JPS63140088A - 電極の加工方法 - Google Patents
電極の加工方法Info
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- JPS63140088A JPS63140088A JP28562086A JP28562086A JPS63140088A JP S63140088 A JPS63140088 A JP S63140088A JP 28562086 A JP28562086 A JP 28562086A JP 28562086 A JP28562086 A JP 28562086A JP S63140088 A JPS63140088 A JP S63140088A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は電気素子の湿式フォト加工の際に電極の劣化を
防ぐ電極の加工方法に関するものである。
防ぐ電極の加工方法に関するものである。
電気素子の分野においては、近年多種類の電極材料が利
用されるようになった。従来の半導体素子のようにＡ７
！だけを金属電極材料として使用したり、素子中に半導
体の１ｎｔｒｉｎｓｉｃ層、ｐ−ｎ接合、ショットキー
接合等の空乏層が存在し電＋＆に流れる電流を制限した
りする場合には、加工中の素子を加工に使用するエッチ
ャント、レジスト現像液（例えばシプレー社 ＭＦ３１
２）、レジスト剥離液（例えばシブレー社１１１２ Ａ
）等の溶液（以下加工液と称する）に浸漬した時に、電
極間で形成される電位差で起こる電気化学反応による素
子の劣化はあまり問題にならなかった。しかし、ＥＬ表
示素子や液晶表示素子、更にこれらの素子をＴＰＴ等と
組み合わせた複合素子に見られるように、Ａｆｆ等の金
属と酸化物透明導電材料等の複数の電極材料を同時に有
する電気素子を作製するため電極の湿式フォト加工を行
うと、加工液中で異なる２種の電極材料が化学電池を形
成する。そのため電気化学反応が起き、電極材料が劣化
することがあった。以下図に従って説明する。
用されるようになった。従来の半導体素子のようにＡ７
！だけを金属電極材料として使用したり、素子中に半導
体の１ｎｔｒｉｎｓｉｃ層、ｐ−ｎ接合、ショットキー
接合等の空乏層が存在し電＋＆に流れる電流を制限した
りする場合には、加工中の素子を加工に使用するエッチ
ャント、レジスト現像液（例えばシプレー社 ＭＦ３１
２）、レジスト剥離液（例えばシブレー社１１１２ Ａ
）等の溶液（以下加工液と称する）に浸漬した時に、電
極間で形成される電位差で起こる電気化学反応による素
子の劣化はあまり問題にならなかった。しかし、ＥＬ表
示素子や液晶表示素子、更にこれらの素子をＴＰＴ等と
組み合わせた複合素子に見られるように、Ａｆｆ等の金
属と酸化物透明導電材料等の複数の電極材料を同時に有
する電気素子を作製するため電極の湿式フォト加工を行
うと、加工液中で異なる２種の電極材料が化学電池を形
成する。そのため電気化学反応が起き、電極材料が劣化
することがあった。以下図に従って説明する。
第４図は表示素子における酸化物透明電極ＩＴＯと金属
電極Ａｆｆのパターン加工の例を示すものであり、同図
において１はガラス基板、２は（ＴＯ透明電極、３はＡ
ｌｌ電極、１０はレジスト（例えばシプレー社 マイク
ロポジットＳ １４００−２７）である。第４図（ａ）
はガラス基板ｌ上にパターン化されたＩＴＯ電極を示し
ている。このような基板上にＡＰ電極を作製するために
は、まず第１にＩ′ｒＯ電極２のパターンのあるガラス
基板ｌの上に第４図（ｂ）で示すようにＡ７２電極３を
蒸着・スパッタ等の方法で堆積する。次に第４図（ｃ）
に示すようにＡｌ電極３の上にレジスト１０のパターン
をフォトリソグラフィーにより作製し、その後基板をＡ
ｌｌのエッチャント、例えば燐酸と酢酸と硝酸とからな
る混酸、に浸漬し不要なＡｎ膜をエツチングにより除去
する（第４図（ｄ））。最後にレジスト１０のパターン
をレジスト！ｔＪＩ離液によって除去し、第４図（ｅ）
のようにＡ７！電極３のパターンとｒＴＯ電極２のパタ
ーンを作製していた。しかしながら、第４図（ｄ）のよ
うな素子がエッチャント等の溶液に浸漬されると、ＩＴ
Ｏ電極２と／ｌ電極３の間に起電力が生じる。例えば、
ＲＦスパッタによって作製したＩＴＯ電極と、ＤＣスパ
ッタによって作製したＡ７！電極はＡｌエッチャント中
で約−１，３■の電位差を持っている。このためエッチ
ャントとＩＴＯ電極２とＡ７！電極３が電気回路を形成
し、ＩＴＯが電気化学反応によってＡＮエッチャントに
溶は出したり、ＩＴＯ電極２とＡｌ電極３の界面に剥離
等の欠陥を生じるという欠点が存在していた。
電極Ａｆｆのパターン加工の例を示すものであり、同図
において１はガラス基板、２は（ＴＯ透明電極、３はＡ
ｌｌ電極、１０はレジスト（例えばシプレー社 マイク
ロポジットＳ １４００−２７）である。第４図（ａ）
はガラス基板ｌ上にパターン化されたＩＴＯ電極を示し
ている。このような基板上にＡＰ電極を作製するために
は、まず第１にＩ′ｒＯ電極２のパターンのあるガラス
基板ｌの上に第４図（ｂ）で示すようにＡ７２電極３を
蒸着・スパッタ等の方法で堆積する。次に第４図（ｃ）
に示すようにＡｌ電極３の上にレジスト１０のパターン
をフォトリソグラフィーにより作製し、その後基板をＡ
ｌｌのエッチャント、例えば燐酸と酢酸と硝酸とからな
る混酸、に浸漬し不要なＡｎ膜をエツチングにより除去
する（第４図（ｄ））。最後にレジスト１０のパターン
をレジスト！ｔＪＩ離液によって除去し、第４図（ｅ）
のようにＡ７！電極３のパターンとｒＴＯ電極２のパタ
ーンを作製していた。しかしながら、第４図（ｄ）のよ
うな素子がエッチャント等の溶液に浸漬されると、ＩＴ
Ｏ電極２と／ｌ電極３の間に起電力が生じる。例えば、
ＲＦスパッタによって作製したＩＴＯ電極と、ＤＣスパ
ッタによって作製したＡ７！電極はＡｌエッチャント中
で約−１，３■の電位差を持っている。このためエッチ
ャントとＩＴＯ電極２とＡ７！電極３が電気回路を形成
し、ＩＴＯが電気化学反応によってＡＮエッチャントに
溶は出したり、ＩＴＯ電極２とＡｌ電極３の界面に剥離
等の欠陥を生じるという欠点が存在していた。
発明の目的
本発明の目的はフォト加工工程において、２種以上の電
極材料が同一溶液中に浸漬された時に起こる、電気化学
反応による電極材料の劣化を防止することにある。
極材料が同一溶液中に浸漬された時に起こる、電気化学
反応による電極材料の劣化を防止することにある。
発明の構成
発明の特徴と従来技術との差異
本発明は、同一電気素子上の異種電極材料が、エッチャ
ント等の加工に使用する溶液に、同時に接することのな
いように、パターン加工される電極材料以外の電極材料
をレジストにより被覆することを最も主要な特徴とする
。
ント等の加工に使用する溶液に、同時に接することのな
いように、パターン加工される電極材料以外の電極材料
をレジストにより被覆することを最も主要な特徴とする
。
実施例１
第１図は、ＥＬ表示素子や、液晶表示素子、またこれら
の素子をＴＰＴ等の素子と組み合わせた複合素子を作製
するために、本発明をＩＴＯ透明電極とＡｆｉ金属電極
コンタクト部分のフォト加工に適用した場合の実施例で
あって、■はガラス基板、２はＩＴＯ電極（膜厚２００
ｎｍ）、３はへ２電極（膜厚２００ｎｍ）、１１はレジ
スト第１層（膜厚２０００ｎｍ）、１２はレジスト第２
層（膜厚２０００ｎｗ） 、２０はレジスト重複部分で
ある。
の素子をＴＰＴ等の素子と組み合わせた複合素子を作製
するために、本発明をＩＴＯ透明電極とＡｆｉ金属電極
コンタクト部分のフォト加工に適用した場合の実施例で
あって、■はガラス基板、２はＩＴＯ電極（膜厚２００
ｎｍ）、３はへ２電極（膜厚２００ｎｍ）、１１はレジ
スト第１層（膜厚２０００ｎｍ）、１２はレジスト第２
層（膜厚２０００ｎｗ） 、２０はレジスト重複部分で
ある。
第１図（ａ）のようにＩＴＯ電極２のパターンの上で、
Ａｌｌ電極を積層する必要の無い部分で、しかもエッチ
ャント等の加工液と隔離したい部分を、第１図（ｂ）の
ようにレジスト（例えばシプレー社 マイクロポジット
Ｓ １４００−２７）により被覆する（レジスト第１層
１１）。その後、第１図（ｃ）に示すようにＡ７！電極
３を蒸着・スパッタ等の方法で堆積し、その上に第１図
（ｄ）のようにレジスト第２層１２のパターンをフォト
リソグラフィによって作製する。この時、第１図（ｄ）
中に見られるようにレジスト第１層１１とレジスト第２
層１２の間にレジストの重複部分２０を設けると、ＩＴ
Ｏ電極３とエッチャント等の加工液との隔離を一層確実
に行うことができる。この素子をＡＩエッチャント（例
えば燐酸と酢酸と硝酸からなる混酸）に浸漬すると、第
１図（ｅ）に示すように不要なＡｌを除去し、Ａｌｌ電
極３のパターンを作製することができる。この時、エッ
チャントにはＡ７！電極３のみが接するため、ＩＴＯ電
極２Ａｌ電極３の間には電池は形成されない。従って、
電気化学反応によりＩＴＯ電極２が溶解したり、Ａ／電
極３と■Ｔｏ電極２の間で剥離して電極が劣化すること
はない。最後に、レジストの剥離液（例えばアセトン）
によってレジスト第１層とレジスト第２層を取り除くと
、第１図（ｆ）のようにガラス基板ｌ上にＩＴＯ電極２
とＡｌ電極３の２種の電極材料による電極パターンを作
製することができる。第１図（ｅ）中でレジストの上部
にあるＡ１電極３はレジストと同時に剥離されるが、剥
離が不十分な場合には超音波を加えながら素子を剥離液
に浸漬すると良い。
Ａｌｌ電極を積層する必要の無い部分で、しかもエッチ
ャント等の加工液と隔離したい部分を、第１図（ｂ）の
ようにレジスト（例えばシプレー社 マイクロポジット
Ｓ １４００−２７）により被覆する（レジスト第１層
１１）。その後、第１図（ｃ）に示すようにＡ７！電極
３を蒸着・スパッタ等の方法で堆積し、その上に第１図
（ｄ）のようにレジスト第２層１２のパターンをフォト
リソグラフィによって作製する。この時、第１図（ｄ）
中に見られるようにレジスト第１層１１とレジスト第２
層１２の間にレジストの重複部分２０を設けると、ＩＴ
Ｏ電極３とエッチャント等の加工液との隔離を一層確実
に行うことができる。この素子をＡＩエッチャント（例
えば燐酸と酢酸と硝酸からなる混酸）に浸漬すると、第
１図（ｅ）に示すように不要なＡｌを除去し、Ａｌｌ電
極３のパターンを作製することができる。この時、エッ
チャントにはＡ７！電極３のみが接するため、ＩＴＯ電
極２Ａｌ電極３の間には電池は形成されない。従って、
電気化学反応によりＩＴＯ電極２が溶解したり、Ａ／電
極３と■Ｔｏ電極２の間で剥離して電極が劣化すること
はない。最後に、レジストの剥離液（例えばアセトン）
によってレジスト第１層とレジスト第２層を取り除くと
、第１図（ｆ）のようにガラス基板ｌ上にＩＴＯ電極２
とＡｌ電極３の２種の電極材料による電極パターンを作
製することができる。第１図（ｅ）中でレジストの上部
にあるＡ１電極３はレジストと同時に剥離されるが、剥
離が不十分な場合には超音波を加えながら素子を剥離液
に浸漬すると良い。
第２図は、先に述べたレジストの重複部（第１図中２０
）が有効であることを示す図であって、ｌはガラス基板
、２はｌＴＯ電極、３はＡ／電極、１１はレジスト第１
層、１２はレジスト第２層である。
）が有効であることを示す図であって、ｌはガラス基板
、２はｌＴＯ電極、３はＡ／電極、１１はレジスト第１
層、１２はレジスト第２層である。
第２図（ａ） （ｈ）は、レジストの重複部が無い理想
的な場合で、第１図の（ｄ） （ｅ）に対応する図であ
り、第２図（ｃ）（ｄ）はレジストバターニングに誤差
がある場合で、第１図の（ｄ） （ｅ）に対応する図で
あり、第２図（ｅ）（ｆ）はエツチング液の回り込みに
よってサイドエッチがある場合で、第１図の第１図（ａ
）（いに対応する図である。レジスト第１層１１とレジ
スト層第２層１２の重複部が無くても、理想的にパター
ニングのずれが無く、サイドエッチも無い場合には、第
２図（ａ）のような試料をエツチングしても、第２図（
ｂ）に示すようにＩＴＯ電極２とＡｌ電極３とがエッチ
ャントに同時に接することは無く、電極パターンを作製
することができる。しかしながら、現実的にはレジスト
パターンの誤差は避けられないものであり、第２図（ｃ
） （ｄ）に見られるようにレジスト第１層１１とレジ
スト第２層１２のパターンの間に隙間が生じることがあ
る。このような場合、エツチングの最終段階で第２図（
ｄ）に示すような新線部分でＩＴＯ電極２とＡｌ電極３
が同時にエッチャントに接触し、従来の技術の項でも説
明したように電気化学反応によりＩＴＯ電極２とＡｌ電
極３が劣化する。また、第２図（ｅ）のようにレジスト
パターンに誤差が無い場合でも、エッチャントによって
Ａｌ電極３がパターンの端面からエツチングされると、
第２図（ｆ）に見られるような斜線部分でＩＴＯ電極２
とＡｌｌ電極３が同時にエッチャントに接触し、従来の
技術の項でも説明したように、電気化学反応によりＩＴ
Ｏ電極２とＡｌｌ電極３が劣化する。従って、先に述べ
たレジストの重複部分２０（第１図）は電極の劣化を防
ぐために有効である。
的な場合で、第１図の（ｄ） （ｅ）に対応する図であ
り、第２図（ｃ）（ｄ）はレジストバターニングに誤差
がある場合で、第１図の（ｄ） （ｅ）に対応する図で
あり、第２図（ｅ）（ｆ）はエツチング液の回り込みに
よってサイドエッチがある場合で、第１図の第１図（ａ
）（いに対応する図である。レジスト第１層１１とレジ
スト層第２層１２の重複部が無くても、理想的にパター
ニングのずれが無く、サイドエッチも無い場合には、第
２図（ａ）のような試料をエツチングしても、第２図（
ｂ）に示すようにＩＴＯ電極２とＡｌ電極３とがエッチ
ャントに同時に接することは無く、電極パターンを作製
することができる。しかしながら、現実的にはレジスト
パターンの誤差は避けられないものであり、第２図（ｃ
） （ｄ）に見られるようにレジスト第１層１１とレジ
スト第２層１２のパターンの間に隙間が生じることがあ
る。このような場合、エツチングの最終段階で第２図（
ｄ）に示すような新線部分でＩＴＯ電極２とＡｌ電極３
が同時にエッチャントに接触し、従来の技術の項でも説
明したように電気化学反応によりＩＴＯ電極２とＡｌ電
極３が劣化する。また、第２図（ｅ）のようにレジスト
パターンに誤差が無い場合でも、エッチャントによって
Ａｌ電極３がパターンの端面からエツチングされると、
第２図（ｆ）に見られるような斜線部分でＩＴＯ電極２
とＡｌｌ電極３が同時にエッチャントに接触し、従来の
技術の項でも説明したように、電気化学反応によりＩＴ
Ｏ電極２とＡｌｌ電極３が劣化する。従って、先に述べ
たレジストの重複部分２０（第１図）は電極の劣化を防
ぐために有効である。
実施例２
第３図は本発明をＥＬ表示素子や液晶表示素子の引き出
し電極に適用した実施例であって、■はガラス基板、２
はＩＴＯ電極、３はＡ１電極、４はＭｏ電極、５は引き
出し電極（例えばＣｒ、Ｎｉ）、６はＥＬ発光素子、１
１はレジスト第１層、１２はレジスト第２層、２０はレ
ジストの重複部分である。第３図（ａ）はＥＬ表示素子
における配線の例である。ＥＬの発光をガラス基板側か
ら取り出すためにガラス基板側に透明電極（ＩＴＯ電極
２）を設ける。ＥＬ発光素子６を形成した後、金属電極
の配線を行うが、電気化学反応によるＩＴＯ電極２の劣
化を防ぐために、金属電極として／１電極３上にＭｏ電
極４を積層したＭ ｏ ／ Ａ ｌ複合電極を使用する
。しかしながら、外部配線と圧着により結線する場合に
はＭｏ電極の電気的な接触特性が悪いことから、Ｎｉや
Ｃ「等の金属を引き出し電極に使用する必要がある。実
施例２はこのような用途に適用した例である。第３図（
ａ）のようにＩＴＯ電極２、Ｍｏ電極４、ＥＬ発光素子
６のパターンの上で、引き出し電極５を積層する必要の
無い部分で、しかもエッチャント等の加工液と隔離した
い部分を、第３図（ｂ）のようにレジスト（例えばシプ
レー社 マイクロポジットＳ １４００−２７）により
被覆する（レジスト第１層１１）。その後、第３図（ｃ
）に示すようにＡｌｌ電極３を蒸着・スパッタ等の方法
で堆積し、その上に第３図（ｄ）のようにレジスト第２
層１２のパターンをフォトリソグラフィによって作製す
る。この時、第３図（ｄ）中に見られるようにレジスト
の重複部分２０を設けると、ＩＴＯ電極２、Ｍｏ電極４
とエッチャント等の加工液との隔離を−ＮＴｓ実に行う
ことができる。レジストの重複部２０を設けた後、この
素子を引き出し電極５のエッチャント（例えばＣｒの場
合は、硝酸第２セリウムアンモニウム：硝酸セリウムア
ンモニウム１６５ｇ、過塩素酸（７０χ）４０ｃｃ、Ｈ
ｚｏ １０００ｃｃ）に浸漬すると、第３図（ｅ）に示
すように不要な引き出し電極金属を除去し、引き出し電
極５のパターンを作製することができる。この時、エッ
チャントには引き出し電極５のみが接するため、引き出
し電極とＩＴＯ電極２、Ｍｏ電極４の間には電池は形成
されない。従って、電気化学反応によりＩＯＴ電極２や
Ｍｏ電極が溶解したり、引き出し電極とＩＴＯ電極２、
Ａｌｌ電極３、ＭＯ電極４の間で剥離して電極が劣化す
ることばがい。最後に、レジストの剥離液（例えばアセ
トン）によってレジストを取り除くと、第３図（ｆ）の
ようにガラス基板１上に［ＴＯ電極２、Ａ１電極３、Ｍ
ｏ電極４と引き出し電極５の３種以上の電極材料による
電極パターンを作製することができる。第３図（ｅ）中
でレジストの上部にある引き出し電極５はレジストと同
時に剥離さるが、剥離が不十分な場合には超音波を加え
ながら素子を剥離液に浸漬すると良い。
し電極に適用した実施例であって、■はガラス基板、２
はＩＴＯ電極、３はＡ１電極、４はＭｏ電極、５は引き
出し電極（例えばＣｒ、Ｎｉ）、６はＥＬ発光素子、１
１はレジスト第１層、１２はレジスト第２層、２０はレ
ジストの重複部分である。第３図（ａ）はＥＬ表示素子
における配線の例である。ＥＬの発光をガラス基板側か
ら取り出すためにガラス基板側に透明電極（ＩＴＯ電極
２）を設ける。ＥＬ発光素子６を形成した後、金属電極
の配線を行うが、電気化学反応によるＩＴＯ電極２の劣
化を防ぐために、金属電極として／１電極３上にＭｏ電
極４を積層したＭ ｏ ／ Ａ ｌ複合電極を使用する
。しかしながら、外部配線と圧着により結線する場合に
はＭｏ電極の電気的な接触特性が悪いことから、Ｎｉや
Ｃ「等の金属を引き出し電極に使用する必要がある。実
施例２はこのような用途に適用した例である。第３図（
ａ）のようにＩＴＯ電極２、Ｍｏ電極４、ＥＬ発光素子
６のパターンの上で、引き出し電極５を積層する必要の
無い部分で、しかもエッチャント等の加工液と隔離した
い部分を、第３図（ｂ）のようにレジスト（例えばシプ
レー社 マイクロポジットＳ １４００−２７）により
被覆する（レジスト第１層１１）。その後、第３図（ｃ
）に示すようにＡｌｌ電極３を蒸着・スパッタ等の方法
で堆積し、その上に第３図（ｄ）のようにレジスト第２
層１２のパターンをフォトリソグラフィによって作製す
る。この時、第３図（ｄ）中に見られるようにレジスト
の重複部分２０を設けると、ＩＴＯ電極２、Ｍｏ電極４
とエッチャント等の加工液との隔離を−ＮＴｓ実に行う
ことができる。レジストの重複部２０を設けた後、この
素子を引き出し電極５のエッチャント（例えばＣｒの場
合は、硝酸第２セリウムアンモニウム：硝酸セリウムア
ンモニウム１６５ｇ、過塩素酸（７０χ）４０ｃｃ、Ｈ
ｚｏ １０００ｃｃ）に浸漬すると、第３図（ｅ）に示
すように不要な引き出し電極金属を除去し、引き出し電
極５のパターンを作製することができる。この時、エッ
チャントには引き出し電極５のみが接するため、引き出
し電極とＩＴＯ電極２、Ｍｏ電極４の間には電池は形成
されない。従って、電気化学反応によりＩＯＴ電極２や
Ｍｏ電極が溶解したり、引き出し電極とＩＴＯ電極２、
Ａｌｌ電極３、ＭＯ電極４の間で剥離して電極が劣化す
ることばがい。最後に、レジストの剥離液（例えばアセ
トン）によってレジストを取り除くと、第３図（ｆ）の
ようにガラス基板１上に［ＴＯ電極２、Ａ１電極３、Ｍ
ｏ電極４と引き出し電極５の３種以上の電極材料による
電極パターンを作製することができる。第３図（ｅ）中
でレジストの上部にある引き出し電極５はレジストと同
時に剥離さるが、剥離が不十分な場合には超音波を加え
ながら素子を剥離液に浸漬すると良い。
このように複数の電極が加工液中で電位差を持つ時には
、本発明の効果が生じるので、基板の材質は問わず、ま
た電極材料も金属と酸化物五電体の組み合わせに限られ
るものではなく、金属同士でも、酸化物同士、あるいは
半導体が導入された場合にも効果があるのは当然である
。
、本発明の効果が生じるので、基板の材質は問わず、ま
た電極材料も金属と酸化物五電体の組み合わせに限られ
るものではなく、金属同士でも、酸化物同士、あるいは
半導体が導入された場合にも効果があるのは当然である
。
発明の詳細
な説明したように、同一電子素子上に異種電極材料が存
在する場合、エッチャント等の加工液に複数の電極材料
が同時に接することのないように、レジストで被覆する
ことを最も大きな特徴とし、従来の技術に見られるよう
な電気化学反応による電極の溶解・剥離等の劣化を防ぐ
ことができるという利点がある。
在する場合、エッチャント等の加工液に複数の電極材料
が同時に接することのないように、レジストで被覆する
ことを最も大きな特徴とし、従来の技術に見られるよう
な電気化学反応による電極の溶解・剥離等の劣化を防ぐ
ことができるという利点がある。
第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の方法を用いて電極の
劣化無（２種の電極材料ＡＮ、ＩＴＯを加工する工程の
概要図を示す。 第２図（ａ）〜（ｆ）は、本発明においてレジスト第１
層とレジスト第２層の重複部が有効であることを説明す
る概略図を示す。 第３図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の方法をＥＬ表示素子
の作製に適用して電極の劣化無（３種以上の電極を加工
する工程の概要図を示す。 第４図（ａ）〜（ｅ）は、従来法を用いて２種の電極材
料Ａ１、ＩＴＯを加工する工程の概略図を示す。 図中において ■・・・ガラス基板、２・・・ＩＴＯ電穫、３・−・Ａ
ｌ、電極、４・・・ＭＯ電極、５・・・引き出し電極、
６・・・ＥＬ発光素子、１０・・・レジスト、１１・・
・レジスト第１層、１２・・・レジスト第２層、２０・
・・レジスト重複部分特許出願人 日本電信電話株
式会社代理人 弁理士 玉 蟲 久 五 部 （外２名） 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 手続補正書 昭和６２年 ２月 ９日 １、事件の表示 昭和６１年特許願第２８５６２０号 ２、発明の名称 電極の加工方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号名 称
（４２２）日本電信電話株式会社代表者 真 藤
恒 ４、代理人 住 所 東京都豊島区南長崎２丁目５番２号７、？ｌ
ｌｉ正の内容 別紙の通り 明細書第１１頁第１７行のｒｌＯＴ電極２」を「ＩＴｏ
電極２」と補正する。
劣化無（２種の電極材料ＡＮ、ＩＴＯを加工する工程の
概要図を示す。 第２図（ａ）〜（ｆ）は、本発明においてレジスト第１
層とレジスト第２層の重複部が有効であることを説明す
る概略図を示す。 第３図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の方法をＥＬ表示素子
の作製に適用して電極の劣化無（３種以上の電極を加工
する工程の概要図を示す。 第４図（ａ）〜（ｅ）は、従来法を用いて２種の電極材
料Ａ１、ＩＴＯを加工する工程の概略図を示す。 図中において ■・・・ガラス基板、２・・・ＩＴＯ電穫、３・−・Ａ
ｌ、電極、４・・・ＭＯ電極、５・・・引き出し電極、
６・・・ＥＬ発光素子、１０・・・レジスト、１１・・
・レジスト第１層、１２・・・レジスト第２層、２０・
・・レジスト重複部分特許出願人 日本電信電話株
式会社代理人 弁理士 玉 蟲 久 五 部 （外２名） 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 手続補正書 昭和６２年 ２月 ９日 １、事件の表示 昭和６１年特許願第２８５６２０号 ２、発明の名称 電極の加工方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号名 称
（４２２）日本電信電話株式会社代表者 真 藤
恒 ４、代理人 住 所 東京都豊島区南長崎２丁目５番２号７、？ｌ
ｌｉ正の内容 別紙の通り 明細書第１１頁第１７行のｒｌＯＴ電極２」を「ＩＴｏ
電極２」と補正する。
Claims (3)
- （１）電極材料を２種以上併用する電気素子のフォトエ
ッチングによる電極の加工方法において、加工に使用す
る溶液が同時に複数の電極材料に接触しないように、予
め他の電極材料からなる電極を、パターン加工の対象と
なる電極との接触部を除いて、レジスト膜によつて被覆
した後、フォト加工を行うことを特徴とする電極の加工
方法。 - （２）前記電極材料として金属Ａｌと酸化物透明導電材
料を用いることを特徴とする特許請求範囲第１項記載の
電極の加工方法。 - （３）前記電極材料として金属Ａｌと酸化インジウム、
酸化錫、酸化亜鉛またはこれら酸化物からなる酸化物透
明導電材料とを用いることを特徴とする特許請求範囲第
１項記載の電極の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28562086A JPS63140088A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 電極の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28562086A JPS63140088A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 電極の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63140088A true JPS63140088A (ja) | 1988-06-11 |
Family
ID=17693886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28562086A Pending JPS63140088A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 電極の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63140088A (ja) |
-
1986
- 1986-11-29 JP JP28562086A patent/JPS63140088A/ja active Pending
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