JP4603998B2 - リソグラフィ装置、位置量検出システム及び方法 - Google Patents
リソグラフィ装置、位置量検出システム及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4603998B2 JP4603998B2 JP2006123381A JP2006123381A JP4603998B2 JP 4603998 B2 JP4603998 B2 JP 4603998B2 JP 2006123381 A JP2006123381 A JP 2006123381A JP 2006123381 A JP2006123381 A JP 2006123381A JP 4603998 B2 JP4603998 B2 JP 4603998B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- physical quantity
- local
- lithographic apparatus
- movable part
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 60
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 44
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 10
- 230000036461 convulsion Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 52
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 38
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 101100189060 Arabidopsis thaliana PROC1 gene Proteins 0.000 description 7
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005293 physical law Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
ステップ・モード:マスク・テーブルMTすなわち「マスク支持物」及び基板テーブルWTすなわち「基板支持物」は基本的に静止状態に保たれるが、一方で、放射ビームに与えられた全パターンは一度に目標部分Cに投影される(すなわち、単一静的露光)。次に、異なる目標部分Cが露光されるように、基板テーブルWTすなわち「基板支持物」はX方向及び/又はY方向にシフトされる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成される目標部分Cのサイズが制限される。
走査モード:放射ビームに与えられたパターンが目標部分Cに投影されている間に、マスク・テーブルMTすなわち「マスク支持物」及び基板テーブルWTすなわち「基板支持物」は同期して走査される(すなわち、単一動的露光)。マスク・テーブルMTすなわち「マスク支持物」に対する基板テーブルWTすなわち「基板支持物」の速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光での目標部分の(非走査方向の)幅が制限されるが、走査移動の長さによって目標部分の(走査方向の)高さが決定される。
他のモード:マスク・テーブルMTすなわち「マスク支持物」は、プログラム可能パターン形成デバイスを保持して基本的に静止状態に保たれ、基板テーブルWTすなわち「基板支持物」は、放射ビームに与えられたパターンが目標部分Cに投影されている間に、動かされる、すなわち走査される。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、プログラム可能パターン形成デバイスは、基板テーブルWTすなわち「基板支持物」の各移動の後で、又は走査中に連続した放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイのようなプログラム可能パターン形成デバイスを使用するマスクレス・リソグラフィに容易に応用することができる。
WT 基板テーブル(ウェハ・テーブル)
MT マスク支持構造(マスク・テーブル)
MA パターン形成デバイス(マスク)
IL 照明システム(照明装置)
B 放射ビーム
A 領域(流体で満たされたスペース)
IF1 第1の干渉計
IF2 第2の干渉計
SD1 第1の局所センサ
SD2 第2の局所センサ
Sstat 大域センサ
MB1 測定ビーム
PROC1 第1のデータ処理デバイス
PROC2 第2のデータ処理デバイス
CFD 計算流体動力学モデル
Claims (19)
- 可動部の位置量を決定する位置量決定システムを備えるリソグラフィ装置であって、前記可動部が、流体を含む領域で少なくとも部分的に囲まれており、前記位置量決定システムが、
前記可動部の波長関連位置量パラメータを決定するように構成された干渉計システムであって、光測定ビームを前記領域の一部分を通して前記可動部に伝達するように構成された干渉計システムと、
大域センサを用いて前記領域内の前記流体の物理量の大域的な値を決定する大域的物理量決定システムと、
局所センサを用いて前記領域の前記一部分内の前記流体の前記物理量の局所値を決定する局所物理量決定システムとを備え、
前記位置量決定システムが、前記波長関連位置量パラメータ、前記物理量の前記大域的値及び前記物理量の前記局所値から前記位置量を決定するように構成されているリソグラフィ装置。 - 前記大域的物理量決定システムは、前記領域内の前記流体の物理量の平均値を、前記大域的な値として決定する請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記可動部の第2の波長関連位置量パラメータを決定するように構成された第2の干渉計システムであって、第2の光測定ビームを前記領域の第2の一部分を通して前記可動部に伝達するように構成された第2の干渉計システムと、
前記領域の前記第2の一部分内の前記物理量の第2の局所値を決定するように構成された第2の局所物理量決定システムとを備え、
前記第2の干渉計システムが、前記第2の波長関連位置量、前記物理量の前記大域的値及び前記物理量の前記第2の局所値から第2の位置量を決定するように構成されている、請求項1または2に記載のリソグラフィ装置。 - 前記物理量が圧力を含む、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記局所物理量決定システムが、音響センサ又は高速圧力センサを備える、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記局所物理量決定システムが、計算流体動力学モデルを備える、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記局所物理量決定システムが、前記リソグラフィ装置の物理パラメータから前記物理量の前記局所値を概算するための数学近似モデルを備える、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置の前記物理パラメータが、前記可動部の位置、前記可動部の速度、前記可動部の加速度、前記リソグラフィ装置の他の可動部の位置、前記リソグラフィ装置の前記他の可動部の速度、及び前記リソグラフィ装置の前記他の可動部の加速度のうちの1つ又は複数を含む、請求項7に記載のリソグラフィ装置。
- 前記数学近似モデルが、計算流体動力学モデルで較正されている、請求項7に記載のリソグラフィ装置。
- 前記数学近似モデルが、前記物理パラメータの関数としての前記局所物理量の値の測定値で較正されている、請求項7に記載のリソグラフィ装置。
- 前記位置量が、位置、速度、加速度及びジャークのうちの1つ又は複数を含む、請求項1乃至10のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記波長関連位置量パラメータが、位置、速度、加速度又はジャークを含む、請求項1乃至11のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 可動部の位置量を決定するように構成された位置量決定システムであって、前記可動部が、流体を含む領域で少なくとも部分的に囲まれており、
前記可動部の波長関連位置量パラメータを決定するように構成された干渉計システムであって、光測定ビームを前記領域の一部分を通して前記可動部に伝達するように構成された干渉計システムと、
大域センサを用いて前記領域内の前記流体の物理量の大域的な値を決定するように構成された大域的物理量決定システムと、
局所センサを用いて前記領域の前記一部分内の前記流体の前記物理量の局所値を決定するように構成された局所物理量決定システムとを備え、
前記波長関連位置量パラメータ、前記物理量の前記大域的値及び前記物理量の前記局所値から前記位置量を決定するように構成されている位置量決定システム。 - 流体を含む領域で少なくとも部分的に動作中に囲まれている可動部の位置量を決定する位置量決定方法であって、
干渉計システムを用いて前記可動部の波長関連位置量パラメータを決定するステップであって、前記干渉計システムが光測定ビームを前記領域の一部分を通して前記可動部に伝達するように構成されているステップと、
大域センサを用いて前記領域内の前記流体の物理量の大域的な値を決定するステップと、
局所センサを用いて前記領域の前記一部分内の前記流体の前記物理量の局所値を決定するステップと、
前記波長関連位置量パラメータ、前記物理量の前記大域的値及び前記物理量の前記局所値から前記位置量を決定するステップとを備える方法。 - 前記物理量が、圧力を含む、請求項14に記載の方法。
- 前記局所物理量決定システムが、音響センサ又は高速圧力センサを備える、請求項14または15に記載の方法。
- 前記流体の前記物理量の前記局所値が、計算流体動力学モデルで決定される、請求項14乃至16のいずれか1項に記載の方法。
- 前記位置量が、位置、速度、加速度及びジャークのうちの1つ又は複数を含む、請求項14乃至17のいずれか1項に記載の方法。
- 前記波長関連位置量パラメータが、位置、速度、加速度又はジャークを含む、請求項14乃至18のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/120,193 US7271917B2 (en) | 2005-05-03 | 2005-05-03 | Lithographic apparatus, position quantity detection system and method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006313903A JP2006313903A (ja) | 2006-11-16 |
JP4603998B2 true JP4603998B2 (ja) | 2010-12-22 |
Family
ID=37393742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006123381A Active JP4603998B2 (ja) | 2005-05-03 | 2006-04-27 | リソグラフィ装置、位置量検出システム及び方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7271917B2 (ja) |
JP (1) | JP4603998B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060147821A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7672749B1 (en) * | 2005-12-16 | 2010-03-02 | GlobalFoundries, Inc. | Method and apparatus for hierarchical process control |
US7932494B2 (en) * | 2009-03-03 | 2011-04-26 | Hermes Microvision, Inc. | Method for characterizing vibrational performance of charged particle beam microscope system and application thereof |
US9507277B2 (en) * | 2010-07-30 | 2016-11-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN112212790B (zh) * | 2020-09-29 | 2021-12-24 | 中咨数据有限公司 | 一种水泥混凝土预制件生产用智能化测量装置的使用方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000323404A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-11-24 | Asm Lithography Bv | リソグラフィック投影装置のオフアキシレベリング |
JP2002543372A (ja) * | 1999-04-28 | 2002-12-17 | ザイゴ コーポレイション | 屈折率変動を補償する干渉装置および方法 |
JP2004301825A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-10-28 | Nikon Corp | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2005510075A (ja) * | 2001-11-15 | 2005-04-14 | ザイゴ コーポレーション | 干渉計における気体の屈折度の変動の影響の補償 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8920448D0 (en) * | 1989-09-09 | 1989-10-25 | Renishaw Plc | Apparatus for adjusting the alignment of a light beam |
JP2864060B2 (ja) * | 1991-09-04 | 1999-03-03 | キヤノン株式会社 | 縮小投影型露光装置及び方法 |
US5552888A (en) * | 1994-12-02 | 1996-09-03 | Nikon Precision, Inc. | Apparatus for measuring position of an X-Y stage |
JPH09115800A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
TWI304157B (en) * | 2002-11-27 | 2008-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7310130B2 (en) * | 2004-10-05 | 2007-12-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and position measuring method |
-
2005
- 2005-05-03 US US11/120,193 patent/US7271917B2/en active Active
-
2006
- 2006-04-27 JP JP2006123381A patent/JP4603998B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000323404A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-11-24 | Asm Lithography Bv | リソグラフィック投影装置のオフアキシレベリング |
JP2002543372A (ja) * | 1999-04-28 | 2002-12-17 | ザイゴ コーポレイション | 屈折率変動を補償する干渉装置および方法 |
JP2005510075A (ja) * | 2001-11-15 | 2005-04-14 | ザイゴ コーポレーション | 干渉計における気体の屈折度の変動の影響の補償 |
JP2004301825A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-10-28 | Nikon Corp | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006313903A (ja) | 2006-11-16 |
US20060250617A1 (en) | 2006-11-09 |
US7271917B2 (en) | 2007-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4425876B2 (ja) | リソグラフィ装置および位置決め装置 | |
US7619207B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP5275210B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
US8446567B2 (en) | Stage system calibration method, stage system and lithographic apparatus comprising an encoder measurement system to measure position of stage system | |
KR100725620B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 위치측정방법 | |
JP5036914B2 (ja) | デュアルステージエリアリソグラフィ装置における位置測定システムの補正方法 | |
US9606458B2 (en) | Method for calibration of an encoder scale and a lithographic apparatus | |
JP5276155B2 (ja) | 較正データ更新方法及びデバイス製造方法 | |
KR101651447B1 (ko) | 정량적 레티클 왜곡 측정 시스템 | |
JP6080970B2 (ja) | 位置測定システム、位置測定システムの格子及び方法 | |
JP6553295B2 (ja) | 近接センサ、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 | |
US10955761B2 (en) | Lithographic apparatus, lithographic projection apparatus and device manufacturing method | |
JP4603998B2 (ja) | リソグラフィ装置、位置量検出システム及び方法 | |
US7557903B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
TWI454853B (zh) | 控制器、微影裝置、控制物件位置之方法及元件製造方法 | |
JP6426204B2 (ja) | 対象物位置決めシステム、制御システム、リソグラフィ装置、対象物位置決め方法およびデバイス製造方法 | |
JP4515426B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US7283249B2 (en) | Lithographic apparatus and a method of calibrating such an apparatus | |
US7242454B1 (en) | Lithographic apparatus, and apparatus and method for measuring an object position in a medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061206 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070524 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090831 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100906 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101004 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4603998 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |