KR100861076B1 - 리소그래피 장치, 제어시스템 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

리소그래피 장치, 제어시스템 및 디바이스 제조방법 Download PDF

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요한네스 헨리쿠스 빌헬무스 야콥스
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Abstract

침지 액체의 온도 변동과 연관된 효과를 각각 측정 및/또는 예측하는 측정시스템 또는 예측시스템, 및 상기 측정시스템 및/또는 예측시스템에 의하여 각각 얻어지는 측정치 및/또는 예측치를 기초로 하여 상기 침지 액체의 온도와 연관된 상기 효과 또는 또 다른 효과를 제어하는 제어시스템을 구비한 침지 리소그래피 장치가 개시되어 있다. 또한, 연관된 제어시스템 및 디바이스 제조방법이 개시되어 있다.

Description

리소그래피 장치, 제어시스템 및 디바이스 제조방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS, CONTROL SYSTEM AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
이하, 대응되는 참조부호들이 대응되는 부분들을 나타내는 개략적인 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예들이 예시의 방법으로 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1에 나타낸 것과 같은 리소그래피 장치의 세부들을 나타낸 도;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1에 도시된 리소그래피 장치의 제어시스템, 측정시스템 및 예측시스템의 세부들을 나타낸 도;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 일반적인 피드백 체계(scheme) 나타낸 도이다.
본 발명은 리소그래피 장치, 제어시스템 및 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 대안적으로는 마스크 또는 레티클이라 지칭되는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성시키는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘웨이퍼) 상의 (예를 들어, 1 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상에 전사(transfer)될 수 있다. 통상적으로, 패턴의 전사(transfer)는 기판상에 제공되는 방사선 감응재(레지스트) 층상으로의 이미징(imaging)을 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 전체패턴을 한번에 타겟부 상에 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 패턴을 기판 상에 임프린팅(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사하는 것도 가능하다.
소위 "침지(immersion)" 리소그래피에서, 기판은 리소그래피 투영장치에서 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 즉 침지 액체 내에 침지된다. 예를 들어, 침지 액체는 물일 수 있다. 침지 액체는 투영시스템과 기판 사이의 공간을 채운다. 이러한 방식에 있어, 노광 방사선은 상기 액체 내에서 보다 짧은 파장을 갖기 때문에 보다 작은 피처들의 이미징이 가능해진다.
따라서, 침지 시스템들은 단지 공기나 다른 가스를 대신하여 노광시 투영시 스템과 기판 사이에 물 또는 여타 액체를 구비한다. 이는, 액체의 굴절률이 온도의 함수이기 때문에 이미징시 액체의 열적 변화의 직접적이고 강력한 영향을 초래한다. 또한, 투영시스템, 및 특히 기판과 가장 가까운 투영시스템의 광학 요소에 대한 침지 유체 온도의 강한 열적 커플링 때문에, 액체의 어떠한 열적 변화도 전체 투영시스템의 이미징 특성들과 관련한 영향을 가지기 쉽다. 침지 액체의 통상적인 열적 제어는 포커스 및 이미징 관련 오버레이[확대(magnification) 및 왜곡(distortion)]의 관점에서 무시해도 될 만큼 충분히 양호하지 않다. 이는, 각각의 기판에 대해 온도 사이클들이 관측되는 경우의 스캐닝 노광 동안 특히 이슈가 될 수도 있다. 또한, 액체의 온도를 요구되는 정도까지 동역학적으로 제어하면서 묘화되는 구조체들의 임계 치수(CD)를 감소시키는 것은 점차 더 어려워지고 보다 많은 비용을 요하게 될 수 있다.
침지 리소그래피 시스템 내에서의 상기한 문제들 또는 다른 문제들 중 1 이상을 어드레싱하는(address) 것이 바람직하다. 특히, 침지 리소그래피 시스템에서의 1 이상의 온도 변화들의 효과를 어드레싱함으로써, 침지 리소그래피 시스템에서의 이미징 품질의 개선된 제어를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면,
기판을 유지하도록 구성되는 기판테이블;
패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부 상으로 투영하도록 구성되는 투영 시스템;
상기 투영시스템과 상기 기판 사이의 공간을 액체로 채우도록 구성되는 액체공급시스템;
상기 액체의 온도 변동과 연관된 효과를 각각 측정 및/또는 예측하도록 구성되는 측정시스템이나 예측시스템 또는 그 둘 모두; 및
상기 측정시스템 및/또는 예측시스템에 의하여 각각 얻어지는 측정치 및/또는 예측치를 기초로 하여 상기 액체의 온도와 연관된 상기 효과 또는 또 다른 효과를 제어하도록 구성되는 제어시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 투영시스템을 사용하여 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 투영하도록 구성되는 리소그래피 장치가 제공되며;
상기 장치는 상기 투영시스템과 상기 기판 사이의 공간을 액체로 채우기 위한 액체공급시스템;
상기 액체의 온도 변동과 연관된 효과를 각각 측정 및/또는 예측하기 위한 측정시스템이나 예측시스템 또는 그 둘 모두; 및
상기 측정시스템 및/또는 예측시스템에 의하여 각각 얻어지는 측정치 및/또는 예측치를 기초로 하여 상기 액체의 온도와 연관된 상기 효과 또는 또 다른 효과를 제어하기 위한 제어시스템을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치를 제어하기 위한 제어시스템이 제공되며, 상기 제어시스템은 측정시스템, 예측시스템 또는 그 둘 모두에 의하여 얻어지는 측정치나 예측치 또는 그 둘 모두를 기초로 하여 리소그래피 장치 에서의 침지 액체의 온도 변동과 연관된 효과를 제어하도록 구성된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면,
투영시스템을 사용하여 패터닝된 방사선 빔을 액체를 통해 기판 상으로 투영하는 단계;
상기 액체의 온도 변동과 연관된 효과를 측정하거나 예측하거나 또는 측정 및 예측을 모두 수행하는 단계; 및
상기 측정 및/또는 예측 단계 각각에 의하여 얻어지는 측정치 및/또는 예측치를 기초로 하여 상기 액체의 온도 변동과 연관된 상기 효과 또는 또 다른 효과를 제어하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 상기 장치는:
방사선 빔(B)(예를 들어, UV 또는 EUV 방사선)을 콘디셔닝하도록 구성된 조명시스템(일루미네이터)(IL);
패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하고, 특정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성되는 제 1 위치설정장치(PM)에 연결되도록 구성된 지지구조체(예를 들어, 마스크테이블)(MT);
기판(W)(예를 들어, 레지스트코팅된 웨이퍼)을 잡아주고, 특정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정장치(PW)에 연결되도록 구성된 기판테이블(예를 들어, 웨이퍼테이블)(WT); 및
패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타 겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함함)상에 투영하도록 구성된 투영시스템(PS)(예를 들어, 굴절형 투영렌즈 시스템)을 포함한다.
조명시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어시키기 위하여 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 및 여타 유형의 광학 구성요소, 또는 그들의 조합과 같은 다양한 종류의 광학 구성요소를 포함할 수도 있다.
지지구조체는, 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경내에서 유지되는지의 여부와 같은 여타 조건들에 종속적인 방식으로 패터닝 디바이스를 유지시킨다. 지지구조체는 패터닝 디바이스를 유지시키기 위하여 기계적, 진공, 정전기 또는 여타의 클램핑 기술을 사용할 수 있다. 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 이동할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 상기 지지구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영시스템에 대해 원하는 위치에 있을 수 있도록 한다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝 디바이스"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
여기서 사용되는 "패터닝 디바이스(patterning device)"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 디바이스를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 예를 들어, 패턴이 위상-시프팅 피처 또는 소위 어시스트 피처들을 포함하는 경우 방사선 빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것에 유의해야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정기능층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크들, 프로그램가능한 거울 어레이들 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크들은 리소그래피에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광방사선에 대하여, 또는 침지 액체(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절하다면, 굴절광학시스템, 반사광학시스템, 카타디옵트릭시스템, 자기시스템, 전자기시스템 및 정전기 광학시스템 또는 그들의 조합을 포함하는 소정 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과형 마스크를 채용한) 투과형이다. 대안적으로는, 상기 장치는 (예를 들어, 상술된 바와 같이 소정 형태의 프로그램가능한 거울 어래이를 채용한 또는 반사 마스크를 채용한) 반사형일 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지) 이상의 기판테이블(및/또는 2 이상의 지지구조체)를 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블들이 병행하여 사용될 수 있으며, 1 이상의 테이블이 노광을 위해 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피장치는 기판의 적어도 일 부분이 투영시스템과 기판 사이의 공간을 채우도록 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체, 예를 들어 물로 덮이는 형태로 구성될 수도 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피장치 내의 여타의 공간들, 예를 들어 마스크와 투영시스템 사이에 적용될 수도 있다. 침지 기술은 투영시스템의 개구수를 증가시키는 것으로 당 업계에서 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담기어야(submerge) 한다는 것을 의미하기 보다는, 노광시 투영시스템과 기판 사이에 액체가 배치된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선소스(S0)로부터 방사선의 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 부분을 형성하는 것으로 간주되지는 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어, 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스펜더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 상기 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 여타의 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요하다면 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시 스템이라 칭해질 수도 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도세기분포를 조정하도록 구성되는 조정기구(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필평면 내의 세기분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터(IL)는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 콘디셔닝하는데 사용될 수도 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지구조체(예를 들어, 마스크테이블(MT)) 상에서 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA)) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 방사선 빔(B)은, 패터닝 디바이스(MA)를 가로질러 투영시스템(PS)을 통과하고, 상기 투영시스템(PS)은 기판(W)의 타겟부(C)상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정장치(PW) 및 위치센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 인코더(encoder) 또는 캐퍼서티 센서(capacitive sensor))의 도움으로, 기판테이블(WT)은 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부들(C)을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정장치(PM) 및 또 다른 위치센서(도 1에 명확히 도시되지는 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지구조체(MT)의 이동은, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 제 1 위치설정장치(PM)의 일부를 형성한다. 이와 유사하게, 기판테이블(WT)의 이동은 제 2 위치설정장치(PW)의 일부를 형성하는 긴 행정 모듈 및 짧은 행정 모듈을 사용하여 실현될 수도 있다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 상기 지지구조체(MT)는 단지 짧은 행정액추에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수도 있다. 예시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 할당된 타겟부들을 점유하기는 하나, 그들은 타겟부들 사이의 공간들에 배치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있음). 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 1이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 다이들 사이에 패터닝 디바이스 정렬 마크들이 배치될 수도 있다.
상술된 장치는 다음의 바람직한 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서, 지지구조체(MT) 및 기판테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다{즉, 단일 정적 노광(single static exposure)}. 그런 후, 기판테이블(WT)은 X 및/또는 Y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 묘화되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 지지구조체(MT) 및 기판테이블(WT)은 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다{즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)}. 지지구조체(MT)에 대한 기판테이블(WT)의 속도 및 방향은 확대(축소) 및 투영시스템(PS)의 이미지 반전 특성에 의하여 결정된다. 스캔 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 동적노광시 타켓부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 지지구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선펄스들 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 종류의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 활용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1에 나타낸 리소그래피 장치의 세부들을 도시하고 있다. 도 2는 기판(W)을 유지하도록 구성되는 기판테이블(WT)을 나타내고 있다. 투영시스템(PL)은 패터닝된 방사선 빔을 기판(W)의 타겟부 상으로 투영하도록 구성된다. 침지 액체 공급시스템(LSS)는 투영시스템(PL)과 기판(W) 사이 의 공간(10)을 침지 액체로 채우도록 구성된다. 상기 장치는 침지 액체 온도의 1 이상의 변화를 각각 측정 및/또는 예측하도록 구성되는 측정시스템(MS) 및/또는 예측시스템(PS)을 더 포함한다. 상기 장치는 측정시스템(MS) 및/또는 예측시스템(PS)에 의하여 각각 얻어진 측정치 및/또는 예측치를 기초로 하여, 침지 액체의 온도나 침지 액체 온도의 1 이상의 변화들의 연관 효과 또는 그 둘 모두를 제어하도록 구성되는 제어시스템(CS)을 더 포함할 수 있다. 측정시스템(MS)은 온도 센서들(12a, b, c) 및 광학 센서(22)를 포함하는 1 이상의 센서들을 포함한다. 상기 센서들은 장치의 조건들, 예컨대 침지 액체의 온도, 방사선 빔의 광학적 특성 등을 검출하도록 구성된다. 감지된 파라미터를 기초로 하여, (도 3을 참조하여 설명되는) 제어시스템은 장치의 특징, 예컨대 침지 액체의 온도를 제어하거나 또는 감지된 특징을 보정하기 위하여 피드백 제어신호나 피드포워드 제어신호 또는 그 둘 모두를 제공하도록 구성된다. 이러한 방식으로, 다방면의 제어가 달성되어, 작은 변화 및 큰 변화 모두에 대한 보정이 적절한 방식으로 처리될 수 있다. 예를 들어, 작은 온도 변동은, 가령 피드백 제어를 이용하여 투영시스템의 광학 요소(예를 들어, 렌즈)를 조정함으로써 신속하게 보정될 수 있다.
일 실시예에서, 측정시스템(MS)은 공간(10) 내의 침지 액체의 온도를 측정하기 위한 온도 센서(12a)를 포함한다. 온도 센서(12a)는 노광 영역 내에 또는 노광 영역 부근에 배치될 수 있으며, 액체의 온도를 측정하도록 구성된다. 후속하여, 피드백 제어는 액체의 온도를 안정화시키는데 사용된다. 이러한 방식으로, 비교적 큰 온도 편차(drift)가 보정될 수 있으며, 실질적으로 일정한 침지 액체의 온도가 얻 어질 수 있다. 피드백 제어신호는, 예를 들어 피드백 제어신호에 따른 적절한 가열 또는 냉각에 의하여 액체를 열적으로 콘디셔닝하도록 구성되는 열적 콘디셔닝 유닛(14a, 14b)으로 공급된다. 예를 들어, 온도가 특정 레벨 위에 있다는 것을 온도 센서(12a)가 검출한다면, 열적 콘디셔닝 유닛(14a, 14b)으로의 피드백 제어신호는 침지 액체를 특정 양 냉각시키기 위해 열적 콘디셔닝 유닛을 제어할 것이다. 열적 콘디셔닝 유닛(14a, 14b)은 액체공급시스템(LSS)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 열적 콘디셔닝 유닛(14a, 14b)은 액체 저장소(40)에 배치될 수 있으며, 액체는 상기 액체 저장소(40)로부터 공간(10)으로 공급된다. 대안적으로 또는 추가적으로, 열적 콘디셔닝 유닛(14b)은 공간(10) 내에 또는 공간(10) 부근에 배치될 수도 있다. 대안적으로, 또는 추가적으로, 피드백 제어신호를 열적 콘디셔닝 유닛(14a, 14b)에 제공하기 위하여, 제어시스템(CS)은 기판테이블(WT)의 위치를 조정하기 위한 모터(M)를 포함할 수 있는 기판테이블 위치설정시스템(16) 및/또는 광학 요소(18)의 위치를 조정하도록 구성되는 광학 요소 조정시스템(20)에 피드백 제어신호를 제공하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 광학 요소 조정시스템(20)은 X 방향, Y 방향, Z 방향 및 경사 방향 중 1 이상의 방향으로 광학 요소(18)를 이동시키도록 구성될 수 있다. 또한, 제어시스템은 감지된 파라미터에 기초하여 방사선 빔(B)의 파장을 조정하기 위해 소스(SO)(예를 들어, 도 1 참조)에 포함되는 튜너(TU)로 피드백 제어신호를 제공하도록 구성될 수도 있다. 1 이상의 리소그래피 장치 구성요소들의 위치 및/또는 빔의 파장과 같은 파라미터들을 조정함으로써, 온도 효과 또는 광학 수차(optical aberration)(후술됨)가 신속하게 보상 또는 보정될 수 있다. 이러한 조정은, 예를 들어 비교적 적은 온도 변화를 고려하기에 특히 적합한다.
추가 실시예에서, 온도 센서(12b, 12c)는 노광 장소(11)의 하류에 배치될 수 있다. 액체공급시스템(LSS)은 침지 액체가 투영시스템(PL)과 기판(W) 사이의 공간으로부터 하류로 유동할 수 있는 유출부(OUT)를 포함할 수 있다. 측정시스템(MS)은 공간(10) 하류의 침지 액체의 온도를 측정하기 위하여 공간(10) 하류의 유동 내에 배치되는 센서(12b, 12c)를 더 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 노광이 일어나는 노광 장소(11) 및 그 주위의 한정된 영역 내에서의 볼륨 콘플릭트들(volumn conflicts)이 회피될 수 있다.
추가 실시예에서, 측정시스템은 투영시스템을 통과하는 패터닝된 방사선 빔과 같은 방사선 빔의 1 이상의 광학적 특성들을 감지하도록 구성되는 광학 센서(22)를 포함할 수 있다. 방사선 빔의 1 이상의 광학적 특성을 감지함으로써, 침지 액체에서의 온도 변화 또는 그 밖의 어느 곳에서의 온도 변화로부터 초래될 수 있는 수차를 알아낼 수 있다. 이러한 실시예에서, 제어시스템(CS)은 1 이상의 감지된 광학적 특성들을 기초로 수차를 보정하기 위하여 열적 콘디셔닝 시스템(14), 기판테이블 위치설정 시스템(16), 광학 요소 조정시스템(20) 및/또는 튜너(TU)에 피드백 제어신호를 제공하도록 구성된다. 따라서, 추가적으로 또는 대안적으로 리소그래피 장치의 온도를 측정하기 위하여, 광학적 효과가 측정될 수 있으며 측정된 광학적 효과를 기초로 하여 보정이 제공될 수 있다.
광학 센서(22)는 연속적 포커스 측정 센서 및/또는 확대 센서 및/또는 수차 측정 디바이스일 수 있다. 또한, 연속적 포커스 측정 센서(22)는 외부 센서이거나 또는 투영시스템(PL)의 1 이상의 광학 요소들(18)을 통한 포커스를 감지하도록 구성되는 스루 광학 요소 포커스 센서일 수 있다. 일 실시예에서, 연속적 포커스 측정 포커스 및/또는 확대가 이용된다. 후속하여, 기판테이블의 위치, 광학 요소의 위치 및/또는 방사선 빔(B)의 파장을 조정함으로써, 액체의 온도가 보정되고 및/또는 이미징 효과가 보정된다. 포커스 측정은 외부 센서, 예를 들어 경사 빔 레벨 센서(oblique beam level sensor) 또는 광학 요소 측정을 통해 이루어질 수 있다. 추가 실시예에서는, 다이 노광들 간의 온도 변동의 포커스 효과를 주기적으로 측정하고 상술된 바와 같이 피드백 제어를 이용하기 위하여 스루 광학 요소 포커스 센서, 예를 들어 투과 이미지 센서(TIS) 및/또는 인라인 간섭계(예를 들어, ASML ILIASTM 시스템과 같은 리소그래피 장치에 통합되는 투영시스템 렌즈 간섭계)가 사용될 수 있다. 특히, 광학 센서(22)는 노광들 간의 침지 액체의 온도 변동의 포커스 효과를 주기적으로 측정하도록 구성될 수도 있다.
또 다른 실시예에서는, 도 3과 관련하여 보다 상세히 기술되는 예측시스템(PS)이 이용될 수 있다. 이러한 실시예에서, 기판 거동이 순환적인 기판(cyclical substrate to substrate behavior)이 액체의 온도, 기판테이블의 위치, 광학 요소의 위치 및/또는 방사선 빔의 파장에 피드포워드 보정을 제공하는 모델을 부여하는데 사용될 수 있다. 이러한 방식으로, 장치의 1 이상의 구성요소들의 예측된 거동, 예를 들어 예측된 광학 요소 가열 거동은 모델을 사용함으로써 보정될 수 있다. 이러한 방식으로, 1 이상의 파라미터 측정과 연관된 오차가 회피될 수 있다. 또한, 피드포워드 제어신호를 사용함으로써, 피드백 제어를 이용하는 경우에서와 같이 측정을 수행하는 단계와 그 측정치를 기초로 하여 제어신호를 제공하는 단계 사이에 지연이 존재하지 않기 때문에 어떠한 효과도 보다 신속하게 보정될 수 있다.
일 실시예에서, 피드백 제어와 피드포워드 제어 둘 모두가 사용될 수도 있다. 이러한 방식으로 밸런스가 달성된다. 피드포워드 제어를 이용하면 신속한 보정이 이루어질 수는 있으나, 모델링된 거동의 정확성에 종속적이기 보다 측정된 결과들을 이용하는 피드백 제어를 이용하면 정확한 제어가 달성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1에 도시된 리소그래피 장치의 제어시스템, 측정시스템 및 예측시스템의 세부들을 나타내고 있다. 특히, 도 3은 측정시스템을 나타내고 있다. 측정시스템은 파라미터를 측정하도록 구성되는 1 이상의 센서들(12, 22)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 1 이상의 온도 센서들(12a, 12b, 12c)이 침지 액체의 온도를 측정하기 위해 제공될 수 있다. 또한, 광학적 특성, 예컨데 포커스 및/또는 확대를 측정하기 위하여 1 이상의 광학 센서들(22)이 제공될 수 있다. 특히, 측정시스템(MS)은 투영시스템(PL)의 광학적 효과를 측정하도록 구성될 수 있다. 또한 또는 대안적으로 예측시스템(PS)이 제공될 수도 있다. 예측시스템(PS)은 기판(W)에 걸친 열적 효과의 모델(28)을 제공하도록 구성되는 모델링 시스템(26)을 포함할 수 있다. 기판의 공지된 거동과 관련한 입력 데이터(24)는 모델링 시스템(26)에 입력된다. 입력 데이터(24)를 기초로 하여, 기판(W) 거동의 모델(28)이 형성된다.
측정시스템(MS) 및/또는 예측시스템(PS)의 출력은 제어시스템(CS)으로 공급 된다. 제어시스템은 측정시스템(MS)에 의하여 얻어지는 측정치를 기초로 하여 피드백 제어(34a, 34b, 34c, 34d)를 제공하도록 구성된다. 대안적으로 또는 추가적으로, 제어시스템은 예측시스템(PS)에 의하여 얻어지는 예측치를 기초로 하여 피드포워드 제어(36a, 34b, 34c, 34d)를 제공하도록 구성된다. 제어시스템(CS)은 제어시스템(CS)으로 입력되는 데이터를 처리하기 위한 데이터 프로세서(30) 및 상기 데이터를 저장하기 위한 데이터 저장 유닛(32)을 포함할 수 있다.
특히, 측정시스템(MS)에 의하여 제어시스템(CS)에 제공되는 데이터를 기초로 하여, 제어시스템(CS)은 1 이상의 장치 구성요소 각각으로 1 이상의 피드백 제어신호(34a, 34b, 34c, 34d)를 제공하도록 구성된다. 예를 들어, 측정된 광학적 효과 및/또는 침지 액체의 온도를 기초로 하여, 광학적 요소 조정시스템(20)을 통해 투영시스템의 광학 요소(18)를, 튜너(TU)를 통해 방사선 빔의 파장을, 기판테이블 위치설정 시스템(16, M)을 통해 기판테이블의 위치를, 및/또는 열적 콘디셔닝 시스템(14)을 통해 침지 액체의 온도를 조정하기 위하여 피드백 제어신호가 제공될 수 있다. 특히, 피드백 제어신호(34a)는 열적 콘디셔닝 시스템(14)에 피드백 제어를 제공하고, 피드백 제어신호(34b)는 기판테이블 위치설정 시스템(16)의 모터(M)에 피드백 제어를 제공하고, 피드백 제어신호(34c)는 광학 요소 조정시스템(20)에 피드백 제어를 제공하며, 피드백 제어신호(34d)는 방사선 빔의 파장을 조정하기 위하여 소스(SO)의 튜너(TU)에 피드백 제어를 제공한다. 1 이상의 실시예에서, 광학적 효과가 측정되는 경우 피드백 제어를 이용하여 측정된 광학적 효과에 반응하여 광학 요소, 파장, 기판테이블의 위치 및/또는 침지 액체의 온도를 조정하기 위해 피드백 제어가 제공된다. 이러한 제어의 장점은 매우 신속하게 이루어질 수 있다는 점이다. 상술된 바와 같이, 제어시스템(CS)은 공간(10) 내의 침지 액체의 온도 변동을 저감 또는 최소화하도록 침지 액체의 온도를 제어하기 위하여, 상기 공간(10)에서 감지되는 온도를 기초로 하여 피드백 제어신호(34a)를 제공하도록 구성될 수 있다. 이러한 방식으로, 피드백 제어는 비교적 큰 변동들을 보정하는데 사용될 수 있다. 피드백 제어의 조합을 이용함으로써, 즉 장치의 1 이상의 구성요소들, 예컨대 기판테이블의 위치 등을 조정하기 위한 피드백 제어, 및 침지 액체에 피드백 제어신호(34a)를 제공함으로써 큰 온도 변동을 보정하기 위한 피드백 제어를 이용함으로써, 드리프트(큰) 효과들 및 작은 효과들 모두가 효과적으로 보상될 수 있다.
일 실시예에서, 제어시스템(CS)은, 기판테이블(16)의 위치, 투영시스템(PL)의 1 이상의 광학 요소들(18, 20)의 위치 및/또는 예를 들어, 튜너(TU)를 이용하여 방사선 빔(B)의 파장을 조정하도록 구성되는 조정 요소(16, 20, TU)에 피드백 제어신호(34b, 34c, 34d)를 제공함으로써 연관된 이미징 효과를 보정하기 위하여 센서(12a)에 의해 공간(10)에서 감지되는 온도를 기초로 하여 피드백 제어신호(34b, 34c, 34d)를 제공하도록 구성될 수 있다. 또한, 제어시스템(CS)은 센서(12b, 12c)에 의하여 공간의 하류에서 감지되는 온도를 기초로 하여 투영시스템(PL)과 기판(W) 사이의 공간(10) 내의 침지 액체의 온도를 제어하기 위해 피드백 제어신호(34a)를 제공하도록 구성될 수 있다. 또한, 제어시스템(CS)은, 기판테이블(WT)의 위치, 투영시스템(PL)의 1 이상의 광학 요소들(18, 20)의 위치, 및/또는 예를 들어 튜너(TU)를 사용하여 방사선 빔(B)의 파장을 조정하도록 구성되는 조정 요소(16, 20, TU)에 피드백 제어신호(34b, 34c, 34d)를 제공함으로써 연관된 이미징 효과를 보정하기 위해 센서(12b, 12c)에 의하여 공간(10) 하류에서 감지되는 온도를 기초로 하여 피드백 제어신호(34b, 34c, 34d)를 제공하도록 구성될 수 있다. 또한, 광학 센서(22)에 의하여 감지되는 광학적 특성을 기초로 하여 투영시스템(PL)과 기판(W) 사이의 공간(10) 내의 침지 액체의 온도를 제어하기 위해 피드백 제어신호(34a)를 제공하도록 구성될 수 있다. 특히, 제어시스템(CS)은, 기판테이블(WT)의 위치, 투영시스템의 1 이상의 광학 요소들(18, 20)의 위치 및/또는 예를 들어, 튜너(TU)를 이용하여 방사선 빔(B)의 파장을 조정하도록 구성되는 조정 요소(16, 20, TU)에 피드백 제어신호(34b, 34c, 34d)를 제공함으로써 연관된 이미징 효과를 보정하기 위해 광학 센서(22)에 의하여 감지되는 1 이상의 광학적 특성을 기초로 하여 피드백 제어신호(22)를 제공하도록 구성될 수 있다.
예측시스템(PS)에 대하여, 제어시스템(CS)은 피드포워드 제어를 이용하여 열적 효과를 보정하기 위한 모델(28)을 사용할 수 있다. 피드포워드 제어신호(36a, 36b, 36c, 36d)는 열적 콘디셔닝 시스템(14)에 대한 피드포워드 제어신호(36a), 기판테이블 위치설정 시스템(16, M)에 대한 피드포워드 제어신호(36b), 광학 요소 조정시스템(20)에 대한 피드포워드 제어신호(36c), 및/또는 방사선 빔(B)의 파장을 조정하기 위한 튜너(TU)와 같은 구성요소에 대한 피드포워드 제어신호(36d)를 포함할 수 있다. 조정 요소들 및 콘디셔닝 시스템은 피드백 제어신호들(34a, 34b, 34c, 34d)을 참조하여 설명된 것과 동일한 방식으로 피드포워드 제어신호 또는 신호들(36a, 36b, 36c, 36d)에 대해 응답한다.
상술된 바와 같이, 제어시스템은 피드백 제어 및 피드포워드 제어 둘 모두를 기초로 하는 제어신호들의 조합을 제공할 수 있다. 도 2는 피드포워드 제어신호들 및 피드백 제어신호들을 별도의 개체로서 나타내고 있으나, 제어시스템(CS)은 피드백 제어와 피드포워드 제어의 조합을 포함하는 제어신호를 제공하도록 구성될 수도 있다. 특히, 제어시스템은 복수의 피드백 및 피드포워드 제어 구성요소들을 포함하는 단일의 제어신호를 제공할 수 있다. 또한, 제어시스템(CS)은 1 이상의 조정 또는 콘디셔닝 시스템들에 제어신호들을 제공하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 패터닝 디바이스로부터 기판(W) 상으로 패턴을 투영하도록 구성된 리소그래피 투영장치가 제공된다. 상기 장치는 투영장치(PL)와 기판(W) 사이의 공간(10)을 침지 액체로 채우도록 구성되는 침지 액체 공급(LSS) 시스템을 포함할 수 있다. 상기 장치는 침지 액체 온도의 1 이상의 변화를 각각 측정 및/또는 예측하기 위한 측정시스템(MS) 및/또는 예측시스템(PS)을 더 포함할 수 있다. 상기 장치는 측정시스템(MS) 및/또는 예측시스템(PS)에 의하여 각각 얻어지는 측정치 및/또는 예측치를 기초로 하여 침지 액체의 온도 및/또는 상기 침지 액체의 온도 변화의 연관된 효과를 제어하기 위한 제어시스템(CS)을 더 포함할 수 있다.
추가 실시예에서, 리소그래피 장치를 제어하기 위한 제어시스템(CS)이 제공되며, 상기 제어시스템(CS)은 측정시스템(MS) 및/또는 예측시스템(PS)에 의하여 각각 얻어지는 측정치 및/또는 예측치를 기초로 하여 침지 액체의 온도 및/또는 상기 침지 액체 온도의 연관된 효과를 제어하도록 구성된다.
또 다른 실시예에서, 투영시스템을 사용하여 패터닝된 방사선 빔을 액체를 통해 기판 상으로 투영하는 단계, 침지 액체 온도의 1 이상의 변화를 측정 및/또는 예측하는 단계, 및 상기 측정 및/또는 예측 단계에 의하여 각각 얻어지는 측정치 및/또는 예측치를 기초로 하여 상기 침지 액체의 온도 및/또는 상기 침지 액체 온도의 1 이상의 변화의 연관된 효과를 제어하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법이 제공된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 일반적인 피드백 체계를 나타내고 있다. 특히, 도 4는 피드포워드 모델에 의한 보정이 피드포워드 모델의 정확도에 의해 결정되는 특정 제어 한계치를 초과할 때 피드백 측정이 트리거링(trigger)되는 경우, 실제 광학 요소(예를 들어, 렌즈)의 가열 효과에 대한 오차를 나타내고 있다. 따라서, 매우 정확한 피드포워드 제어(또한, 모든 관련 파라미터들이 피드포워드 모델에 대해 정확하게 알려진다는 것을 의미함)는 단지 소수의 피드백 측정들을 필요로 하는 한편, 덜 정확한 피드포워드 제어는 제어 한계치 내에서 유지되도록 빈번한 피드백 측정들을 필요로 한다.
본 명세서에서는, IC의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용예에 대하여 언급되었으나, 본 명세서에서 기술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 여타의 응용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 여타의 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함하는 기판을 칭할 수도 있다.
광학 리소그래피의 배경에서 본 발명의 실시예들의 사용례에 대하여 상술하고 있으나, 본 발명은, 여타의 응용례, 예를 들어 임프린트(imprint) 리소그래피에 사용될 수도 있으며, 상황이 허락한다면 광학 리소그래피로만 제한되지는 않는다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성되는 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그들의 조합을 적용함으로써 레지스트가 경화되는(cured) 기판에 공급되는 레지스트의 층 내로 가압될 수도 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 레지스트 내에 패턴을 남기고 상기 레지스트로부터 벗어나 이동한다(moved out).
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126㎚의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선과 (예를 들어, 5-20nm의 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선 및 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔들을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 하나 또는 그들의 조합을 지칭할 수도 있다.
본 발명의 1 이상의 실시예들은 어떠한 침지 리소그래피 장치에도 적용될 수 있으며, 특히 상술된 타입들에만 국한되지 않고 침지 액체가 바스의 형태로 제공되거나 기판의 국부화된 표면적에만 제공될 수도 있다. 본 명세서에서 고려되는 액체공급시스템은 광범위하게 해석될 수 있다. 특정 실시예들에서는, 상기 액체공급시스템이 투영시스템과 기판 및/또는 기판테이블 사이의 공간에 액체를 제공하는 기구 또는 구조체들의 조합일 수도 있다. 1 이상의 구조체들의 조합, 1 이상의 액체 유입부, 1 이상의 가스 유입부, 1 이상의 가스 유출부, 및/또는 액체를 상기 공간에 제공하는 1 이상의 액체 유출부를 포함할 수도 있다. 일 실시예에서, 상기 공간의 표면은 기판 및/또는 기판테이블의 일 부분이거나, 또는 상기 공간의 표면이 기판 및/또는 기판테이블의 표면을 완전히 덮거나, 또는 상기 공간이 기판 및/또는 기판테이블을 둘러쌀(envelop) 수도 있다. 액체공급시스템은 액체의 위치, 양, 질, 상, 유속 또는 여타 특성들을 제어하기 위한 1 이상의 요소들을 선택적으로 더 포함할 수 있다.
장치에서 사용되는 침지 액체는 사용되는 노광 방사선의 파장 및 원하는 특성들에 따라 상이한 성분들(compo을 가질 수 있다. 193nm의 노광 파장에 대하여, 초 순수(ultra pure water) 또는 수-계(water-based) 구성물들이 사용될 수 있으며, 이러한 이유로 침지 액체는 때때로 물, 및 물-관련 용어들, 예컨대 친수성 (hydrophilic), 소수성(hydrophobic), 습도 등과 관련하여 지칭된다.
본 발명의 특정 실시예들에 대해 상술되었으나, 본 발명은 기술된 것과는 달리 실행될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 본 발명은 상술된 바와 같은 방법을 설명하는 기계-판독가능한 명령어들의 1 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
상기 설명들은 예시에 지나지 않으며 제한의 의미는 없다. 따라서, 당업자라면 후속 청구항들의 범위를 벗어나지 않는 본 발명에 대한 수정들이 가해질 수도 있다는 것을 이해할 것이다.
본 발명에 따르면, 침지 리소그래피 시스템에서의 1 이상의 온도 변화들의 효과를 어드레싱함으로써, 침지 리소그래피 시스템에서의 이미징 품질의 개선된 제어가 가능해진다.

Claims (22)

  1. 리소그래피 장치에 있어서,
    기판을 유지하도록 구성되는 기판테이블;
    패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부 상으로 투영하도록 구성되는 투영시스템;
    상기 투영시스템과 상기 기판 사이의 공간을 액체로 채우도록 구성되는 액체공급시스템;
    상기 액체의 온도 변동과 연관된 효과를 각각 측정, 또는 예측, 또는 측정 및 예측하도록 구성되는 측정시스템이나 예측시스템 또는 그 둘 모두; 및
    상기 측정시스템, 또는 상기 예측시스템, 또는 상기 측정시스템 및 예측시스템에 의하여 각각 얻어지는 측정치, 또는 예측치, 또는 측정치 및 예측치를 기초로 하여 상기 액체의 온도와 연관된 상기 효과 또는 또 다른 효과를 제어하도록 구성되는 제어시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어시스템은 상기 측정시스템에 의하여 얻어지는 측정치를 기초로 하는 피드백 제어를 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 측정시스템은 상기 투영시스템의 광학적 특성을 측정하도록 구성되고, 상기 제어시스템은 상기 측정된 광학적 특성을 기초로 하여 (i) 상기 투영시스템의 요소, (ii) 상기 방사선 빔의 파장, (ⅲ), 상기 기판테이블의 위치, (ⅳ) 상기 액체의 온도, 또는 (ⅴ) 상기 (i) 내지 (ⅳ) 중 2 이상의 조합을 조정하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어시스템은 상기 예측시스템에 의하여 얻어지는 상기 예측치를 기초로 하는 피드포워드 제어를 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 예측시스템은 상기 기판에 걸친 열적 효과의 모델을 제공하도록 구성되는 모델링 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제어시스템은 피드포워드 제어를 이용하여 상기 열적 효과를 보정하는데 상기 모델을 이용하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 측정시스템은 상기 액체의 온도를 측정하도록 구성되는 온도 센서를 포함하고, 상기 제어시스템은 상기 측정 센서에 의하여 감지되는 온도를 기초로 하여 상기 장치에 피드백 제어 신호를 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    (i) 열적 콘디셔닝 시스템, (ⅱ) 기판테이블 위치설정 시스템, (ⅲ) 광학 요소가 상기 투영시스템에 포함되는 광학 요소 위치설정 시스템, (ⅳ) 상기 방사선 빔의 파장을 조정하도록 구성되는 시스템, 또는 (ⅴ) 상기 (i) 내지 (ⅳ) 중 2 이상의 조합에 상기 피드백 제어 신호가 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 공간의 액체의 온도 변동을 최소화하도록 상기 액체의 온도를 제어하기 위하여 상기 제어시스템은 상기 공간에서 감지되는 온도를 기초로 하여 피드백 제어신호를 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    (i) 기판테이블의 위치, (ⅱ) 상기 투영시스템의 1 이상의 광학 요소들의 위치, (ⅲ) 상기 방사선 빔의 파장, 또는 (ⅳ) 상기 (i) 내지 (ⅲ) 중 2 이상의 조합을 조정하도록 구성되는 조정요소에 피드백 제어신호를 제공함으로써 연관된 이미징 효과를 보정하기 위해 상기 제어시스템은 공간에서 감지된 온도를 기초로 하여 피드백 제어신호를 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 투영시스템과 상기 기판 사이의 공간으로부터 하류에서 액체가 유동할 수 있는 유출부를 더 포함하고, 상기 측정시스템은 상기 공간의 하류의 액체의 온도를 측정하기 위해 상기 공간 하류의 유동 내에 배치되는 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제어시스템은 상기 공간 하류에서 감지되는 온도를 기초로 하여 상기 투영시스템과 상기 기판 사이의 공간 내의 액체의 온도를 제어하기 위한 피드백 제어를 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    (i) 기판테이블의 위치, (ⅱ) 상기 투영시스템의 1 이상의 광학 요소들의 위치, (ⅲ) 상기 방사선 빔의 파장, 또는 (ⅳ) 상기 (i) 내지 (ⅲ) 중 2 이상의 조합을 조정하도록 구성되는 조정요소에 피드백 제어신호를 제공함으로써 연관된 이미징 효과를 보정하기 위해 상기 제어시스템은 공간 하류에서 감지된 온도를 기초로 하여 피드백 제어신호를 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 측정시스템은 상기 방사선 빔의 광학적 특성을 감지하도록 구성되는 광학 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 광학 센서는 연속적 포커스 측정센서, 확대 센서, 수차측정 디바이스, 또는 그들 중 2 이상의 조합인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 제어시스템은 상기 광학 센서에 의하여 감지되는 광학적 특성을 기초로 하여 상기 투영시스템과 상기 기판 사이의 공간 내의 액체의 온도를 제어하기 위해 피드백 제어를 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  17. 제 14 항에 있어서,
    (i) 기판테이블의 위치, (ⅱ) 상기 투영시스템의 1 이상의 광학 요소들의 위치, (ⅲ) 상기 방사선 빔의 파장, 또는 (ⅳ) 상기 (i) 내지 (ⅲ) 중 2 이상의 조합을 조정하도록 구성되는 조정요소에 피드백 제어신호를 제공함으로써 연관된 이미징 효과를 보정하기 위해 상기 제어시스템은 상기 광학 센서에 의하여 감지된 광학적 특성을 기초로 하여 피드백 제어신호를 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 연속적 포커스 측정센서는 외부 센서, 또는 상기 투영시스템의 1 이상의 광학 요소들을 통해 포커스를 감지하도록 구성되는 스루 광학 요소 포커스 센서인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 광학 센서는 노광들 사이에서의 액체의 온도 변동의 포커스 효과를 주기적으로 측정하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  20. 투영시스템을 사용하여 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 투영하도록 구성되는 리소그래피 투영장치에 있어서,
    상기 투영시스템과 상기 기판 사이의 공간을 액체로 채우는 액체공급시스템;
    상기 액체의 온도 변동과 연관된 효과를 각각 측정, 또는 예측, 또는 측정 및 예측하는 측정시스템이나 예측시스템, 또는 그 둘 모두; 및
    상기 측정시스템, 또는 상기 예측시스템, 또는 상기 측정시스템 및 예측시스템에 의하여 각각 얻어지는 측정치, 또는 예측치, 또는 측정치 및 예측치를 기초로 하여, 상기 액체의 온도와 연관된 상기 효과 또는 또 다른 효과를 제어하는 제어시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  21. 리소그래피 장치를 제어하기 위한 제어시스템에 있어서,
    측정시스템이나 예측시스템, 또는 그 둘 모두에 의하여 각각 얻어지는 측정치나 예측치, 또는 그 둘 모두를 기초로 하여, 리소그래피 장치 내의 침지 액체의 온도 변동과 연관된 효과를 제어하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 제어시스템.
  22. 디바이스 제조방법에 있어서,
    투영시스템을 사용하여 패터닝된 방사선 빔을 액체를 통해 기판 상으로 패터닝하는 단계;
    상기 액체의 온도 변동과 연관된 효과를 측정하거나 예측하거나, 또는 측정 및 예측 모두를 수행하는 단계; 및
    상기 측정 단계, 또는 상기 예측 단계, 또는 상기 측정 단계 및 상기 예측 단계 각각에 의하여 얻어지는 측정치, 또는 예측치, 또는 측정치 및 예측치를 기초로 하여, 상기 액체의 온도 변동과 연관된 상기 효과 또는 또 다른 효과를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101915914B1 (ko) * 2003-05-28 2018-11-06 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7738074B2 (en) 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006126522A1 (ja) * 2005-05-24 2006-11-30 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TW200951640A (en) * 2008-04-30 2009-12-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5277731B2 (ja) * 2008-06-02 2013-08-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
NL2003341A (en) * 2008-08-22 2010-03-10 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
CN102735425A (zh) * 2011-04-07 2012-10-17 上海微电子装备有限公司 一种透镜热效应测量系统及测量方法
NL2010262A (en) 2012-03-07 2013-09-10 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus.
EP3011645B1 (en) 2013-06-18 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Lithographic method and system
US10444624B1 (en) 2018-11-30 2019-10-15 Canon Kabushiki Kaisha Active metrology frame and thermal frame temperature control in imprint lithography

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050009209A (ko) * 2003-07-16 2005-01-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
KR20050072685A (ko) * 2004-01-07 2005-07-12 캐논 가부시끼가이샤 노광장치 및 디바이스제조방법

Family Cites Families (126)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
DE2963537D1 (en) 1979-07-27 1982-10-07 Tabarelli Werner W Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
US4405701A (en) 1981-07-29 1983-09-20 Western Electric Co. Methods of fabricating a photomask
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
US6118515A (en) 1993-12-08 2000-09-12 Nikon Corporation Scanning exposure method
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
WO1998009278A1 (en) 1996-08-26 1998-03-05 Digital Papyrus Technologies Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO1999031717A1 (fr) 1997-12-12 1999-06-24 Nikon Corporation Procede d'exposition par projection et graveur a projection
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
TW550377B (en) 2000-02-23 2003-09-01 Zeiss Stiftung Apparatus for wave-front detection
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
EP1446703A2 (en) 2001-11-07 2004-08-18 Applied Materials, Inc. Optical spot grid array printer
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101349876B (zh) 2002-11-12 2010-12-01 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101424883B (zh) * 2002-12-10 2013-05-15 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
WO2004053954A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101101737B1 (ko) 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4179283B2 (ja) 2002-12-10 2008-11-12 株式会社ニコン 光学素子及びその光学素子を用いた投影露光装置
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR20120127755A (ko) 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
SG152063A1 (en) 2002-12-10 2009-05-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US6992750B2 (en) 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
EP1571694A4 (en) 2002-12-10 2008-10-15 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE
CN100370533C (zh) 2002-12-13 2008-02-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置
CN1316482C (zh) 2002-12-19 2007-05-16 皇家飞利浦电子股份有限公司 照射层上斑点的方法和装置
JP4364806B2 (ja) 2002-12-19 2009-11-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上にスポットを照射する方法及び装置
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
JP2004281697A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Canon Inc 露光装置及び収差補正方法
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
JP4488005B2 (ja) 2003-04-10 2010-06-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路
KR101364889B1 (ko) 2003-04-10 2014-02-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
JP4656057B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
EP1611486B1 (en) 2003-04-10 2016-03-16 Nikon Corporation Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus
KR101861493B1 (ko) 2003-04-11 2018-05-28 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
SG10201803122UA (en) 2003-04-11 2018-06-28 Nikon Corp Immersion lithography apparatus and device manufacturing method
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
WO2004095135A2 (en) 2003-04-17 2004-11-04 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101915914B1 (ko) * 2003-05-28 2018-11-06 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP5143331B2 (ja) 2003-05-28 2013-02-13 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7274472B2 (en) 2003-05-28 2007-09-25 Timbre Technologies, Inc. Resolution enhanced optical metrology
EP2261741A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005001913A1 (ja) * 2003-06-30 2005-01-06 Nikon Corporation ステージ制御装置及び方法並びに露光装置及び方法
WO2005010611A2 (en) 2003-07-08 2005-02-03 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
EP1498781B1 (en) 2003-07-16 2019-04-17 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
US6844206B1 (en) * 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
WO2005022616A1 (ja) 2003-08-29 2005-03-10 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
JP4288426B2 (ja) 2003-09-03 2009-07-01 株式会社ニコン 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法
JP4378136B2 (ja) 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005083800A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Hitachi Ltd 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP3870182B2 (ja) 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
CN100498533C (zh) 2003-09-25 2009-06-10 英飞凌科技股份公司 用于曝光衬底的浸没式光刻方法和装置
EP1524558A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1524557A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005159322A (ja) 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
JP2005175016A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005175034A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
JP2005191381A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2005191393A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
KR20180117228A (ko) * 2004-01-05 2018-10-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP4319189B2 (ja) 2004-01-26 2009-08-26 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP3252533B1 (en) 2004-02-04 2019-04-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device
JP4018647B2 (ja) 2004-02-09 2007-12-05 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
US7113256B2 (en) * 2004-02-18 2006-09-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method with feed-forward focus control
JP4510494B2 (ja) 2004-03-29 2010-07-21 キヤノン株式会社 露光装置
JP2005286068A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Canon Inc 露光装置及び方法
US7289858B2 (en) * 2004-05-25 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic motion control system and method
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4980922B2 (ja) 2004-11-18 2012-07-18 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置及びマイクロリソグラフィ投影露光装置の像面湾曲を修正するための方法
US20060147821A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006261607A (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Canon Inc 液浸露光装置、液浸露光方法及びデバイス製造方法。
WO2006133800A1 (en) 2005-06-14 2006-12-21 Carl Zeiss Smt Ag Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050009209A (ko) * 2003-07-16 2005-01-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
KR20050072685A (ko) * 2004-01-07 2005-07-12 캐논 가부시끼가이샤 노광장치 및 디바이스제조방법

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