도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시하고 있다. 상기 장치는, 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 또는 다른 적절한 타입의 방사선)을 콘디셔닝하도록 구성된 조명시스템(일루미네이터)(IL) 및 패터닝장치(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하고, 특정 파라미터들에 따라 패터닝장치를 정확히 위치시키도록 구성되는 제1위치설정장치(PM)에 연결되도록 이루어지는 지지구조체 또는 패터닝장치 지지부(예를 들어, 마스크테이블)(MT)을 포함한다. 상기 장치는 또한, 기판(W)(예를 들어, 레지스트코팅된 웨이퍼)을 잡아주고, 특정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제2위치설정장치(PW)에 연결되도록 이루어진 기판테이블 또는 기판지지부(예를 들어, 웨이퍼테이블)(WT) 및 패터닝장치(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함함)상에 투영하도록 구성된 투영시스템(PS)(예를 들어, 굴절형 투영렌즈 시스템)을 포함한다.
조명시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어시키기 위하여 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 및 여타 유형의 광학 구성요소, 또는 그들의 조합과 같은 다양한 종류의 광학 구성요소를 포함할 수도 있다.
지지구조체는, 패터닝장치의 무게를 지지, 즉 지탱한다. 지지구조체는, 패터 닝장치의 방위, 리소그래피 장치의 디자인 및 예를 들어 패터닝장치가 진공 환경내에서 유지되는지의 여부와 같은 여타 조건들에 종속적인 방식으로 패터닝장치를 유지시킨다. 지지구조체는 패터닝장치를 유지시키기 위하여 기계적, 진공, 정전기 또는 여타의 클램핑 기술을 사용할 수 있다. 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 이동할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 상기 지지구조체는, 패터닝장치가 예를 들어 투영시스템에 대해 원하는 위치에 있을 수 있도록 한다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝장치"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
여기서 사용되는 "패터닝장치(patterning device)"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 장치를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 예를 들어, 패턴이 위상-시프팅 피처 또는 소위 어시스트 피처들을 포함하는 경우 방사선 빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟부내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것에 유의해야 한다. 일반적으로, 투영빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다.
패터닝장치는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝장치의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하 는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 예를 들어 사용되는 노광방사선에 대하여, 또는 침지 유체(immersion fluid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절하다면, 굴절광학시스템, 반사광학시스템, 카타디옵트릭시스템, 자기시스템, 전자기시스템 및 정전기 광학시스템 또는 그들의 조합을 포함하는 소정 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사형 마스크를 채용한) 반사형이다. 대안적으로는, 상기 장치는 (예를 들어, 투과형 마스크를 채용한) 투과형일 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼스테이지)이상의 기판테이블 또는 기판지지부(및/또는 2이상의 마스크테이블 또는 패터닝장치 지지부)를 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블 또는 지지부들이 병행하여 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블 또는 지지부들이 노광에 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블 또는 지지부들에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
리소그래피 투영장치에서는, 투영시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 기판의 적어도 일부분이, 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체, 예를 들어, 물로 덮히는 형태로 이루어질 수도 있다. 리소그래피 장치의 여타 공간, 예를 들어 마스크 와 투영시스템 사이에 침지 액체가 적용될 수도 있다. 침지 기술들은 당업계에서 투영시스템의 개구수를 증가시키는 것으로 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지(immersion)"라는 용어는, 기판과 같은 구조체가 액체내에 잠겨야한다는 것을 의미하는 것이 아니라, 노광 동안에 투영시스템과 기판 사이에 액체가 배치된다는 것을 의미하는 것이다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선소스(S0)로부터 방사선의 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 부분을 형성하는 것으로 간주 되지는 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어, 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스펜더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)(도시 안됨)의 도움으로, 방사선 빔이 상기 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 여타의 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요하다면 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라 칭해질 수도 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도세기분포를 조정하는 조정기구(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필평면내의 세기분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(도시 안됨) 및 콘덴서(도시 안됨)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터(IL)는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 콘디셔닝하는데 사용될 수도 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지구조체(예를 들어, 마스크테이블(MT) 또는 패터닝장치 지지부)상에서 유지되어 있는 패터닝장치(예를 들어, 마스크(MA))상에 입사되며, 패터닝장치에 의해 패터닝된다. 상기 방사선 빔(B)은, 마스크(MA)상에서 반사된 후에, 투영시스템(PL)을 통과하며, 상기 투영시스템은 기판(W)의 타겟부(C)상에 상기 빔을 포커싱한다. 제2위치설정장치(PW) 및 위치센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 선형 인코더(linear encoder) 또는 캐퍼시티 센서(capacitive sensor))의 도움으로, 기판테이블 또는 기판지지부(WT)는, 방사선 빔(B)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정장치(PM) 및 또 다른 위치센서(IF1)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블 또는 패터닝장치 지지부(MT)의 이동은, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 제1위치설정장치(PM)의 일부를 형성한다. 이와 유사하게, 기판테이블(WT)의 이동은 제2위치설정장치(PW)의 일부를 형성하는 긴 행정 모듈 및 짧은 행정 모듈을 사용하여 실현될 수도 있다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 상기 마스크테이블(MT)은 단지 짧은 행정액츄에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수도 있다. 예시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 할당된 타겟부를 점유하기는 하나, 그들은 타겟부들 사이의 공간들에 배치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있음). 이와 유사하게, 마스크(MA)상에 1이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 다이들 사이에 마스크 정렬 마크들이 배치될 수도 있다.
상술된 장치는 다음의 바람직한 모드들 중 1이상에서 사용될 수 있다.
스텝 모드: 마스크테이블 또는 패터닝장치 지지부(MT) 및 기판테이블 또는 기판지지부(WT)는 기본적으로 정지상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C)상에 투영된다{즉, 단일 정적 노광(single static exposure)}. 그런 후, 기판테이블(WT)은 X 및/또는 Y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 묘화되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
스캔 모드: 마스크테이블 또는 패터닝장치 지지부(MT) 및 기판테이블 또는 기판지지부(WT)는 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다{즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)}. 마스크테이블(MT)에 대한 기판테이블(WT)의 속도 및 방향은 확대(축소) 및 투영시스템(PS)의 이미지 반전 특성에 의하여 결정된다. 스캔 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 동적노광시 타켓부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
또 다른 모드: 마스크테이블 또는 패터닝장치 지지부(MT)는 프로그램가능한 패터닝장치를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안, 기판테이블 또는 기판지지부(WT)가 이동되거 나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝장치는 기판테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선펄스 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 종류의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝장치를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
마스크테이블이나 패터닝장치 지지부(MT) 및 기판테이블이나 기판지지부(WT)를 각각 정확히 위치시키기 위하여, 상술된 위치설정 장치(PM 및 PW) 각각은, 레이저 간섭계 위치센서(IF1, IF2)에 각각 커플링될 수 있는 위치제어시스템(PCS)에 커플링될 수도 있다. 도 1에서, 이러한 커플링은 개략적으로 점선으로 나타나 있다. 위치센서(IF1) 측정 영역의 절대 압력을 결정하기 위하여, 위치제어시스템(PCS)은 절대 압력 센서(PAS1)에 커플링될 수도 있다. 또한, 위치제어시스템(PCS)은 위치센서(IF2) 측정 영역의 절대 압력을 결정하기 위하여 절대 압력 센서(PAS2)에 커플링될 수도 있다. 절대 압력 센서(PSA1, PSA2)에 의하여 측정되는 절대 압력값에 의하여, 각각 위치 센서(IF1, IF2)에 의하여 사용되는 레이저 광의 파장이 결정될 수도 있고, 그에 의해 위치 센서(IF1, IF2)에 의하여 이루어지는 측정들이 보정될 수도 있다.
각각의 위치 센서(IF1, IF2)에 대해 별개의 절대 압력 센서(PSA1, PSA2)를 사용하는 대신에, 두 위치 센서(IF1, IF2) 모두에 대해 하나의 절대 압력 센서가 사용될 수도 있다. 마스크테이블(MT) 및/또는 기판테이블(WT)의 위치가 레이저 간섭계 위치 센서(IF1 및/또는 IF2)와는 다른 시스템들에 의해 결정된다면, 절대 압력 센서(PSA1, PSA2)가 생략될 수도 있다. 마스크테이블(MT) 및/또는 기판테이블(WT)의 초기의 위치설정이, 레이저 간섭계 위치 센서(IF1, IF2)와는 다른 (마스크 또는 마스크테이블(MT)상의 정렬 마크들이나 또는 기판 또는 기판테이블(WT)상의 정렬 마크들과 같은) 시스템에 의해서만, 또는 그의 도움을 받아 이루어진다면, 이 때에도 절대 압력 센서(PSA1 및/또는 PSA2)가 생략될 수 있다.
위치 센서(IF1, IF2) 측정 영역의 상대적인 압력을 각각 결정하기 위하여, 위치 제어시스템(PCS)은 차동 압력 센서(PSD1, PSD2)에 커플링될 수도 있다. 차동 압력 센서(PSD1, PSD2)의 구성의 세부사항들이 도 2 내지 4를 참조하여 후술될 것이다.
도 2는, 폐쇄되어 있고, 공지된 유동 특성들을 갖는 모세관(24)을 통해 주위 공간(22)에 대한 개방 연결부로부터 떨어진 기준 압력 볼륨(20)을 나타내고 있다. 기준 압력 볼륨(20)(이후 용기(20)라 칭하기도 함)은 나아가 (PSD1, PSD2와 같은)차동 압력 센서(26)의 일 측면과 연결되고, 나머지 한 측면은 주위 공간(22)과 개방 연결되어 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 다른 한 측면은 실질적으로 모세관(24)과 동일한 위치에 있다. 이러한 구성에 의하면, 후술되는 바와 같이, 주위 공간의 압력 변화들이 매우 신속하고 정확하게 측정될 수 있다.
주위 공간의 압력은 시간의 함수 P(t)로 나타낼 수 있고, 용기내의 압력은 Pv(t)로 나타낼 수 있으며, 차동 압력 센서(26)를 가로지르는 차동 압력은 ΔP(t)로 나타낼 수 있다. 이 때:
이는,
과 동일하며,
여기서,
s는 미분연산자 d/dt 이고,
R은 모세관(24)의 유동 저항[Pa*s*m-3] 이고,
V는 용기의 용량성[m3*Pa-1] 이다.
따라서,
이 되며,
여기서, P0(적분 상수)는 t=0에서의 압력이다.
(t = t0 이후에) t = t1에서 압력 변화 ΔPsince _ t0(T1)는:
가 된다.
상기 수학식 2로부터, 상수 P0, R 및 V가 알려져 있을 경우 주위 공간(22)의 실제 압력{P(t)}이 계산될 수 있다. P0는 (PSA1, PSA2와 같은) 절대 압력 센서에 의해 측정될 수 있다. R 및 V는 선택된 디자인으로부터 나온다.
실제 압력 변화의 연산을 위해 상수 P0를 알 필요는 없다. 이는, 시각 t0에서 간섭계 시스템에 의해 측정될 위치가 알려져 있고, (모세관(24)을 통한 유동은 차동 압력과 비례하기 때문에, 공지된 모세관 유동 저항성과 조합한 차동 압력 센서의 측정치들에 의해 결정될 수도 있는) 용기의 압력 변화가 알려져 있는 경우 매우 유리하다.
절대 압력의 변화로 인하여, 모세관(24)을 통해 유동하는 가스의 속성들이 변할 수 있고, 따라서 절대 압력의 제한된 범위에 걸쳐 기준 압력 용기(20)의 압력 변화의 연산의 토대가 되는 유동 예측의 정확성이 보장될 수 있다는 것이 관측된다.
도 3에 예시된 바와 같이, 용기(30)는, 본질적으로 공지된 방식, 예를 들어 제어 액추에이터에 의하여 개방 및 폐쇄될 수 있는, 개략적으로 나타낸 밸브(34)에 의하여 주위 공간(32)에 연결될 수도 있다. 도 3에 도시된 위치에서는, 밸브(34)가 폐쇄되어, 상기 용기(30)를 주위 공간(32)으로부터 고립시킨다. 용기(30)와 주위 공간(32)간의 압력 차이는 차동 압력 센서(36)에 의하여 측정될 수 있다. 밸브(34)가 개방되는 경우에는, 차동 압력 센서(36)에 걸쳐 압력 차이가 존재하지 않는 한편, 밸브가 폐쇄되는 경우에는 차동 압력 센서(36)에 걸쳐 압력 차이가 조성될 수도 있다.
밸브(34)가 폐쇄되는 경우 P0와 차동 압력{ΔP(t)}의 합이 측정될 수 있으므로, (PSA1, PSA2와 같은) 절대 압력 센서에 의하여 주위 공간(32)의 실제 압력{P(t)}이 측정될 수 있다.
주위 공간의 실제 압력 변화를 연산하기 위해 상수(P0)를 알 필요는 없다. 이는, 시각 t0에서 간섭계 시스템에 의해 측정될 위치가 알려져 있고, (차동 압력 센서의 측정치들에 의해 결정될 수도 있는) 주위 공간의 압력 변화가 알려져 있는 경우 매우 유리하다. 밸브(34)는 측정 이전에 개방될 수도 있고 시각 t0 및 측정 동안에는 폐쇄될 수도 있다.
본 발명의 추가 실시예에서, 모세관 및 밸브는 병렬로 연결될 수도 있는데, 여기서, 밸브는 측정 이전에 개방되어, 차동 압력 센서에 걸친 압력 차이가 0과 같아지도록 하는 한편(도 3에서와 같이 기능), 밸브는 시각 t0 및 측정 동안에는 폐쇄될 수도 있다(도 2에서와 같이 기능).
온도 변화들에 의해 유발되는 압력을 저감시키기 위하여, 용기(20)(도 2) 및 용기(30)(도 3)의 온도는 (예를 들어, 1 mK 이하 정도로) 매우 안정적이어야 한다. 또한, 역전(reverse)은 회피되어야 한다: 용기(20, 30)에서의 (특히 모세관(24)을 통한 가스 유동에 의해 용기(20)에서의) 압력 변화들은 용기내에서 단열 온도 효과를 유발한다. 용기내에서 가스가 팽창하는 경우, 주위 압력의 감소로 인하여, 가스의 온도는 단열 팽창으로 인해 저하될 것이다. 본 발명의 일 실시예에서, 용기(20,30)는 온도 안정성을 제공하도록 온도 콘디셔닝된 도전성이 큰 재료의 미세한 메시(mesh)를 포함할 수도 있다.
또한, 용기(20, 30)의 볼륨은 온도 및 힘과 같은 외부적인 영향들로 인해 변화될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 용기(20, 30)는 그것의 볼륨 변화를 방지하기 위해 (온도 변화를 겪게 될 때 팽창하지 않고, 외부적인 힘들로 인해서도 팽창하지 않는) 비-팽창 재료로 만들어진다. 본 발명의 일 실시예에서는 두꺼운 벽으로 된 인바(Invar) 또는 탄소 섬유 용기가 사용될 수 있다. 이들 재료들은 큰 강성과 낮은 열팽창계수를 갖는다. 대안으로서 및/또는 성능을 향상시키기 위하여, 패시브 타입(고립) 및/또는 액티브 타입(온도 콘디셔닝)의 온도 고립(isolation)이 이용될 수도 있다.
상술한 영향들로부터 발생되는 문제들은, 도 2 및 3에서 점선으로 나타낸 바와 같이 용기(20, 30)와 각각 유체적으로 연결된 절대 압력 센서(28,38)를 사용하여 해결될 수도 있다. 통상적으로 절대 압력 센서들은, 한 쪽 측상에서는 측정될 압력을, 다른 측 상에서는 절대 진공의 영향을 받는 멤브레인 또는 벨로우즈에 의 한 응력을 받는 공진 요소(resonant element)를 토대로 한다. 상기 공진 요소는 통상적인 압력에 의존적인 고유 진동수로 진동한다. 상기 고유 진동수는 매우 정확한 내부 클록 및 할당된 전자기기들에 의해 정확하게 측정된다. 측정을 위해 이용가능한 시간의 길이가 길수록, 상기 빈도를 보다 정확히 알 수 있어, 절대 압력이 결정될 수 있다. 용기(20, 30)내에서의 압력 변화들은 매우 작기 때문에, 절대 압력 센서(28, 38)는 업데이티들간에 몇 초 정도의 긴 시간(느린 리프레시 속도) 및 예를 들어 통상적인 경우보다 10배 정도의 높은 정확성을 가지고 측정할 수 있다. 한편, 차이 센서(26, 36)는, 측정 범위가 상대적으로 작고 상대적인 측정 오차가 극단적으로 작을 필요는 없기 때문에, 10 내지 100 Hz 이상의 리프레시 속도로 이용될 수 있다. 따라서, 절대 압력 센서(28, 38)와 차동 압력 센서(26, 36)의 조합을 채용함으로써, 정확성의 증가와 리프레시 속도의 증가를 동시에 달성할 수도 있다. 한 절대 압력 센서의 업데이트로부터 후속하는 업데이트까지의 압력 변화 (구배)는 상당히 작기 때문에, 차동 압력 센서의 각 업데이트시, 절대 압력 센서에 의해 측정되는 압력은 절대 압력 센서의 이전 두 업데이트들의 보간을 통해 정확하게 평가될 수도 있다. 이에 따라 달성되는 높은 효과의 리프레시 속도의 큰 장점은, 특히 폭풍우 기후에서 발생되는 것과 같이 상대적으로 빠르게 변화하는 주위 공간의 압력 조건들에 있어서의, 동적(dynamic) 압력 측정에 대한 가능성에 있다.
훨씬 더 개선된 실시예에서 모세관(24)을 사용하는 경우, 수학식 2의 적분은 (통상적으로 더 긴 시간 대신) 수 초에 걸쳐 수행되며, 절대 압력 센서로부터의 업데이트가 적분 알고리즘을 캘리브레이팅하는데 사용된다.
도 4에 예시된 바와 같이, 별도의 용기를 제공하는 비용을 절감하기 위하여, 스캐너/스테퍼 투영렌즈부가 기준 압력 볼륨(40)으로서 사용될 수 있다. 용기(40)로부터 차동 압력 센서로의 연결부(42)는 차동 압력 센서에 의한 렌즈의 오염을 회피하기 위하여 렌즈 유출부상에 만들어져야 한다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 연결부는, 그를 통해 최소한의 유동을 갖도록 렌즈 연결부를 지나 대략 10 내지 20 mm 정도로 만들어지며, 적어도 상기 투영렌즈를 통한 정화 유동으로부터 분리된다.
도 4는 유량계(45)를 갖는 렌즈 가스 시스템(44), 모세관(46), 차동 압력 센서(47), 절대 압력 센서(48), 및 용기(40)와 차동 압력 센서(47)의 위치와는 다른 다양한 위치간의 압력 차이를 측정하는 추가적인 최적의 차동 압력 센서들(49)을 나타내고 있다. 차동 압력 센서들은, 예를 들어 레이저 간섭계 시스템의 레이저 빔의 경로를 따르는, 주위 공간에서의 1 또는 그 이상의 차원의 압력 구배를 결정하는데 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 도 4의 위치 측정 장치는 압력 차이를 기초로 하여 주위 공간에서의 압력 변화를 결정하도록 구성된 연산 유닛을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에서, 연산 유닛은, 상술된 상이한 작업들을 수행하도록 구성된 적분기 및 가산기를 포함할 수도 있다.
본 발명의 실시예들은 또한, 위치 측정 시스템의 위치 측정치를 보정하도록 구성된 위치 측정 보정기를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 정확하고 신속한 주위 압력 측정들은, 위치 측정이 주위 공간에서의 압력 변화에 의한 영향을 받는 경우, (레이저 간섭계 시스템 과 같은) 대상물 위치 측정 시스템에 의해 주위 공간에서 이루어지는 위치 측정의 보정을 가능하게 한다. 주위 공간과 기준 압력 볼륨 사이에는 모세관 또는 밸브와 같은 유체 연결부가 사용된다. 어느 경우에는, 기준 압력 볼륨의 절대 압력이 측정되거나 그렇지 않을 수 있다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서 리소그래피장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 상기 리소그래피장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드의 제조와 같이 여타의 응용례를 가질 수도 있다는 것을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수도 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판처리툴과 여타의 기판처리툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 여러번 처리된 층들을 이미 포함한 기판을 칭할 수 있다.
광학 리소그래피의 배경에서 본 발명의 실시예들의 용례에 대하여 상술하였으나, 본 발명은, 예를 들어 임프린트 리소그래피와 같은 여타의 응용례에서 사용될 수도 있으며, 상황이 허락한다면, 광학 리소그래피로만 제한되지는 않는다는 것 을 이해해야 한다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝장치의 토포그래피(topography)는 기판상에 생성되는 패턴을 한정한다. 패터닝장치의 토포그래피는, 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그들의 조합을 적용함으로써 레지스트가 큐어링(cure)되는 기판에 공급되는 레지스트의 층내로 가압될 수도 있다. 상기 패터닝장치는 레지스트가 큐어링된 후에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는, (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)선 및 (예를 들어 5 내지 20nm의 파장을 갖는) 극자외(EUV)선과, 이온빔 또는 전자빔과 같은 입자빔들을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선을 포괄한다.
본 명세서에서 사용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 하나 또는 조합을 지칭할 수도 있다.
본 발명의 특정 실시예들에 대해 상술하였으나, 본 발명은 설명된 것과는 달리 실행될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 본 발명은, 상술된 바와 같은 방법을 설명하는 기계-판독가능 명령어들의 1이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램이나, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 내부에 저장되는 데이터 저장매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
상기 설명은 예시를 위한 것으로 제한의 의도는 없다. 따라서, 당업자라면 후속 청구항의 범위를 벗어나지 않는 선에서, 설명된 바와 같은 본 발명에 대한 수정이 가해질 수도 있다는 것을 이해할 것이다.