KR101161020B1 - 원자층 성장 장치 - Google Patents

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미쯔이 죠센 가부시키가이샤
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Abstract

기상에 의한 막의 성장을 수행하는 성막 챔버(101), 성막 챔버(101)의 내부에 배치된 가열 기구를 구비한 기판대(102), 배기 기구(104)를 구비한다. 또한, 원료 기화기(151), 2개의 버퍼 탱크A(152a) 및 버퍼 탱크B(152b), 버퍼 탱크A(152a)의 충전 밸브A(153a) 및 공급 밸브A(154a), 버퍼 탱크B(152b)의 충전 밸브B(153b) 및 공급 밸브B(154b), 도입 제어부(155) 및 각각의 밸브의 개폐를 제어하는 제어부(156)로 구성된 원료 공급부(105)를 구비한다.
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성막 챔버, 기판대, 배기 기구, 버퍼 탱크, 충전 밸브, 공급 밸브, 원료 공급부, 원자층 성장 장치

Description

원자층 성장 장치{ATOMIC LAYER GROWING APPARATUS}
본 발명은, 원자층 및 분자층 단위로 박막의 형성이 가능한 원자층 성장 장치에 관한 것이고, 특히, 압력 등이 안정된 상태로 원료 가스의 공급이 가능한 원자층 성장 장치에 관한 것이다.
최근 대 면적의 기판 위에 균일한 박막을 재현성 좋게 형성하는 기술로서 원자층 성장(Atomic Layer Deposition: ALD) 법이 이용되고 있다 (문헌 1: 특개 평05-186295호 공보). 원자층 성장 방법은, 형성하려고 하는 막을 구성하는 각 원소의 원료를 기판에 교대로 공급하는 것으로써, 원자층 단위로 박막을 형성하는 기술이다. 원자층 성장 방법에서는, 각 원소의 원료를 공급하고 있는 동안에 1층 혹은 n층만을 표면에 흡착시켜, 여분의 원료가 성장에 기여시키지 않게 하고 있다. 이것을, 성장의 자기 정지 작용이라고 한다. 원자층 성장 방법에서는, 플라즈마를 이용하지 않기 때문에, 고품질의 막을 형성할 수 있다. 또, 원자층 성장 방법에서는, 예컨대 300℃정도로 처리의 온도를 높게 할 필요가 없고, 유리 기판 위에서도 절연막을 형성할 수 있는 등, 적용 범위가 넓다고 하는 특징을 가지고 있다.
이러한 특징을 구비한 원자층 성장 방법을 실현하기 위한 원자층 성장 장치는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 기상에 의한 막의 성장을 행하는 성막 챔버(301), 성막 챔버(301)의 내부에 배치된 가열 기구를 구비한 기판대(302), 및 배기 기구(304)를 구비한다. 또, 이 원자층 성장 장치는, 원료 기화기(351)와 버퍼 탱크(352)로 구성되는 원료 공급 기구(305), 및 퍼지 가스 공급부(307)를 구비하고 있다.
도 3에 도시된 장치에서는, 처리 대상의 기판(303)을 기판대(302) 위에 로딩하고, 성막 챔버(301)가 밀폐된 상태로 한 후, 기판대(302)의 가열 기구에 의해 기판(303)을 소정 온도로 가열한 상태로, 원료 공급 기구(305)에 의한 소정의 가스의 공급, 배기 기구(304)에 의한 배기, 퍼지 가스 공급부(307)에 의한 퍼지 가스의 공급에 의한 퍼지, 그리고 배기 기구(304)에 의한 배기를 반복함으로써, 원하는 박막이 형성된 상태로 하고 있다.
여기서, 원자층 성장 장치에 의한 절연막의 형성에 이용되는 원료(유기 금속재료)는, 20°C의 대기압 정도의 상태에서는 액체이다. 이 때문에, 원료 공급 기구(305)에서는, 액체 상태의 원료를 원료 기화기(351)에 의해 기화하고 기화한 원료를 성막 챔버(301)의 내부에 공급하고 있다. 또, 원료 공급 기구(305)에서는, 버퍼 탱크(352)를 이용하여 압력의 변동 등이 억제된 상태로, 성막 챔버(301)에 원료 가스를 공급하고 있다. 성막 챔버(301)에 원료 가스를 공급하는 단계에서는, 버퍼 탱크(352)의 충전 밸브(353)를 닫은 상태로, 성막 챔버(301)의 공급 밸브(354)를 개방하고 있다. 이와 같이 제어하는 것으로, 원료 기화기(351)로부터의 원료 가스가 직접 흐르는 것에 의한 압력의 변동을 억제할 수 있다.
그러나, 퍼지 시간이나 배기 시간의 단축 등에 의해, 보다 짧은 사이클로 원자층 성장을 하게 되는 가운데, 상술한 종래의 기술에서는, 이하에 기술하는 바와 같이, 원료 기화기(351)에 의한 원료 가스의 공급 능력을 모두 살리지 못하고, 원료 가스의 공급이 부족하게 되는 경우가 발생한다.
원료 가스의 공급에 대해서는, 우선, 공급 밸브(354)가 닫혀져 충전 밸브(353)가 개방된 상태로, 원료 기화기(351)에 의해 생성된 원료 가스가 버퍼 탱크(352)에 충전된다. 다음에, 충전 밸브(353)가 닫혀진 상태로 하고, 공급 밸브(354)가 개방된 상태로 하여 버퍼 탱크(352)로부터 원료 가스가 공급된 상태로 한다. 따라서, 버퍼 탱크(352)에 원료 가스를 충전하는 동안, 성막 챔버(301)에 원료 가스의 공급을 할 수 없다. 여기서, 원자층 성장의 각 사이클 안에서, 원료 가스의 공급이 정지되고 있는 동안, 버퍼 탱크(352)로 원료 가스의 충전을 실시하도록 하면, 성막 챔버(301)에 대해서는, 필요한 단계에서 안정된 원료 가스의 공급이 가능해진다.
그러나, 전술한 바와 같이, 보다 짧은 사이클로 원자층 성장을 하면, 원료 가스의 공급이 정지되는 시간이 단축되어 버퍼 탱크(352)에 원료 가스의 충전이 완료되지 않은 단계에서, 원료 가스의 공급 과정이 개시되게 된다. 이러한 상태에서는, 원료 가스의 공급 과정의 전시간에 있어, 원료 가스가 공급되지 않게 된다. 이와 같이, 도 3에 도시된 종래의 장치에서는, 원자층 성장의 각 사이클을 짧게 하면, 안정된 원료 가스의 공급을 할 수 없는 경우가 발생하였다.
본 발명은, 상기와 같은 문제점을 해소하기 위한 것이고, 원자층 성장에 있어서의 원료 가스 공급 과정이 단축되어도, 보다 안정적으로 원료 가스를 공급할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 원자층 성장 장치는, 밀폐 가능한 내부 공간을 구비한 성막 챔버와 원료를 기화시킴으로써 원료 가스를 생성하는 원료 기화 수단과 원료 기화 수단이 생성한 원료 가스가 충전되는 복수의 버퍼 탱크와 각각의 버퍼 탱크에 설치되어 원료 기화 수단이 생성한 원료 가스의 충전을 제어하는 충전 밸브와 각각의 버퍼 탱크로부터의 원료 가스의 공급을 제어하는 공급 밸브와 각각의 충전 밸브 및 각각의 공급 밸브의 개폐를 제어하는 제어 수단을 적어도 구비하고 제어 수단은, 적어도 1개의 버퍼 탱크의 공급 밸브를 열어 원료 가스를 성막 챔버에 공급하고 있는 상태로, 공급 밸브를 열지 않은 다른 버퍼 탱크의 충전 밸브를 열어 원료 가스의 충전을 실시하도록 제어하도록 한 것이다.
이 장치에 의하면, 원료 가스 기화 수단과 성막 챔버가 연통되지 않는 상태로, 성막 챔버에 항상 원료 가스가 공급되고 있는 상태를 얻을 수 있다.
상기 원자층 성장 장치에 있어서, 제어 수단은, 충전 밸브를 개방함으로써 원료 가스가 충전된 버퍼 탱크의 공급 밸브를 닫고, 원료 가스가 하한 규정치를 넘어 충전되고 있는 버퍼 탱크의 공급 밸브를 열어 원료 가스를 성막 챔버에 공급하도록 제어할 수 있다.
또, 상기 원자층 성장 장치는 각각의 버퍼 탱크로부터 공급된 원료 가스의 성막 챔버로의 주입을 제어하는 도입 제어 밸브를 더 포함하고, 제어 수단은, 도입 제어 밸브를 여는 것과 동시에, 적어도 1개의 버퍼 탱크의 공급 밸브를 열어 원료 가스를 공급하고 있는 상태로, 공급 밸브를 열지 않은 다른 버퍼 탱크의 충전 밸브를 열어 원료 가스의 충전을 실시하도록 제어할 수 있다. 이 경우, 제어 수단은, 충전 밸브를 열어 원료 가스를 충전하고 있는 버퍼 탱크의 공급 밸브는 닫고, 원료 가스가 하한 규정치를 넘어 충전되고 있는 버퍼 탱크의 공급 밸브를 연 상태로, 도입 제어 밸브를 열도록 제어할 수 있다. 본 장치에 따르면, 원료 가스 기화 수단과 성막 챔버가 연통되는 상태가 없고, 성막 챔버에 원료 가스를 공급하고 있는 버퍼 탱크는, 충전되고 있는 원료 가스의 압력이 항상 하한 규정치를 넘는다.
(발명의 효과)
상기한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 복수의 버퍼 탱크를 이용하여, 예컨대, 충전 밸브를 열어 원료 가스를 충전하고 있는 버퍼 탱크의 공급 밸브는 닫고, 원료 가스가 하한 규정치를 넘어 충전되고 있는 버퍼 탱크의 공급 밸브를 연 상태로, 도입 제어 밸브를 여는 등, 적어도 1개의 버퍼 탱크의 공급 밸브를 열어 원료 가스를 성막 챔버에 공급하고 있는 상태로, 공급 밸브를 열지 않은 다른 버퍼 탱크의 충전 밸브를 열어 원료 가스의 충전을 하도록 했으므로, 원자층 성장에 있어서의 원료 가스 공급 과정이 단축되어도 보다 안정적으로 원료 가스를 공급할 수 있게 된다는 우수한 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 원자층 성장 장치의 구성 예를 나타내는 구성도,
도 2는 도 1에 도시된 제어부(156)에 의한 각 밸브의 제어 예를 나타내는 타이밍 차트,
도 3은 종래의 원자층 성장 장치의 구성 예를 나타내는 구성도, 및
도 4는 도 1에 도시된 제어부(156)에 의한 각 밸브의 제어 예를 나타내는 타이밍 차트.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은, 본 발명의 실시예에 따른 원자층 성장 장치의 구성 예를 나타내는 구성도이다. 도 1에 도시된 본 실시예의 원자층 성장 장치는, 우선, 기상에 의한 막의 성장을 행하는 성막 챔버(101), 성막 챔버(101)의 내부에 배치된 가열 기구를 구비한 기판대(102), 배기 기구(104)를 포함한다. 성막 챔버(101)는, 밀폐 가능한 내부 공간을 구비하여 그 내부 공간내에 기판대(102)를 수용한다. 또한 원자층 성장 장치는 원료 기화기(151), 2개의 버퍼 탱크, 즉 버퍼 탱크A(152a) 및 버퍼 탱크B(152b), 버퍼 탱크A(152a)의 충전 밸브A(153a) 및 공급 밸브A(154a), 버퍼 탱크B(152b)의 충전 밸브B(153b) 및 공급 밸브B(154b), 도입 제어 밸브(155), 및 각 밸브의 개폐를 제어하는 제어부(156)를 포함하는 원료 공급부(105)를 구비한다. 또, 본 실시 예의 원자층 성장 장치는, 성막 챔버(101)에 아르곤이나 질소등의 비활성 가스로 형성된 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부(107)를 포함한다.
원료 기화기(151)는 예컨대 아미노실란 등의 유기 금속재료를 수용하고 수용하고 있는 유기 금속재료를 가열하여 기화시킴으로써 원료 가스를 생성하도록 하고 있다. 이와 같이 하여 생성된 원료 가스는, 우선, 버퍼 탱크A(152a) 및 버퍼 탱크B(152b)에 충전된다. 이후, 버퍼 탱크A(152a)에 충전된 원료 가스 및 버퍼 탱크B(152b)에 충전된 원료 가스가 교대로 성막 챔버(101)에 공급된다. 이러한 버퍼 탱크에의 충전 및 버퍼 탱크로부터의 공급의 제어는 제어부(156)에 의한 충전 밸브A(153a), 공급 밸브A(154a), 충전 밸브B(153b), 공급 밸브B(154b), 및 도입 제어 밸브(155)의 개폐 제어에 의해 행해진다.
이하, 제어부(156)에 의한 각 밸브의 제어 예 및 원료 가스의 공급 동작 예에 대해 도 1 의 구성도 및 도 2의 타이밍 차트를 이용하여 설명한다. 초기 단계에서는, 버퍼 탱크A(152a)에 원료 가스가 충전되고 있는 상태로 한다. 이 상태에서는, 제어부(156)는 충전 밸브A(153a), 공급 밸브A(154a), 충전 밸브B(153b), 공급 밸브B(154b), 및 도입 제어 밸브(155)의 전부를 닫고 있다. 이 상태로 시각(t0)에서 원자층 성장의 원료 가스 공급 과정이 개시되면 제어부(156)는 공급 밸브A(154a) 및 도입 제어 밸브(155)를 열어 버퍼 탱크A(152a)로부터 성막 챔버(101)에 원료 가스가 공급되는 상태로 한다. 또한, 동시에 제어부(156)는 충전 밸브B(153b)를 열어 버퍼 탱크B(152b)에 원료 가스가 충전되는 상태로 한다. 다음에, 원료 가스 공급 과정이 종료되어 퍼지 과정이 개시되는 시각(t1)이 되면 제어 부(156)는 도입 제어 밸브(155)를 닫는다. 다음에, 퍼지 과정이 종료하고 다음의 원료 공급 과정이 개시되는 시각(t2)이 되면 제어부(156)는 도입 제어 밸브(155)를 연다. 또한, 시각(t2)에서 버퍼 탱크B(152b)에 충전되고 있는 원료 가스의 압력이 상한 규정치가 되면 제어부(156)는 충전 밸브B(153b)를 닫는다. 다음에, 이 원료 공급 과정 중 시각 t2'에서 버퍼 탱크A(152a)에서의 원료 가스의 압력이 하한 규정치보다 낮은 상태로 되고 따라서 제어부(156)는 공급 밸브A(154a)를 닫고 충전 밸브A(153a) 및 공급 밸브B(154b)를 연다. 이것에 의해 버퍼 탱크B(152b)로부터 성막 챔버(101)에 원료 가스가 공급되는 상태가 된다.
다음에, 원료 가스 공급 과정이 종료되어 퍼지 과정이 개시되는 시각(t3)이 되면 제어부(156)는 도입 제어 밸브(155)를 닫는다. 다음에, 퍼지 과정이 종료하고 다음의 원료 공급 과정이 개시되는 시각(t4)이 되면 제어부(156)는 도입 제어 밸브(155)를 연다. 이 원료 가스 공급 과정 중 시각(t4')에서 버퍼 탱크A(152a)에 충전되고 있는 원료 가스의 압력이 상한 규정치가 되면 제어부(156)는 충전 밸브A(153a)를 닫는다. 다음에, 원료 가스 공급 과정이 종료되어 퍼지 과정이 개시되는 시각(t5)이 되면 제어부(156)는 도입 제어 밸브(155)를 닫는다. 이 시각(t5)에서 버퍼 탱크B(152b)내의 원료 가스의 압력이 하한 규정치보다 낮은 상태로 되기 때문에 제어부(156)는 공급 밸브B(154b)를 닫고 충전 밸브B(153b) 및 공급 밸브A(154a)를 연다.
다음에, 퍼지 과정이 종료하고 다음의 원료 공급 과정이 개시되는 시각(t6)이 되면 제어부(156)는 도입 제어 밸브(155)를 연다. 이것에 의해, 버퍼 탱크 A(152a)로부터 성막 챔버(101)에 원료 가스가 공급되는 상태가 된다. 다음에, 원료 가스 공급 과정이 종료되어 퍼지 과정이 개시되는 시각(t7)이 되면 제어부(156)는 도입 제어 밸브(155)를 닫는다.
다음에, 퍼지 과정이 종료하고 다음의 원료 공급 과정이 개시되는 시각(t8)이 되면 제어부(156)는 도입 제어 밸브(155)를 연다. 이 원료 공급 과정 중 시각(t8')에서 버퍼 탱크A(152a)내의 원료 가스의 압력이 하한 규정치보다 낮은 상태로 되기 때문에 제어부(156)는 공급 밸브A(154a)를 닫고 충전 밸브A(153a) 및 공급 밸브 B154b를 연다. 이것에 의해, 버퍼 탱크B(152b)로부터 성막 챔버(101)에 원료 가스가 공급되는 상태가 된다.
다음에, 원료 가스 공급 과정이 종료되어 퍼지 과정이 개시되는 시각(t9)이 되면 제어부(156)는 도입 제어 밸브(155)를 닫는다. 다음에, 퍼지 과정이 종료하고 다음의 원료 공급 과정이 개시되는 시각(t10)이 되면 제어부(156)는 도입 제어 밸브(155)를 연다. 이 원료 공급 과정 중 시각(t10')에 버퍼 탱크A(152a)에 충전되고 있는 원료 가스의 압력이 상한 규정치로 되면 제어부(156)는 충전 밸브A(153a)를 닫는다.
다음에, 원료 가스 공급 과정이 종료되어 퍼지 과정이 개시되는 시각(t11)이 되면 제어부(156)는 도입 제어 밸브(155)를 닫는다. 또, 이 시각(t11)에서 버퍼 탱크B(152b)내의 원료 가스의 압력이 하한 규정치보다 낮은 상태로 되기 때문에 제어부(156)는 공급 밸브B(154b)를 닫고 충전 밸브B(153b)를 및 공급 밸브A(154a)를 연다. 다음에, 퍼지 과정이 종료하고 다음의 원료 공급 과정이 개시되는 시 각(t12)이 되면 제어부(156)는 도입 제어 밸브(155)를 연다. 이것에 의해, 버퍼 탱크A(152a)로부터 성막 챔버(101)에 원료 가스가 공급되는 상태가 된다. 덧붙여 상술한 원료 가스의 압력은 각 버퍼 탱크에 설치된 압력계(P)에 의해 측정하면 좋다.
본 실시예의 원자층 성장 장치에서는 처리 대상의 기판(103)을 기판대(102) 위에 로딩하여 성막 챔버(101)가 밀폐된 상태로 한 후 기판대(102)의 가열 기구에 의해 기판(103)을 소정 온도로 가열한 상태로 상술한 원료 가스 공급 과정과 퍼지 가스 공급부(107)에 의한 퍼지 가스의 공급 및 배기 기구 104에 의한 배기로 구성되는 퍼지 과정을 반복함으로써 원하는 박막이 형성된 상태로 한다.
이상 설명한 바와 같이, 도 1에 도시된 본 실시예의 원자층 성장 장치에서는, 2개의 버퍼 탱크를 이용해 하나의 버퍼 탱크의 공급 밸브를 열어 원료 가스를 성막 챔버에 공급하고 있는 상태로, 공급 밸브를 열지 않은 한편의 버퍼 탱크의 충전 밸브를 열어 원료 가스의 충전을 실시하도록 했다. 예컨대, 2개의 버퍼 탱크를 이용해 충전 밸브를 열어 원료 가스를 충전하고 있는 버퍼 탱크의 공급 밸브는 닫아 원료 가스가 하한 규정치를 넘어 충전되고 있는 버퍼 탱크의 공급 밸브를 연 상태로 도입 제어 밸브를 열도록 했다. 이러한 각 밸브의 개폐의 제어는 제어부(제어 수단)의 제어에 의해 실시한다.
그 결과, 우선, 어느 상태에서도 원료 기화기(151)와 성막 챔버(101)가 연통되는 상태가 되지 않기 때문에 원료 기화기(151)로부터의 원료 가스가 직접 흐르는 것에 의한 압력의 변동이 억제된다. 또, 성막 챔버(101)에 원료 가스를 공급하고 있는 버퍼 탱크는 충전되고 있는 원료 가스의 압력이 항상 하한 규정치를 넘은 상태로 할 수가 있다. 이 때문에 1개의 버퍼 탱크에 대한 원료 가스의 충전 시간보다 짧은 사이클로 원자층 성장을 하는 경우 이어도 도 2의 타이밍 차트에 나타낸 바와 같이 원료 가스 공급 과정에서는 항상 원료 가스가 성막 챔버(101)에 공급되는 상태가 된다. 또, 성막 챔버(101)에 항상 안정된 압력 상태로 원료 가스가 공급되는 상태를 얻을 수 있다.
또, 상술한 바와 같이 2개의 버퍼 탱크를 이용함으로써 원료 기화기(151)의 원료 가스의 생성 능력이 낭비되는 것을 억제할 수 있게 된다. 1개의 버퍼 탱크로 원료 가스의 공급을 실시하는 경우 원료 가스가 공급되고 있는 동안 원료 가스의 충전이 정지되므로, 도 2에 도시된 예의 경우 전 프로세스의 반을 차지하는 원료 공급 과정 동안 원료 기화기(151)의 생성 능력이 낭비된다. 이와 달리 2개의 버퍼 탱크로 원료를 공급하는 경우 도 2의 "충전 상태"로 나타낸 바와 같이 원료 가스의 충전이 정지되고 있을 시간이 원료 공급 과정보다 짧아져 원료 기화기(151)에서의 원료 가스의 생성 능력의 낭비가 억제되는 상태가 된다.
그런데, 상술에서는 원료 공급 과정을 수행하지 않는 단계(도입 제어 밸브(155)가 닫혀지고 있는 상태)에도 몇 개의 버퍼 탱크내의 원료 가스의 압력이 하한 규정치보다 낮은 상태가 되면 다른 버퍼 탱크의 공급 밸브를 열어 도입 제어 밸브(155)까지는 원료 가스가 공급되고 있는 상태로 하고 있다. 예컨대, 시각(t5)에서 도입 제어 밸브(155)를 닫지만 공급 밸브A(154a)를 열고 있다. 그러나, 이에 한정하는 것은 아니고, 예컨대 시각(t6)의 단계에서 도입 제어 밸브(155)를 여는 것과 동시에 공급 밸브A(154a)를 열도록 해도 된다. 다만, 공급 밸브로부터 도입 제어 밸브(155)까지의 배관의 용적의 존재에 의한 원료 가스 공급의 지연을 고려하면 도 2에 도시된 바와 같이 제어함으로써 원료 가스 공급에 있어서의 압력 변동을 보다 억제할 수 있게 된다.
또, 전술의 방법에서는, 원료 공급 과정을 수행 하고 있는 동안(도입 제어 밸브(155)가 개방되어 있는 상태) 버퍼 탱크의 압력이 하한치 보다 낮으면 이 버퍼 탱크의 공급 밸브를 닫아 충전 밸브를 여는 것과 동시에 다른 버퍼 탱크의 공급 밸브를 여는 상태로 하고 있다. 예컨대, 시각(t2')에서 도입 제어 밸브(155)가 개방되어 있는 상태로 버퍼 탱크A(152a)의 압력이 하한 소정치보다 낮기 때문에 공급 밸브A(154a)를 닫고 충전 밸브A(153a)를 여는 것과 동시에 공급 밸브B(154b)를 열고 있다.
그러나, 이에 한정하는 것은 아니고 도입 제어 밸브가 열리는 타이밍에 2개의 공급 밸브를 교대로 개폐하도록 해도 된다. 예컨대, 우선 시각(t0)에서 도입 제어 밸브(155)를 여는 동시에 공급 밸브A(154a)를 연다. 이어서 다음에 도입 제어 밸브(155)를 여는 시각(t2)에서 공급 밸브A(154a)를 닫음과 동시에 공급 밸브B(154b)를 연다. 이어서 다음에 도입 제어 밸브(155)를 여는 시각(t4)에서 공급 밸브B(154b)를 닫는 것과 동시에 공급 밸브A(154a)를 연다. 이러한 동작을 반복하도록 제어한다. 충전 밸브A(153a) 및 충전 밸브B(153b)는 각각 대응하는 공급 밸브A(154a) 및 공급 밸브B(154b)를 닫았을 때에 열어 버퍼 탱크의 압력이 상한 규정치에 이르렀을 때에 닫도록 제어된다.
또, 도입 제어 밸브를 이용하지 않고 각 버퍼 탱크에 각각 설치된 공급 밸브를 제어함으로써 원료 가스를 성막 챔버에 공급하도록 해도 좋다. 예컨대, 도 4의 타이밍 차트에 도시된 바와 같이 각 밸브의 제어를 실시하면 좋다. 이 제어에 대해 설명하면 우선, 본 예에서는 모든 단계(시각)에 있어 도입 제어 밸브(155)는 열려 있는 상태로 한다. 또, 초기 단계에서는 버퍼 탱크A(152a)에 원료 가스가 충전되고 있는 상태로 한다. 이 상태에서는 제어부(156)는 충전 밸브A(153a), 공급 밸브A(154a), 충전 밸브B(153b), 및 공급 밸브B(154b)를 닫고 있다. 이 상태로 시각(t0)에서 원자층 성장의 원료 가스 공급 과정이 개시되면 제어부(156)는 공급 밸브A(154a)를 열어 버퍼 탱크A(152a)로부터 성막 챔버(101)에 원료 가스가 공급되는 상태로 한다.
다음에, 원료 가스 공급 과정이 종료되어 퍼지 과정이 개시되는 시각(t1)이 되면 제어부(156)는 공급 밸브A(154a)를 닫아 원료 가스의 공급이 정지된 상태로 하고 충전 밸브A(153a)를 열어 버퍼 탱크A(152a)에 원료 가스가 충전되는 상태로 한다. 다음에, 퍼지 과정이 종료하고 다음의 원료 공급 과정이 개시되는 시각(t2)이 되면 제어부(156)는 공급 밸브B(153b)를 열어 버퍼 탱크B(152b)로부터 성막 챔버(101)에 원료 가스가 공급되는 상태로 한다. 다음에, 이 원료 공급 과정 중 시각(t2')에서 버퍼 탱크A(152a)가 충전되고 있는 원료 가스의 압력이 상한 규정치로 되면 제어부(156)는 충전 밸브A(153a)를 닫는다.
다음에, 원료 가스 공급 과정이 종료되어 퍼지 과정이 개시되는 시각(t3)이 되면 제어부(156)는 공급 밸브B(153b)를 닫아 원료 가스의 공급이 정지된 상태로 하고 충전 밸브B(153b)를 열어 버퍼 탱크B(152b)에 원료 가스가 충전되는 상태로 한다. 다음에, 퍼지 과정이 종료하고 다음의 원료 공급 과정이 개시되는 시각(t4)이 되면 제어부(156)는 공급 밸브A(153a)를 열어 버퍼 탱크A(152a)로부터 성막 챔버(101)에 원료 가스가 공급되는 상태로 한다. 다음에, 이 원료 공급 과정 중 시각(t4')에서 버퍼 탱크B(152b)에 충전되고 있는 원료 가스의 압력이 상한 규정치로 되면 제어부(156)는 충전 밸브B(153b)를 닫는다.
다음에, 원료 가스 공급 과정이 종료되어 퍼지 과정이 개시되는 시각(t5)이 되면 제어부(156)는 공급 밸브A(153a)를 닫아 원료 가스의 공급이 정지된 상태로 하고 충전 밸브A(153a)를 열어 버퍼 탱크A(152a)에 원료 가스가 충전되는 상태로 한다. 다음에, 퍼지 과정이 종료하고 다음의 원료 공급 과정이 개시되는 시각(t6)이 되면 제어부(156)는 공급 밸브B(153b)를 열어 버퍼 탱크B(152b)로부터 성막 챔버(101)에 원료 가스가 공급되는 상태로 한다. 다음에, 이 원료 공급 과정 중 시각(t6')에서 버퍼 탱크A(152a)에 충전되고 있는 원료 가스의 압력이 상한 규정치로 되면 제어부(156)는 충전 밸브A(153a)를 닫는다.
다음에, 원료 가스 공급 과정이 종료되어 퍼지 과정이 개시되는 시각(t7)이 되면 제어부(156)는 공급 밸브B(153b)를 닫아 원료 가스의 공급이 정지된 상태로 하고 충전 밸브B(153b)를 열어 버퍼 탱크B(152b)에 원료 가스가 충전되는 상태로 한다. 이후, 전술한 바와 같이 시각(t8), 시각(t8'), 시각(t9), 시각(t10), 시각(t10'), 시각(t11), 시각(t12), 시각(t12'), ...로 반복된다. 덧붙여 상술한 원료 가스의 압력은 각 버퍼 탱크에 설치된 압력계(P)에 의해 측정하면 좋다.
이상의 제어에 있어서도 원료 기화기(151)와 성막 챔버(101)가 연통되는 상태가 없기 때문에 원료 기화기(151)로부터의 원료 가스가 직접 흐르는 것에 의한 압력의 변동이 억제된다. 또, 본 제어에 있어서도 예컨대 충전에는 시각(t1)에서 시각(t2')까지 필요로 하고 이 보다 짧은 시간(사이클)에 원자층의 성장(원료 가스 공급)을 하고 있지만, 도 4의 타이밍 차트에 도시된 바와 같이 원료 가스 공급 과정에서는 항상 원료 가스가 성막 챔버(101)에 공급되는 상태가 된다. 또, 성막 챔버(101)에 항상 안정된 압력 상태로 원료 가스가 공급되는 상태를 얻을 수 있다.
또, 상술에서는, 예컨대 버퍼 탱크에 설치된 압력계(P)에 의해 측정된 압력치를 이용해 버퍼 탱크에 충전되고 있는 원료 가스의 압력치가 하한 규정치를 넘고 있는 것을 확인하고 이 버퍼 탱크의 공급 밸브를 열어 원료 가스를 성막 챔버에 공급하도록 했지만 이에 한정하는 것은 아니다. 도 1에 도시된 바와 같이 각 공급 밸브로부터 공급되는 원료 가스의 유량을 유량계(F)로 측정하고 측정된 유량이 소정치를 초과하는 지 확인을 하는 등 유량의 측정 결과로 버퍼 탱크의 공급 밸브의 개폐를 제어해도 좋다.
덧붙여 상술에서는 2개의 버퍼 탱크를 이용하도록 했지만 이에 한정하는 것은 아니고 3개 이상의 버퍼 탱크를 이용하도록 해도 된다. 3개 이상의 버퍼 탱크를 이용하는 경우에도 우선, 이용하는 각 버퍼 탱크에 대해 원료 기화기(원료 기화 수단)가 생성한 원료 가스의 충전을 제어하는 충전 밸브와 버퍼 탱크로부터의 원료 가스의 공급을 제어하는 공급 밸브를 구비하면 좋다. 더하여, 충전 밸브를 열어 원료 가스를 충전하고 있는 버퍼 탱크의 공급 밸브는 닫아 원료 가스가 하한 규정 치를 넘어 충전되고 있는 버퍼 탱크의 공급 밸브를 연 상태로 도입 제어 밸브를 열도록 제어하면 좋다. 이와 같이 함으로써 각 사이클이 보다 짧은 간격으로 행해지는 경우 이어도 원료 공급 과정에서는 어느 하나의 버퍼 탱크로부터 항상 원료가 공급되는 상태를 얻을 수 있게 된다.
또한, 도 1에 도시된 본 실시예의 원자층 성장 장치는 유기 금속재료로 구성되는 원료 가스에 더하여 산소나 오존 등의 산화 가스를 사용하여 금속 산화막을 형성하는 원자층 성장에도 적용 가능하다. 예컨대, 유기 금속 원료 가스 공급 과정→퍼지 과정→산화 가스 공급 과정→퍼지 과정→...을 반복하면 금속 산화막의 형성이 가능하고 이 경우에도 복수의 버퍼 탱크를 이용하여 각 가스를 공급하도록 함으로써 가스 공급 과정이 단축되어도 보다 안정적으로 원료 가스를 공급할 수 있게 된다.
본 발명은 반도체 또는 화합물 반도체로 제조된 박막의 결정 성장 및 산화막 등의 형성에 매우 적합하게 이용된다.

Claims (4)

  1. 밀폐 가능한 내부 공간을 구비한 성막 챔버;
    원료를 기화시킴으로써 원료 가스를 생성하는 원료 기화 수단;
    상기 원료 기화 수단이 생성한 상기 원료 가스가 충전되는 병렬 접속된 복수의 버퍼 탱크;
    각각의 상기 버퍼 탱크에 설치되어 상기 원료 기화 수단이 생성한 상기 원료 가스의 충전을 제어하는 충전 밸브;
    각각의 상기 버퍼 탱크로부터의 상기 원료 가스의 공급을 제어하는 공급 밸브;
    각각의 상기 충전 밸브 및 각각의 상기 공급 밸브의 개폐를 제어하는 제어 수단을 적어도 포함하고,
    상기 제어 수단은 적어도 1개의 상기 버퍼 탱크의 상기 공급 밸브를 열어 상기 원료 가스를 상기 성막 챔버에 공급하고 있는 상태로, 상기 공급 밸브를 열지 않은 다른 상기 버퍼 탱크의 상기 충전 밸브를 열어 상기 원료 가스의 충전을 실시하도록 제어하고,
    상기 복수의 버퍼 탱크는 하나의 단일 원료 기화 수단에 접속되어 있는 복수의 버퍼 탱크인 것을 특징으로 하는 원자층 성장 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어 수단은 충전 밸브를 열어 상기 원료 가스를 충전하고 있는 상기 버퍼 탱크의 공급 밸브는 닫고 상기 원료 가스가 버퍼 탱크의 압력의 하한 규정치를 넘어 충전되고 있는 버퍼 탱크의 공급 밸브는 열어 상기 원료 가스를 상기 성막 챔버에 공급하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 원자층 성장 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    각각의 상기 버퍼 탱크로부터 공급된 상기 원료 가스의 상기 성막 챔버에의 도입을 제어하는 도입 제어 밸브를 더 포함하고,
    상기 제어 수단은 상기 도입 제어 밸브를 여는 것과 동시에 적어도 1개의 상기 버퍼 탱크의 상기 공급 밸브를 열어 상기 원료 가스를 공급하고 있는 상태로, 상기 공급 밸브를 열지 않은 다른 상기 버퍼 탱크의 상기 충전 밸브를 열어 상기 원료 가스의 충전을 실시하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 원자층 성장 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제어 수단은 충전 밸브를 열어 상기 원료 가스를 충전하고 있는 버퍼 탱크의 공급 밸브는 닫고 상기 원료 가스가 버퍼 탱크의 압력의 하한 규정치를 넘어 충전되고 있는 버퍼 탱크의 공급 밸브는 연 상태로 상기 도입 제어 밸브를 열도록 제어하는 것을 특징으로 하는 원자층 성장 장치.
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Families Citing this family (245)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2006414A2 (en) * 2006-03-30 2008-12-24 Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. Atomic layer growing apparatus
KR100851439B1 (ko) * 2007-02-01 2008-08-11 주식회사 테라세미콘 소스가스 공급장치
KR101028044B1 (ko) * 2007-09-04 2011-04-08 주식회사 테라세미콘 소스가스 공급장치
JP4418001B2 (ja) * 2008-03-12 2010-02-17 三井造船株式会社 原料供給装置
JP5355135B2 (ja) * 2009-02-19 2013-11-27 中国電力株式会社 燃料電池発電設備
JP5520552B2 (ja) 2009-09-11 2014-06-11 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US9348339B2 (en) 2010-09-29 2016-05-24 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for multiple-channel pulse gas delivery system
US8997686B2 (en) 2010-09-29 2015-04-07 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US10353408B2 (en) 2011-02-25 2019-07-16 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US10126760B2 (en) 2011-02-25 2018-11-13 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US10031531B2 (en) 2011-02-25 2018-07-24 Mks Instruments, Inc. System for and method of multiple channel fast pulse gas delivery
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5824372B2 (ja) * 2012-01-25 2015-11-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びプロセス状態の確認方法
US9238865B2 (en) 2012-02-06 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Multiple vapor sources for vapor deposition
JP5547762B2 (ja) * 2012-03-12 2014-07-16 三井造船株式会社 薄膜形成装置
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
KR20140073198A (ko) 2012-12-06 2014-06-16 삼성디스플레이 주식회사 유기물 기화 장치 및 그 제어방법
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP2015073020A (ja) * 2013-10-03 2015-04-16 三井造船株式会社 原子層堆積装置および原子層堆積方法
JP5859586B2 (ja) * 2013-12-27 2016-02-10 株式会社日立国際電気 基板処理システム、半導体装置の製造方法および記録媒体
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6359913B2 (ja) * 2014-08-12 2018-07-18 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP6415215B2 (ja) * 2014-09-26 2018-10-31 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP2016134569A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社東芝 半導体製造装置
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10273584B2 (en) 2016-12-09 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Thermal atomic layer etching processes
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) * 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) * 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10283319B2 (en) 2016-12-22 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer etching processes
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
JP7105765B2 (ja) * 2017-05-11 2022-07-25 株式会社堀場エステック 液体材料気化供給装置及び制御プログラム
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
JP7107648B2 (ja) 2017-07-11 2022-07-27 株式会社堀場エステック 流体制御装置、流体制御システム、流体制御方法、及び、流体制御装置用プログラム
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
JP6937894B2 (ja) * 2018-03-22 2021-09-22 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102504958B1 (ko) 2018-04-02 2023-03-03 삼성전자주식회사 박막 증착 방법 및 박막 증착 장치
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
JP7259281B2 (ja) * 2018-11-21 2023-04-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
JP7246184B2 (ja) * 2018-12-27 2023-03-27 東京エレクトロン株式会社 RuSi膜の形成方法
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP6902060B2 (ja) * 2019-02-13 2021-07-14 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法、およびプログラム
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
US11788190B2 (en) * 2019-07-05 2023-10-17 Asm Ip Holding B.V. Liquid vaporizer
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019201A (ja) 2019-07-18 2021-02-15 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 半導体処理システム用シャワーヘッドデバイス
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11946136B2 (en) 2019-09-20 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing device
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US20210171416A1 (en) * 2019-11-12 2021-06-10 Forge Nano Inc. Coatings on particles of high energy materials and methods of forming same
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11574813B2 (en) 2019-12-10 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer etching
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
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TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
JP7203070B2 (ja) * 2020-09-23 2023-01-12 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
WO2024062569A1 (ja) * 2022-09-21 2024-03-28 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
WO2024062577A1 (ja) * 2022-09-21 2024-03-28 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
CN116926504A (zh) * 2023-09-19 2023-10-24 上海星原驰半导体有限公司 前驱体输出装置和原子层沉积设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11117070A (ja) * 1997-10-14 1999-04-27 Nissan Motor Co Ltd 化学的気相成長装置
JP2004134466A (ja) * 2002-10-08 2004-04-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処埋装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05186295A (ja) 1992-01-13 1993-07-27 Fujitsu Ltd 結晶成長方法
JPH10306377A (ja) * 1997-05-02 1998-11-17 Tokyo Electron Ltd 微量ガス供給方法及びその装置
JP2002129337A (ja) 2000-10-24 2002-05-09 Applied Materials Inc 気相堆積方法及び装置
US6936086B2 (en) * 2002-09-11 2005-08-30 Planar Systems, Inc. High conductivity particle filter
JP5264039B2 (ja) * 2004-08-10 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
EP2006414A2 (en) * 2006-03-30 2008-12-24 Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. Atomic layer growing apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11117070A (ja) * 1997-10-14 1999-04-27 Nissan Motor Co Ltd 化学的気相成長装置
JP2004134466A (ja) * 2002-10-08 2004-04-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処埋装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2006414A2 (en) 2008-12-24
WO2007114156A1 (ja) 2007-10-11
TWI371785B (ko) 2012-09-01
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US8202367B2 (en) 2012-06-19
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TW200741827A (en) 2007-11-01
JP4866898B2 (ja) 2012-02-01

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