JPS63207182A - 非晶質太陽電池の製造法 - Google Patents
非晶質太陽電池の製造法Info
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- JPS63207182A JPS63207182A JP62040842A JP4084287A JPS63207182A JP S63207182 A JPS63207182 A JP S63207182A JP 62040842 A JP62040842 A JP 62040842A JP 4084287 A JP4084287 A JP 4084287A JP S63207182 A JPS63207182 A JP S63207182A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、太陽光および他の光源下で光電変換を行なう
非晶質太陽電池の製造法に関するもので、特にセルの直
列形成に関するものである。
非晶質太陽電池の製造法に関するもので、特にセルの直
列形成に関するものである。
従来の技術
従来この種の非晶質太陽電池は、第３図に示すような方
法により製造されていた。
法により製造されていた。
まず（Ｉ）に示すように、透光性絶縁基板１１を用いて
、非晶質太陽電池を作製する際に、透明導電膜１２と非
晶質硅素膜１３とを所定のパターンで形成した後に、■
）に示すように透過光面側１４の電極として、ｋｌ等の
金属１６を前記基板１１全面に蒸着し、■に示すように
スクリーン印刷法やフォトエツチング法によりレジスト
１６を所定のパターンに焼き付けた後、面に示すように
前記金属１５を溶解するエツチング液に浸漬して、前記
金属１５の不要部分１７を除去し、ついでα）に示すよ
うに前記レジスト１６を除去するという製造法であった
。
、非晶質太陽電池を作製する際に、透明導電膜１２と非
晶質硅素膜１３とを所定のパターンで形成した後に、■
）に示すように透過光面側１４の電極として、ｋｌ等の
金属１６を前記基板１１全面に蒸着し、■に示すように
スクリーン印刷法やフォトエツチング法によりレジスト
１６を所定のパターンに焼き付けた後、面に示すように
前記金属１５を溶解するエツチング液に浸漬して、前記
金属１５の不要部分１７を除去し、ついでα）に示すよ
うに前記レジスト１６を除去するという製造法であった
。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような従来の製造法では、まず、太
陽電池構成材料ではないレジストを塗布し、ついでこれ
を除去しなければならないなど、工程数が多いという問
題点がある。またスフ＋７−ン印刷法は、フォトエツチ
ング法に比べて、比較的工程数は少ないけれども、微細
なパターン（０，３μｍ未満）が精度よく形成できない
という問題点があった。
陽電池構成材料ではないレジストを塗布し、ついでこれ
を除去しなければならないなど、工程数が多いという問
題点がある。またスフ＋７−ン印刷法は、フォトエツチ
ング法に比べて、比較的工程数は少ないけれども、微細
なパターン（０，３μｍ未満）が精度よく形成できない
という問題点があった。
本発明は、このような問題点を解決するもので、上記の
レジストを使用しないで、透過光面側の金属電極のパタ
ーンニングを行なうことを目的とするものである。
レジストを使用しないで、透過光面側の金属電極のパタ
ーンニングを行なうことを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために、本発明の技術的手段は、
非晶質硅素膜をパターンニングした後に、比較的柔らか
い第■金属薄膜を堆積させ、次に第１金属薄膜より硬い
第■金属薄膜を堆積させた後に、機械的に除去したい箇
所の第１金属薄膜全部と前記箇所の第１金属薄膜の一部
を除去し、その後第１金属のみを溶解させるエツチング
液に浸漬させるものである。
非晶質硅素膜をパターンニングした後に、比較的柔らか
い第■金属薄膜を堆積させ、次に第１金属薄膜より硬い
第■金属薄膜を堆積させた後に、機械的に除去したい箇
所の第１金属薄膜全部と前記箇所の第１金属薄膜の一部
を除去し、その後第１金属のみを溶解させるエツチング
液に浸漬させるものである。
作用
この構成により上記した非晶質硅素膜の上に、柔らかい
第１金属薄膜と、硬い第■金属薄膜を形成したことによ
って、金属片等でスクライブする際に前記柔らかい第１
金属簿膜がスクライブ時の非晶質硅素膜に加わる力を減
少させて、前記硬い第■金属薄膜に力が集中して、スク
ライブ方向に力が加わるので前記非晶質膜を損傷しない
で、第■金属薄膜と第■金属薄膜との界面付近までスク
ライブされる。その後に、スクライブした部分に残った
第１金属膜を、第１金属薄膜のみをエツチングする液に
浸漬し、選択的に除去することによって、所定のパター
ンを得ることができることとなる。
第１金属薄膜と、硬い第■金属薄膜を形成したことによ
って、金属片等でスクライブする際に前記柔らかい第１
金属簿膜がスクライブ時の非晶質硅素膜に加わる力を減
少させて、前記硬い第■金属薄膜に力が集中して、スク
ライブ方向に力が加わるので前記非晶質膜を損傷しない
で、第■金属薄膜と第■金属薄膜との界面付近までスク
ライブされる。その後に、スクライブした部分に残った
第１金属膜を、第１金属薄膜のみをエツチングする液に
浸漬し、選択的に除去することによって、所定のパター
ンを得ることができることとなる。
実施例
第１図は、本発明の一実施例による非晶質太陽電池の製
造プロセスを説明するだめの工程順素子断面図であり、
第１図において、まずａに示すようにガラス基板１の上
に、透明導電膜２を所定のパターンで形成した後に、非
晶質硅素膜３を所定のパターンで形成する。
造プロセスを説明するだめの工程順素子断面図であり、
第１図において、まずａに示すようにガラス基板１の上
に、透明導電膜２を所定のパターンで形成した後に、非
晶質硅素膜３を所定のパターンで形成する。
次に、ｂに示すように、真空蒸着法により第１金属薄膜
として２５００人の厚みのアルミニウム層４と、同じ方
法により第■金属薄膜として１５００人の厚みのチタニ
ウム層６を全面に堆積した後に、硬質炭素鋼片製の刃物
を用いて、所定のノくターンでスクライブすると、Ｃに
示す如く、スクライブ箇所６の前記チタニウム層５全部
と前記アルミニウム層４の一部とを、下方の非晶質硅素
膜３を損傷することなく除去することができる。
として２５００人の厚みのアルミニウム層４と、同じ方
法により第■金属薄膜として１５００人の厚みのチタニ
ウム層６を全面に堆積した後に、硬質炭素鋼片製の刃物
を用いて、所定のノくターンでスクライブすると、Ｃに
示す如く、スクライブ箇所６の前記チタニウム層５全部
と前記アルミニウム層４の一部とを、下方の非晶質硅素
膜３を損傷することなく除去することができる。
それから、濃度８６％のリン酸溶液中に、この素子７を
浸漬することによって、ｄに示すようにスクライブ箇所
６の下方のアルミニウム層４を除去することができる。
浸漬することによって、ｄに示すようにスクライブ箇所
６の下方のアルミニウム層４を除去することができる。
これによって、ガラス基板１上の太陽電池８を電気的に
直列接続することができた。
直列接続することができた。
な２、前記金属片からなる刃物の先端の肉厚が１０μｍ
のものを使用することによって、前記スクライブ箇所６
の非晶質硅素膜３を除去した箇所の幅を２０μｍにする
ことができた。
のものを使用することによって、前記スクライブ箇所６
の非晶質硅素膜３を除去した箇所の幅を２０μｍにする
ことができた。
なお、硬質炭素鋼片製の刃物以外に、セラミック片、プ
ラスチック片を用いても全く同じような結果が得られた
。
ラスチック片を用いても全く同じような結果が得られた
。
その際使用した装置の概要を第２図に示す。
Ｘ−Ｙ −Ｚ ステージ２１上にワーク２２を固定し、
架台２３に固定した、金属片の刃物２４がワーク２２に
接触するように、Ｚステージ２１０を上昇させ、Ｘステ
ージ２１１．Ｙステージ２１２を適当に動かすことによ
って所定のパターンを形成するものである。
架台２３に固定した、金属片の刃物２４がワーク２２に
接触するように、Ｚステージ２１０を上昇させ、Ｘステ
ージ２１１．Ｙステージ２１２を適当に動かすことによ
って所定のパターンを形成するものである。
発明の効果
本発明によれば、直列接続等を行なうために。
アルミニウム層とチタニウム層のパターンニングを行な
う際に、レジスＩｆ使用しないで、金属片等でチタニウ
ム層をスクライブすることにより除去した後に、アルミ
ニウム層をエツチングにて除去することにより、加工工
程数を減少させることができる。
う際に、レジスＩｆ使用しないで、金属片等でチタニウ
ム層をスクライブすることにより除去した後に、アルミ
ニウム層をエツチングにて除去することにより、加工工
程数を減少させることができる。
また金属片等からなる刃先の肉厚を適当に選ぶことによ
って、ｊ２０μｍ程度の微細なパターンから、１朋以上
の幅大のパターンまで、治具の取換えだけで簡単に行な
えるという効果が得られる。
って、ｊ２０μｍ程度の微細なパターンから、１朋以上
の幅大のパターンまで、治具の取換えだけで簡単に行な
えるという効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例の製造プロセスを示す太陽電
池の工程順断面図、第２図は実施例に用いた装置の概略
図、第３図は従来の製造プロセスを示す太陽電池の工程
順断面図である。 ４・・・・・・アルミニウム層、５・・・・・・チタニ
ウム層、６・・・・・・スクライブ箇所。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名−烟
よ −一！ ２７−Ｘ−γ−Ｘステージ ２２−−フープ ？３−家ち ？４−−刃物 ｚ／ｚ−一丁ステージ 第３図
池の工程順断面図、第２図は実施例に用いた装置の概略
図、第３図は従来の製造プロセスを示す太陽電池の工程
順断面図である。 ４・・・・・・アルミニウム層、５・・・・・・チタニ
ウム層、６・・・・・・スクライブ箇所。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名−烟
よ −一！ ２７−Ｘ−γ−Ｘステージ ２２−−フープ ？３−家ち ？４−−刃物 ｚ／ｚ−一丁ステージ 第３図
Claims (4)
- （１）透光性絶縁基板上に、順次所定のパターンで透明
導電膜と非晶質珪素膜とを形成した後、その上に比較的
柔らかい第 I 金属薄膜及びこの第 I 金属薄膜より硬い
第II金属薄膜を堆積し、直列接続等を行なうために、前
記第 I および第II金属薄膜のパターンニングをするに
際し、除去したい箇所の第II金属薄膜の全部と前記箇所
の第 I 金属薄膜の一部を機械的に除去した後に前記第
I 金属薄膜を溶解し、かつ前記第II金属薄膜を溶解し
ないエッチング液に浸漬することによって、前記機械的
に除去した箇所に残った第 I 金属薄膜を化学的に除去
したことを特徴とする非晶質太陽電池の製造法。 - （２）除去したい箇所の第II金属薄膜の全部と前記箇所
の第 I 金属薄膜の一部を機械的に除去する手段として
、金属片でスクライブすることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の非晶質太陽電池の製造法。 - （３）除去したい箇所の第II金属薄膜の全部と前記箇所
の第 I 金属薄膜の一部を機械的に除去する手段として
、セラミック片でスクライブすることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の非晶質太陽電池の製造法。 - （４）除去したい箇所の第II金属薄膜の全部と前記箇所
の第 I 金属薄膜の一部を機械的に除去する手段として
、プラスチック片でスクライブすることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の非晶質太陽電池の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62040842A JPS63207182A (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | 非晶質太陽電池の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62040842A JPS63207182A (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | 非晶質太陽電池の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63207182A true JPS63207182A (ja) | 1988-08-26 |
Family
ID=12591849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62040842A Pending JPS63207182A (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | 非晶質太陽電池の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63207182A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008517451A (ja) * | 2004-10-14 | 2008-05-22 | インスティトゥート フューア ゾラールエネルギーフォルシュング ゲーエムベーハー | 背面接触式太陽電池上の導電層の接触分離の方法および太陽電池 |
-
1987
- 1987-02-24 JP JP62040842A patent/JPS63207182A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008517451A (ja) * | 2004-10-14 | 2008-05-22 | インスティトゥート フューア ゾラールエネルギーフォルシュング ゲーエムベーハー | 背面接触式太陽電池上の導電層の接触分離の方法および太陽電池 |
| KR101192548B1 (ko) * | 2004-10-14 | 2012-10-17 | 인스티투트 퓌어 솔라에네르기포르슝 게엠베하 | 후면-접촉형 태양 전지의 도전층들의 접촉 분리 방법 및태양 전지 |
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