JPH0354864A - ショットキー電極形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はショットキ−電極形成方法に関し、特にショッ
トキ−バリアダイオードの電極形成方法に関するもので
ある。

〔従来の技術〕

従来ショットキ−バリアダイオードの電極形成はバリア
金属として用いられるモリブデン（Ｍｏ）を半導体基板
にスバッタ装置等を用いて付着させ、次に電極金属とし
ての白金（Ｐｔ），アルミニウム（ＡＡ）を付着させて
いる。この電極金属形戊工程においては電極金属の不要
部分を除去すべくフォトレジストを電極金属の除去すべ
き部分にあらかじめ付着しておいて、その後白金等の第
１電極金属を付着し、フォトレジストとともに電極金属
の不要部分を除去するというリフトオフ方式を用いて電
極パターンの形成が行なわれている。尚、不要電極金属
除去にリフトオフ方式が用いられている理由は、電極金
属としての白金（Ｐｔ）が薬品でのエッチング処理で、
エッチングされにくいものであるためで、このようにエ
ッチングされにくい金属の部分的除去に適した方式であ
るからである。

しかるのちにアルミニウム等の第２の電極金属を付着し
、フォトレジストによりエッチング液により電極パター
ンを形戒しショットキ−バリアダイオードの電極形成が
おこなわれている。

第３図（ａ）は従来のショットキ−バリアダイオードの
電極形成工程フロー図であり、第３図（ｂ）〜（ｇ）は
各工程でのショットキ−バリアダイオードの電極形成の
様子を示す断面図である。

半導体基板１にまずバリア金属であるモリブデ７（Ｍｏ
）２をスバッタ装置等を用いて付着し、その上に不要金
属部にフォトレジスト５を形成し、更にその上に第１の
電極金属３をスバッタ装置等を用いて付着する。しかる
のちにリフトオフ方式を用いて第１の電極金属３を除去
する。つまり４００℃程度でフォトレジストを強制蒸発
させ次にビニールテープを第１の電極金属３の全面に貼
りつけて強制的にはがす、いわゆるビールアウトによっ
て不要金属部を除去する。その後で更に第２の電極金属
４をスパッタ装置等で付着させ、その第２の電極金属４
はフォトレジストを用いてエッチング液により不要金属
部を除去してショットキ−バリアダイオードの電極形成
がおこなわれる。

この従来の電極形成方法では第１の電極金属３の付着時
、フォトレジスト５が介在しているため付着時の熱によ
り、フォトレジストの蒸発が起こりバリア金属２と第Ｉ
の電極金属３の間にべ一パーが付着し、密着性に大きな
悪影響を及ぼし、しばしばバリア金属２と第１の電極金
属３との剥離を起こし、製造歩留及び、信頼性の点で問
題を有していた。更には第１の電極金属３と第２の電極
４も連続的に付着出来ないため、第１，第２の電極金属
間の密着性も、工程バラツキ要因を受け易い工程になら
ざるを得ない状況となっていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のショットキ−バリアダイオードの電極金
属形成方法は電極金属積層時にリフトオフ用のフォトレ
ジストが熱せられる事により蒸発現象を伴なう為バリア
メタルと電極金属層間にペーパーライズして電極金属層
間に剥離現象を誘発し製造歩留低下と信頼性の点で問題
を有するという欠点がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の目的はショットキ−バリアダイオードの電極形
成において、従来のフォトレジストによるリフトオフ方
式を用いずに電極金属層間の密着性を良くした電極金属
形成方法を提供するものである。

すなわち本発明の特徴はバリア金属と電極金属を連続付
着させたのちに電極金属のみをフォトレジストによりパ
ターニングしてエッチングされやすい第２の電極金属（
Ａｆｆ）をエッチング液で除去し、次に第１の電極金属
（Ｐｔ）を第２の電極金属をマスクとしてイオンミリン
グにより除去する方法としたことである。更にこのイオ
ンミリングにおいてバリア金属（Ｍｏ）も同時に除去さ
れる。

上述した従来のショットキ−バリアダイオードの電極形
成方法では、電極金属にバリア金属と第２の電極金属相
互の拡散等を防ぐ目的で第１の電極金属に白金（Ｐｔ）
を用いるため、通常のフォトレジスト方式でのエッチン
グ液によるエッチングが不可能のため、フォトレジスト
を介在してのリフトオフ方式となっており、そのために
バリア金属と電極金属の密着性に問題を起こす方式とな
らざるを得なかった。

本発明においてはイオンミリングでの除去方式を用いる
ためバリア金属と電極金属の形成がフォトレジストの介
在なしに連続的に付着形成することによりバリア金属と
電極金属間の密着が良好になる。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図（ａ）は本発明の一実施例のショットキ−バリア
ダイオードの電極形成工程フロー図であり、第１図（ｂ
）〜（ｄ）は各工程でのショットキ−バリアダイオード
の電極形戊の様子を示す断面図である。

半導体基板ｌにバリア金属であるモリブデン（Ｍｏ）２
，第１の電極金属（Ｐｔ）３，第２／′ｒ）電極金属（
Ａｆｆｌ）　４をスパッタ装置等を用いて連続的に積層
付着させる。次に電極金属の不要部分にフォトレジスト
５をつけて、第２の電極金属（Ａβ）４をエッチングに
て除去し、第２の電極金属（Ａｕ）４をマスクとしてイ
オンミリングにて第１の電極金属（ｐｔ）３とバリア金
属（Ｍｏ）２を除去してショットキ−バリアダイオード
の電極形戒がおこなわれる。尚、本実施例において各金
属の膜厚はバリア金属　第１電極金属《第２電極金属と
しておく。

第２図（ａ）は本発明の他の実施例のショットキ−バリ
アダイオードの電極形戒工程フロー図であり、第２図（
ｂ）は特に一実施例との違いとしてのイオンミリング時
のマスクを金属メッシュマスク１０でのイオンミリング
状態を示した断面図である。この実施例ではフォトレジ
ストによる第２電極金属のバターニング工程が不要で、
かつ各電極金属の膜厚差の設計が不要であるため、工程
が減り、各電極金属の膜厚が自由度を増すことで製造原
価低減の利点がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、ショットキ−バリアダイ
オードの電極金属形成が、連続的に積層されることによ
り、バリア金属第１，第２の各電極金属が連続的に付着
可能となることにより各金属間の密着性が良好でかつ工
程が大巾に削減されることから安価で製造出来、かつ信
頼性の高いショットキ−バリアダイオードが得られる効
果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明のショットキ−バリアダイオード
電極形成の一実施例を示す工程フロー図、第１図（ｂ）
〜（ｄ）は一実施例の各工程の電極形成の様子を示すシ
ョットキ−バリアダイオードの断面図、第２図（ａ）は
本発明の他の実施例を示す電極形成工程フロー図、第２
図（ｂ）は他の実施例の断面図、第３図（ａ）は従来の
ショットキ−バリアダイオード電極形戒の工程フロー図
、第３図（ｂ）〜（ｇ）は従来の各工程の電極形成の様
子を示す断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・バリア金属
、３・・・・・・第１電極金属、４・・・・・・第２電
極金属、５・・・・・・フォトレジスト、６・・・・・
・酸化膜。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板の一主面にショットキ−バリア金属と
   第１の電極用金属と第２の電極用金属とを連続的に付着
   し、前記第２の電極用金属をパターニングし、その後に
   前記半導体基板上の前記ショットキ−バリア金属、前記
   第２の電極金属を前記パターニングされた第２の電極用
   金属をマスクとしてイオンミリングを用いて除去するこ
   とを特徴とするショットキ−電極形成方法。
2. （２）前記第１の電極用金属は白金であり、前記第２の
   電極用金属はアルミニウムである請求項１記載のショッ
   トキ−電極形成方法。