DE1929084B2 - Ätzlösung für ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes - Google Patents

Description

elementes, bei welchem auf die Oberfläche eines Sub- beruht auf dem verhältnismäßig geringen Widerstand, strates mit einer Anzahl von Zonen aus Halbleiter- den der Photolacküberzug der zum Ätzen der darunter material, die eine Anzahl von Halbleiterelementen liegenden Metallschicht verwendeten Lösung entgegenbilden, welche jeweils mindestens einen an die Ober- 45 setzt. Ein Chargen· oder partieweises Ätzen ist daher Bäche des Substrates angrenzenden Kontaktbereich nicht möglich, da für die Bearbeitung von Halbleiteraufweisen, eine Metallschicht aufgebracht wird, welche scheiben mit Metallschichten verschiedener Dicke ver· eine Anzahl von Anschlußflächen bildet, die elektrisch schiedene Ätzzeiten benötigt werden und es bei der tnit entsprechenden Kontaktbereichen der Halbleiter- Massenproduktion praktisch nicht möglich ist, Metallelemente gekoppelt sind, auf die Metallschicht eine 50 schichten mit ganz gleichförmiger Dicke herzustellen. Isolierschicht aufgebracht wird, und die über den An- Wenn eine ganze Partie von Scheiben so lange in die ichlußflächen liegenden Teile der Isolierschicht mit Ätzlösung eingetaucht wird, daß auch die dicksten einer elektrisch praktisch nichtleitenden Ätzlösung, Metallschichten durchgeätzt werden, treten bei den die Fluorwasserstoffsäure-Lösung und Ammonium- anderen Schichten eine zu starke Ätzung und überfluorid enthält, behandelt werden, die diese Teile der 55 mäßige Unterschneidungen auf.
Isolief schicht entfernt ohne die dadurch freigelegten, Wieder ein anderes Problem bei den bekannten däfUfitef liegenden Anschlußfläche« nennenswert ta Metallätzverfahrött besteht darin, daß wegen der ver« beeinträchtigen. _u laufenden Dicke der Photolackschicht an ihren Mn-

Insbesondere betrifft die Erfindung eine Ätzlosung dem nur eine mäßige Begrenzungsschärfe erreichbar für die Herstellung von Halbleitefeinrichtungen mit 60 ist,

einem Muster aus elektrischen Verbindungen in Form Ein bekannter Versuch, diese Schwierigkeiten zu beeiner geformten Metallschicht, die mit einer Isolier- heben, besteht darin, unmittelbar nach dem Nieder* schicht überzogen ist. schlagen der Metallschicht, die dann zur- Bildung der

Bei der Herstellung von Halbleitereinrichtungen im gewünschten Verbindungen geätzt werden muß, diese allgemeinen und integriertet! Schaltungen im beson* 65 Metallschicht mit einer Isolierschutzschicht zu über* deren ist es bekannt, Anschlüsse an und/oder Verbin* ziehen. Diese Isolierschicht wird dann geätzt, so daß ihingen zwischen den verschiedenen Zonen des vor- sie ein der gewünschten Verbindungsanordnung ent* hfa Halbleiterelementes oder der vorhandenen sprechendes Muster bildet und während des anschlie-

ßenden Metallätzvorganges als Ätzmaske wirken auf der Halbleiteroberfläche befindlichen Silizium-

kann. Anscbheßend wird eine weitere Schicht aus Iso- dioxid-Isolierschicht 24 mit den verschiedenen EIe-

liermatenal aufgebracht, um das Halbleiterbauelement menten der Anordnung 22 elektrisch verbunden ist.

oder das Plätteben der integrierten Schaltung zu schüt- Auf der die Verbindungen bildenden Metallschicht 23

_?en, und aus dieser Schicht werden dann Fenster aus- 5 befindet sich eine glasige Isolierschicht 25 aus Silicium-

ge&tzt, durch die nur die Teile der darunter liegenden dioxid.

Metallschicht freigelegt werden, die als Anscblußbe- Bei der Herstellung der integrierten Schaltung 20

reiche zum Anbringen der Zuf übrungsleitungen dienen. werden die Elemente der Anordnung 22 unter Verwen-

Beim Entfernen bestimmter Teile der Isolierschicht dung einer thermisch gezüchteten Diffusionsmaske aus

zum Freilegen der darunter liegenden Anschlußfleck- io Siliziumdioxid durch bekannte Planardiffusionsverfah-

bereiche der Metallschicht bat es sich jedoch in der ren gebildet. Die Aluminiumschicht 23 wird anschlie-

Praxis gezeigt, daß ein Teil der die Anschlußflecke bil- ßend aufgebracht und geätzt, um die erforderlichen

denden MetaUschicbtteile durch die Ätzlösung erbeb- Verbindungen herzustellen.

Hch beschädigt oder ganz zerstört werden, während Die relativ dünne und weiche Aluminiumschicht 23 wieder andere Anschlußbereiche verhältnismäßig unbe- 15 wird zum Schutz gegen ein Verkratzen oder andere Beeinflußt bleiben. Somit ergab sich eine hohe Ausschuß- Schädigungen mit der glasigen Isolierschutzschicht 25 rate, die nicht tragbar war. überzogen. Aus der Isolierschicht 25 werden dann

Der vorliegenden Erfindung liegt dementsprechend Löcher 26 herausgeätet, um die Anschlußflächen 21 die Aufgabe zugrunde, die oben geschilderten Pro- freizulegen, so daß an der integrierten Schaltung 20 bleme zu lösen und insbesondere eine Ätzlösung zum 20 Anschlußleitungen angebracht ./erden können.
Ätzen einer Isolierschicht anzugeben, durch die da- Bisher war es praktisch nicht möglich, eine solche runter liegende metallische Anschlußfleckljereiche frei- Anordnung wirtschaftlich herzustellen, da ein Teil der gelegt werden können, ohne daß sie dabei beschädigt Anschlußflächen 21 durch die zum Ätzen der Isolierwerden, schutzschicht 25 verwendete Lösung ganz oder teil-

Diese Aufgabe wurde nun gemäß Erfindung da- 25 weir-c zerstört wurden.

durch gelöst, daß die Ätzlösung eine organische Sub- Die Ätzlösungen, die man bisher zum Entfernen der

Stanz, nämlich organische Säuren, Alkohole und/oder die Anschlußflecke 21 bedeckenden glasigen Isolier-

Glykol, enthält, die Wasser zu absorbieren vermag. schicht 25 verwendet hatte, bestanden aus einer Mi-

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfin- schung von Flußsäure und einem geeigneten Pufferdung ist die organische Substanz Eisessig. 30 mittel, wie Ammoniumfluorid. Wenn die Ätzlösung

Eine ferner noch bevorzugte Ätzlösung ist dadurch den gewünschten Teil der Isolierschicht 25 entfernt hat, gekennzeichnet, daß sie die folgenden Bestandteile und in Berührung mit den darunter liegenden Anschlußin den angegebenen Verhältnissen enthält: flächen 21 kommt, tritt zwischen den verschiedenen 0,454 kg 49,3gewichtsprozentige wäßrige Fluß- Anschlußflächen 21 eine elektrochemische Reaktion säurelösung ^3S ähnlich wie bei einer Batterie auf, durch die bestimmte 2,61 kg 40gewichtsprozentige wäßrige Ammo- Anschlußflächen nämlich die mit den höchsten elekniumfluoridlösung und trochem.schen Potenüalen elektrochemisch ange-1,4 Liter 100 %ige Essigsäure (Eisessig). ätzt werden. Durch die hohe e ektnsche Leitfähigkeit _ °^{6 a v BJ} der gepufferten Flußsäure Atzlösung wird dieser Pro-

Durch diese Ätzlösung gemäß Erfindung ist es 40 zeß erheblich beschleunigt.

möglich, die Ausschußrate erheblich zu senken und so Da die glasige Isolierschicht 25, die die verschiedenen

die Produktionskosten sprunghaft zu erniedrigen. Anschlußflächenbereiche der integrierten Schaltung

Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Zeich- bedeckt, in ihrer Dicke geringfügig schwanken kann,

nung näher erläutert, es zeigt ist es nicht möglich, den Ätzprozeß genau dann abzu-

F i g .1 eine Draufsicht auf eine isolierte Schaltung, 45 brechen, wenn die Anschlußflächenbereiche freigelegt die mit einer isolierenden Schutzschicht überzogen worden sind, da zum Freilegen der verschiedenen Anist, Schlußflächenbereiche etwas unterschiedliche Ätz-

F i g. 2 einen SchmU durch einen der Anschluß- zeilen erforderlich sind,

flecke der integrierten Schaltung gemäß F i g. 1 und Die Unterschiede der elektrochemischen Potentiale

F i g. 3 bis 9 Schnittansichten einer Planardiode 50 zwischen den verschiedenen Anschlußflächen beruhen

während verschiedener Stufen der Herstellung, bei darauf, daß die Anschlußflächen an verschiedene Teile

welcher das Verfahren gemäß der Erfindung Anwen- der integrierten Schaltung angeschlossen sind und daß

dung findet. verschiedene Teile der Schaltung verschiedenen HaIb-

Beisoiel leiterzonen zugeordnet sind, die durch einen oder meh-

55 rere pn-Übergänge, denen jeweils ein spezielles elektro-

Die in F i g. 1 dargestellte integrierte Schaltung 20 chemisches Potential zugeordnet ist, getrenni sind,

enthält ein Plättchen aus Halbleitermaterial, bei dessen Es wurde gefunden, daß die glasige Isolierschicht 25

Rand eine Anzahl von aufgedampften kontakt- oder ohne Beeinträchtigung der darunter liegenden, aus

Änschlußnecken 21 aus Aluminium angeordnet sind. Metall bestehenden Anschlußfläche Ii clleffliäch geätzt

In der Mitte des Plättchens befindet sich eine nicht 60 werden kann, wenn man ein Ätzmittel verwendet* das

näher dargestellte Anordnung 22 aus elektrisch mitein- elektrisch im wesentlichen nichtleitend ist. Durch einen

ander verbundenen Halbleiterbauelementen. Die Kon* hohen spezifischen Widerstand der Ätzlösung wird

taktflächen 21 sind elektrisch mit verschiedenen Zonen nämlich die obenerwähnte unerwünschte elektröche-

def ßauelemeote der Anordnung 22 verbunden. mische Ätzwirkung im wesentlichen unterbunden.

Die Kontaktflächen 21 und die aus Metall bestehen- 65 Oute Ergebnisse wurden insbesondere nut einer

den Verbindungsleitu-lgen der integrierten Schaltung nichtleitenden Ätzlösung erzielt, die erstens Flußsäufe,

20 werden durch eine niedergeschlagene Aluminium- zweitens ein Puffermittel, wie Amfflöfliuflifluofid, und

schicht 23 (F i g. 2) gebildet, die durch Löcher in einer drittens eine organische Substanz, die Wasser zu absor*

si'

bieten vermag, wie eine organische Säure, ein Alkohol, Bestimmte Teile des polymerisierbaren Überzuges 9 Glycol oder Glycerol enthält. Eine solche Ätzlösung werden dann durch Belichten mit Ultraviolettstraheignet: sich gut für die verschiedensten Arten von Glä- lung oder einer anderen wirksamen Strahlung polysem einschließlich Borsilicatglas, und Siliziumdioxid. merisiert. Bei der in F i g. 7 dargestellten Anordnung Diese Ätztösung kann auch mit freizuätzenden An- 5 soll nur der Bereich der Metallschicht 7 entfernt werschlußflächen aus den verschiedensten Metallen ver- den, der sich über dem Siliziumdioxidschichtteil 10 wendet werden, wie Aluminium, Nickel, Kupfer, Gold, befindet. Der Überzug 9 wird daher durch eine geeigfiisen, Tantal, Silber, Titan und Legierungen dieser nete Photomaske mit einem solchen Strahlungsmuster Metalle. belichtet, das der ganze polymerisierbare Überzug*)

Bei der Herstellung einer Silizium-Epitaxial-Planar- io auf der Metallschicht mit Ausnahme des über dem Diode 30 wird zuerst eine p-leitende Zone 1 in eine Siliziumdioxidschichtteil 10 liegenden Bereiches poly-

n-leitende SÜizium-Epitaxial-Schicht 2 eindiffundiert, merisiert und in einer entsprechenden Entwicklerlö-

die auf einem n⁺-Ieitenden Siliziumsubstrat 3 gezüchtet sung unlöslich gemacht wird,

worden war, wie F i g. 3 zeigt. Der belichtete Überzug 9 wird dann in die Entwick-

Bei diesem Diffusionsschritt wird in bekannter Weise 15 lerlösung getaucht, um den Teil zu entfernen, der sich erstens eine Siliziumdioxidschicht 4 thermisch auf der über dem Siliziumdioxidschichtteil 10 befindet. Wäh-Epitaxialschicht 2 erzeugt, zweitens die Siliziumdioxid- rend dieser Entwicklung schützt die Siliziumdioxidschicht 4 photolithographisch geätzt, um einen be- schicht 8 die Metallschicht 7 gegen eine Beeinträchtistimmten Bereich 5 der Halbleiteroberfläche freizu- gung infolge des Entwickeins.

legen, drittens ein geeignetes Material, das einen Akzep- ao Nach dem Entwickeln wird der polymerisierte

tor enthält, wie ein Borsilicatglas, auf der freigelegten Photolacküberzug 9 als Ätzmaske verwendet, um in

Oberfläche der Epitaxialschicht 2 niedergeschlagen und der Siliziumdioxidschicht 8 ein Loch 11 mittels eines

viertens der Halbleiterkörper erhitzt, um den Akzeptor, (im wesentlichen elektrisch nichtleitenden) gepufferten

also im vorliegenden Falle Bor, unter Erzeugung der Fluf säure-Ätzmittels zu bilden, welches 2,61 kg 40ge-

gewünschten p-Zone in die Epitaxialschicht 2 einzu- 25 wichtsprozentiges Ammoniumfluorid, 0,454 kg 49,3ge-

diffundieren. Die Diffusion wird gewöhnlich in einer wichtsprozentige Fluorwasserstoffsäure und t,4 Liter

oxydierenden Atmosphäre durchgeführt, so daß sich 100 %igen Eisessig enthält.

während des Diffusionsprozesses auf der freigelegten Nachdem das Loch 11 durch das gepufferte Ätzmit-

Oberfläche der p-Zone 1 thermisch eine dünne Oxid- ίεΐ gebildet worden ist, wird die Halbleiterscheibe aus

haut 6 bildet. 3° der Ätzlösung entfernt Es ist nicht zweckmäßig, den

In entsprechender Weise wird in der η-leitenden durch das Loch 11 freigelegten Teil der Metallschicht 7 Schicht 2 mit einem geeigneten Dotierungsstoff eine mit einer üblichen, elektrisch leitenden gepufferten Ätz-

n'-leitende Kontaktzone 6 erzeugt. Anschließend wer- lösung zu entfernen, da dabei dann ein starkes Unter-

den die Siliziumdioxidschichten 4 und 6 photolitho- ätzen auftreten kann. In diesem Fertigungszustand

graphisch geätzt, um Oberflächenbereiche der p-Zone 1 35 sieht die Halbleiteranordnung nun so aus, wie es in

und der n-Zone 2 (insbesondere der in dieser gebildeten F i g. 7 dargestellt ist.

n*-Zone 16) freizulegen, wie in F i g. 4 dargestellt ist. Nach Waschen mit entionisiertem Wasser wird die

Beim nächsten Verfahrensschritt wird auf die ganze Halbleiterscheibe dann in eine Ätzlösung eingetaucht, obere Seite der Halbleiterscheibe eine dünne Alumini- die eine Mischung von Salpeter- und Phosphor-Säuren umschicht 7 aufgedampft, wie F i g. 5 zeigt. Die AIu- 40 enthält. Diese Ätzlösung wird auf einer Temperatur miniumschicht 7 kann eine Dicke in der Größen- von etwa 40 bis 43^J C gehalten und entfernt den Teil der Ordnung von 1 bis 2 μηη haben. Für die Metallisie- Metallschicht 7, der durch das Loch 11 freigelegt worrungsschicht 7 können auch andere geeignete Materia- den ist, sie hat jedoch praktisch keine Wirkung auf die lien verwendet werden, z. B. stromfrei aufplattiertes Siliziumdioxidschicht 8, welche chemisch resistent geNickel in Kombination mit anderen Metallen usw. 45 gen die Salpetersäure-Phosphorsäure-ÄU/ösung ist.

Unmittelbar nach dem Niederschlagen der Alumi- Gewünschtenfalls kann der Photolacküberzug 9 durch niumschicht 7 wird auf der freiliegenden Oberfläche die- Eintauchen in eine Entfernungslösung beseitigt werden, ser Schicht eine zusätzliche SiBziHmdtoxidschrcht 8 bevor die Metallschidrt geätzt wird. Die Siliziutndioxidpyrolylisch niedergeschlagen. Die pyrorytische SiIi- schicht 8. die chemisch resitetit gegen das zur Entferzhimdioxidschicht 8 haftet sehr gut an der darunter s« nung des Photolacküberzoges 9 verwendete Lösungs-Gegenden Aluminiumschicht 7. Die Härte der Silizium- oder Ätzmittel ist, schützt während der Entfernung des dioxidschicht 7 schützt die verhältnismäßig weiche und Photolackes die darunter Kegenden Teile der Metalldünne Aluminiumschicht 7 gegen Verkratzen und an- schicht 7.

dere mechanische Beschädigungen während der folgen- Die erwähnte Salpetersäure-Phosphorsäure-Atumi-

den Behandlung. 55 nium-Ätzlösung ätzt eine 1,6|xm dicke Aluminium-

Die Siliziumdioxidschicht 8 wird aus der Dampf- schicht in etwa 5 Minuten durch. Die Siliziumdioxidphase niedergeschlagen, wobei eine Mischung aus schicht 8, die als Ätzmaske dient, haftet außergewöhn-Silan (SiH₄) Sauerstoff (O₁) und Stickstoff (N_t) als Hch gut an der Metallschicht 7, so daß praktisch kein Trägergas bei einer Temperatur zwischen 280 und Unterätzen auftritt. Bei Verwendung der Sihziunv 400⁰C, vorzugsweise zwischen 350 und 37O°C zur 60 dioxidschicht 8 als Ätzmaske kann man eine Anzahl Reaktion gebracht werden. Die Silizhimdioxidschicht8 von Halbleiterscheiben mit verschieden dicken Metallwird mit einer Dicke in der Größenordnung von 0,3 schichten 7 in einer einzigen Partie ätzen, bis 0,4 μτη niedergeschlagen, die resultierende Anord- Die Teile der Alumiimnr,schkht 7, die sich m Benung ist in F i g. 6 dargestellt. rührung mit der freigelegten Oberfläche der p-Zone 1

Beim nächsten Verfahrensschritt wird anf der frei- 65 und der n+-Kontaktezone 16 befinden, werden mit der liegenden Oberfläche der Sihnumdioxid-Schutzschicht 8 Halbleiteroberfläche legiert, em ehren guten obmschen ein Überzog 9 ans einem polymerisierbaren Material Kontakt mit ihr τα machen, indem die Halbleiter-

aufgebracht, z. B. ein Photolack. scheibe für eine Zeitspanne m der Größenordnung von

16 Minuten auf eine Temperatur in der Größenordnung von 530 bis 55O°C erhitzt wird.

Nach der Entfernung des Photolacküberzuges 9 und dem Auflegieren der Aluminiumschicht 7 wird eine frische Siliziumdioxidschicht 12 (s. F i g. 8) pyrolytisch auf der gesamten Oberseite der Halbleiterscheibe niedergeschlagen. Diese Siliziumdioxidschicht kann durch eine Reaktion von Silan und Sauerstoff in der Dampfphase, wie sie oben beschrieben wurde, mit einer Dicke in der Größenordnung von 0,7 μίτι niedergeschlagen werden.

Auf die freiliegende Oberfläche der Siliziumdioxidschicht 12 wird dann ein neuer Photolacküberzug 13 aufgebracht. Der Photolacküberzug 13, der aus einem polymerisierbaren Material der obenerwähnten Art bestehen kann, wird dann belichtet und entwickelt, um eine Ätzmaske zu erzeugen, die zur Bildung von Öffnungen (unter Verwendung des obenerwähnten gepufferten Flußsäure-Ätzmittels) in den Siliziumdioxidschichten 8 und 12 dient, so daß in den Öffnungen der Siliziumdioxidschichten geeignete Elektroden vorgesehen werden können. F i g. 8 zeigt die Halbleitereinrichtung nach dem Aufbringen des Photolacküberzuges 13.

Nachdem mit dem (nichtleitenden) gepufferten Säureätzmittel die gewünschten Teile der Siliziumdioxidschichten 12 und 8 entfernt und die darunter liegenden Teile der Aluminiumschicht 7, die zum Anbringen von Anschlußleitungen an die Diode dienen, freigelegt worden sind, zeigt es sich, daß diese Anschlußbereiche durch das Eintauchen in die Ätzlösung prak-

tisch nicht beeinträchtigt wurden. Das Ätzen der SiIiziumdioxidschichten 12 und 8 dauert gewöhnlich 3 bis 5 Minuten, es wurden jedoch auch dann keine Beeinträchtigung der darunter liegenden Anschluß- oder Kontaktfleckbereiche festgestellt, wenn die Halbleiter-

einrichtung bis zu zehn Minuten in die gepufferte Ätzlösung eingetaucht wurde.

Nachdem der Photolacküberzug 13 als Ätzmaske zur Bildung von Öffnungen in den Bereichen 14 und 15 der Siliziumdioxidschichten 8 und 12 verwendet worden ist, wird der verbliebene Photolack in der oben beschriebenen Weise entfernt, und die Scheibe wird gereinigt und gewaschen. An die durch die Öffnungen 14 und 15 freigelegten Aluminiumkontaktflecke können dann mit Hilfe von Ultraschall nicht dargestellte An-

ao Schlußleitungen angebracht werden.

Die resultierende Silizium-Planar-Epitaxialdiode (ohne Anschlußleitungen) ist in F i g. 9 dargestellt. Die Siliziumdioxidschicht 8 schützt die darunter liegende Aluminiumschicht 7 gegen chemische und mechanische Beschädigungen, während praktisch aller Verfahrensschritte nach dem Aufdampfen der Aluminiumschicht.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

ι * Halbleiterelemente durch eine aufgebrachte, msbeson- PatentansprOche: dere aufgedampfte Metallschicht herzustellen, die ent- P sprechend einem vorgegebenen Muster geätzt wird,

1. Ätzlösung for ein Verfahren zum Herstellen Die USA.-Patentscbrift 3 107 188 betrat ein Vereines Halbleiterbauelementes, bei welchem auf die 5 fahren zur Entfernung ^v?%°^xid,^/^on ?*"£_t™-Oberfläche eines Substrates mit einer Anzahl von leiter-Oberfläcbe, wobei em Ätzmittel verwendet wird, Zonen aus Halbleitermaterial, die eine Anzahl das Fluorwasserstoffsaure, Phosphorsaure und Amvon Halbleitereleroenten bilden, welche jeweils moniumfluorid enthält. Dieses Atzmittel U jedoch mindestens einen an die Oberfläche des Substrates elektrisch leitend. Weitere Ätzmittel werden in der bnangrenzenden Kontaktbereich aufweisen, eine Me- io tischen Patentschrift 1110 587 und den u^A.-ratenttaUschicht aufgebracht wird, welche eine Anzahl Schriften 3 122 817 und 3 163 568 vorgeschlagen.

von Anschlußflächen bildet, die elektrisch mit ent- Bei dem derzeit üblichen Verfahren zur Herstellung sprechenden Kontaktbereichen der Halbleiterbau- von Halbleiterbauelementen und -Einrichtungen wird elemente gekoppelt sind, auf die Metallschicht eine die gewöhnlich aus Aluminium bestehende Metall-Isolierschicht aufgebracht wird, und die über den 15 schicht durch Aufdampfen aufgebracht. Anschließend Anschlußflächen liegenden Teile der Isolierschicht wird die Metallschicht selektiv weggeatzt, indem mit einer elektrisch praktisch nichtleitenden Ätz- erstens die Metallschicht mit einem rboiuiack uberlösung, die Fluorwasserstoffsäure-Lösung und Am- zogen wird, zweitens vorgegebene Bereiche des Pnotomoniumfluorid enthält, behandelt werden, die lackes polymerisiert werden, um sie unlöslich in einer diese Teile der Isolierschicht entfernt ohne die da- 20 gegebenen Entwicklerlösung zu machen, drittens die durch freigelegten, darunter hegenden Anschluß- Photolackschicht mit der Entwicklerlosung behandelt flächen nennenswert zu beeinträchtigen, d a - wird, um die nichtpolymerisierten Bereiche zu entferdurch gekennzeichnet, daß die Ätz- nen und viertens die auf diese Weise freigelegten Flälösung eine organische Substanz, nämlich orga- chen der Metallschicht mit einer Ätzlösung behandelt nischc Säuren, Alkohole und/oder Glykol, enthält, as werden, die die verbliebene Photolackabdeckung die Wasser zu absorbieren vermag. nicht nennenswert angreift.

2. Ätzlösung nach Anspruch 1, dadurch gekenn- Dieses bekannte Ätzverfahren ist jedoch nur bezeichnet, daß als organische Substanz Eisessig ist. schränkt brauchbar, wenn sehr feine Strichmuster ge-

3. Ätzlösung nach Anspruch 2, dadurch gekenn- ätzt werden sollen, also z. B. Muster mit Linienbreiten zeichnet, daß sie die folgenden Bestandteile in den 30 in der Größenordnung unter 10 μπι. Bei so schmalen angegebenen Verhältnissen enthä t: 0,454 kg49,3ge- Leitungsbahnen stellt das Unterätzen der Metallschicht wichtsprozentige wäßrige Flußsäurelösung, 2,61 kg ein ernstes Problem dar, das durch die relativ schlechte 40gewichtsprozentige wäßrige Ammoniumfluorid- Haftung zwischen dem Photolacküberzug und der darlösung und 1,4 Liter 100%ige Essigsäure (Eisessig). unter liegenden Metalischicht noch vergrößert wird.

35 Es ist zwar bereits bekannt, die Metallschicht zu erhitzen, bevor der Photolack aufgebrrcht wird, um dessen

Haftung zu verbessern. Die hierdurch erreichte Verbesserung der Haftung ist jedoch nicht sehr groß, und es tritt immer noch ein erhebliches Unterätzen der Die vorliegende Erfindung betrifft eine Ätzlösung 40 Metallschicht auf.

für ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbau- Ein andere* Problem beim Ätzen von feinen Mustern