CN112099311B - 一种基于aao纳米结构光刻掩膜版的制备方法 - Google Patents
一种基于aao纳米结构光刻掩膜版的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112099311B CN112099311B CN202011001312.6A CN202011001312A CN112099311B CN 112099311 B CN112099311 B CN 112099311B CN 202011001312 A CN202011001312 A CN 202011001312A CN 112099311 B CN112099311 B CN 112099311B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aao
- layer
- nanostructure
- metal
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 35
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 claims description 18
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 abstract 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 11
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 241000282412 Homo Species 0.000 description 1
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
本发明公开了一种可以在目标基片制备出与AAO模板一致的分布均匀、形状统一的纳米结构的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法首先以进行PMMA旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AAO表面生长一层金属层，再依次去除PMMA层和AAO层，利用玻璃衬底将纳米结构金属层从酸性溶液取出，将金属‑玻璃衬底上生长一层透明的覆盖层，最后得到由纳米结构金属‑玻璃衬底组成的亚微米级光刻掩膜版。采用该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法将AAO纳米结构图形尺寸完全复制到金属层上，再将金属层固定到玻璃衬底上制备得到亚微米级光刻掩膜版，具有操作简单、成本低、精度高、保存方便等优点。
Description
技术领域
本发明涉及光刻掩膜版技术领域，具体是一种基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。
背景技术
众所周知的：光刻技术是微电子产业中最关键的和最重要的一环，其所具备的大面积小尺寸加工能力很好的契合微电子的发展需求，因而成为了所有微电子芯片和器件的基础。其中，光刻技术将版图的图形转移到晶圆片上，需要经过一个重要的步骤——制版，即制备相应图形的光刻掩膜版。
在芯片或器件制造过程中需要多次使用光刻，每次光刻都需要一块光刻掩膜版，因此光刻掩膜版是制造工艺里不可替代的关键工序，需求也极其大。目前，市场上的掩膜版分为铬版、干版、菲林、凸版(APR)，相比于菲林的性能差和凸版的专用性，干板价格适中但是精度和耐用性一般，铬版精度和耐用性较强但是价格很高。尤其在涉及到结构微小，图案复杂的掩膜版，一块铬版光刻掩膜版就需要上千或者上万元。随着光刻技术发展到纳米级别，特征尺寸越小，制备光刻掩膜版的成本也越高。如今，人类的加工能力已经发展到3纳米最小工艺节点，然而其所凭借的加工技术，如极紫外光刻(EUV)和纳米压印技术(NIL)，都需要昂贵的设备费用来支撑。此时，光刻掩膜版的制备方法即使依靠传统的电子束光刻(EBL)，其加工分辨率高(2nm)，但吞吐量小，加工成本也很高。比如，加工一块图案面积为1mm×1mm，线宽50nm，占空比为0.5的光栅模板，需要EBL机运行3-5小时，按照700元/小时计算，进行一次模板光刻价格就高达千元。昂贵的设备费用提高了制备光刻掩膜版的成本，也极大的限制了现有纳米光刻技术在光刻掩膜版实用化领域的应用。
此外，根据微电子产业“轻、薄、短、小”的发展趋势与人类不断更新的需求和加工能力，亚微米级光刻掩膜版逐渐成为微电子产业研究的目标和热门。光刻掩膜版的图形结构尺寸减小也会限制光刻系统的分辨率，如光刻光源的分辨率和对准能力在1μm以下会受到限制，形成大约±0.3μm的相对误差。光刻掩膜版质量优劣会直接影响光刻的质量，从而影响芯片或器件的性能。常用的铬版或是干版等掩膜版，都对光刻的分辨率帮助不大，而且一些掩膜版材料折射率和图案还会产生衍射效应影响光刻效果。同时传统的制备光刻掩膜版的刻蚀或溅射方法，无法大面积制备光刻掩膜版，尤其在制备纳米结构尺寸下的光刻掩膜版，这极大的限制了亚微米级光刻掩膜版的成品率。小尺寸和大面积也成为了亚微米级光刻掩膜版技术应用的难点和关键所在，高质量和高成品率成为阻碍该项技术发展创新的原因。
自从基于多孔阳极氧化铝(AAO)模板法的纳米结构复制新工艺技术发展起来，人们发现利用AAO模板图形转移纳米结构优势极大：AAO基于铝的电化学阳极氧化方式制备，设备简单、工艺成熟且稳定；AAO的尺寸使用化学方法制备方便控制调整，如孔径、孔间距等可以在数十纳米到数百纳米区间连续可调；而且其制程面积暂无上限，可以通过加工满足需求的反应装置从而获得所需的样片形状和面积。这些优势使得基于AAO来制备大面积亚微米级光刻掩膜版具有极大的竞争潜力。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够借助AAO多孔纳米结构模板将图形高精度、高效率的转移到金属层上，制备具有纳米结构的金属-玻璃基板组成亚微米级光刻掩膜版；利用该光刻掩膜版可以在目标基片制备出与AAO模板一致的分布均匀、形状统一的纳米结构的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法，包括以下步骤：
S1、以进行PMMA层旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AAO层表面镀一层金属层，得到PMMA-AAO-金属复合结构；
S2、将S1步骤中得到的PMMA-AAO-金属复合结构放置到中间基片上，并且放入到有机溶液中，去除PMMA层，利用中间基片将AAO-金属复合结构从溶液中取出；
S3、将S2步骤中得到的AAO-金属复合结构浸没到酸性溶液中，去除AAO层，再利用玻璃基片将具有纳米结构的金属层从混合溶液中取出；
S4、将S3步骤中得到的金属-玻璃复合结构进行外延生长工艺，生长一层透明的覆盖层将金属层固定在玻璃基片上，得到由纳米结构金属-玻璃组成的亚微米级光刻掩膜版。
进一步的，所述步骤S1中，AAO层的孔间距为20nm-1μm，其孔径在对应的孔间距之内是可调的。
进一步的，所述步骤S1中，在AAO层表面镀一层金属得到金属层的厚度为10-500nm。
进一步的，所述步骤S1中，所述金属采用金、铂、或者铜等具有良好耐酸性的金属。
进一步的，所述步骤S2中，有机溶液采用丙酮溶液、甲苯溶液、二甲苯溶液或者其他可以溶解PMMA的有机溶液。
进一步的，所述步骤S3中，所述酸性溶液是除氢氟酸之外的所有的酸性溶液。
进一步的，所述步骤S4中，生长覆盖层的方法步骤具体为：
将从酸性溶液中取出的金属-玻璃复合结构经过去离子水清洗和干燥处理后，通过生长工艺，从玻璃基片表面开始生长一层透光的覆盖层，直到可以将金属层和玻璃衬底粘连在一块，固定纳米结构金属层。
进一步的，所述透明的的覆盖层将具有纳米结构的金属层全部覆盖。
进一步的，当亚微米级光刻掩膜版用于沉浸式光刻时，根据缩放公式(其中，k为系数，是常量；λ0为光源波长；sinθ为镜头角度正弦值；n为折射率)，所述覆盖层是特征为其折射率n可提高光刻的分辨率和对准能力的材料。
进一步的，所述覆盖层采用SiO2或者Si3N4作为透光的覆盖层材料。
本发明的有益效果是：本发明所述的一种基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法先利用旋涂了PMMA的AAO多孔纳米结构为初始模板，在其表面镀一层金属，将纳米结构准确、无损伤地转移到金属层上，再依次去除PMMA层和AAO层，进一步通过生长一层透明覆盖层将金属固定在玻璃基底上，制备得到大面积、高精度、结构均匀的亚微米级光刻掩膜版。因此，该方法操作简单，可以大面积制备亚微米级光刻掩膜版，不仅解决了现有技术中，存在的制作成本高昂、制备成品率低、制造质量参差不齐的问题，同时还可以有效提高光刻掩膜版的使用寿命和分辨率。本发明所述的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法具有操作简单、成本低、精度高、保存方便等优点。
附图说明
图1为本发明实施例中基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法的工艺流程图
图2为本发明实施例中在AAO表面生长金属层示意图；
图3为本发明实施例中去除PMMA层过程示意图；
图4本发明实施例中去除AAO层过程示意图；
图5本发明实施例中生长覆盖层得到亚微米级光刻掩膜版示意图；
图中标示：1-PMMA层，2-AAO层，3-金属层，4-容器，5-中间基片，6-有机溶液，7-酸性溶液，8-玻璃基片，9-覆盖层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
如图1至5所示，本发明所述的一种基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法，包括以下步骤：
S1、以进行PMMA层1旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AAO层2表面镀一层金属层3，得到PMMA-AAO-金属复合结构；
S2、将S1步骤中得到的PMMA-AAO-金属复合结构放置到中间基片5上，并且放入到有机溶液6中，去除PMMA层1，利用中间基片将AAO-金属复合结构从溶液中取出；
S3、将S2步骤中得到的AAO-金属复合结构浸没到酸性溶液7中，去除AAO层2，再利用玻璃基片8将具有纳米结构的金属层从混合溶液中取出；
S4、将S3步骤中得到的金属-玻璃复合结构进行外延生长工艺，生长一层透明的覆盖层9将金属层3固定在玻璃基片8上，得到由纳米结构金属-玻璃组成的亚微米级光刻掩膜版。
在应用过程中，具体的，所述步骤S1中，AAO薄膜层为常见的结构尺寸：孔间距为20nm-1μm，孔径在对应的孔间距之内可调。
所述步骤S1中，在AAO层2表面镀一层金属得到金属层3的厚度为10-500nm。并且金属具有良好的耐酸性等特性，所述金属采用金、铂、或者铜等，并不限于所举例几种金属。
具体的，所述步骤S2中，有机溶液6采用丙酮溶液、甲苯溶液、二甲苯溶液或者其他可以溶解PMMA的有机溶液。所述步骤S3中，所述酸性溶液7是除氢氟酸之外的所有的酸性溶液。
具体的，所述步骤S4中，生长覆盖层8的方法步骤具体为：将从酸性溶液7中取出的金属-玻璃复合结构经过去离子水清洗和干燥处理后，通过生长工艺，从玻璃基片8表面开始生长一层透光的覆盖层9，直到可以将金属层和玻璃衬底粘连在一块，固定纳米结构金属层3。
为了便于保护光刻掩膜版，进一步的，所述透明的的覆盖层9将具有纳米结构的金属层3全部覆盖；从而起到保护光刻掩膜版的作用。
具体的，所述覆盖层9采用SiO2或者Si3N4作为透光的覆盖层材料。
实施例一
1、将旋涂了PMMA的双通AAO多孔纳米结构利用磁控溅射的方法，在AAO薄膜层表面镀上一层厚度为100nm的铜金属层，该金属层与AAO薄膜层具有相同的结构尺寸，得到PMMA-AAO-金属复合结构，如图2所示。
2、将S1步骤得到的PMMA-AAO-金属复合结构放入丙酮溶液中，约静置4小时，直到表层PMMA溶解到丙酮溶液中，失去PMMA的AAO-金属复合结构受重力影响沉入溶液中，再利用溶液中的玻璃材质的中间基片将AAO-金属复合结构捞出并用去离子水清洗干净，过程如图3所示。
3、将S2步骤得到的AAO-金属复合结构放入浓度为0.6mol/L的磷酸溶液中，约静置5小时，直到AAO薄膜层溶解到磷酸溶液中，再利用溶液中的玻璃衬底将具有纳米结构的金属层捞出并用去离子水清洗干净后再干燥，过程如图4所示。
4、将S3步骤得到的金属层和玻璃衬底，利用PECVD的方法在玻璃衬底表面开始生长一层透明的SiO2材料，将金属层固定在玻璃衬底上，直到将金属层全部覆盖，最终得到亚微米级光刻掩膜版，如图5所示。
Claims (8)
1.一种基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、以进行PMMA层(1)旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AAO层(2)表面镀一层金属层(3)，得到PMMA-AAO-金属复合结构；
S2、将S1步骤中得到的PMMA-AAO-金属复合结构放置到中间基片(5)上，并且放入到有机溶液(6)中，去除PMMA层(1)，利用中间基片将AAO-金属复合结构从溶液中取出；
S3、将S2步骤中得到的AAO-金属复合结构浸没到酸性溶液(7)中，去除AAO层(2)，再利用玻璃基片(8)将具有纳米结构的金属层从混合溶液中取出；
S4、将S3步骤中得到的金属-玻璃复合结构进行外延生长工艺，生长一层透明的覆盖层(9)将金属层(3)固定在玻璃基片(8)上，得到由纳米结构金属-玻璃组成的亚微米级光刻掩膜版；
将从酸性溶液(7)中取出的金属-玻璃复合结构经过去离子水清洗和干燥处理后，通过生长工艺，从玻璃基片(8)表面开始生长一层透光的覆盖层(9)，直到可以将金属层和玻璃衬底粘连在一块，固定纳米结构金属层(3)。
2.如权利要求1所述的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，AAO层(2)的孔间距为20nm-1μm。
3.如权利要求1所述的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，在AAO层(2)表面镀一层金属得到金属层(3)的厚度为10-500nm。
4.如权利要求1所述的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，所述金属采用金、铂、或者铜。
5.如权利要求1所述的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，有机溶液(6)采用丙酮溶液、甲苯溶液、二甲苯溶液或者其他可以溶解PMMA的有机溶液。
6.如权利要求1所述的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，所述酸性溶液(7)是除氢氟酸之外的所有的酸性溶液。
7.如权利要求1所述的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法，其特征在于：所述透明的覆盖层(9)将具有纳米结构的金属层(3)全部覆盖。
8.如权利要求7所述的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法，其特征在于：所述覆盖层(9)采用SiO2或者Si3N4等其他折射率合适的材料作为透光的覆盖层材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011001312.6A CN112099311B (zh) | 2020-09-22 | 2020-09-22 | 一种基于aao纳米结构光刻掩膜版的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011001312.6A CN112099311B (zh) | 2020-09-22 | 2020-09-22 | 一种基于aao纳米结构光刻掩膜版的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112099311A CN112099311A (zh) | 2020-12-18 |
| CN112099311B true CN112099311B (zh) | 2024-05-21 |
Family
ID=73754948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011001312.6A Active CN112099311B (zh) | 2020-09-22 | 2020-09-22 | 一种基于aao纳米结构光刻掩膜版的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112099311B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113148945A (zh) * | 2021-03-12 | 2021-07-23 | 西湖大学 | 一种自定义金属微纳米片的制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1228083A (zh) * | 1968-06-10 | 1971-04-15 | ||
| JPH06325868A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-11-25 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜エレクトロルミネセンスパネル |
| US5952127A (en) * | 1991-08-22 | 1999-09-14 | Nec Corporation | Method of fabricating a phase shifting reticle |
| CN102306623A (zh) * | 2011-09-23 | 2012-01-04 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种制备纳米级二氧化硅图形掩膜的方法 |
| CN103928562A (zh) * | 2014-05-04 | 2014-07-16 | 厦门大学 | 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法 |
| WO2017142607A1 (en) * | 2015-12-04 | 2017-08-24 | The University Of Florida Research Foundation, Inc. | Fabrication of thermally stable nanocavities and particle-in-cavity nanostructures |
| CN107193184A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-09-22 | 中国电子科技集团公司第四十研究所 | 一种用于制备高精度铬版掩膜版电路图形的方法 |
| CN111606300A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-09-01 | 杭州欧光芯科技有限公司 | 一种高深宽比纳米光栅的制作方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB201313054D0 (en) * | 2013-07-22 | 2013-09-04 | Bergen Teknologioverforing As | Method of forming a desired pattern on a substrate |
-
2020
- 2020-09-22 CN CN202011001312.6A patent/CN112099311B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1228083A (zh) * | 1968-06-10 | 1971-04-15 | ||
| US5952127A (en) * | 1991-08-22 | 1999-09-14 | Nec Corporation | Method of fabricating a phase shifting reticle |
| JPH06325868A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-11-25 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜エレクトロルミネセンスパネル |
| CN102306623A (zh) * | 2011-09-23 | 2012-01-04 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种制备纳米级二氧化硅图形掩膜的方法 |
| CN103928562A (zh) * | 2014-05-04 | 2014-07-16 | 厦门大学 | 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法 |
| WO2017142607A1 (en) * | 2015-12-04 | 2017-08-24 | The University Of Florida Research Foundation, Inc. | Fabrication of thermally stable nanocavities and particle-in-cavity nanostructures |
| CN107193184A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-09-22 | 中国电子科技集团公司第四十研究所 | 一种用于制备高精度铬版掩膜版电路图形的方法 |
| CN111606300A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-09-01 | 杭州欧光芯科技有限公司 | 一种高深宽比纳米光栅的制作方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Li,ZP ; Xu,ZM et.al.Pattern transfer of hexagonal packed structure via ultrathin metal nanomesh masks for formation of Si nanopore arrays.Journal of Alloys and Compounds.2017,第695卷458-461. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112099311A (zh) | 2020-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9356238B2 (en) | Replication of patterned thin-film structures for use in plasmonics and metamaterials | |
| US20100035163A1 (en) | Fabrication of nanostructured devices | |
| US6852454B2 (en) | Multi-tiered lithographic template and method of formation and use | |
| Alkaisi et al. | Nanolithography in the evanescent near field | |
| CN101441411B (zh) | 表面等离子体共振曝光光刻方法 | |
| JP2001001349A (ja) | マイクロレンズ金型又は金型マスター、及びそれらの作製方法 | |
| US20130140269A1 (en) | Method and mechanism of photoresist layer structure used in manufacturing nano scale patterns | |
| CN112099311B (zh) | 一种基于aao纳米结构光刻掩膜版的制备方法 | |
| KR100943402B1 (ko) | 갭 결함을 가진 리소그래픽 템플릿을 형성하고 수리하는 방법 | |
| CN103226215A (zh) | 具有宽度周期性渐变表面的全息光栅制备方法 | |
| CN105006266B (zh) | 自对准双层x射线波带片的制备方法 | |
| CN111650680A (zh) | 一种精确缩短节距值的自溯源光栅标准物质制备方法 | |
| US20120156594A1 (en) | Photomask including super lens and manufacturing method thereof | |
| CN109669323B (zh) | 一种基于共振腔结构实现大面积超分辨光刻方法 | |
| Wu et al. | Fabrication of frequency-selective surfaces using microlens projection photolithography | |
| TW200813640A (en) | Method of forming nanopattern and substrate having pattern formed using the method | |
| CN101846880B (zh) | 激发表面等离子体的纳米光刻方法 | |
| CN109461817B (zh) | 在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法 | |
| CN115437213A (zh) | 一种纳米压印模板的制造工艺 | |
| CN110095441B (zh) | 一种荧光纳米标尺部件及其制备和应用 | |
| CN114200797B (zh) | 一种用于纳米压印金属光栅拼接对齐的掩模及金属光栅拼接方法 | |
| US20080107998A1 (en) | Near-field exposure method and device manufacturing method using the same | |
| KR100843948B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 | |
| CN116500711B (zh) | 一种具备自溯源角度的二维光栅标准物质及其制备方法 | |
| Bläsi et al. | Photon management structures based on interference lithography and nanoimprint processes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant |