CN201413381Y - 太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置，所述的太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置包括检测平台，检测平台上设置有壳体，壳体内设置有可伸缩的冷、热探针，所述的冷、热探针之间通过导线连接有电压表，所述的电压表置于壳体外部，热探针还通过热导线连接有加热器。本实用新型结构简单，操作方便，不会带入金属污染，制作成本低，大大地提高了测试速度和测量的准确度。

Description

太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置

技术领域

本实用新型涉及一种太阳能电池领域，尤其涉及一种太阳能电池晶硅硅片导电类型和刻蚀效果的测量装置。

背景技术

随着经济的快速发展，传统能源的日益枯竭和石油价格的不断上升，以及人们对自身生存环境要求的不断提高，作为无污染的清洁能源，太阳能电池必将会得到更加迅猛的发展。美国、欧洲各国及日本、印度等已在大力发展太阳能建筑，加速了太阳能电池的发展。太阳能电池以P型硅晶为基体，通过在表面掺杂五价元素磷，在硅片表面形成PN结。通过去除硅片边缘的PN节(刻蚀工艺)，在阳光的照射下，硅片两面产生电势差。通过电极引出电流。实现了太阳能向电能的转换过程。

目前市场上测量导电类型的冷热探针测试仪虽然设计原理和结构都符合标准规定，但是作为检验太阳能电池硅片的专用检测设备具有以下缺点：(1)传统检测设备设计未针对太阳能电池片的结构特点，两个探头无伸缩，无硅片承载台，并且价格较高；(2)测量操作不方便，测试速度一般；(3)探针与硅片接触的压强不易控制，容易导致碎片、缺角、脱晶；(4)金属壳体等金属件和氧化件会增加硅片污染的几率。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：提供一种测量操作简单，测试速度快，并且不易损伤硅片的太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置，所述的太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置包括检测平台，检测平台上设置有壳体，壳体内设置有可伸缩的冷、热探针，所述的冷、热探针之间通过导线连接有电压表，所述的电压表置于壳体外部，热探针还通过热导线连接有加热器。

本实用新型进一步包括所述的壳体和检测平台由PP材料制成。

本实用新型进一步包括所述的加热器热源由可控温手工焊接烙铁提供。

为了易于直接直观的观察到电动势的差值，本实用新型进一步包括所述的电压表为数显万用表。

为了易于控制硅片对探针的压强，在不损伤硅片的情况下而形成良好的接触，本实用新型进一步包括所述的冷、热探针的探针尖端呈60°圆锥体形状，冷、热探针具有表面镀金外筒，冷、热探针通过伸缩弹簧设置于壳体内部，热探针温度维持为80℃，检测平台距离冷、热探针中心高度100μm。

本实用新型的有益效果是，解决了背景技术中存在的缺陷，利用PP材料制成的壳体与检测平台，为硅片提供了承载平台，易于硅片的摆放并且不会损伤硅片；选用热稳定性好、防氧化性高的镀金伸缩探头，易于控制接触压强，不易损伤硅片，并且本实用新型结构简单，操作方便，不会带入金属污染，制作成本低，大大地提高了测试速度和测量的准确度。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的优选实施例的结构示意图；

图2是本实用新型的探针结构示意图；

其中：1、检测平台；2、硅片3、探针4、壳体5、电压表6、加热器；7、导线；8、热导线31、镀金外筒9、伸缩弹簧。

具体实施方式

现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图1所示，一种太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置，所述的太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置包括检测平台1，检测平台1上设置有壳体4，壳体4内设置有可伸缩的冷、热探针3，所述的冷、热探针3之间通过导线7连接有电压表5，所述的电压表5置于壳体4外部，热探针3还通过热导线8连接有加热器6。所述的壳体4和检测平台1由PP材料制成，为硅片2提供了承载平台，易于硅片2的摆放并且不会损伤硅片2；加热器6热源由可控温手工焊接烙铁提供，使得热探针3的温度始终维持在80℃左右；并且利用万用表5方便简洁直观的就可以观察到电动势的差值，能够快速的检测出硅片2的类型以及硅片的刻蚀效果是否合格。

本实用新型冷、热探针3的结构如图2所示，冷、热探针3的探针尖端呈60°圆锥体形状，冷、热探针3具有表面镀金外筒31，冷、热探针3通过伸缩弹簧9设置于壳体4内部，检测平台1距离冷、热探针3中心高度100μm。由于硅片2比较容易破碎、缺角及脱晶，所以在检测的过程中需要十分的小心，而本实用新型的冷、热探针3通过伸缩弹簧9而具有伸缩结构，所以能够较好的控制探针3与硅片2的接触压强，不易损伤硅片。

本实用新型的实际操作过程也相当的简单，对于N型半导体材料，热探针相对于冷探针为正电，反之，对于P性半导体材料热探针对于冷探针则为负电。所以，对于N性半导体材料，电压表5上的指针会指向“-”方，而对于P性半导体材料，电压表5上的指针会指向“+”方。通过这样的测试，就可以方便快捷的测量出硅片2的导电类型。

而在刻蚀工艺的检验时，用冷、热探针3接触硅片2一个边沿不相连的两个点，电压表5显示这两点的电压值为正值，且大于30mv，则刻蚀合格；如果电压表5显示的数值为正值但数值小于30mv，则刻蚀不合格。

以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。

Claims (5)

1、一种太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置，其特征在于：所述的太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置包括检测平台(1)，检测平台(1)上设置有壳体(4)，壳体(4)内设置有可伸缩的冷、热探针(3)，所述的冷、热探针(3)之间通过导线(7)连接有电压表(5)，所述的电压表(5)置于壳体(4)外部，热探针(3)还通过热导线(8)连接有加热器(6)。

2、如权利要求1所述的太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置，其特征在于：所述的壳体(4)和检测平台(1)由PP材料制成。

3、如权利要求1所述的太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置，其特证在于：所述的加热器(6)热源由可控温手工焊接烙铁提供。

4、如权利要求1所述的太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置，其特征在于：所述的电压表(5)为数显万用表。

5、如权利要求1所述的太阳能电池晶硅硅片导电类型测量装置，其特征在于：所述的冷、热探针(3)的探针尖端呈60°圆锥体形状，冷、热探针(3)具表面有镀金外筒(31)，冷、热探针(3)通过伸缩弹簧(9)设置于壳体(4)内部，热探针(3)温度维持为80℃，检测平台(1)距离冷、热探针(3)中心高度100μm。

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