JPS6163026A - 半導体装置の電極形成方法 - Google Patents
半導体装置の電極形成方法Info
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- JPS6163026A JPS6163026A JP18480684A JP18480684A JPS6163026A JP S6163026 A JPS6163026 A JP S6163026A JP 18480684 A JP18480684 A JP 18480684A JP 18480684 A JP18480684 A JP 18480684A JP S6163026 A JPS6163026 A JP S6163026A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はショットキーバリアダイγ−ド等の半導体装置
の＠、電極形成方法関するものである。
の＠、電極形成方法関するものである。
従来、ン９．トキーバ１１アダイオードの電極形成は、
バリア金属として用いられるモリブデン（Ｍｏ）を半導
体基板に真空源着装＃ｔ＊を用いて付着させ、次に電極
金属としての白金（Ｐｔ）−銀（Ａｇ ）を連続付着さ
せている。この電極金属形成工程においては電極金属の
不壁部分を除去すべくフォトレジストを電極金−を除去
すべき部分にあらかじめ付着しておいて、その後全面に
！他金属をつけフォトレジストとともに電極金属の不要
部を除去するというリフトオフ方式を用いてｔ＆パター
ンの形成が行なわれている。尚、不要電極金属除去にり
７トオ７万式が用いられている理由は。
バリア金属として用いられるモリブデン（Ｍｏ）を半導
体基板に真空源着装＃ｔ＊を用いて付着させ、次に電極
金属としての白金（Ｐｔ）−銀（Ａｇ ）を連続付着さ
せている。この電極金属形成工程においては電極金属の
不壁部分を除去すべくフォトレジストを電極金−を除去
すべき部分にあらかじめ付着しておいて、その後全面に
！他金属をつけフォトレジストとともに電極金属の不要
部を除去するというリフトオフ方式を用いてｔ＆パター
ンの形成が行なわれている。尚、不要電極金属除去にり
７トオ７万式が用いられている理由は。
を他金属としての白金（Ｐｔ）が工、チングされにくい
ものであるためで、このように工、チングされにくい金
属の部分的防去に適した方式であるからである。しかし
ながら、このす７トオ７方式は基板上の金属とレジスト
上の金属の段切れが起きることを前提としてなりたって
いる技術であることから、金属の付着状態、特に付着膜
のステ、グカバレージ性によってり７トオフ法で形成さ
れる電極パターンの形状が左右される。例えば、ステッ
グカパレージ性の良い金属膜の場合のりフトオフ法で形
成され九電極パターンの形状は極端に悪くなり、このこ
とがリフトオフ工程のレジストはくり液浸漬によるレジ
スト溶解−溶解後のテープによるビールアウト工程を数
回繰り返丁事になり、作業工数増となっていたｏｔた、
テープによるビールアウト工程が繰シ返される事でペレ
ット周辺の金属の剥離を起こし、歩留低下となるなどの
問題を有していた０ これらの問題に対し、例えばす７トオ７用のレジストの
断面形状をオーバーハング型にすべくレジスト２層化を
して、段切れを起こし易くして電極パターンの切れを改
善することなどの提案もされているが、フォトレジスト
工程が煩雑となる欠点を有していた〇 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は、高精度九電極形状が得られるショット
キーバリアダイオード％にその電極形成方法を提供する
ものである０ 〔問題点を解決するための手段〕 すなわち、本発明の％徴はリフトオ７工程罠於いて、レ
ジスト上に全面に形成した金属にレーザースクライバ−
と用いて破断部を形成させることによシレジストはぐり
液の＆所を容易【シ、どんなステ、グカバレージ荘の良
い膜でも容易にす７トオ７法によって１ｊＬ＝形成が己
未るようにしたことで、す７トオ７工程時の金桐の切れ
のパランキがなく、かつテープによるビールアクトが一
回で済むことによりベレアト庵辺の電極メタルのはがれ
を起こさないシ１．トキーバリアダイオードを製造出来
ることである。
ものであるためで、このように工、チングされにくい金
属の部分的防去に適した方式であるからである。しかし
ながら、このす７トオ７方式は基板上の金属とレジスト
上の金属の段切れが起きることを前提としてなりたって
いる技術であることから、金属の付着状態、特に付着膜
のステ、グカバレージ性によってり７トオフ法で形成さ
れる電極パターンの形状が左右される。例えば、ステッ
グカパレージ性の良い金属膜の場合のりフトオフ法で形
成され九電極パターンの形状は極端に悪くなり、このこ
とがリフトオフ工程のレジストはくり液浸漬によるレジ
スト溶解−溶解後のテープによるビールアウト工程を数
回繰り返丁事になり、作業工数増となっていたｏｔた、
テープによるビールアウト工程が繰シ返される事でペレ
ット周辺の金属の剥離を起こし、歩留低下となるなどの
問題を有していた０ これらの問題に対し、例えばす７トオ７用のレジストの
断面形状をオーバーハング型にすべくレジスト２層化を
して、段切れを起こし易くして電極パターンの切れを改
善することなどの提案もされているが、フォトレジスト
工程が煩雑となる欠点を有していた〇 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は、高精度九電極形状が得られるショット
キーバリアダイオード％にその電極形成方法を提供する
ものである０ 〔問題点を解決するための手段〕 すなわち、本発明の％徴はリフトオ７工程罠於いて、レ
ジスト上に全面に形成した金属にレーザースクライバ−
と用いて破断部を形成させることによシレジストはぐり
液の＆所を容易【シ、どんなステ、グカバレージ荘の良
い膜でも容易にす７トオ７法によって１ｊＬ＝形成が己
未るようにしたことで、す７トオ７工程時の金桐の切れ
のパランキがなく、かつテープによるビールアクトが一
回で済むことによりベレアト庵辺の電極メタルのはがれ
を起こさないシ１．トキーバリアダイオードを製造出来
ることである。
以下、本発明を図面を用いてよシ秤細に説明する０
第２図は従来のショット午−バリアタ゛イオードの電極
形成工程におけるリフトオフ工程での断面図である。通
常ンヨットキーパリアダイオードの電極形成は、最初に
半導体基板ｌ上に酸化膜２分フォトレジストグロセスを
用いて形成し、バリア形成部３が酸化膜２から門出する
ようにする。次に、真空蒸着装置等を用いて、バリア金
属としてのモリブデン（Ｍｏ）膜４を付着させる。そし
て半導体基板１上のバリア金属４上の電極金属を必要と
しない部分にフォトレジスト５を形成し、次に電極金属
としての白金（Ｐｔ）６、−銀（Ａｇ）７を連続的に付
着させる０そして最後に、レジストはくり液浸漬でレジ
スト５を溶解した後に粘着テープを用いて電極金属を必
要としない部分の電極金属をビールアウトして取シ除き
電極形成がおこなわれる。ここで第２図の人の部分つま
り、半導体基板ｌ上の電極金属とレジスト５上の電極金
属との間に段切れが起きていると、す７トオ７法で形成
される電極金属の形状は良いが、ステツブカバレージ性
の良い膜が形成されると電極金属の切れは極端に悪くな
シ、レジストはくり液浸漬−テープによるビールアウト
を数回繰り返すことが必要となってぐる。このことがま
たテープによるビールアクト回数増のため、ペレット周
辺部の電極メタルの剥離を生じさせてしまうことにもな
りていた０ 第１図は本発明の一実施例を示したもので、電極金属と
しての白金（ｐｔ）−銀（Ａｇ ）付Ｎ後に、７中トレ
ジスト５上の電極金属にレーザースクライバ−を用いて
電極金属に破断部８を形成した後にレジストはくり液浸
漬−粘着テープによるビールアウトを行なって、電極形
成が完了する。このレーザースクライバ−での電極金属
に破断部形成を行なうことによりどんなステ、グヵバレ
ージ性の良い膜でも、レジストはくシ液の浸透が容易と
なシ１回でレジストが溶解され、テープによるビールア
ウトも１回で完了できる。
形成工程におけるリフトオフ工程での断面図である。通
常ンヨットキーパリアダイオードの電極形成は、最初に
半導体基板ｌ上に酸化膜２分フォトレジストグロセスを
用いて形成し、バリア形成部３が酸化膜２から門出する
ようにする。次に、真空蒸着装置等を用いて、バリア金
属としてのモリブデン（Ｍｏ）膜４を付着させる。そし
て半導体基板１上のバリア金属４上の電極金属を必要と
しない部分にフォトレジスト５を形成し、次に電極金属
としての白金（Ｐｔ）６、−銀（Ａｇ）７を連続的に付
着させる０そして最後に、レジストはくり液浸漬でレジ
スト５を溶解した後に粘着テープを用いて電極金属を必
要としない部分の電極金属をビールアウトして取シ除き
電極形成がおこなわれる。ここで第２図の人の部分つま
り、半導体基板ｌ上の電極金属とレジスト５上の電極金
属との間に段切れが起きていると、す７トオ７法で形成
される電極金属の形状は良いが、ステツブカバレージ性
の良い膜が形成されると電極金属の切れは極端に悪くな
シ、レジストはくり液浸漬−テープによるビールアウト
を数回繰り返すことが必要となってぐる。このことがま
たテープによるビールアクト回数増のため、ペレット周
辺部の電極メタルの剥離を生じさせてしまうことにもな
りていた０ 第１図は本発明の一実施例を示したもので、電極金属と
しての白金（ｐｔ）−銀（Ａｇ ）付Ｎ後に、７中トレ
ジスト５上の電極金属にレーザースクライバ−を用いて
電極金属に破断部８を形成した後にレジストはくり液浸
漬−粘着テープによるビールアウトを行なって、電極形
成が完了する。このレーザースクライバ−での電極金属
に破断部形成を行なうことによりどんなステ、グヵバレ
ージ性の良い膜でも、レジストはくシ液の浸透が容易と
なシ１回でレジストが溶解され、テープによるビールア
ウトも１回で完了できる。
このように、リフトオフ工程の作業工数の削減とテープ
によるビールアクト時のバリア金属と電極金属間に与え
ていた機械的ストレスも少なくなり、ペレット周辺部の
電極金属剥離による歩留低下もおさえたシ１．トキーバ
リアダイオードの製造が可能となる。
によるビールアクト時のバリア金属と電極金属間に与え
ていた機械的ストレスも少なくなり、ペレット周辺部の
電極金属剥離による歩留低下もおさえたシ１．トキーバ
リアダイオードの製造が可能となる。
第１図は本発明の一実施例によるシ舊ットキーパリアダ
イオードのｔ離形成工程における断面図、第２図は従来
のシ１．トキーパリアダイオード電極形成工程の断面図
である。
イオードのｔ離形成工程における断面図、第２図は従来
のシ１．トキーパリアダイオード電極形成工程の断面図
である。
Claims (1)
- 半導体基板上の所定部にフォトレジストを形成し、そ
の後全面に電極金属を形成し、前記フォトレジスト上の
前記電極金属にレーザースクライバーを用いて破断部を
形成し、しかる後フォトレジスト溶解液に浸漬して前記
フォトレジストとともにその上の前記金属を除去するこ
とを特徴とする半導体装置の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18480684A JPS6163026A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 半導体装置の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18480684A JPS6163026A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 半導体装置の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163026A true JPS6163026A (ja) | 1986-04-01 |
Family
ID=16159616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18480684A Pending JPS6163026A (ja) | 1984-09-04 | 1984-09-04 | 半導体装置の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163026A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0354864A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Nec Corp | ショットキー電極形成方法 |
| JP2010518610A (ja) * | 2007-02-06 | 2010-05-27 | フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツール フエルデルング デア アンゲヴァンテン フォルシュング エー．ファオ． | 半導体基板上にパターンを形成するための方法 |
-
1984
- 1984-09-04 JP JP18480684A patent/JPS6163026A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0354864A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Nec Corp | ショットキー電極形成方法 |
| JP2010518610A (ja) * | 2007-02-06 | 2010-05-27 | フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツール フエルデルング デア アンゲヴァンテン フォルシュング エー．ファオ． | 半導体基板上にパターンを形成するための方法 |
| US8236689B2 (en) | 2007-02-06 | 2012-08-07 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Method for applying a structure to a semiconductor element |
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