DE1929084C3 - Ätzlösung für ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes - Google Patents

Ätzlösung für ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes

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DE1929084C3 DE19691929084 DE1929084A DE1929084C3 DE 1929084 C3 DE1929084 C3 DE 1929084C3 DE 19691929084 DE19691929084 DE 19691929084 DE 1929084 A DE1929084 A DE 1929084A DE 1929084 C3 DE1929084 C3 DE 1929084C3
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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Älzlösung fur ein Verfahren zum Herstellen eines Halhleiterbaiiele ments. bei welchem auf die Oberfläche eines Substrats mit einer \nzahl von Zonen aus Halbleitermaterial, Jie eine Anzahl von Halblciierelementcn bilden, welche jeweils mindestens einen an die Oberfläche des Substrats angrenzenden Kontakibereich aufweisen, eine Metallschicht aufgebracht wird, welche eine Anzahl von Anschlußflächen bildet, die elektrisch mit cntspre chenden Kont.ikthereichen der Halbleiterelemente gekoppelt sind, .uif die Metallschicht eine Isolierschicht aufgebracht wird, und die über den <\nschlußflächen liegenden Feile d<:r Isolierschicht nut einer elektrisch praktisch nichtleitenden Ätzlösung.die Flußsäurclosung und '\inmoniumfliiorid enthält, behandelt werden, die diese Feile der Isolierschicht entfernt, ohne die dadurch freigelegten, darunterliegenden Anschliißflächen nen nensweri zu beeinträchtigen.
Insbesondere betrifft die Erfindung cmc Ätzlosung für die Herstellung von ll.ilbleilereinrichlungen mit einem Muster aus elektrischen Verbindungen in 1 orm einer geformten MctallsthiLht, die nut einer huller schicht überzogen ist.
Be! der Herstellung Von Halbleitereinrichtungen im allgemeinen und integrierten Schaltungen im besonderen ist es bekannt, Anschlüsse an und/oder Verbindungen zwischen den verschiedenen Zonen des vorhandenen Hälbleitefdlements oder der vorhandenen Halbleiterelemente durch eine aufgebrachte, insbesondere aufgedampfte Metallschicht herzustellen, die enlspfe-
chend einem vorgegebenen Muster geätzt wird.
Die US-Patentschrift 31 07 188 betrifft ein Verfahren zur Entfernung von Oxiden von einer Halbleiter-Oberfläche, wobei ein Ätzmittel verwendet wird, das
ί Flußsäurelösung, Phosphorsäure und Ammoniumfluorid enthält. Dieses Ätzmittel ist jedoch elektrisch leitend. Weitere Ätzmittel werden in der britischen Patentschrift 11 10 587 und den US-Patentschriften 31 22 817 und 31 63 568 vorgeschlagen.
in Bei dem derze-t üblichen Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und -Einrichtungen wird die gewöhnlich aus Aluminium bestehende Metallschicht durch Aufdampfen aufgebracht Anschließend wird die Metallschicht selektiv weggeätzt, indem erstens
ii die Metallschicht mit einem Photolack überzogen wird, zweitens vorgegebene Bereiche des Photolacks polymerisiert werden, um sie unlöslich in einer gegebenen Entwicklerlösung /u machen, drittens die Photnlackschicht mit der Entwieklerlösung behandelt wird, um die
.'ii nichtpolymerisierten Bereiche zu entfernen, und viertens die auf diese Weise freigelegten Flächen der Metallschicht mit einer Ätzlösung behandelt werden, die die verbliebene PhotoLickabdeckung nicht nennenswert angreift.
Dieses bekannte Ätzverfahren ist jedoch nur beschränkt brauchbar, wenn sehr feine Strichmusler geätzt werden sollen, also z. B. Musler mit Linienbreiten in dci (Iroßenordnung unter Ιϋμπι. Bei so schmalen l.eitungshahncn stellt das Unterätzen der Metallschicht
in em ernstes Problem dar. das durch die relativ schlechte Haftung zwischen dem Photolackuberzug und der darunterliegenden Metallschicht noch vergrößert wird. Es ist zwar bereits bekannt, die Metallschicht zu erhitzen, bevor der Photolack aufgebracht wird, um
dessen Haftung /u verbessern. Die hierdurch erreichte Verbesserung der Haftung ist jedoch nicht sehr groß, und es tritt immer noch ein erhebliches I Interai/en der Metallschicht auf.
Ein anderes Problem beim Ätzen von feinen Mustern
i" beruht auf dem verhältnismäßig geringen Widerstand, den der Photolaeküberzug der zum Ätzen der darunterliegenden Metallschicht verwendeten Losung entgegensetzt, (in Chargen ■ oder partieweises Ätzen ist daher nicht möglich, da fur die Bearbeitung von
'■ Halblcilcrscheihen mit Mci.illschit hien verschiedener Dicke verschiedene Ätzzeiten ben<>-igt werden und es bei der Massenproduktion praktisch nicht möglich ist. Metallschichien mit ganz gleichförmiger Dicke herzu stellen Wenn eine ganze Partie von Scheiben so hinge in
''" die Ätzlosung eingetaucht wird, daß auch die dicksten Metallschichten durchgcilzt werden, treten bei den anderen Schichten eine zu starke Ätzung und übermäßige Unierschneidiingcn auf.
Wieder ein anderes Problem bei den bekannten
" Metallätzverfahren besteht dann, daß wegen der verlaufenden Di-.ke der Photolackschieht an ihren Rändern nur eine mäßige Begrenzungsschärfe erreichbar ist
Ein bekannter Versuch, diese Schwierigkeiten zu
w! beheben, besteht durin, unmittdba: naeh dem Nieder sehlagen der Metallschicht, die dann zur Bildung der gewünschten1 Verbindungen geatzt werden muß, diese Metallschicht mit einer fsolierschutzschicht zu überziehen. Diese Isolierschicht wird dann geätzt, so daß sie ein
61J der gewünschten Verbindungsanordnung entsprechendes Muster bildet und wiihretid des anschließenden Metallätzvorgangs als Ätzmaske wirken kann. Anschließend wird eine weitere Schicht aus isoliermaterial
aufgebracht, um das Halbleiterbauelement oder das Plättchen der integrierten Schaltung zu schützen, und aus dieser Schicht werden dann Fenster ausgeätzt, durch die nur die Teile der darunterliegenden Metallschicht freigelegt werden, die als AnsehluBflüchen zum Anbringen der Zuführungsleitungen dienen.
Beim Entfernen bestimmter Teile der Isolierschicht zum Freilegen der darunterliegenden Anschlußflächen der Metallschicht hat es sich jedoch in der Praxis gezeigt, daß ein Teil der die Anschlußflächen bildenden Metallschichtteile durch die Ätzlösung erheblich beschädigt oder ganz zerstört werden, während wieder andere Anschlußflächer, verhältnismäßig unbeeinflußt bleiben. Somit ergab sich eine hohe Ausschußraie. die nicht tragbar war.
Der vorliegenden Erfindung liegt dementsprechend die Aufgabe zugrunde, die oben geschilderten Probleme zu lösen und eine Ät/Iösung /um Ätzen einer Isolierschicht anzugeben, Jurch die darunterliegende metallische Anschlußflächen freigelegt werden können, ohne daß sie dabei beschädigt werden.
Diese Aufgabe wurde nun gemäß der Krfindung dadurch gelöst, d.iß die Ät/irisung eine organische Substanz, nämlich organische Sauren. Alkohole und/oder Glykol, enthält, die Wasser /u absorbieren vermag.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die organische Substanz Eisessig.
Eine ferner noch bevorzugte Ät/Iösung ist dadurch gekennzeichnet, daß sie die folgenden Bestandteile in den angegebenen Verhaltnissen enthalt:
0.454 kg 49,Jgewichtsprozentige wäßrige f lußsäurelö-
sung.
2,61 kg 40gewichtsprozentige wäßrige Ammonium-
fluoridlösung und
1.4 Liter 100%ige Essigsäure (Eisessig).
Durch diese Äl/Iösung gemäß der Erfindung ist es möglich, cüe Ausschußraie erheblich zu senken und so die Produktionskosten sprunghaft /ti erniedrigen.
Die Erfindung wird im folgenden an Hand tier Zeichnung näher erläutert, es zeigt
F i g. I eine Draufsicht auf eine isolierte Schaltung, die mit einer isolierenden Schutzschicht überzogen ist,
Fi g. 2 einen Schnitt durch eine ler Anschlußflächen der integrierten Schaltung gemäß Fig. 1 und
Fig. 3 bis 9 Schnittansichten einer Planardiode während verschiedener Stufen der Herstellung, bei welcher das Verfahren gemäß der Erfindung Anwendung findet.
Beispiel
Die in Fig 1 dargestellte integrierte Schaltung 20 enthält ein Plättchen aus Halbleitermaterial, bei dessen Rand eine Anzahl von aufgedampften Anschliißflaciien 21 aus Aluminium angeordnet sind. In der Mitte des Plättchens befindet sich eine nkht näher dargestellte Anordnung 22 aus elektrisch miteinander verbundenen Halbleiterbauelementen. Die AnschliiUflachcn 21 sind elektrisch mit verschiedenen Julien der Bauelemente der Anordnung 22 verbunden.
Die Änschiußflächen 21 und die aus Metall bestehenden Verbindungslcitungcn der integrierten Schaltung 20 Werden durch eine niedergeschlagene Aluminiumschicht 23 (Fig.2) gebildet, die durch Löcher in eines' auf der Halbleiteroberfläche befindlichen Siliziumdiöxid-lsolierschicht 24 rfiit den verschiedenen Elementen der Anordnung 22 elektrisch verbunden ist. Auf der die
Verbindungen bildenden Metallschicht 23 befindet sich eine glasige Isolierschicht 25 aus Siliziumdioxid.
Bei der Herstellung der integrierten Schaltung 20 werden die Elemente der Anordnung 22 unter Verwendung einer thermisch gezüchteten Diffusionsmaske aus Siliziumdioxid durch bekannte Planatdiffusionsverfahren gebildet. Die Aluminiumschicht 23 wird anschließend aufgebracht und geätzt, um die erforderlichen Verbindungen herzustellen.
Die relativ dünne und weiche Aluminiumschicht 23 wird zum Schutz gegen ein Verkratzen oder andere Beschädigungen mit der glasigen Isolierschutzschicht 25 überzogen. Aus der Isolierschicht 25 werden dann Löcher 26 herausgeätzt, um die Anschlußflächen 21 freizulegen, so daß an der integrierten Schaltung 20 Anschlußleitungen angebracht werden können.
Bisher war es praktisch nicht möglich, eine solche Anordnung wirtschaftlich herzustellen, da ein Teil der Anschluß/lachen 21 durch die /um Ät/en der Isolier Schutzschicht 25 verwendete -jsung ganz oder teilweise zerstört wurden
Die Ät/Iösungen. die man bisher /um Entfernen der die Anschlußflächen 21 bedeckenden, glasigen Isolier schicht 25 verwendet hatte, bestanden aus einer Mischung von Flußsätire und einem geeigneten Puffermittel, wie Ammoniumfluorid. Wenn die Ät/losung den gewünschten Teil der Isolierschicht 25 entfernt hai und in Berührung mit den darunterliegenden Anschlußflächen 21 kommt, tritt /wischer, den verschiedenen Anschlußflächen 21 eine elektrochemische Reaktion ähnlich wie bei einer Batterie auf. durch die bestimmte Anschlußflächen. nanlich die mit den höchsten elektrochemischen Pmentialen. elektrochemisch angeätzt werden. Durch die hohe elektrische Leitfähigkeit der gepufferten Flußsäure-Ätzlösung wird dieser Prozeß erheblich beschleunigt.
Da die glasige Isolierschicht 25, die die verschiedenen Anschlußflächen der integrierten Schaltung beJeckt. in ihrer Dicke geringfügig schwanken kann, ist es nicht möglich, den Ät/prozeß genau dann abzubrechen, wenn die Anschlußflächen freigelegt worden sind, da zum Freilegen der verschiedenen Anschlußflächen etwas unterschiedliche Ätzzeiten erforderlich sind
Die Unterschiede der elektrochemischen Potentiale zwischen den verschiedenen Anschlußflächen beruhen darauf, daß die Anschlußflächen an verschiedene Teile der integrierten Schaltung angeschlossen sind und daß verschiedene Teile der Schaltung verschiedenen Halb lciter/onen zugeordnet sind, die durch einen oder mehrere pnWbergänge. denen jeweils ein spezielles elektrochemisches Potential zugeordnet ist. getrennt sind.
I'i wurde gefunden, daß die glasige Isolierschicht 25 ohne Beeinträchtigung der darunterliegenden, aus Metall bestehenuen Anschlußfläche 21 chemisch geät/t werden kann, wenn man ein Ät/mittei verwendet, das elektrisch im wesentlichen nichtleitend ist. Durch einen hohen spezifischen Widerstand der Ät/Iösung wird nämlich die obenerwähnte, unerw inschte elektrochemische Äuwirkung im wesentlichen unterbunden.
Gute Ergebnisse wurden mit einer nichtleitenden Ätzlösilng erzielt, die erstens Flußsiiure, zweitens Ammoniumfluorid als Puffermittel und drittens eine organische Substanz, die Wasser zu absorbieren vermag, nämlich eine organische Säure, einen Alkohol und/oder Glykol enthält. Eine solche Ätzlösung eignet sich gut für die verschiedensten Arten von Gläsern einschließlich Borsilicatglas und Siliziumdioxid. Diese
Ätzlösung kann auch mil freizuälzcndcn AnschluDflächen aus den verschiedensten Metallen verwendet werden, wie Aluminium. Nickel, Kupfer, Gold, Eisen, Tantal. Silber, Titan und Legierungen dieser Metalle.
Bei der Herstellung einer Silizhmi-Epilaxial-Planar-Diodc 30 wird zuerst eine p-leilcnde Zone 1 in eine n-lcilendc Silizitim-Epitaxial-Schichl 2 eindiffundiert, die auf einem n + -lcitenden Siliziumsubstrat 3 gezüchtet worden War, wie F i g. 3 zeigt.
Bei diesem Diffusidrisschfiü wird in bekannter Weise erstens eine Siliziumdioxidschicht 4 thermisch auf der Epitaxialscliicht 2 erzeugt, zweitens die Siliziumdioxidschicht 4 photolithographisch geätzt, um einen bestimmten Bereich 5 der Halbleiteroberfläche freizulegen, drittens ein geeignetes Material, das einen Akzeptor enthält, wie ein Borsilicatglas. auf der freigelegten Oberfläche der Epitaxialschicht 2 niedergeschlagen und uiprlpnc Apr WalKlfMlArl/Hrnpr prUil?! um At*n Ais-jantr\r
also im vorliegenden Falle Bor, unter Erzeugung der gewünschten p-Zone in die Epitaxialschichl 2 einzudif- >o fundieren. Die Diffusion wird gewöhnlich in einer oxydierenden Atmosphäre durchgeführt, so daß sich während des Diffusionsprozesses auf der freigelegten Oberfläche der p-Zone 1 thermisch eine dünne Oxidhaut 6 bildet. >5
In entsprechender Weise wird in der n-leitenden Schicht 2 mit einem geeigneten Dotierungsstoff eine η *-leitende Konlaktzone 6 erzeugt. Anschließend werden die Siliziumdioxidschichten 4 und 16 photolithographisch geätzt, um Oberflächenbereiche der p-Zone 1 w und der n-Zone 2 (insbesondere der in dieser gebildeten η *-Zone 16) freizulegen, wie in Fig. 4 dargestellt ist.
Beim nächsten Verfahrensschritt wird auf die ganze obere Seite der Halbleiterscheibe eine dünne Aluminiumschicht 7 aufgedampft, wie F i g. 5 zeigt. Die Ji Aluminiumschicht 7 kann eine Dicke in der Größenordnung von 1 bis 2 μίτι haben. Für die Metallisierungsschicht 7 können auch andere geeignete Materialien verwendet werden, z. B. stromfrei aufplattiertes Nickel in Kombination mit anderen Metallen.
Unmittelbar nach dem Niederschlagen der Aluminiumschicht 7 wird auf der freiliegenden Oberfläche dieser Schicht eine zusätzliche Siliziumdioxidschicht 8 pyrolytisch niedergeschlagen. Die pyrolytische Siliziumdioxidschicht 8 haftet sehr gut an der darunterliegenden as Aluminiumschicht 7. Die Härte der Siliziumdioxidschicht 7 schützt die verhältnismäßig weiche und dünne Aluminiumschicht 7 gegen Verkratzen und andere mechanische Beschädigungen während der folgenden Behandlung.
Die Siliziumdioxidschicht 8 wird aus der Dampfphase niedergeschlagen, wobei eine Mischung aus Silan (SiH4), Sauerstoff (O2) und Stickstoff (N2) als Trägergas bei einer Temperatur zwischen 280 und 4000C, vorzugsweise zwischen 350 und 3700C. zur Reaktion gebracht werden. Die Siliziumdioxidschicht 8 wird mit einer Dicke in der Größenordnung von 03 bis 0,4 μπι niedergeschlagen, die resultierende Anordnung ist in F i g. 6 dargestellt.
Beim nächsten Verfahrensschritt wird auf der M) freiliegenden Oberfläche der Siliziumdioxid-Schutzschicht 8 ein Oberzug 9 aus einem polymerisierbaren Material aufgebracht, z. B. ein Photolack.
Bestimmte Teile des polymerisierbaren Oberzugs 9 werden dann durch Belichten mit Ultraviolettstrahlung « oder einer anderen wirksamen Strahlung polymerisiert. Bei der in F i g. 7 dargestellten Anordnung soll nur der Bereich der Metallschicht 7 entfernt werden, der sich über dem Siliziumdioxidschichtteil 10 befindet. Der Überzug 9 wird daher durch eine geeignete Photomaske mit einem solchen Slrahlungsmusicr belichtet, das der ganze polymerisefbafc Überzug 9 auf der Metallschicht inil Ausnahme des über dem Siliziumdioxidschichilcil 10 Hegenden Bereiches polymerisiert Und in einer entsprechenden Entwickler lösung unlöslich gemacht wird.
Der belichtete Überzug 9 wird dann in die EntwicklerlösiiTig getaucht, Um den Teil zu entfernen, der sich über dem SilMliiiidioxidschichtteil 10 befindet. Während dieser Entwicklung schützt die Siliziumdioxidschicht 8 die Metallschicht 7 gegen eine Beeinträchtigung infolge des Enlwickelns.
Nach dem Entwickeln wird der polymcrisierte Photolacküber/ug 9 als Ätzmaske verwendet, um in der Siliziumdioxidsdiichl 8 cm Loch Il mittels eines (im wesentlichen elektrisch nichtleitenden) gepufferten Pttificäurp.Ä iziniilels ?u {^üdc" wel^h^s ~>t*\ l» ^a. wichtspro7cntiges Amnioniuiiifliiond. 0.454 kg 49.3ge wichtsprozcntige Flußsaurclösung und 1.4 Liter 100%igen Eisessig enthält.
Nachdem das Loch 11 durch das gepufferte Ätzmittel gebildet worden ist, wird die Halbleiterscheibe aus der Ätzlösung entfernt. Es ist nicht /weckmäßig, den durch das Loch 11 freigelegten Teil der Metallschicht 7 mit einei üblichen, elektrisch leitenden gepufferten Ätzlö sung '!· entfernen, da dabei dann ein starkes Unterätzen auftreten kann. In diesem Fertigungszustand sieht die Halbleiteranordnung nun so aus, wie es in Fig. 7 dargestellt ist.
Nach Waschen mit entionisiertem Wasser wird die Halbleiterscheibe dann in eine Ätzlösung eingetaucht, die eine Mischung von Salpeter- und Phosphor-Säuren enthält Diese Ätzlösung wird auf einer Temperatur von etwa 40 bis 43"C gehalten und entfernt den Teil der Metallschicht 7, der durch das Loch 11 freigelegt worden ist. sie hat jedoch praktisch keine Wirkung auf die Siliziumdioxidschicht 8. welche chemisch resistent gegen die Salpetersäure-Phosphorsäure-Ätzlösung ist. Gewünschtenfalls kann der Photolacküberzug 9 durch Eintauchen in eine Lösung beseitigt werden, bevor die Metallschicht geätzt wird. Die Siliziumdroxidschicht 8. die chemisch resistent gegen das zur Entfernung des Photolacküberzugs 9 verwendete Lösungs- oder Ätzmittel ist. schützt während der Entfernung des Photolacks die darunterliegenden Teile der Metallschicht 7.
Die erwähnte Salpetersäure-Phosphorsäure-AIuminium-ÄtzIösung ätzt eine 1.6 μπι dicke Aluminiumschiff in etwa 5 Minuten durch. Die Siliziumdioxidschic In 8, die als Ätzmaske dient, haftet außergewöhnlich gut an der Metallschicht 7. so daß praktisch kein Unterätzen auftritt. Bei Verwendung der Siliziumdioxidschicht 8 als Ätzmaske kann man eine Anzahl von Halbleiterscheiben mit verschieden dicken Metallschichten 7 in einer einzigen Partie ätzen.
Die Teile der Aluminiumschicht 7, die sich in Berührung mit der freigelegten Oberfläche der p-Zone 1 und der η+-Kontaktzone 16 befinden, werden mit der Halbleiteroberfläche legiert, um einen guten ohmschen Kontakt mit ihr zu machen, indem die Halbleiterscheibe für eine Zeitspanne in der Größenordnung von 16 Minuten auf eine Temperatur in der Größenordnung von 530 bis 550° C erhitzt wird.
Nach der Entfernung des Phoioiackuberzugs 3 und dem Auflegieren der Aluminiumschicht 7 wird eine frische Siliziumdioxidschicht 12 (s. Fig.8) pyrolytisch auf der gesamten Oberseite der Halbleiterscheibe
niedergeschlagen; Diese Siliziumdioxidschicht kann durch eine Reaktion von Silan und Sauerstoff in der Dampfphase, wie sie oben beschrieben wurde!« mit einer Dicke in der Größenordnung von 0,7 μηι niedergeschlagen werden,
Auf die freiliegende Oberfläche der Siliziumdioxid» schicht 12 wird dann ein neuer Pholölacküberzug 13 aufgebracht. Der Photolacküberzug' 13* der aus einem polymerisierbaren Material der obenerwähnten Art bestehen kann, wird dann belichtet und entwickelt, um eine Ätzmaske zu erzeugen, die zur Bildung von Öffnungen (unter Verwendung des obenerwähnten gepufferten Flüßsäüfe-Ätzmittels) in den Siliziümdioxidschichteh 8 und 12 dient, so daß in den öffnungen der Siliziumdioxidschichtett geeignete Anschlußflächen vorgesehen werden können. F i g. 8 zeigt die Halbleitereinrichtung nach dem Aufbringen des Photolacküberzugs Yi.
Nachdem mit dem (nichtleitenden) gepufferten Säureätzmittel die gewünschten Teile der Siliziumdiöxidschichten 12 und 8 entfernt und die darunterliegenden Teile der Aluminiumschicht 7, die zum Anbringen von Anschlußleitungen an die Diode dienen, freigelegt worden sind, zeigt es sich, daß diese Anschlußflächen 'durch das Eintauchen in die Ätzlösung praktisch nicht beeinträchtigt wurden, Das Ätzen der Siliciumdioxid» schichten 12 und 8 dauert gewöhnlich 3 bis 5 Minuten, es
ι wurden jedoch auch dann keine Beeinträchtigung der
darunterliegenden Anschlußflächen festgestellt, wenn die Halbleitereinrichtung bis zu zehn Minuten in die
gepufferte Ätzlösung eingetaucht wurde,
Nachdem der Photolacküberzug 13 als Ätzmaske zur
in Bildung von Öffnungen in den Bereichen 14 und 15 der Siliziumdioxidschichten 8 und 12 verwendet worden ist, wird der verbliebene Photolack in der oben beschriebenen Weise entfernt, und die Scheibe wird gereinigt und gewaschen. An die durch die Öffnungen 14 und 15 freigelegten Aluminiumanschlußflächen können dann mit Hilfe von Ultraschall nicht dargestellte Anschlußleitungen angebracht werden.
Die resuitiefehde Silizium-PIanar-Epitaxialdiode (ohne Anschlußleitungen) ist in Fig.9 dargestellt. Die
Siliziumdioxidschicht 8 schützt die darunterliegende Aluminiumschicht 7 gegen chemische und mechanische Beschädigungen während praktisch aller Verfahrensschritte nach dem Aufdampfen der Aluminiumschicht.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Ätzlösung für ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, bei welchem auf die Oberfläche eines Substrats mit einer Anzahl von Zonen aus Halbleitermaterial, die eine Anzahl von Halbleiterelementen bilden, welche jeweils mindestens einen an die Oberfläche des Substrats angrenzenden Kontaktbereich aufweisen, eine Metallschicht aufgebracht wird, welche eine Anzahl von Anschlußflächen bildet, die elektrisch mit entsprechenden Kontaktbereichen der Halbleiterelemente gekoppelt sind, auf die Metallschicht eine Isolierschicht aufgebracht wird, und die über den Anschlußflächen liegenden Teile der Isolierschicht mit einer elektrisch praktisch nichlleitenden Ätzlösung, die Flußsäiirelnsiing und Amirjoniiimflunrid enthält, behandelt werden, die diese Teile der Isolierschicht entfernt, ohne die dadurch freigelegten, darunterliegenden Anschlußflächen nennenswert zu beeinträchtigen, dadurch gekennzeichnet, daß die Äulösung eine organische Substanz, nämlich organische Säuren, Alkohole und/oder Glykol, enthält, die Wasser /u absorbieren vermag.
2. Ätzlosung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die organische Substanz Eisessig ist.
3. Ätzlösuiig nach Anspruch 2. dadurch gekennzeichnet, daß sie die folgenden Bestandteile in den angegebenen Verhältnissen enthält 0.434 kg 44,}ge wichtsprozentige wäßrige '"!ußsäirclosung, 2,b\ kg 40gewichtsprozentige wäßrige Ammi.niumfliinridlösungund 1.
4 Liter lOO'Vnige ' ..sigs jure (Eisessig).
DE19691929084 1968-06-10 1969-06-09 Ätzlösung für ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes Expired DE1929084C3 (de)

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