是，在本发明实施例中，绝缘电阻测试仪测量出得数值是被检测物体的电阻值，其测试原理是欧姆定律，且当测量得到的电阻值大于3000欧姆时，则认为被检测的物体是绝缘物体，即在本发明实施例中，当被检测的单晶硅硅片的电阻值大于3000欧姆时，该单晶硅硅片是合格的。
在本发明实施例中，通过利用绝缘电阻测试仪对等离子体刻蚀后的单晶硅硅片的电阻值进行测量，测量得到的电阻值由单晶硅硅片自身的情况决定，不受环境影响，根据该单晶硅硅片的电阻值能够有效的确定其是否合格，提高了单晶硅硅片检测的准确性，精确了单晶硅硅片的合格率。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上对本发明所提供的一种等离子体刻蚀后的单晶硅硅片的检测方法进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (2)
1.一种等离子体刻蚀后的单晶硅硅片的检测方法，包括：
将等离子体刻蚀后的单晶硅硅片置于绝缘电阻测试仪中，开启所述绝缘电阻测试仪；
读取所述绝缘电阻测试仪显示的所述单晶硅硅片的电阻值；
根据所述单晶硅硅片的电阻值判断所述单晶硅硅片是否合格。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述单晶硅硅片的电阻值判断所述单晶硅硅片是否合格包括：
判断所述单晶硅硅片的电阻值是否大于3000欧姆；
若是，则确定所述单晶硅硅片合格；
若否，则确定所述单晶硅硅片不合格。
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