KR101015766B1 - 고체 촬상 소자 - Google Patents

고체 촬상 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101015766B1
KR101015766B1 KR1020097024776A KR20097024776A KR101015766B1 KR 101015766 B1 KR101015766 B1 KR 101015766B1 KR 1020097024776 A KR1020097024776 A KR 1020097024776A KR 20097024776 A KR20097024776 A KR 20097024776A KR 101015766 B1 KR101015766 B1 KR 101015766B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical sensor
conductivity type
type impurity
solid
impurity region
Prior art date
Application number
KR1020097024776A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090127198A (ko
Inventor
다까시 가스가
Original Assignee
소니 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소니 주식회사 filed Critical 소니 주식회사
Publication of KR20090127198A publication Critical patent/KR20090127198A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101015766B1 publication Critical patent/KR101015766B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14831—Area CCD imagers
    • H01L27/14843—Interline transfer
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14806—Structural or functional details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14806—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Abstract

반도체 기판(6)의 표면부에 매트릭스 형상으로 배열한 복수개의 광센서(4)가 생성한 전하는 광센서(4)의 하방에 매립된 제1 및 제2 전송 전극(12, 14)에 의해 전송된다. 반도체 기판(6)은 실리콘에 의한 지지 기판(16), 버퍼층(18), 단결정 실리콘에 의한 박막 실리콘층(20)을 적층하여 구성되어 있다. 광센서(4) 아래에 p- 영역(26)(오버 플로우 배리어)과 전송로로서의 n형 영역(28)이 형성되어 있다. 제1 및 제2 전송 전극(12, 14)은 n형 영역(28)과 버퍼층(18)과의 사이에 매립되고, n형 영역(28)과의 사이에는 절연막(30)이 개재하고 있다. 이 구조에서는 표면부에 전송 전극이 존재하지 않아 수광 면적이 확대되므로 다화소화를 위해 광센서(4)를 소형화해도 감도를 확보할 수 있다.
Figure R1020097024776
광 센서, 버퍼층, 박막 실리콘층, 절연막

Description

고체 촬상 소자{SOLID-STATE IMAGING DEVICE}
본 발명은 고체 촬상 소자에 관한 것이다.
최근 급속히 시장이 확대되고 있는 민간용 디지털 스틸 카메라는, 은염 사진에 견줄 수 있는 고화질을 실현하기 위해, 고체 촬상 소자의 화소 수를 100만 화소 이상으로 할 필요가 있으며, 최근에는 300만 화소 이상의 것도 제품으로서 실용화되고 있다. 한편, 민간용 디지털 스틸 카메라는, 카메라의 소형화도 필수이므로, 고체 촬상 소자의 칩 사이즈를 바꾸지 않거나, 혹은 더 작게 하면서 고체 촬상 소자의 다화소화를 실현해야 한다.
다화소화에 중점을 둔 고체 촬상 소자로서는, 주로 IT-IS(Interline Transfer-Interace Scan: 인터라인 트랜스퍼-인터레이스 스캔, 이하 별도 설명 없이 'IT-IS'로 표기함)형 CCD(Charge Coupled Device: 전하 결합 소자, 이하 별도 설명 없이 'CCD'로 표기함)가 사용되고 있다. 이 종류의 고체 촬상 소자에서, 칩 사이즈를 지금과 동일한 상태에서 다화소화를 도모하면, 광전 변환의 단위 유닛 셀의 사이즈는 당연히 작아져, 감도의 저하나, 포화 신호량 등의 취급 전하량의 감소가 발생한다. 이것을 보완하기 위해, 종래부터 특성 개선이 다양하게 행해져, 유 닛 셀의 소형화에 의한 특성 열화를 억제하여 다화소화가 실현되고 있다. 그러나, 한층 다화소화를 도모한 경우에는, 어느 정도의 성능의 열화는 피할 수 없다.
이 문제를 근본적으로 해결하기 위해 종래부터 이하와 같은, 고체 촬상 소자를 구성하는 광센서나 전하 전송 전극 등의 능동 소자의 다층화가 제안되고 있다.
(1) 신호 전하의 전송부 상에, 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘에 의해 광전 전환부를 형성하고, 고체 촬상 소자의 전면을 수광면으로 하여 수광량의 증대에 의한 감도의 향상을 도모하는 방법이 제안되고 있다. 그러나, 이 방법으로는, 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘이, 단결정 실리콘과 비교하여 전자 및 홀의 이동도가 작고, 잔상 등의 문제가 발생하여 실용적인 고체 촬상 소자를 실현하는 것은 곤란하다.
(2) 백 에칭에 의해서 실리콘 기판을 수십 ㎛ 정도의 두께로 박막화하여, 광센서의 이면측으로부터 광을 입사시켜 촬상하는 방법이 제안되고 있다. 이 방법으로는 전송 전극 등의 방해없이 입사광량이 증대하기 때문에 감도가 향상한다. 그러나, 실리콘 기판의 박막화에 한계가 있기 때문에, 실리콘에 대한 투과율이 높은 적외광 영역에서의 응용 등에 용도가 한정된다. 또한, 미세화가 곤란하기 때문에, 고밀도화가 요구되는 다화소의 촬상 소자에는 적합하지 않다.
(3) 광전 전환부가 전하 전송부를 겸한 구조의 FT(Frame Transfer: 프레임 트랜스퍼, 이하 별도 설명 없이 'FT'로 표기함) 방식의 CCD도, 실효적인 전하 축적 부분의 면적 확대에 유효하기는 하지만, 전송 전극의 광 흡수에 의한 단파장측에서의 감도 저하의 문제나, 광전 전환부가 전하 전송부를 겸하는 것에 의해 발생하는 암 전류가 IT(Interline Transfer: 인터라인 트랜스퍼, 이하 별도 설명 없이 'IT'로 표기함) 방식과 비교하여 커서, SN비(Signal to Noise ratio: 신호대잡음비, 이하 별도 설명 없이 'SN비'로 표기함)의 면에서 볼 때 불리하다는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 그 주된 목적은, 사이즈를 크게 하지 않고 더 높은 다화소화를 도모할 수 있는 구조를 구비한 고체 촬상 소자 및 상기 고체 촬상 소자의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 고체 촬상 소자, 및 본 발명의 제조 방법에 의해 제조한 고체 촬상 소자에서는, 광센서와 버퍼층과의 사이, 즉 광센서의 배후에 전극이 배치되어 있으므로, 이 전극을 예를 들면 전하 전송 전극으로서 이용하면, 광센서의 수광면측의 전하 전송 전극을 생략하는 것도 가능하여, 그 경우에는 광센서의 수광면을 종래보다 넓게 취할 수 있다.
또한, 이 전극을 오버 플로우 드레인 전극으로서 이용한 경우에는, 이 전극에 전압을 인가함으로써 광센서에 축적된 불필요한 전하를 배출할 수 있다.
또한, 본 발명의 고체 촬상 소자의 제조 방법으로는, 실리콘 기판의 제1 면에 전극을 형성하기 전의 단계에서, 실리콘 기판의 제1 면측의 표면부에, 저에너지로 이온 주입을 행하고, 완성 후에 광센서 하방의 위치로 되는 오버 플로우 배리어를 형성할 수 있다. 따라서, 오버 플로우 배리어를 형성하기 위해 종래와 같이 실리콘 기판의 깊은 위치에 이온 주입을 행할 필요가 없고, 주입 불순물의 프로파일을 양호하게 제어할 수 있으므로, 오버 플로우 배리어를 더 얇은 층으로 할 수 있 다.
본 발명의 고체 촬상 소자, 및 본 발명의 제조 방법에 의해 제조한 고체 촬상 소자에서는, 광센서와 버퍼층과의 사이, 즉 광센서의 배후에 전극이 배치되어 있으므로, 이 전극을 예를 들면 전하 전송 전극으로서 이용하면, 광센서의 수광면측에 전하 전송 전극을 배치할 필요가 없다. 또한, 이 전극을 오버 플로우 드레인 전극으로서 이용한 경우에는, 이 전극에 전압을 인가함으로써 광센서에 축적된 불필요한 전하를 배출할 수 있다.
이어서 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
도 1의 (A) 및 (B)는 본 발명에 따른 고체 촬상 소자의 일례를 도시하는 부분 단면 측면도이고, 도 2는 도 1의 고체 촬상 소자의 부분 평면도이다. 도 1의 (A)는 도 2에서의 AA'선을 따라 자른 단면을 도시한다. 도 1의 (B)는 도 2에서의 BB'선을 따라 자른 단면을 도시하고 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시예의 고체 촬상 소자(2)는, 복수개의 광센서(4)를 반도체 기판(6)의 표면부에, 상호 측방에 인접시켜 매트릭스 형상으로 배열하여 구성되어 있다. 각 광센서(4)는 행 방향으로는, 도 1의 (B)에도 도시한 바와 같이 소자 분리 영역(8)에 의해 서로 분리되고, 열 방향으로는 도 1의 (A)에도 도시한 바와 같이 채널 스톱 영역(10)으로서 고농도의 p형 불순물을 예를 들면 이온 주입한 p형 영역에 의해 분리되어 있다. 또, 도 2는 후술하는 차광막보다 하측 의 구조를 도시한 도면으로 되어 있다.
또한, 광센서(4)가 수광하여 생성한 신호 전하를 전송하는 전송 전극으로서, 각 광센서(4)마다 제1 및 제2 전송 전극(12, 14)(본 발명에 관한 전극)이 형성되고, 제1 및 제2 전송 전극(12, 14)은 각 행을 이루는 광센서(4)에 공통으로 형성되어 광센서(4)의 행 방향으로 연장하여 형성됨과 함께, 광센서(4)의 열 방향으로 교대로 배치되어 있다. 그리고, 이들 제1 및 제2 전송 전극(12, 14)은 본 실시예에서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(6)의 표면이 아니고, 광센서(4)의 하방(배후)에 매립되어 있다.
반도체 기판(6)은, 예를 들면 실리콘에 의한 지지 기판(16), 절연 재료로 이루어지는 버퍼층(18), 및 단결정 실리콘 박막, 즉 박막 실리콘층(20)을 이 순서로 하방에서부터 적층한 구조로 되어 있다. 박막 실리콘층(20)의 표면측에는 일례로서 고농도의 p형 불순물을 포함하는 p+ 영역(22), 및 일례로서 n형 불순물을 포함하는 n형 영역(24)으로 이루어지는 광센서(4)가 형성되고, 그 아래에 오버 플로우 배리어로서 저농도의 p형 불순물을 포함하는 p- 영역(26)이, 또한 그 아래에 광센서(4)가 생성한 신호 전하의 전송로가 되는 일례로서 n형 불순물을 포함하는 n형 영역(28)이 형성되어 있다.
상기 제1 및 제2 전송 전극(12, 14)은, n형 영역(28)과 버퍼층(18)과의 사이에 매립되고, 제1 및 제2 전송 전극(12, 14)과 n형 영역(28)과의 사이에는 절연막(30)이 개재하고 있다. 제1 및 제2 전송 전극(12, 14)의 재료로서는, 예를 들면 폴리실리콘, 혹은 알루미늄이나 텅스텐 등의 금속 재료를 이용할 수 있으며, 절연막(30)의 재료로서는, 예를 들면 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 티탄옥시나이트라이드, 탄화 실리콘 등을 이용할 수 있다. 제1 및 제2 전송 전극(12, 14)은, 도 1의 (A)에 도시한 바와 같이, 상호 절연층에 의해 분리되고, 제1 전송 전극(12)은 본 실시예에서는 각 광센서(4)의 거의 바로 아래의 위치에 배치되고, 한편 제2 전송 전극(14)은 채널 스톱 영역(10)의 하방에 배치되어 있다.
광센서(4)의 표면에는, 광센서(4)에 입사하는 광의 반사를 방지하여 광센서(4)에의 입사광량을 많게 하기 위한 반사 방지막(32)이 형성되어 있다. 반사 방지막(32)은 구체적으로 설명하면 실리콘의 산화물 혹은 질화물에 의해 형성할 수 있다. 그리고 박막 실리콘층(20) 위에는, 광센서(4)의 개소에서 개구된 차광막(34)이 절연층을 개재하여 형성되고, 그 위에는 평탄화막(38)이 형성되어, 또한 컬러 필터(40), 온칩 렌즈(42)가 종래의 고체 촬상 소자와 마찬가지로 형성되어 있다.
이어서, 이와 같이 구성된 고체 촬상 소자(2)의 동작에 대하여 설명한다. 촬영시에는, 고체 촬상 소자(2)의 전방에 배치된 도시되지 않은 메케니컬 셔터가 개방되어, 각 광센서(4)에 광이 입사한다. 광센서(4)는 입사한 광을 광전 변환하여 신호 전하를 생성하고, 축적한다. 그 후, 메케니컬 셔터가 폐쇄되어, 노광이 정지하면, 제1 및 제2 전송 전극(12, 14)에 순차적으로, 전송 펄스가 인가되며, 노광 시에 전송로에 들어온 불필요한 전하가 배출된다.
이어서, 1개 간격의 예를 들면 짝수번째의 제1 전송 전극(12)에 양의 전압이 인가되고, 대응하는 광센서(4)에 축적된 신호 전하가 전송로인 n형 영역(28)에 판독된다. 또, 여기서는 인터레이스 방식으로 신호 전하를 판독함으로써, 상술된 바와 같이 1개 간격의 제1 전송 전극(12)에 양의 전압이 인가된다.
이어서, 이와 같이 판독된 신호 전하는 제1 및 제2 전송 전극(12, 14)에 전송 펄스를 인가하는 것에 의해 도시되지 않은 수평 전하 전송 레지스터의 방향(제1 및 제2 전송 전극(12, 14)의 배열 방향)을 향하여 순차적으로 전송된다. 그리고 수평 전하 전송 레지스터에 공급된 광센서(4)의 행마다의 신호 전하는 수평 전하 전송 레지스터에 의해 순차적으로 전송되어, 전압으로 변환된 후, 화상 신호로서 고체 촬상 소자(2)로부터 출력된다.
그 후, 이번에는 홀수번째의 제1 전송 전극(12)에 양의 전압을 인가하여 대응하는 광센서(4)로부터 신호 전하가 판독되고, 이후 마찬가지로 제1 및 제2 전송 전극(12, 14)에 전송 펄스를 인가하여 순차적으로 전송된다. 이와 같이 하여 모든 광센서가 수광하여 생성한 신호 전하가 모두 광센서(4)로부터 판독되어, 촬영 화상의 화상 신호가 고체 촬상 소자(2)로부터 출력된다.
이러한 본 실시예의 고체 촬상 소자(2)에서는, 박막 실리콘층(20)의 표면에는 종래와 같이 전송 전극이 형성되어 있지 않고, 광센서(4)의 면적이 종래보다 넓게 되어 있으므로, 광센서(4)에는 충분한 광량의 광이 입사된다. 따라서, 고체 촬상 소자(2)의 사이즈를 크게 하지 않고 다화소화를 도모하여 개개의 유닛 셀(화소)이 작아져도 필요한 감도를 확보할 수 있어, 고체 촬상 소자(2)의 다화소화가 한층 더 가능하게 된다.
또한, 유닛 셀의 사이즈를 종래와 동일하게 한 경우에는, 광센서(4)가 크기 때문에 고체 촬상 소자(2)의 감도는 종래보다 높아지고, 또한 광센서(4)가 취급할 수 있는 전하량이 증대한 결과, 고체 촬상 소자(2)의 다이내믹 범위가 확대된다.
또한, 박막 실리콘층(20)은 단결정 실리콘에 의해 형성되어 있으므로, 다결정 실리콘이나 비정질 실리콘을 이용한 경우와 달리, 전자 및 홀의 이동도는 충분하여, 잔상 등의 문제는 발생하지 않는다.
그리고, 본 실시예에서는, 광센서(4)에 입사하고, 또한 광센서(4)를 투과한 광은, 제1 및 제2 전송 전극(12, 14)의 표면이나 절연막(30)의 표면에서 반사하여 광센서(4)측으로 되돌아가, 광센서(4)에 의해 광전 변환된다. 또한, 이 복귀광이 광센서(4)를 투과해도, 반사 방지막(32)의 상면 및 하면에서 반사하여, 광센서(4)에 의해 광전 변환된다. 이와 같이 본 실시예에서는 제1 및 제2 전송 전극(12, 14) 및 절연막(30)과 반사 방지막(32)과의 사이에서 광이 다중 반사하므로, 광이 광센서(4)를 통과하는 거리가 전체적으로 길어지고, 입사광은 매우 효율적으로 광전 변환된다. 따라서, 광센서(4)를 얇게 형성하여 광센서(4)를 소형화해도 충분한 감도를 확보할 수 있어, 고체 촬상 소자(2)의 소형화에 유리하게 된다.
또한, 절연막(30)의 재료 및 두께를 적절하게 선정하여, 절연막(30)의 표면 및 전송 전극의 표면에서 반사한 광을, 상호 강화하도록 간섭시키면 반사광은 한층 더 강해져, 감도 향상에 유효하다. 마찬가지로, 반사 방지막(32)에서도, 그 재료 및 두께를 적절하게 선정하여, 반사 방지막(32)의 상면 및 하면에서 반사한 광을, 상호 강화하도록 간섭시킴으로써, 감도 향상을 한층 더 도모할 수 있다.
또한, 가시광의 실리콘에서의 흡수 계수는 장파장측(적색측)일수록 작아, 종래에는 적색으로부터 근적외선측의 감도를 유지하기 위해 광센서(4)의 깊이를 수 미크론으로부터 10미크론 정도로 하고 있었지만, 본 실시예에서는, 이러한 제한이 없어진다. 그리고, 절연막(30) 및 반사 방지막(32)의 굴절율 및 두께, 및 광의 파장을 고려한 광학 설계를 적절하게 행함으로써, 모든 파장의 광에 대하여 높은 감도를 갖도록 고체 촬상 소자를 구성할 수 있다.
또, 본 실시예에서는 인터레이스 방식에 의해 신호 전하를 판독했지만, 각 광센서(4)마다 3개의 전송 전극을 형성하여 한번에 모든 광센서로부터의 신호 전하를 판독하는 구성으로 하는 것도 용이하다.
이어서, 본 발명의 제2 실시예에 대하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예를 도시하는 부분 단면 측면도이고, 도 4는 제2 실시예의 부분 평면도이다. 도 3은 도 4에서의 CC'선을 따라 자른 단면을 도시하고 있다. 도 3에서, 도 1과 동일한 요소에는 동일한 부호가 첨부되어 있고, 이들에 관한 설명은 여기서는 생략한다.
이들 도면에 도시한 제2 실시예의 고체 촬상 소자(44)는, 광센서(4) 및 신호 전하의 전송에 관해서는 종래의 IT-IS 방식의 고체 촬상 소자와 마찬가지의 구조로 되어 있지만, 본 발명에 관한 전극을 오버 플로우 드레인 전극으로서 형성한 점에서 종래의 고체 촬상 소자 및 상기 실시예의 고체 촬상 소자(2)와는 다르다.
고체 촬상 소자(44)를 구성하는 반도체 기판(46)은, 지지 기판(16), 버퍼층(18), 및 박막 실리콘층(20)을 적층한 구조로 되어 있고, 오버 플로우 드레인 전 극(48)(본 발명에 관한 전극)은, 광센서(4)와 버퍼층(18)과의 사이, 보다 구체적으로 설명하면 박막 실리콘층(20)과 버퍼층(18)과의 사이에 매립되어 있다. 오버 플로우 드레인 전극(48)은, 도 4에 도시한 바와 같이, 광센서(4)의 각 열마다 형성되어 열 방향으로 연장하고 있다.
오버 플로우 드레인 전극(48)에 접하는 박막 실리콘층(20)의 표면부에는 n+ 영역(58)이 형성되어 있다.
박막 실리콘층(20)의, 버퍼층(18)과 반대측의 표면에는, 각 광센서(4)마다 제1 및 제2 표면 전송 전극(50, 52)이 형성되고, 이들은 도 4에 도시한 바와 같이, 광센서(4)의 열 방향으로 교대로 배열되어 있다. 또한, 제1 및 제2 표면 전송 전극(50, 52)은 행을 이루는 각 광센서(4)에 대하여 공통으로 형성되며, 따라서 행의 방향으로 연장하고 있다. 제1 및 제2 표면 전송 전극(50, 52)의 하방의 박막 실리콘층(20)에는, 도 3에 도시한 바와 같이, n형 영역(54)이 전하 전송로로서 형성되며, 오버 플로우 배리어(26A)와 n형 영역(54)과의 사이에는 p+ 영역(56)이 형성되고, 전하 전송로와 광센서(4)와의 사이에는 n- 영역(60)이 형성되어 있다. 또한, 제1 및 제2 표면 전송 전극(50, 52)은 도 3에 도시한 바와 같이, 차광막(62)에 의해 피복되어 있다.
이와 같이 구성된 고체 촬상 소자(44)에서는, 광센서(4)에 축적된 불필요한 전하는, 오버 플로우 드레인 전극(48)에 양의 전압을 인가함으로써 배출할 수 있다.
여기서는, 오버 플로우 드레인 전극(48)은, 광센서(4)의 각 열마다 형성되어 있다고 했지만, 광센서(4)를 행마다 형성하거나, 혹은 각 광센서(4)마다 독립적으로 형성하는 것도 물론 가능하다.
그리고, 이러한 오버 플로우 드레인 전극(48)에 의해, 화소 씨닝, 전자 줌, 고기능 전자 셔터 등을 실현할 수 있다.
즉, 고체 촬상 소자(44)에서 예를 들면 1열 간격의 오버 플로우 드레인 전극(48)에 양의 전압을 인가하여 대응하는 열의 광센서(4)에 의한 신호 전하를 폐기하면, 화소 열을 1열 간격으로 씨닝할 수 있으며, 수평 방향에서 1/2로 축소된 화상을 얻을 수 있다. 종래부터, 1행 간격으로 화소 행을 씨닝함으로써 신호 전하의 판독의 고속화를 도모하여, 파인더 기능으로서 모니터 화상을 고프레임 레이트로 동화상 표시할 수 있도록 하거나, 혹은 오토포커스나, 자동 노광을 행할 때에 충분한 성능을 얻을 수 있도록 되어 있었다. 그러나, 행 방향에서의 씨닝뿐이었기 때문에, 화상의 종횡비는 본래의 것과 상이한 것으로 되었다. 따라서, 오버 플로우 드레인 전극(48)에 의한 상술한 바와 같은 1열 간격의 화소 씨닝을 조합하면, 화상의 종횡비를 본래의 종횡비에 일치시키는 것이 가능하게 된다. 또, 화소의 수는 1/4로 되므로, 한층 더 높은 프레임 레이트를 실현할 수 있다.
또한, 오버 플로우 드레인 전극을 각 광센서(4)마다 형성하면, 예를 들면 주변부에 배열된 광센서(4)에 의한 신호 전하는 파기하고, 중앙부의 구형 영역에 배열된 광센서(4)가 생성한 신호 전하만을 판독하는 구성도 가능하게 된다. 전자 줌을 행하는 경우에는 일부의 광센서(4)로 생성된 신호 전하만을 이용하면 되므로, 전자 줌을 행할 때에, 이러한 기능을 사용하면, 일부의 광센서(4)(예를 들면 중앙부의 구형 영역의 광센서(4))로부터로만의 신호 전하를 판독하여 고속으로 화상을 얻을 수 있으며, 또한 동화상 표시를 행하는 경우에는 고프레임 레이트로 화상을 표시할 수 있다.
또한, 오버 플로우 드레인 전극(48)을 전자 셔터 수단으로서 이용하고, 인접 화소 사이에서 광센서(4)에서의 전하 축적 시간을 상이한 값으로 설정하여 다이내믹 범위의 확대를 도모할 수도 있다. 즉, 인접하는 2개의 화소에서 한쪽에는 축적 시간을 길게 설정하고(오버 플로우 드레인 전극(48)에 양의 전압을 빠른 타이밍으로 인가함), 다른 쪽에는 짧게 설정한다(오버 플로우 드레인 전극(48)에 양의 전압을 느린 타이밍으로 인가함). 이에 의해 광량이 큰 광이 입사한 경우, 축적 시간이 긴 화소에서는 전하가 포화하지만, 축적 시간이 짧은 화소에서는 전하는 포화하지 않아, 광의 검출이 가능하다. 따라서 광량이 큰 경우에는 축적 시간이 짧은 화소에 의한 검출 결과에 의해 화상 신호를 생성하는 구성으로 하면 된다. 반대로 광량이 극히 작은 광인 경우에는, 축적 시간이 긴 화소에 의한 검출 결과를 이용함으로써 미소광이라도 충분한 감도로 촬상하는 것이 가능하게 된다.
또한, 다음과 같은 방법에 의해 다이내믹 범위의 확대를 도모하는 것도 가능하다. 즉, 모든 광센서에 대하여 임의의 축적 시간을 설정하여 일단 촬상하고, 그 결과로부터 각 화소마다의 입사광량의 맵 데이터를 작성한다. 이 맵 데이터에 기초하여, 전하의 포화가 발생하고 있는 영역을 조사하고, 포화하지 않은 영역에 배치된 광센서(4)에 대해서는 축적 시간을 그대로 하는 한편, 포화가 발생하고 있는 영역의 광센서(4)에 대해서는 축적 시간을 짧게 한다. 그리고, 재차 촬상하면, 이번에는 전체 영역에서 포화는 발생하지 않고 양호한 화상이 얻어진다.
또한, 이 고체 촬상 소자(44)에서도 오버 플로우 드레인 전극(48)과 반사 방지막(32)과의 사이에서 광이 다중 반사하여, 광이 광센서(4)를 통과하는 거리가 전체적으로 길어지므로, 종래보다 높은 광 검출 감도를 얻을 수 있다.
이어서, 본 발명에 따른 고체 촬상 소자의 제조 방법의 실시예에 대하여 설명한다.
도 5a, 도 5b, 도 5c는 본 발명에 따른 고체 촬상 소자의 제조 방법의 일례를 도시하는 공정도이고, 도 6a, 도 6b, 도 6c는 도 5c에 이은 공정을 도시하는 공정도로서, 고체 촬상 소자의 제조에서의 각 단계의 기판 구조의 일부를 측단면으로 도시하고 있다. 도면에서, 도 1 및 도 2와 동일한 요소에는 동일한 부호가 첨부되어 있다.
이 실시예의 제조 방법은, 일례로서 상기 고체 촬상 소자(2)를 제조하는 것으로, 우선 도 5a에 도시한 바와 같이, 단결정 실리콘에 의한 실리콘 기판(64)의 제1 면(66)에, 인접하는 광센서를 분리하는 트렌치(68)를 일정한 간격으로 형성한다.
이어서, 도 5b에 도시한 바와 같이, 각 트렌치(68)에 소자 분리를 위한 재료를 충전하여 소자 분리 영역(8)을 형성한다. 여기서 트렌치(68)에 충전하는 재료로서는, 이후에 행하는 CMP(Chemical Mechanical Polishing: 화학적 기계 연마, 이하 별도 설명 없이 'CMP'로 표기함)에서의 스토퍼로 되고, 또한 차광성을 갖는 재 료로서 실리콘의 산화물이나 질화물을 이용할 수 있다. 이어서, 고농도의 p형 불순물을 선택적으로 이온 주입하여 트렌치(68)에 직교하여 연장하는 채널 스톱 영역(도시 생략)을 지면에 직교하는 방향에서 간격을 두고 형성한다. 그리고, 실리콘 기판(64)의 제1 면(66)측으로부터 저에너지로 이온 주입을 행하여, 오버 플로우 배리어로서의 저농도의 p형 불순물을 포함하는 p- 영역(26)을 형성한다.
이어서, 실리콘 기판(64)의 제1 면(66) 위에 도 1의 절연막(30)으로 하는 절연막(도 5a∼도 5c, 도 6a∼도 6c에서는 생략)을 형성한 후, 광센서의 행마다, 광센서(4)의 행 방향으로 연장하는 제1 및 제2 전송 전극(12, 14)을 형성한다(도 5b에서는 제1 전송 전극(12)만이 도시되어 있음).
이 후, 도 5c에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 전송 전극(12, 14) 위에 예를 들면 이산화 실리콘을 퇴적시켜 버퍼층(18)을 형성한다.
그리고, 도 6A에 도시한 바와 같이, 버퍼층(18) 위에 예를 들면 실리콘으로 이루어지는 지지 기판(16)을 접합하고, 이어서 전체를 실리콘 기판(64)의 제2 면(72)이 위가 되도록 배치하여, 실리콘 기판(64)을, 제2 면(72)으로부터 소자 분리 영역(8)의 저부(도 6a에서는 상단부)가 노출될 때까지 CMP에 의해 연마하고, 박막화하여 박막 실리콘층(20)을 얻는다. 그 때, 소자 분리 영역(8)의 상기 저부를 CMP 스토퍼로서 이용한다.
이어서, 도 6b에 도시한 바와 같이, 연마 후의 실리콘 기판(64)의 제2 면(72)으로부터 불순물을 이온 주입하여 실리콘 기판(64) 내에 광센서(4)를 형성한 다.
이어서, 광센서(4)의 표면에 반사 방지막(도 6a∼6c에서는 생략)을 형성한 후, 도 6c에 도시한 바와 같이, 실리콘 기판(64)의 제2 면(72) 위에 절연막을 개재하여, 광센서(4)의 개소에서 개구되는 차광막(34)을 형성하고, 절연 재료에 의한 평탄화막(38)을 형성한 후, 컬러 필터(40), 온칩 렌즈(42)를 순차적으로 형성한다. 이러한 절차에 의해, 광센서(4)의 배후에 전극을 구비한 구조를 갖고, 상술한 바와 같은 효과를 발휘하는 고체 촬상 소자(2)를 완성시킬 수 있다.
그리고, 본 실시예의 고체 촬상 소자(2)의 제조 방법으로는, 실리콘 기판(64)의 제1 면(66)에 전극을 형성하기 전의 단계에서, 실리콘 기판(64)의 제1 면(66)측의 표면부에, 저에너지로 이온 주입을 행하여, 완성 후에 광센서(4) 하방의 위치로 되는 오버 플로우 배리어인 p- 영역(26)을 형성할 수 있다. 따라서, 오버 플로우 배리어를 형성하기 위해 종래와 같이 고체 촬상 소자(2)의 전방측으로부터 실리콘 기판의 깊은 위치에 고에너지로 이온 주입을 행할 필요가 없고, 주입 불순물의 프로파일을 양호하게 제어할 수 있으므로, 오버 플로우 배리어를 더 얇은 층으로 할 수 있다.
그 결과, 제1 및 제2 전송 전극(12, 14) 등에 의해 광센서(4)측으로 반사된 광이, 광전 변환에 기여하지 않는 오버 플로우 배리어를 통과하는 거리를, 광센서(4)를 통과하는 거리에 대하여 짧게 할 수 있으므로, 반사광이 효과적으로 광센서(4)에 의해 광전 변환되어 광 검출 감도가 향상한다. 따라서, 광센서(4)의 미세 화에 의한 고체 촬상 소자(2)의 다화소화에 유리하게 된다.
또한, 본 실시예의 고체 촬상 소자(2)의 제조 방법으로는, 오버 플로우 배리어는 표면부에의 이온 주입에 의해 형성할 수 있고, 이온 주입에 고에너지는 불필요하여, 저에너지의 이온 주입을 행하는 것만으로 충분하기 때문에, 제조가 용이해진다.
또한, 본 실시예의 제조 방법으로는, 실리콘 기판(64)을 연마하여 박막화할 때에 소자 분리 영역(8)의 바닥부를 CMP 스토퍼로서 이용하므로, 연마 후의 실리콘 기판(64)(박막 실리콘층(20))의 두께를 정확하게 제어할 수 있다.
또, 상기 제2 실시예의 고체 촬상 소자(44)도, 광센서의 배후에 전극을 구비한 구조를 형성하는 것에 관하여, 여기서 설명한 고체 촬상 소자의 제조 방법과 기본적으로 마찬가지의 방법에 의해 제조할 수 있다. 그 경우, 전극은 광센서(4)의 열마다 형성하거나, 혹은 각 광센서(4)마다 형성하는 것도 용이하다.
도 1의 (A) 및 (B)는 본 발명에 따른 고체 촬상 소자의 일례를 도시하는 부분 단면 측면도.
도 2는 도 1의 고체 촬상 소자를 도시하는 부분 평면도.
도 3은 본 발명의 제2 실시예를 도시하는 부분 단면 측면도.
도 4는 제2 실시예의 부분 평면도.
도 5a, 도 5b, 도 5c는 본 발명에 따른 고체 촬상 소자의 제조 방법의 일례를 도시하는 공정도.
도 6a, 도 6b, 도 6c는 도 5c에 이은 공정을 도시하는 공정도.

Claims (6)

  1. 상호 인접하는 다수의 광센서에 의해 구성된 고체 촬상 소자에 있어서,
    제1의 제1 도전형 불순물 영역을 갖는 광센서와,
    상기 광센서에 기판 평면 방향으로 인접하는 제2의 제1 도전형 불순물 영역과,
    상기 광센서 및 상기 제2의 제1 도전형 불순물 영역의 하방에 형성된 제3의 제1 도전형 불순물 영역과,
    상기 광센서로부터 상기 제2의 제1 도전형 불순물 영역으로의 전하의 전송을 제어하는 제1 전극과,
    상기 제3의 제1 도전형 불순물 영역의 하방에 형성되고, 상기 광센서로부터의 전하의 배출을 제어하는 제2 전극
    을 포함한 고체 촬상 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    지지 기판과,
    상기 지지 기판의 표면에 형성된 절연 재료로 구성된 버퍼층을 포함하고,
    상기 제2 전극은 상기 버퍼층과 상기 제3의 제1 도전형 불순물 영역의 사이에 형성되는 고체 촬상 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 광센서 및 상기 제2의 제1 도전형 불순물 영역과 상기 제3의 제1 도전형 불순물 영역의 사이에 형성된 제2 도전형 불순물 영역을 포함하는 고체 촬상 소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 전극과 상기 제3의 제1 도전형 불순물 영역의 사이에, 상기 제3의 제1 도전형 불순물 영역보다 고농도의 제4의 제1 도전형 불순물 영역을 포함하는 고체 촬상 소자.
  5. 제2항에 있어서,
    인접하는 상기 광센서를 분리하는 소자 분리 영역을 포함하고,
    상기 소자 분리 영역은 상기 버퍼층에 이르도록 형성되는 고체 촬상 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 제2의 제1 도전형 불순물 영역보다 상방에, 또한 차광막으로 피복되어 형성되고, 상기 제2의 제1 도전형 불순물 영역은 상기 차광막에 의해 차광되는 고체 촬상 소자.
KR1020097024776A 2001-10-03 2002-10-02 고체 촬상 소자 KR101015766B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001307349A JP4235787B2 (ja) 2001-10-03 2001-10-03 固体撮像素子の製造方法
JPJP-P-2001-307349 2001-10-03

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097001779A Division KR100943793B1 (ko) 2001-10-03 2002-10-02 고체 촬상 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090127198A KR20090127198A (ko) 2009-12-09
KR101015766B1 true KR101015766B1 (ko) 2011-02-22

Family

ID=19126824

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097001779A KR100943793B1 (ko) 2001-10-03 2002-10-02 고체 촬상 소자
KR1020047004774A KR100895737B1 (ko) 2001-10-03 2002-10-02 고체 촬상 소자 및 고체 촬상 소자의 제조 방법
KR1020097024776A KR101015766B1 (ko) 2001-10-03 2002-10-02 고체 촬상 소자

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097001779A KR100943793B1 (ko) 2001-10-03 2002-10-02 고체 촬상 소자
KR1020047004774A KR100895737B1 (ko) 2001-10-03 2002-10-02 고체 촬상 소자 및 고체 촬상 소자의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (3) US7285808B2 (ko)
JP (1) JP4235787B2 (ko)
KR (3) KR100943793B1 (ko)
CN (2) CN101369596B (ko)
TW (1) TWI301323B (ko)
WO (1) WO2003032395A1 (ko)

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005259828A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
JP4779304B2 (ja) * 2004-03-19 2011-09-28 ソニー株式会社 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール
JP4525144B2 (ja) * 2004-04-02 2010-08-18 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JP2006014117A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Sony Corp 物理情報取得方法および物理情報取得装置並びに物理量分布検知の半導体装置
JP4779320B2 (ja) 2004-08-10 2011-09-28 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP4501633B2 (ja) 2004-10-28 2010-07-14 ソニー株式会社 固体撮像素子とその製造方法
KR100795922B1 (ko) 2006-07-28 2008-01-21 삼성전자주식회사 이미지 픽업 소자 및 이미지 픽업 소자의 제조방법
JP4649441B2 (ja) * 2006-09-20 2011-03-09 富士フイルム株式会社 裏面照射型撮像素子及びこれを備えた撮像装置
US7781715B2 (en) * 2006-09-20 2010-08-24 Fujifilm Corporation Backside illuminated imaging device, semiconductor substrate, imaging apparatus and method for manufacturing backside illuminated imaging device
JP4649390B2 (ja) * 2006-09-20 2011-03-09 富士フイルム株式会社 裏面照射型撮像素子の製造方法
US8053287B2 (en) * 2006-09-29 2011-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for making multi-step photodiode junction structure for backside illuminated sensor
JP2008131169A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Shimadzu Corp 撮像素子およびそれを用いた撮像装置
JP2008182142A (ja) * 2007-01-26 2008-08-07 Sony Corp 固体撮像装置およびその製造方法、および撮像装置
US7995251B2 (en) * 2007-03-30 2011-08-09 Ricoh Company, Limited Optical scanning device, optical scanning method, and image forming apparatus
JP5309559B2 (ja) * 2007-12-27 2013-10-09 ソニー株式会社 固体撮像素子の製造方法
KR101436504B1 (ko) 2008-01-25 2014-09-02 삼성전자주식회사 이미지 센서
US20100006908A1 (en) * 2008-07-09 2010-01-14 Brady Frederick T Backside illuminated image sensor with shallow backside trench for photodiode isolation
US8022452B2 (en) * 2008-12-12 2011-09-20 Omnivision Technologies, Inc. Elimination of glowing artifact in digital images captured by an image sensor
KR101776955B1 (ko) * 2009-02-10 2017-09-08 소니 주식회사 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기
JP5531580B2 (ja) * 2009-11-25 2014-06-25 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
KR101662228B1 (ko) * 2009-12-21 2016-10-05 삼성전자주식회사 투명한 연결배선을 구비한 이미지 센서
JP5110075B2 (ja) * 2009-12-28 2012-12-26 ソニー株式会社 裏面照射型固体撮像装置の製造方法
JP2010118675A (ja) * 2010-01-12 2010-05-27 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
JP5115567B2 (ja) * 2010-02-19 2013-01-09 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法
JP5115566B2 (ja) * 2010-02-19 2013-01-09 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法
WO2011142065A1 (ja) 2010-05-14 2011-11-17 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP2010258463A (ja) * 2010-06-18 2010-11-11 Sony Corp 固体撮像素子の製造方法
JP5218502B2 (ja) * 2010-08-30 2013-06-26 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2011040774A (ja) * 2010-10-06 2011-02-24 Sony Corp 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール
JP5736755B2 (ja) * 2010-12-09 2015-06-17 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP2012156334A (ja) * 2011-01-26 2012-08-16 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器
JP2012169530A (ja) * 2011-02-16 2012-09-06 Sony Corp 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP2011171764A (ja) * 2011-05-13 2011-09-01 Renesas Electronics Corp 固体撮像装置
WO2012164809A1 (ja) * 2011-05-31 2012-12-06 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
KR102221993B1 (ko) * 2012-01-23 2021-03-02 소니 주식회사 고체 촬상 장치 및 제조 방법 및 전자 기기
JP2014022448A (ja) 2012-07-13 2014-02-03 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP6021613B2 (ja) * 2012-11-29 2016-11-09 キヤノン株式会社 撮像素子、撮像装置、および、撮像システム
TWI694604B (zh) 2015-07-23 2020-05-21 光澄科技股份有限公司 光偵測器
CN108028258B (zh) 2015-08-04 2022-06-21 光程研创股份有限公司 锗硅感光设备
US10861888B2 (en) 2015-08-04 2020-12-08 Artilux, Inc. Silicon germanium imager with photodiode in trench
US10707260B2 (en) 2015-08-04 2020-07-07 Artilux, Inc. Circuit for operating a multi-gate VIS/IR photodiode
US10761599B2 (en) 2015-08-04 2020-09-01 Artilux, Inc. Eye gesture tracking
EP3783656B1 (en) 2015-08-27 2023-08-23 Artilux Inc. Wide spectrum optical sensor
US10739443B2 (en) 2015-11-06 2020-08-11 Artilux, Inc. High-speed light sensing apparatus II
US10741598B2 (en) 2015-11-06 2020-08-11 Atrilux, Inc. High-speed light sensing apparatus II
US10418407B2 (en) 2015-11-06 2019-09-17 Artilux, Inc. High-speed light sensing apparatus III
US10886309B2 (en) 2015-11-06 2021-01-05 Artilux, Inc. High-speed light sensing apparatus II
US10254389B2 (en) 2015-11-06 2019-04-09 Artilux Corporation High-speed light sensing apparatus
US10687003B2 (en) 2016-08-04 2020-06-16 Omnivision Technologies, Inc. Linear-logarithmic image sensor
FR3057396B1 (fr) * 2016-10-10 2018-12-14 Soitec Substrat pour capteur d'image de type face avant et procede de fabrication d'un tel substrat
JP6390759B2 (ja) * 2017-06-19 2018-09-19 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
JP6779929B2 (ja) 2018-02-09 2020-11-04 キヤノン株式会社 光電変換装置および機器
US11105928B2 (en) 2018-02-23 2021-08-31 Artilux, Inc. Light-sensing apparatus and light-sensing method thereof
TWI788246B (zh) 2018-02-23 2022-12-21 美商光程研創股份有限公司 光偵測裝置
CN112236686B (zh) 2018-04-08 2022-01-07 奥特逻科公司 光探测装置
US10854770B2 (en) 2018-05-07 2020-12-01 Artilux, Inc. Avalanche photo-transistor
US10969877B2 (en) 2018-05-08 2021-04-06 Artilux, Inc. Display apparatus
JP2020073889A (ja) * 2019-12-04 2020-05-14 株式会社東芝 光検出器およびこれを用いたライダー装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0778959A (ja) * 1993-09-09 1995-03-20 Sony Corp 固体撮像素子
KR20000057977A (ko) * 1999-02-09 2000-09-25 이데이 노부유끼 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02278768A (ja) 1989-04-19 1990-11-15 Sony Corp 固体撮像装置
KR930007532B1 (ko) * 1990-07-12 1993-08-12 금성일렉트론 주식회사 Soi 구조를 이용한 3차원 ccd 영상소자 및 그 제조방법
JPH05190828A (ja) 1992-01-10 1993-07-30 Sharp Corp 固体撮像素子
JPH11274465A (ja) 1998-01-20 1999-10-08 Nikon Corp 固体撮像装置、受光素子、並びに半導体の製造方法
US6121126A (en) * 1998-02-25 2000-09-19 Micron Technologies, Inc. Methods and structures for metal interconnections in integrated circuits
JPH10294446A (ja) 1998-03-13 1998-11-04 Nec Corp 固体撮像素子
TW494574B (en) * 1999-12-01 2002-07-11 Innotech Corp Solid state imaging device, method of manufacturing the same, and solid state imaging system

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0778959A (ja) * 1993-09-09 1995-03-20 Sony Corp 固体撮像素子
KR20000057977A (ko) * 1999-02-09 2000-09-25 이데이 노부유끼 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US7285438B2 (en) 2007-10-23
CN1565059A (zh) 2005-01-12
US20080054311A1 (en) 2008-03-06
KR100895737B1 (ko) 2009-04-30
US7285808B2 (en) 2007-10-23
KR20090023740A (ko) 2009-03-05
WO2003032395A1 (en) 2003-04-17
CN100456485C (zh) 2009-01-28
CN101369596B (zh) 2011-08-03
KR100943793B1 (ko) 2010-02-23
CN101369596A (zh) 2009-02-18
KR20090127198A (ko) 2009-12-09
JP4235787B2 (ja) 2009-03-11
KR20040039468A (ko) 2004-05-10
TWI301323B (en) 2008-09-21
US20060125036A1 (en) 2006-06-15
JP2003115581A (ja) 2003-04-18
US20050077588A1 (en) 2005-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101015766B1 (ko) 고체 촬상 소자
KR102662794B1 (ko) 촬상 소자 및 촬상 장치
US8835981B2 (en) Solid-state image sensor
US7511750B2 (en) Photo-electric converting device and its driving method, and its manufacturing method, solid-state image pickup device and its driving method and its manufacturing method
JP4621719B2 (ja) 裏面照射型撮像素子
WO2011158567A1 (ja) 固体撮像素子及びデジタルカメラ
JP7504630B2 (ja) 撮像素子、撮像装置、コンピュータプログラム及び記憶媒体
TW201041128A (en) Solid-state imaging device, method for manufacturing the same, method for driving the same, and electronic apparatus
TWI764550B (zh) 操作裝置的方法、半導體結構以及互補式金屬氧化物半導體影像感測器
JPH0778959A (ja) 固体撮像素子
JP5309559B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
JP4645578B2 (ja) 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法
US20170229496A1 (en) Pixels for high performance image sensor
US20210343765A1 (en) Image sensor
JP4751846B2 (ja) Ｃｃｄ固体撮像素子
JPH05243550A (ja) 固体撮像装置
CN118866920A (zh) 成像系统、图像传感器及其制备方法
Meisenzahl et al. 31 Mp and 39 Mp full-frame CCD image sensors with improved charge capacity and angle response
JP2014033149A (ja) 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器
JPH02299266A (ja) 固体撮像素子およびその駆動方法
JP2011222720A (ja) 固体撮像装置およびカメラ

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140203

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150130

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160205

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170203

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180202

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee